JP2599226Y2 - 光送信モジュール - Google Patents
光送信モジュールInfo
- Publication number
- JP2599226Y2 JP2599226Y2 JP1992036571U JP3657192U JP2599226Y2 JP 2599226 Y2 JP2599226 Y2 JP 2599226Y2 JP 1992036571 U JP1992036571 U JP 1992036571U JP 3657192 U JP3657192 U JP 3657192U JP 2599226 Y2 JP2599226 Y2 JP 2599226Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- light emitting
- optical transmission
- transmission module
- electronic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本考案は、光送信モジュールの構
造に関するものである。
造に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、この種の光送信モジュールは、例
えば、文献:「電子情報通信学会1989年秋季全国大会予
稿集、SC-8-2 」に開示されたものがある。この文献に開
示のモジュールは、発光素子としての半導体レーザ素子
(以下、LDと称す)と、電子素子としてLDの駆動用
IC(以下、駆動ICと称す)を載せた基板と、それら
を恒温に保つペルチェ素子等の電子冷却手段を収容する
パッケージと、光の射出するパッケージの部分と、電気
信号を入力する入力用コネクタとLDと駆動ICに電力
を供給する電源供給端子とを具えた構造になっている。
えば、文献:「電子情報通信学会1989年秋季全国大会予
稿集、SC-8-2 」に開示されたものがある。この文献に開
示のモジュールは、発光素子としての半導体レーザ素子
(以下、LDと称す)と、電子素子としてLDの駆動用
IC(以下、駆動ICと称す)を載せた基板と、それら
を恒温に保つペルチェ素子等の電子冷却手段を収容する
パッケージと、光の射出するパッケージの部分と、電気
信号を入力する入力用コネクタとLDと駆動ICに電力
を供給する電源供給端子とを具えた構造になっている。
【0003】この光送信モジュールは、LDと駆動IC
を同一基板上に載せ、両者を接続する配線の距離を短く
することにより、10Gb/s程度の高速光伝達用の光信号を
送信することができる。
を同一基板上に載せ、両者を接続する配線の距離を短く
することにより、10Gb/s程度の高速光伝達用の光信号を
送信することができる。
【0004】LD及び駆動ICと基板との間、および、
基板とペルチェ素子との間は、それぞれ半田により、電
気的および熱的な接続を行っている。LD及び駆動IC
で発生した熱は基板を伝わりペルチェ素子に導かれ、ペ
ルチェ素子により冷却される。ペルチェ素子は、サーミ
スタ素子等の測温素子と電子回路によるフィードバック
手段とを用いることにより、LDを恒温に保つ機能を持
たせてある。
基板とペルチェ素子との間は、それぞれ半田により、電
気的および熱的な接続を行っている。LD及び駆動IC
で発生した熱は基板を伝わりペルチェ素子に導かれ、ペ
ルチェ素子により冷却される。ペルチェ素子は、サーミ
スタ素子等の測温素子と電子回路によるフィードバック
手段とを用いることにより、LDを恒温に保つ機能を持
たせてある。
【0005】また、特開平2ー278782号公報に
は、同一ヒートシンク上に発光素子とその薄膜抵抗とを
構成している場合、薄膜抵抗から発生する熱が発光素子
に及ぼす影響をできるだけ低減する目的で、両者間のヒ
ートシンク部分に溝を形成した構成が開示されている。
は、同一ヒートシンク上に発光素子とその薄膜抵抗とを
構成している場合、薄膜抵抗から発生する熱が発光素子
に及ぼす影響をできるだけ低減する目的で、両者間のヒ
ートシンク部分に溝を形成した構成が開示されている。
【0006】また、特開平3ー245586号公報に
は、同一のパッケージに半導体レーザ装置とその駆動回
路とを搭載している構造において、半導体レーザ装置に
回り込む熱を低減するため、半導体レーザ装置と駆動回
路とに互いに熱的に分離させた放熱器を設けた構成が開
示してある。
は、同一のパッケージに半導体レーザ装置とその駆動回
路とを搭載している構造において、半導体レーザ装置に
回り込む熱を低減するため、半導体レーザ装置と駆動回
路とに互いに熱的に分離させた放熱器を設けた構成が開
示してある。
【0007】
【考案が解決しようとする課題】しかし、上述の文献開
示の従来の光送信モジュールは、LDおよび駆動ICの
発生する熱を同一のペルチェ素子を用いて冷却するた
め、両素子で発生する熱をすべて冷却する必要があっ
た。
示の従来の光送信モジュールは、LDおよび駆動ICの
発生する熱を同一のペルチェ素子を用いて冷却するた
め、両素子で発生する熱をすべて冷却する必要があっ
た。
【0008】一般に、この様な用途に用いられるLDお
よび駆動ICの発熱量は、それぞれ0.5W程度および
2.0W程度である。従って、これらの素子を冷却する
ために、ペルチェ素子は2.5W程度の冷却能力が必要
となる。この値は、駆動ICを内蔵しない一般のLDモ
ジュールに要求される冷却能力に比べて非常に高く、ペ
ルチェ素子の冷却能力の限界値に近い。
よび駆動ICの発熱量は、それぞれ0.5W程度および
2.0W程度である。従って、これらの素子を冷却する
ために、ペルチェ素子は2.5W程度の冷却能力が必要
となる。この値は、駆動ICを内蔵しない一般のLDモ
ジュールに要求される冷却能力に比べて非常に高く、ペ
ルチェ素子の冷却能力の限界値に近い。
【0009】しかし、光送信モジュールの形状の制限が
あるので、ペルチェ素子を大型にして冷却能力を高める
ことには限界がある。このため、このような光送信モジ
ュール構造では、周辺温度が高温になった場合、LDを
恒温に保つのが難しくなるという問題点を有していた。
あるので、ペルチェ素子を大型にして冷却能力を高める
ことには限界がある。このため、このような光送信モジ
ュール構造では、周辺温度が高温になった場合、LDを
恒温に保つのが難しくなるという問題点を有していた。
【0010】また、LDおよび駆動ICを同一のペルチ
ェ素子を用いて冷却するため、ペルチェ素子が大型にな
り、光送信モジュール全体が大きくなるという問題点を
有していた。
ェ素子を用いて冷却するため、ペルチェ素子が大型にな
り、光送信モジュール全体が大きくなるという問題点を
有していた。
【0011】また、冷却する熱量がLDのみを冷却する
場合に比べて大きくなるため、ペルチェ素子の駆動電流
が大きくなるという問題点を有していた。
場合に比べて大きくなるため、ペルチェ素子の駆動電流
が大きくなるという問題点を有していた。
【0012】また、上述した特開平2−278782号
公報に開示の構成では、発光素子を積極的に冷却する特
別の冷却手段を設けていないため、発光素子の温度上昇
を効果的に抑制することが困難であった。
公報に開示の構成では、発光素子を積極的に冷却する特
別の冷却手段を設けていないため、発光素子の温度上昇
を効果的に抑制することが困難であった。
【0013】また、上述した特開平3−245586号
公報に開示の構成では半導体レーザ装置として、発光素
子と電子冷却素子とを内蔵したものを使用していると共
に、半導体レーザ装置と駆動回路とのそれぞれに放熱器
を設ける構造であるため、光送信モジュール自体が、大
型となってしまうという問題点があった。
公報に開示の構成では半導体レーザ装置として、発光素
子と電子冷却素子とを内蔵したものを使用していると共
に、半導体レーザ装置と駆動回路とのそれぞれに放熱器
を設ける構造であるため、光送信モジュール自体が、大
型となってしまうという問題点があった。
【0014】この考案の目的は、上述した問題点を除去
した優れた光送信モジュールを提供することである。
した優れた光送信モジュールを提供することである。
【0015】
【課題を解決するための手段】この目的の達成を図るた
め、この考案によれば、発光素子と電子素子とを搭載し
た基板と、この基板に固定された冷却部とを有する光送
信モジュールにおいて、冷却部が、基板に接するように
設けられるベースと、このベースを介して、基板の反対
側に配置される第1および第2のセラミック板と、これ
ら第1および第2のセラミック板の間の、電子素子で発
生する熱の伝導経路上に設けられる熱伝導手段と、第1
および第2のセラミック板の間の、電子素子で発生する
熱の伝導経路上に設けられる、発光素子を冷却して恒温
に保つための電子冷却手段とを有し、且つ、基板および
ベースは、発光素子および電子素子を搭載した面と反対
側の面に、発光素子と電子素子との熱分離を行うための
溝を形成する。
め、この考案によれば、発光素子と電子素子とを搭載し
た基板と、この基板に固定された冷却部とを有する光送
信モジュールにおいて、冷却部が、基板に接するように
設けられるベースと、このベースを介して、基板の反対
側に配置される第1および第2のセラミック板と、これ
ら第1および第2のセラミック板の間の、電子素子で発
生する熱の伝導経路上に設けられる熱伝導手段と、第1
および第2のセラミック板の間の、電子素子で発生する
熱の伝導経路上に設けられる、発光素子を冷却して恒温
に保つための電子冷却手段とを有し、且つ、基板および
ベースは、発光素子および電子素子を搭載した面と反対
側の面に、発光素子と電子素子との熱分離を行うための
溝を形成する。
【0016】
【作用】この考案の光送信モジュールは、発光素子で発
生する熱と電子素子で発生する熱を分離して伝導させ、
発光素子で発生する熱の伝導経路にのみ、電子冷却素子
を設け、発光素子のみを電子冷却素子で冷却することに
より、発光素子を恒温に保つことができる。
生する熱と電子素子で発生する熱を分離して伝導させ、
発光素子で発生する熱の伝導経路にのみ、電子冷却素子
を設け、発光素子のみを電子冷却素子で冷却することに
より、発光素子を恒温に保つことができる。
【0017】
【実施例】以下、図面を参照し、この考案の実施例につ
いて説明する。なお、図はこの考案が理解できる程度に
各構成成分の大きさ、形状および配置関係を概略的に示
してあるに過ぎず、従って、この考案を図示例に限定す
るものではない。
いて説明する。なお、図はこの考案が理解できる程度に
各構成成分の大きさ、形状および配置関係を概略的に示
してあるに過ぎず、従って、この考案を図示例に限定す
るものではない。
【0018】図1は、この考案の光送信モジュールの一
実施例を示す構造図である。先ず、この考案において
は、発光素子として例えば、半導体レーザ(以下、LD
と称す)10および電子素子として例えば、LDの駆動
用IC(以下、駆動ICと称す)12を搭載した基板1
4を具えている。さらに、この基板14に固定した冷却
部50を具えている。さらに、この考案の光送信モジュ
ールは、基板14の、LD10と駆動IC12とを搭載
している部分の間の領域に、これら両素子で発生する熱
の伝導経路を分離する溝、即ち、この実施例では切り込
み20を具えた構造となっている。
実施例を示す構造図である。先ず、この考案において
は、発光素子として例えば、半導体レーザ(以下、LD
と称す)10および電子素子として例えば、LDの駆動
用IC(以下、駆動ICと称す)12を搭載した基板1
4を具えている。さらに、この基板14に固定した冷却
部50を具えている。さらに、この考案の光送信モジュ
ールは、基板14の、LD10と駆動IC12とを搭載
している部分の間の領域に、これら両素子で発生する熱
の伝導経路を分離する溝、即ち、この実施例では切り込
み20を具えた構造となっている。
【0019】そして、この考案の光送信モジュールは、
上述した駆動IC12で発生する熱の伝導経路に設けた
熱伝導手段としての銅等の高熱伝導性金属ブロック(以
下、銅ブロックと称す)22と、上述した発光素子10
で発生する熱の伝導経路にのみ設けられ、この発光素子
10を冷却して恒温に保つための電子冷却素子としてペ
ルチェ素子18のみを具えた構造となっている。
上述した駆動IC12で発生する熱の伝導経路に設けた
熱伝導手段としての銅等の高熱伝導性金属ブロック(以
下、銅ブロックと称す)22と、上述した発光素子10
で発生する熱の伝導経路にのみ設けられ、この発光素子
10を冷却して恒温に保つための電子冷却素子としてペ
ルチェ素子18のみを具えた構造となっている。
【0020】このような構造において、この実施例で
は、この基板14の同一平面上に、両素子10および1
2を接近させて並べて半田付け等の手段を用いて固定し
てある。そして、ワイヤボンディング16等の手段を用
いて直接配線してある。
は、この基板14の同一平面上に、両素子10および1
2を接近させて並べて半田付け等の手段を用いて固定し
てある。そして、ワイヤボンディング16等の手段を用
いて直接配線してある。
【0021】基板14は、好ましくは、窒化アルミ等の
高熱伝導性材料を用いた絶縁基板または、銅などの高熱
伝導性の金属板上にセラミック等の絶縁性材料を固定し
たものが良い。基板14には、LD10と駆動IC12
に入力コネクタ24からの電力を供給する、金属泊等で
形成した高周波線路パターン(以下、ストリップライン
と称す)26を設けあり、このストリップライン26と
電子素子としての駆動IC12はワイヤボンディング1
6等の手段を用いて配線してある。
高熱伝導性材料を用いた絶縁基板または、銅などの高熱
伝導性の金属板上にセラミック等の絶縁性材料を固定し
たものが良い。基板14には、LD10と駆動IC12
に入力コネクタ24からの電力を供給する、金属泊等で
形成した高周波線路パターン(以下、ストリップライン
と称す)26を設けあり、このストリップライン26と
電子素子としての駆動IC12はワイヤボンディング1
6等の手段を用いて配線してある。
【0022】この実施例では、基板14を金属等で出来
た板状のベース28の一方の表面に搭載し、この搭載面
と同一平面上に、基板14と基板上のLD10の発光部
に光軸を合わせた第一レンズ30を嵌めた第一レンズ固
定部品32を載せる。また、この実施例では、好ましく
は、基板14とベース26の間は半田付け等の手段を用
いて接続し、また、第一レンズ固定部品32とベース2
8との間はYAGレーザ溶接等の手段を用いて接続する
のが良い。このように構成すると、LD10から射出さ
れたレーザ光は、第一レンズ30、射出窓34、光アイ
ソレータ36、第二レンズ38を通り、光ファイバ4
0、に入射する。
た板状のベース28の一方の表面に搭載し、この搭載面
と同一平面上に、基板14と基板上のLD10の発光部
に光軸を合わせた第一レンズ30を嵌めた第一レンズ固
定部品32を載せる。また、この実施例では、好ましく
は、基板14とベース26の間は半田付け等の手段を用
いて接続し、また、第一レンズ固定部品32とベース2
8との間はYAGレーザ溶接等の手段を用いて接続する
のが良い。このように構成すると、LD10から射出さ
れたレーザ光は、第一レンズ30、射出窓34、光アイ
ソレータ36、第二レンズ38を通り、光ファイバ4
0、に入射する。
【0023】既に説明した通り、この考案の光送信モジ
ュールでは、LD10と駆動IC12で発生する熱を分
離して個別に伝導させるために、基板14のベース28
側とベース28の、両素子の10および12間の領域に
対応する部分に、切り込み20を設けてある。
ュールでは、LD10と駆動IC12で発生する熱を分
離して個別に伝導させるために、基板14のベース28
側とベース28の、両素子の10および12間の領域に
対応する部分に、切り込み20を設けてある。
【0024】また、冷却部50は、一般に知られている
珪素等の半導体セルを用いた電子冷却素子であるペルチ
ェ素子18の部分と、熱伝導手段としての、銅ブロック
22を用いた部分とに分かれている。ペルチェ素子18
の部分と銅ブロック22部分を、この実施例では、それ
ぞれセラミック板等の板(以下、セラミック板と称す)
42により上下を固定する。ベース28はペルチェ素子
18の上に載せ、半田付け等の手段を用いて両者間を接
続する。冷却素子のペルチェ素子18の部分と銅ブロッ
ク22部分は、それぞれ基板14のLD10を固定して
いる部分と駆動IC12を固定している部分に対応して
設けてある。そして、ペルチェ素子18部分と銅ブロッ
ク22部分の境目は基板14とベース28の切り込み2
0に対応している。ペルチェ素子18の下側のセラミッ
ク板42の下面は半田付け等の手段を用いてパッケージ
44に接続されている。
珪素等の半導体セルを用いた電子冷却素子であるペルチ
ェ素子18の部分と、熱伝導手段としての、銅ブロック
22を用いた部分とに分かれている。ペルチェ素子18
の部分と銅ブロック22部分を、この実施例では、それ
ぞれセラミック板等の板(以下、セラミック板と称す)
42により上下を固定する。ベース28はペルチェ素子
18の上に載せ、半田付け等の手段を用いて両者間を接
続する。冷却素子のペルチェ素子18の部分と銅ブロッ
ク22部分は、それぞれ基板14のLD10を固定して
いる部分と駆動IC12を固定している部分に対応して
設けてある。そして、ペルチェ素子18部分と銅ブロッ
ク22部分の境目は基板14とベース28の切り込み2
0に対応している。ペルチェ素子18の下側のセラミッ
ク板42の下面は半田付け等の手段を用いてパッケージ
44に接続されている。
【0025】次に、LD10と駆動IC12で発生する
熱の流れを以下に説明する。
熱の流れを以下に説明する。
【0026】LD10で発生した熱は、基板14からベ
ース28、冷却素子のペルチェ素子18の部分を通り、
パッケージ44に流れる。一方、駆動IC12で発生し
た熱は、基板14からベース28、冷却素子の銅ブロッ
ク22部分を通り、パッケージ44に流れる。
ース28、冷却素子のペルチェ素子18の部分を通り、
パッケージ44に流れる。一方、駆動IC12で発生し
た熱は、基板14からベース28、冷却素子の銅ブロッ
ク22部分を通り、パッケージ44に流れる。
【0027】このように、LD10で発生した熱と駆動
IC12で発生した熱は、基板14とベース28にある
切り込み20と冷却素子のペルチェ素子18の部分と銅
ブロック22部分により、相互の干渉がなく、伝導経路
が分離されている。このため、ペルチェ素子18はLD
10の発熱分のみを冷却すれば良い。この構造では駆動
IC12を恒温に保つ機能はないが、一般にこのような
ICは内部に温度補正機能があるため、実用上問題な
い。
IC12で発生した熱は、基板14とベース28にある
切り込み20と冷却素子のペルチェ素子18の部分と銅
ブロック22部分により、相互の干渉がなく、伝導経路
が分離されている。このため、ペルチェ素子18はLD
10の発熱分のみを冷却すれば良い。この構造では駆動
IC12を恒温に保つ機能はないが、一般にこのような
ICは内部に温度補正機能があるため、実用上問題な
い。
【0028】また、上述した実施例では、ペルチェ素子
18と銅ブロック22と並置させて設けてあり、しか
も、銅ブロック22を基板下側全面に設けていないので
モジュール全体を小型化することができる。
18と銅ブロック22と並置させて設けてあり、しか
も、銅ブロック22を基板下側全面に設けていないので
モジュール全体を小型化することができる。
【0029】以上の説明は、半導体レーザの代わりに発
光ダイオードを用いた場合も、駆動ICの代わりに個別
素子による電子回路を用いた場合も同様である。また、
レンズ系の構成とアイソレータの形状、その有無、及び
取り付け位置等は、本実施例に限定されない。また、モ
ジュール各部の固定手段は、本実施例に説明した半田付
け、YAGレーザ溶接の手段以外にも、接着剤等の樹脂
を用いた場合も同様である。また、電子素子で発生した
熱の熱伝導手段は、本実施例に説明した銅ブロック以外
の手段にも、窒素アルミ等の高熱伝導性材料を用いた場
合も同様である。
光ダイオードを用いた場合も、駆動ICの代わりに個別
素子による電子回路を用いた場合も同様である。また、
レンズ系の構成とアイソレータの形状、その有無、及び
取り付け位置等は、本実施例に限定されない。また、モ
ジュール各部の固定手段は、本実施例に説明した半田付
け、YAGレーザ溶接の手段以外にも、接着剤等の樹脂
を用いた場合も同様である。また、電子素子で発生した
熱の熱伝導手段は、本実施例に説明した銅ブロック以外
の手段にも、窒素アルミ等の高熱伝導性材料を用いた場
合も同様である。
【0030】
【考案の効果】上述した説明からも明らかなように、
この考案によれば以下の効果が期待できる。
この考案によれば以下の効果が期待できる。
【0031】発光素子のみを電子冷却素子を用いて冷却
するため、電子冷却素子に要求される冷却能力は、従来
例よりも低くなる。このため、例えば、電子冷却素子と
してペルチェ素子を使用したとき、ペルチェ素子に要求
される冷却能力に余裕ができ、周囲の温度の変化に関係
なく発光素子を恒温に保つことが容易になる。
するため、電子冷却素子に要求される冷却能力は、従来
例よりも低くなる。このため、例えば、電子冷却素子と
してペルチェ素子を使用したとき、ペルチェ素子に要求
される冷却能力に余裕ができ、周囲の温度の変化に関係
なく発光素子を恒温に保つことが容易になる。
【0032】また、発光素子のみを電子冷却素子を用い
て冷却するため、電子冷却素子が小型になり、光送信モ
ジュール全体の大きさを従来より小さくすることができ
る。
て冷却するため、電子冷却素子が小型になり、光送信モ
ジュール全体の大きさを従来より小さくすることができ
る。
【0033】また、発光素子のみを電子冷却素子を用い
て冷却するため、電子冷却素子の素子の駆動電流を従来
より小さくすることができる。
て冷却するため、電子冷却素子の素子の駆動電流を従来
より小さくすることができる。
【0034】また、熱伝導手段を基板下側全面に設けず
に電子冷却素子と熱伝導手段とを並置させているので、
モジュール自体を小型化することができる。
に電子冷却素子と熱伝導手段とを並置させているので、
モジュール自体を小型化することができる。
【図1】(A)は、この考案の光送信モジュールの平面
図である。(B)は、この考案の光送信モジュールの側
面図である。(C)は、(A)の平面図I−Iの断面図
である。
図である。(B)は、この考案の光送信モジュールの側
面図である。(C)は、(A)の平面図I−Iの断面図
である。
10:LD 12:駆動IC 14:基板 50:冷却部 16:ワイヤボンディング 24:入力コネクタ 26:ストリップライン 28:ベース 30:第一レンズ 32:第一レンズ固定部品 34:射出窓 36:光アイソレータ 38:第二レンズ 40:光ファイバ 18:ペルチェ素子 20:切り込み 22:銅ブロック 42:セラミック板 44:パッケージ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平3−296288(JP,A) 特開 平3−63610(JP,A) 特開 平2−278782(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G02B 6/42 H01S 3/18
Claims (1)
- 【請求項1】 発光素子と電子素子とを搭載した基板
と、この基板に固定された冷却部とを有する光送信モジ
ュールにおいて、 前記冷却部が、前記基板に接するように設けられるベー
スと、 このベースを介して、前記基板の反対側に配置される第
1および第2のセラミック板と、 これら第1および第2のセラミック板の間の、前記電子
素子で発生する熱の伝導経路上に設けられる熱伝導手段
と、 前記第1および第2のセラミック板の間の、前記電子素
子で発生する熱の伝導経路上に設けられる、前記発光素
子を冷却して恒温に保つための電子冷却手段とを有し、 且つ、 前記基板および前記ベースは、前記発光素子および前記
電子素子を搭載した面と反対側の面に、前記発光素子と
前記電子素子との熱分離を行うための溝を形成したもの
である、 ことを特徴とする光送信モジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1992036571U JP2599226Y2 (ja) | 1992-05-29 | 1992-05-29 | 光送信モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1992036571U JP2599226Y2 (ja) | 1992-05-29 | 1992-05-29 | 光送信モジュール |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0596810U JPH0596810U (ja) | 1993-12-27 |
JP2599226Y2 true JP2599226Y2 (ja) | 1999-08-30 |
Family
ID=12473461
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1992036571U Expired - Lifetime JP2599226Y2 (ja) | 1992-05-29 | 1992-05-29 | 光送信モジュール |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2599226Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5271487B2 (ja) * | 2006-08-31 | 2013-08-21 | ダイキン工業株式会社 | 電力変換装置 |
-
1992
- 1992-05-29 JP JP1992036571U patent/JP2599226Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0596810U (ja) | 1993-12-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5032897A (en) | Integrated thermoelectric cooling | |
US6404042B1 (en) | Subcarrier and semiconductor device | |
JPH10200208A (ja) | 半導体レーザーモジュール | |
US6735353B2 (en) | Module for optical transmitter | |
CN114514663B (zh) | 具有用于高频信号传输的电子部件的壳体的基座 | |
US10236660B2 (en) | Submount, optical transmitter module, optical module, optical transmission equipment, and control method therefor | |
JP3047352B2 (ja) | 温度制御型光結合構造 | |
JP2006024623A (ja) | 光モジュール | |
JP5016197B2 (ja) | 発光素子モジュール | |
US7103284B2 (en) | Light-emitting module | |
JP2003309312A (ja) | 光モジュール | |
JP2002164485A (ja) | 半導体モジュール | |
JP2599226Y2 (ja) | 光送信モジュール | |
US20220149590A1 (en) | Optical semiconductor module | |
JPH09148675A (ja) | 光モジュールの実装構造 | |
US6747820B2 (en) | Cooling opto-electronic packages | |
JPH02306681A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
JP7466773B1 (ja) | 光モジュール | |
JP2002094170A (ja) | 光モジュール | |
JP2005093507A (ja) | 光伝送モジュール | |
JPH04243181A (ja) | 半導体レーザモジュール | |
WO2023203774A1 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
JP2003264331A (ja) | 光モジュール | |
JP2009044026A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
JPS6224730A (ja) | 光通信装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19990622 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |