JP2609567B2 - 電力用トランジスタの保護装置 - Google Patents
電力用トランジスタの保護装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、スピーカ駆動用等に好
適であって、業務用の電力用低周波増幅回路に用いられ
る電力用トランジスタの保護装置に関するものである。
適であって、業務用の電力用低周波増幅回路に用いられ
る電力用トランジスタの保護装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図９は、従来の電力用トランジスタの保
護装置を示すものである。図において、１は電力用低周
波増幅回路であり、Ｑ1,Ｑ2 は電力用トランジスタであ
る。電力用トランジスタＱ1 のエミッタには、直列抵抗
Ｒ1 ，Ｒ2 と抵抗Ｒ3 が接続され、直列抵抗Ｒ1 ，Ｒ2
の接続点にトランジスタＱ3 のベースが接続され、トラ
ンジスタＱ3 のコレクタが電力用トランジスタＱ1 のベ
ースに接続されている。電力用トランジスタＱ1 のベー
スに大振幅の信号が印加されると、抵抗Ｒ2 の端子間電
圧が上昇してトランジスタＱ3 は動作状態となる。電力
用トランジスタＱ 1 のベース電流の一部がトランジスタ
Ｑ3 に引き込まれるので、電力用トランジスタＱ1 は、
ベース電流が抑制されて過負荷状態から開放され熱暴走
による接合破壊から回避される。
護装置を示すものである。図において、１は電力用低周
波増幅回路であり、Ｑ1,Ｑ2 は電力用トランジスタであ
る。電力用トランジスタＱ1 のエミッタには、直列抵抗
Ｒ1 ，Ｒ2 と抵抗Ｒ3 が接続され、直列抵抗Ｒ1 ，Ｒ2
の接続点にトランジスタＱ3 のベースが接続され、トラ
ンジスタＱ3 のコレクタが電力用トランジスタＱ1 のベ
ースに接続されている。電力用トランジスタＱ1 のベー
スに大振幅の信号が印加されると、抵抗Ｒ2 の端子間電
圧が上昇してトランジスタＱ3 は動作状態となる。電力
用トランジスタＱ 1 のベース電流の一部がトランジスタ
Ｑ3 に引き込まれるので、電力用トランジスタＱ1 は、
ベース電流が抑制されて過負荷状態から開放され熱暴走
による接合破壊から回避される。
【０００３】又、電流用トランジスタＱ1 のエミッタに
は、直列接続された抵抗Ｒ4 ，Ｒ5とダイオードＤ1 が
接続され、抵抗Ｒ4 ，Ｒ5 の接続点にトランジスタＱ5
のベースが接続され、そのコレクタがリレー駆動回路３
に接続されてショート検出回路を構成している。電力用
低周波増幅回路１の出力端子と接地間が短絡したとする
と、トランジスタＱ5 がリレー駆動回路３を駆動して、
リレー接点４が開放され、電力用トランジスタＱ1 に過
電流が流れるのを防止している。更に、短絡或いは過大
入力による電力用トランジスタＱ1,Ｑ2 の異常発熱によ
る接合破壊から保護する為に、電力用トランジスタＱ1,
Ｑ2 が実装されたヒートシンク或いはケースに、サーミ
スタ２が取り付けられ、異常温度をこのサーミスタ２で
検出してリレー駆動回路３を駆動し、リレー接点４を開
放して電力用低周波増幅回路１から負荷を切り離し、電
力用トランジスタＱ1 に過電流が流れるのを防止して熱
暴走による接合破壊から保護している。
は、直列接続された抵抗Ｒ4 ，Ｒ5とダイオードＤ1 が
接続され、抵抗Ｒ4 ，Ｒ5 の接続点にトランジスタＱ5
のベースが接続され、そのコレクタがリレー駆動回路３
に接続されてショート検出回路を構成している。電力用
低周波増幅回路１の出力端子と接地間が短絡したとする
と、トランジスタＱ5 がリレー駆動回路３を駆動して、
リレー接点４が開放され、電力用トランジスタＱ1 に過
電流が流れるのを防止している。更に、短絡或いは過大
入力による電力用トランジスタＱ1,Ｑ2 の異常発熱によ
る接合破壊から保護する為に、電力用トランジスタＱ1,
Ｑ2 が実装されたヒートシンク或いはケースに、サーミ
スタ２が取り付けられ、異常温度をこのサーミスタ２で
検出してリレー駆動回路３を駆動し、リレー接点４を開
放して電力用低周波増幅回路１から負荷を切り離し、電
力用トランジスタＱ1 に過電流が流れるのを防止して熱
暴走による接合破壊から保護している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】これらの方法による電
力用トランジスタの保護回路は、最大定格ぎりぎりの出
力を得ようとして、リミッタ回路やショート検出回路等
の保護回路の回路定数を設定すると、電力用トランジス
タやヒートシンクへの熱伝導の遅延のため保護回路の動
作が遅れて、その役目を果たさないことがあり、このよ
うな場合、電力用トランジスタに過負荷が掛かり、その
最大コレクタ損失Ｐc MAX を越えて接合が熱暴走によっ
て破壊されることがある。又、保護回路は、出力段に設
けられている為に、出力の位相に対する保護回路の動作
ずれが生じて、予期しないミューティングが掛かり充分
な出力が得られない場合がある。更に、保護回路が過大
な安全係数で駆動するように回路定数を設定すれば、充
分な出力が得られないことになる。
力用トランジスタの保護回路は、最大定格ぎりぎりの出
力を得ようとして、リミッタ回路やショート検出回路等
の保護回路の回路定数を設定すると、電力用トランジス
タやヒートシンクへの熱伝導の遅延のため保護回路の動
作が遅れて、その役目を果たさないことがあり、このよ
うな場合、電力用トランジスタに過負荷が掛かり、その
最大コレクタ損失Ｐc MAX を越えて接合が熱暴走によっ
て破壊されることがある。又、保護回路は、出力段に設
けられている為に、出力の位相に対する保護回路の動作
ずれが生じて、予期しないミューティングが掛かり充分
な出力が得られない場合がある。更に、保護回路が過大
な安全係数で駆動するように回路定数を設定すれば、充
分な出力が得られないことになる。
【０００５】上記の保護回路が充分に働かず電力用トラ
ンジスタが異常発熱した場合、従来の電力用トランジス
タのミュート動作は、ヒートシンクが加熱されて始め
て、サーミスタ２が動作してミューティングが掛かる。
即ち、ミューティングが掛かるまでに遅延時間があり、
この間に電力用トランジスタＱ1,Ｑ2 が熱暴走して破壊
されることがある。更に、業務用のスピーカ駆動用の電
力用低周波増幅回路にあっては、保護回路の動作によっ
て音声が遮断されたのでは、聴取者や顧客等に対して故
障したのでは、という不安感や不快感を与えることにな
り、電力用低周波増幅回路に用いられている出力段を比
較的長い時間にわたって、完全に遮断されることなく、
過電流による電力用トランジスタの異常発熱を回避する
ことが要求される。
ンジスタが異常発熱した場合、従来の電力用トランジス
タのミュート動作は、ヒートシンクが加熱されて始め
て、サーミスタ２が動作してミューティングが掛かる。
即ち、ミューティングが掛かるまでに遅延時間があり、
この間に電力用トランジスタＱ1,Ｑ2 が熱暴走して破壊
されることがある。更に、業務用のスピーカ駆動用の電
力用低周波増幅回路にあっては、保護回路の動作によっ
て音声が遮断されたのでは、聴取者や顧客等に対して故
障したのでは、という不安感や不快感を与えることにな
り、電力用低周波増幅回路に用いられている出力段を比
較的長い時間にわたって、完全に遮断されることなく、
過電流による電力用トランジスタの異常発熱を回避する
ことが要求される。
【０００６】本発明は、上述に鑑みなされたものであっ
て、電力用トランジスタの接合温度Ｔｊをリアルタイム
で検出して過負荷状態を回避するため、電力用トランジ
スタのベース・エミッタ間電圧を常時検出して、電力用
トランジスタの熱破壊を防止する電力用トランジスタの
保護回路を提供することを目的とするものである。更
に、本発明は、業務用のスピーカ駆動用に好適な電力用
トランジスタの保護回路に関し、長時間のミュート動作
によって完全に音声出力が遮断されることのない電力用
トランジスタの保護回路を提供することを目的とするも
のである。
て、電力用トランジスタの接合温度Ｔｊをリアルタイム
で検出して過負荷状態を回避するため、電力用トランジ
スタのベース・エミッタ間電圧を常時検出して、電力用
トランジスタの熱破壊を防止する電力用トランジスタの
保護回路を提供することを目的とするものである。更
に、本発明は、業務用のスピーカ駆動用に好適な電力用
トランジスタの保護回路に関し、長時間のミュート動作
によって完全に音声出力が遮断されることのない電力用
トランジスタの保護回路を提供することを目的とするも
のである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１の電力
用トランジスタの保護装置は、電力用トランジスタのベ
ース・エミッタ間電圧を検出する第１の検出手段と、該
電力用トランジスタのベース電流から該ベース電流値に
比例して変動する該ベース電流値より小さな電流値を生
成する比例電流生成回路と、該比例電流生成回路から出
力された該小さな電流値をベース端子に入力するリファ
レンストランジスタと、該リファレンストランジスタの
ベース・エミッタ間電圧を検出する第２の検出手段と、
該第１の検出手段の出力電圧が該第２の検出手段の出力
より低いとき信号を出力する保護回路と、該保護回路か
らの出力信号により、前記電力用トランジスタの入力信
号をミュートするミュート回路とを備えたことを特徴と
している。又、本発明の請求項２の電力用トランジスタ
の保護装置は、該電力用トランジスタのベース・エミッ
タ間電圧を検出する検出手段と、該電力用トランジスタ
のベース電流から該ベース電流値に比例して変動する該
ベース電流値より小さな電流値を、該電力用トランジス
タのベース電流から生成する比例電流生成回路と、該比
例電流生成回路から出力された該小さな電流値がリファ
レンストランジスタのベース端子に供給される該リファ
レンストランジスタを含むリファレンス手段と、該検出
手段と該リファレンス手段からの出力を比較する比較手
段と、該比較手段の出力によって前記電力用トランジス
タのベース電流を遮断する手段とを備えたことを特徴と
している。
用トランジスタの保護装置は、電力用トランジスタのベ
ース・エミッタ間電圧を検出する第１の検出手段と、該
電力用トランジスタのベース電流から該ベース電流値に
比例して変動する該ベース電流値より小さな電流値を生
成する比例電流生成回路と、該比例電流生成回路から出
力された該小さな電流値をベース端子に入力するリファ
レンストランジスタと、該リファレンストランジスタの
ベース・エミッタ間電圧を検出する第２の検出手段と、
該第１の検出手段の出力電圧が該第２の検出手段の出力
より低いとき信号を出力する保護回路と、該保護回路か
らの出力信号により、前記電力用トランジスタの入力信
号をミュートするミュート回路とを備えたことを特徴と
している。又、本発明の請求項２の電力用トランジスタ
の保護装置は、該電力用トランジスタのベース・エミッ
タ間電圧を検出する検出手段と、該電力用トランジスタ
のベース電流から該ベース電流値に比例して変動する該
ベース電流値より小さな電流値を、該電力用トランジス
タのベース電流から生成する比例電流生成回路と、該比
例電流生成回路から出力された該小さな電流値がリファ
レンストランジスタのベース端子に供給される該リファ
レンストランジスタを含むリファレンス手段と、該検出
手段と該リファレンス手段からの出力を比較する比較手
段と、該比較手段の出力によって前記電力用トランジス
タのベース電流を遮断する手段とを備えたことを特徴と
している。
【０００８】
【作用】本発明の電力用トランジスタの保護回路は、電
力用トランジスタのベース電流に相似する微小のベース
電流が供給されるトランジスタのベース・エミッタ間電
圧を基準とし、電力用トランジスタのベース・エミッタ
間電圧との電位差によって、リアルタイムにその接合温
度Ｔｊを換算・検出し、出力にミュートを掛けるか、或
いはそのバイアス電圧やコレクタ電流を抑制して、電力
用トランジスタが熱暴走によって破壊されるのを防止す
るものである。
力用トランジスタのベース電流に相似する微小のベース
電流が供給されるトランジスタのベース・エミッタ間電
圧を基準とし、電力用トランジスタのベース・エミッタ
間電圧との電位差によって、リアルタイムにその接合温
度Ｔｊを換算・検出し、出力にミュートを掛けるか、或
いはそのバイアス電圧やコレクタ電流を抑制して、電力
用トランジスタが熱暴走によって破壊されるのを防止す
るものである。
【０００９】
【実施例】以下、本発明に係る電力用トランジスタの保
護回路について図面を参照して説明する。 先ず、図１の
原理図に基づいて、本発明に係る電力用トランジスタの
保護回路について説明する。同図において、Ｑ１０，Ｑ
２０は電力用トランジスタ、Ｒ１０，Ｒ２０はベース抵
抗、Ｒ１１，Ｒ２２はエミッタ抵抗、６はミュート回
路、７は電圧増幅段、８は保護回路部である。電力用ト
ランジスタＱ１０のベースと抵抗Ｒ１０との接続点及び
そのエミッタ、並びに抵抗Ｒ１０の他端がそれぞれ保護
回路部８に接続され、保護凹路部８は、ミュート回路６
と接続されている。保護回路部８は、電力用トランジス
タＱ１０のベース・エミッタ間電圧ＶＢＥ１と、入力信
号Ｓ１に基づくベース抵抗Ｒ１０に流れるベース電流Ｉ
Ｂを抵抗Ｒ１０の端子間電圧によって検出し、所定のベ
ース電流値でベース・エミッタ間電圧ＶＢＥ１が所定の
値であることを検出して、ミュート回路６にミュート信
号ＳＭを送出する。そのミュート信号ＳＭによって電力
用トランジスタＱ１０，Ｑ２０への信号経路を遮断した
り、或いはそのバイアス電圧やコレクタ電流を抑制して
いる。
護回路について図面を参照して説明する。 先ず、図１の
原理図に基づいて、本発明に係る電力用トランジスタの
保護回路について説明する。同図において、Ｑ１０，Ｑ
２０は電力用トランジスタ、Ｒ１０，Ｒ２０はベース抵
抗、Ｒ１１，Ｒ２２はエミッタ抵抗、６はミュート回
路、７は電圧増幅段、８は保護回路部である。電力用ト
ランジスタＱ１０のベースと抵抗Ｒ１０との接続点及び
そのエミッタ、並びに抵抗Ｒ１０の他端がそれぞれ保護
回路部８に接続され、保護凹路部８は、ミュート回路６
と接続されている。保護回路部８は、電力用トランジス
タＱ１０のベース・エミッタ間電圧ＶＢＥ１と、入力信
号Ｓ１に基づくベース抵抗Ｒ１０に流れるベース電流Ｉ
Ｂを抵抗Ｒ１０の端子間電圧によって検出し、所定のベ
ース電流値でベース・エミッタ間電圧ＶＢＥ１が所定の
値であることを検出して、ミュート回路６にミュート信
号ＳＭを送出する。そのミュート信号ＳＭによって電力
用トランジスタＱ１０，Ｑ２０への信号経路を遮断した
り、或いはそのバイアス電圧やコレクタ電流を抑制して
いる。
【００１０】次に、図１の動作原理について説明する。
電力用トランジスタＱ １０ のベース・エミッタ間電圧Ｖ
ＢＥ１ は、負の温度特性（−２ｍＶ／℃）を有してお
り、そのベース電流値と、その時のベース・エミッタ間
電圧Ｖ ＢＥ１ によって、電力用トランジスタＱ １０ の接
合温度Ｔｊを換算・検出し、電力用トランジスタＱ １０
の接合温度Ｔｊが高温であることを検出した場合、直ち
に入力信号にミュートを掛けることにより、電力用トラ
ンジスタＱ １０ ，Ｑ ２０ が熱暴走によって接合破壊を生
じるのを防止するものである。電力用トランジスタの接
合温度Ｔｊを換算・検出する一実施例としては、電力用
トランジスタに供給されるベース電流と相似する微小ベ
ース電流を小形のトランジスタに供給して、電力用トラ
ンジスタのベース・エミッタ間電圧Ｖ ＢＥ１ と小形のト
ランジスタのベース・エミッタ間電圧Ｖ ＢＥ とを比較す
ることにより、電力用トランジスタの熱暴走による接合
破壊を事前に検出するものである。すなわち、これらト
ランジスタのベース・エミッタ間電圧Ｖ ＢＥ に差が発生
すればトランジスタが熱暴走に至る前兆を検出すること
ができる。この検出信号をミューティング信号として電
力用トランジスタにミュートを掛けることにより、トラ
ンジスタの接合破壊を防止する。
電力用トランジスタＱ １０ のベース・エミッタ間電圧Ｖ
ＢＥ１ は、負の温度特性（−２ｍＶ／℃）を有してお
り、そのベース電流値と、その時のベース・エミッタ間
電圧Ｖ ＢＥ１ によって、電力用トランジスタＱ １０ の接
合温度Ｔｊを換算・検出し、電力用トランジスタＱ １０
の接合温度Ｔｊが高温であることを検出した場合、直ち
に入力信号にミュートを掛けることにより、電力用トラ
ンジスタＱ １０ ，Ｑ ２０ が熱暴走によって接合破壊を生
じるのを防止するものである。電力用トランジスタの接
合温度Ｔｊを換算・検出する一実施例としては、電力用
トランジスタに供給されるベース電流と相似する微小ベ
ース電流を小形のトランジスタに供給して、電力用トラ
ンジスタのベース・エミッタ間電圧Ｖ ＢＥ１ と小形のト
ランジスタのベース・エミッタ間電圧Ｖ ＢＥ とを比較す
ることにより、電力用トランジスタの熱暴走による接合
破壊を事前に検出するものである。すなわち、これらト
ランジスタのベース・エミッタ間電圧Ｖ ＢＥ に差が発生
すればトランジスタが熱暴走に至る前兆を検出すること
ができる。この検出信号をミューティング信号として電
力用トランジスタにミュートを掛けることにより、トラ
ンジスタの接合破壊を防止する。
【００１１】続いて、図２に基づいて、本発明に係る電
力用トランジスタの保護回路の一の実施例について説明
する。図に於いて、Ｑ１０は電力用トランジスタ、Ｒ
１０はベース抵抗、Ｒ１１はエミッタ抵抗、１０は抵抗
Ｒ１０の端子間電圧によってベース電流ＩＢを検出する
ＩＢ検出回路、１１はＩＢ検出回路１０の出力電圧を電
流に変換する電圧電流変換回路、１２は電力用トランジ
スタＱ１０のベース・エミッタ間電圧ＶＢＥ１を検出す
るＶＢＥ検出回路、１３は電力用トランジスタＱ１０の
接合温度を検出する為の基準となるリファレンス回路、
１４はリファレンス回路１３に備えられたトランジスタ
Ｑ１１のベース・エミッタ間電圧ＶＢＥ２を検出するリ
ファレンスＶＢＥ検出回路、１５は温度補償回路１９に
よって温度補償されたＶＢＥ検出回路１２とリファレン
スＶＢＥ検出回路１４からの出力電圧の電位差を検出す
る差動増幅回路、１６は差動増幅回路１５の出力から誤
差電圧の脈動を除去するためと電力用トランジスタがＢ
級動作の場合のカットオフ時の温度データを保持するた
めの整流平滑回路、１７はミューティング信号を発生す
るミューティング信号発生回路、１８は出力を遮断する
ミュート回路、１９はリファレンストランジスタＱ１１
の接合部温度に比例した電圧を発生させて、保護回路網
自体の周囲温度による影響を補償する温度補償回路であ
る。
力用トランジスタの保護回路の一の実施例について説明
する。図に於いて、Ｑ１０は電力用トランジスタ、Ｒ
１０はベース抵抗、Ｒ１１はエミッタ抵抗、１０は抵抗
Ｒ１０の端子間電圧によってベース電流ＩＢを検出する
ＩＢ検出回路、１１はＩＢ検出回路１０の出力電圧を電
流に変換する電圧電流変換回路、１２は電力用トランジ
スタＱ１０のベース・エミッタ間電圧ＶＢＥ１を検出す
るＶＢＥ検出回路、１３は電力用トランジスタＱ１０の
接合温度を検出する為の基準となるリファレンス回路、
１４はリファレンス回路１３に備えられたトランジスタ
Ｑ１１のベース・エミッタ間電圧ＶＢＥ２を検出するリ
ファレンスＶＢＥ検出回路、１５は温度補償回路１９に
よって温度補償されたＶＢＥ検出回路１２とリファレン
スＶＢＥ検出回路１４からの出力電圧の電位差を検出す
る差動増幅回路、１６は差動増幅回路１５の出力から誤
差電圧の脈動を除去するためと電力用トランジスタがＢ
級動作の場合のカットオフ時の温度データを保持するた
めの整流平滑回路、１７はミューティング信号を発生す
るミューティング信号発生回路、１８は出力を遮断する
ミュート回路、１９はリファレンストランジスタＱ１１
の接合部温度に比例した電圧を発生させて、保護回路網
自体の周囲温度による影響を補償する温度補償回路であ
る。
【００１２】次に、図２に基づいてその動作について説
明する。電力用トランジスタＱ１０のベース電流Ｉ
Ｂは、そのベース抵抗Ｒ１０の端子間電圧を差動増幅回
路等からなるＩＢ検出凹路１０で検出し、電力用トラン
ジスタＱ１０のベース・エミッタ間電圧ＶＢＥ１は、差
動増幅回路等からなるＶＢＥ検出回路１２で検出する。
ＩＢ検出同路１０により検出されたベース抵抗Ｒ１０の
端子間電圧は、電圧電流変換回路１１に供給され、電力
用トランジスタＱ１０のベース電流ＩＢの１／Ｘ倍の電
流値に変換される。ベース電流Ｉ Ｂ の１／Ｘ倍の電流が
抵抗Ｒｂを介してリファレンストランジスタＱ１１のベ
ースに供給される。抵抗Ｒｂは、電力用トランジスタＱ
１０の内部ベース抵抗と等価なものとするために設けら
れている。このトランジスタＱ１１のベース・エミッタ
間電圧ＶＢＥ２は、リファレンスＶＢＥ検出回路１４に
よって検出する。ＶＢＥ検出回路１２とリファレンスＶ
ＢＥ検出回路１４からの出力電圧は、それぞれ差動増幅
回路１５に供給される。差動増幅回路１５からは、温度
補償回路１９によってリファレンス回路１３の周囲温度
による変化が補正された誤差電圧が出力され、この誤差
電圧が整流平滑回路１６に供給される。整流平滑回路１
６の出力電圧は、比較器等からなるミューティング信号
発生回路１７に供給される。ミューティング信号発生回
路１７によって誤差電圧が所定のレベルに達したことを
検出して、ミューティング信号ＳＭを送出し、ミュート
回路１８を駆動させて、電力用低周波増幅回路等の出力
段にミューティングを掛けるものである。このように制
御することにより、過電流がベース抵抗Ｒ１０を介して
電力用トランジスタＱ１０に供給されたとしても、その
最大コレクタ損失ＰＣを越えて破壊されるのを防止する
ものである。
明する。電力用トランジスタＱ１０のベース電流Ｉ
Ｂは、そのベース抵抗Ｒ１０の端子間電圧を差動増幅回
路等からなるＩＢ検出凹路１０で検出し、電力用トラン
ジスタＱ１０のベース・エミッタ間電圧ＶＢＥ１は、差
動増幅回路等からなるＶＢＥ検出回路１２で検出する。
ＩＢ検出同路１０により検出されたベース抵抗Ｒ１０の
端子間電圧は、電圧電流変換回路１１に供給され、電力
用トランジスタＱ１０のベース電流ＩＢの１／Ｘ倍の電
流値に変換される。ベース電流Ｉ Ｂ の１／Ｘ倍の電流が
抵抗Ｒｂを介してリファレンストランジスタＱ１１のベ
ースに供給される。抵抗Ｒｂは、電力用トランジスタＱ
１０の内部ベース抵抗と等価なものとするために設けら
れている。このトランジスタＱ１１のベース・エミッタ
間電圧ＶＢＥ２は、リファレンスＶＢＥ検出回路１４に
よって検出する。ＶＢＥ検出回路１２とリファレンスＶ
ＢＥ検出回路１４からの出力電圧は、それぞれ差動増幅
回路１５に供給される。差動増幅回路１５からは、温度
補償回路１９によってリファレンス回路１３の周囲温度
による変化が補正された誤差電圧が出力され、この誤差
電圧が整流平滑回路１６に供給される。整流平滑回路１
６の出力電圧は、比較器等からなるミューティング信号
発生回路１７に供給される。ミューティング信号発生回
路１７によって誤差電圧が所定のレベルに達したことを
検出して、ミューティング信号ＳＭを送出し、ミュート
回路１８を駆動させて、電力用低周波増幅回路等の出力
段にミューティングを掛けるものである。このように制
御することにより、過電流がベース抵抗Ｒ１０を介して
電力用トランジスタＱ１０に供給されたとしても、その
最大コレクタ損失ＰＣを越えて破壊されるのを防止する
ものである。
【００１３】更に、図３に基づいてその動作を説明す
る。図３は、電力用トランジスタＱ10とリファレンスト
ランジスタＱ11のベース・エミッタ接合の電圧−電流特
性（以下、Ｖ−Ｉ特性と称する。）を示すものである。
（イ）は、リファレンストランジスタＱ11のベース・エ
ミッタ接合のＶ−Ｉ特性ｄ1 にベース抵抗Ｒb のＶ−Ｉ
特性ｒ1 が加算されたＶ−Ｉ特性である。（ロ）は、接
合部の温度が上昇している状態を示した電力用トランジ
スタＱ10のベース・エミッタ接合のＶ−Ｉ特性ｄ 2 とそ
のトランジスタ内部のベース抵抗ｒ2 が加算されたＶ−
Ｉ特性である。リファレンス側は、ベース電流ＩB が小
さく設定されており、ベース抵抗の影響が表れ難いため
に、小さなベース電流ＩB であっても電力用トランジス
タＱ10のＶ−Ｉ特性を相似するように、ベース抵抗Ｒb
が付加されている。又、トランジスタＱ11のベース電流
は、電力用トランジスタＱ10に供給されるベース電流Ｉ
B より、微小電流であって、電力用トランジスタＱ10に
大電流が供給されてもトランジスタＱ11が発熱しない電
流値ＩB ／Ｘに設定されている。
る。図３は、電力用トランジスタＱ10とリファレンスト
ランジスタＱ11のベース・エミッタ接合の電圧−電流特
性（以下、Ｖ−Ｉ特性と称する。）を示すものである。
（イ）は、リファレンストランジスタＱ11のベース・エ
ミッタ接合のＶ−Ｉ特性ｄ1 にベース抵抗Ｒb のＶ−Ｉ
特性ｒ1 が加算されたＶ−Ｉ特性である。（ロ）は、接
合部の温度が上昇している状態を示した電力用トランジ
スタＱ10のベース・エミッタ接合のＶ−Ｉ特性ｄ 2 とそ
のトランジスタ内部のベース抵抗ｒ2 が加算されたＶ−
Ｉ特性である。リファレンス側は、ベース電流ＩB が小
さく設定されており、ベース抵抗の影響が表れ難いため
に、小さなベース電流ＩB であっても電力用トランジス
タＱ10のＶ−Ｉ特性を相似するように、ベース抵抗Ｒb
が付加されている。又、トランジスタＱ11のベース電流
は、電力用トランジスタＱ10に供給されるベース電流Ｉ
B より、微小電流であって、電力用トランジスタＱ10に
大電流が供給されてもトランジスタＱ11が発熱しない電
流値ＩB ／Ｘに設定されている。
【００１４】電力用トランジスタＱ10は、そのベース・
エミッタ間電圧ＶBE1 が負の温度特性を有するので、大
電流が供給されると、ベース・エミッタ接合が発熱して
ベース・エミッタ間電圧ＶBE1 の電位は低下する。一
方、トランジスタＱ11のベース・エミッタ間電圧は、電
力用トランジスタＱ10に大振幅の信号が入力されたとし
ても、上述のとおり微小電流が供給されるように設定さ
れているので、そのベース・エミッタ間電圧の電位は、
その接合温度の変化が少なく略一定である。信号電流が
電力用トランジスタＱ10のベースにベースＩB1が供給さ
れ、これらのベース・エミッタ間電圧がそれぞれＶBE検
出回路１２とリファレンスＶBE検出回路１４によって検
出される。トランジスタＱ11のベース・エミッタ間電圧
がＶ1 であり、電力用トランジスタＱ10のベース・エミ
ッタ間電圧がＶ2 である時、温度補償回路１９によって
周辺温度の影響が補正されているので、その電位差（Ｖ
1 −Ｖ2 ）が差動増幅回路１５によって検出される。
又、電力用トランジスタＱ10の接合温度を検出してミュ
ーティングを掛けていると共に、電力用トランジスタＱ
10とリファレンス回路のトランジスタＱ11とベース抵抗
Ｒb のＶ−Ｉ特性（イ）（ロ）が相似するように設定さ
れており、電力用トランジスタＱ10の動作点がどの位置
であったとしても、直ちに出力段にミュートを掛かるこ
とができる。
エミッタ間電圧ＶBE1 が負の温度特性を有するので、大
電流が供給されると、ベース・エミッタ接合が発熱して
ベース・エミッタ間電圧ＶBE1 の電位は低下する。一
方、トランジスタＱ11のベース・エミッタ間電圧は、電
力用トランジスタＱ10に大振幅の信号が入力されたとし
ても、上述のとおり微小電流が供給されるように設定さ
れているので、そのベース・エミッタ間電圧の電位は、
その接合温度の変化が少なく略一定である。信号電流が
電力用トランジスタＱ10のベースにベースＩB1が供給さ
れ、これらのベース・エミッタ間電圧がそれぞれＶBE検
出回路１２とリファレンスＶBE検出回路１４によって検
出される。トランジスタＱ11のベース・エミッタ間電圧
がＶ1 であり、電力用トランジスタＱ10のベース・エミ
ッタ間電圧がＶ2 である時、温度補償回路１９によって
周辺温度の影響が補正されているので、その電位差（Ｖ
1 −Ｖ2 ）が差動増幅回路１５によって検出される。
又、電力用トランジスタＱ10の接合温度を検出してミュ
ーティングを掛けていると共に、電力用トランジスタＱ
10とリファレンス回路のトランジスタＱ11とベース抵抗
Ｒb のＶ−Ｉ特性（イ）（ロ）が相似するように設定さ
れており、電力用トランジスタＱ10の動作点がどの位置
であったとしても、直ちに出力段にミュートを掛かるこ
とができる。
【００１５】図４及び図５は、ミュート回路が作動した
ときの出力波形を示している。図４(b) は、図４(a) よ
りも電力用トランジスタＱ10の接合温度が高い場合の出
力波形を示しており、図４(b) の方がミューティングが
掛かる時間ｔm が長くなるように制御され、接合温度の
上昇が抑制されている。又、図５は、電力用トランジス
タＱ10のバイアス電圧がミューティング信号に基づいて
抑制され、電力用トランジスタＱ10の出力振幅電圧がＶ
D を越えないように制限されている。このようにミュー
ティングを掛けることによって出力が完全に遮断される
ことがない。無論、使用環境が異常な高温状態である場
合は、完全に遮断される。この場合、バイアス電圧を抑
制する後者の場合は、可聴感の強い部分で歪感が強い
が、前者の場合は、歪感が少ない。
ときの出力波形を示している。図４(b) は、図４(a) よ
りも電力用トランジスタＱ10の接合温度が高い場合の出
力波形を示しており、図４(b) の方がミューティングが
掛かる時間ｔm が長くなるように制御され、接合温度の
上昇が抑制されている。又、図５は、電力用トランジス
タＱ10のバイアス電圧がミューティング信号に基づいて
抑制され、電力用トランジスタＱ10の出力振幅電圧がＶ
D を越えないように制限されている。このようにミュー
ティングを掛けることによって出力が完全に遮断される
ことがない。無論、使用環境が異常な高温状態である場
合は、完全に遮断される。この場合、バイアス電圧を抑
制する後者の場合は、可聴感の強い部分で歪感が強い
が、前者の場合は、歪感が少ない。
【００１６】次に、本発明に係る電力用トランジスタの
保護回路についてより具体的な実施例に基づいて説明す
る。図６に於いて、電力用トランジスタＱ10のベースに
ベース抵抗Ｒ10、エミッタにエミッタ抵抗Ｒ11がそれぞ
れ接続されている。ベース抵抗Ｒ10の一端は、増幅回路
Ａ1 の非反転入力端子に接続され、電力用トランジスタ
Ｑ10のベースは増幅回路Ａ2 の非反転入力端子に接続さ
れている。電力用トランジスタＱ10のエミッタは、抵抗
Ｒ12を介して増幅回路Ａ2 の反転入力端子に接続され、
その出力端子が抵抗Ｒ13を介して増幅回路Ａ1 の反転入
力端子に接続されている。増幅回路Ａ 1 ，Ａ2 は、それ
ぞれＩB 検出回路１０とＶBE検出回路１２を形成してい
る。
保護回路についてより具体的な実施例に基づいて説明す
る。図６に於いて、電力用トランジスタＱ10のベースに
ベース抵抗Ｒ10、エミッタにエミッタ抵抗Ｒ11がそれぞ
れ接続されている。ベース抵抗Ｒ10の一端は、増幅回路
Ａ1 の非反転入力端子に接続され、電力用トランジスタ
Ｑ10のベースは増幅回路Ａ2 の非反転入力端子に接続さ
れている。電力用トランジスタＱ10のエミッタは、抵抗
Ｒ12を介して増幅回路Ａ2 の反転入力端子に接続され、
その出力端子が抵抗Ｒ13を介して増幅回路Ａ1 の反転入
力端子に接続されている。増幅回路Ａ 1 ，Ａ2 は、それ
ぞれＩB 検出回路１０とＶBE検出回路１２を形成してい
る。
【００１７】増幅回路Ａ1 の出力端子は、抵抗Ｒ14を介
して電圧電流変換回路１１に接続されている。電圧電流
変換回路１１は、増幅回路Ａ3 とその反転入力端子と出
力端子間にコンデンサＣ1 が接続され、増幅回路Ａ3 の
出力端子に抵抗Ｒ15が接続され、その他端が抵抗Ｒ16に
接続されると共に、増幅回路Ａ4 の非反転入力端子に接
続されている。増幅回路Ａ4 の出力端子は、抵抗Ｒ17を
介して増幅回路Ａ3 の反転入力端子に接続されており、
ベース電流ＩB の１／Ｘ倍の電流が抵抗Ｒ16からリファ
レンス回路１３に供給されるように接続されている。
して電圧電流変換回路１１に接続されている。電圧電流
変換回路１１は、増幅回路Ａ3 とその反転入力端子と出
力端子間にコンデンサＣ1 が接続され、増幅回路Ａ3 の
出力端子に抵抗Ｒ15が接続され、その他端が抵抗Ｒ16に
接続されると共に、増幅回路Ａ4 の非反転入力端子に接
続されている。増幅回路Ａ4 の出力端子は、抵抗Ｒ17を
介して増幅回路Ａ3 の反転入力端子に接続されており、
ベース電流ＩB の１／Ｘ倍の電流が抵抗Ｒ16からリファ
レンス回路１３に供給されるように接続されている。
【００１８】増幅回路Ａ5 は、リファレンスＶBE検出回
路１４を構成しており、その非反転入力端子が抵抗Ｒ16
とベース抵抗Ｒb との接続点に接続され、その反転入力
端子が抵抗Ｒ19を介してリファレンストランジスタＱ11
のエミッタに接続され、その出力端子は、抵抗Ｒ18を介
して増幅回路Ａ4 の反転入力端子に接続されると共に、
抵抗Ｒ20に接続されている。更に、リファレンストラン
ジスタＱ11のエミッタは、電力用トランジスタＱ10のエ
ミッタに接続されている。増幅回路Ａ5 の出力端子は、
抵抗Ｒ20を介して差動増幅回路Ａ6 の反転入力端子に接
続され、増幅回路Ａ2 の出力端子は、抵抗Ｒ21を介して
増幅回路Ａ6 の非反転入力端子に接続されている。又、
差動増幅回路Ａ6 の非反転入力端子には、抵抗Ｒ22が接
続され、その他端に正の温度特性を有する温度補償回路
１９が接続されている。差動増幅回路Ａ6 の出力端子
は、整流平滑回路１６に接続され、その出力端子がミュ
ーティング信号発生回路１７に接続されている。
路１４を構成しており、その非反転入力端子が抵抗Ｒ16
とベース抵抗Ｒb との接続点に接続され、その反転入力
端子が抵抗Ｒ19を介してリファレンストランジスタＱ11
のエミッタに接続され、その出力端子は、抵抗Ｒ18を介
して増幅回路Ａ4 の反転入力端子に接続されると共に、
抵抗Ｒ20に接続されている。更に、リファレンストラン
ジスタＱ11のエミッタは、電力用トランジスタＱ10のエ
ミッタに接続されている。増幅回路Ａ5 の出力端子は、
抵抗Ｒ20を介して差動増幅回路Ａ6 の反転入力端子に接
続され、増幅回路Ａ2 の出力端子は、抵抗Ｒ21を介して
増幅回路Ａ6 の非反転入力端子に接続されている。又、
差動増幅回路Ａ6 の非反転入力端子には、抵抗Ｒ22が接
続され、その他端に正の温度特性を有する温度補償回路
１９が接続されている。差動増幅回路Ａ6 の出力端子
は、整流平滑回路１６に接続され、その出力端子がミュ
ーティング信号発生回路１７に接続されている。
【００１９】差動増幅回路Ａ6 から得られる誤差電圧
は、電力用トランジスタＱ10とリファレンストランジス
タＱ11とのエミッタ・ベース電圧ＶBEの電位差を示すも
ので、これはトランジスタの接合温度の差ΔＴｊに相当
する。この接合温度の差ΔＴｊは、電力用トランジスタ
Ｑ10のベース・エミッタ接合温度Ｔｊに該当すことにな
る。整流平滑回路１６の直流出力は、ミューティング信
号発生回路１７に供給され、所定のレベル以上であれ
ば、ミューティング信号ＳM をミュート回路１８に供給
して出力を遮断する。或いは、ミューティング信号によ
り電力用トランジスタＱ10のバイアス電圧を抑制して過
負荷状態を回避してもよいことは明らかである。
は、電力用トランジスタＱ10とリファレンストランジス
タＱ11とのエミッタ・ベース電圧ＶBEの電位差を示すも
ので、これはトランジスタの接合温度の差ΔＴｊに相当
する。この接合温度の差ΔＴｊは、電力用トランジスタ
Ｑ10のベース・エミッタ接合温度Ｔｊに該当すことにな
る。整流平滑回路１６の直流出力は、ミューティング信
号発生回路１７に供給され、所定のレベル以上であれ
ば、ミューティング信号ＳM をミュート回路１８に供給
して出力を遮断する。或いは、ミューティング信号によ
り電力用トランジスタＱ10のバイアス電圧を抑制して過
負荷状態を回避してもよいことは明らかである。
【００２０】図７は、本発明に係る電力用トランジスタ
の保護回路に関する他の実施例を示すものであり、図６
の実施例と異なる回路部について説明する。温度補償回
路１９は、リファレンストランジスタＱ11と近接して設
けられたトランジスタＱ12とそのコレクタ・ベース及び
ベース・エミッタにそれぞれ接続された抵抗と、コレク
タに接続された抵抗Ｒ23から構成され、正の温度特性を
有する。抵抗Ｒ23とトランジスタＱ12のコレクタとの接
続点は、抵抗Ｒ25を介して差動増幅回路Ａ6 の非反転入
力端子に接続され、リファレンス回路１３の温度補償が
なされている。差動増幅回路Ａ6 の出力端子は、抵抗Ｒ
27を介して自己帰還型の差動増幅器Ａ7 の非反転入力端
子に接続され、その非反転入力端子には、抵抗Ｒ28が接
続され、その他端が電圧源ＶB と−ＶB 間に接続された
可変抵抗Ｒ29のタップに接続されている。差動増幅回路
Ａ7 の出力端子にダイオードＤ1 のアノードが接続さ
れ、そのカソードが抵抗Ｒ30に接続され、その他端がコ
ンデンサＣ 3 の一端に接続されて、ミューティング信号
ＳM を発生する比較回路２１に接続されている。コンデ
ンサＣ3 の他端と温度補償回路１９が負の電圧源（−Ｖ
R ）に接続されている。入力信号Ｓ1 は、コンデンサＣ
2 を介して全波整流回路２０に供給され、その出力が比
較器２１の他端に供給されている。
の保護回路に関する他の実施例を示すものであり、図６
の実施例と異なる回路部について説明する。温度補償回
路１９は、リファレンストランジスタＱ11と近接して設
けられたトランジスタＱ12とそのコレクタ・ベース及び
ベース・エミッタにそれぞれ接続された抵抗と、コレク
タに接続された抵抗Ｒ23から構成され、正の温度特性を
有する。抵抗Ｒ23とトランジスタＱ12のコレクタとの接
続点は、抵抗Ｒ25を介して差動増幅回路Ａ6 の非反転入
力端子に接続され、リファレンス回路１３の温度補償が
なされている。差動増幅回路Ａ6 の出力端子は、抵抗Ｒ
27を介して自己帰還型の差動増幅器Ａ7 の非反転入力端
子に接続され、その非反転入力端子には、抵抗Ｒ28が接
続され、その他端が電圧源ＶB と−ＶB 間に接続された
可変抵抗Ｒ29のタップに接続されている。差動増幅回路
Ａ7 の出力端子にダイオードＤ1 のアノードが接続さ
れ、そのカソードが抵抗Ｒ30に接続され、その他端がコ
ンデンサＣ 3 の一端に接続されて、ミューティング信号
ＳM を発生する比較回路２１に接続されている。コンデ
ンサＣ3 の他端と温度補償回路１９が負の電圧源（−Ｖ
R ）に接続されている。入力信号Ｓ1 は、コンデンサＣ
2 を介して全波整流回路２０に供給され、その出力が比
較器２１の他端に供給されている。
【００２１】次に、図８に基づきそのミュート動作につ
いて説明する。図８(a) は、入力信号Ｓ1 の波形であ
り、全波整流回路２０によって整流された波形が図８
(b) に示されている。全波整流回路２０の出力は、比較
回路２１の一方の入力端子に供給され、その他方の入力
端子には、整流平滑回路１６を介して電力用トランジス
タＱ10の接合温度Ｔｊに応じた直流電圧が供給される。
通常の動作状態では、その直流レベルは、図８(a) のａ
1 に示すように零電位より高い位置に存在し、電力用ト
ランジスタＱ10の接合温度が上昇すると、徐々に低下し
て零電位より低下して直流レベルａ2 となり、更に、温
度が上昇すると、その直流レベルは、直流レベルａ3 に
低下する。整流平滑回路２０の直流レベルがａ 3 である
とすると、図８(d) に示すような波形のミューティング
信号が比較回路２１から発生する。そのときの出力波形
は、図８(e) に示されるような波形となる。このよう
に、出力信号のピーク波形を保持して、小信号部分にミ
ュートを掛けるのは、可聴的に認識感度の大きい部分を
出力してミュート動作による遮断による違和感を可能な
限り、低減するものである。
いて説明する。図８(a) は、入力信号Ｓ1 の波形であ
り、全波整流回路２０によって整流された波形が図８
(b) に示されている。全波整流回路２０の出力は、比較
回路２１の一方の入力端子に供給され、その他方の入力
端子には、整流平滑回路１６を介して電力用トランジス
タＱ10の接合温度Ｔｊに応じた直流電圧が供給される。
通常の動作状態では、その直流レベルは、図８(a) のａ
1 に示すように零電位より高い位置に存在し、電力用ト
ランジスタＱ10の接合温度が上昇すると、徐々に低下し
て零電位より低下して直流レベルａ2 となり、更に、温
度が上昇すると、その直流レベルは、直流レベルａ3 に
低下する。整流平滑回路２０の直流レベルがａ 3 である
とすると、図８(d) に示すような波形のミューティング
信号が比較回路２１から発生する。そのときの出力波形
は、図８(e) に示されるような波形となる。このよう
に、出力信号のピーク波形を保持して、小信号部分にミ
ュートを掛けるのは、可聴的に認識感度の大きい部分を
出力してミュート動作による遮断による違和感を可能な
限り、低減するものである。
【００２２】尚、本発明の電力用トランジスタの保護回
路は、実施例に限定されることなく、その検出段はデジ
タル信号処理回路によって構成できることは明らかであ
る。更に、当該温度補償回路は、種々の公知分野におい
て、リアルタイムで補正が可能であるので広く応用され
得る。又、本発明の電力用トランジスタは、音響用の電
力用増幅回路に限定するものではなく、制御用トランジ
スタ等の種々の電力用トランジスタの保護回路としても
利用できることは言うまでもない。
路は、実施例に限定されることなく、その検出段はデジ
タル信号処理回路によって構成できることは明らかであ
る。更に、当該温度補償回路は、種々の公知分野におい
て、リアルタイムで補正が可能であるので広く応用され
得る。又、本発明の電力用トランジスタは、音響用の電
力用増幅回路に限定するものではなく、制御用トランジ
スタ等の種々の電力用トランジスタの保護回路としても
利用できることは言うまでもない。
【００２３】
【発明の効果】上述の如く、本発明の電力用トランジス
タの保護回路は、電力用トランジスタのベース・エミッ
タ間電圧によって該トランジスタの温度上昇を検出して
いるために、略リアルタイムに作動させることができ、
出力段の電力用トランジスタを熱暴走による破壊から保
護することができる。更に、電力用トランジスタと相似
するＶ−Ｉ特性を有するリファレンス回路を備え、電力
用トランジスタとリファレンス回路のトランジスタのベ
ース・エミッタ間電圧を比較して、電力用トランジスタ
の接合温度Ｔｊを検出することによって、一層精度よ
く、ミューティングを掛けることができ、ミュート動作
が直ちに行われることによって、電力用トランジスタが
熱暴走によって破壊されるのを防止することができるも
ので、極めて効果的なものである。
タの保護回路は、電力用トランジスタのベース・エミッ
タ間電圧によって該トランジスタの温度上昇を検出して
いるために、略リアルタイムに作動させることができ、
出力段の電力用トランジスタを熱暴走による破壊から保
護することができる。更に、電力用トランジスタと相似
するＶ−Ｉ特性を有するリファレンス回路を備え、電力
用トランジスタとリファレンス回路のトランジスタのベ
ース・エミッタ間電圧を比較して、電力用トランジスタ
の接合温度Ｔｊを検出することによって、一層精度よ
く、ミューティングを掛けることができ、ミュート動作
が直ちに行われることによって、電力用トランジスタが
熱暴走によって破壊されるのを防止することができるも
ので、極めて効果的なものである。
【００２４】又、本発明の電力用トランジスタの保護回
路は、そのミュート作動が、長時間行われるものではな
く間欠的に行われて接合の発熱を抑えるので、音声出力
が完全に遮断されることがなく、電力用トランジスタの
コレクタ電流を制限することによって発熱を抑制するも
ので、聴取者や顧客等に対して不安感や不快感を与える
ことがなく、業務用のスピーカ駆動用の電力用低周波増
幅回路として極めて好適な電力用トランジスタの保護回
路を提供することができるものである。
路は、そのミュート作動が、長時間行われるものではな
く間欠的に行われて接合の発熱を抑えるので、音声出力
が完全に遮断されることがなく、電力用トランジスタの
コレクタ電流を制限することによって発熱を抑制するも
ので、聴取者や顧客等に対して不安感や不快感を与える
ことがなく、業務用のスピーカ駆動用の電力用低周波増
幅回路として極めて好適な電力用トランジスタの保護回
路を提供することができるものである。
【図１】本発明に係る電力用トランジスタの保護回路の
原理図である。
原理図である。
【図２】本発明に係る電力用トランジスタの保護回路の
一の実施例を示すブロック図である。
一の実施例を示すブロック図である。
【図３】本発明に係る電力用トランジスタの保護回路の
動作原理を説明する為の電圧−電流特性を示す図であ
る。
動作原理を説明する為の電圧−電流特性を示す図であ
る。
【図４】（ａ）（ｂ）は、ミューティングが掛かった状
態の出力波形を示す図である。
態の出力波形を示す図である。
【図５】ミューティングが掛かった状態の出力波形を示
す図である。
す図である。
【図６】本発明に係る電力用トランジスタの保護回路の
他の実施例を示すブロック図である。
他の実施例を示すブロック図である。
【図７】本発明に係る電力用トランジスタの保護回路の
他の実施例を示すブロック図である。
他の実施例を示すブロック図である。
【図８】図７の実施例の動作を説明するための図であ
る。
る。
【図９】従来の電力用トランジスタの保護回路の一例を
示す回路図である。
示す回路図である。
６ ミュート回路 ７ 電圧増幅段 ８ 保護回路部 １０ ＩＢ検出回路 １１ 電圧電流変換回路 １２ ＶＢＥ検出回路 １３ リファレンス回路 １４ リファレンスＶＢＥ検出回路 １５ 差増幅回路 １６ 整流平滑回路 １７ ミューティング信号発生回路 １８ ミュート回路 １９ 温度補償回路 ２０ 全波整流回路 ２１ 比較回路 Ａ１〜Ａ５ 増幅回路 Ａ６ 差増幅回路 Ｑ１０電力用トランジスタ Ｑ１１ リファレンストランジスタ Ｒ１０，Ｒ２０，Ｒｂ ベース抵抗 Ｒ１１，Ｒ２２ エミッタ抵抗
Claims (2)
- 【請求項１】 電力用トランジスタのベース・エミッタ
間電圧を検出する第１の検出手段と、該電力用トランジ
スタのベース電流から該ベース電流値に比例して変動す
る該ベース電流値より小さな電流値を生成する比例電流
生成回路と、該比例電流生成回路から出力された該小さ
な電流値をベース端子に入力するリファレンストランジ
スタと、該リファレンストランジスタのベース・エミッ
タ間電圧を検出する第２の検出手段と、該第１の検出手
段の出力電圧が該第２の検出手段の出力より低いとき信
号を出力する保護回路と、該保護回路からの出力信号に
より、前記電力用トランジスタの入力信号をミュートす
るミュート回路とを備えたことを特徴とする電力用トラ
ンジスタの保護装置。 - 【請求項２】 電力用トランジスタの保護装置に於い
て、該電力用トランジスタのベース・エミッタ間電圧を
検出する検出手段と、該電力用トランジスタのベース電
流から該ベース電流値に比例して変動する該ベース電流
値より小さな電流値を、該電力用トランジスタのベース
電流から生成する比例電流生成回路と、該比例電流生成
回路から出力された該小さな電流値がリファレンストラ
ンジスタのベース端子に供給される該リファレンストラ
ンジスタを含むリファレンス手段と、該検出手段と該リ
ファレンス手段からの出力を比較する比較手段と、該比
較手段の出力によって前記電力用トランジスタのベース
電流を遮断する手段とを備えたことを特徴とする電力用
トランジスタの保護装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4126185A JP2609567B2 (ja) | 1992-05-19 | 1992-05-19 | 電力用トランジスタの保護装置 |
| US07/905,873 US5383083A (en) | 1992-05-19 | 1992-06-29 | Protective apparatus for power transistor |
| EP92111085A EP0570617B1 (en) | 1992-05-19 | 1992-06-30 | Protective apparatus for power transistor |
| DE69210224T DE69210224T2 (de) | 1992-05-19 | 1992-06-30 | Schutzschaltung für Leistungstransistor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4126185A JP2609567B2 (ja) | 1992-05-19 | 1992-05-19 | 電力用トランジスタの保護装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05327363A JPH05327363A (ja) | 1993-12-10 |
| JP2609567B2 true JP2609567B2 (ja) | 1997-05-14 |
Family
ID=14928800
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4126185A Expired - Fee Related JP2609567B2 (ja) | 1992-05-19 | 1992-05-19 | 電力用トランジスタの保護装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2609567B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109417837B (zh) | 2016-12-30 | 2022-06-07 | 惠而浦公司 | 固态射频发生系统和电磁烹饪装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5333491U (ja) * | 1976-08-30 | 1978-03-23 | ||
| JPS5929375U (ja) * | 1982-08-19 | 1984-02-23 | マツダ株式会社 | 自動車のスペアタイヤ保持装置 |
| JPS6272211A (ja) * | 1985-09-25 | 1987-04-02 | Fujitsu Ltd | トランジスタ増幅器 |
| JPS62107505A (ja) * | 1985-11-05 | 1987-05-18 | Mitsubishi Electric Corp | 過大入力保護ｆｅｔ増幅回路 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6422102A (en) * | 1987-07-17 | 1989-01-25 | Mitsubishi Electric Corp | Fet amplifier |
-
1992
- 1992-05-19 JP JP4126185A patent/JP2609567B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5333491U (ja) * | 1976-08-30 | 1978-03-23 | ||
| JPS5929375U (ja) * | 1982-08-19 | 1984-02-23 | マツダ株式会社 | 自動車のスペアタイヤ保持装置 |
| JPS6272211A (ja) * | 1985-09-25 | 1987-04-02 | Fujitsu Ltd | トランジスタ増幅器 |
| JPS62107505A (ja) * | 1985-11-05 | 1987-05-18 | Mitsubishi Electric Corp | 過大入力保護ｆｅｔ増幅回路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05327363A (ja) | 1993-12-10 |
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