JP2618883B2 - Semiconductor device - Google Patents

Semiconductor device

Info

Publication number
JP2618883B2
JP2618883B2 JP62077071A JP7707187A JP2618883B2 JP 2618883 B2 JP2618883 B2 JP 2618883B2 JP 62077071 A JP62077071 A JP 62077071A JP 7707187 A JP7707187 A JP 7707187A JP 2618883 B2 JP2618883 B2 JP 2618883B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead
bed
type
semiconductor chip
leads
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP62077071A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS63244657A (en
Inventor
透 古山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP62077071A priority Critical patent/JP2618883B2/en
Publication of JPS63244657A publication Critical patent/JPS63244657A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2618883B2 publication Critical patent/JP2618883B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、特に樹脂封止型の半導体素子容器(プラス
チックパッケージ)を使用した半導体装置であって、集
積度が高く、しかも集積度が容易に損なわれてしまうこ
とがない高性能、高信頼性を実現した半導体装置に関す
る。
Description: BACKGROUND OF THE INVENTION (Industrial Application Field) The present invention relates to a semiconductor device using a resin-encapsulated semiconductor element container (plastic package). The present invention relates to a semiconductor device that achieves high performance and high reliability without being damaged.

(従来の技術) 半導体装置における半導体チップを収納するパッケー
ジには、大別してセラミックとプラスチックに2種類の
材料が使用されている。このセラミックは一般に信頼性
の面でプラスチックより優れているが、かなり高価であ
る。これに対して、プラスチックは安価で、しかも自動
化に適し、例えばメモリー等のように大量生産で価格競
争力が求められる半導体チップのパッケージとしては最
適である。
(Prior Art) A package for accommodating a semiconductor chip in a semiconductor device generally uses two types of materials, ceramic and plastic. This ceramic is generally better than plastic in reliability, but is considerably more expensive. On the other hand, plastic is inexpensive and suitable for automation, and is most suitable as a package for a semiconductor chip such as a memory, which requires mass production and requires price competitiveness.

従来の上記プラスチックパッケージを使用した半導体
装置は、第5図に示すように、一枚の金属板1に加工を
施して複数のリード2、ベッド3及び吊りピン4を成形
し、このベッド2の上面に半導体チップをマウントし、
この半導体チップのパッドと上記各リード2とをワイヤ
ボンディングした後、パッケージ樹脂5で樹脂封止し、
しかる後にリード2やベッド3を金属板(フレーム)1
から切離し、更にリード2を所望の形状に折曲げて、半
導体装置を構成していた。
In the conventional semiconductor device using the plastic package, as shown in FIG. 5, a single metal plate 1 is processed to form a plurality of leads 2, a bed 3, and suspension pins 4. Mount the semiconductor chip on the top surface,
After wire bonding the pads of the semiconductor chip and the respective leads 2, they are sealed with a package resin 5,
After that, the lead 2 and the bed 3 are placed on a metal plate (frame) 1
And the lead 2 is bent into a desired shape to form a semiconductor device.

この半導体装置のメモリーのパッケージの形態の一つ
として、第6図に示すようなZIP(ジグザグ・インライ
ン・パッケージ)がある。これは、リード2のパッケー
ジ樹脂5からの出口を一側面に集中させ、この側面から
突出したリード2を互い違いに上下に屈曲させたもので
ある。
One form of the memory package of the semiconductor device is a zigzag in-line package (ZIP) as shown in FIG. This is one in which the outlet of the lead 2 from the package resin 5 is concentrated on one side, and the lead 2 protruding from this side is alternately bent up and down.

(発明が解決しようとする課題) しかしながら、上記従来例の場合、金属層が一層であ
ったため、例えばリードとベッドとを重合させることが
できず、このためリードのレイアウトが制限されたり、
所望の面積と形状を確保したベッドを得ようとすると、
リードのレイアウトの関係でパッケージのサイズが大き
くなったりする不都合があった。
(Problems to be Solved by the Invention) However, in the case of the above-described conventional example, since the metal layer is one layer, for example, the lead and the bed cannot be polymerized, so that the layout of the lead is limited,
When trying to get a bed with the desired area and shape,
There was an inconvenience that the size of the package became large due to the layout of the leads.

また、逆に一定のパッケージサイズを得ようとする
と、ベッドが小さくなり、従ってここにマウントする半
導体素子のチップ面積も小さくせねばならず、このため
極端に微細な寸法を用いて設計しなければならないとい
った不都合があった。
Conversely, in order to obtain a fixed package size, the bed becomes smaller, and therefore the chip area of the semiconductor element mounted here must also be made smaller. Therefore, it is necessary to design using extremely fine dimensions. There was an inconvenience that it did not work.

特に、上記ZIPの場合、リードの出口が一辺に集中し
ているため、この引き廻しが激しく、リードのキャバシ
タンスやインダクタンスは増し、またベッドサイズは小
さくなってしまうといった不都合があると共に、リード
が長くなるような場合には、樹脂封止の際に発生する応
力によりリードが切断されるという虞れがあり、さら
に、このような細長いリードの加工は比較的困難であ
り、製造工程が著しく煩雑であるといった不都合もあ
る。
In particular, in the case of the above-mentioned ZIP, since the lead outlet is concentrated on one side, this routing is intense, there is an inconvenience that the lead capacitance and inductance are increased, and the bed size is reduced, and the lead is longer. In such a case, there is a risk that the lead is cut due to the stress generated at the time of resin sealing, and furthermore, processing of such an elongated lead is relatively difficult, and the manufacturing process is extremely complicated. There are also inconveniences.

本発明は上記に鑑み、大きなベッドサイズと小さなパ
ッケージサイズを両立することができるばかりでなく、
樹脂封止の際に発生する応力によりリードが切断される
といったこと等の製造工程での煩雑さを回避でき、耐ノ
イズ性や、例えば耐湿性等の信頼性の高い半導体装置を
提供することを目的としてなされたものである。
In view of the above, the present invention can achieve both a large bed size and a small package size,
It is an object of the present invention to provide a semiconductor device having high reliability in noise resistance and moisture resistance, for example, which can avoid complexity in a manufacturing process such as cutting of a lead due to stress generated during resin sealing. It was made for the purpose.

(課題を解決するための手段) 本発明は上記目的を達成するため、特許請求の範囲第
1項では、少なくとも一辺及び対向する他辺に夫々複数
のパッドを有する半導体チップがベッドに搭載されてパ
ッケージ樹脂により樹脂封止され、このパッケージ樹脂
の一辺側から複数のリードが突出された半導体装置にお
いて、上記ベッド及び複数のリードは、折曲げ線を境と
して、ベッド及び第1種リードが形成された上層部と、
第2種のリードが形成された下層部とに分割された一枚
の金属板からなり、上記ベッドに半導体チップが搭載さ
れた後に、ベッドと第2種のリードとの間に絶縁層が介
在されながら、上層部と下層部が折曲げ線に沿って折曲
げられ、この折曲により、第1種及び第2種のリードが
リードの配列方向に互い違いに配置されながら、第1種
のリードはベッドの一辺側まで延出される一方、第2種
のリードは絶縁層の下側を通ってベッドの他辺側まで延
出され、その後、第1種のリードは、半導体チップの一
辺のパッドにワイヤー結線される一方、第2種のリード
は、半導体チップの他辺のパッドにワイヤー結線された
ことを特徴としている。
(Means for Solving the Problems) In order to achieve the above object, according to the first aspect of the present invention, a semiconductor chip having a plurality of pads on at least one side and another opposite side is mounted on a bed. In the semiconductor device, which is resin-sealed with a package resin and a plurality of leads protrude from one side of the package resin, the bed and the plurality of leads are formed with a bed and a first-type lead at a bending line. And the upper
A metal plate divided into a lower layer portion on which a second type lead is formed, and an insulating layer interposed between the bed and the second type lead after the semiconductor chip is mounted on the bed. While the upper layer portion and the lower layer portion are bent along the bending line, the first type leads and the second type leads are alternately arranged in the arrangement direction of the leads, thereby forming the first type leads. Extends to one side of the bed, while the second type of lead extends under the insulating layer to the other side of the bed, and then the first type of lead extends to a pad on one side of the semiconductor chip. The second type of lead is wire-connected to a pad on the other side of the semiconductor chip.

(作 用) 上述の発明において、第1種のリード以外に、絶縁層
を介してベッドの半導体チップの反対側に重ねられ、ベ
ッドの他辺側まで延出され、且つ半導体チップの他辺の
パッドにワイヤー結線された第2種のリードが設けられ
ている。このように、第2種のリードが、ベッドに重ね
るように配置され、第1種のリードに対しても階層的に
配置されていることにより、第2種のリードをベッドの
他辺側まで延出させてチップの他辺のパッドワイヤー結
線する構成が実現されている。
(Operation) In the above invention, in addition to the first type of lead, the semiconductor chip of the bed is stacked on the opposite side of the semiconductor chip via an insulating layer, extended to the other side of the bed, and A second type of lead wire-connected to the pad is provided. In this way, the second type of lead is arranged so as to overlap the bed, and is also arranged hierarchically with respect to the first type of lead, so that the second type of lead can be extended to the other side of the bed. A configuration in which a pad wire is connected to the other side of the chip by extension is realized.

そのため、各ワイヤ結線に際しても、この結線作業を
ベッドの一辺側と他辺側との双方で行なえることから、
各リード間の間隔は、極端な場合、従来例の半分にする
ことができる。そのため、所望の面積のベッドを得よう
とする場合であっても、従来と異なり、パッケージ樹脂
のサイズも従来例の半分でよいことになる。逆に、一定
のパッケージサイズを得ようとする場合であっても、従
来例の2倍の大きさのベッドを確保することができ、半
導体チップの面積を大きくすることができる。従って、
リード及びベッドのレイアウトに、より大きな自由度を
与えることができる。しかも、製造工程においても、リ
ード間の間隔を大きくできることから、リードの引き廻
しが容易になり、リードも比較的短く形成されることか
ら、樹脂封止の際に応力により切断されるといったこと
もなく、また、リードの加工も容易であることから、製
造作業の容易化を図ることができる。
Therefore, even when connecting each wire, since this connection work can be performed on both the one side and the other side of the bed,
In extreme cases, the spacing between the leads can be reduced to half that of the prior art. Therefore, even when a bed having a desired area is to be obtained, the size of the package resin is half that of the conventional example, unlike the conventional case. Conversely, even if a fixed package size is to be obtained, a bed twice as large as the conventional example can be secured, and the area of the semiconductor chip can be increased. Therefore,
Greater flexibility can be given to lead and bed layout. Moreover, in the manufacturing process, the spacing between the leads can be increased, so that the leads can be routed easily. Since the leads are formed relatively short, they can be cut by stress during resin sealing. Further, since the lead is easy to process, the manufacturing operation can be simplified.

第1種及び第2種のリードは、リードの配列方向に互
い違いに配置されながら、第1種のリードはベッド一辺
側まで延出される一方、第2種のリードは絶縁層の下側
を通ってベッドの他辺側まで延出されている。即ち、第
1種のリードは比較的短くベッド近傍まで延出され、こ
の第1種のリードに隣接する第2種のリードが比較的長
くベッドの遠方側まで延出されている。より具体的に
は、第1種及び第2種のリードは、短く延ばされたもの
と長く延ばされたものとが交互に配置されている。その
ため、リードが順次配列されている場合に比べて、リー
ド間の間隔が比較的大きくなり、一方のリードから他方
のリードに起電力が電磁誘導されることが極めて少なく
され、その結果、電磁誘導により悪影響が極力少なく抑
制される。
The first type leads and the second type leads are arranged alternately in the arrangement direction of the leads, while the first type leads extend to one side of the bed, while the second type leads pass under the insulating layer. Extending to the other side of the bed. That is, the first type of lead is relatively short and extends to the vicinity of the bed, and the second type of lead adjacent to the first type of lead is relatively long and extends to the far side of the bed. More specifically, the first type and second type leads are arranged such that short ones and long ones are alternately arranged. Therefore, compared with the case where the leads are sequentially arranged, the interval between the leads is relatively large, and the electromotive force induced from one lead to the other lead is extremely reduced. As a result, the electromagnetic induction is reduced. As a result, adverse effects are minimized.

さらに、第1種及び第2種のリードは、一枚の金属板
から分割された上層部と下層部との折曲により構成され
ており、複雑な折曲工程が必要とされない。そのため、
製造作業が容易であることは勿論、封止用樹脂等の充填
時にこの樹脂等が行き渡らないといったことが殆どな
く、半導体装置の信頼性が高められる。
Furthermore, the first type and second type leads are configured by bending an upper layer portion and a lower layer portion divided from one metal plate, and do not require a complicated bending process. for that reason,
Not only is the manufacturing operation easy, but also when the sealing resin or the like is filled, the resin or the like hardly spreads, and the reliability of the semiconductor device is improved.

(実施例) 第1図及び第2図は本発明の一実施例を示し、上記ZI
Pに適応させたものである。
(Embodiment) FIG. 1 and FIG. 2 show an embodiment of the present invention,
It is adapted to P.

即ち、一枚の金属板1に加工を施して、折曲げ線6を
境として、上層の金属膜となる上層部1aと下層の金属膜
となる下層部1bとに分割している。この上層部1aには、
第1種のリード2a、ベース3及び吊りピン4をレイアウ
トして形成している。この第1種のリード2aは、ベッド
3の一辺側まで延出され且つ半導体チップ8の一辺のパ
ッド8aにワイヤー結線されるように構成されている。下
層部1bには、このベース3との重合部7と交差する第2
種のリード2bを夫々レイアウトして形成している。この
第2種のリード2bは、絶縁層を介してベッド3の半導体
チップ8の反対側に重ねられ、ベッド3の他辺側まで延
出され、且つ半導体チップ8の他辺のパッド8bにワイヤ
ー結線されるように構成されている。組立ての際には、
ベース3の上面に半導体チップ8をマウントした後、折
曲げ線6に沿って折曲げるとともに、折曲げた2層の金
属膜1a,1bの間に,ベース3と第2種のリード2bの重合
面のどちらか一方に絶縁物質を付着させることにより絶
縁層を介在させて、両金属膜1a,1bとの間を絶縁させ
る。
That is, one metal plate 1 is processed, and is divided at the bending line 6 into an upper layer portion 1a serving as an upper metal film and a lower layer portion 1b serving as a lower metal film. In this upper part 1a,
The first type leads 2a, the base 3, and the suspension pins 4 are laid out and formed. The first type of lead 2a extends to one side of the bed 3 and is connected to the pad 8a on one side of the semiconductor chip 8 by wire. The lower layer portion 1b has a second portion which intersects the overlapping portion 7 with the base 3.
Each kind of lead 2b is laid out and formed. The second type of lead 2b is placed on the opposite side of the semiconductor chip 8 of the bed 3 via an insulating layer, extends to the other side of the bed 3, and is connected to a pad 8b on the other side of the semiconductor chip 8 by a wire. It is configured to be connected. When assembling,
After mounting the semiconductor chip 8 on the upper surface of the base 3, the semiconductor chip 8 is bent along the bending line 6, and the base 3 and the second type lead 2 b are overlapped between the bent two metal films 1 a and 1 b. By attaching an insulating material to one of the surfaces, an insulating layer is interposed to insulate the two metal films 1a and 1b.

そして、このように折曲げた後、、この半導体チップ
8のパッド8aと第1種のリード2aとがワイヤー9により
ワイヤー結線され、同時に、半導体チップ8のパッド8b
と第2種のリード2bとがワイヤ9によりワイヤ結線され
後にパッケージ樹脂5で樹脂封止され、しかる後に金属
板(フレーム)1から第1種のリード2a、第2種のリー
ド2b及びベッド3が切離される。
After being bent in this manner, the pad 8a of the semiconductor chip 8 and the first type lead 2a are wire-connected by the wire 9, and at the same time, the pad 8b of the semiconductor chip 8 is connected.
And the second type lead 2b are connected by a wire 9 and then sealed with a package resin 5. Thereafter, the first type lead 2a, the second type lead 2b and the bed 3 are separated from the metal plate (frame) 1 by a resin. Is disconnected.

この際、第1種のリード2a以外に、第2種のリード2b
が、絶縁層を介してベッド3の半導体チップの反対側に
重ねられ、ベッド3の他辺側まで延出され、且つ半導体
チップ8の他辺のパッド8bにワイヤー結線されている。
このように、第2種のリード2bが、ベッド3に重ねるよ
うに配置され、第1種のリード2aに対しても階層的に配
置されていることにより、第2種のリード2bをベッドの
他辺側まで延出させて半導体チップ8の他辺のパッド8b
にワイヤー結線する構成が実現されている。
At this time, besides the first type lead 2a, the second type lead 2b
Are stacked on the opposite side of the semiconductor chip of the bed 3 via the insulating layer, extended to the other side of the bed 3, and wire-connected to the pads 8b on the other side of the semiconductor chip 8.
In this manner, the second type of lead 2b is arranged so as to overlap the bed 3 and is also arranged hierarchically with respect to the first type of lead 2a. Pad 8b on the other side of semiconductor chip 8 extending to the other side
Is realized.

そのため、各ワイヤ結線に際しても、この結線作業を
ベッド3の一辺側と他辺側との双方で行なえることか
ら、各リード2a,2b間の間隔は、極端な場合、従来例の
半分にすることができる。そのため、所望の面積のベッ
ド3を得ようとする場合であっても、従来と異なり、パ
ッケージ樹脂のサイズも従来例の半分でよいことにな
る。逆に、一定のパッケージサイズを得ようとする場合
であっても、従来例の2倍の大きさのベッド3を確保す
ることができ、半導体チップ8の面積を大きくすること
ができる。従って、第1種及び第2種のリード2a,2b及
びベッド3のレイアウトに、より大きな自由度を与える
ことができる。しかも、製造工程においても、第1種及
び第2種のリード2a,2b間の間隔を大きくできることか
ら、第1種及び第2種のリード2a,2bの引き廻しが容易
になり、各リード2a,2bも比較的短く形成されることか
ら、樹脂封止の際に応力により切断されるといったこと
もなく、また、各リード2a,2bの加工も容易であること
から、製造作業の容易化を図ることがてきる。
For this reason, at the time of each wire connection, since this connection work can be performed on both the one side and the other side of the bed 3, the interval between the leads 2a and 2b is set to a half of the conventional example in an extreme case. be able to. Therefore, even when the bed 3 having a desired area is to be obtained, the size of the package resin is half that of the conventional example, unlike the conventional case. Conversely, even if it is intended to obtain a fixed package size, the bed 3 which is twice as large as the conventional example can be secured, and the area of the semiconductor chip 8 can be increased. Therefore, a greater degree of freedom can be given to the layout of the first and second types of leads 2a, 2b and the bed 3. In addition, since the distance between the first type and second type leads 2a and 2b can be increased in the manufacturing process, the first type and second type leads 2a and 2b can be easily routed, and each lead 2a , 2b are also formed relatively short, so they are not cut by stress during resin encapsulation, and the processing of each lead 2a, 2b is easy, so that the manufacturing work can be simplified. You can do it.

また、この場合、折曲げられた2層間の絶縁層の膜厚
は厚く、誘電率は低い方が、ベッド3とオーバーラップ
する第2種のリード2bの寄生容量を小さくする上で好ま
しい。
In this case, it is preferable that the thickness of the bent insulating layer between the two layers is large and the dielectric constant is low in order to reduce the parasitic capacitance of the second type lead 2 b overlapping the bed 3.

なお、上記絶縁膜は折曲げる時に金属膜1a,1bの間に
空間を作っておき、封止時の樹脂をこの空間に充填して
絶縁するようにしても良く、また半導体チップ8のベッ
ド3へのマウントは金属板1を折曲げた後に行うように
しても良い。
When the insulating film is bent, a space may be formed between the metal films 1a and 1b, and the space may be filled with a resin for sealing to insulate the space. The mounting may be performed after the metal plate 1 is bent.

第3図は他の実施例で、いわゆるDIP(デュアル・イ
ンライン・パッケージ)の他の実施例を示し、一枚の金
属板1を折曲げ線6を境として、上層の金属膜となる上
層部1aと下層の金属膜となる下層部1bとに二分し、その
上方の上層部1aにベッド3と吊りピン4を形成するとと
もに、その下方の下層部1bに上記ベッド3との重合板10
を形成し、この重合板10に吊りピン4を連接し、この重
合板10に先端を近接させてリード2を配設するととも
に、更にこの吊りピン4に接地端子11又は電源端子を連
接したものである。
FIG. 3 shows another embodiment, which is another embodiment of a so-called DIP (dual in-line package), in which a single metal plate 1 is bounded by a fold line 6 and an upper layer portion serving as an upper metal film is formed. 1a and a lower layer portion 1b serving as a lower metal film, and a bed 3 and a suspension pin 4 are formed in an upper layer portion 1a above the lower layer portion 1b.
A suspension pin 4 is connected to the superposed plate 10, the lead 2 is disposed with the tip thereof being close to the superposed plate 10, and a ground terminal 11 or a power supply terminal is further connected to the suspended pin 4. It is.

このようにすることによって、半導体チップ上で基板
電位を発生させる半導体素子、例えばダイナミックRAM
では、基板電位のノイズ対策が重要な課題となるが、ベ
ッドに電源端子又は接地端子と大きな静電容量を持たせ
ることができ、基板電位の安定化を図るようにすること
ができる。
By doing so, a semiconductor element that generates a substrate potential on a semiconductor chip, for example, a dynamic RAM
In this case, countermeasures against the noise of the substrate potential are important issues. However, the bed can be provided with a large capacitance with the power supply terminal or the ground terminal, so that the substrate potential can be stabilized.

更に、第4図を示すように、2つに分離した重合板10
a,10bで上記第4図に示す重合板10を構成し、一方の重
合板10aの吊りピン4を接地端子11に、他方の重合板10b
の吊りピン4を電源端子12に夫々連続させることによ
り、ベッド3に接地端子及び電源端子の両方との静電容
量を持たせるようにすることができる。
Further, as shown in FIG.
a and 10b constitute the superposed plate 10 shown in FIG. 4 described above. The suspension pin 4 of one superposed plate 10a is connected to the ground terminal 11, and the other superposed plate 10b
By connecting the hanging pins 4 to the power supply terminal 12 respectively, the bed 3 can be provided with the capacitance of both the ground terminal and the power supply terminal.

なお、基板電位のみならず、電源端子と接地端子の間
にこの容量を形成して、電源ノイズの低減を図るように
することもできる。
Note that this capacitance can be formed between the power supply terminal and the ground terminal as well as the substrate potential to reduce power supply noise.

このような場合、2層間の絶縁膜は耐圧が持つ範囲で
極力薄い方が良く、また誘電率が高い方が好ましい。
In such a case, the insulating film between the two layers is preferably as thin as possible within the range of the withstand voltage, and more preferably has a high dielectric constant.

なお、上記実施例は、いずれも2層の金属層を備えた
ものを示しているが、3層又はこれ以上の多層にして、
より効果を高めるようにすることもできる。更に、例え
ば第3図に示すものに、第4図に示すものを加えて、双
方の効果を同時に有するようにすることもできる。
In addition, although the said Example showed what provided all the two metal layers, it was made into three or more layers,
It can be made more effective. Further, for example, the structure shown in FIG. 4 may be added to the structure shown in FIG. 3 so that both effects can be simultaneously obtained.

更に、上記実施例では、組立て工程中に折曲げ工程を
含むことにより、単層の金属板を多層(2層)にするも
のを示しているが、例えば最初から2層以上の金属層を
用い、これらを貼り合せるようにして、ベッドやリード
を形成するようにしても良い。
Further, in the above-described embodiment, a single-layer metal plate is formed into a multilayer (two layers) by including a bending step in the assembling step. However, for example, two or more metal layers are used from the beginning. Alternatively, a bed or a lead may be formed by bonding these.

この場合は、リードやベッドのパターンをテープ状に
何チップを連ねたリードテープの製造工程を変えること
により、従来の組立て工程で対処することができる。ま
た、単一の金属層の場合は、リードテープの製造工程は
従来のままで対処することができ、しかも金型も一種類
で済み安価であるが、組立て工程の中に新たに折曲げ工
程を追加する必要が生じる。
In this case, it is possible to cope with the conventional assembling process by changing the manufacturing process of the lead tape in which the pattern of the lead and the bed is connected in a tape shape by a number of chips. In the case of a single metal layer, the lead tape manufacturing process can be dealt with as it is in the past, and one type of die is used, which is inexpensive. Need to be added.

(発明の効果) 以上述べたように、第2種のリードが、ベッドに重ね
るように配置され、第1種のリードに対しても階層的に
配置されていることにより、所望の面積のベッドを得よ
うとする場合であっても、従来と異なり、パッケージ樹
脂のサイズも従来例の半分でよいことになる。逆に、一
定のパッケージサイズを得ようとする場合であっても、
従来例の2倍の大きさのベッドを確保することができ、
半導体チップの面積を大きくすることができる。従っ
て、リード及びベッドのレイアウトに、より大きな自由
度を与えることができる。しかも、製造工程において
も、リード間の間隔を大きくできることから、リードの
引き廻しが容易になり、リードも比較的短く形成される
ことから、樹脂封止の際に応力により切断されるといっ
たこともなく、また、リードの加工も容易であることか
ら、製造作業の容易化を図ることができる。
(Effects of the Invention) As described above, the second type of lead is arranged to overlap the bed, and the second type of lead is also arranged hierarchically with respect to the first type of lead. Therefore, unlike the conventional case, the size of the package resin is half that of the conventional example. Conversely, even when trying to get a certain package size,
A bed twice the size of the conventional example can be secured,
The area of the semiconductor chip can be increased. Therefore, greater freedom can be given to the layout of the lead and the bed. Moreover, in the manufacturing process, the spacing between the leads can be increased, so that the leads can be routed easily. Since the leads are formed relatively short, they can be cut by stress during resin sealing. Further, since the lead is easy to process, the manufacturing operation can be simplified.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図及び第2図は本発明の一実施例を示し、第1図は
半導体チップをボンディングした状態を示す平面図、第
2図は屈曲前の金属板レイアウトを示す平面図、第3図
及び第4図は夫々異なる他の実施例を示す第2図相当
図、第5図は従来の金属板のレイアウトを示す平面図、
第6図は従来のZIPを示し、同図(イ)は平面図、同図
(ロ)は側面図、同図(ハ)は正面図である。 1……金属板、1a……同上層部(金属層)、1b……同下
層部(金属層)、2a……第1種のリード、2b……第2種
のリード、3……ベッド、4……吊りピン、5……パッ
ケージ樹脂、8……半導体チップ、10……重合板、11…
…接地端子、12……電源端子。
1 and 2 show one embodiment of the present invention, FIG. 1 is a plan view showing a state in which semiconductor chips are bonded, FIG. 2 is a plan view showing a metal plate layout before bending, and FIG. And FIG. 4 is a diagram corresponding to FIG. 2 showing another different embodiment, FIG. 5 is a plan view showing a layout of a conventional metal plate,
FIG. 6 shows a conventional ZIP. FIG. 6A is a plan view, FIG. 6B is a side view, and FIG. 6C is a front view. 1 ... metal plate, 1a ... upper layer part (metal layer), 1b ... lower layer part (metal layer), 2a ... first type lead, 2b ... second type lead, 3 ... bed , 4 ... hanging pins, 5 ... package resin, 8 ... semiconductor chip, 10 ... overlapping board, 11 ...
... Ground terminal, 12 ... Power supply terminal.

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】少なくとも一辺及び対向する他辺に夫々複
数のパッドを有する半導体チップがベッドに搭載されて
パッケージ樹脂により樹脂封止され、このパッケージ樹
脂の一辺側から複数のリードが突出された半導体装置に
おいて、 上記ベッド及び複数のリードは、折曲げ線を境として、
ベッド及び第1種のリードが形成された上層部と、第2
種のリードが形成された下層部とに分割された一枚の金
属板からなり、 上記ベッドに半導体チップが搭載された後に、ベッドと
第2種のリードとの間に絶縁層が介在されながら、上層
部と下層部が折曲げ線に沿って折曲げられ、 この折曲により、第1種及び第2種のリードがリードの
配列方向に互い違いに配置されながら、第1種のリード
はベッドの一辺側まで延出される一方、第2種のリード
は絶縁層の下側を通ってベッドの他辺側まで延出され、 その後、第1種のリードは、半導体チップの一辺のパッ
ドにワイヤー結線される一方、第2種のリードは、半導
体チップの他辺にパッドにワイヤー結線されたことを特
徴とする半導体装置。
1. A semiconductor device comprising: a semiconductor chip having a plurality of pads on at least one side and another side opposite to the semiconductor chip mounted on a bed and sealed with a resin; and a plurality of leads protruding from one side of the package resin. In the apparatus, the bed and the plurality of reeds are separated by a bending line.
An upper layer portion on which a bed and a first type lead are formed;
A single metal plate divided into a lower layer portion on which a type lead is formed, and after the semiconductor chip is mounted on the bed, an insulating layer is interposed between the bed and the second type lead. The upper layer portion and the lower layer portion are bent along a bending line, whereby the first type leads are alternately arranged in the lead arrangement direction while the first type leads are placed in the bed. While the second type of lead extends under the insulating layer to the other side of the bed, and then the first type of lead is connected to a pad on one side of the semiconductor chip by a wire. A semiconductor device, wherein the second type lead is wire-connected to a pad on the other side of the semiconductor chip while being connected.
【請求項2】上記絶縁層に封止用樹脂を用いたことを特
徴とする特許請求の範囲第1項記載の半導体装置。
2. The semiconductor device according to claim 1, wherein a sealing resin is used for said insulating layer.
【請求項3】上記絶縁層に封止用樹脂とは異なる誘電体
を用いたことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の
半導体装置。
3. The semiconductor device according to claim 1, wherein a dielectric different from a sealing resin is used for said insulating layer.
JP62077071A 1987-03-30 1987-03-30 Semiconductor device Expired - Fee Related JP2618883B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62077071A JP2618883B2 (en) 1987-03-30 1987-03-30 Semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62077071A JP2618883B2 (en) 1987-03-30 1987-03-30 Semiconductor device

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP31611496A Division JPH09167823A (en) 1996-11-27 1996-11-27 Semiconductor device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS63244657A JPS63244657A (en) 1988-10-12
JP2618883B2 true JP2618883B2 (en) 1997-06-11

Family

ID=13623560

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62077071A Expired - Fee Related JP2618883B2 (en) 1987-03-30 1987-03-30 Semiconductor device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2618883B2 (en)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2748940B2 (en) * 1989-06-05 1998-05-13 株式会社日立製作所 Resin-sealed semiconductor device
JP2862557B2 (en) * 1989-03-20 1999-03-03 宮崎沖電気株式会社 Semiconductor device
DE4212948A1 (en) * 1992-04-18 1993-10-21 Telefunken Microelectron Semiconductor module, in particular remote control receiver module

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6225907Y2 (en) * 1980-06-06 1987-07-02
JPS57120361A (en) * 1981-01-17 1982-07-27 Sanyo Electric Co Ltd Structure of film substrate
JPS5927549A (en) * 1982-08-03 1984-02-14 Toshiba Corp Semiconductor device
JPS5927549U (en) * 1982-08-12 1984-02-21 キヤノン株式会社 electrophotographic copying device
JPS6043849A (en) * 1983-08-19 1985-03-08 Fuji Electric Co Ltd Lead frame

Also Published As

Publication number Publication date
JPS63244657A (en) 1988-10-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0680086B1 (en) Semiconductor device and method of producing said semiconductor device
US6927478B2 (en) Reduced size semiconductor package with stacked dies
US6376914B2 (en) Dual-die integrated circuit package
KR100328143B1 (en) Lead frame with layered conductive plane
JPH09246465A (en) Laminated chip package of loc type semiconductor chip
JPH05109975A (en) Resin-sealed type semiconductor device
KR20040014156A (en) Semiconductor device
JP3494901B2 (en) Semiconductor integrated circuit device
JPH04302164A (en) Semiconductor device
JP2618883B2 (en) Semiconductor device
US10886253B2 (en) Semiconductor package
KR20020054475A (en) Semiconductor Chip Stack Package And Fabrication Method Thereof
CN101315920A (en) Chip stack packaging structure and method of producing the same
KR20210128295A (en) Semiconductor packages including capacitors with semiconductor chips
US20070267756A1 (en) Integrated circuit package and multi-layer lead frame utilized
JPH023621Y2 (en)
JPH09167823A (en) Semiconductor device
JP3495566B2 (en) Semiconductor device
JPH03109760A (en) Semiconductor device
JPH04349655A (en) Resin-sealed multi-chip package
KR100537893B1 (en) Leadframe and multichip package using the same
JPH03163858A (en) Resin-sealed semiconductor device
JP2587722Y2 (en) Semiconductor device
US4918512A (en) Semiconductor package having an outwardly arced die cavity
KR0129132Y1 (en) I.c package

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees