JP2601712B2 - 混晶を製造する材料節約式方法 - Google Patents
混晶を製造する材料節約式方法Info
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- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D7/00—Sublimation
- B01D7/02—Crystallisation directly from the vapour phase
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45557—Pulsed pressure or control pressure
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
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Description
【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は、混晶の少なくとも１成分を源から水素化合
物及び塩素化合物含有気相に変換し、別の１種又は複数
種の混晶成分と混合し、基板へと輸送して基板上に堆積
させる、混晶特にIII−Ｖ化合物半導体を製造する材料
節約式方法に関する。
物及び塩素化合物含有気相に変換し、別の１種又は複数
種の混晶成分と混合し、基板へと輸送して基板上に堆積
させる、混晶特にIII−Ｖ化合物半導体を製造する材料
節約式方法に関する。
先行技術 請求の範囲１の前提部分に記載した方法はTietjenプ
ロセスとも呼ばれ、特に蒸着した混晶膜の品質及び均一
性に格別厳しい条件が要求されるとき適用される。
ロセスとも呼ばれ、特に蒸着した混晶膜の品質及び均一
性に格別厳しい条件が要求されるとき適用される。
過去にはかかる方法は特にGaAs、InGaAs、InP膜等のI
II−Ｖ化合物半導体の製造に、たがまたII−VI族混晶の
製造にも適用された。その際普通反応管内の全圧は100
乃至1000mbarに設定され、代表的には１μm/h乃至最高3
0μm/hの成長率が達成された。全圧と膜成長率との間に
はエピタキシャルの方から知られている依存関係が生
じ、つまり圧力減少に伴なって成長率が単調に低下す
る。
II−Ｖ化合物半導体の製造に、たがまたII−VI族混晶の
製造にも適用された。その際普通反応管内の全圧は100
乃至1000mbarに設定され、代表的には１μm/h乃至最高3
0μm/hの成長率が達成された。全圧と膜成長率との間に
はエピタキシャルの方から知られている依存関係が生
じ、つまり圧力減少に伴なって成長率が単調に低下す
る。
分圧を約1000mbar以上に高めると成長速度が本質的に
高まることはないが、しかし製造した膜の品質が劣化す
る。
高まることはないが、しかし製造した膜の品質が劣化す
る。
発明の説明 本発明は、請求の範囲１の前提部分に記載した方法を
改良し、経済的製造を可能とする大きな成長率で、引続
き良好な品質を有する均一な混晶を製造できるようにす
ることを課題とする。
改良し、経済的製造を可能とする大きな成長率で、引続
き良好な品質を有する均一な混晶を製造できるようにす
ることを課題とする。
この課題の本発明による解決法がその諸展開と共に請
求の範囲に明示してある。
求の範囲に明示してある。
請求の範囲１の前提部分に記載した方法では意外なこ
とに反応管内の全圧を、従来一般に全圧下限値とされて
きたものよりかなり低い値に低減することにより、類概
念に記載した方法で従来達成可能であった値の10乗以上
の値に至るまでの広い範囲にわたって変更可能な成長率
が得られる。
とに反応管内の全圧を、従来一般に全圧下限値とされて
きたものよりかなり低い値に低減することにより、類概
念に記載した方法で従来達成可能であった値の10乗以上
の値に至るまでの広い範囲にわたって変更可能な成長率
が得られる。
しかし格別意外なのは、恐らく別の熱力学的、熱速度
的挙動に基いて、全圧の低下に伴なって成長率が上昇す
ることである。代表的には、全圧を約80mbar乃至約1mba
r間で変えることにより成長率は約１μm/h乃至約500μm
/h間で変えることができる。
的挙動に基いて、全圧の低下に伴なって成長率が上昇す
ることである。代表的には、全圧を約80mbar乃至約1mba
r間で変えることにより成長率は約１μm/h乃至約500μm
/h間で変えることができる。
本発明方法の利点は混晶、例えばIII−Ｖ族半導体混
晶の経済的製造を可能とする高い成長率を達成できるこ
とだけではない。本発明方法は薄膜の製造に適している
だけでなく、この薄膜を蒸着する基板の製造にも適して
いる。従って基板の製造が機械加工なしに可能となるの
で、InGaAs等のごく敏感な系も本発明方法で経済的に製
造することができる。
晶の経済的製造を可能とする高い成長率を達成できるこ
とだけではない。本発明方法は薄膜の製造に適している
だけでなく、この薄膜を蒸着する基板の製造にも適して
いる。従って基板の製造が機械加工なしに可能となるの
で、InGaAs等のごく敏感な系も本発明方法で経済的に製
造することができる。
更に、本発明方法で得られる膜はきわめて均一であ
り、電気的・光学的性質に優れている。優れた形態学的
性質、特に鏡面が得られる。
り、電気的・光学的性質に優れている。優れた形態学的
性質、特に鏡面が得られる。
更に本発明方法は収率が高く、ガス特に有害ガスの使
用量を本質的に減らすことができる。これにより膜製造
時安全性が高まり、同時に経費が一層低減する。
用量を本質的に減らすことができる。これにより膜製造
時安全性が高まり、同時に経費が一層低減する。
本発明方法では、既に述べたように、全圧を約20乗変
更することにより成長率を約30乗変更することができ
る。本発明方法では更に全圧を本発明に係る範囲内で一
定に保って別のパラメータを変えることによりやはり広
い範囲にわたって成長率を変更することができる。これ
により成長率のごく正確な調整が可能となるので、この
点は実際上極めて重要である。
更することにより成長率を約30乗変更することができ
る。本発明方法では更に全圧を本発明に係る範囲内で一
定に保って別のパラメータを変えることによりやはり広
い範囲にわたって成長率を変更することができる。これ
により成長率のごく正確な調整が可能となるので、この
点は実際上極めて重要である。
その例が請求の範囲2,4に明示してある。
本発明により例えばHCl分圧は約５・10-6乃至約５・1
0-3bar間で変更することができる。これにより成長速度
は全圧一定のとき10倍以上変更することができる（請求
の範囲２）。
0-3bar間で変更することができる。これにより成長速度
は全圧一定のとき10倍以上変更することができる（請求
の範囲２）。
請求の範囲１の前提部分に記載した方法では、請求の
範囲３に明示したように１種又は複数種のＶ族元素がし
ばしば水素化合物として供給される。
範囲３に明示したように１種又は複数種のＶ族元素がし
ばしば水素化合物として供給される。
請求の範囲４に明示したようにこの場合水素化合物と
して依存するＶ族元素の分圧は約10-4乃至10-2bar間で
変更することができ、これにより20乗以上の成長速度の
変更が得られる。
して依存するＶ族元素の分圧は約10-4乃至10-2bar間で
変更することができ、これにより20乗以上の成長速度の
変更が得られる。
本発明方法はIII−Ｖ族混晶の製造に適し、II−VI族
混晶の製造にも適している。
混晶の製造にも適している。
III−Ｖ族混晶の場合、源から反応する単数又は複数
の成分が１種成分又は複数種のIII族元素であるのが好
ましい。
の成分が１種成分又は複数種のIII族元素であるのが好
ましい。
Ｖ族元素としてガリウム（請求の範囲６）を使用する
場合、源の温度は代表的には600乃至750℃とすることが
できる。
場合、源の温度は代表的には600乃至750℃とすることが
できる。
しかし格別意外なのは、本発明プロセス操作ではキャ
リヤガスとして水素（H2）に代え窒素（N2）又は貴ガス
（ヘリウム、アルゴン）も使用することができる。その
原因は、本発明プロセス操作により、析出過程に影響す
る化学反応が変化し、エピタキシャル成長の間水素に代
え別のガスが使用できるようになることにある。
リヤガスとして水素（H2）に代え窒素（N2）又は貴ガス
（ヘリウム、アルゴン）も使用することができる。その
原因は、本発明プロセス操作により、析出過程に影響す
る化学反応が変化し、エピタキシャル成長の間水素に代
え別のガスが使用できるようになることにある。
これにより生産プロセスに使用するうえで基本的利点
が数多く得られる。
が数多く得られる。
キャリヤガスとしての水素を省くことにより酸水素反
応がもはや起き得なくなり、その結果系の安全性が数乗
高まりまた特にプロセス操作が爆発性ではなくなる。
応がもはや起き得なくなり、その結果系の安全性が数乗
高まりまた特にプロセス操作が爆発性ではなくなる。
高純度水素は窒素より本質的に高いので、水素に代え
N2を使用することでキャリヤガス（ガス消費量の99％）
の消費を極端に減らすことができる。
N2を使用することでキャリヤガス（ガス消費量の99％）
の消費を極端に減らすことができる。
形態学的性質、つまり鏡面をそのまま良好に維持し、
例えばGaAsの製造において成長率はキャリヤガスとして
窒素を使用すると水素使用の場合より約10％高くなる。
同時に不純物の発生がほぼ10乗低下し、背景ドーピング
が1013cm-3程度となり、電荷担体の移動度が適宜に上昇
する。
例えばGaAsの製造において成長率はキャリヤガスとして
窒素を使用すると水素使用の場合より約10％高くなる。
同時に不純物の発生がほぼ10乗低下し、背景ドーピング
が1013cm-3程度となり、電荷担体の移動度が適宜に上昇
する。
図面の簡単な説明 以下図面を参照に本発明の１実施例を詳しく説明す
る。
る。
第１図は本発明方法を実施する反応管。第２図は成長
率と全圧との関係。
率と全圧との関係。
第３図は成長率とHCl分圧との関係。
第４図は成長率とAsH3分圧との関係。
実施例の説明 以下、一般的発明思想を制限することなくGaAs膜の製
造を例に本発明方法を説明する。
造を例に本発明方法を説明する。
第１図は本発明方法を実施する反応管１を概略示す。
反応管１内にガリウム源２と基板３が配置してある。更
にAsH3、HCl、キャリヤガスとしてH2又はN2そして添加
ガスとしてH2Sを配量して送入するための概略図示した
送入管が設けてある。本発明方法は特殊な配量に依存し
ておらず、以下の記載は単なる１例と理解すべきである
ことをはっきり指摘しておく。
反応管１内にガリウム源２と基板３が配置してある。更
にAsH3、HCl、キャリヤガスとしてH2又はN2そして添加
ガスとしてH2Sを配量して送入するための概略図示した
送入管が設けてある。本発明方法は特殊な配量に依存し
ておらず、以下の記載は単なる１例と理解すべきである
ことをはっきり指摘しておく。
類似の結果は例えば添加ガスとしてジェチル亜鉛を使
用するときにも得られよう。
用するときにも得られよう。
個々の要素の配置に応じて反応管１は周知の如く温度
TSの源帯域Ｑと温度TDの基板帯域Ｓを有する。この帯域
内の個々のガス流を第１図からごく大まかに読取ること
ができる。
TSの源帯域Ｑと温度TDの基板帯域Ｓを有する。この帯域
内の個々のガス流を第１図からごく大まかに読取ること
ができる。
第２図は、成長率ｒ［μm/h］を全圧Ptot［Pa（105pa
＝1bar）］の関数として示し、パラメータの選択は 源の温度TS＝973K 基板の温度TD＝973K 分圧PHCl＝100Pa 分圧PASH3＝200Paである。
＝1bar）］の関数として示し、パラメータの選択は 源の温度TS＝973K 基板の温度TD＝973K 分圧PHCl＝100Pa 分圧PASH3＝200Paである。
第２図からわかるように、従来一般的な全圧Ptot10
0mbar（＝104Pa）では成長率ｒが圧力上昇に伴なって低
下する。全体として、圧力が10乗上昇すると成長速度も
10乗高まる。
0mbar（＝104Pa）では成長率ｒが圧力上昇に伴なって低
下する。全体として、圧力が10乗上昇すると成長速度も
10乗高まる。
約100mbarのとき成長速度は１乃至２μm/hであり、特
に工業的に使用するにはきわめて小さい値である。それ
故過去には約100mbar以下の全圧は考慮に入れられてい
ない。
に工業的に使用するにはきわめて小さい値である。それ
故過去には約100mbar以下の全圧は考慮に入れられてい
ない。
しかし本発明により100mbar以下の圧力でも意外なこ
とに成長速度が負の圧力係数で再び急激に上昇すること
が認められた。100mbar以下の圧力で初めて成長率ｒは
飽和値に移行し、これは圧力が約1bar程度のときの最高
成長率より代表的には約10乗高い。
とに成長速度が負の圧力係数で再び急激に上昇すること
が認められた。100mbar以下の圧力で初めて成長率ｒは
飽和値に移行し、これは圧力が約1bar程度のときの最高
成長率より代表的には約10乗高い。
本発明によれば成長率又は成長速度ｒは、全圧の変更
によってだけでなく、本発明により選定した範囲内で全
圧を一定させ分圧を変更することによっても広い範囲に
わたって変更することができる。
によってだけでなく、本発明により選定した範囲内で全
圧を一定させ分圧を変更することによっても広い範囲に
わたって変更することができる。
第3,4図がその例を示す。両方の例において以下のパ
ラメータは共通する。
ラメータは共通する。
TD＝973K、TS＝973K、Ptot＝10mbar 第３図に示した例では成長率ｒがHCl分圧の関数、第
４図に示した例ではAsH3分圧の関数として記入してあ
る。両図には更にAsH3の体積流範囲Ｑ［ml/min］とその
都度一定に保った分圧が挙げてある。
４図に示した例ではAsH3分圧の関数として記入してあ
る。両図には更にAsH3の体積流範囲Ｑ［ml/min］とその
都度一定に保った分圧が挙げてある。
第3,4図からわかるように、本発明によれば全圧をご
く小さな例えば10mbarで一定させ且つ温度を一定させた
場合でも成長率ｒは約30乗の範囲にわたって変更するこ
とができる。例えば上掲パラメータのとき以下の値が得
られる。
く小さな例えば10mbarで一定させ且つ温度を一定させた
場合でも成長率ｒは約30乗の範囲にわたって変更するこ
とができる。例えば上掲パラメータのとき以下の値が得
られる。
PHCl PASH3 成長率 10-5bar 0.275・10-3bar 1.6μm/h 10-3bar 2.0 ・10-3bar 277μm/h この数値はキャリアガスとして水素（H2）を使用した
場合のものである。キャリアガスとして窒素N2を使用す
ることにより、特にGaAsを製造する場合成長率を更に約
10％高めることができる。同時に不純物の発生がほぼ10
乗減少し、従って達成可能な背景ドーピングは1013cm-3
程度である。それに応じて電荷担体の移動度が上昇す
る。
場合のものである。キャリアガスとして窒素N2を使用す
ることにより、特にGaAsを製造する場合成長率を更に約
10％高めることができる。同時に不純物の発生がほぼ10
乗減少し、従って達成可能な背景ドーピングは1013cm-3
程度である。それに応じて電荷担体の移動度が上昇す
る。
ヘリウムやアルゴン等の不活性ガスをキャリアガスと
して使用する場合にも同様の結果を達成することができ
る。
して使用する場合にも同様の結果を達成することができ
る。
以上実施例に基づき、一般的発明思想を制限すること
なく本発明を説明したが、その枠内で各種の変形態様も
勿論可能である。
なく本発明を説明したが、その枠内で各種の変形態様も
勿論可能である。
本発明により処理する際の全圧は、従来の圧力範囲で
処理した場合２μm/h未満の成長率が得られたような値
より少なくとも２乃至３乗低い。この値はGaAsの場合約
100mbarであり、その他の膜系では当然異なることがあ
る。更に、III−Ｖ化合物半導体だけでなくII−VI族混
晶も製造することができる。更に、本発明方法でもって
二成分混晶の外、三成分混晶又は四成分混晶も蒸着する
ことができる。
処理した場合２μm/h未満の成長率が得られたような値
より少なくとも２乃至３乗低い。この値はGaAsの場合約
100mbarであり、その他の膜系では当然異なることがあ
る。更に、III−Ｖ化合物半導体だけでなくII−VI族混
晶も製造することができる。更に、本発明方法でもって
二成分混晶の外、三成分混晶又は四成分混晶も蒸着する
ことができる。
いずれにしても本発明方法により得られる膜は品質に
優れ、付加的利点として、膜又は膜系の厚さが多種多様
である部品を工業的に作製する場合大きな設備費を必要
とすることなく成長率を容易に調整することができる。
更に本発明方法は効率がきわめて高く、これに応じて材
料使用量が減少する。成長速度が高いので薄膜の製造だ
けでなく基板の製造も可能となり、本発明方法は複雑な
膜及び基板系の製造にも適している。
優れ、付加的利点として、膜又は膜系の厚さが多種多様
である部品を工業的に作製する場合大きな設備費を必要
とすることなく成長率を容易に調整することができる。
更に本発明方法は効率がきわめて高く、これに応じて材
料使用量が減少する。成長速度が高いので薄膜の製造だ
けでなく基板の製造も可能となり、本発明方法は複雑な
膜及び基板系の製造にも適している。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 バルク ピーター ドイツ連邦共和国 5100 アーヘン ポ ンムロッター ヴェック 43 (56)参考文献 特開 昭56−98823（ＪＰ，Ａ) 仏国特許公開2501908（ＦＲ，Ａ)
Claims (8)
- 【請求項１】反応管内で混晶の少なくとも１成分を源か
ら水素・塩素化合物とキャリヤガスとを含有する気相に
変換し、別の１種又は複数種の混晶成分と混合し、基板
へと輸送して基板上に沈殿させる、混晶特にIII−Ｖ化
合物半導体を製造する方法において、成長率を約１μm/
h乃至約500μm/h間で変更するため全圧を約80mbar乃至
約1mbar間で変更することを特徴とする方法。 - 【請求項２】請求の範囲１記載の方法において、HCl分
圧を約５・10-6bar乃至約５・10-3bar間で変更すること
を特徴とする方法。 - 【請求項３】請求の範囲１又は２記載の方法において、
水素化合物として１種又は複数種のＶ族元素を添加する
ことを特徴とする方法。 - 【請求項４】請求の範囲１乃至３のいずれか１項記載の
方法において、水素化合物として依存するＶ族元素の分
圧を約10-4bar乃至10-2bar間で変更することを特徴とす
る方法。 - 【請求項５】請求の範囲１乃至４のいずれか１項記載の
方法において、源から蒸発させる成分がIII族元素であ
ることを特徴とする方法。 - 【請求項６】請求の範囲５記載の方法において、元素が
ガリウムであることを特徴する方法。 - 【請求項７】請求の範囲１乃至６のいずれか１項記載の
方法において、源の温度が約700℃であることを特徴と
する方法。 - 【請求項８】請求の範囲１乃至７のいずれか１項記載の
方法において、キャリヤガスがN2であることを特徴とす
る方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3721638.4 | 1987-06-30 | ||
| DE19873721638 DE3721638A1 (de) | 1987-06-30 | 1987-06-30 | Materialsparendes verfahren zur herstellung von mischkristallen |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01503742A JPH01503742A (ja) | 1989-12-14 |
| JP2601712B2 true JP2601712B2 (ja) | 1997-04-16 |
Family
ID=6330612
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63505417A Expired - Lifetime JP2601712B2 (ja) | 1987-06-30 | 1988-06-30 | 混晶を製造する材料節約式方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0324812B1 (ja) |
| JP (1) | JP2601712B2 (ja) |
| AT (1) | ATE80498T1 (ja) |
| DE (2) | DE3721638A1 (ja) |
| WO (1) | WO1989000335A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4310002C1 (de) * | 1993-03-27 | 1994-04-21 | Kellermann Fa Rudolf | Schallentkoppelndes Verbindungselement |
| DE10124609B4 (de) | 2001-05-17 | 2012-12-27 | Aixtron Se | Verfahren zum Abscheiden aktiver Schichten auf Substraten |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL292373A (ja) * | 1962-07-09 | |||
| US3925119A (en) * | 1973-05-07 | 1975-12-09 | Ibm | Method for vapor deposition of gallium arsenide phosphide upon gallium arsenide substrates |
| FR2356271A1 (fr) * | 1976-02-06 | 1978-01-20 | Labo Electronique Physique | Croissance acceleree en phase vapeur |
| FR2501908B2 (fr) * | 1981-03-11 | 1990-08-17 | Labo Electronique Physique | Croissance epitaxiale acceleree en phase vapeur, sous pression reduite |
-
1987
- 1987-06-30 DE DE19873721638 patent/DE3721638A1/de not_active Withdrawn
-
1988
- 1988-06-30 EP EP88905675A patent/EP0324812B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1988-06-30 AT AT88905675T patent/ATE80498T1/de active
- 1988-06-30 DE DE8888905675T patent/DE3874513D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1988-06-30 JP JP63505417A patent/JP2601712B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1988-06-30 WO PCT/DE1988/000401 patent/WO1989000335A1/de active IP Right Grant
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| ATE80498T1 (de) | 1992-09-15 |
| WO1989000335A1 (en) | 1989-01-12 |
| EP0324812B1 (de) | 1992-09-09 |
| DE3874513D1 (de) | 1992-10-15 |
| EP0324812A1 (de) | 1989-07-26 |
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