JP2628632B2 - Ｘ線分光用結晶構成体及び該結晶構成体を備えるｘ線分析装置 - Google Patents
Ｘ線分光用結晶構成体及び該結晶構成体を備えるｘ線分析装置Info
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Description
【発明の詳細な説明】 この発明は、基板（キャリヤー）に接合した結晶構成
体に関し、また該結晶構成体を備えるＸ線分析装置に関
するものである。
体に関し、また該結晶構成体を備えるＸ線分析装置に関
するものである。
結晶構成体を例えばＸ線分析装置に使用することは、
結晶の背面、即ち結晶の基板に接合する側の面の平滑性
が不十分である場合、Ｘ線ビームにより照射されるべき
結晶面に局部的不規則性が起こる欠点を有する。これら
の不規則性は、結晶の分析又は単色化能力に悪影響を及
ぼす。また、既知の結晶では、結晶の金属基板により反
射されるＸ線と云う問題にも直面する。また、種々の欠
点が、例えば接合工程によって接合層例えば接着剤層の
厚さの局部的差異を生じるので、接合すべき基板面を十
分に平滑にすることができないので、取り付けた後例え
ば熱機械応力によって結晶の変形が起こるので、又は妨
害Ｘ線反射が基板の結晶性金属から起こるので、生じ
る。既知の接合方法は、例えば、多孔質であるので、余
分の接着剤を吸収し得る焼結青銅を利用する。然し、焼
結青銅粒子は屡々局部的不規則性と妨害Ｘ線反射を起こ
す。焼結粒子から又は基板材料からの望ましくない反射
は、結晶を比較的厚く構成することにより避けることが
できる。然し、特に彎曲させるべき結晶の場合、これは
結晶表面の形状寸法が所望の形状寸法からかなり偏倚す
る欠点を有する。更にまた、厚い結晶の場合には、熱変
形又は結晶の緩みも一そう問題である。
結晶の背面、即ち結晶の基板に接合する側の面の平滑性
が不十分である場合、Ｘ線ビームにより照射されるべき
結晶面に局部的不規則性が起こる欠点を有する。これら
の不規則性は、結晶の分析又は単色化能力に悪影響を及
ぼす。また、既知の結晶では、結晶の金属基板により反
射されるＸ線と云う問題にも直面する。また、種々の欠
点が、例えば接合工程によって接合層例えば接着剤層の
厚さの局部的差異を生じるので、接合すべき基板面を十
分に平滑にすることができないので、取り付けた後例え
ば熱機械応力によって結晶の変形が起こるので、又は妨
害Ｘ線反射が基板の結晶性金属から起こるので、生じ
る。既知の接合方法は、例えば、多孔質であるので、余
分の接着剤を吸収し得る焼結青銅を利用する。然し、焼
結青銅粒子は屡々局部的不規則性と妨害Ｘ線反射を起こ
す。焼結粒子から又は基板材料からの望ましくない反射
は、結晶を比較的厚く構成することにより避けることが
できる。然し、特に彎曲させるべき結晶の場合、これは
結晶表面の形状寸法が所望の形状寸法からかなり偏倚す
る欠点を有する。更にまた、厚い結晶の場合には、熱変
形又は結晶の緩みも一そう問題である。
これらの欠点を軽減する為に、適当に加工可能な表面
を有する無定形材料からＸ線分光用結晶の基板を作るこ
とが知られている。
を有する無定形材料からＸ線分光用結晶の基板を作るこ
とが知られている。
この分光用結晶の基板は、ガラスのような適当に加工
可能な表面を有する無定形材料から作るので、これから
のＸ線反射が起り得ず、従って一方ではこの欠点源を除
き、他方では結晶の厚さを一そう小さくすることができ
る。従って更に、例えば変形性に関する要求をも一そう
良く満たし得る。表面は、例えばフライス削り（millin
g）、研削、切削及び研磨により成形することができ
る。
可能な表面を有する無定形材料から作るので、これから
のＸ線反射が起り得ず、従って一方ではこの欠点源を除
き、他方では結晶の厚さを一そう小さくすることができ
る。従って更に、例えば変形性に関する要求をも一そう
良く満たし得る。表面は、例えばフライス削り（millin
g）、研削、切削及び研磨により成形することができ
る。
基板は無定形材料、例えばケイ素又はゲルマニウムの
ように膨張率が結晶材質の膨張率の約２倍以下の種類の
ガラスから構成される。
ように膨張率が結晶材質の膨張率の約２倍以下の種類の
ガラスから構成される。
このような結晶構成体は実公昭44−30140号公報によ
り知られている。この既知の結晶構成体では基板は反射
膜が形成される彎曲面を有する。反射膜の上面では結晶
が接着剤により固定される。然し、この接着剤処理に関
する他の情報は前記公報からは見出すことができない。
り知られている。この既知の結晶構成体では基板は反射
膜が形成される彎曲面を有する。反射膜の上面では結晶
が接着剤により固定される。然し、この接着剤処理に関
する他の情報は前記公報からは見出すことができない。
先に指摘したように、通常の接着剤接合は、接合層の
局部的な厚さの違いから結晶表面に不規則性を生じるこ
とがある。
局部的な厚さの違いから結晶表面に不規則性を生じるこ
とがある。
本発明の目的は結晶の面平滑性が一そう良好な結晶構
成体を提供することにある。この目的を達成する為、本
発明の結晶構成体は基板が紫外線透過性であり、且つ表
面粗さが0.005μｍ未満であり、結晶が耐Ｘ線性で紫外
線硬化性の接着剤により前記基板に接合され、前記結晶
の表面が所望の形状寸法から0.025μｍを超えて偏倚し
ていない。
成体を提供することにある。この目的を達成する為、本
発明の結晶構成体は基板が紫外線透過性であり、且つ表
面粗さが0.005μｍ未満であり、結晶が耐Ｘ線性で紫外
線硬化性の接着剤により前記基板に接合され、前記結晶
の表面が所望の形状寸法から0.025μｍを超えて偏倚し
ていない。
本発明のＸ線分析装置は前述の結晶構成体を備えるＸ
線分析装置である。
線分析装置である。
基板が紫外線透過性の材料から形成され、接合に用い
る接着剤が紫外線硬化性であるので、接着剤層の厚さを
高度に均一にすることができる。従って余分の接着剤を
除去する必要がない。また、光学装置を用いて接着剤の
層の厚さを検査することもできる。また、中間にポリテ
ン（polythene）箔を挿入することによっても、適当な
接合を得られる。
る接着剤が紫外線硬化性であるので、接着剤層の厚さを
高度に均一にすることができる。従って余分の接着剤を
除去する必要がない。また、光学装置を用いて接着剤の
層の厚さを検査することもできる。また、中間にポリテ
ン（polythene）箔を挿入することによっても、適当な
接合を得られる。
更に好ましい例では、結晶を接合する基板の表面が彎
曲している。基板の形状は球状、円筒状、環状面（トロ
イド）状などであり、その場合、結晶自体は平らで良
い。然し、結晶は、例えば球状又は円筒状凹面であって
も良い。この点に関する例は、米国特許第2853617号明
細書に記載されている。
曲している。基板の形状は球状、円筒状、環状面（トロ
イド）状などであり、その場合、結晶自体は平らで良
い。然し、結晶は、例えば球状又は円筒状凹面であって
も良い。この点に関する例は、米国特許第2853617号明
細書に記載されている。
本発明の若干の好適な実施例を、次に図面について詳
細に説明する。
細に説明する。
第１図は、例えばガラス、ガラス質炭素、セラミック
ス、ガラスセラミックスなどで製される基板２を示す。
基板２の表面４は、例えば互いに直角を成す２本の弧６
及び８の曲率半径が同じであるような球面に研削され
る。別の場合、基板を環状面になるように研削できる。
その場合、弧６及び８の曲率半径は同じでなく、技術の
現状におけるように例えば２倍の差がある。
ス、ガラスセラミックスなどで製される基板２を示す。
基板２の表面４は、例えば互いに直角を成す２本の弧６
及び８の曲率半径が同じであるような球面に研削され
る。別の場合、基板を環状面になるように研削できる。
その場合、弧６及び８の曲率半径は同じでなく、技術の
現状におけるように例えば２倍の差がある。
基板の曲率半径は、極めて正確に、例えば所望の形状
から0.025μｍ未満の偏倚で研削する。例えばフライス
削り作業に反して、研削は中心点を含まないので、この
欠点源も避けられる。表面の粗さは、研削作業により、
例えば約1mmまでの距離に亘り0.005μｍの最大値に限定
する。
から0.025μｍ未満の偏倚で研削する。例えばフライス
削り作業に反して、研削は中心点を含まないので、この
欠点源も避けられる。表面の粗さは、研削作業により、
例えば約1mmまでの距離に亘り0.005μｍの最大値に限定
する。
紫外線透過性である基板の場合には、接着剤層を紫外
線硬化型で構成するのが好ましい。硬化するには、接着
剤を紫外線透過性基板を経て紫外線により照射する。硬
化は一様に成し得るので、極めて均質な接合層が得られ
る。既知の結晶のように、使用接着剤の種類は耐Ｘ線性
でなければならない。紫外線による接着剤層の均一性の
検査については既に述べた。この場合、接着剤層の厚さ
が多くとも使用放射光の数波長の大きさの程度であるこ
とを考慮して、前記検査は干渉計を用いて極めて正確に
行なうことができる。接着剤層に重合体を利用すること
もできる。従って、再び極めて正確に画成した厚さを得
ることができ、且つ余分の材料に関して起こる問題がな
い。
線硬化型で構成するのが好ましい。硬化するには、接着
剤を紫外線透過性基板を経て紫外線により照射する。硬
化は一様に成し得るので、極めて均質な接合層が得られ
る。既知の結晶のように、使用接着剤の種類は耐Ｘ線性
でなければならない。紫外線による接着剤層の均一性の
検査については既に述べた。この場合、接着剤層の厚さ
が多くとも使用放射光の数波長の大きさの程度であるこ
とを考慮して、前記検査は干渉計を用いて極めて正確に
行なうことができる。接着剤層に重合体を利用すること
もできる。従って、再び極めて正確に画成した厚さを得
ることができ、且つ余分の材料に関して起こる問題がな
い。
基板が多くの種類のガラスの普通の値である約５×10
-6の膨張係数を有するガラスで製される場合、約2.5×1
0-6であるケイ素の膨張係数との差異は、正確に２倍で
ある。従って、基板に通常用いられる銅及びアルミニウ
ムのような金属と比較した場合のケイ素又はゲルマニウ
ムの約10倍に及び差異と比較して、熱安定性の決定的な
増大が得られる。この場合、球面に研削されている基板
上に取り付ける結晶板12は、例えば、この例では250μ
ｍの均一な厚さを有する。結晶板を反射に用いられるべ
き結晶面に平行に切る場合、これらの面、従ってＸ線に
面する結晶板の表面も、基板と同じ球面曲率半径を有す
る。他の用途の場合、例えばＲの曲率半径を得るように
結晶板を研削し、このようにして研削した結晶の平面背
部側を同様に曲率半径Ｒを有するジグ中に取り付けるの
が便利である。ジグに取り付けた場合、照射されるべき
結晶表面は1/2Rの大きさの曲率半径を有する。
-6の膨張係数を有するガラスで製される場合、約2.5×1
0-6であるケイ素の膨張係数との差異は、正確に２倍で
ある。従って、基板に通常用いられる銅及びアルミニウ
ムのような金属と比較した場合のケイ素又はゲルマニウ
ムの約10倍に及び差異と比較して、熱安定性の決定的な
増大が得られる。この場合、球面に研削されている基板
上に取り付ける結晶板12は、例えば、この例では250μ
ｍの均一な厚さを有する。結晶板を反射に用いられるべ
き結晶面に平行に切る場合、これらの面、従ってＸ線に
面する結晶板の表面も、基板と同じ球面曲率半径を有す
る。他の用途の場合、例えばＲの曲率半径を得るように
結晶板を研削し、このようにして研削した結晶の平面背
部側を同様に曲率半径Ｒを有するジグ中に取り付けるの
が便利である。ジグに取り付けた場合、照射されるべき
結晶表面は1/2Rの大きさの曲率半径を有する。
第２図において、円筒状凹面を有する結晶板22を、例
えば、同様に円筒状凹面を有する基板20に取り付ける。
円筒状凹面の方向又は円筒の軸は取り付けの際互いに直
交する位置に延在する。従って、照射されるべき結晶表
面に対して環状面形状が得られる。紫外線硬化型の接着
剤と紫外線透過性基板を再び用いることができ、所要に
応じて接着剤の層を検査することができる。かかる場
合、基板に接合する結晶の表面は、Ｘ線により照射して
分析するために、所望の寸法から0.025μｍを超えて偏
倚しないことが良い。
えば、同様に円筒状凹面を有する基板20に取り付ける。
円筒状凹面の方向又は円筒の軸は取り付けの際互いに直
交する位置に延在する。従って、照射されるべき結晶表
面に対して環状面形状が得られる。紫外線硬化型の接着
剤と紫外線透過性基板を再び用いることができ、所要に
応じて接着剤の層を検査することができる。かかる場
合、基板に接合する結晶の表面は、Ｘ線により照射して
分析するために、所望の寸法から0.025μｍを超えて偏
倚しないことが良い。
Ｘ線分析装置に用いた場合、本発明の結晶構成体は、
一そう高い解像度を与える。これは主として結晶面構造
における局部的不規則性が避けられ、且つ基板が妨害バ
ックグラウンド放射線を生じないと云う事実による。特
に、彎曲結晶の場合には、検査することもできる均一な
接合層により、また基板からの妨害バックグラウンド放
射線のないこと及び結晶の改良された熱的適合により、
結晶を一そう薄く構成できるので、形状を出される要求
に一そう正確に適合させることができる。
一そう高い解像度を与える。これは主として結晶面構造
における局部的不規則性が避けられ、且つ基板が妨害バ
ックグラウンド放射線を生じないと云う事実による。特
に、彎曲結晶の場合には、検査することもできる均一な
接合層により、また基板からの妨害バックグラウンド放
射線のないこと及び結晶の改良された熱的適合により、
結晶を一そう薄く構成できるので、形状を出される要求
に一そう正確に適合させることができる。
第１図は凹面基板と平らな結晶板を組合わせた本発明の
結晶構成体を示す斜視図、 第２図は凹面基板と同じく凹面をなす結晶板を組合わせ
た同様な結晶構成体を示す斜視図である。 ２……基板 ４……基板表面 6,8……弧 12……結晶板 20……基板 22……結晶板
結晶構成体を示す斜視図、 第２図は凹面基板と同じく凹面をなす結晶板を組合わせ
た同様な結晶構成体を示す斜視図である。 ２……基板 ４……基板表面 6,8……弧 12……結晶板 20……基板 22……結晶板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 コルネリス・レーンデルト・アルティン グ オランダ国 5621 ベーアー アインド ーフェン フルーネヴァウツウェッハ １ (72)発明者 ウイルヘルムス・ヘンドリクス・ヨハヌ ス・マリア・ヘフェルス オランダ国 5621 ベーアー アインド ーフェン フルーネヴァウツウェッハ １ (72)発明者 アルベルト・フイジング オランダ国 5621 ベーアー アインド ーフェン フルーネヴァウツウェッハ １ (56)参考文献 特開 昭53−89791（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−60645（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−153152（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−171901（ＪＰ，Ａ) 実公 昭44−30140（ＪＰ，Ｙ１)
Claims (2)
- 【請求項１】Ｘ線分光用結晶及び該結晶と相互に接合す
る無定形材料から形成した基板を有する結晶構成体にお
いて、 前記基板が紫外線透過性であり、且つ表面粗さが0.005
μｍ未満であり、 前記結晶が耐Ｘ線性で紫外線硬化性の接着剤により前記
基板に接合され、前記結晶の表面が所望の形状寸法から
0.025μｍを超えて偏倚していないことを特徴とするＸ
線分光用結晶構成体。 - 【請求項２】Ｘ線分光用結晶及び該結晶と相互に接合す
る無定形材料から形成した基板を有する結晶構成体を備
えたＸ線分析装置において、 前記基板が紫外線透過性であり、且つ表面粗さが0.005
μｍ未満であり、 前記結晶が耐Ｘ線性で紫外線硬化性の接着剤により前記
基板に接合され、前記結晶の表面が所望の形状寸法から
0.025μｍを超えて偏倚していないことを特徴とするＸ
線分析装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8501181 | 1985-04-24 | ||
| NL8501181A NL8501181A (nl) | 1985-04-24 | 1985-04-24 | Kristal voor een roentgenanalyse apparaat. |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61247946A JPS61247946A (ja) | 1986-11-05 |
| JP2628632B2 true JP2628632B2 (ja) | 1997-07-09 |
Family
ID=19845880
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61091398A Expired - Lifetime JP2628632B2 (ja) | 1985-04-24 | 1986-04-22 | Ｘ線分光用結晶構成体及び該結晶構成体を備えるｘ線分析装置 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4780899A (ja) |
| EP (1) | EP0200261B1 (ja) |
| JP (1) | JP2628632B2 (ja) |
| AU (1) | AU5646086A (ja) |
| DE (1) | DE3686778T2 (ja) |
| FI (1) | FI861667A (ja) |
| NL (1) | NL8501181A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| NL8700488A (nl) * | 1987-02-27 | 1988-09-16 | Philips Nv | Roentgen analyse apparaat met saggitaal gebogen analyse kristal. |
| NL8801019A (nl) * | 1988-04-20 | 1989-11-16 | Philips Nv | Roentgen spectrometer met dubbel gebogen kristal. |
| JP2976029B1 (ja) * | 1998-11-16 | 1999-11-10 | 筑波大学長 | モノクロメータ及びその製造方法 |
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| US6236710B1 (en) | 1999-02-12 | 2001-05-22 | David B. Wittry | Curved crystal x-ray optical device and method of fabrication |
| DE19935513C1 (de) * | 1999-07-28 | 2001-07-26 | Geesthacht Gkss Forschung | Vorrichtung zur Herstellung von Spiegelelementen |
| US6317483B1 (en) | 1999-11-29 | 2001-11-13 | X-Ray Optical Systems, Inc. | Doubly curved optical device with graded atomic planes |
| DE10254026C5 (de) * | 2002-11-20 | 2009-01-29 | Incoatec Gmbh | Reflektor für Röntgenstrahlung |
| US7333188B2 (en) * | 2004-09-30 | 2008-02-19 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for real-time measurement of trace metal concentration in chemical mechanical polishing (CMP) slurry |
| US7415096B2 (en) * | 2005-07-26 | 2008-08-19 | Jordan Valley Semiconductors Ltd. | Curved X-ray reflector |
| JP5125994B2 (ja) * | 2008-11-04 | 2013-01-23 | 株式会社島津製作所 | ゲルマニウム湾曲分光素子 |
| US10018577B2 (en) | 2015-04-03 | 2018-07-10 | Mission Support and Tests Services, LLC | Methods and systems for imaging bulk motional velocities in plasmas |
| US9945795B2 (en) | 2016-03-18 | 2018-04-17 | National Security Technologies, Inc. | Crystals for krypton helium-alpha line emission microscopy |
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-
1986
- 1986-04-15 US US06/852,051 patent/US4780899A/en not_active Expired - Fee Related
- 1986-04-21 FI FI861667A patent/FI861667A/fi not_active IP Right Cessation
- 1986-04-21 EP EP86200668A patent/EP0200261B1/en not_active Expired
- 1986-04-21 DE DE8686200668T patent/DE3686778T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1986-04-22 AU AU56460/86A patent/AU5646086A/en not_active Abandoned
- 1986-04-22 JP JP61091398A patent/JP2628632B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0200261A3 (en) | 1989-01-11 |
| US4780899A (en) | 1988-10-25 |
| DE3686778T2 (de) | 1993-04-15 |
| JPS61247946A (ja) | 1986-11-05 |
| NL8501181A (nl) | 1986-11-17 |
| FI861667A (fi) | 1986-10-25 |
| EP0200261B1 (en) | 1992-09-23 |
| FI861667A0 (fi) | 1986-04-21 |
| AU5646086A (en) | 1986-10-30 |
| DE3686778D1 (de) | 1992-10-29 |
| EP0200261A2 (en) | 1986-11-05 |
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