JP2598209B2 - 水素を有する含フッ素アミン化合物の製造方法 - Google Patents
水素を有する含フッ素アミン化合物の製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、冷媒、発泡剤、洗浄剤
等に有用な、水素を分子内に有する含フッ素アミン化合
物の製造方法に関するものである。
等に有用な、水素を分子内に有する含フッ素アミン化合
物の製造方法に関するものである。
【０００２】冷媒、発泡剤、洗浄剤等に有用なクロロフ
ルオロカーボンは、その安定な性質のために、成層圏に
まで達してオゾン層を破壊することが明らかとなり、地
球環境保護のために全廃することが国際的に決められて
いる。さらに、クロロフルオロカーボンの代替物として
開発されているヒドロクロロフルオロカーボンについて
も、オゾン層破壊能力が存在するため、その使用が制限
される動きがある。また、開発中のヒドロフルオロカー
ボンはオゾン層の破壊はないが、地球温暖化への影響が
懸念されている。
ルオロカーボンは、その安定な性質のために、成層圏に
まで達してオゾン層を破壊することが明らかとなり、地
球環境保護のために全廃することが国際的に決められて
いる。さらに、クロロフルオロカーボンの代替物として
開発されているヒドロクロロフルオロカーボンについて
も、オゾン層破壊能力が存在するため、その使用が制限
される動きがある。また、開発中のヒドロフルオロカー
ボンはオゾン層の破壊はないが、地球温暖化への影響が
懸念されている。
【０００３】このためオゾン層の破壊がなく、かつ地球
温暖化への影響が少ない代替品の開発が要望されてお
り、炭素、フッ素、水素および窒素のみから成る化合物
が、塩素を含まないので、オゾン層の破壊能力がなく、
地球温暖化への影響が少ないと予想され期待されてい
る。本発明は、このような水素を有する含フッ素アミン
化合物の効率的な製造方法に関するものである。
温暖化への影響が少ない代替品の開発が要望されてお
り、炭素、フッ素、水素および窒素のみから成る化合物
が、塩素を含まないので、オゾン層の破壊能力がなく、
地球温暖化への影響が少ないと予想され期待されてい
る。本発明は、このような水素を有する含フッ素アミン
化合物の効率的な製造方法に関するものである。
【０００４】
【従来の技術】炭素、フッ素、水素および窒素のみから
成る化合物の製造方法は、例えばトリメチルアミン、
Ｎ，Ｎ−ジメチルエチルアミン等のアルキルアミンを電
解フッ素化してパーフルオロトリアルキルアミンを製造
する際に、副生物としてわずかに単離されたということ
が知られている程度である（Journal of Flourine Chem
istry,１７（１９８１）ｐ６５−７４ ）（ジャーナル
オブ フルオリン ケミストリ）。
成る化合物の製造方法は、例えばトリメチルアミン、
Ｎ，Ｎ−ジメチルエチルアミン等のアルキルアミンを電
解フッ素化してパーフルオロトリアルキルアミンを製造
する際に、副生物としてわずかに単離されたということ
が知られている程度である（Journal of Flourine Chem
istry,１７（１９８１）ｐ６５−７４ ）（ジャーナル
オブ フルオリン ケミストリ）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、分子内に水
素を有する含フッ素アミン化合物、特に少量の水素を分
子内に有する含フッ素アミン化合物を、効率よく高収率
で経済的に製造する方法につき鋭意研究を重ねた結果、
本発明を完成した。
素を有する含フッ素アミン化合物、特に少量の水素を分
子内に有する含フッ素アミン化合物を、効率よく高収率
で経済的に製造する方法につき鋭意研究を重ねた結果、
本発明を完成した。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、式（１）で示
される第三アミン（以下、単に第三アミンと称する）を
フッ素化し、これにより得られる塩素を有する含フッ素
アミン化合物を脱塩素水素化することを特徴とする水素
を有する含フッ素アミン化合物の製造方法である。 Ｒ1 Ｒ2 Ｒ3 Ｎ ────（１） （ただし、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 は式（２）で示される塩素
を有するアルキル基であり、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 はそれぞ
れ同じでも異なっていてもよい。） Ｃn Ｃｌm Ｈ2n+1-m ────（２） （ただし、ｎ＝１，２または３であり、またｍ＝０，
１，２または３であり、かつ式（１）のＲ1 、Ｒ2 、Ｒ
3 におけるｍの総計値は１以上である。） Ｒ5 Ｒ6 Ｒ7 Ｎ ────（３） （ただし、Ｒ5 、Ｒ6 、Ｒ7 は式（４）で示される水素
を有するフルオロアルキル基であり、Ｒ5 、Ｒ6 、Ｒ7
はそれぞれ同じでも異なっていてもよい。） Ｃn Ｈm Ｆ2n+1-m ────（４） （ただし、ｎまたはｍは式（２）と同じである。）
される第三アミン（以下、単に第三アミンと称する）を
フッ素化し、これにより得られる塩素を有する含フッ素
アミン化合物を脱塩素水素化することを特徴とする水素
を有する含フッ素アミン化合物の製造方法である。 Ｒ1 Ｒ2 Ｒ3 Ｎ ────（１） （ただし、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 は式（２）で示される塩素
を有するアルキル基であり、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 はそれぞ
れ同じでも異なっていてもよい。） Ｃn Ｃｌm Ｈ2n+1-m ────（２） （ただし、ｎ＝１，２または３であり、またｍ＝０，
１，２または３であり、かつ式（１）のＲ1 、Ｒ2 、Ｒ
3 におけるｍの総計値は１以上である。） Ｒ5 Ｒ6 Ｒ7 Ｎ ────（３） （ただし、Ｒ5 、Ｒ6 、Ｒ7 は式（４）で示される水素
を有するフルオロアルキル基であり、Ｒ5 、Ｒ6 、Ｒ7
はそれぞれ同じでも異なっていてもよい。） Ｃn Ｈm Ｆ2n+1-m ────（４） （ただし、ｎまたはｍは式（２）と同じである。）
【０００７】第三アミンは、上記式（１）で示され、具
体的には下記の化合物が挙げられる。 （ＣＨ3 ）2 ＮＣＨ2 Ｃｌ、（ＣＨ3 ）2 ＮＣＨＣ
ｌ2 、（ＣＨ3 ）2 ＮＣＣｌ3 、（ＣＨ3 ）2 ＮＣＨ2
ＣＨ2 Ｃｌ、（ＣＨ3 ）2 ＮＣＨＣｌＣＨ3 、（Ｃ
Ｈ3 ）2 ＮＣＨ2 ＣＨＣｌ2 、（ＣＨ3 ）2 ＮＣＣｌ2
ＣＨ3 、（ＣＨ3 ）2 ＮＣＨ2 ＣＨ2 ＣＨ2 Ｃｌ、（Ｃ
Ｈ3 ）2 ＮＣＨ2 ＣＨＣｌＣＨ3 、（ＣＨ3 ）2 ＮＣＨ
ＣｌＣＨ2 ＣＨ3 、（ＣＨ3 ）2 ＮＣＨ2 ＣＨ2 ＣＨＣ
ｌ2 （ＣＨ3 ）2 ＮＣＨ2 ＣＣｌ2 ＣＨ3 、（ＣＨ3 ）
2 ＮＣＣｌ2 ＣＨ2 ＣＨ3 、ＣＨ3 （Ｃ2 Ｈ5 ）ＮＣＨ
2 Ｃｌ、ＣＨ3 （Ｃ2 Ｈ5 ）ＮＣＨＣｌ2 、ＣＨ3 （Ｃ
2 Ｈ5 ）ＮＣＨ2 ＣＨ2 Ｃｌ、ＣＨ3 （Ｃ2 Ｈ5 ）ＮＣ
ＨＣｌＣＨ3 、ＣＨ3 （Ｃ2 Ｈ5 ）ＮＣＨ2 ＣＨＣ
ｌ2 、ＣＨ3 （Ｃ2 Ｈ5 ）ＮＣＣｌ2 ＣＨ3 、ＣＨ
3 （Ｃ3 Ｈ7 ）ＮＣＨ2 Ｃｌ、ＣＨ3 （Ｃ3 Ｈ7 ）ＮＣ
Ｈ2 ＣＨＣｌ2 、（Ｃ2 Ｈ5 ）2 ＮＣＨ2 ＣＨ2 Ｃｌ、
（Ｃ2 Ｈ5 ）2 ＮＣＨＣｌＣＨ3 、ＣＨ3 Ｎ（ＣＨ2 Ｃ
ｌ）2 、ＣＨ3 Ｎ（ＣＨ2 Ｃｌ）ＣＨＣｌ2 、ＣＨ3 Ｎ
（ＣＨＣｌ2 ）2 、Ｃ2 Ｈ5 Ｎ（ＣＨ2 Ｃｌ）2 、Ｃ3
Ｈ7 Ｎ（ＣＨ2 Ｃｌ）2 、（ＣＨ2 Ｃｌ）3 Ｎ等。
体的には下記の化合物が挙げられる。 （ＣＨ3 ）2 ＮＣＨ2 Ｃｌ、（ＣＨ3 ）2 ＮＣＨＣ
ｌ2 、（ＣＨ3 ）2 ＮＣＣｌ3 、（ＣＨ3 ）2 ＮＣＨ2
ＣＨ2 Ｃｌ、（ＣＨ3 ）2 ＮＣＨＣｌＣＨ3 、（Ｃ
Ｈ3 ）2 ＮＣＨ2 ＣＨＣｌ2 、（ＣＨ3 ）2 ＮＣＣｌ2
ＣＨ3 、（ＣＨ3 ）2 ＮＣＨ2 ＣＨ2 ＣＨ2 Ｃｌ、（Ｃ
Ｈ3 ）2 ＮＣＨ2 ＣＨＣｌＣＨ3 、（ＣＨ3 ）2 ＮＣＨ
ＣｌＣＨ2 ＣＨ3 、（ＣＨ3 ）2 ＮＣＨ2 ＣＨ2 ＣＨＣ
ｌ2 （ＣＨ3 ）2 ＮＣＨ2 ＣＣｌ2 ＣＨ3 、（ＣＨ3 ）
2 ＮＣＣｌ2 ＣＨ2 ＣＨ3 、ＣＨ3 （Ｃ2 Ｈ5 ）ＮＣＨ
2 Ｃｌ、ＣＨ3 （Ｃ2 Ｈ5 ）ＮＣＨＣｌ2 、ＣＨ3 （Ｃ
2 Ｈ5 ）ＮＣＨ2 ＣＨ2 Ｃｌ、ＣＨ3 （Ｃ2 Ｈ5 ）ＮＣ
ＨＣｌＣＨ3 、ＣＨ3 （Ｃ2 Ｈ5 ）ＮＣＨ2 ＣＨＣ
ｌ2 、ＣＨ3 （Ｃ2 Ｈ5 ）ＮＣＣｌ2 ＣＨ3 、ＣＨ
3 （Ｃ3 Ｈ7 ）ＮＣＨ2 Ｃｌ、ＣＨ3 （Ｃ3 Ｈ7 ）ＮＣ
Ｈ2 ＣＨＣｌ2 、（Ｃ2 Ｈ5 ）2 ＮＣＨ2 ＣＨ2 Ｃｌ、
（Ｃ2 Ｈ5 ）2 ＮＣＨＣｌＣＨ3 、ＣＨ3 Ｎ（ＣＨ2 Ｃ
ｌ）2 、ＣＨ3 Ｎ（ＣＨ2 Ｃｌ）ＣＨＣｌ2 、ＣＨ3 Ｎ
（ＣＨＣｌ2 ）2 、Ｃ2 Ｈ5 Ｎ（ＣＨ2 Ｃｌ）2 、Ｃ3
Ｈ7 Ｎ（ＣＨ2 Ｃｌ）2 、（ＣＨ2 Ｃｌ）3 Ｎ等。
【０００８】本発明は上記第三アミンをフッ素化して、
塩素を有する含フッ素アミン化合物を得る第一工程と、
次いで、第一工程で得られた塩素を有する含フッ素アミ
ン化合物を脱塩素水素化して、水素を有する含フッ素ア
ミン化合物を得る第二工程からなる。
塩素を有する含フッ素アミン化合物を得る第一工程と、
次いで、第一工程で得られた塩素を有する含フッ素アミ
ン化合物を脱塩素水素化して、水素を有する含フッ素ア
ミン化合物を得る第二工程からなる。
【０００９】〔第一工程〕第一工程において得られる、
第三アミンをフッ素化して得られる塩素を有する含フッ
素アミン化合物とは、第三アミンの総ての水素原子がフ
ッ素原子と置換したものである。第三アミンのフッ素化
方法としては、直接フッ素化法、コバルトフッ素化法、
電解フッ素化法等が挙げられるが、特にフッ素化率が高
いという点で電解フッ素化法が好ましい。
第三アミンをフッ素化して得られる塩素を有する含フッ
素アミン化合物とは、第三アミンの総ての水素原子がフ
ッ素原子と置換したものである。第三アミンのフッ素化
方法としては、直接フッ素化法、コバルトフッ素化法、
電解フッ素化法等が挙げられるが、特にフッ素化率が高
いという点で電解フッ素化法が好ましい。
【００１０】電解フッ素化法を用いた場合についての具
体的な一例を示すと、軟鋼製の電解槽中で、第三アミン
を無水フッ化水素のようなフッ素化剤に溶解し、ニッケ
ル板を電極として電解を行う。電解電圧、陽極電流密
度、電解温度等の反応条件については特に限定されるも
のではないが、電解電圧４Ｖ〜８Ｖ、陽極電流密度０．
１Ａ／ｄｍ2 〜５Ａ／ｄｍ2 、電解温度−５℃〜２０℃
が好ましい。
体的な一例を示すと、軟鋼製の電解槽中で、第三アミン
を無水フッ化水素のようなフッ素化剤に溶解し、ニッケ
ル板を電極として電解を行う。電解電圧、陽極電流密
度、電解温度等の反応条件については特に限定されるも
のではないが、電解電圧４Ｖ〜８Ｖ、陽極電流密度０．
１Ａ／ｄｍ2 〜５Ａ／ｄｍ2 、電解温度−５℃〜２０℃
が好ましい。
【００１１】第三アミンとフッ素化剤との反応系への供
給割合は、例えば、電解フッ素化法により、フッ素化剤
として無水フッ化水素を用いて、回分式でフッ素化を行
った場合を例にとると、第三アミンと無水フッ化水素の
合計量に対して、第三アミンが５〜２０ｗｔ％が好まし
い。また、直接フッ素化法、コバルトフッ素化法の場
合、第三アミンに対するフッ素化剤は、それぞれ１〜２
倍モル、５０〜１００倍モルとするのが好ましい。その
他のフッ素化の反応条件等は公知の方法に従えばよい。
給割合は、例えば、電解フッ素化法により、フッ素化剤
として無水フッ化水素を用いて、回分式でフッ素化を行
った場合を例にとると、第三アミンと無水フッ化水素の
合計量に対して、第三アミンが５〜２０ｗｔ％が好まし
い。また、直接フッ素化法、コバルトフッ素化法の場
合、第三アミンに対するフッ素化剤は、それぞれ１〜２
倍モル、５０〜１００倍モルとするのが好ましい。その
他のフッ素化の反応条件等は公知の方法に従えばよい。
【００１２】上記のようにして得た反応液には、中間生
成物である、塩素を有する含フッ素アミン化合物の他
に、ＣＦ4 、ＮＦ3 等の低沸点化合物等の副生物が存在
する。これらの不純物は、沸点差を利用した簡易蒸留法
等により簡単に分離除去することが出来るので、これら
を完全に分離することなく、第一工程の反応液を第二工
程に供給することが可能であり、この方法は精製手段を
簡略化出来る点で有利である。
成物である、塩素を有する含フッ素アミン化合物の他
に、ＣＦ4 、ＮＦ3 等の低沸点化合物等の副生物が存在
する。これらの不純物は、沸点差を利用した簡易蒸留法
等により簡単に分離除去することが出来るので、これら
を完全に分離することなく、第一工程の反応液を第二工
程に供給することが可能であり、この方法は精製手段を
簡略化出来る点で有利である。
【００１３】〔第二工程〕第二工程では、第一工程で得
られた塩素を有する含フッ素アミン化合物を脱塩素水素
化し、目的物である、水素を有する含フッ素アミン化合
物を得る。
られた塩素を有する含フッ素アミン化合物を脱塩素水素
化し、目的物である、水素を有する含フッ素アミン化合
物を得る。
【００１４】この水素を有する含フッ素アミン化合物
は、第一工程で得られた塩素を有する含フッ素アミン化
合物の総ての塩素原子が水素原子と置換されたもので、
前掲の式（３）で示される化合物であり、その具体例は
下記の通りである。 （ＣＦ3 ）2 ＮＣＦ2 Ｈ、（ＣＦ3 ）2 ＮＣＦＨ2 、
（ＣＦ3 ）2 ＮＣＨ3 、（ＣＦ3 ）2 ＮＣＦ2 ＣＦ
2 Ｈ、（ＣＦ3 ）2 ＮＣＦＨＣＦ3 、（ＣＦ3 ）2 ＮＣ
Ｆ2 ＣＦＨ2 、（ＣＦ3 ）2 ＮＣＨ2 ＣＦ3 、（Ｃ
Ｆ3 ）2 ＮＣＦ2 ＣＦ2 ＣＦ2 Ｈ、（ＣＦ3 ）2 ＮＣＦ
2 ＣＦＨＣＦ3 、（ＣＦ3 ）2 ＮＣＦＨＣＦ2 ＣＦ3、
（ＣＦ3 ）2 ＮＣＦ2 ＣＦ2 ＣＦＨ2 、（ＣＦ3 ）2 Ｎ
ＣＦ2 ＣＨ2 ＣＦ3 、（ＣＦ3 ）2 ＮＣＨ2 ＣＦ2 ＣＦ
3 、ＣＦ3 （Ｃ2 Ｆ5 ）ＮＣＦ2 Ｈ、ＣＦ3 （Ｃ
2 Ｆ5 ）ＮＣＦＨ2 、ＣＦ3 （Ｃ2 Ｆ5 ）ＮＣＦ2 ＣＦ
2 Ｈ、ＣＦ3 （Ｃ2 Ｆ5 ）ＮＣＦＨＣＦ3 、ＣＦ3 （Ｃ
2 Ｆ5 ）ＮＣＦ2 ＣＦＨ2 、ＣＦ3 （Ｃ2 Ｆ5）ＮＣＨ
2 ＣＦ3 、ＣＦ3 （Ｃ3 Ｆ7 ）ＮＣＦ2 Ｈ、ＣＦ3 （Ｃ
3 Ｆ7 ）ＮＣＦ2 ＣＦＨ2 、（Ｃ2 Ｆ5 ）2 ＮＣＦ2 Ｃ
Ｆ2 Ｈ、（Ｃ2 Ｆ5 ）2 ＮＣＦＨＣＦ3、ＣＦ3 Ｎ（Ｃ
Ｆ2 Ｈ）2 、ＣＦ3 Ｎ（ＣＦ2 Ｈ）ＣＦＨ2 、ＣＦ3 Ｎ
（ＣＦＨ2 ）2 、Ｃ2 Ｆ5 Ｎ（ＣＦ2 Ｈ）2 、Ｃ3 Ｆ7
Ｎ（ＣＦ2 Ｈ）2 、（ＣＦ2 Ｈ）3 Ｎ等。
は、第一工程で得られた塩素を有する含フッ素アミン化
合物の総ての塩素原子が水素原子と置換されたもので、
前掲の式（３）で示される化合物であり、その具体例は
下記の通りである。 （ＣＦ3 ）2 ＮＣＦ2 Ｈ、（ＣＦ3 ）2 ＮＣＦＨ2 、
（ＣＦ3 ）2 ＮＣＨ3 、（ＣＦ3 ）2 ＮＣＦ2 ＣＦ
2 Ｈ、（ＣＦ3 ）2 ＮＣＦＨＣＦ3 、（ＣＦ3 ）2 ＮＣ
Ｆ2 ＣＦＨ2 、（ＣＦ3 ）2 ＮＣＨ2 ＣＦ3 、（Ｃ
Ｆ3 ）2 ＮＣＦ2 ＣＦ2 ＣＦ2 Ｈ、（ＣＦ3 ）2 ＮＣＦ
2 ＣＦＨＣＦ3 、（ＣＦ3 ）2 ＮＣＦＨＣＦ2 ＣＦ3、
（ＣＦ3 ）2 ＮＣＦ2 ＣＦ2 ＣＦＨ2 、（ＣＦ3 ）2 Ｎ
ＣＦ2 ＣＨ2 ＣＦ3 、（ＣＦ3 ）2 ＮＣＨ2 ＣＦ2 ＣＦ
3 、ＣＦ3 （Ｃ2 Ｆ5 ）ＮＣＦ2 Ｈ、ＣＦ3 （Ｃ
2 Ｆ5 ）ＮＣＦＨ2 、ＣＦ3 （Ｃ2 Ｆ5 ）ＮＣＦ2 ＣＦ
2 Ｈ、ＣＦ3 （Ｃ2 Ｆ5 ）ＮＣＦＨＣＦ3 、ＣＦ3 （Ｃ
2 Ｆ5 ）ＮＣＦ2 ＣＦＨ2 、ＣＦ3 （Ｃ2 Ｆ5）ＮＣＨ
2 ＣＦ3 、ＣＦ3 （Ｃ3 Ｆ7 ）ＮＣＦ2 Ｈ、ＣＦ3 （Ｃ
3 Ｆ7 ）ＮＣＦ2 ＣＦＨ2 、（Ｃ2 Ｆ5 ）2 ＮＣＦ2 Ｃ
Ｆ2 Ｈ、（Ｃ2 Ｆ5 ）2 ＮＣＦＨＣＦ3、ＣＦ3 Ｎ（Ｃ
Ｆ2 Ｈ）2 、ＣＦ3 Ｎ（ＣＦ2 Ｈ）ＣＦＨ2 、ＣＦ3 Ｎ
（ＣＦＨ2 ）2 、Ｃ2 Ｆ5 Ｎ（ＣＦ2 Ｈ）2 、Ｃ3 Ｆ7
Ｎ（ＣＦ2 Ｈ）2 、（ＣＦ2 Ｈ）3 Ｎ等。
【００１５】塩素を有する含フッ素アミン化合物を脱塩
素水素化する方法としては、例えば公知の還元方法によ
り塩素原子を水素原子に置換すればよい。還元方法とし
ては、Ｎａ、Ｌｉ等の金属、（ｎ−Ｃ4 Ｈ9 ）3 Ｓｎ
Ｈ、（ｎ−Ｃ4 Ｈ9 ）2 ＳｎＨ2 、Ｐｈ2 ＳｎＨ2 など
の金属水素化合物、ＬｉＡｌＨ4 、ＮａＢＨ4 等の金属
水素錯化合物、（ＣＨ3 ）2 ＮＨＢＨ3 等のジボラン誘
導体を用いたり、あるいは電解還元および接触水素添加
等種々の方法が挙げられ、特に限定されるわけではない
が、接触水素添加が好適である。塩素を有する含フッ素
アミン化合物と還元剤との反応条件等は公知の方法に従
えばよい。目的物である水素を有する含フッ素アミン化
合物は、上記脱塩素水素化反応液を簡易蒸留することに
より、容易に分離取得することが出来る。
素水素化する方法としては、例えば公知の還元方法によ
り塩素原子を水素原子に置換すればよい。還元方法とし
ては、Ｎａ、Ｌｉ等の金属、（ｎ−Ｃ4 Ｈ9 ）3 Ｓｎ
Ｈ、（ｎ−Ｃ4 Ｈ9 ）2 ＳｎＨ2 、Ｐｈ2 ＳｎＨ2 など
の金属水素化合物、ＬｉＡｌＨ4 、ＮａＢＨ4 等の金属
水素錯化合物、（ＣＨ3 ）2 ＮＨＢＨ3 等のジボラン誘
導体を用いたり、あるいは電解還元および接触水素添加
等種々の方法が挙げられ、特に限定されるわけではない
が、接触水素添加が好適である。塩素を有する含フッ素
アミン化合物と還元剤との反応条件等は公知の方法に従
えばよい。目的物である水素を有する含フッ素アミン化
合物は、上記脱塩素水素化反応液を簡易蒸留することに
より、容易に分離取得することが出来る。
【００１６】
【実施例】以下、実施例に基づいて本発明を具体的に説
明する。実施例１ 〔第一工程（電解フッ素化）〕極板面積１．７ｄｍ2 ／
枚のニッケル板を陰極、陽極とし、陰極１１枚、陽極１
０枚を交互に配列した内容積約８００ｍｌの軟鋼製電解
槽に、無水フッ化水素６００ｍｌを仕込み、水、硫酸等
の微量の不純物を予備電解により除去した。次いで、電
解槽に（ＣＨ3 ）2 ＮＣＨ2 ＣＨ2 Ｃｌを４７．３ｇ
（０．４４ｍｏｌ）溶解し、ヘリウムガスを連続的に供
給しながら、電解温度７℃〜８℃、電解電圧６Ｖ〜８
Ｖ、陽極平均電流密度２Ａ／ｄｍ2 で９．５時間反応を
行った。通電量は３２３Ａｈｒであった。得られるガス
状反応生成物を、同伴するＨＦをフッ化ナトリウムおよ
び／または水により除去した後、冷やしたトラップに捕
集した。得られた生成物の収量は１３３．２ｇであり、
これをガスクロマトグラフィー分析した結果、中間目的
物である（ＣＦ3 ）2 ＮＣＦ2 ＣＦ2 Ｃｌの選択率は１
２％であった。 〔第二工程（脱塩素水素化）〕７５ｍｌシリンダー（Ｓ
ＵＳ製）に、前記第一工程の生成液を簡易蒸留して得た
（ＣＦ3 ）2 ＮＣＦ2 ＣＦ2 Ｃｌを５．４０ｇ（０．０
２mol ）、（ｎ−Ｃ4Ｈ9 ）3 ＳｎＨを５．８４ｇ
（０．０２mol ）、及びアゾビスイソブチロニトリルを
０．２０ｇ仕込み、８０℃の温浴中に２１時間保った。
反応進行に伴い、発生する窒素によりシリンダー内の内
圧が上昇し、シリンダー内で反応が起こっていることが
確認出来た。反応終了後、シリンダーに捕集トラップを
設置し、生成ガスを５．０８ｇ捕集した。ガスクロマト
グラフィー分析の結果、目的物である（ＣＦ3 ）2 ＮＣ
Ｆ2ＣＦ2 Ｈの、第二工程における選択率は９７％であ
った。
明する。実施例１ 〔第一工程（電解フッ素化）〕極板面積１．７ｄｍ2 ／
枚のニッケル板を陰極、陽極とし、陰極１１枚、陽極１
０枚を交互に配列した内容積約８００ｍｌの軟鋼製電解
槽に、無水フッ化水素６００ｍｌを仕込み、水、硫酸等
の微量の不純物を予備電解により除去した。次いで、電
解槽に（ＣＨ3 ）2 ＮＣＨ2 ＣＨ2 Ｃｌを４７．３ｇ
（０．４４ｍｏｌ）溶解し、ヘリウムガスを連続的に供
給しながら、電解温度７℃〜８℃、電解電圧６Ｖ〜８
Ｖ、陽極平均電流密度２Ａ／ｄｍ2 で９．５時間反応を
行った。通電量は３２３Ａｈｒであった。得られるガス
状反応生成物を、同伴するＨＦをフッ化ナトリウムおよ
び／または水により除去した後、冷やしたトラップに捕
集した。得られた生成物の収量は１３３．２ｇであり、
これをガスクロマトグラフィー分析した結果、中間目的
物である（ＣＦ3 ）2 ＮＣＦ2 ＣＦ2 Ｃｌの選択率は１
２％であった。 〔第二工程（脱塩素水素化）〕７５ｍｌシリンダー（Ｓ
ＵＳ製）に、前記第一工程の生成液を簡易蒸留して得た
（ＣＦ3 ）2 ＮＣＦ2 ＣＦ2 Ｃｌを５．４０ｇ（０．０
２mol ）、（ｎ−Ｃ4Ｈ9 ）3 ＳｎＨを５．８４ｇ
（０．０２mol ）、及びアゾビスイソブチロニトリルを
０．２０ｇ仕込み、８０℃の温浴中に２１時間保った。
反応進行に伴い、発生する窒素によりシリンダー内の内
圧が上昇し、シリンダー内で反応が起こっていることが
確認出来た。反応終了後、シリンダーに捕集トラップを
設置し、生成ガスを５．０８ｇ捕集した。ガスクロマト
グラフィー分析の結果、目的物である（ＣＦ3 ）2 ＮＣ
Ｆ2ＣＦ2 Ｈの、第二工程における選択率は９７％であ
った。
【００１７】実施例２〜４ 第三アミンの種類を、（ＣＨ3 ）2 ＮＣＨ2 ＣＨ2 ＣＨ
2 Ｃｌ（実施例２）、（ＣＨ3 ）2 ＮＣＨ2 ＣＨＣｌＣ
Ｈ3 （実施例３）、および（ＣＨ3 ）2 ＮＣＨ2 Ｃｌ
（実施例４）とした以外は、実施例１と同様にして、第
一工程および第二工程の反応を行った。第一工程および
第二工程における各生成物の種類および選択率を表１に
示す。
2 Ｃｌ（実施例２）、（ＣＨ3 ）2 ＮＣＨ2 ＣＨＣｌＣ
Ｈ3 （実施例３）、および（ＣＨ3 ）2 ＮＣＨ2 Ｃｌ
（実施例４）とした以外は、実施例１と同様にして、第
一工程および第二工程の反応を行った。第一工程および
第二工程における各生成物の種類および選択率を表１に
示す。
【００１８】
【表１】
【００１９】
【発明の効果】本発明は、冷媒、発泡剤、洗浄剤等に有
用な、水素を分子内に有する含フッ素アミン化合物の製
造方法に関するものであり、特定の第三アミンをフッ素
化し、次いで脱塩素水素化することにより、効率的、高
収率かつ経済的に水素を分子内に有する含フッ素アミン
化合物を得ることができる。
用な、水素を分子内に有する含フッ素アミン化合物の製
造方法に関するものであり、特定の第三アミンをフッ素
化し、次いで脱塩素水素化することにより、効率的、高
収率かつ経済的に水素を分子内に有する含フッ素アミン
化合物を得ることができる。
フロントページの続き (72)発明者 関屋 章 茨城県つくば市東１丁目１番地 工業技 術院化学技術研究所内 (72)発明者 岩崎 正巳 東京都文京区本郷２丁目40番17号 本郷 若井ビル６階 財団法人地球環境産業技 術研究機構内 (72)発明者 佐藤 幸生 東京都文京区本郷２丁目40番17号 本郷 若井ビル６階 財団法人地球環境産業技 術研究機構内 審査官 山本 昌広 (56)参考文献 特開 平５−132451（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−139154（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−310852（ＪＰ，Ａ) 特開 昭51−98202（ＪＰ，Ａ) 特公 昭45−35523（ＪＰ，Ｂ１)
Claims (1)
- 【請求項１】 式（１）で示される第三アミンをフッ素
化し、次いでこれにより得られる塩素を有する含フッ素
アミン化合物を脱塩素水素化することを特徴とする式
（３）で示される水素を有する含フッ素アミン化合物の
製造方法。 Ｒ1 Ｒ2 Ｒ3 Ｎ ────（１） （ただし、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 は式（２）で示される塩素
を有するアルキル基であり、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 はそれぞ
れ同じでも異なっていてもよい。） Ｃn Ｃｌm Ｈ2n+1-m ────（２） （ただし、ｎ＝１，２または３であり、またｍ＝０，
１，２または３であり、かつ式（１）のＲ1 、Ｒ2 、Ｒ
3 におけるｍの総計値は１以上である。） Ｒ5 Ｒ6 Ｒ7 Ｎ ────（３） （ただし、Ｒ5 、Ｒ6 、Ｒ7 は式（４）で示される水素
を有するフルオロアルキル基であり、Ｒ5 、Ｒ6 、Ｒ7
はそれぞれ同じでも異なっていてもよい。） Ｃn Ｈm Ｆ2n+1-m ────（４） （ただし、ｎまたはｍは式（２）と同じである。）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25074592A JP2598209B2 (ja) | 1992-08-26 | 1992-08-26 | 水素を有する含フッ素アミン化合物の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25074592A JP2598209B2 (ja) | 1992-08-26 | 1992-08-26 | 水素を有する含フッ素アミン化合物の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0672971A JPH0672971A (ja) | 1994-03-15 |
| JP2598209B2 true JP2598209B2 (ja) | 1997-04-09 |
Family
ID=17212411
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25074592A Expired - Lifetime JP2598209B2 (ja) | 1992-08-26 | 1992-08-26 | 水素を有する含フッ素アミン化合物の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2598209B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6907681B2 (en) | 2002-07-11 | 2005-06-21 | Ykk Corporation | Resin safety shoe toe cap |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2728198B2 (ja) * | 1995-03-16 | 1998-03-18 | 工業技術院長 | フッ素系溶剤 |
-
1992
- 1992-08-26 JP JP25074592A patent/JP2598209B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6907681B2 (en) | 2002-07-11 | 2005-06-21 | Ykk Corporation | Resin safety shoe toe cap |
Also Published As
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| JPH0672971A (ja) | 1994-03-15 |
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