JP2592926B2 - 非線形光学装置 - Google Patents
非線形光学装置Info
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- G02F1/35—Non-linear optics
- G02F1/355—Non-linear optics characterised by the materials used
- G02F1/361—Organic materials
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- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光情報処理や光通信システムにおいて、将
来的に用いられる光スイッチや光メモリあるいは光信号
演算処理装置などの非線形光学装置に関するものであ
る。
来的に用いられる光スイッチや光メモリあるいは光信号
演算処理装置などの非線形光学装置に関するものであ
る。
非線形光学効果とは、物質に光が入射したときに、物
質の電気分極Ｐが、一般式Ｐ＝x(1)E＋x(2)E2＋x(3)E3
＋…（II）で書けるのに対し、第２項以降の項により発
現する効果を言うものであるx(i)はｉ次の電気感受率,E
は光の電界強度である。）。特に、第２項による第２高
調波発生（SHG）や第３項による第３高調波発生（THG）
は班長変換効果としてよく知られているが、第３項はま
た、光強度に応じた光学定数の変化、例えば非線形屈折
率効果や非線形吸収効果を与えるものとして重要であ
る。例えば、非線形屈折率効果は物質の屈折率ｎが入射
光強度（Ｉ）に比例して変化するものであり、ｎ＝n0＋
n2Iで記述される（n0は定数，n2は非線形屈折率係数で
ある。）。この効果を示す媒質と、光共振器や偏光子あ
るいは反射鏡など他の光学素子とを組合わせると、光双
安定素子や光スイッチあるいは位相共役波発生器などの
光情報処理や光通信システムにおいて将来的に用いられ
る重要なデバイスの実現が可能である。
質の電気分極Ｐが、一般式Ｐ＝x(1)E＋x(2)E2＋x(3)E3
＋…（II）で書けるのに対し、第２項以降の項により発
現する効果を言うものであるx(i)はｉ次の電気感受率,E
は光の電界強度である。）。特に、第２項による第２高
調波発生（SHG）や第３項による第３高調波発生（THG）
は班長変換効果としてよく知られているが、第３項はま
た、光強度に応じた光学定数の変化、例えば非線形屈折
率効果や非線形吸収効果を与えるものとして重要であ
る。例えば、非線形屈折率効果は物質の屈折率ｎが入射
光強度（Ｉ）に比例して変化するものであり、ｎ＝n0＋
n2Iで記述される（n0は定数，n2は非線形屈折率係数で
ある。）。この効果を示す媒質と、光共振器や偏光子あ
るいは反射鏡など他の光学素子とを組合わせると、光双
安定素子や光スイッチあるいは位相共役波発生器などの
光情報処理や光通信システムにおいて将来的に用いられ
る重要なデバイスの実現が可能である。
このような非線形屈折率効果を示す媒質を用いた非線
形光学装置の従来例として、光双安定素子の実例を第５
図を参照しながら以下に示す。
形光学装置の従来例として、光双安定素子の実例を第５
図を参照しながら以下に示す。
第５図の符号１は非線形屈折率を有する光学材質（非
線形屈折率媒質）、2aおよび2bは非線形屈折率媒質１の
両面にコートされた反射率的90％の誘電体蒸着ミラーで
ある。この構成においては、入力光の波長を僅かに変化
させて共振条件を満足すると、入力光強度Piに対して出
力光Ptが第１図（ｃ）（ｄ）に示した様な特性を持つ
（動作原理については文献 アプライド フィジックス
レター（Appl.Phys.Lett.）vol35,451（1976）に詳し
い）。これらはそれぞれミリッタ動作および双安定動作
に対応しており、光通信や光情報処理システムにおいて
入力光パルスの波形整形、光スイッチ、あるいは光信号
メモリ、光論理演算動作などへの応用が可能なものであ
る。
線形屈折率媒質）、2aおよび2bは非線形屈折率媒質１の
両面にコートされた反射率的90％の誘電体蒸着ミラーで
ある。この構成においては、入力光の波長を僅かに変化
させて共振条件を満足すると、入力光強度Piに対して出
力光Ptが第１図（ｃ）（ｄ）に示した様な特性を持つ
（動作原理については文献 アプライド フィジックス
レター（Appl.Phys.Lett.）vol35,451（1976）に詳し
い）。これらはそれぞれミリッタ動作および双安定動作
に対応しており、光通信や光情報処理システムにおいて
入力光パルスの波形整形、光スイッチ、あるいは光信号
メモリ、光論理演算動作などへの応用が可能なものであ
る。
ところで、この種の非線形光学装置においては、特性
として、使用可能な入力光波長ならびに入力光強度、さ
らに光信号の強度変化に対して追随可能な応答時間の３
つの値が重要である。例えば、第５図中の非線形光学媒
質１としてGaAsとGaAlAsの半導体薄膜を交互に繰返し成
長させて作製した超格子結晶を用いた場合においては、
結晶内で励起子が光吸収に伴って励起されることによっ
て屈折率が光強度依存性を示すこと（吸収依存性効果）
を動作原理としているため、前記一般式（II）の第３項
の係数が大きく（即ち３次非線形の効率が高く）、動作
に必要な入力光強度は５×104W/cm2程度と小さくて済む
点では優れているが、使用可能な入力光波長が励起子吸
収スペクトル近傍の極めて狭い範囲に限られてしまうこ
と、および応答時間が励起子寿命により決定され、３×
10-8secより高速の光信号処理には使えないという問題
点があった。
として、使用可能な入力光波長ならびに入力光強度、さ
らに光信号の強度変化に対して追随可能な応答時間の３
つの値が重要である。例えば、第５図中の非線形光学媒
質１としてGaAsとGaAlAsの半導体薄膜を交互に繰返し成
長させて作製した超格子結晶を用いた場合においては、
結晶内で励起子が光吸収に伴って励起されることによっ
て屈折率が光強度依存性を示すこと（吸収依存性効果）
を動作原理としているため、前記一般式（II）の第３項
の係数が大きく（即ち３次非線形の効率が高く）、動作
に必要な入力光強度は５×104W/cm2程度と小さくて済む
点では優れているが、使用可能な入力光波長が励起子吸
収スペクトル近傍の極めて狭い範囲に限られてしまうこ
と、および応答時間が励起子寿命により決定され、３×
10-8secより高速の光信号処理には使えないという問題
点があった。
また、非線形光学媒質として非線形光学液体である二
硫化炭素（CS2）を満したガラスセルを用い、前記誘電
体蒸着ミラー2a,2bの代わりに、外部ミラーを用いた別
の従来例においては、光電界に応じた分子の回転配列に
より屈折率が光強度依存性を示すこと（分子回転非線形
効果）を動作原理としているため、使用可能な入力光波
長が可視から近赤外域の広い範囲にわたるという点では
優れているものの、３次非線形の効果がそれ程高くな
く、動作に必要な入力光強度が108W／cm2程度と大きく
なること、および応答時間が分子の回転緩和時間により
決定され、10-11〜10-12secより高速の光信号処理には
使えないという問題点があった。
硫化炭素（CS2）を満したガラスセルを用い、前記誘電
体蒸着ミラー2a,2bの代わりに、外部ミラーを用いた別
の従来例においては、光電界に応じた分子の回転配列に
より屈折率が光強度依存性を示すこと（分子回転非線形
効果）を動作原理としているため、使用可能な入力光波
長が可視から近赤外域の広い範囲にわたるという点では
優れているものの、３次非線形の効果がそれ程高くな
く、動作に必要な入力光強度が108W／cm2程度と大きく
なること、および応答時間が分子の回転緩和時間により
決定され、10-11〜10-12secより高速の光信号処理には
使えないという問題点があった。
以上のことから明らかなように、非線形光学装置の性
質は、非線形光学材料の特性によって殆ど決定される。
従って、使用可能な波長範囲が広く、３次非線形の効率
が高く、動作に必要な入力光強度が小さく、応答時間が
短い材料の開発が熱望され、それに向けて活発な研究が
行われているのが現状である。
質は、非線形光学材料の特性によって殆ど決定される。
従って、使用可能な波長範囲が広く、３次非線形の効率
が高く、動作に必要な入力光強度が小さく、応答時間が
短い材料の開発が熱望され、それに向けて活発な研究が
行われているのが現状である。
３次非線形効果を示す材料のうちでも、ベンゼン環や
２重あるいは３重結合などのπ電子共役をもつ有機非線
形光学材料が最近特に注目されている。例えば、ポリジ
アセチレンビス−（パラトルエンスルホネート）（略称
PTS）では、３次効果の定数x(3)はx(3)＝１×10-10esu
（非線形屈折率係数に換算すると、n2＝２×10-12（W/c
m2)-1となる。）の値をもち、上記のCS2液体より２桁大
きい。さらに、この非線形効果のメカニズムが吸収によ
るものでなく、かつ分子や結晶格子との相互作用による
ものでもなく、純粋に電子分極に由来するものであるた
めに、光信号の強度変化に追随可能な応答時間が10-14s
ecと極めて高速であり、かつ使用可能な入力光波長も0.
65μｍ付近から2.0μｍ以上の広い範囲にわたっている
という優れた特性を持っている。
２重あるいは３重結合などのπ電子共役をもつ有機非線
形光学材料が最近特に注目されている。例えば、ポリジ
アセチレンビス−（パラトルエンスルホネート）（略称
PTS）では、３次効果の定数x(3)はx(3)＝１×10-10esu
（非線形屈折率係数に換算すると、n2＝２×10-12（W/c
m2)-1となる。）の値をもち、上記のCS2液体より２桁大
きい。さらに、この非線形効果のメカニズムが吸収によ
るものでなく、かつ分子や結晶格子との相互作用による
ものでもなく、純粋に電子分極に由来するものであるた
めに、光信号の強度変化に追随可能な応答時間が10-14s
ecと極めて高速であり、かつ使用可能な入力光波長も0.
65μｍ付近から2.0μｍ以上の広い範囲にわたっている
という優れた特性を持っている。
しかしながら、上記PTSなどのポリジアセチレンは、
一般に結晶性高分子であるために、光学装置の媒質とし
て用いる場合には媒質全体が単結晶となっていることが
必要である。もし、媒質の一部に非晶質部が存在した
り、全体が多結晶状態になっていて微小な単結晶の集合
体であったりすると、とたんに入射光の散乱損失が増大
してしまい、使いものにならない。従って、ポリジアセ
チレンを用いた光学装置を製造するにあたっては、目的
に応じた大型結晶の育成あるいは薄膜結晶化などの技術
が不可欠であり、さらに、これらの結晶が得られた場合
でも、結晶を切断したり表面を研磨したりする加工技術
を確立することが必要である。ポリジアセチレンに関す
るこれらの周辺技術は今のところまだ解決されていな
い。従って、ポリジアセチレンを用いた非線形光学装置
はまだ実用に供せられるものは一つも実現していない。
一般に結晶性高分子であるために、光学装置の媒質とし
て用いる場合には媒質全体が単結晶となっていることが
必要である。もし、媒質の一部に非晶質部が存在した
り、全体が多結晶状態になっていて微小な単結晶の集合
体であったりすると、とたんに入射光の散乱損失が増大
してしまい、使いものにならない。従って、ポリジアセ
チレンを用いた光学装置を製造するにあたっては、目的
に応じた大型結晶の育成あるいは薄膜結晶化などの技術
が不可欠であり、さらに、これらの結晶が得られた場合
でも、結晶を切断したり表面を研磨したりする加工技術
を確立することが必要である。ポリジアセチレンに関す
るこれらの周辺技術は今のところまだ解決されていな
い。従って、ポリジアセチレンを用いた非線形光学装置
はまだ実用に供せられるものは一つも実現していない。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、従来の
光双安定素子を始めとする、光スイッチ、位相共役波発
生装置などの非線形屈折率を利用した非線形光学装置に
おける問題点、すなわち前記したような使用波長制限、
低速応答性、高動作入力光強度、あるいは所望の光学媒
質を容易に入手できないこと、などの欠点を除去するこ
とを課題とするものであり、使用波長範囲が広く、高速
応答性を有し、かつ動作入力光強度が小さい実用に供し
得る高性能非線形光学装置を提供することを課題として
いる。
光双安定素子を始めとする、光スイッチ、位相共役波発
生装置などの非線形屈折率を利用した非線形光学装置に
おける問題点、すなわち前記したような使用波長制限、
低速応答性、高動作入力光強度、あるいは所望の光学媒
質を容易に入手できないこと、などの欠点を除去するこ
とを課題とするものであり、使用波長範囲が広く、高速
応答性を有し、かつ動作入力光強度が小さい実用に供し
得る高性能非線形光学装置を提供することを課題として
いる。
上記課題を解決するために本発明は下記の構成からな
る。すなわち、本発明は、 非線形屈折率を有する光学媒質と、光共振器や偏光
子、あるいは反射鏡などの光学素子とで構成される非線
形光学装置において、非線形光学媒質として、下記式
（Ｉ）で示されるポリ−（2,5−ジメトキシパラフェニ
レンビニレン）を用いることを特徴とするものである。
る。すなわち、本発明は、 非線形屈折率を有する光学媒質と、光共振器や偏光
子、あるいは反射鏡などの光学素子とで構成される非線
形光学装置において、非線形光学媒質として、下記式
（Ｉ）で示されるポリ−（2,5−ジメトキシパラフェニ
レンビニレン）を用いることを特徴とするものである。
前記ポリ−（2,5−ジメトキシパラフェニレンビニレ
ン）（略称MOPPV）は、アモルファス構造をもつ導電性
ポリマ材料として既に知られている。合成法も公知であ
り、後で述べるように、可溶性のポリマ中間体を経由す
る方法で合成することができるため、成形性に優れ、取
扱いやすく、かつ、化学的に安定である。このMOPPVの
３次非線形効果が極めて大きな値をもつことを本発明者
らは、はじめて明らかにすることができた。また、その
大きな３次効果故に非線形屈折率係数が大きな値となる
ことを確認し、この材料を非線形光学媒体として光双安
定素子、光スイッチ、位相共役波発生器などの非線形光
学装置を構成し、それらが実用に供し得るとしたのは、
本発明の最も強調すべき点である。
ン）（略称MOPPV）は、アモルファス構造をもつ導電性
ポリマ材料として既に知られている。合成法も公知であ
り、後で述べるように、可溶性のポリマ中間体を経由す
る方法で合成することができるため、成形性に優れ、取
扱いやすく、かつ、化学的に安定である。このMOPPVの
３次非線形効果が極めて大きな値をもつことを本発明者
らは、はじめて明らかにすることができた。また、その
大きな３次効果故に非線形屈折率係数が大きな値となる
ことを確認し、この材料を非線形光学媒体として光双安
定素子、光スイッチ、位相共役波発生器などの非線形光
学装置を構成し、それらが実用に供し得るとしたのは、
本発明の最も強調すべき点である。
第４図（ａ）（ｂ）はMOPPVの３次効果の効率を評価
すべく行った実験の測定データを示したものである。有
機材料の３次効果は、一般に第３高調波光（THG光）の
強度を測定することによって評価される。第４図（ａ）
は厚さの均一なMOPPVフィルム（この場合の厚さは0.5μ
ｍ）に、波長2.0μｍ程度のレーザパルス光を入射し、
サンプルをレーザ光の入射方向と垂直な軸の回りに回転
させながら、出てくるTHG光強度を測定した結果であ
る。このパターンはメーカフリンジと呼ばれるものであ
り、すでに効率が既知の材料（ここでは石英ガラスを用
いた）を同一の観測系で測定して、THGのピーク強度と
比較すれば、３次効果の効率を測定することができる
（測定原理については、文献 エレクトロニクス レタ
ーズ（Electron.Lett.）vol23,No.11,595（1987）に詳
しい）。第４図（ｂ）は得られた結果を３次の電気感受
率x(3)で表わし、入射光波長に対してプロットした結果
である。x(3)の値は６×10-11esu前後であり、前述のPT
Sと比べると、約1/2の値であることが確かめられた。な
お、この測定値から非線形屈折率はn2＝１×10-12（W/c
m2）-3前後と算出される。
すべく行った実験の測定データを示したものである。有
機材料の３次効果は、一般に第３高調波光（THG光）の
強度を測定することによって評価される。第４図（ａ）
は厚さの均一なMOPPVフィルム（この場合の厚さは0.5μ
ｍ）に、波長2.0μｍ程度のレーザパルス光を入射し、
サンプルをレーザ光の入射方向と垂直な軸の回りに回転
させながら、出てくるTHG光強度を測定した結果であ
る。このパターンはメーカフリンジと呼ばれるものであ
り、すでに効率が既知の材料（ここでは石英ガラスを用
いた）を同一の観測系で測定して、THGのピーク強度と
比較すれば、３次効果の効率を測定することができる
（測定原理については、文献 エレクトロニクス レタ
ーズ（Electron.Lett.）vol23,No.11,595（1987）に詳
しい）。第４図（ｂ）は得られた結果を３次の電気感受
率x(3)で表わし、入射光波長に対してプロットした結果
である。x(3)の値は６×10-11esu前後であり、前述のPT
Sと比べると、約1/2の値であることが確かめられた。な
お、この測定値から非線形屈折率はn2＝１×10-12（W/c
m2）-3前後と算出される。
また、MOPPVの吸収スペクトルは、厚さ20μｍ程度のM
OPPVフィルムを用いて分光光度計で測定した。その結
果、無吸収波長域は0.65〜2.2μｍと極めて広いことが
判った。すなわち、この材料は使用可能波長域が前述の
PTSよりさらに広く優れている。なお、波長域0.65μｍ
〜1.8μｍにおけるMOPPVの３次効果効率については未測
定ではあるが、非線形効果のメカニズムがPTSと同じに
純粋の電子分極によることを考えると、これらの波長域
においても、MOPPVのx(3)またはn2は第４図（ｂ）の値
とほぼ同等の値をもつことが容易に推察される。
OPPVフィルムを用いて分光光度計で測定した。その結
果、無吸収波長域は0.65〜2.2μｍと極めて広いことが
判った。すなわち、この材料は使用可能波長域が前述の
PTSよりさらに広く優れている。なお、波長域0.65μｍ
〜1.8μｍにおけるMOPPVの３次効果効率については未測
定ではあるが、非線形効果のメカニズムがPTSと同じに
純粋の電子分極によることを考えると、これらの波長域
においても、MOPPVのx(3)またはn2は第４図（ｂ）の値
とほぼ同等の値をもつことが容易に推察される。
さらに同様な考察から、本材料の応答時間はPTSと同
様に10-14sec程度と推測され、充分な高速性を備えてい
る。
様に10-14sec程度と推測され、充分な高速性を備えてい
る。
以下、実施例を用いて本発明に係るポリ−（2,5−ジ
メトキシフェニレンビニレン）を用いた非線形光学装置
の特徴を詳しく説明する。
メトキシフェニレンビニレン）を用いた非線形光学装置
の特徴を詳しく説明する。
〔実施例１〕 第１図（ａ）は本発明の非線形光学装置の実施例を説
明する図であって、本発明で用いる非線形屈折率媒質１
は下記に述べる方法により作製したMOPPVフィルムであ
り、本発明装置においては、入力光を約90％反射し、残
りを透過させる誘電体多層膜ミラー3a,3bを対向させて
配置した外部光共振器である。
明する図であって、本発明で用いる非線形屈折率媒質１
は下記に述べる方法により作製したMOPPVフィルムであ
り、本発明装置においては、入力光を約90％反射し、残
りを透過させる誘電体多層膜ミラー3a,3bを対向させて
配置した外部光共振器である。
前記MOPPVフィルムの作製法について述べる。まず、
2,5−ジメトキシパラキシリレンビス（ジエチルスルフ
ォニウムブロマイド）を水に溶かし、アルカリ溶液とし
て0.05モルのカセイソーダ水溶液を加えて０℃、窒素雰
囲気下で攪拌し、ポリマー化した。次にこれをキャステ
ィング法により石英ガラス板上にフィルム化し、風乾し
た。最後にこれを300℃,2時間、不活性ガス中で加熱す
ることにより光学品質に優れたMOPPVフィルムが得られ
た。最後の加熱処理の過程での反応スキームを第１図
（ｂ）に示した。この様にして10×10×１mm3程度の大
きさのフィルム状の光学媒質を得た。
2,5−ジメトキシパラキシリレンビス（ジエチルスルフ
ォニウムブロマイド）を水に溶かし、アルカリ溶液とし
て0.05モルのカセイソーダ水溶液を加えて０℃、窒素雰
囲気下で攪拌し、ポリマー化した。次にこれをキャステ
ィング法により石英ガラス板上にフィルム化し、風乾し
た。最後にこれを300℃,2時間、不活性ガス中で加熱す
ることにより光学品質に優れたMOPPVフィルムが得られ
た。最後の加熱処理の過程での反応スキームを第１図
（ｂ）に示した。この様にして10×10×１mm3程度の大
きさのフィルム状の光学媒質を得た。
第１図（ａ）に示した装置を動作させるには、前記従
来例第５図と同様、入力光波長を僅か変化させるか、あ
るいは共振器長（ミラー間隔）を僅か変化させて共振条
件を調整すれば良い。本実施例の場合にはNd3+−YAGレ
ーザからの1.064μｍの光を使用したので、調整は共振
器長を変化させる方法に依った。入力光強度Piと出力光
強度Ptとの間には第１図（ｃ）（ｄ）で示したようなリ
ミッタ動作および双安定動作が得られた。
来例第５図と同様、入力光波長を僅か変化させるか、あ
るいは共振器長（ミラー間隔）を僅か変化させて共振条
件を調整すれば良い。本実施例の場合にはNd3+−YAGレ
ーザからの1.064μｍの光を使用したので、調整は共振
器長を変化させる方法に依った。入力光強度Piと出力光
強度Ptとの間には第１図（ｃ）（ｄ）で示したようなリ
ミッタ動作および双安定動作が得られた。
動作に必要な最小入力光強度（Pimin）は解析的に Pimin＝（Ｋλ）／（n2l） （但し、λは光の波長、ｌは光学媒質長、Ｋ（〜0.00
1）は鏡に反射率と共振器長調整で決まる係数）で与え
られるが、本実施例ではλ＝1.064μm,l＝1mであるか
ら、Pimin＝１×106W/cm2と求まる。
1）は鏡に反射率と共振器長調整で決まる係数）で与え
られるが、本実施例ではλ＝1.064μm,l＝1mであるか
ら、Pimin＝１×106W/cm2と求まる。
実効出力300mW（パルス発振）、発振波長0.83μｍの
半導体レーザを光源とする場合、ビーム径を３μｍまで
絞り込むと、光強度は4.2×106W/cm2と計算され、この
波長における上記非線形光学装置のPiminの値より充分
大きい。実際、本非線形光学装置は半導体レーザを光源
とした場合にも動作可能であった。
半導体レーザを光源とする場合、ビーム径を３μｍまで
絞り込むと、光強度は4.2×106W/cm2と計算され、この
波長における上記非線形光学装置のPiminの値より充分
大きい。実際、本非線形光学装置は半導体レーザを光源
とした場合にも動作可能であった。
本材料（MOPPV）の応答時間ｔは10-14sec程度と推測
されることについてはすでに述べた。但し、装置として
の反応時間は、この媒質応答時間ｔと共振器内光子寿命
tpとの大きい方の値で決まるが、 tp＝−lop/（Cln R） （但し、lopは共振器の光学長,Cは光速,Rはミラーの
反射率）から計算されるtpが６×10-11secと得られ、tp
＞ｔなので、この値が装置の反応時間となる。本実施例
においては、応答時間は10-10secより短いことが確認さ
れた。
されることについてはすでに述べた。但し、装置として
の反応時間は、この媒質応答時間ｔと共振器内光子寿命
tpとの大きい方の値で決まるが、 tp＝−lop/（Cln R） （但し、lopは共振器の光学長,Cは光速,Rはミラーの
反射率）から計算されるtpが６×10-11secと得られ、tp
＞ｔなので、この値が装置の反応時間となる。本実施例
においては、応答時間は10-10secより短いことが確認さ
れた。
〔実施例２〕 第２図は、光制御光スイッチの実施例を説明する図で
ある。図中、符号4aと4bは互いに偏光軸が直交するよう
配置された２枚の偏光子からなる直交偏光子系であり、
１は前記実施例１にて得られた媒質結晶である。この構
成においては、ゲートパルスPgが入射している間だけ直
交偏光子4aを通過した直線偏光が、非線形屈折率媒質１
の屈折率変化によって偏光角の回転を受け、直交偏光子
4bを通過する。すなわち入射光はゲート光によって光ス
イッチされる。
ある。図中、符号4aと4bは互いに偏光軸が直交するよう
配置された２枚の偏光子からなる直交偏光子系であり、
１は前記実施例１にて得られた媒質結晶である。この構
成においては、ゲートパルスPgが入射している間だけ直
交偏光子4aを通過した直線偏光が、非線形屈折率媒質１
の屈折率変化によって偏光角の回転を受け、直交偏光子
4bを通過する。すなわち入射光はゲート光によって光ス
イッチされる。
本装置においても、使用可能波長範囲、応答時間、お
よび動作入力光強度（ゲートパルス光）の値は重要であ
るが、使用可能波長範囲および応答時間について極めて
優れていることは実施例１より明らかであって更めて説
明するまでもない。
よび動作入力光強度（ゲートパルス光）の値は重要であ
るが、使用可能波長範囲および応答時間について極めて
優れていることは実施例１より明らかであって更めて説
明するまでもない。
必要なゲートパルス光強度（Ｐπ/2）は解析的に Ｐπ/2＝λ／（２・n2l） で与えられ、本実施例ではλ＝1.064μm,l＝1mmである
から、Ｐπ/2＝５×108W/cm2と求められた。実際には、
これより低いゲートパルス光強度においても、透過率Ｔ
が、 Ｔ＝sin2｛（Pi/Pπ/2）×π/2｝ の式に従うので、ビーム径を絞り込んだ半導体レーザ光
によっても動作可能であることがわかった。
から、Ｐπ/2＝５×108W/cm2と求められた。実際には、
これより低いゲートパルス光強度においても、透過率Ｔ
が、 Ｔ＝sin2｛（Pi/Pπ/2）×π/2｝ の式に従うので、ビーム径を絞り込んだ半導体レーザ光
によっても動作可能であることがわかった。
〔実施例３〕 第３図は、位相共役波発生装置の実施例を説明する図
である。図中符号5aと5bは半透過鏡、６は全反射鏡、１
は実施例１にて得られた光学媒質である。この構成は縮
退４光波混合と呼ばれる光学配置であって、非線形屈折
率をもつ媒質に、A1，A2（A1と反対方向）、Ap（傾入
射）の３つの光波が入射すると、Apに対して空間位相項
のみが共役である第４の光波（Ac）が発生する。この位
相共役波は画像情報処理技術における像修正や、実時間
ホログラフィなどの有効な手段として注目されている
（応用については、文献オー プラス イー（O plus
E）３月号,p.73（1982）参照）。
である。図中符号5aと5bは半透過鏡、６は全反射鏡、１
は実施例１にて得られた光学媒質である。この構成は縮
退４光波混合と呼ばれる光学配置であって、非線形屈折
率をもつ媒質に、A1，A2（A1と反対方向）、Ap（傾入
射）の３つの光波が入射すると、Apに対して空間位相項
のみが共役である第４の光波（Ac）が発生する。この位
相共役波は画像情報処理技術における像修正や、実時間
ホログラフィなどの有効な手段として注目されている
（応用については、文献オー プラス イー（O plus
E）３月号,p.73（1982）参照）。
本実施例においても装置の高速応答性、および低動作
入力光強度が確認できた。
入力光強度が確認できた。
本発明によれば、光双安定素子、光スイッチ、あるい
は位相共役波発生装置など将来の光情報処理あるいは光
通信分野で重要な非線形光学装置を、極めて応答速度が
大きく、かつ大きな非線形屈折率を持ち、可視域から近
赤外領域の広い波長範囲で透光性であるポリ−（2,5−
ジメトキシパラフェニレンビニレン）のフィルムを非線
形屈折率媒質として構成するものであるので、従来の非
線形光学液体や半導体超格子結晶を用いたものと比較し
て波長依存性、応答速度、動作に必要な入力光強度の点
で格段に優れたものとすることが出来、現存の半導体レ
ーザを光源として移動させ得るという実用的価値のある
ものとすることが出来る。
は位相共役波発生装置など将来の光情報処理あるいは光
通信分野で重要な非線形光学装置を、極めて応答速度が
大きく、かつ大きな非線形屈折率を持ち、可視域から近
赤外領域の広い波長範囲で透光性であるポリ−（2,5−
ジメトキシパラフェニレンビニレン）のフィルムを非線
形屈折率媒質として構成するものであるので、従来の非
線形光学液体や半導体超格子結晶を用いたものと比較し
て波長依存性、応答速度、動作に必要な入力光強度の点
で格段に優れたものとすることが出来、現存の半導体レ
ーザを光源として移動させ得るという実用的価値のある
ものとすることが出来る。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の第１の実施例を示すも
ので、（ａ）は光双安定素子の構成図、（ｂ）は非線形
光学媒質ポリ−（2,5−ジメトキシパラフェニレンビニ
レン）を合成するときの反応スキーム、（ｃ）（ｄ）は
動作特性を示すもので、（ｃ）はリミッタ動作を示し、
（ｄ）は双安定動作を示し、図中の矢印はPiの増加時、
および減少時のPtの特性を現わす経路を示す。 第２図は本発明の第２の実施例を示すもので、光制御光
スイッチの構成図である。 第３図は本発明の第３の実施例を示すもので、位相共役
波発生装置の構成図である。 第４図（ａ）は本発明に使用するポリ−（2,5−ジメト
キシパラフェニレンビニレン）のTHG強度パターンを示
す図、第４図（ｂ）は同ポリ−（2,5−ジメトキシパラ
フェニレンビニレン）のx(3)値のスペクトルを示す図で
ある。 第５図は従来の非線形光学装置（光双安定素子）の一例
を示す構成図である。 １……非線形屈折率媒質、2a,2b……誘電体蒸着ミラー
（反射率約90％）、3a,3b……（外部）誘電体多層蒸着
膜ミラー、Pi……入力光、Pt……出力光、4a,4b……偏
光子（直交偏光子系を構成している）、Pg……ゲートパ
ルス光、5a,5b……半透過鏡、６……全反射鏡。
ので、（ａ）は光双安定素子の構成図、（ｂ）は非線形
光学媒質ポリ−（2,5−ジメトキシパラフェニレンビニ
レン）を合成するときの反応スキーム、（ｃ）（ｄ）は
動作特性を示すもので、（ｃ）はリミッタ動作を示し、
（ｄ）は双安定動作を示し、図中の矢印はPiの増加時、
および減少時のPtの特性を現わす経路を示す。 第２図は本発明の第２の実施例を示すもので、光制御光
スイッチの構成図である。 第３図は本発明の第３の実施例を示すもので、位相共役
波発生装置の構成図である。 第４図（ａ）は本発明に使用するポリ−（2,5−ジメト
キシパラフェニレンビニレン）のTHG強度パターンを示
す図、第４図（ｂ）は同ポリ−（2,5−ジメトキシパラ
フェニレンビニレン）のx(3)値のスペクトルを示す図で
ある。 第５図は従来の非線形光学装置（光双安定素子）の一例
を示す構成図である。 １……非線形屈折率媒質、2a,2b……誘電体蒸着ミラー
（反射率約90％）、3a,3b……（外部）誘電体多層蒸着
膜ミラー、Pi……入力光、Pt……出力光、4a,4b……偏
光子（直交偏光子系を構成している）、Pg……ゲートパ
ルス光、5a,5b……半透過鏡、６……全反射鏡。
フロントページの続き (72)発明者 栗原 隆 東京都千代田区内幸町１丁目１番６号 日本電信電話株式会社内 (72)発明者 斎藤 省吾 福岡県福岡市中央区薬院４丁目１番18号 (72)発明者 筒井 哲夫 福岡県春日市紅葉ケ丘東８丁目66番地 (72)発明者 時任 静士 福岡県大野城市白木原１丁目１番20号 コーポ浜田202号
Claims (1)
- 【請求項１】非線形屈折率を有する光学媒質と、光共振
器や偏光子あるいは反射鏡などの光学素子とで構成され
る非線形光学装置において、 非線形屈折率を有する光学媒質として、下記式（Ｉ）で
示されるポリ−（2,5−ジメトキシパラフェニレンビニ
レン）を用いることを特徴とする非線形光学装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23672488A JP2592926B2 (ja) | 1988-09-21 | 1988-09-21 | 非線形光学装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23672488A JP2592926B2 (ja) | 1988-09-21 | 1988-09-21 | 非線形光学装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0283539A JPH0283539A (ja) | 1990-03-23 |
| JP2592926B2 true JP2592926B2 (ja) | 1997-03-19 |
Family
ID=17004844
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23672488A Expired - Fee Related JP2592926B2 (ja) | 1988-09-21 | 1988-09-21 | 非線形光学装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2592926B2 (ja) |
-
1988
- 1988-09-21 JP JP23672488A patent/JP2592926B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0283539A (ja) | 1990-03-23 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |