JP2606086Y2 - 現象観測装置 - Google Patents

現象観測装置

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JP2606086Y2
JP2606086Y2 JP1993043516U JP4351693U JP2606086Y2 JP 2606086 Y2 JP2606086 Y2 JP 2606086Y2 JP 1993043516 U JP1993043516 U JP 1993043516U JP 4351693 U JP4351693 U JP 4351693U JP 2606086 Y2 JP2606086 Y2 JP 2606086Y2
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shield case
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high input
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憲一朗 ▼はが▲
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Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本考案は、オシロスコープ等に用
いる広帯域高入力インピーダンス減衰装置に関し、特に
回路の接地インピーダンスによる周波数平坦度への悪影
響を低減した高入力インピーダンス減衰装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来のオシロスコープにおける入力部の
構成例を図3に示す。図において、1は入力信号が供給
されるプローブやケーブルが接続される入力コネクタで
ある。2は入力コネクタ1の中心導体、3は入力コネク
タの接地リード部である。4はアッテネータ回路で、入
力信号を減衰させる。5はバッファアンプ回路で、アッ
テネータ回路4からの出力のインピーダンス変換をす
る。6は基板で、アッテネータ回路4およびバッファア
ンプ回路5等が配置されている。前記した入力コネクタ
1の接地リード部3は、シールドケース8に接続されて
いる。
【0003】アッテネータ回路(減衰回路とも言う)4
およびバッファアンプ回路(緩衝増幅回路とも言う)5
は、いずれも高入力インピーダンスを有する。7はグラ
ンドパターンで、基板6上に接地電位を供給する。上述
のシールドケース8には、基板6およびその他の回路基
板が収納配置される。ZPはグランドパターンによるイ
ンピーダンスを示し、Z1は基板6上のアッテネータ回
路4の周辺のグランドパターン7とシールドケース8と
の接続インピーダンスを示し、Z2は基板6上のバッフ
ァアンプ回路5の周辺のグランドパターン7とシールド
ケース8との接続インピーダンスを示す。シールドケー
ス8自体のインピーダンスは充分低いものとしている。
【0004】入力コネクタ1の中心導体2は、基板6上
のアッテネータ回路4に直接接続されている。一方、入
力コネクタ1の接地リード部3は、シールドケース8に
接続されている。基板6とシールドケース8の接続は、
基板6上のグランドパターン7をシールドケース8に直
接半田付けしたり、ビスで止めたり、あるいはコネクタ
接続するという方法により行われる。このような接地電
位の接続方法においては、接続インピーダンスおよび基
板6のグランドパターン7のインピーダンスを下げるた
めに、回路基板のグランドパターン7を広くとり、グラ
ンドパターン7全体をシールドケース8に接続する。し
かしながら、基板6上のグランドパターン7とシールド
ケース8との間の接続インピーダンスを完全になくすこ
とは不可能である。
【0005】
【考案が解決しようとする課題】このため、アッテネー
タ回路4およびバッファアンプ回路5を介した信号伝達
特性の高周波領域において、平坦度に悪影響がでるとい
う問題が発生する。本考案はこのような課題を解決する
ものであり、高入力インピーダンスを有する減衰装置に
おいて、入力信号が高周波領域にあっても、平坦度に影
響のない高入力インピーダンス減衰装置を実現すること
を目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本考案は、接地電位に保
持されたシールドケースと、シールドケース内に収納
れ、高入力インピーダンス減衰回路および高入力インピ
ーダンス緩衝増幅回路が配置され、これら高入力インピ
ーダンス減衰回路および高入力インピーダンス緩衝増幅
回路の周辺にはそれぞれグランドパターンが形成された
基板と、前記高入力インピーダンス減衰回路の入力部分
に信号線が直接接続され、接地リード部が前記シールド
ケースに固定された入力コネクタとを設け、前記基板に
おいて、高入力インピーダンス減衰回路の周辺のグラン
ドパターンのみを前記シールドケースに接続したことを
特徴とする高入力インピーダンス減衰装置である。
【0007】
【作用】基板に形成されているグランドパターンとシー
ルドケースとの接続関係を変更することにより電流経路
が制限され、高周波領域における信号伝達特性の平坦度
が改善された高入力インピーダンス減衰装置を実現でき
る。
【0008】
【実施例】図1に、本考案の一実施例の構成図を示す。
図において、図3と同一のものは同符号を付ける。この
構成において、アッテネータ回路4およびバッファアン
プ回路5の接地電位は、基板6上のグランドパターン7
によって接続される。外部からの被測定対象の信号は入
力コネクタ1に入力され、中心導体2を介して基板6上
のアッテネータ回路4に入力される。一方、入力コネク
タ1の接地リード部3は、シールドケース8に固定接続
される。
【0009】基板6上におけるアッテネータ回路4の周
辺のグランドパターン7とシールドケース8とは、ビス
止めやハンダ付け或いはコネクタ等で接続されている。
これに対し、バッファアンプ回路5の周辺のグランドパ
ターン7は、シールドケース8に直接接続しないように
なっている。
【0010】このような構成における動作を説明する。
図2に本考案の構成による電気的等価回路を示し、図4
に従来例の構成による電気的等価回路を示す。図1にお
いて、アッテネータ回路4を、抵抗RaとコンデンサCa
の並列回路と、抵抗RbとコンデンサCbの並列回路とを
接続したものとして表現している。
【0011】ここで Za=Ra/(1+jωRaa) Zb=Rb/(1+jωRbb) として表現し、バッファアンプ回路5の入力インピーダ
ンスは充分高いものとする。また、アッテネータ回路4
の周辺のグランドパターン7とシールドケース8を接続
したことによるインピーダンスをZ1と表現する。
【0012】このZaおよびZb、グランドパターン7に
よるインピーダンスZP、その他接続によるインピーダ
ンスZ1,Z2を用いて、図2および図4の電気的等価回
路を記述する。図2および図4において、iは入力コネ
クタ1を介して供給される回路全体の電流を示す。ま
た、i2はグランドパターン7によるインピーダンスZP
を介してバッファアンプ回路5のグランド端子またはイ
ンピーダンスZ2に流れ込む電流を示す。i1はインピー
ダンスZ1を介してシールドケース8に流れ込む電流を
示す。
【0013】まず、従来例の動作について説明する。こ
の時は図4にも示されるように、インピーダンスZP
インピーダンスZ1があるために電流i2が発生する。こ
のことを考慮に入れ、バッファアンプ回路5の実質的な
入力電圧Vin'(=Vin−VGND)を表すと、 Vin'=Zb・i+ZP・i2・・・(1) となることから、グランドパターン7によるインピーダ
ンスZPの影響があることが理解される。
【0014】一方、図1に示すように、アッテネータ回
路4の周辺のグランドパターン7のみをシールドケース
8に接続してバッファアンプ回路5の周辺のグランドパ
ターン7をシールドケース8に接続しなければ、図3に
おけるインピーダンスZ2が無限大ということになり、
式(1)に示す電流i2がi2=0となることから、図1
の等価回路は図2に示すものとなることが理解される。
【0015】従って、図1の構成におけるバッファアン
プ回路5の実質的な入力電圧Vin'は、 Vin'=Zb・iと表される。このため、入力信号の特性
はグランドパターン7のインピーダンスZPに影響され
ないことが理解される。従って、アッテネータ回路4の
周辺のグランドパターン7とシールドケース8との接続
インピーダンスZ1が、Za,Zbに対して充分低けれ
ば、高入力インピーダンス減衰装置の伝達周波数特性
は、アッテネータ回路4の周波数特性によって決定さ
れ、接地による高周波領域での平坦度への影響は排除さ
れる。
【0016】
【考案の効果】以上詳細に説明したように、本考案によ
れば、高入力インピーダンス減衰回路のグランドパター
ンを実質的にアッテネータ回路4の周辺部分とバッファ
アンプ回路5の周辺部分とに分けて、アッテネータ回路
4の周辺部分のグランドパターンのみをシールドケース
8に接続することにより電流経路を制限したために、基
板上のグランドパターンのインピーダンスの影響を受け
ることはなく、高周波領域における信号伝達特性の平坦
度を大幅に改善できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本考案の一実施例の回路構成図である。
【図2】図1の動作説明のための電気的等価回路であ
る。
【図3】本考案の従来例の回路構成図である。
【図4】図3の動作説明のための電気的等価回路であ
る。
【符号の説明】
1 入力コネクタ 2 中心導体 3 入力コネクタの接地リード部 4 アッテネータ回路 5 バッファアンプ回路 6 基板 7 グランドパターン 8 シールドケース
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H03H 11/24 G01R 13/22

Claims (1)

    (57)【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】接地電位に保持されたシールドケースと、 シールドケース内に収納され、高入力インピーダンス減
    衰回路および高入力インピーダンス緩衝増幅回路が配置
    され、これら高入力インピーダンス減衰回路および高入
    力インピーダンス緩衝増幅回路の周辺にはそれぞれグラ
    ンドパターンが形成された基板と、 前記高入力インピーダンス減衰回路の入力部分に信号線
    が直接接続され、接地リード部が前記シールドケースに
    固定された入力コネクタとを設け、 前記基板において、高入力インピーダンス減衰回路の周
    辺のグランドパターンのみを前記シールドケースに接続
    したことを特徴とする高入力インピーダンス減衰装置。
JP1993043516U 1993-08-09 1993-08-09 現象観測装置 Expired - Fee Related JP2606086Y2 (ja)

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JPH0714722U JPH0714722U (ja) 1995-03-10
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Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
「電子回路のノイズ技術」、山崎弘郎編、オーム社、昭和61年5月20日第1版第5刷発行、p.49〜51、「3.5.3接地方式」の欄

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