JP2623137B2 - カイラルスメクチック液晶素子ユニットおよびカイラルスメクチック液晶パネルの支持方法 - Google Patents
カイラルスメクチック液晶素子ユニットおよびカイラルスメクチック液晶パネルの支持方法Info
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- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、液晶表示や液晶−光シャッター等で用いる
カイラルスメクチック液晶素子ユニットおよびカイラル
スメクチック液晶パネルの支持方法に関し、詳しくは配
向の均一性を著しく向上させ、液晶ユニットの耐久性を
向上させ、かつ暗状態と明状態のコントラストを向上さ
せることのできるカイラルスメクチック液晶素子のユニ
ットおよびカイラルスメクチック液晶パネルの支持方法
に関する。
カイラルスメクチック液晶素子ユニットおよびカイラル
スメクチック液晶パネルの支持方法に関し、詳しくは配
向の均一性を著しく向上させ、液晶ユニットの耐久性を
向上させ、かつ暗状態と明状態のコントラストを向上さ
せることのできるカイラルスメクチック液晶素子のユニ
ットおよびカイラルスメクチック液晶パネルの支持方法
に関する。
［従来技術］ 強誘電性液晶分子の屈折率異方性を利用して、偏光素
子との組み合せにより透過光線を制御する型の表示素子
がクラーク（Clark）及びラガーウオル（Lagerwall）に
より提案されている（特開昭56−107216号公報、米国特
許第4367924号明細書等）。この強誘電性液晶は、一般
に特定の温度域においてカイラルスメクチックＣ相（Sm
＊Ｃ）またはＨ相（Sm＊Ｈ）を有し、バルク状態でらせ
ん配列構造を生じるカイラルスメクチックＣまたはＨ相
の温度下の液晶を、らせん配列構造の形成を抑制するの
に十分に小さい距離に設定した一定の基板間隔に配置さ
せたものである。このように構成することにより、強誘
電性液晶は双安定性配向状態となり、加えられる電界に
応答して第１の光学的安定状態と第２の光学的安定状態
のいずれかを取る。そして、電界の印加のないときはそ
の状態を維持するメモリー特性を有し、また電界の変化
に対して高速応答特性を有するため、高速ならびに記憶
型の表示素子としての広い利用が期待されている。
子との組み合せにより透過光線を制御する型の表示素子
がクラーク（Clark）及びラガーウオル（Lagerwall）に
より提案されている（特開昭56−107216号公報、米国特
許第4367924号明細書等）。この強誘電性液晶は、一般
に特定の温度域においてカイラルスメクチックＣ相（Sm
＊Ｃ）またはＨ相（Sm＊Ｈ）を有し、バルク状態でらせ
ん配列構造を生じるカイラルスメクチックＣまたはＨ相
の温度下の液晶を、らせん配列構造の形成を抑制するの
に十分に小さい距離に設定した一定の基板間隔に配置さ
せたものである。このように構成することにより、強誘
電性液晶は双安定性配向状態となり、加えられる電界に
応答して第１の光学的安定状態と第２の光学的安定状態
のいずれかを取る。そして、電界の印加のないときはそ
の状態を維持するメモリー特性を有し、また電界の変化
に対して高速応答特性を有するため、高速ならびに記憶
型の表示素子としての広い利用が期待されている。
［発明が解決しようとする課題］ ところで、このような双安定性配向状態を生じた強誘
電性スメクチック液晶を用いた光学変調素子が製品とし
て前述のメモリー特性および高速応答特性を発揮するた
めには、双安定性配向状態が安定に均一に存在し、かつ
素子としての耐久性に優れている必要があった。
電性スメクチック液晶を用いた光学変調素子が製品とし
て前述のメモリー特性および高速応答特性を発揮するた
めには、双安定性配向状態が安定に均一に存在し、かつ
素子としての耐久性に優れている必要があった。
しかしながら、上述の双安定性配向状態の強誘電性ス
メクチック液晶素子は、その配向状態が均一であること
から、液晶分子が高い秩序度の配列を生じている。そし
て、この液晶分子の高い秩序度の配列状態は、セル外部
からの応力、例えば衝撃力や歪み力に対しては、もろい
性質をもっており、かかる力が印加された時には液晶分
子の配列状態に乱れを生じ、代表的にはサンデッド・テ
クスチャー（sanded texture）を発生する。衝撃力によ
るサンデッド・テクスチャーの発生は、例えばA.Tsuboy
amaのほかの米国特許第4674839号で明らかにされてい
る。
メクチック液晶素子は、その配向状態が均一であること
から、液晶分子が高い秩序度の配列を生じている。そし
て、この液晶分子の高い秩序度の配列状態は、セル外部
からの応力、例えば衝撃力や歪み力に対しては、もろい
性質をもっており、かかる力が印加された時には液晶分
子の配列状態に乱れを生じ、代表的にはサンデッド・テ
クスチャー（sanded texture）を発生する。衝撃力によ
るサンデッド・テクスチャーの発生は、例えばA.Tsuboy
amaのほかの米国特許第4674839号で明らかにされてい
る。
そこで本発明の目的は、衝撃または歪みに対して強い
安定度を示す均一な双安定性配向状態の強誘電性スメク
チック液晶素子ユニットおよびカイラルスメクチック液
晶パネルの支持方法を提供することにある。
安定度を示す均一な双安定性配向状態の強誘電性スメク
チック液晶素子ユニットおよびカイラルスメクチック液
晶パネルの支持方法を提供することにある。
［課題を解決するための手段および作用］ 上記の目的を達成するため、本発明は、カイラルスメ
クチック液晶パネルを支持し組み込んだカイラルスメク
チック液晶素子ユニットにおいて、そのSm＊Ｃ相の層の
法線方向と交わってできる鋭角θ１が、 ０゜≦θ１＜25゜ になるような２辺以上で支持することを特徴とする。ま
た、本発明に係るカイラルスメクチック液晶パネルの支
持方法は、同様に、カイラルスメクチック液晶を用いた
液晶パネルのSm＊Ｃ相の液晶層の法線方向と交わってで
きる鋭角θ１が ０゜≦θ１＜25゜ となるような２辺で液晶パネルを支持することを特徴と
する。
クチック液晶パネルを支持し組み込んだカイラルスメク
チック液晶素子ユニットにおいて、そのSm＊Ｃ相の層の
法線方向と交わってできる鋭角θ１が、 ０゜≦θ１＜25゜ になるような２辺以上で支持することを特徴とする。ま
た、本発明に係るカイラルスメクチック液晶パネルの支
持方法は、同様に、カイラルスメクチック液晶を用いた
液晶パネルのSm＊Ｃ相の液晶層の法線方向と交わってで
きる鋭角θ１が ０゜≦θ１＜25゜ となるような２辺で液晶パネルを支持することを特徴と
する。
この鋭角θ１は０゜≦θ１＜15゜が好ましく、さらに
θ１＝０゜好ましい。
θ１＝０゜好ましい。
以下、図面を用いて本発明を詳しく説明する。先ず本
発明者らは、前述の問題点に対して実験検討を行ったと
ころ以下の点が判明した。
発明者らは、前述の問題点に対して実験検討を行ったと
ころ以下の点が判明した。
第１図は、この実験で用いた強誘電性液晶セルの１列
を模式的に描いたものである。同図の構造の液晶パネル
を本発明に係る支持方法または別の支持方法で支持しそ
の強度等を測定した。同図において、11aと11bはそれぞ
れIn2O3やITO（Indium Tin Oxide）等のストライプ状透
明電極12aと12bが被覆された基板（ガラス板）であり、
その基板上に200Å〜1000Å厚の絶縁膜1aと13b（SiO
2膜、TiO2膜、Ta2O5膜等）およびポリイミド、ポリアミ
ド、ポリエステル等で形成した50Å〜1000Å厚の配向制
御膜14aと14bとがそれぞれ積層されている。
を模式的に描いたものである。同図の構造の液晶パネル
を本発明に係る支持方法または別の支持方法で支持しそ
の強度等を測定した。同図において、11aと11bはそれぞ
れIn2O3やITO（Indium Tin Oxide）等のストライプ状透
明電極12aと12bが被覆された基板（ガラス板）であり、
その基板上に200Å〜1000Å厚の絶縁膜1aと13b（SiO
2膜、TiO2膜、Ta2O5膜等）およびポリイミド、ポリアミ
ド、ポリエステル等で形成した50Å〜1000Å厚の配向制
御膜14aと14bとがそれぞれ積層されている。
配向制御膜14aと14bとはそれぞれ図の矢印Ra方向（ス
トライプ状電極12aの方向（紙面の左右方向）と平行な
方向）および矢印Rb方向（ストライプ状電極12bの方向
（紙面に垂直な方向）に垂直な方向）にラビング処理さ
れており、またラビング処理の方向が平行かつ同一向き
（矢印Ra,Rb方向）になるように配置されている。基板1
1aと11bとの間には、強誘電性スメクチック液晶15が配
置されている。基板11aと11bとの間の距離は強誘電性ス
メクチック絵入生15のらせん配列構造の形成を抑制する
のに十分に小さい距離（例えば0.1μｍ〜３μｍ）に設
定されており、強誘電性スメクチック液晶15は双安定性
配向状態を生じている。上述の十分に小さい距離は基板
11aと11bとの間に配置したビーズスペーサー16（シリカ
ビーズまたはアルミナビーズ）によって保持される。17
aは偏光子（バックライト側の偏光板）、17bは検光子
（表示側の偏光板）である。
トライプ状電極12aの方向（紙面の左右方向）と平行な
方向）および矢印Rb方向（ストライプ状電極12bの方向
（紙面に垂直な方向）に垂直な方向）にラビング処理さ
れており、またラビング処理の方向が平行かつ同一向き
（矢印Ra,Rb方向）になるように配置されている。基板1
1aと11bとの間には、強誘電性スメクチック液晶15が配
置されている。基板11aと11bとの間の距離は強誘電性ス
メクチック絵入生15のらせん配列構造の形成を抑制する
のに十分に小さい距離（例えば0.1μｍ〜３μｍ）に設
定されており、強誘電性スメクチック液晶15は双安定性
配向状態を生じている。上述の十分に小さい距離は基板
11aと11bとの間に配置したビーズスペーサー16（シリカ
ビーズまたはアルミナビーズ）によって保持される。17
aは偏光子（バックライト側の偏光板）、17bは検光子
（表示側の偏光板）である。
第２図〜第４図は、上述の構造の強誘電性液晶パネル
をそれぞれ別々の支持方法で支持したものである。第２
図は本発明に係る支持方法を用いたもので、Sm＊Ｃ層の
線法方向に対して平行な２辺でパネルを支持するもので
ある。また、第３図はSm＊Ｃ層の線法方向に対して垂直
な２辺パネルを支持するもの、第４図はSm＊Ｃ層の法線
方向に対して垂直および平行な４辺でパネルを支持する
ものである。これらの図において、21は液晶パネル、22
は液晶層の方向、23は液晶層の法泉方向を示す矢印、24
はラビング方向を示す矢印である。
をそれぞれ別々の支持方法で支持したものである。第２
図は本発明に係る支持方法を用いたもので、Sm＊Ｃ層の
線法方向に対して平行な２辺でパネルを支持するもので
ある。また、第３図はSm＊Ｃ層の線法方向に対して垂直
な２辺パネルを支持するもの、第４図はSm＊Ｃ層の法線
方向に対して垂直および平行な４辺でパネルを支持する
ものである。これらの図において、21は液晶パネル、22
は液晶層の方向、23は液晶層の法泉方向を示す矢印、24
はラビング方向を示す矢印である。
本発明者らはかかる第２図、第３図および第４図に示
す支持方法で液晶パネルを支持した液晶ユニットに対し
落下耐久試験機（吉田精機社製、商品名「DT−50」）に
よる衝撃耐久試験を行なった。この際、落下衝撃はそれ
ぞれ20Gから10Gずつ増加させて試験を行なった。
す支持方法で液晶パネルを支持した液晶ユニットに対し
落下耐久試験機（吉田精機社製、商品名「DT−50」）に
よる衝撃耐久試験を行なった。この際、落下衝撃はそれ
ぞれ20Gから10Gずつ増加させて試験を行なった。
その結果、第３図に示した支持方法によるものではパ
ネル上15Gの落下衝撃にて液晶に配向の劣化（サンデッ
ド・テクスチャー）が生じた。第５図（ａ）は衝撃を加
える前の液晶の配向状態を示す写真、第５図（ｂ）は衝
撃を加えサンデッド・テクスチャーになった部分の液晶
の配向状態を示す写真である。
ネル上15Gの落下衝撃にて液晶に配向の劣化（サンデッ
ド・テクスチャー）が生じた。第５図（ａ）は衝撃を加
える前の液晶の配向状態を示す写真、第５図（ｂ）は衝
撃を加えサンデッド・テクスチャーになった部分の液晶
の配向状態を示す写真である。
本発明者らは落下衝撃後、第５図（ｂ）の写真に示す
配向劣化を生じた部分に第６図に示すマルチプレクシン
グ方式による書き込みフレーム周波数10KHzで行った。
しかし、全くスイッチングせず完全に安定性を失なって
いた。
配向劣化を生じた部分に第６図に示すマルチプレクシン
グ方式による書き込みフレーム周波数10KHzで行った。
しかし、全くスイッチングせず完全に安定性を失なって
いた。
次に第４図に示した支持方法によるものでは、パネル
上30Gの落下衝撃にて配向の劣化（サンデッド・テクス
チャー）が生じた。
上30Gの落下衝撃にて配向の劣化（サンデッド・テクス
チャー）が生じた。
第２図に示した本発明に係る支持方法によるものでは
パネル上90Gの落下衝撃を加えても配向の劣化が生じな
かった。そして、このパネルに対して第６図に示すマル
チプレクシング方式による書き込みフレーム周波数10KH
zにて行ったが、良好なスイッチング特性を示した。
パネル上90Gの落下衝撃を加えても配向の劣化が生じな
かった。そして、このパネルに対して第６図に示すマル
チプレクシング方式による書き込みフレーム周波数10KH
zにて行ったが、良好なスイッチング特性を示した。
［実施例］ 以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明する。
実施例１ 先ず、２枚の200mm×200mm、1.1mm厚のガラス板を用
意し、それぞれのガラス板上にITOのストライプ状電極
（第１図付番12a,12b）を形成した。この基板にモリブ
デンで形成したメタル配線を第１図の低抵抗接続線13a,
13bのようにITO電極と画素間にまたがって1000Åの厚み
で形成した。さらに、上下電極のショート防止層として
SiO2をスパッタ法により500Åの厚みで形成した。
意し、それぞれのガラス板上にITOのストライプ状電極
（第１図付番12a,12b）を形成した。この基板にモリブ
デンで形成したメタル配線を第１図の低抵抗接続線13a,
13bのようにITO電極と画素間にまたがって1000Åの厚み
で形成した。さらに、上下電極のショート防止層として
SiO2をスパッタ法により500Åの厚みで形成した。
その上にアミノシラン0.1％IPA（イソプロピルアルコ
ール）溶液を回転数2000rpmのスピンナーで15秒間塗布
し、150℃で焼成後、ポリイミド形成液（東レ社製、SP5
10）２％溶液（NMP:nブチルセロソルブ＝2:1）を回転数
3000rpmのスピンナーで30秒間塗布した。成膜後、300℃
で約１時間加熱焼成処理を施してポリイミド配向膜（第
１図付番14a,14b）を形成した。この塗膜の膜厚は200Å
のポリイミド膜であった。
ール）溶液を回転数2000rpmのスピンナーで15秒間塗布
し、150℃で焼成後、ポリイミド形成液（東レ社製、SP5
10）２％溶液（NMP:nブチルセロソルブ＝2:1）を回転数
3000rpmのスピンナーで30秒間塗布した。成膜後、300℃
で約１時間加熱焼成処理を施してポリイミド配向膜（第
１図付番14a,14b）を形成した。この塗膜の膜厚は200Å
のポリイミド膜であった。
次に、一方のガラス板（第１図の第１の基板11a）に
は、焼成後のポリイミドの被膜14aに対して第１図矢印R
a方向にラビング処理を施した。そして、他方のガラス
板（第１図の第２の基板11b）には、焼成後のポリイミ
ド被膜14bに対して第１図矢印Rb方向にラビング処理を
施した。
は、焼成後のポリイミドの被膜14aに対して第１図矢印R
a方向にラビング処理を施した。そして、他方のガラス
板（第１図の第２の基板11b）には、焼成後のポリイミ
ド被膜14bに対して第１図矢印Rb方向にラビング処理を
施した。
しかる後、平均粒径約1.5μｍのアルミナビーズ（第
１図付番16）を一方のガラス板上に散布した後、それぞ
れのラビング処理軸およびその方向が第１図のような平
行ラビングとなるように一方と他方のガラス板をはり合
わせ液晶セルを作成した。このセルのセル厚をベレック
位相板（位相差による測定）によって測定したところ、
約1.5μｍ厚であった。このセル内にチッソ（株）社製
「CS1014」（商品名）を等方相下で真空注入してから、
等方相から0.5℃/hで60℃まで除冷することにより配向
させることができた。以後の実験は25℃で行った。
１図付番16）を一方のガラス板上に散布した後、それぞ
れのラビング処理軸およびその方向が第１図のような平
行ラビングとなるように一方と他方のガラス板をはり合
わせ液晶セルを作成した。このセルのセル厚をベレック
位相板（位相差による測定）によって測定したところ、
約1.5μｍ厚であった。このセル内にチッソ（株）社製
「CS1014」（商品名）を等方相下で真空注入してから、
等方相から0.5℃/hで60℃まで除冷することにより配向
させることができた。以後の実験は25℃で行った。
なお、前述した「CS−1014」（商品名）の相変化は下
記のとおりであった。
記のとおりであった。
（SmA;スメクチックＡ相、Ch;コレステリック相Iso;等
方相を示す）。
方相を示す）。
直交ニコル下でこの液晶セルを観察すると、一様で欠
陥のない非らせん構造のカイラルスメクチックＣ相を形
成したモノドメインが得られていた。
陥のない非らせん構造のカイラルスメクチックＣ相を形
成したモノドメインが得られていた。
また、この液晶素子を60℃に保温してSmAの配向状態
にし、直交クロスニコルにした偏光顕微鏡観察下、SmA
の状態で液晶分子が層に直角方向に並ぶことを利用して
層の方向を測定した。その結果、ラビング方向に直角で
あることが確認された。
にし、直交クロスニコルにした偏光顕微鏡観察下、SmA
の状態で液晶分子が層に直角方向に並ぶことを利用して
層の方向を測定した。その結果、ラビング方向に直角で
あることが確認された。
次に、このように作成した強誘電性液晶パネルを第７
図に示すようにSm＊Ｃ層の法線方向と交わってできる鋭
角がθ１＝０゜になるような２辺で筐体に固定して液晶
素子ユニットを作製した。同図（ａ）はこの液晶素子ユ
ニットの斜視図、同図（ｂ）は液晶層の法線方向と液晶
パネルの支持方向を示す上面図である。これらの図にお
いて、31はアルミ筐体、32はゴム板、33は固定ネジ、34
は液晶パネルの支持方向を示す矢印である。
図に示すようにSm＊Ｃ層の法線方向と交わってできる鋭
角がθ１＝０゜になるような２辺で筐体に固定して液晶
素子ユニットを作製した。同図（ａ）はこの液晶素子ユ
ニットの斜視図、同図（ｂ）は液晶層の法線方向と液晶
パネルの支持方向を示す上面図である。これらの図にお
いて、31はアルミ筐体、32はゴム板、33は固定ネジ、34
は液晶パネルの支持方向を示す矢印である。
このような液晶素子ユニットに対し、上述したのと同
様な落下衝撃試験を行ったところ、100Gの落下衝撃にて
配向劣化（サンデッド・テクスチャー）が生じた。しか
しながら、90Gの落下衝撃では全く配向の劣化はみられ
なかった。
様な落下衝撃試験を行ったところ、100Gの落下衝撃にて
配向劣化（サンデッド・テクスチャー）が生じた。しか
しながら、90Gの落下衝撃では全く配向の劣化はみられ
なかった。
実施例２ 次に、ラビング処理の方向を25゜傾けた他は実施例１
と全く同様の方法で液晶セルを作成した。また、この液
晶素子を60℃に保温し、SmAの配向状態にし、直交クロ
スニコルにした偏光顕微鏡観察下、SmAの状態で液晶分
子が層に直角方向に並ぶことを利用して層の方向を測定
した。その結果、ラビング方向に直角であることが確認
された。
と全く同様の方法で液晶セルを作成した。また、この液
晶素子を60℃に保温し、SmAの配向状態にし、直交クロ
スニコルにした偏光顕微鏡観察下、SmAの状態で液晶分
子が層に直角方向に並ぶことを利用して層の方向を測定
した。その結果、ラビング方向に直角であることが確認
された。
次に、このように作成した強誘電性液晶パネルを第８
図に示すようにSm＊Ｃ相の液晶層の法線方向と交わって
できる鋭角がθ１＝25゜になるような２辺で筐体に固定
して液晶素子ユニットを作製した。同図（ａ）はこの液
晶素子ユニットの斜視図、同図（ｂ）は液晶層の法線方
向と液晶パネルの支持方向を示す上面図である。付番は
第７図と共通とする。
図に示すようにSm＊Ｃ相の液晶層の法線方向と交わって
できる鋭角がθ１＝25゜になるような２辺で筐体に固定
して液晶素子ユニットを作製した。同図（ａ）はこの液
晶素子ユニットの斜視図、同図（ｂ）は液晶層の法線方
向と液晶パネルの支持方向を示す上面図である。付番は
第７図と共通とする。
このような液晶素子ユニットに対し、上述したのと同
様な落下衝撃試験を行ったところ、50Gの落下衝撃にて
配向劣化（サンデッド・テクスチャー）が生じた。
様な落下衝撃試験を行ったところ、50Gの落下衝撃にて
配向劣化（サンデッド・テクスチャー）が生じた。
比較例１ セルの固定法を第９図のように、Sm＊Ｃ相の液晶層の
法線方向と交わってできる鋭角がθ＝90゜になるように
２辺で支持した以外は実施例１と全く同様の方法で液晶
素子ユニットを作成し実施例１と同様のテストを行っ
た。
法線方向と交わってできる鋭角がθ＝90゜になるように
２辺で支持した以外は実施例１と全く同様の方法で液晶
素子ユニットを作成し実施例１と同様のテストを行っ
た。
落下衝撃試験を行ったところ15Gの落下衝撃にて配向
劣化（サンデットテクスチャー）が生じた。
劣化（サンデットテクスチャー）が生じた。
比較例２ 次に、ラビング処理の方向を65゜傾けた他は実施例１
と全く同様の方法で液晶セルを作成した。また、この液
晶素子を60℃に保温し、SmAの配向状態にし、直交クロ
スニコルにした偏光顕微鏡観察下、SmAの状態で液晶分
子が層に直角方向に並ぶことを利用して層の方向を測定
した。その結果、ラビング方向に直角であることが確認
された。
と全く同様の方法で液晶セルを作成した。また、この液
晶素子を60℃に保温し、SmAの配向状態にし、直交クロ
スニコルにした偏光顕微鏡観察下、SmAの状態で液晶分
子が層に直角方向に並ぶことを利用して層の方向を測定
した。その結果、ラビング方向に直角であることが確認
された。
次に、このように作成した強誘電性液晶パネルを第10
図に示すようにSm＊Ｃ相の液晶層の法線方向と交わって
できる鋭角がθ１＝65゜になるような２辺で筐体に固定
した液晶素子ユニットを作製した。
図に示すようにSm＊Ｃ相の液晶層の法線方向と交わって
できる鋭角がθ１＝65゜になるような２辺で筐体に固定
した液晶素子ユニットを作製した。
このような液晶素子ユニットに対し、上述したのと同
様な落下衝撃試験を行ったところ、15Gの落下衝撃にて
配向劣化（サンデッド・テクスチャー）が生じた。
様な落下衝撃試験を行ったところ、15Gの落下衝撃にて
配向劣化（サンデッド・テクスチャー）が生じた。
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明によれば、カイラルスメ
クチック液晶を用いた液晶パネルのSm＊Ｃ相の液晶層の
法線方向と交わってできる鋭角θ１を所定の範囲に収め
ているので、支持衝撃または歪みに対して強い安定度を
示す均一な双安定性配向状態の強誘電スメクチック液晶
素子ユニットおよびカイラルスメクチック液晶パネルの
支持方向が提供される。
クチック液晶を用いた液晶パネルのSm＊Ｃ相の液晶層の
法線方向と交わってできる鋭角θ１を所定の範囲に収め
ているので、支持衝撃または歪みに対して強い安定度を
示す均一な双安定性配向状態の強誘電スメクチック液晶
素子ユニットおよびカイラルスメクチック液晶パネルの
支持方向が提供される。
第１図は、強誘電性液晶セルの構造を示す模式図、 第２図〜第４図は、第１図の構造の強誘電性液晶パネル
をそれぞれの支持方法で支持した液晶素子ユニットを示
す斜視図、 第５図は、衝撃を加える前後の粒子構造（液晶の配向状
態）を示す写真、 第６図は、マルチプレクシング方式による液晶パネルへ
の書き込み波形図、 第７図〜第10図は、液晶層の法線方向と交わってできる
鋭角がそれぞれθ１＝０゜、θ１＝25゜、θ１＝90゜ま
たはθ１＝65゜になるような２辺で筐体に固定した液晶
素子ユニットの斜視図および上面図である。 11a,11b:基板、 12a,12b:透明電極、 14a,14b:配向膜、 15:強誘電性液晶、 17a:偏光子、 17b:検光子、 21:液晶パネル、 22:層の方向、 23層の法線方向、 24,Ra,Rb:ラビング方向、 31:アルミ筐体、 32:ゴム板、 33:固定ネジ。
をそれぞれの支持方法で支持した液晶素子ユニットを示
す斜視図、 第５図は、衝撃を加える前後の粒子構造（液晶の配向状
態）を示す写真、 第６図は、マルチプレクシング方式による液晶パネルへ
の書き込み波形図、 第７図〜第10図は、液晶層の法線方向と交わってできる
鋭角がそれぞれθ１＝０゜、θ１＝25゜、θ１＝90゜ま
たはθ１＝65゜になるような２辺で筐体に固定した液晶
素子ユニットの斜視図および上面図である。 11a,11b:基板、 12a,12b:透明電極、 14a,14b:配向膜、 15:強誘電性液晶、 17a:偏光子、 17b:検光子、 21:液晶パネル、 22:層の方向、 23層の法線方向、 24,Ra,Rb:ラビング方向、 31:アルミ筐体、 32:ゴム板、 33:固定ネジ。
Claims (4)
- 【請求項１】カイラルスメクチック液晶を用いた液晶パ
ネルと、 該カイラルスメクチック液晶のSm＊Ｃ相の液晶層の法線
方向と交わってできる鋭角θ１が ０゜≦θ１＜25゜ となるような２辺で、上記液晶パネルを支持する手段と を具備することを特徴とするカイラルスメクチック液晶
素子ユニット。 - 【請求項２】前記鋭角θ１が ０゜≦θ１＜15゜ である請求項１に記載のカイラルスメクチック液晶素子
ユニット。 - 【請求項３】前記鋭角θ１が θ１＝０゜ である請求項１に記載のカイラルスメクチック液晶素子
ユニット。 - 【請求項４】カイラルスメクチック液晶を用いた液晶パ
ネルのSm＊Ｃ相の液晶層の法線方向と交わってできる鋭
角θ１が ０゜≦θ１＜25゜ となるような２辺で上記液晶パネルを支持することを特
徴とするカイラルスメクチック液晶パネルの支持方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1052878A JP2623137B2 (ja) | 1989-03-07 | 1989-03-07 | カイラルスメクチック液晶素子ユニットおよびカイラルスメクチック液晶パネルの支持方法 |
| US07/489,338 US5109294A (en) | 1989-03-07 | 1990-03-06 | Liquid crystal apparatus having a liquid crystal panel and a panel supporting means |
| US07/834,987 US5293544A (en) | 1989-03-07 | 1992-02-14 | Liquid crystal apparatus including panel having plural bent layers of liquid crystal molecules |
| US08/200,461 US5523872A (en) | 1989-03-07 | 1994-02-23 | Process for assembling a chiral smectic liquid crystal panel with a housing therefor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1052878A JP2623137B2 (ja) | 1989-03-07 | 1989-03-07 | カイラルスメクチック液晶素子ユニットおよびカイラルスメクチック液晶パネルの支持方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02232625A JPH02232625A (ja) | 1990-09-14 |
| JP2623137B2 true JP2623137B2 (ja) | 1997-06-25 |
Family
ID=12927140
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1052878A Expired - Fee Related JP2623137B2 (ja) | 1989-03-07 | 1989-03-07 | カイラルスメクチック液晶素子ユニットおよびカイラルスメクチック液晶パネルの支持方法 |
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| JP (1) | JP2623137B2 (ja) |
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| JP3076085B2 (ja) * | 1991-04-27 | 2000-08-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶電気光学装置 |
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| JPH05203961A (ja) * | 1992-01-28 | 1993-08-13 | Canon Inc | 強誘電性液晶素子 |
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| US5999157A (en) * | 1995-12-27 | 1999-12-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Suppressing liquid crystal movement based on the relationship between a display pattern and a driving waveform |
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|---|---|---|---|---|
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| US4367924A (en) * | 1980-01-08 | 1983-01-11 | Clark Noel A | Chiral smectic C or H liquid crystal electro-optical device |
| JPS60156043A (ja) * | 1984-01-23 | 1985-08-16 | Canon Inc | カイラルスメクティック液晶素子 |
| JPS6259922A (ja) * | 1985-09-10 | 1987-03-16 | Canon Inc | 強誘電性液晶素子 |
| JP2547984B2 (ja) * | 1986-01-07 | 1996-10-30 | セイコーエプソン株式会社 | 投写型表示装置 |
| US4820026A (en) * | 1986-03-20 | 1989-04-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Ferroelectric liquid crystal device with modified polyvinyl alcohol alignment film |
| JPS6364022A (ja) * | 1986-09-05 | 1988-03-22 | Seiko Epson Corp | 液晶表示装置 |
| EP0263225B1 (en) * | 1986-10-07 | 1992-04-08 | S.A.R.L. S.T. Lagerwall | A device for submicrosecond electro-optic modulation in the liquid crystal smectic-a phase |
| JPS63123017A (ja) * | 1986-11-12 | 1988-05-26 | Canon Inc | 液晶素子 |
| US4906074A (en) * | 1987-09-28 | 1990-03-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | FLC liquid crystal electro-optical device having microdomains within pixels |
-
1989
- 1989-03-07 JP JP1052878A patent/JP2623137B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-03-06 US US07/489,338 patent/US5109294A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02232625A (ja) | 1990-09-14 |
| US5109294A (en) | 1992-04-28 |
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|---|---|---|---|
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