JP2618001B2 - Plasma reactor - Google Patents
Plasma reactorInfo
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- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3266—Magnetic control means
- H01J37/32678—Electron cyclotron resonance
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、ガス放電によりプラズマを発生させ、発
生したプラズマを利用して半導体基板表面にエッチン
グ、薄膜形成等の処理を行うプラズマ反応装置に関す
る。Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a plasma reactor for generating plasma by gas discharge and performing processes such as etching and thin film formation on a semiconductor substrate surface using the generated plasma. .
［従来の技術］ ICなどの半導体装置の製造においては、半導体基板
（ウエハ）に薄膜形成、エッチング等の処理が行われ
る。このような半導体基板処理装置の一つとして、ガス
放電によるプラズマを利用したプラズマ反応装置があ
る。2. Description of the Related Art In the manufacture of semiconductor devices such as ICs, processes such as thin film formation and etching are performed on a semiconductor substrate (wafer). As one of such semiconductor substrate processing apparatuses, there is a plasma reaction apparatus using plasma by gas discharge.
第３図は、電子サイクロトロン共鳴放電により発生す
るプラズマを利用した一般的なプラズマ反応装置の概略
断面図である。第３図において、このプラズマ反応装置
は、反応室１と、その反応室１の上部に設けられ、下端
を反応室１の上部に開口させた円筒状のプラズマ発生室
２と、一端をプラズマ発生室２の上面の開口部に接続さ
れるとともに他端をマイクロ波発生手段（図示せず）に
接続され、マイクロ波発生手段により発生されたマイク
ロ波をプラズマ発生室２に導く導波管３と、プラズマ発
生室２の上面に開設された開口部に被着された石英板４
と、プラズマ発生室２の外周部に、それを囲むように設
けられたソレノイドコイル5aとを有する。プラズマ発生
室２の上部にはガス導入口６が設けられ、反応室１の底
部には排気口７が設けられている。また、反応室１内に
おいてその底部には、プラズマ発生室２の開口下端に対
向して、半導体基板９を載せる保持台８が設けられてい
る。FIG. 3 is a schematic sectional view of a general plasma reactor utilizing plasma generated by electron cyclotron resonance discharge. In FIG. 3, the plasma reaction apparatus includes a reaction chamber 1, a cylindrical plasma generation chamber 2 provided at an upper portion of the reaction chamber 1 and having a lower end opened at the upper portion of the reaction chamber 1, and a plasma generation chamber at one end. A waveguide 3 connected to the opening on the upper surface of the chamber 2 and the other end connected to microwave generating means (not shown) for guiding microwaves generated by the microwave generating means to the plasma generating chamber 2; A quartz plate 4 attached to an opening formed on the upper surface of the plasma generation chamber 2
And a solenoid coil 5a provided on the outer periphery of the plasma generation chamber 2 so as to surround the same. A gas inlet 6 is provided at an upper portion of the plasma generation chamber 2, and an exhaust port 7 is provided at a bottom of the reaction chamber 1. In addition, a holding table 8 on which a semiconductor substrate 9 is placed is provided at the bottom of the reaction chamber 1 so as to face the lower end of the opening of the plasma generation chamber 2.
この装置の動作は次の通りである。反応室１内部に残
ったガスを排気口７から十分に排気した後、反応室１及
びプラズマ発生室２内にガス導入口６から反応性ガスを
導入しながらその一部を排気口７から排気し、ガス圧力
を所定の値に保つ。さらに、図示しないマイクロ波発生
手段の発生する周波数2.45GHzのマイクロ波を導波管３
及び石英板４を介してプラズマ発生室２に導入する。一
方、プラズマ発生室２の回りに設けられたソレノイドコ
イル5aに通電してこのソレノイドコイル5aには、プラズ
マ発生室２及び反応室１内において、プラズマ発生室２
から反応室１に向かって発散する不均一な磁界を形成さ
せる。The operation of this device is as follows. After the gas remaining in the reaction chamber 1 is sufficiently exhausted from the exhaust port 7, a part of the gas is exhausted from the exhaust port 7 while introducing the reactive gas into the reaction chamber 1 and the plasma generating chamber 2 from the gas inlet 6. And maintain the gas pressure at a predetermined value. Further, a microwave having a frequency of 2.45 GHz generated by a microwave generating means (not shown) is supplied to the waveguide 3.
And into the plasma generation chamber 2 via the quartz plate 4. On the other hand, the solenoid coil 5a provided around the plasma generation chamber 2 is energized, and the solenoid coil 5a is connected to the plasma generation chamber 2 and the reaction chamber 1 in the plasma generation chamber 2.
, A non-uniform magnetic field diverging toward the reaction chamber 1 is formed.
この結果、プラズマ発生室２内の反応性ガスの電子
は、電子サイクロトロン共鳴によりマイクロ波の電磁エ
ネルギーを吸収して加速され、プラズマ発生室２内を円
運動しながら螺旋状に下降する。このように高速で円運
動する電子の衝突によりプラズマ発生室２内には高密度
のガスプラズマが発生する。このガスプラズマは、ソレ
ノイドコイル5aの形成する磁力線に沿ってプラズマ発生
室２から反応室１内に移送され、保持台８上の半導体基
板９の表面に薄膜形成やエッチング等の処理を施す。な
お、この際に用いられるガスの種類、圧力、マイクロ波
電力等は、基板処理工程の種類により選択される。As a result, the electrons of the reactive gas in the plasma generation chamber 2 are accelerated by absorbing the electromagnetic energy of the microwave by the electron cyclotron resonance, and descend spirally in the plasma generation chamber 2 while making a circular motion. Thus, high-density gas plasma is generated in the plasma generation chamber 2 by the collision of the electrons moving in a circular motion at a high speed. The gas plasma is transferred from the plasma generation chamber 2 into the reaction chamber 1 along the magnetic lines of force formed by the solenoid coil 5a, and performs processes such as thin film formation and etching on the surface of the semiconductor substrate 9 on the holding table 8. The type of gas, pressure, microwave power, and the like used at this time are selected depending on the type of the substrate processing process.
［発明が解決しようとする課題］ 従来の電子サイクロトロン共鳴放電を利用したプラズ
マ反応装置においては、プラズマ発生室内における磁界
の形成にソレノイドコイルを用いたため、プラズマ発生
室内の磁界はコイルの中心軸上において最も強くなり、
電子はコイルの中心軸から外側に向かって流出する。従
って、電子を十分にプラズマ発生室内に閉じ込めること
ができず、プラズマ生成密度を十分に高めることができ
ない。このため、半導体基板処理における反応速度が低
いという問題点があった。さらに電子の閉じ込めが不十
分であるため、プラズマが不安定であり、プラズマの発
生に用いるガスの圧力、種類、あるいはマイクロ波出力
などの条件に制約を受けるという問題点もあった。[Problems to be Solved by the Invention] In a conventional plasma reactor using an electron cyclotron resonance discharge, a solenoid coil is used to form a magnetic field in the plasma generation chamber. The strongest,
Electrons flow outward from the central axis of the coil. Therefore, electrons cannot be sufficiently confined in the plasma generation chamber, and the plasma generation density cannot be sufficiently increased. For this reason, there has been a problem that the reaction rate in semiconductor substrate processing is low. Further, there is a problem that the plasma is unstable due to insufficient electron confinement, and the conditions such as the pressure and type of gas used for generating the plasma and the microwave output are restricted.
この発明は上述したような問題点を解決するためにな
されたもので、プラズマ生成密度を高めることにより半
導体基板処理速度を上げるとともに、プラズマを安定化
してプラズマ生成のための条件範囲を緩和し反応の制御
性を高め、広い適用範囲を有するプラズマ反応装置を得
ることを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-described problems, and increases the processing speed of a semiconductor substrate by increasing the plasma generation density, stabilizes the plasma, relaxes the range of conditions for plasma generation, and reduces the reaction range. It is an object of the present invention to improve the controllability of a plasma reactor and to obtain a plasma reactor having a wide application range.
［課題を解決するための手段］ この発明に係るプラズマ反応装置は、プラズマ発生室
内に極小磁場を形成するコイル手段を備えたものであ
る。[Means for Solving the Problems] A plasma reactor according to the present invention includes a coil means for forming a minimal magnetic field in a plasma generation chamber.
［作 用］ この発明におけるプラズマ反応装置では、コイル手段
によりプラズマ発生室内に、極小磁場（内部に磁束密度
がゼロでない極小値を取る点を持つ磁場配位）が形成さ
れ、プラズマ発生室の中心部の磁場が外周部に比べて弱
くなっているので、プラズマ発生室内のプラズマは安定
に閉じ込められる。このためプラズマ発生室には密度の
高い安定したプラズマが発生され、半導体基板処理の速
度が向上する。またガス圧力などのプラズマ生成の条件
も緩和される。[Operation] In the plasma reactor according to the present invention, a minimal magnetic field (a magnetic field configuration having a point where the magnetic flux density takes a non-zero minimum value) is formed in the plasma generating chamber by the coil means, and the center of the plasma generating chamber is formed. Since the magnetic field of the portion is weaker than the outer peripheral portion, the plasma in the plasma generation chamber is stably confined. Therefore, a stable plasma having a high density is generated in the plasma generation chamber, and the speed of processing the semiconductor substrate is improved. Also, the conditions for plasma generation such as gas pressure are relaxed.
［実施例］ 以下、この発明の実施例を添付図面に基づいて説明す
る。但し、以下の実施例の構成及び作用は、第３図の装
置と一部を除き同様であるので、以下においては特に相
違する点のみについて詳しく説明し、他の点の詳しい説
明は省略する。Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. However, since the configuration and operation of the following embodiment are the same as those of the apparatus shown in FIG. 3 except for a part, only the differences will be described in detail below, and the detailed description of the other points will be omitted.
第１図は、この発明の第１実施例を示す概略断面図で
ある。この実施例は、ソレノイドコイル5aの代わりにコ
イル手段としての極小磁場発生用コイル５を備えている
点を除けば、第３図の装置と略同様に構成されている。FIG. 1 is a schematic sectional view showing a first embodiment of the present invention. This embodiment is substantially the same as the apparatus shown in FIG. 3 except that a minimal magnetic field generating coil 5 as a coil means is provided in place of the solenoid coil 5a.
第２図（ａ）乃至第２図（ｃ）は、第１図の極小磁場
発生用コイルのそれぞれ異る具体例を示す。2 (a) to 2 (c) show different specific examples of the minimal magnetic field generating coil of FIG.
第２図（ａ）はヨッフェ磁場コイル10を示しており、
このコッフェ磁場コイル10は、互いに軸方向に離隔して
平行に配置され、ミラー磁場を形成する一対の環状導体
10aと、これらの環状体10aの対向内側面間において円周
方向に等間隔で配置され、該環状体10aの中心軸の方向
に平行に延びてカスプ磁場を形成する複数本（図示例で
は４本）の直線状導体10bとから構成される。このヨッ
フェ磁場コイル10を極小磁場発生用コイル５として用い
る場合には、ミラー磁場を形成する一対の環状導体10a
を、プラズマ発生室２を囲むようにして円筒状のプラズ
マ発生室２と同軸状に配置し、カスプ磁場を形成する直
線状導体10bをプラズマ発生室２の中心軸と平行に配置
する（図中の矢印は電流の方向を示す）。従って、ヨッ
フェ磁場コイル10は、プラズマ発生室２内にミラー磁場
とカスプ磁場を重ね合わせて得られる極小磁場（内部に
磁束密度がゼロでない極小値を取る点を持つ磁場）を形
成する。FIG. 2 (a) shows the Joffe magnetic field coil 10,
The coffé-field coil 10 is arranged in parallel with each other in the axial direction, and forms a pair of annular conductors forming a mirror magnetic field.
10a and a plurality of coils (4 in the illustrated example) which are arranged at equal intervals in the circumferential direction between the opposed inner surfaces of the annular bodies 10a and extend in parallel with the direction of the central axis of the annular body 10a to form a cusp magnetic field. ) And a linear conductor 10b. In the case where the joffe magnetic field coil 10 is used as the minimal magnetic field generating coil 5, a pair of annular conductors 10a forming a mirror magnetic field are used.
Is arranged coaxially with the cylindrical plasma generation chamber 2 so as to surround the plasma generation chamber 2, and the linear conductor 10 b forming a cusp magnetic field is arranged parallel to the central axis of the plasma generation chamber 2 (arrow in the figure) Indicates the direction of the current). Accordingly, the Yoffe magnetic field coil 10 forms a minimal magnetic field (a magnetic field having a point where the magnetic flux density takes a non-zero minimum value) obtained by superimposing the mirror magnetic field and the cusp magnetic field in the plasma generation chamber 2.
極小磁場発生用コイル５としては、極小磁場発生手段
として周知の、第２図（ｂ）のベースボールコイル11や
第２図（ｃ）のインヤン（yin−yang）コイル12を用い
ることもできる。As the minimal magnetic field generating coil 5, a base ball coil 11 shown in FIG. 2 (b) or a yin-yang coil 12 shown in FIG. 2 (c) can be used as a minimal magnetic field generating means.
第２図（ｂ）のベースボールコイル11は、互いに離隔
して平行に対向するように配置され、ミーラ磁場を形成
する一対の逆コ字状導体部11aと、それら導体部11aの対
向解放端同士を結ぶように延びてカスプ磁場を形成する
一対の互いに平行な直線状導体部11bとからなる。ベー
スボールコイル11を用いる場合、ミーラ磁場を形成する
逆コ字状導体部11aがプラズマ発生室２を取り囲み、カ
スプ磁場を形成する直線状導体部11bがプラズマ発生室
２の軸と平行になるようにコイル11を配置する。The baseball coil 11 shown in FIG. 2 (b) is arranged so as to be spaced apart from and opposed to each other in parallel, and has a pair of inverted U-shaped conductors 11a for forming a mirror magnetic field, and opposite open ends of the conductors 11a. It comprises a pair of mutually parallel linear conductors 11b which extend to connect each other and form a cusp magnetic field. When the baseball coil 11 is used, the inverted U-shaped conductor 11a forming the Mira magnetic field surrounds the plasma generation chamber 2, and the linear conductor 11b forming the cusp magnetic field is parallel to the axis of the plasma generation chamber 2. The coil 11 is arranged at the position.
一方、第２図（ｃ）のインヤンコイル12は、環状体を
二つに折り曲げて重ね合わせた形状の一対の二重の半環
状導体部12a、12bを、それらの中心面が互いに直交する
ように組み合わせて構成されている。このインヤンコイ
ル12を用いる場合には、一対の半環状導体部12a、12b
を、それらの中心がプラズマ発生室２の中心軸上にくる
ように、且つ横から見てＸ字状にプラズマ発生室２の外
周面を取り巻くように配置する。このようにコイル12を
配置することにより、コイル12への通電時に極小磁場が
プラズマ発生室の略中心部に発生される。On the other hand, the in-yang coil 12 shown in FIG. 2 (c) has a pair of double semi-annular conductor portions 12a and 12b formed by bending an annular body into two and superimposing them so that their central planes are orthogonal to each other. It is configured in combination. When this in-yang coil 12 is used, a pair of semi-annular conductor portions 12a and 12b
Are arranged so that their centers are on the central axis of the plasma generation chamber 2 and surround the outer peripheral surface of the plasma generation chamber 2 in an X shape when viewed from the side. By arranging the coil 12 in this manner, a minimal magnetic field is generated substantially at the center of the plasma generation chamber when the coil 12 is energized.
なお、ヨッフェ磁場コイル10を極小磁場発生用コイル
５として用い、半導体基板９の表面にエッチング或は薄
膜形成を行う場合の諸元の具体例は次の通りである。Specific examples of the specifications when etching or thin film formation is performed on the surface of the semiconductor substrate 9 using the Yoffe magnetic field coil 10 as the minimal magnetic field generating coil 5 are as follows.
プラズマ発生室直径： 200mm プラズマ発生室軸方向長さ： 180mm ヨッフェ磁場コイル環状部直径： 330mm ヨッフェ磁場コイル軸方向長さ： 350mm 磁束密度極小値： 875ガウス マイクロ波周波数： 2.45GHz マイクロ波出力： 1Kワット 原料ガス： Cl2 ガス圧力： 5x10-5Torr この実施例も第３図の装置と同様に動作する。しかし
プラズマ発生室２内には、極小磁場発生用コイル５によ
り、ミラー磁場とカスプ磁場を重ね合わせた極小磁場が
形成される。従ってコイル５の中心に位置する、磁束密
度が極小値をとる点の付近では、外側に向かうあらゆる
方向に磁束密度が増大する。この結果、プラズマを安定
的に閉じ込めることができる。特にプラズマ中の電子を
有効に閉じ込めることができるため、電子密度を高くす
ることができるため、プラズマ生成密度が向上し、半導
体基板処理における反応速度を増大させることができ
る。またプラズマの閉じ込め効率が向上するので、従
来、プラズマの生成が困難であつた10-5Torrの低圧力下
でも安定なプラズマを生成できる。Plasma generation chamber diameter: 200mm Plasma generation chamber axial length: 180mm Joffe magnetic field coil annular part diameter: 330mm Joffe magnetic field coil axial length: 350mm Minimum magnetic flux density: 875 Gauss Microwave frequency: 2.45GHz Microwave output: 1K Watt Source gas: Cl 2 Gas pressure: 5 × 10 −5 Torr This embodiment also operates in the same manner as the apparatus of FIG. However, in the plasma generation chamber 2, a minimal magnetic field in which the mirror magnetic field and the cusp magnetic field are superposed is formed by the minimal magnetic field generating coil 5. Therefore, near the point at the center of the coil 5 where the magnetic flux density takes a minimum value, the magnetic flux density increases in all outward directions. As a result, the plasma can be stably confined. In particular, since electrons in plasma can be effectively confined, the electron density can be increased, so that the plasma generation density can be improved and the reaction rate in semiconductor substrate processing can be increased. Further, since the plasma confinement efficiency is improved, stable plasma can be generated even under a low pressure of 10 -5 Torr, which has conventionally been difficult to generate plasma.
なお、以上の説明では、電子サイクロトロン共鳴放電
を利用してプラズマを生成する実施例についてのみ説明
したが、この発明は高周波放電、マグネトロン放電、PI
G放電などを利用するプラズマ反応装置に対しても応用
できる。In the above description, only the embodiment in which the plasma is generated using the electron cyclotron resonance discharge has been described. However, the present invention relates to a high-frequency discharge, a magnetron discharge, and a PI.
It can also be applied to plasma reactors that use G discharge.
［発明の効果］ 以上のようにこの発明によれば、プラズマ発生室内に
極小磁場を形成するコイル手段を備えているので、プラ
ズマを安定的に高密度で生成することが可能であり、従
って半導体基板の処理速度を増大することができるとと
もに、プラズマ生成のための条件が緩和され適用範囲が
広くなるという効果がある。[Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, since the coil means for forming a minimal magnetic field is provided in the plasma generation chamber, it is possible to generate plasma stably at a high density, and There is an effect that the processing speed of the substrate can be increased, and the conditions for plasma generation are relaxed and the applicable range is widened.
第１図はこの発明に係るプラズマ反応装置の断面図、第
２図（ａ）乃至第２図（ｃ）はそれぞれ第１図の極小磁
場発生用コイルのそれぞれ異る具体例を示す斜視図、第
３図は従来のプラズマ反応装置の断面図である。 図において、１は反応室、２はプラズマ発生室、３は導
波管、４は石英板、5aはソレノイドコイル、５は極小磁
場発生用コイル、６はガス導入口、７はガス排気口、８
は保持台、９は半導体基板、10はヨッフェ磁場コイル、
11はベースボールコイル、12はインヤン（yin−yang）
コイルである。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。FIG. 1 is a cross-sectional view of a plasma reactor according to the present invention, and FIGS. 2 (a) to 2 (c) are perspective views showing different specific examples of the minimal magnetic field generating coils of FIG. 1, respectively. FIG. 3 is a sectional view of a conventional plasma reactor. In the figure, 1 is a reaction chamber, 2 is a plasma generation chamber, 3 is a waveguide, 4 is a quartz plate, 5a is a solenoid coil, 5 is a coil for generating a minimal magnetic field, 6 is a gas inlet, 7 is a gas exhaust port, 8
Is a holding table, 9 is a semiconductor substrate, 10 is a Joffe magnetic field coil,
11 is a baseball coil, 12 is yin-yang
Coil. In the drawings, the same reference numerals indicate the same or corresponding parts.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 芝野 照夫 兵庫県伊丹市瑞原４丁目１番地 三菱電 機株式会社エル・エス・アイ研究所内 (72)発明者 石田 智章 兵庫県伊丹市瑞原４丁目１番地 三菱電 機株式会社エル・エス・アイ研究所内 (72)発明者 西岡 久作 兵庫県伊丹市瑞原４丁目１番地 三菱電 機株式会社エル・エス・アイ研究所内 (56)参考文献 特開 昭61−194174（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−24346（ＪＰ，Ａ) ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Teruo Shibano 4-1-1 Mizuhara, Itami-shi, Hyogo Mitsubishi Electric Machinery Co., Ltd. LSI Research Institute (72) Inventor Tomoaki Ishida 4-1-1 Mizuhara, Itami-shi, Hyogo Address: Mitsubishi Electric Corporation, within LSI Laboratory (72) Inventor Hisakusaku Nishioka 4-1-1, Mizuhara, Itami-shi, Hyogo Mitsubishi Electric Corporation, within LSI Laboratory (56) References: JP-A-Showa 61 194174 (JP, A) JP-A-64-24346 (JP, A)
Claims (4)
プラズマを発生させ、発生したプラズマにより半導体基
板表面にエッチングや薄膜形成等の処理を行うプラズマ
反応装置において、前記プラズマ発生室の周囲に設けら
れ、その内部にカスプ磁場を形成する第１のコイル手段
と、この第１のコイル手段を挟んで設けられ、ミラー磁
場を形成する第２のコイル手段とを備え、前記カスプ磁
場と前記ミラー磁場が重ね合わされて前記プラズマ発生
室内に極小磁場が形成されることを特徴とするプラズマ
反応装置。1. A plasma reactor for generating plasma by gas discharge in a plasma generation chamber and performing processing such as etching and thin film formation on the surface of a semiconductor substrate by the generated plasma, wherein the plasma reaction apparatus is provided around the plasma generation chamber. A first coil means for forming a cusp magnetic field therein; and a second coil means provided between the first coil means for forming a mirror magnetic field, wherein the cusp magnetic field and the mirror magnetic field are superposed. A minimal magnetic field is formed in the plasma generation chamber.
生室を取り囲むようにして互いに平行に配置され、該プ
ラズマ発生室内にミラー磁場を形成する一対の環状導体
から構成され、 前記第１のコイル手段は、前記一対の環状導体間を接続
するように配置され、前記プラズマ発生室内に、前記ミ
ラー磁場と重ね合わされるカスプ磁場を形成する直線状
導体から構成されることを特徴とする請求項１記載のプ
ラズマ反応装置。2. The second coil means includes a pair of annular conductors arranged parallel to each other so as to surround the plasma generation chamber and forming a mirror magnetic field in the plasma generation chamber. The coil means is arranged so as to connect between the pair of annular conductors, and is formed of a linear conductor that forms a cusp magnetic field superimposed on the mirror magnetic field in the plasma generation chamber. 2. The plasma reactor according to 1.
生室を取り囲むようにして互いに離隔して平行に対向配
置され、ミラー磁場を形成する一対の逆コ字状の導体部
から構成され、 前記第１のコイル手段は、前記一対の導体部の対向開放
端同士を接続するように延びてカスプ磁場を形成する直
線状の導体部から構成されることを特徴とする請求項１
記載のプラズマ反応装置。3. The second coil means is composed of a pair of inverted U-shaped conductors which are arranged in parallel and spaced apart from each other so as to surround the plasma generation chamber, and form a mirror magnetic field. The first coil means comprises a linear conductor portion extending so as to connect opposed open ends of the pair of conductor portions to form a cusp magnetic field.
A plasma reactor as described.
ル手段は、環状体を二つに折り曲げて重ね合わせた形状
の一対の二重の環状導体部を、それらの中心面が互いに
直交するように前記プラズマ発生室を取り囲むように配
置することにより構成したことを特徴とする請求項１記
載のプラズマ反応装置。4. The first coil means and the second coil means form a pair of double annular conductors having a shape obtained by bending an annular body into two and superimposing them, and their central planes are orthogonal to each other. 2. The plasma reactor according to claim 1, wherein the plasma reactor is arranged so as to surround the plasma generation chamber.
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