JP2607382B2 - アッシング装置及びアッシング方法 - Google Patents
アッシング装置及びアッシング方法Info
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- JP2607382B2 JP2607382B2 JP63198292A JP19829288A JP2607382B2 JP 2607382 B2 JP2607382 B2 JP 2607382B2 JP 63198292 A JP63198292 A JP 63198292A JP 19829288 A JP19829288 A JP 19829288A JP 2607382 B2 JP2607382 B2 JP 2607382B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は、アッシング方法に関する。
（従来の技術） 半導体集積回路の微細パターンの形成は、一般に露光
および現像によって形成された有機高分子のフォトレジ
スト膜をマスクとして用い、半導体基板上に形成された
下地膜をエッチングすることにより行われる。したがっ
て、上記マスクとして用いられたフォトレジスト膜は、
エッチング過程を経た後には半導体基板の表面から除去
する必要がある。
および現像によって形成された有機高分子のフォトレジ
スト膜をマスクとして用い、半導体基板上に形成された
下地膜をエッチングすることにより行われる。したがっ
て、上記マスクとして用いられたフォトレジスト膜は、
エッチング過程を経た後には半導体基板の表面から除去
する必要がある。
上記フォトレジスト膜を除去する処理例としてアッシ
ング処理がある。このアッシング処理の従来技術とし
て、例えば特開昭52−20766号公報に開示されたものが
ある。
ング処理がある。このアッシング処理の従来技術とし
て、例えば特開昭52−20766号公報に開示されたものが
ある。
（発明が解決しようとする課題） 一般に、半導体基板の表面にフォトレジスト膜を形成
する方法として、半導体基板にフォトレジスト液を滴下
して回転しながら塗布するスピナー法が行われている。
このスピナー法による塗布において、上記半導体基板の
裏面周縁部分にフォトレジスト液が回り込んで付着する
のは避け難い。この裏面に付着したフォトレジストが残
存していると、例えば搬送中に機械的に破壊されたりし
てゴミとして飛散する可能性がある他、露光工程におい
て焦点位置合せ不良が発生する可能性があるので、出来
る限り早期に除去しておくのが好ましい。
する方法として、半導体基板にフォトレジスト液を滴下
して回転しながら塗布するスピナー法が行われている。
このスピナー法による塗布において、上記半導体基板の
裏面周縁部分にフォトレジスト液が回り込んで付着する
のは避け難い。この裏面に付着したフォトレジストが残
存していると、例えば搬送中に機械的に破壊されたりし
てゴミとして飛散する可能性がある他、露光工程におい
て焦点位置合せ不良が発生する可能性があるので、出来
る限り早期に除去しておくのが好ましい。
上記特開昭52−20766号公報にて開示されたものは、
半導体基板の両面にアッシングガスを流出させる構成で
あり、裏面に付着残存するフォトレジストをアッシング
して除去可能であるが、裏面全体に亘りアッシングガス
を流出させるものであるために、上記フォトレジストの
付着していない中央部分への無駄なアッシングガスの流
出がありアッシングガスの利用効率がよくない。
半導体基板の両面にアッシングガスを流出させる構成で
あり、裏面に付着残存するフォトレジストをアッシング
して除去可能であるが、裏面全体に亘りアッシングガス
を流出させるものであるために、上記フォトレジストの
付着していない中央部分への無駄なアッシングガスの流
出がありアッシングガスの利用効率がよくない。
本発明は上記従来事情に対処してなされたもので、予
め定めた部分にのみアッシングガスを流出させることに
より効率良くアッシング可能なアッシング装置及びアッ
シング方法を提供しようとするものである。
め定めた部分にのみアッシングガスを流出させることに
より効率良くアッシング可能なアッシング装置及びアッ
シング方法を提供しようとするものである。
（課題を解決するための手段） 請求項１によれば、処理室内に回転自在な載置台を設
け、この載置台に載置された被処理基板にノズルを介し
てアッシングガスを流出させてアッシングするように構
成されたアッシング装置において、前記載置台上におけ
る被処理基板の外縁部を検出する手段と、前記載置台の
回転中心から前記被処理基板の外縁部までの距離を算出
する手段と、前記載置台から被処理基板を離隔させる離
隔手段と、前記離隔させた被処理基板の裏面と載置台の
載置面との間にノズルを移動させる手段と、前記被処理
基板の裏面に向けて前記ノズルからアッシングガスを流
出させる手段とを備えたことを特徴とする、アッシング
装置が提供される。
け、この載置台に載置された被処理基板にノズルを介し
てアッシングガスを流出させてアッシングするように構
成されたアッシング装置において、前記載置台上におけ
る被処理基板の外縁部を検出する手段と、前記載置台の
回転中心から前記被処理基板の外縁部までの距離を算出
する手段と、前記載置台から被処理基板を離隔させる離
隔手段と、前記離隔させた被処理基板の裏面と載置台の
載置面との間にノズルを移動させる手段と、前記被処理
基板の裏面に向けて前記ノズルからアッシングガスを流
出させる手段とを備えたことを特徴とする、アッシング
装置が提供される。
また請求項２によれば、被処理基板にアッシングガス
を流出させてアッシングする方法において、前記被処理
基板及び／又はアッシングガスを流出させるノズルとを
回転させ、所定の回転角度ごとに、被処理基板の中心か
ら外縁までの距離を検出し、当該検出結果に基づいてア
ッシング部分を算出し、被処理基板に対するノズル位置
及び／又はノズルからのアッシングガスの流量を制御す
ることを特徴とする、アッシング方法が提供される。
を流出させてアッシングする方法において、前記被処理
基板及び／又はアッシングガスを流出させるノズルとを
回転させ、所定の回転角度ごとに、被処理基板の中心か
ら外縁までの距離を検出し、当該検出結果に基づいてア
ッシング部分を算出し、被処理基板に対するノズル位置
及び／又はノズルからのアッシングガスの流量を制御す
ることを特徴とする、アッシング方法が提供される。
請求項３によれば、LCD基板裏面の外縁部に付着した
フォトレジストをアッシングする方法であって、前記LC
D基板及び／又はアッシングガスを流出させるノズルと
を回転させ、所定の回転角度ごとに、前記LCD基板の中
心から外縁までの距離を検出し、当該検出結果に基づい
て前記外縁部に付着したフォトレジストを算出し、被処
理基板に対するノズル位置及び／又はノズルからのアッ
シングガスの流量を制御することを特徴とする、アッシ
ング方法が提供される。
フォトレジストをアッシングする方法であって、前記LC
D基板及び／又はアッシングガスを流出させるノズルと
を回転させ、所定の回転角度ごとに、前記LCD基板の中
心から外縁までの距離を検出し、当該検出結果に基づい
て前記外縁部に付着したフォトレジストを算出し、被処
理基板に対するノズル位置及び／又はノズルからのアッ
シングガスの流量を制御することを特徴とする、アッシ
ング方法が提供される。
かかる場合、請求項４に記載したように、ノズルにお
けるガス流出口の大きさを、LCD基板の角の部分に付着
したフォトレジストの幅に相応する大きさとしてもよ
い。
けるガス流出口の大きさを、LCD基板の角の部分に付着
したフォトレジストの幅に相応する大きさとしてもよ
い。
また以上のように構成される各アッシング方法におい
て、請求項５に記載したように、回転角度は３゜ごとに
検出するように構成してもよい。
て、請求項５に記載したように、回転角度は３゜ごとに
検出するように構成してもよい。
（作 用） 請求項１のアッシング装置によれば、載置台上におけ
る被処理基板の外縁部を検出する手段と、前記載置台の
回転中心から前記被処理基板の外縁部までの距離を算出
する手段と、前記載置台から被処理基板を離隔させる離
隔手段と、前記離隔させた被処理基板の裏面と載置台の
載置面との間にノズルを移動させる手段と、前記被処理
基板の裏面に向けて前記ノズルからアッシングガスを流
出させる手段とを備えているので、被処理基板の外縁部
を算出して被処理基板の裏面と載置台の載置面との間に
ノズルを移動させ、被処理基板裏面の外縁部分のアッシ
ングを効率よく、かつ適切にアッシングすることができ
る。
る被処理基板の外縁部を検出する手段と、前記載置台の
回転中心から前記被処理基板の外縁部までの距離を算出
する手段と、前記載置台から被処理基板を離隔させる離
隔手段と、前記離隔させた被処理基板の裏面と載置台の
載置面との間にノズルを移動させる手段と、前記被処理
基板の裏面に向けて前記ノズルからアッシングガスを流
出させる手段とを備えているので、被処理基板の外縁部
を算出して被処理基板の裏面と載置台の載置面との間に
ノズルを移動させ、被処理基板裏面の外縁部分のアッシ
ングを効率よく、かつ適切にアッシングすることができ
る。
請求項２のアッシング方法によれば、被処理基板及び
／又はアッシングガス流出手段とを回転させ、所定の回
転角度ごとに、被処理基板の中心から外縁までの距離を
検出し、当該検出結果に基づいてアッシング部分を算出
し、さらにアッシング流量又はノズル位置、またはその
双方を制御してアッシングするので、被処理基板におけ
るアッシング部分に対して効率よく、しかもアッシング
ガスを集中させてアッシングすることが可能である。
／又はアッシングガス流出手段とを回転させ、所定の回
転角度ごとに、被処理基板の中心から外縁までの距離を
検出し、当該検出結果に基づいてアッシング部分を算出
し、さらにアッシング流量又はノズル位置、またはその
双方を制御してアッシングするので、被処理基板におけ
るアッシング部分に対して効率よく、しかもアッシング
ガスを集中させてアッシングすることが可能である。
請求項３のアッシング方法では、LCD基板裏面の外縁
部に付着したフォトレジストに対して、効率よくしかも
高速にアッシングを実施することができる。請求項４の
アッシング方法では、さらにノズルにおけるガス流出口
の大きさを、LCD基板の角の部分に付着したフォトレジ
ストの幅に相応する大きさとしてあるので、角部分が最
もフォトレジストの幅が広いことを鑑みれば、外縁部全
周に渡って全てのフォトレジストを完全にかつ効率よく
アッシングすることができる。
部に付着したフォトレジストに対して、効率よくしかも
高速にアッシングを実施することができる。請求項４の
アッシング方法では、さらにノズルにおけるガス流出口
の大きさを、LCD基板の角の部分に付着したフォトレジ
ストの幅に相応する大きさとしてあるので、角部分が最
もフォトレジストの幅が広いことを鑑みれば、外縁部全
周に渡って全てのフォトレジストを完全にかつ効率よく
アッシングすることができる。
請求項５のアッシング方法によれば、３゜回転するご
とに検出しているので、例えばLCD基板裏面外縁のフォ
トレジストをアッシングする際の、設定角度が適切であ
り、効率よくアッシングすることができる。
とに検出しているので、例えばLCD基板裏面外縁のフォ
トレジストをアッシングする際の、設定角度が適切であ
り、効率よくアッシングすることができる。
（実施例） 以下、本発明アッシング方法をLCD基板のアッシング
に適用した一実施例を図面を参照して説明する。
に適用した一実施例を図面を参照して説明する。
本体（１）の処理室（２）内には、真空チャック等に
より被処理基板例えば方形板状のLCD（Liquid Crystal
Display）基板（３）を吸着保持し且つこのLCD基板
（３）を加熱する加熱板（４）が配置されている。この
加熱板（４）は温度制御機構（５）によって制御される
ヒータ（６）を内蔵し、昇降機構（７）によって本体
（１）に対して上下に昇降可能で、且つ回転角度がパル
ス制御可能なステッピングモータを使用した回転機構
（８）により平面内で回転可能に構成されている。
より被処理基板例えば方形板状のLCD（Liquid Crystal
Display）基板（３）を吸着保持し且つこのLCD基板
（３）を加熱する加熱板（４）が配置されている。この
加熱板（４）は温度制御機構（５）によって制御される
ヒータ（６）を内蔵し、昇降機構（７）によって本体
（１）に対して上下に昇降可能で、且つ回転角度がパル
ス制御可能なステッピングモータを使用した回転機構
（８）により平面内で回転可能に構成されている。
また、上記加熱板（４）には、例えば３本のピン
（９）が貫通して設けられており、この加熱板（４）が
下降時にはピン（９）の先端部分が上記加熱板（４）の
上面より上方にあり、加熱板（４）が最上昇時にはピン
（９）の先端部分が上記加熱板（４）の内部に位置する
ように設けられている。
（９）が貫通して設けられており、この加熱板（４）が
下降時にはピン（９）の先端部分が上記加熱板（４）の
上面より上方にあり、加熱板（４）が最上昇時にはピン
（９）の先端部分が上記加熱板（４）の内部に位置する
ように設けられている。
次に、加熱板（４）の周囲には、例えばスリット状あ
るいは複数の開口等からなる排気口（10）が、上記加熱
板（４）の周囲を囲むように設けられており、この排気
口（10）は排気流路（11）を介して排気機構（12）に配
管接続されている。
るいは複数の開口等からなる排気口（10）が、上記加熱
板（４）の周囲を囲むように設けられており、この排気
口（10）は排気流路（11）を介して排気機構（12）に配
管接続されている。
一方、加熱板（４）の上方には、例えば円錐形状のコ
ーン部（13）と、このコーン部（13）の開口部に配置さ
れ、多数の小孔を備えたガス拡散板（14）とから構成さ
れるガス流出部（15）が配置されている。このガス流出
部（15）は、冷却機構（16）により配管（17）を流れる
冷却水等により所定の温度に冷却されるように設けられ
ている。
ーン部（13）と、このコーン部（13）の開口部に配置さ
れ、多数の小孔を備えたガス拡散板（14）とから構成さ
れるガス流出部（15）が配置されている。このガス流出
部（15）は、冷却機構（16）により配管（17）を流れる
冷却水等により所定の温度に冷却されるように設けられ
ている。
さらに、上記ガス流出部（15）は、バルブ（18）を介
してガス流量調節器（19）、オゾン発生器（20）、酸素
供給源（21）に接続されており、ガス拡散板（14）を介
して処理室（２）内に向けてオゾン（O3）を含むアッシ
ングガスを流出可能に構成されている。
してガス流量調節器（19）、オゾン発生器（20）、酸素
供給源（21）に接続されており、ガス拡散板（14）を介
して処理室（２）内に向けてオゾン（O3）を含むアッシ
ングガスを流出可能に構成されている。
また、処理室（２）内には、LCD基板（３）の外縁部
を検知する検知手段例えば一次元的に並んだLEDからな
るセンサ光源（22）と、このセンサ光源（22）からの光
を受光する一次元センサ例えばラインセンサ（23）が所
定の間隔を保って配置されている。そして、上記センサ
光源（22）とラインセンサ（23）との中間にLCD基板
（３）の外縁部を配することにより、予め定めた部分す
なわちLCD基板（３）の上記外縁部の位置を検知可能に
設けられている。なお、上記センサ光源（22）とライン
センサ（23）は、上記検知時以外はLCD基板（３）等に
当接することのないように移動機構（図示せず）により
処理室（２）内部に後退待機される。上記の如く基板位
置検知機構（24）が設けられている。
を検知する検知手段例えば一次元的に並んだLEDからな
るセンサ光源（22）と、このセンサ光源（22）からの光
を受光する一次元センサ例えばラインセンサ（23）が所
定の間隔を保って配置されている。そして、上記センサ
光源（22）とラインセンサ（23）との中間にLCD基板
（３）の外縁部を配することにより、予め定めた部分す
なわちLCD基板（３）の上記外縁部の位置を検知可能に
設けられている。なお、上記センサ光源（22）とライン
センサ（23）は、上記検知時以外はLCD基板（３）等に
当接することのないように移動機構（図示せず）により
処理室（２）内部に後退待機される。上記の如く基板位
置検知機構（24）が設けられている。
また、制御部（25）が設けられており、この制御部
（25）において、上記LCD基板（３）の回転角度と上記
基板位置検知機構（24）で検知されたLCD基板（３）の
外縁部の情報から、アッシングする部分すなわち基準位
置からの回転角度と回転中心から上記外縁部までの距離
を算出する手段が設けられている。
（25）において、上記LCD基板（３）の回転角度と上記
基板位置検知機構（24）で検知されたLCD基板（３）の
外縁部の情報から、アッシングする部分すなわち基準位
置からの回転角度と回転中心から上記外縁部までの距離
を算出する手段が設けられている。
さらに、処理室（２）内にはピン（９）で支持された
状態のLCD基板（３）の下面すなわち裏面に向けてアッ
シングガスを例えば上向きに流出させるノズル（26）を
備えたノズル駆動機構（27）が設けられており、オゾン
発生器（20）から供給されるオゾンを含むアッシングガ
スをガス流量調節器（28）、バルブ（29）を介して流出
可能に構成されている。なお、上記ノズル（26）は、ア
ッシングガス流出時にはピン（９）で支持された状態の
LCD基板（３）の裏面側に進入し、流出時以外はLCD基板
（３）等に当接しないように処理室（２）内で後退待機
される。上記の如くアッシングガスの流出手段が設けら
れている。
状態のLCD基板（３）の下面すなわち裏面に向けてアッ
シングガスを例えば上向きに流出させるノズル（26）を
備えたノズル駆動機構（27）が設けられており、オゾン
発生器（20）から供給されるオゾンを含むアッシングガ
スをガス流量調節器（28）、バルブ（29）を介して流出
可能に構成されている。なお、上記ノズル（26）は、ア
ッシングガス流出時にはピン（９）で支持された状態の
LCD基板（３）の裏面側に進入し、流出時以外はLCD基板
（３）等に当接しないように処理室（２）内で後退待機
される。上記の如くアッシングガスの流出手段が設けら
れている。
そして、上記制御部（25）により、回転機構（８）で
回転されたLCD基板（３）の回転角度と、各角度におけ
るLCD基板（３）の回転中心から外縁部までの距離を検
知算出し、ノズル（26）からLCD基板（３）の裏面に向
けてアッシングガスを流出可能に設けられている。
回転されたLCD基板（３）の回転角度と、各角度におけ
るLCD基板（３）の回転中心から外縁部までの距離を検
知算出し、ノズル（26）からLCD基板（３）の裏面に向
けてアッシングガスを流出可能に設けられている。
次に、アッシング方法について説明する。
先ず、昇降機構（７）によって加熱板（４）を下降さ
せ、ガス流出部（15）との間にアーム等を使用した基板
搬送機構（図示せず）が導入される間隔を設け、LCD基
板（３）を上記基板搬送機構（図示せず）により処理室
（２）内に搬入し、加熱板（４）より突出しているピン
（９）の先端部に自動的に、概ね上記LCD基板（３）の
中心と回転機構（８）の回転中心とが一致するように載
置する。
せ、ガス流出部（15）との間にアーム等を使用した基板
搬送機構（図示せず）が導入される間隔を設け、LCD基
板（３）を上記基板搬送機構（図示せず）により処理室
（２）内に搬入し、加熱板（４）より突出しているピン
（９）の先端部に自動的に、概ね上記LCD基板（３）の
中心と回転機構（８）の回転中心とが一致するように載
置する。
そして、基板位置検知機構（24）のセンサ光源（22）
とラインセンサ（23）をLCD基板（３）に向って移動さ
せ、このLCD基板（３）の外縁部分を検知可能な状態に
設ける。次に、制御部（25）により上記基板位置検知機
構（24）および回転機構（８）を制御し、第３図に示す
ように回転機構（８）の各回転角度θ（30）における回
転中心（31）からLCD基板（３）の外縁部分までの距離
Ｌ（32）を検知して記憶する。
とラインセンサ（23）をLCD基板（３）に向って移動さ
せ、このLCD基板（３）の外縁部分を検知可能な状態に
設ける。次に、制御部（25）により上記基板位置検知機
構（24）および回転機構（８）を制御し、第３図に示す
ように回転機構（８）の各回転角度θ（30）における回
転中心（31）からLCD基板（３）の外縁部分までの距離
Ｌ（32）を検知して記憶する。
例えば、回転前を基準として、１回転つまり回転角度
３゜毎における上記距離Ｌ（32）、すなわち、回転角度
θ（30）＝０゜,3゜,6゜，…,354゜,357゜における距離
Ｌ（32）＝L0,L3,……,L354,L357を検知して記憶する。
３゜毎における上記距離Ｌ（32）、すなわち、回転角度
θ（30）＝０゜,3゜,6゜，…,354゜,357゜における距離
Ｌ（32）＝L0,L3,……,L354,L357を検知して記憶する。
この後、上記センサ光源（22）とラインセンサ（23）
を後退させ、昇降機構（７）によって加熱板（４）を上
昇させてピン（９）に支持されているLCD基板（３）を
加熱板（４）に載置して持ち上げる。そして、LCD基板
（３）のフォトレジスト膜がパターン形成されている表
面つまり上面とガス流出部（15）のガス拡散板（14）面
との間隔が例えば1.0〜20mm程度の所定の間隔になるよ
うに設定する。また、加熱板（４）に内蔵されたヒータ
（６）を温度制御機構（５）により制御し、LCD基板
（３）を例えば150〜300℃程度の範囲の所定温度に加熱
する。次に、バルブ（18）を開き、オゾン発生器（20）
から供給されるアッシングガス、すなわちオゾンを含有
する酸素ガスをガス流量調節器（19）によって流量が例
えば３〜30sl（slは常温常圧換算での流量）程度となる
ように調節し、上記アッシングガスをLCD基板（３）の
表面に向けて流出させる。
を後退させ、昇降機構（７）によって加熱板（４）を上
昇させてピン（９）に支持されているLCD基板（３）を
加熱板（４）に載置して持ち上げる。そして、LCD基板
（３）のフォトレジスト膜がパターン形成されている表
面つまり上面とガス流出部（15）のガス拡散板（14）面
との間隔が例えば1.0〜20mm程度の所定の間隔になるよ
うに設定する。また、加熱板（４）に内蔵されたヒータ
（６）を温度制御機構（５）により制御し、LCD基板
（３）を例えば150〜300℃程度の範囲の所定温度に加熱
する。次に、バルブ（18）を開き、オゾン発生器（20）
から供給されるアッシングガス、すなわちオゾンを含有
する酸素ガスをガス流量調節器（19）によって流量が例
えば３〜30sl（slは常温常圧換算での流量）程度となる
ように調節し、上記アッシングガスをLCD基板（３）の
表面に向けて流出させる。
また、排気機構（12）の排気量を調節し処理室（２）
内の上記LCD基板（３）のアッシング面近傍の気体圧力
が例えば700〜200Torr程度の範囲になるように排気す
る。この時、ガス流出部（15）とLCD基板（３）および
加熱板（４）との間には、ガス流出部（15）から流出し
てLCD基板（３）の中央部から周辺部へ向かい、加熱板
（４）の周囲に設けられた排気口（10）から排気される
ようなガスの流れ（図示せず）が形成される。上記アッ
シングのオゾンは、加熱されたLCD基板（３）およびそ
の周囲の雰囲気により加熱され分解されて、酸素原子ラ
ジカルが多量に発生する。そして、この酸素原子ラジカ
ルがLCD基板（３）の表面に被着しているフォトレジス
ト膜と化学反応しアッシングが行われ、フォトレジスト
膜を除去する。
内の上記LCD基板（３）のアッシング面近傍の気体圧力
が例えば700〜200Torr程度の範囲になるように排気す
る。この時、ガス流出部（15）とLCD基板（３）および
加熱板（４）との間には、ガス流出部（15）から流出し
てLCD基板（３）の中央部から周辺部へ向かい、加熱板
（４）の周囲に設けられた排気口（10）から排気される
ようなガスの流れ（図示せず）が形成される。上記アッ
シングのオゾンは、加熱されたLCD基板（３）およびそ
の周囲の雰囲気により加熱され分解されて、酸素原子ラ
ジカルが多量に発生する。そして、この酸素原子ラジカ
ルがLCD基板（３）の表面に被着しているフォトレジス
ト膜と化学反応しアッシングが行われ、フォトレジスト
膜を除去する。
なお、オゾン発生器（20）で生成されたオゾンの寿命
は温度に依存し、温度が高くなるとオゾンの分解は促進
され、その寿命は急激に短くなる。そこで、ガス流出部
（15）の開口部分の温度は例えば25゜程度以下とするの
が好ましく、冷却機構（16）および配管（17）により25
℃以下に冷却する。
は温度に依存し、温度が高くなるとオゾンの分解は促進
され、その寿命は急激に短くなる。そこで、ガス流出部
（15）の開口部分の温度は例えば25゜程度以下とするの
が好ましく、冷却機構（16）および配管（17）により25
℃以下に冷却する。
一方、オゾンが分解して発生する酸素原子ラジカルに
よる酸化反応を利用して行なうアッシング処理において
は、ガスの温度は、150〜300℃程度に加熱することが好
ましい。
よる酸化反応を利用して行なうアッシング処理において
は、ガスの温度は、150〜300℃程度に加熱することが好
ましい。
上記アッシングが終了すると、ガス流出部（15）から
のアッシングガスの流出を止め、加熱板（４）を下降さ
せてLCD基板（３）をピン（９）に乗せる。そして、LCD
基板（３）裏面と加熱板（４）との中間に、ノズル駆動
機構（27）によりノズル（26）を進入させ、先に検知し
記憶した加熱板（４）の回転角度とLCD基板（３）の外
縁部の位置情報からアッシングする部分を算出し、パル
ブ（29）を開きガス流量調節器（28）でガス流量を調節
して上記ノズル（26）から上記LCD基板（３）の裏面に
向けて、アッシングガスを流出させる。
のアッシングガスの流出を止め、加熱板（４）を下降さ
せてLCD基板（３）をピン（９）に乗せる。そして、LCD
基板（３）裏面と加熱板（４）との中間に、ノズル駆動
機構（27）によりノズル（26）を進入させ、先に検知し
記憶した加熱板（４）の回転角度とLCD基板（３）の外
縁部の位置情報からアッシングする部分を算出し、パル
ブ（29）を開きガス流量調節器（28）でガス流量を調節
して上記ノズル（26）から上記LCD基板（３）の裏面に
向けて、アッシングガスを流出させる。
なお、第３図に示すように、LCD基板（３）の裏面に
回り込んで付着したフォトレジストは、主として、LCD
基板（３）の外縁部付近の斜線で示す付着領域（33）部
分に付着していることが観察されている。したがって、
上記ノズル（26）のガス流出口（34）の大きさは、上記
付着領域（33）部分の最も幅広い部分例えばLCD基板
（３）の角の部分の幅に相応する流出幅に設ける。そし
て、上記ノズル（26）のLCD基板（３）に対する位置
は、例えば、回転角度θ（30）に対する距離Ｌ（32）は
既知であるので、ノズル（26）のガス流出口（34）の外
側端部をLCD基板（３）の外縁部付近に位置する如く制
御部（25）によりノズル駆動機構（27）を制御する。そ
して、回転機構（８）により加熱板（４）すなわちLCD
基板（３）を回転し、回転角度３゜毎に上記ノズル（2
6）を位置決めしつつ、LCD基板（３）の裏面外縁部分に
付着したフォトレジストをアッシングして除去する。こ
の場合、回転方向は左右回転の何れでもよい。なお、上
記裏面アッシングの場合、LCD基板（３）はピン（９）
により加熱板（４）より離間されているので、LCD基板
（３）の加熱温度の点から、ノズル（26）の形状等を考
慮し可能な限り狭く構成するのが好ましい。上記裏面ア
ッシングが終了するとノズル（26）からのガス流出を止
め、このノズル（26）を後退させた後、基板搬送機構
（図示せず）によりアッシングを終了したLCD基板
（３）を処理室（２）から搬出し、次に処理すべきLCD
基板（３）を搬入してセットする。以後、上記アッシン
グをくり返す。
回り込んで付着したフォトレジストは、主として、LCD
基板（３）の外縁部付近の斜線で示す付着領域（33）部
分に付着していることが観察されている。したがって、
上記ノズル（26）のガス流出口（34）の大きさは、上記
付着領域（33）部分の最も幅広い部分例えばLCD基板
（３）の角の部分の幅に相応する流出幅に設ける。そし
て、上記ノズル（26）のLCD基板（３）に対する位置
は、例えば、回転角度θ（30）に対する距離Ｌ（32）は
既知であるので、ノズル（26）のガス流出口（34）の外
側端部をLCD基板（３）の外縁部付近に位置する如く制
御部（25）によりノズル駆動機構（27）を制御する。そ
して、回転機構（８）により加熱板（４）すなわちLCD
基板（３）を回転し、回転角度３゜毎に上記ノズル（2
6）を位置決めしつつ、LCD基板（３）の裏面外縁部分に
付着したフォトレジストをアッシングして除去する。こ
の場合、回転方向は左右回転の何れでもよい。なお、上
記裏面アッシングの場合、LCD基板（３）はピン（９）
により加熱板（４）より離間されているので、LCD基板
（３）の加熱温度の点から、ノズル（26）の形状等を考
慮し可能な限り狭く構成するのが好ましい。上記裏面ア
ッシングが終了するとノズル（26）からのガス流出を止
め、このノズル（26）を後退させた後、基板搬送機構
（図示せず）によりアッシングを終了したLCD基板
（３）を処理室（２）から搬出し、次に処理すべきLCD
基板（３）を搬入してセットする。以後、上記アッシン
グをくり返す。
上記のように、LCD基板（３）の裏面のアッシング
は、ノズル（26）を移動して、アッシングすべき部分に
集中してアッシングガスを流出するので、アッシングガ
スの利用効率が良く、また従来方法と同じガス流出量で
あればアッシング速度を速くすることができる。
は、ノズル（26）を移動して、アッシングすべき部分に
集中してアッシングガスを流出するので、アッシングガ
スの利用効率が良く、また従来方法と同じガス流出量で
あればアッシング速度を速くすることができる。
なお、上記実施例ではLCD基板（３）の外縁部を検知
する手段としてセンサ光源（22）とラインセンサ（23）
を透過型センサとして使用して検知する例について述べ
たが、上記外縁部の位置を検知できればよいのであるか
ら、反射型センサとして使用してもよい。
する手段としてセンサ光源（22）とラインセンサ（23）
を透過型センサとして使用して検知する例について述べ
たが、上記外縁部の位置を検知できればよいのであるか
ら、反射型センサとして使用してもよい。
また、上記外縁部のセンサの位置とノズル（26）の位
置とは任意に配置することが可能であり、LCD基板
（３）の外縁部と距離Ｌ（32）と回転角度θ（30）との
対応が決定されておれば差支えない。
置とは任意に配置することが可能であり、LCD基板
（３）の外縁部と距離Ｌ（32）と回転角度θ（30）との
対応が決定されておれば差支えない。
さらに上記実施例では、LCD基板（３）の表面をアッ
シングした後で、裏面をアッシングする方法について説
明したが、上記LCD基板（３）をピン（９）で支持し加
熱板（４）から離間した状態で表面のアッシングが可能
な処理プロセスであれば、表面、裏面を同時にアッシン
グすることも可能である。
シングした後で、裏面をアッシングする方法について説
明したが、上記LCD基板（３）をピン（９）で支持し加
熱板（４）から離間した状態で表面のアッシングが可能
な処理プロセスであれば、表面、裏面を同時にアッシン
グすることも可能である。
また、上記実施例では、LCD基板（３）側を回転する
方法について説明したが、このLCD基板（３）と、基板
位置検知機構（24）およびノズル駆動機構（27）とを相
対的に回転移動できれば良いのであり、例えば上記LCD
基板（３）を固定にして、上記各機構を回転移動するよ
うに構成してもよい。また、両者を回転移動するように
構成してもよい。
方法について説明したが、このLCD基板（３）と、基板
位置検知機構（24）およびノズル駆動機構（27）とを相
対的に回転移動できれば良いのであり、例えば上記LCD
基板（３）を固定にして、上記各機構を回転移動するよ
うに構成してもよい。また、両者を回転移動するように
構成してもよい。
請求項１のアッシング装置によれば、被処理基板裏面
の外縁部分のアッシングを効率よく、かつ適切にアッシ
ングすることができる。また請求項２のアッシング方法
によれば、被処理基板におけるアッシング部分に対して
アッシングガスを集中させて効率よくアッシングするこ
とが可能である。また請求項３では、LCD基板裏面の外
縁部に付着したフォトレジストに対して、効率よくしか
も高速にアッシングを実施することができ、請求項４で
は、LCD基板裏面の外縁部全周に渡って全てのフォトレ
ジストを完全にかつ効率よくアッシングすることができ
る。また請求項５によれば、設定角度が適切であり、効
率よくアッシングすることができる。
の外縁部分のアッシングを効率よく、かつ適切にアッシ
ングすることができる。また請求項２のアッシング方法
によれば、被処理基板におけるアッシング部分に対して
アッシングガスを集中させて効率よくアッシングするこ
とが可能である。また請求項３では、LCD基板裏面の外
縁部に付着したフォトレジストに対して、効率よくしか
も高速にアッシングを実施することができ、請求項４で
は、LCD基板裏面の外縁部全周に渡って全てのフォトレ
ジストを完全にかつ効率よくアッシングすることができ
る。また請求項５によれば、設定角度が適切であり、効
率よくアッシングすることができる。
第１図は本発明アッシング方法の一実施例を説明するた
めの構成図、第２図および第３図は、第１図の主要部の
説明図である。 ３……LCD基板、４……加熱板、 ７……昇降機構、８……回転機構、 ９……ピン、22……センサ光源、 23……ラインセンサ、24……基板検知機構、 25……制御部、26……ノズル、 27……ノズル駆動機構。
めの構成図、第２図および第３図は、第１図の主要部の
説明図である。 ３……LCD基板、４……加熱板、 ７……昇降機構、８……回転機構、 ９……ピン、22……センサ光源、 23……ラインセンサ、24……基板検知機構、 25……制御部、26……ノズル、 27……ノズル駆動機構。
Claims (5)
- 【請求項１】処理室内に回転自在な載置台を設け、この
載置台に載置された被処理基板にノズルを介してアッシ
ングガスを流出させてアッシングするように構成された
アッシング装置において、 前記載置台上における被処理基板の外縁部を検出する手
段と、 前記載置台の回転中心から前記被処理基板の外縁部まで
の距離を算出する手段と、 前記載置台から被処理基板を離隔させる離隔手段と、 前記離隔させた被処理基板の裏面と載置台の載置面との
間にノズルを移動させる手段と、 前記被処理基板の裏面に向けて前記ノズルからアッシン
グガスを流出させる手段とを備えたことを特徴とする、
アッシング装置。 - 【請求項２】被処理基板にアッシングガスを流出させて
アッシングする方法において、 前記被処理基板及び／又はアッシングガスを流出させる
ノズルとを回転させ、 所定の回転角度ごとに、被処理基板の中心から外縁まで
の距離を検出し、当該検出結果に基づいてアッシング部
分を算出し、被処理基板に対するノズル位置及び／又は
ノズルからのアッシングガスの流量を制御することを特
徴とする、アッシング方法。 - 【請求項３】LCD基板裏面の外縁部に付着したフォトレ
ジストをアッシングする方法であって、前記LCD基板及
び／又はアッシングガスを流出させるノズルとを回転さ
せ、 所定の回転角度ごとに、前記LCD基板の中心から外縁ま
での距離を検出し、当該検出結果に基づいて前記外縁部
に付着したフォトレジストを算出し、被処理基板に対す
るノズル位置及び／又はノズルからのアッシングガスの
流量を制御することを特徴とする、アッシング方法。 - 【請求項４】前記ノズルにおけるガス流出口の大きさ
は、LCD基板の角の部分に付着したフォトレジストの幅
に相応する大きさとしたことを特徴とする、請求項
（３）に記載のアッシング方法。 - 【請求項５】所定の回転角度は３゜であることを特徴と
する、請求項（２）、（３）、又は（４）に記載のアッ
シング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63198292A JP2607382B2 (ja) | 1988-08-08 | 1988-08-08 | アッシング装置及びアッシング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63198292A JP2607382B2 (ja) | 1988-08-08 | 1988-08-08 | アッシング装置及びアッシング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0246725A JPH0246725A (ja) | 1990-02-16 |
| JP2607382B2 true JP2607382B2 (ja) | 1997-05-07 |
Family
ID=16388701
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63198292A Expired - Lifetime JP2607382B2 (ja) | 1988-08-08 | 1988-08-08 | アッシング装置及びアッシング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2607382B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006261683A (ja) * | 2001-08-28 | 2006-09-28 | Nec Kagoshima Ltd | 基板処理装置 |
| JP4513985B2 (ja) * | 2001-08-28 | 2010-07-28 | 日本電気株式会社 | 基板処理装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4624728A (en) * | 1985-06-11 | 1986-11-25 | Tegal Corporation | Pin lift plasma processing |
| JPS63124528A (ja) * | 1986-11-14 | 1988-05-28 | Hitachi Ltd | 半導体製造装置 |
-
1988
- 1988-08-08 JP JP63198292A patent/JP2607382B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0246725A (ja) | 1990-02-16 |
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