JP2591931B2 - 振動ジャイロ - Google Patents
振動ジャイロInfo
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、コリオリ力を利用して
回転角速度を検出する振動ジャイロに関する。
回転角速度を検出する振動ジャイロに関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、この種の振動ジャイロは、例え
ば、各種制御対象の姿勢制御や、カメラにおける手振れ
検知などに利用されている。
ば、各種制御対象の姿勢制御や、カメラにおける手振れ
検知などに利用されている。
【０００３】このような用途に用いられる振動ジャイロ
として、例えば、図３３に示すようなものがある。これ
は、音叉型振動子１に駆動用圧電磁器２を貼合せて複合
音叉型振動子３を構成したもので、振動子１をｘ軸方向
に駆動励振する。そして、振動子１の中心軸（ｚ軸）に
回転角速度（Ω0 ）を加えると、その振動（ｘ軸）と直
角方向（ｙ軸方向）にコリオリ力が生ずるので、音片型
振動子４に対してｙ軸に貼合せた検出用圧電磁器５によ
り回転角速度Ω0 を検出するように構成されている。
として、例えば、図３３に示すようなものがある。これ
は、音叉型振動子１に駆動用圧電磁器２を貼合せて複合
音叉型振動子３を構成したもので、振動子１をｘ軸方向
に駆動励振する。そして、振動子１の中心軸（ｚ軸）に
回転角速度（Ω0 ）を加えると、その振動（ｘ軸）と直
角方向（ｙ軸方向）にコリオリ力が生ずるので、音片型
振動子４に対してｙ軸に貼合せた検出用圧電磁器５によ
り回転角速度Ω0 を検出するように構成されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このような従来技術に
おいては、圧電材料（圧電磁器）を切断し、互いに接着
するという工程を経て作製される。従って、加工が煩雑
であり、加工コストを低減させる上で限界があるととも
に、大量生産に不向きである。また、小型化も困難であ
る。
おいては、圧電材料（圧電磁器）を切断し、互いに接着
するという工程を経て作製される。従って、加工が煩雑
であり、加工コストを低減させる上で限界があるととも
に、大量生産に不向きである。また、小型化も困難であ
る。
【０００５】さらに、振動子１，４の加工精度や圧電材
料の特性、接着位置等のバラツキにより回転角速度Ωが
ゼロ（無回転時）の検出電圧（所謂、ヌル電圧）が完全
にゼロとならず、かつ、回転角速度Ωに対する検出電圧
が数ｍＷと低く、Ｓ／Ｎ比もよくない。
料の特性、接着位置等のバラツキにより回転角速度Ωが
ゼロ（無回転時）の検出電圧（所謂、ヌル電圧）が完全
にゼロとならず、かつ、回転角速度Ωに対する検出電圧
が数ｍＷと低く、Ｓ／Ｎ比もよくない。
【０００６】Ｓ／Ｎ比の改善には、ヌル電圧を限りなく
ゼロに近付ける必要があるが、寸法精度、取付角度等の
加工・組立て及び調整にかなりの精度が要求され、量産
及びコストダウンを考慮した場合、現実には多くの困難
がある。
ゼロに近付ける必要があるが、寸法精度、取付角度等の
加工・組立て及び調整にかなりの精度が要求され、量産
及びコストダウンを考慮した場合、現実には多くの困難
がある。
【０００７】ちなみに、回転角速度Ωに対する感度を上
げることにより、ヌル電圧に対するＳ／Ｎ比を向上さ
せ、測定精度を高くするために、図３４に示すように、
振動子６を断面正三角形状とした振動ジャイロも考えら
れているが、製造工程については図３３に示したものと
なんら変わるところはなく、低コスト化、大量生産、小
型化は困難である。
げることにより、ヌル電圧に対するＳ／Ｎ比を向上さ
せ、測定精度を高くするために、図３４に示すように、
振動子６を断面正三角形状とした振動ジャイロも考えら
れているが、製造工程については図３３に示したものと
なんら変わるところはなく、低コスト化、大量生産、小
型化は困難である。
【０００８】本発明は、このような点に鑑み、以上の従
来技術の欠点を克服した振動ジャイロを提供することを
目的とする。即ち、切断や組立て等の工程がなく、加工
コストが低く、大量生産可能であり、かつ、小型化が容
易であり、測定精度の高い振動ジャイロを提供すること
を目的とする。
来技術の欠点を克服した振動ジャイロを提供することを
目的とする。即ち、切断や組立て等の工程がなく、加工
コストが低く、大量生産可能であり、かつ、小型化が容
易であり、測定精度の高い振動ジャイロを提供すること
を目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明の振
動ジャイロは、円形状に形成された庇を有する平板と、
前記庇領域部分に対して配置させた送波器と、この送波
器によって前記庇に生ずる定在波の波長の整数倍の距離
だけ離間させて前記庇領域部分に対して配置させた少な
くとも一対の受波器とを有する構成とした。
動ジャイロは、円形状に形成された庇を有する平板と、
前記庇領域部分に対して配置させた送波器と、この送波
器によって前記庇に生ずる定在波の波長の整数倍の距離
だけ離間させて前記庇領域部分に対して配置させた少な
くとも一対の受波器とを有する構成とした。
【００１０】請求項２記載の発明の振動ジャイロは、円
形状に形成された庇を有する平板と、前記庇領域部分に
対して配置させた送波器と、この送波器から等距離の位
置の前記庇領域部分に対して配置させた少なくとも一対
の受波器とを有する構成とした。
形状に形成された庇を有する平板と、前記庇領域部分に
対して配置させた送波器と、この送波器から等距離の位
置の前記庇領域部分に対して配置させた少なくとも一対
の受波器とを有する構成とした。
【００１１】請求項３記載の発明の振動ジャイロは、請
求項２記載の発明の振動ジャイロの構成に加えて、送波
器から最も遠い等距離の位置に配置させた一対の受波器
間に位置させて庇領域部分に吸振材又は吸音材を設け
た。
求項２記載の発明の振動ジャイロの構成に加えて、送波
器から最も遠い等距離の位置に配置させた一対の受波器
間に位置させて庇領域部分に吸振材又は吸音材を設け
た。
【００１２】請求項４記載の発明の振動ジャイロは、請
求項３記載の発明の振動ジャイロの構成において、吸振
材又は吸音材を充填させる切欠きを庇領域部分に形成し
た。
求項３記載の発明の振動ジャイロの構成において、吸振
材又は吸音材を充填させる切欠きを庇領域部分に形成し
た。
【００１３】請求項５記載の発明の振動ジャイロは、円
形状に形成された庇を有する平板と、前記庇領域部分に
対して配置させた送波器と、円形状の前記庇の中心点に
対して前記送波器と点対称をなす庇領域部分の位置に形
成された切欠きと、前記送波器によって前記庇に生ずる
定在波の波長の整数倍であって送波器から等距離の位置
の庇領域部分に対して配置させた少なくとも一対の受波
器とを有する構成とした。
形状に形成された庇を有する平板と、前記庇領域部分に
対して配置させた送波器と、円形状の前記庇の中心点に
対して前記送波器と点対称をなす庇領域部分の位置に形
成された切欠きと、前記送波器によって前記庇に生ずる
定在波の波長の整数倍であって送波器から等距離の位置
の庇領域部分に対して配置させた少なくとも一対の受波
器とを有する構成とした。
【００１４】また、請求項１，２，３，４又は５記載の
発明の振動ジャイロの構成に関して、請求項６記載の発
明では、庇を半導体材料により形成し、送波器と受波器
との少なくとも一方を前記庇領域部分に不純物を拡散さ
せてなる拡散抵抗により形成した。請求項７記載の発明
では、庇を絶縁体材料により形成し、送波器と受波器と
の少なくとも一方を前記庇領域部分に設けた半導体材料
により形成した。請求項８記載の発明では、庇を絶縁体
材料により形成し、送波器と受波器との少なくとも一方
を前記庇領域部分に設けた金属材料により形成した。請
求項９記載の発明では、庇を膜厚方向に圧電定数が順次
変化する圧電材料により形成し、送波器と受波器との少
なくとも一方が配置される庇領域部分の両面に対をなす
電極を形成した。請求項１０記載の発明では、庇を圧電
材料により形成し、送波器と受波器との少なくとも一方
が配置される庇領域部分の片面に面内で対をなす電極を
形成した。請求項１１記載の発明では、庇を絶縁体材料
により形成し、送波器と受波器との少なくとも一方を前
記庇領域部分に設けた圧電材料により形成した。請求項
１２記載の発明では、庇と平板との間に空隙を設け、送
波器と受波器との少なくとも一方が配置される庇領域部
分に設けられた電極と前記空隙を介してこの電極に対向
させた前記平板上の電極とによりコンデンサを形成し
た。請求項１３記載の発明では、庇と平板との間に空隙
を設け、送波器と受波器との少なくとも一方が配置され
る庇領域部分にコイルを形成するとともに前記空隙を介
してこのコイルに対向する磁性体材料部を前記平板上に
形成した。請求項１４記載の発明では、庇と平板との間
に空隙を設け、送波器と受波器との少なくとも一方が配
置される庇領域部分に磁性体材料部を形成するとともに
前記空隙を介してこの磁性体材料部に対向するコイルを
前記平板上に形成した。請求項１５記載の発明では、時
間的に光量が変化する光が照射される庇領域部分を送波
器とした。請求項１６記載の発明では、庇領域部分の面
上に光を照射する光源と、この光源により照射されて庇
領域部分から反射される光の位置を検出する光位置検出
器とよりなる受波器とした。請求項１７記載の発明で
は、庇の振動を光干渉法により検出する光検出計よりな
る受波器とした。
発明の振動ジャイロの構成に関して、請求項６記載の発
明では、庇を半導体材料により形成し、送波器と受波器
との少なくとも一方を前記庇領域部分に不純物を拡散さ
せてなる拡散抵抗により形成した。請求項７記載の発明
では、庇を絶縁体材料により形成し、送波器と受波器と
の少なくとも一方を前記庇領域部分に設けた半導体材料
により形成した。請求項８記載の発明では、庇を絶縁体
材料により形成し、送波器と受波器との少なくとも一方
を前記庇領域部分に設けた金属材料により形成した。請
求項９記載の発明では、庇を膜厚方向に圧電定数が順次
変化する圧電材料により形成し、送波器と受波器との少
なくとも一方が配置される庇領域部分の両面に対をなす
電極を形成した。請求項１０記載の発明では、庇を圧電
材料により形成し、送波器と受波器との少なくとも一方
が配置される庇領域部分の片面に面内で対をなす電極を
形成した。請求項１１記載の発明では、庇を絶縁体材料
により形成し、送波器と受波器との少なくとも一方を前
記庇領域部分に設けた圧電材料により形成した。請求項
１２記載の発明では、庇と平板との間に空隙を設け、送
波器と受波器との少なくとも一方が配置される庇領域部
分に設けられた電極と前記空隙を介してこの電極に対向
させた前記平板上の電極とによりコンデンサを形成し
た。請求項１３記載の発明では、庇と平板との間に空隙
を設け、送波器と受波器との少なくとも一方が配置され
る庇領域部分にコイルを形成するとともに前記空隙を介
してこのコイルに対向する磁性体材料部を前記平板上に
形成した。請求項１４記載の発明では、庇と平板との間
に空隙を設け、送波器と受波器との少なくとも一方が配
置される庇領域部分に磁性体材料部を形成するとともに
前記空隙を介してこの磁性体材料部に対向するコイルを
前記平板上に形成した。請求項１５記載の発明では、時
間的に光量が変化する光が照射される庇領域部分を送波
器とした。請求項１６記載の発明では、庇領域部分の面
上に光を照射する光源と、この光源により照射されて庇
領域部分から反射される光の位置を検出する光位置検出
器とよりなる受波器とした。請求項１７記載の発明で
は、庇の振動を光干渉法により検出する光検出計よりな
る受波器とした。
【００１５】さらに、これらの請求項１ないし１７の何
れか一記載の発明の振動ジャイロの構成に関して、請求
項１８記載の発明では、円形状に形成された庇の中心部
に位置させて、台座に接着される剛性の高い部分を平板
部と一体で形成した。請求項１９記載の発明では、円形
状に形成された庇の中心部及び前記庇の外側に位置させ
て、剛性の高い部分を平板部と一体で形成した。
れか一記載の発明の振動ジャイロの構成に関して、請求
項１８記載の発明では、円形状に形成された庇の中心部
に位置させて、台座に接着される剛性の高い部分を平板
部と一体で形成した。請求項１９記載の発明では、円形
状に形成された庇の中心部及び前記庇の外側に位置させ
て、剛性の高い部分を平板部と一体で形成した。
【００１６】
【作用】請求項１記載の発明の振動ジャイロにおいて
は、庇領域部分に対して配置させた送波器を駆動させる
と、送波器部分の庇に形状変化が繰り返し生じて振動す
る。この振動が円形状の庇のエッジに沿って伝わり、送
波器の駆動周波数を適当に設定することにより、送波器
から右回りの振動と左回りの振動とが重なり合い、共振
して定在波を生ずる。庇領域部分に対して配置された少
なくとも一対の受波器は定在波により生ずる庇の曲げに
よる歪を検知する。この場合、対をなす受波器は定在波
の波長の整数倍だけ離間させて配置されているので、回
転角速度がゼロの場合には対をなす受波器で検知される
歪変化の位相は一致している。そして、振動ジャイロが
回転すると、コリオリ力が働き、定在波が崩れ、対をな
す受波器で検知される歪変化に位相差を生ずる。この位
相差に基づき回転角速度が検出される。このような振動
ジャイロは、平板に対するフォトリソグラフィ工程等の
工程による半導体製造工程なるバッチプロセスにより作
製できることにより、組立て工程を要せず、かつ、加工
コストを低減でき、大量生産向きとなる。また、半導体
製造工程によれば、μｍ以下の精度があるので、小型化
が容易である上に、容易にヌル電圧を低減させることが
できるので、回転角速度の測定精度が向上する。
は、庇領域部分に対して配置させた送波器を駆動させる
と、送波器部分の庇に形状変化が繰り返し生じて振動す
る。この振動が円形状の庇のエッジに沿って伝わり、送
波器の駆動周波数を適当に設定することにより、送波器
から右回りの振動と左回りの振動とが重なり合い、共振
して定在波を生ずる。庇領域部分に対して配置された少
なくとも一対の受波器は定在波により生ずる庇の曲げに
よる歪を検知する。この場合、対をなす受波器は定在波
の波長の整数倍だけ離間させて配置されているので、回
転角速度がゼロの場合には対をなす受波器で検知される
歪変化の位相は一致している。そして、振動ジャイロが
回転すると、コリオリ力が働き、定在波が崩れ、対をな
す受波器で検知される歪変化に位相差を生ずる。この位
相差に基づき回転角速度が検出される。このような振動
ジャイロは、平板に対するフォトリソグラフィ工程等の
工程による半導体製造工程なるバッチプロセスにより作
製できることにより、組立て工程を要せず、かつ、加工
コストを低減でき、大量生産向きとなる。また、半導体
製造工程によれば、μｍ以下の精度があるので、小型化
が容易である上に、容易にヌル電圧を低減させることが
できるので、回転角速度の測定精度が向上する。
【００１７】請求項２記載の発明の振動ジャイロにおい
ては、対をなす受波器が送波器から等距離の位置に配置
されているので、振動ジャイロの回転角速度がゼロの場
合には、送波器により発生させた右回り及び左回りの振
動は、対をなす受波器に同時に伝搬する。そして、振動
ジャイロが回転すると、コリオリ力が働き、右回りの振
動と左回りの振動との伝搬速度が異なり、対をなす受波
器に到達する時刻に位相差を生ずる。この位相差に基づ
き回転角速度が検出される。このような振動ジャイロに
関しても、請求項１記載の発明の振動ジャイロと同様
に、半導体製造工程なるバッチプロセスにより作製でき
る等のメリットが得られる。
ては、対をなす受波器が送波器から等距離の位置に配置
されているので、振動ジャイロの回転角速度がゼロの場
合には、送波器により発生させた右回り及び左回りの振
動は、対をなす受波器に同時に伝搬する。そして、振動
ジャイロが回転すると、コリオリ力が働き、右回りの振
動と左回りの振動との伝搬速度が異なり、対をなす受波
器に到達する時刻に位相差を生ずる。この位相差に基づ
き回転角速度が検出される。このような振動ジャイロに
関しても、請求項１記載の発明の振動ジャイロと同様
に、半導体製造工程なるバッチプロセスにより作製でき
る等のメリットが得られる。
【００１８】この場合、請求項３記載の発明の振動ジャ
イロにおいては、送波器から最も遠い等距離の位置に配
置させた一対の受波器間に位置させて庇領域部分に吸振
材又は吸音材を有するので、送波器により発生させた右
回りの振動と左回りの振動とは送波器から最も遠い受波
器を超えた後は吸振材又は吸音材に到達して吸収される
ので、右回りの振動と左回りの振動とが干渉することが
なく、回転角速度の測定精度がさらに向上する。請求項
４記載の発明の振動ジャイロによる場合も、切欠きに充
填させた吸振材又は吸音材により、同様の作用が得られ
る。
イロにおいては、送波器から最も遠い等距離の位置に配
置させた一対の受波器間に位置させて庇領域部分に吸振
材又は吸音材を有するので、送波器により発生させた右
回りの振動と左回りの振動とは送波器から最も遠い受波
器を超えた後は吸振材又は吸音材に到達して吸収される
ので、右回りの振動と左回りの振動とが干渉することが
なく、回転角速度の測定精度がさらに向上する。請求項
４記載の発明の振動ジャイロによる場合も、切欠きに充
填させた吸振材又は吸音材により、同様の作用が得られ
る。
【００１９】請求項５記載の発明の振動ジャイロにおい
ては、庇領域部分に対して配置させた送波器を駆動させ
ると、送波器部分の庇に形状変化が繰り返し生じて振動
する。この振動が円形状の庇のエッジに沿って切欠きま
で伝わる。送波器から出た右回りの振動は切欠きで反射
され左回りの振動として伝搬する。同様に、送波器から
出た左回りの振動は切欠きで反射され右回りの振動とし
て伝搬する。ここに、送波器の駆動周波数を適当に設定
することにより、送波器・切欠き間で、各々の右回り、
左回りの振動が重なり合い、共振して定在波を生ずる。
よって、請求項１記載の発明の振動ジャイロの場合と同
様に、対をなす受波器を定在波の波長の整数倍であって
送波器から等距離の位置の庇領域部分に対して配置さ
せ、振動ジャイロを回転させた場合の対をなす受波器間
の位相差に基づき回転角速度が検出される。このような
振動ジャイロに関しても、請求項１記載の発明の振動ジ
ャイロと同様に、半導体製造工程なるバッチプロセスに
より作製できる等のメリットが得られる。
ては、庇領域部分に対して配置させた送波器を駆動させ
ると、送波器部分の庇に形状変化が繰り返し生じて振動
する。この振動が円形状の庇のエッジに沿って切欠きま
で伝わる。送波器から出た右回りの振動は切欠きで反射
され左回りの振動として伝搬する。同様に、送波器から
出た左回りの振動は切欠きで反射され右回りの振動とし
て伝搬する。ここに、送波器の駆動周波数を適当に設定
することにより、送波器・切欠き間で、各々の右回り、
左回りの振動が重なり合い、共振して定在波を生ずる。
よって、請求項１記載の発明の振動ジャイロの場合と同
様に、対をなす受波器を定在波の波長の整数倍であって
送波器から等距離の位置の庇領域部分に対して配置さ
せ、振動ジャイロを回転させた場合の対をなす受波器間
の位相差に基づき回転角速度が検出される。このような
振動ジャイロに関しても、請求項１記載の発明の振動ジ
ャイロと同様に、半導体製造工程なるバッチプロセスに
より作製できる等のメリットが得られる。
【００２０】これらの請求項１，２，３，４又は５記載
の発明の振動ジャイロに関して、請求項６ないし１７記
載の発明の振動ジャイロにおいては、庇を半導体材料に
より形成し、送波器又は受波器を拡散抵抗により形成す
る等、送波器や受波器を含めて半導体製造工程なるバッ
チプロセスにより作製でき、振動ジャイロの作製がより
一層容易となる。
の発明の振動ジャイロに関して、請求項６ないし１７記
載の発明の振動ジャイロにおいては、庇を半導体材料に
より形成し、送波器又は受波器を拡散抵抗により形成す
る等、送波器や受波器を含めて半導体製造工程なるバッ
チプロセスにより作製でき、振動ジャイロの作製がより
一層容易となる。
【００２１】さらに、これらの請求項１ないし１７の何
れか一記載の発明の振動ジャイロに関して、請求項１８
記載の発明の振動ジャイロにおいては、台座に接着され
る部分が剛性が高くて庇の中心部に位置しているので、
熱膨張係数の異なる台座に平板を取り付けてもこの熱膨
張係数の差により生ずる平板の応力歪の測定出力への影
響、即ち、温度変化の測定出力への影響が少ない。ま
た、請求項１９記載の発明の振動ジャイロにおいては、
平板の外側を向いている庇を損傷することなく、台座に
接着する等のハンドリング作業を行える。
れか一記載の発明の振動ジャイロに関して、請求項１８
記載の発明の振動ジャイロにおいては、台座に接着され
る部分が剛性が高くて庇の中心部に位置しているので、
熱膨張係数の異なる台座に平板を取り付けてもこの熱膨
張係数の差により生ずる平板の応力歪の測定出力への影
響、即ち、温度変化の測定出力への影響が少ない。ま
た、請求項１９記載の発明の振動ジャイロにおいては、
平板の外側を向いている庇を損傷することなく、台座に
接着する等のハンドリング作業を行える。
【００２２】
【実施例】請求項１及び６記載の発明の一実施例を図１
ないし図６に基づいて説明する。まず、ドープ量が１０
17cm~3以下のｎ型（又は、ｐ型）のＳｉ基板が平板１１
として設けられている。この平板１１には円形の穴１２
が開口形成されているとともに、平板１１上には、例え
ば、ｎ型のエピタキシャル層１３が積層されている。こ
のエピタキシャル層１３にも前記穴１２と同心の円形の
穴１４が開口形成されている。ここに、穴１４の半径の
ほうが穴１２の半径よりも小さいことにより、エピタキ
シャル層１３が穴１２側に突出して円形状の庇１５が形
成されている。
ないし図６に基づいて説明する。まず、ドープ量が１０
17cm~3以下のｎ型（又は、ｐ型）のＳｉ基板が平板１１
として設けられている。この平板１１には円形の穴１２
が開口形成されているとともに、平板１１上には、例え
ば、ｎ型のエピタキシャル層１３が積層されている。こ
のエピタキシャル層１３にも前記穴１２と同心の円形の
穴１４が開口形成されている。ここに、穴１４の半径の
ほうが穴１２の半径よりも小さいことにより、エピタキ
シャル層１３が穴１２側に突出して円形状の庇１５が形
成されている。
【００２３】このような庇１５領域部分に対しては、ｐ
型の不純物を選択拡散させた拡散抵抗Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ3
が形成されている。ここに、拡散抵抗Ｒ1 は送波器を構
成するので、ｐ型の不純物の量（ドープ量）はできるだ
け多くして低抵抗化させることが好ましい。また、拡散
抵抗Ｒ2 ，Ｒ3 は一対の受波器を構成するもので、ｐ型
の不純物の量は１０17〜１０21cm~3程度に設定されてい
る。これらの拡散抵抗Ｒ2 ，Ｒ3 間の距離は、後述する
ように拡散抵抗Ｒ1 によって生ずる定在波の１波長をλ
としたとき、λに設定されている（もっとも、この波長
λが短く、加工精度上、これらの拡散抵抗Ｒ2 ，Ｒ3 の
作製が困難な場合には、波長λの２倍、３倍、といった
ように整数倍離間させてもよい）。これらの拡散抵抗Ｒ
1 ，Ｒ2，Ｒ3 には各々一対ずつのＡｌ配線１６が形成
されている。
型の不純物を選択拡散させた拡散抵抗Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ3
が形成されている。ここに、拡散抵抗Ｒ1 は送波器を構
成するので、ｐ型の不純物の量（ドープ量）はできるだ
け多くして低抵抗化させることが好ましい。また、拡散
抵抗Ｒ2 ，Ｒ3 は一対の受波器を構成するもので、ｐ型
の不純物の量は１０17〜１０21cm~3程度に設定されてい
る。これらの拡散抵抗Ｒ2 ，Ｒ3 間の距離は、後述する
ように拡散抵抗Ｒ1 によって生ずる定在波の１波長をλ
としたとき、λに設定されている（もっとも、この波長
λが短く、加工精度上、これらの拡散抵抗Ｒ2 ，Ｒ3 の
作製が困難な場合には、波長λの２倍、３倍、といった
ように整数倍離間させてもよい）。これらの拡散抵抗Ｒ
1 ，Ｒ2，Ｒ3 には各々一対ずつのＡｌ配線１６が形成
されている。
【００２４】このような構成よりなる振動ジャイロ１７
は、全て半導体製造工程なるバッチプロセスにより作製
される。その作製プロセスを図２を参照して説明する。
まず、ｎ型（又は、ｐ型）のＳｉ基板なる平板１１上に
エピタキシャル層１３を積層形成した板材を用意し、図
２（ａ）に示すように、エピタキシャル層１３上の所定
位置にｐ型の不純物を拡散させて拡散抵抗Ｒ1 ，Ｒ2 ，
Ｒ3 を形成し、さらに、これらの拡散抵抗Ｒ1 ，Ｒ2 ，
Ｒ3 に対してＡｌ配線１６を設ける。
は、全て半導体製造工程なるバッチプロセスにより作製
される。その作製プロセスを図２を参照して説明する。
まず、ｎ型（又は、ｐ型）のＳｉ基板なる平板１１上に
エピタキシャル層１３を積層形成した板材を用意し、図
２（ａ）に示すように、エピタキシャル層１３上の所定
位置にｐ型の不純物を拡散させて拡散抵抗Ｒ1 ，Ｒ2 ，
Ｒ3 を形成し、さらに、これらの拡散抵抗Ｒ1 ，Ｒ2 ，
Ｒ3 に対してＡｌ配線１６を設ける。
【００２５】ついで、このような板材の表裏面にマスキ
ングフィルム（図示せず）を形成し、表面（エピタキシ
ャル層１３側）のみ円形にフォトリソグラフィ法により
エッチング・パターニングした後、例えば、容積比でＨ
Ｆ：ＨＮＯ3 ：Ｈ2Ｏ又はＣＨ3ＣＯＯＨ＝１：２：１、
或いは、９：７５：３０のエッチャントによりエピタキ
シャル層１３をエッチングし、図２（ｂ）に示すよう
に、円形の穴１４をあける。
ングフィルム（図示せず）を形成し、表面（エピタキシ
ャル層１３側）のみ円形にフォトリソグラフィ法により
エッチング・パターニングした後、例えば、容積比でＨ
Ｆ：ＨＮＯ3 ：Ｈ2Ｏ又はＣＨ3ＣＯＯＨ＝１：２：１、
或いは、９：７５：３０のエッチャントによりエピタキ
シャル層１３をエッチングし、図２（ｂ）に示すよう
に、円形の穴１４をあける。
【００２６】この後、今度は板材の裏面のマスキングフ
ィルムを上記であけた穴１４より大きな半径で円形状パ
ターニングし、例えば、ＨＦ：ＨＮＯ3：Ｈ2Ｏ又はＣＨ
3ＣＯＯＨ＝１：３：８のエッチャントにより裏面から
Ｓｉ基板なる平板１１をエッチングし、図２（ｃ）に示
すように、穴１４とともに貫通穴を形成する穴１２をあ
ける。この場合、裏面用のエッチャントはドープ量が１
０17cm~3以下のＳｉ基板のみをエッチングするので、ｎ
型のエピタキシャル層１３はエッチングされず、円形状
の庇１５が形成されることになる。
ィルムを上記であけた穴１４より大きな半径で円形状パ
ターニングし、例えば、ＨＦ：ＨＮＯ3：Ｈ2Ｏ又はＣＨ
3ＣＯＯＨ＝１：３：８のエッチャントにより裏面から
Ｓｉ基板なる平板１１をエッチングし、図２（ｃ）に示
すように、穴１４とともに貫通穴を形成する穴１２をあ
ける。この場合、裏面用のエッチャントはドープ量が１
０17cm~3以下のＳｉ基板のみをエッチングするので、ｎ
型のエピタキシャル層１３はエッチングされず、円形状
の庇１５が形成されることになる。
【００２７】次に、本実施例の振動ジャイロ１７の動作
を説明する。まず、送波器として機能する拡散抵抗Ｒ1
は図３中に示すようにＡｌ配線１６を介して交流電圧Ｖ
ａなる交流電源１８に接続されている。拡散抵抗Ｒ1 は
非常に低抵抗化されているので、容易にヒータとして働
き、このような交流電圧Ｖａの印加により、発熱する
と、熱膨張により拡散抵抗Ｒ1 が配置された部分の庇１
５が図４（ｂ）に示すように下に曲がる。この場合、交
流電圧Ｖａの印加であるので、このような庇１５の形状
の変化が繰り返され、庇１５は振動する。
を説明する。まず、送波器として機能する拡散抵抗Ｒ1
は図３中に示すようにＡｌ配線１６を介して交流電圧Ｖ
ａなる交流電源１８に接続されている。拡散抵抗Ｒ1 は
非常に低抵抗化されているので、容易にヒータとして働
き、このような交流電圧Ｖａの印加により、発熱する
と、熱膨張により拡散抵抗Ｒ1 が配置された部分の庇１
５が図４（ｂ）に示すように下に曲がる。この場合、交
流電圧Ｖａの印加であるので、このような庇１５の形状
の変化が繰り返され、庇１５は振動する。
【００２８】この庇１５の振動が、庇１５の円形状のエ
ッジに沿ってうねるように曲げモードとして伝ってい
く。交流電圧Ｖａの周波数ｆ0 を適当に定めると、右回
りに伝搬して１回りした振動と、左回りに伝搬して１回
りした振動とが重なり合い、共振して定在波が生ずる。
ッジに沿ってうねるように曲げモードとして伝ってい
く。交流電圧Ｖａの周波数ｆ0 を適当に定めると、右回
りに伝搬して１回りした振動と、左回りに伝搬して１回
りした振動とが重なり合い、共振して定在波が生ずる。
【００２９】一方、受波器として機能する拡散抵抗Ｒ
2 ，Ｒ3 は、そのドープ量からピエゾ抵抗効果を持つた
め、この定在波により生じる各々Ｒ2 部、Ｒ3 部の庇１
５の曲げによる歪を検知することで、抵抗が変化する。
即ち、所定の周波数ｆ0 で抵抗値が変化する。ここに、
拡散抵抗Ｒ2 ・Ｒ3 間の距離は、定在波の１波長λ分
（又は、１波長分の整数倍）に設定されているので、ｚ
軸回りの回転角速度Ωがゼロの場合、拡散抵抗Ｒ2 ，Ｒ
3 の抵抗変化の位相は一致している。
2 ，Ｒ3 は、そのドープ量からピエゾ抵抗効果を持つた
め、この定在波により生じる各々Ｒ2 部、Ｒ3 部の庇１
５の曲げによる歪を検知することで、抵抗が変化する。
即ち、所定の周波数ｆ0 で抵抗値が変化する。ここに、
拡散抵抗Ｒ2 ・Ｒ3 間の距離は、定在波の１波長λ分
（又は、１波長分の整数倍）に設定されているので、ｚ
軸回りの回転角速度Ωがゼロの場合、拡散抵抗Ｒ2 ，Ｒ
3 の抵抗変化の位相は一致している。
【００３０】ここで、対をなす拡散抵抗Ｒ2 ，Ｒ3 は図
３中に示すように２つの参照抵抗Ｒとともにホイースト
ンブリッジ１９を構成しており、このホイーストンブリ
ッジ１９には直流電圧Ｖｂが印加されている。ホイース
トンブリッジ１９からの出力Ｖ2 ，Ｖ3 は差動増幅器２
０に入力されている。この差動増幅器２０の出力Ｖou t
からロックインアンプ２１を介して最終的な直流信号Ｖ
sig が得られるように構成されている。
３中に示すように２つの参照抵抗Ｒとともにホイースト
ンブリッジ１９を構成しており、このホイーストンブリ
ッジ１９には直流電圧Ｖｂが印加されている。ホイース
トンブリッジ１９からの出力Ｖ2 ，Ｖ3 は差動増幅器２
０に入力されている。この差動増幅器２０の出力Ｖou t
からロックインアンプ２１を介して最終的な直流信号Ｖ
sig が得られるように構成されている。
【００３１】今、振動ジャイロ１７の回転角速度Ω＝０
の時には、前述したような理由によって、図５に示すよ
うに、出力Ｖ2 ，Ｖ3 の位相が一致しているので、差動
増幅器２０の出力Ｖout はゼロとなる。そして、図１
（ａ）中に矢印で示すように、振動ジャイロ１７がｚ軸
回りに回転すると、コリオリの力が働き、定在波が崩れ
る。これにより、拡散抵抗Ｒ2 ，Ｒ3 が受ける定在波に
よる振動に位相差が生じ、図６に示すように出力Ｖ2 ，
Ｖ3 にも位相差が生じる。これにより、差動増幅器２０
の出力Ｖout に振動波形が現れるので、これから振動ジ
ャイロ１７の回転角速度Ωを検出できる。
の時には、前述したような理由によって、図５に示すよ
うに、出力Ｖ2 ，Ｖ3 の位相が一致しているので、差動
増幅器２０の出力Ｖout はゼロとなる。そして、図１
（ａ）中に矢印で示すように、振動ジャイロ１７がｚ軸
回りに回転すると、コリオリの力が働き、定在波が崩れ
る。これにより、拡散抵抗Ｒ2 ，Ｒ3 が受ける定在波に
よる振動に位相差が生じ、図６に示すように出力Ｖ2 ，
Ｖ3 にも位相差が生じる。これにより、差動増幅器２０
の出力Ｖout に振動波形が現れるので、これから振動ジ
ャイロ１７の回転角速度Ωを検出できる。
【００３２】例えば、交流電圧Ｖａと比較して、出力Ｖ
2 がθだけ位相差が進み、出力Ｖ3が遅れる、とする
と、 Ｖ2 ＝ａsin（ωｔ＋θ） Ｖ3 ＝ａsin（ωｔ−θ） となる。よって、 Ｖout ＝Ｖ2 −Ｖ3 ＝２ａsinθsin（ωｔ＋π／２） となる。従って、交流電圧Ｖａを参照信号とするロック
インアンプ２１等により、Ｖout をπ／２の位相で位相
検波し、ローパスフィルタをかければ、 Ｖsig ＝Ａsinθ なる直流信号が得られる。Ωはθに比例し、θ≒０では
Ｖsig ＝Ａθとなるので、回転角速度Ωにほぼ比例した
直流信号Ｖsig を得ることができる。
2 がθだけ位相差が進み、出力Ｖ3が遅れる、とする
と、 Ｖ2 ＝ａsin（ωｔ＋θ） Ｖ3 ＝ａsin（ωｔ−θ） となる。よって、 Ｖout ＝Ｖ2 −Ｖ3 ＝２ａsinθsin（ωｔ＋π／２） となる。従って、交流電圧Ｖａを参照信号とするロック
インアンプ２１等により、Ｖout をπ／２の位相で位相
検波し、ローパスフィルタをかければ、 Ｖsig ＝Ａsinθ なる直流信号が得られる。Ωはθに比例し、θ≒０では
Ｖsig ＝Ａθとなるので、回転角速度Ωにほぼ比例した
直流信号Ｖsig を得ることができる。
【００３３】本実施例によれば、Ｓｉ基板による平板１
１上にフォトリソグラフィ工程による半導体製造工程を
施すことにより、組立て工程を伴うことなく、振動ジャ
イロ１７を作製することができるので、大量生産に適し
たものとなり、加工コストを低くできる。また、半導体
製造工程によるので、μｍ以下の加工精度があり、振動
ジャイロ１７の小型化が容易な上に、その加工精度に再
現性があるので、容易にヌル電圧を低減させることがで
き、よって、振動ジャイロ１７の回転角速度Ωの測定精
度の高いものとなる。特に、本実施例では、送波器と受
波器とについても拡散抵抗Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ3 として形成
しており、振動ジャイロ１７の全ての半導体製造工程に
よって作製できるので、振動ジャイロ１７をより容易に
作製することができる。
１上にフォトリソグラフィ工程による半導体製造工程を
施すことにより、組立て工程を伴うことなく、振動ジャ
イロ１７を作製することができるので、大量生産に適し
たものとなり、加工コストを低くできる。また、半導体
製造工程によるので、μｍ以下の加工精度があり、振動
ジャイロ１７の小型化が容易な上に、その加工精度に再
現性があるので、容易にヌル電圧を低減させることがで
き、よって、振動ジャイロ１７の回転角速度Ωの測定精
度の高いものとなる。特に、本実施例では、送波器と受
波器とについても拡散抵抗Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ3 として形成
しており、振動ジャイロ１７の全ての半導体製造工程に
よって作製できるので、振動ジャイロ１７をより容易に
作製することができる。
【００３４】つづいて、請求項５記載の発明の一実施例
を図７により説明する。前記実施例で示した部分と同一
機能を果たす部分は同一符号を用いて示し、その詳細を
省略する（以下の実施例でも同様とする）。本実施例の
振動ジャイロ２２では、円形状の庇１５の中心点Ｏに対
して送波器を構成する拡散抵抗Ｒ1 と点対称をなす庇１
５の位置には切欠き２３が形成されている。また、受波
器を構成する一対の拡散抵抗Ｒ2 ，Ｒ3 は、前記拡散抵
抗Ｒ1 から等距離の位置であって、庇１５に発生させる
定在波の波長λのｎ倍（ｎは整数）、即ち、ｎλの位置
に配置されている。この他の構成は、前記実施例の場合
と同様である。
を図７により説明する。前記実施例で示した部分と同一
機能を果たす部分は同一符号を用いて示し、その詳細を
省略する（以下の実施例でも同様とする）。本実施例の
振動ジャイロ２２では、円形状の庇１５の中心点Ｏに対
して送波器を構成する拡散抵抗Ｒ1 と点対称をなす庇１
５の位置には切欠き２３が形成されている。また、受波
器を構成する一対の拡散抵抗Ｒ2 ，Ｒ3 は、前記拡散抵
抗Ｒ1 から等距離の位置であって、庇１５に発生させる
定在波の波長λのｎ倍（ｎは整数）、即ち、ｎλの位置
に配置されている。この他の構成は、前記実施例の場合
と同様である。
【００３５】このような構成において、前記実施例と同
様に送波器として機能する拡散抵抗Ｒ1 に交流電圧Ｖａ
を印加して、庇１５に振動を与えると、この振動が庇１
５の内周側エッジに沿って曲げモードとして伝ってい
く。この拡散抵抗Ｒ1 から出た左回りの振動は、切欠き
２３まで到達した後、この切欠き２３の端面で反射して
右回りに伝搬していく。一方、拡散抵抗Ｒ1 から出た右
回りの振動は、同様に、切欠き２３の端面で反射して左
回りに伝搬していく。従って、拡散抵抗Ｒ1 に印加する
交流電圧Ｖａの周波数ｆ0 を適当に選ぶことにより、
左、右回りの振動が重なり合い、波長λをもって共振し
て定在波が生ずる。ここに、庇１５領域部分には、波長
λの整数倍（ｎ倍）で相等しい距離をこの拡散抵抗Ｒ1
からもつ位置に受波器として作用する拡散抵抗Ｒ2 ，Ｒ
3 が設けられているので、前記実施例の場合と同様に、
本実施例の振動ジャイロ２２の回転角速度Ωを測定する
ことができる。
様に送波器として機能する拡散抵抗Ｒ1 に交流電圧Ｖａ
を印加して、庇１５に振動を与えると、この振動が庇１
５の内周側エッジに沿って曲げモードとして伝ってい
く。この拡散抵抗Ｒ1 から出た左回りの振動は、切欠き
２３まで到達した後、この切欠き２３の端面で反射して
右回りに伝搬していく。一方、拡散抵抗Ｒ1 から出た右
回りの振動は、同様に、切欠き２３の端面で反射して左
回りに伝搬していく。従って、拡散抵抗Ｒ1 に印加する
交流電圧Ｖａの周波数ｆ0 を適当に選ぶことにより、
左、右回りの振動が重なり合い、波長λをもって共振し
て定在波が生ずる。ここに、庇１５領域部分には、波長
λの整数倍（ｎ倍）で相等しい距離をこの拡散抵抗Ｒ1
からもつ位置に受波器として作用する拡散抵抗Ｒ2 ，Ｒ
3 が設けられているので、前記実施例の場合と同様に、
本実施例の振動ジャイロ２２の回転角速度Ωを測定する
ことができる。
【００３６】よって、本実施例による場合も前記実施例
と同様の効果が得られる。
と同様の効果が得られる。
【００３７】つづいて、請求項２及び３記載の発明の一
実施例を図８ないし図１１により説明する。本実施例の
振動ジャイロ２４では、庇１５領域部分において、送波
器として機能する拡散抵抗Ｒ1 から等距離（ともに、距
離Ｌ）の位置に、受波器として作用する拡散抵抗Ｒ2 ，
Ｒ3 が配置されている。また、これらの拡散抵抗Ｒ2，
Ｒ3 間に位置させて庇１５上には吸振材（又は、吸音材
でもよい）２５が積層状態で設けられている。
実施例を図８ないし図１１により説明する。本実施例の
振動ジャイロ２４では、庇１５領域部分において、送波
器として機能する拡散抵抗Ｒ1 から等距離（ともに、距
離Ｌ）の位置に、受波器として作用する拡散抵抗Ｒ2 ，
Ｒ3 が配置されている。また、これらの拡散抵抗Ｒ2，
Ｒ3 間に位置させて庇１５上には吸振材（又は、吸音材
でもよい）２５が積層状態で設けられている。
【００３８】また、本実施例の回転角速度検出回路は図
９に示すように構成されている。まず、拡散抵抗Ｒ1 に
パルス電圧Ｖａを印加するパルス電源２６が設けられて
いる。よって、パルス電源２６により拡散抵抗Ｒ1 にパ
ルス電圧Ｖａを印加すると、前述した交流電圧印加の場
合と同様に、庇１５において拡散抵抗Ｒ1 部分にパルス
振動が生ずる。この振動は、庇１５のエッジに沿って伝
搬し、左回りの振動は拡散抵抗Ｒ2 、右回りの振動は拡
散抵抗Ｒ3 に到達する。ここに、これらの拡散抵抗Ｒ
2 ，Ｒ3 間には吸振材２５があるので、左回り、右回り
で各々伝ってきた振動は、この吸振材２５部分で吸収さ
れてそれ以上は伝わらない。即ち、左回りの振動が拡散
抵抗Ｒ3 まで伝わることがなく、右回りの振動が拡散抵
抗Ｒ2 まで伝わることはない。従って、この吸振材２５
がない場合よりも回転角速度Ωの測定精度は向上する。
９に示すように構成されている。まず、拡散抵抗Ｒ1 に
パルス電圧Ｖａを印加するパルス電源２６が設けられて
いる。よって、パルス電源２６により拡散抵抗Ｒ1 にパ
ルス電圧Ｖａを印加すると、前述した交流電圧印加の場
合と同様に、庇１５において拡散抵抗Ｒ1 部分にパルス
振動が生ずる。この振動は、庇１５のエッジに沿って伝
搬し、左回りの振動は拡散抵抗Ｒ2 、右回りの振動は拡
散抵抗Ｒ3 に到達する。ここに、これらの拡散抵抗Ｒ
2 ，Ｒ3 間には吸振材２５があるので、左回り、右回り
で各々伝ってきた振動は、この吸振材２５部分で吸収さ
れてそれ以上は伝わらない。即ち、左回りの振動が拡散
抵抗Ｒ3 まで伝わることがなく、右回りの振動が拡散抵
抗Ｒ2 まで伝わることはない。従って、この吸振材２５
がない場合よりも回転角速度Ωの測定精度は向上する。
【００３９】ところで、振動ジャイロ２４に回転がない
時、左回りの振動と右回りの振動との伝搬速度は等し
く、かつ、拡散抵抗Ｒ1 から拡散抵抗Ｒ2 ，Ｒ3 までの
距離はＬで等しいので、拡散抵抗Ｒ1 から出た振動は拡
散抵抗Ｒ2 ，Ｒ3 に同時に到達する。従って、図１０に
示すように、パルス電圧Ｖａが印加されてから時間Ｔ0
後に、同時に伝搬してきた振動を拡散抵抗Ｒ2 ，Ｒ3 が
検出し、差動増幅器２７，２８の出力Ｖ2 ，Ｖ3 に同位
相でパルス電圧が発生する。
時、左回りの振動と右回りの振動との伝搬速度は等し
く、かつ、拡散抵抗Ｒ1 から拡散抵抗Ｒ2 ，Ｒ3 までの
距離はＬで等しいので、拡散抵抗Ｒ1 から出た振動は拡
散抵抗Ｒ2 ，Ｒ3 に同時に到達する。従って、図１０に
示すように、パルス電圧Ｖａが印加されてから時間Ｔ0
後に、同時に伝搬してきた振動を拡散抵抗Ｒ2 ，Ｒ3 が
検出し、差動増幅器２７，２８の出力Ｖ2 ，Ｖ3 に同位
相でパルス電圧が発生する。
【００４０】一方、振動ジャイロ２４が回転している場
合、右回りと左回りの伝搬速度が異なるので、差動増幅
器２７，２８の出力Ｖ2 ，Ｖ3 にパルス電圧が現れる時
刻が異なる。図１１に示すように、例えば、出力Ｖ2 は
時間Ｔ0 よりＴだけ早く、出力Ｖ3 はＴだけ遅くなる。
この位相差２Ｔを検出すれば、振動ジャイロ２４の回転
角速度Ωを知ることができる。
合、右回りと左回りの伝搬速度が異なるので、差動増幅
器２７，２８の出力Ｖ2 ，Ｖ3 にパルス電圧が現れる時
刻が異なる。図１１に示すように、例えば、出力Ｖ2 は
時間Ｔ0 よりＴだけ早く、出力Ｖ3 はＴだけ遅くなる。
この位相差２Ｔを検出すれば、振動ジャイロ２４の回転
角速度Ωを知ることができる。
【００４１】具体的には、図９に示すように、デジタル
カウンタ２９を用いて、パルス電圧Ｖａのパルスが出る
時刻ｔ1 にデジタルカウンタ２９をクリアし、出力Ｖ2
のパルスが出る時刻ｔ2 にカウントをスタートし、出力
Ｖ3 のパルスが出るｔ3 にカウントをストップする。カ
ウントした結果から回転角速度を知ることができる。
カウンタ２９を用いて、パルス電圧Ｖａのパルスが出る
時刻ｔ1 にデジタルカウンタ２９をクリアし、出力Ｖ2
のパルスが出る時刻ｔ2 にカウントをスタートし、出力
Ｖ3 のパルスが出るｔ3 にカウントをストップする。カ
ウントした結果から回転角速度を知ることができる。
【００４２】本実施例による場合も前述した実施例と同
様の効果が得られる。
様の効果が得られる。
【００４３】また、請求項２，３及び４記載の発明の一
実施例を図１２により説明する。本実施例の振動ジャイ
ロ３０では、前記実施例において吸振材２５を設ける個
所に位置させて庇１５に切欠き３１を形成し、この切欠
き３１に吸振材２５が充填されている。この他の構成は
前記実施例の場合と同様である。よって、基本的には前
記実施例と同様の作用・効果が得られるが、特に本実施
例によれば、吸振材２５による吸収の他、切欠き３１の
端面による吸収作用も得られるので、測定精度が一層向
上する。
実施例を図１２により説明する。本実施例の振動ジャイ
ロ３０では、前記実施例において吸振材２５を設ける個
所に位置させて庇１５に切欠き３１を形成し、この切欠
き３１に吸振材２５が充填されている。この他の構成は
前記実施例の場合と同様である。よって、基本的には前
記実施例と同様の作用・効果が得られるが、特に本実施
例によれば、吸振材２５による吸収の他、切欠き３１の
端面による吸収作用も得られるので、測定精度が一層向
上する。
【００４４】つづいて、送波器及び受波器に関する各種
実施例について説明する。これらの実施例は、基本的に
は前述した各実施例をベースとするものである。まず、
請求項７記載の発明の一実施例を図１３により説明す
る。本実施例の振動ジャイロ４１では庇１５が絶縁体材
料、具体的には、Ｓｉ3Ｎ4膜４２により形成され、Ｓｉ
3Ｎ4膜４２よる庇１５領域部分の所定位置には半導体材
料なる多結晶Ｓｉによる抵抗４３が積層形成され、この
抵抗４３の両端にはＡｌ配線１６が施されている。この
抵抗４３部分により送波器又は受波器が構成されてい
る。抵抗４３を形成する位置は、前述した実施例に準ず
る（拡散抵抗Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ3 に相当する位置に設けら
れる）。抵抗４３部分を送波器とする場合には、Ａｌ配
線１６によるａｂ間に交流電圧又はパルス電圧を印加す
る。抵抗４３部分を受波器とする場合には、Ａｌ配線１
６によるａｂ間で抵抗４３に生ずる抵抗変化を検出す
る。
実施例について説明する。これらの実施例は、基本的に
は前述した各実施例をベースとするものである。まず、
請求項７記載の発明の一実施例を図１３により説明す
る。本実施例の振動ジャイロ４１では庇１５が絶縁体材
料、具体的には、Ｓｉ3Ｎ4膜４２により形成され、Ｓｉ
3Ｎ4膜４２よる庇１５領域部分の所定位置には半導体材
料なる多結晶Ｓｉによる抵抗４３が積層形成され、この
抵抗４３の両端にはＡｌ配線１６が施されている。この
抵抗４３部分により送波器又は受波器が構成されてい
る。抵抗４３を形成する位置は、前述した実施例に準ず
る（拡散抵抗Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ3 に相当する位置に設けら
れる）。抵抗４３部分を送波器とする場合には、Ａｌ配
線１６によるａｂ間に交流電圧又はパルス電圧を印加す
る。抵抗４３部分を受波器とする場合には、Ａｌ配線１
６によるａｂ間で抵抗４３に生ずる抵抗変化を検出す
る。
【００４５】請求項８記載の発明の場合は、図１３にお
いて、多結晶Ｓｉによる抵抗４３部分を金属材料に置き
換えれば実現できる。
いて、多結晶Ｓｉによる抵抗４３部分を金属材料に置き
換えれば実現できる。
【００４６】請求項９記載の発明の第一の実施例を図１
４により説明する。本実施例の振動ジャイロ４４では、
庇１５が第１層４５ａと第２層４５ｂとの２層構造とし
て構成されている。ここに、第１層４５ａはある圧電定
数を持つ圧電材料により形成されている。また、第２層
４５ｂは、金属、絶縁体、又は、第１層４５ａを形成す
る圧電材料の圧電定数とは異なる圧電定数を持つ圧電材
料により形成されている。従って、第１層４５ａと第２
層４５ｂとは、少なくとも圧電定数の異なる層により形
成されており、庇１５として見ればその膜厚方向に圧電
定数が異なる状態に形成されている。このような庇１５
の両面には、所定位置に位置させて金属電極４６ａ，４
６ｂが形成されている。金属電極４６ａが送波器又は受
波器の設置個所を特定するものとなり（拡散抵抗Ｒ1 ，
Ｒ2 ，Ｒ3 に相当する位置に設けられる）、小さめに形
成されている。
４により説明する。本実施例の振動ジャイロ４４では、
庇１５が第１層４５ａと第２層４５ｂとの２層構造とし
て構成されている。ここに、第１層４５ａはある圧電定
数を持つ圧電材料により形成されている。また、第２層
４５ｂは、金属、絶縁体、又は、第１層４５ａを形成す
る圧電材料の圧電定数とは異なる圧電定数を持つ圧電材
料により形成されている。従って、第１層４５ａと第２
層４５ｂとは、少なくとも圧電定数の異なる層により形
成されており、庇１５として見ればその膜厚方向に圧電
定数が異なる状態に形成されている。このような庇１５
の両面には、所定位置に位置させて金属電極４６ａ，４
６ｂが形成されている。金属電極４６ａが送波器又は受
波器の設置個所を特定するものとなり（拡散抵抗Ｒ1 ，
Ｒ2 ，Ｒ3 に相当する位置に設けられる）、小さめに形
成されている。
【００４７】このような構成において、送波器として機
能する金属電極４６ａ，４６ｂ間、即ち、庇１５の膜厚
方向に電圧を印加すると、庇１５の上部の第１層４５ａ
と下部の第２層４５ｂとが変位する。ここに、これらの
第１，２層４５ａ，４５ｂの圧電定数は異なるので、庇
１５は曲がることになる。そこで、前述したように金属
電極４６ａ，４６ｂ間に交流電圧を印加すれば、庇１５
が振動する。よって、この金属電極４６ａ，４６ｂを設
けた庇１５部分が送波器として機能する。また、送波器
による振動に伴い庇１５領域部分の第１，２層４５ａ，
４５ｂには圧電効果が生ずる。そこで、圧電効果に伴い
金属電極４６ａ，４６ｂ間に生ずる電圧を測定すること
により、この金属電極４６ａ，４６ｂを設けた部分が受
波器として機能する。
能する金属電極４６ａ，４６ｂ間、即ち、庇１５の膜厚
方向に電圧を印加すると、庇１５の上部の第１層４５ａ
と下部の第２層４５ｂとが変位する。ここに、これらの
第１，２層４５ａ，４５ｂの圧電定数は異なるので、庇
１５は曲がることになる。そこで、前述したように金属
電極４６ａ，４６ｂ間に交流電圧を印加すれば、庇１５
が振動する。よって、この金属電極４６ａ，４６ｂを設
けた庇１５部分が送波器として機能する。また、送波器
による振動に伴い庇１５領域部分の第１，２層４５ａ，
４５ｂには圧電効果が生ずる。そこで、圧電効果に伴い
金属電極４６ａ，４６ｂ間に生ずる電圧を測定すること
により、この金属電極４６ａ，４６ｂを設けた部分が受
波器として機能する。
【００４８】請求項９記載の発明の第二の実施例を図１
５により説明する。本実施例の振動ジャイロ４７は、平
板も含めて庇１５を圧電材料４８により一体で形成した
ものである。ただし、この圧電材料４８は膜厚方向に圧
電定数が順次変化する材料とされている。この他は前記
実施例（図１４）と同様であり、同様に作用する。
５により説明する。本実施例の振動ジャイロ４７は、平
板も含めて庇１５を圧電材料４８により一体で形成した
ものである。ただし、この圧電材料４８は膜厚方向に圧
電定数が順次変化する材料とされている。この他は前記
実施例（図１４）と同様であり、同様に作用する。
【００４９】請求項９記載の発明の第三の実施例を図１
６により説明する。本実施例の振動ジャイロ４９では、
第１，２層４５ａ，４５ｂ間に金属電極４６ｂを設ける
ことにより、上部側の第１層４５ａの圧電材料にのみ膜
厚方向に電圧が印加され、庇１５に曲げによる振動が生
ずるように構成されている。この他は前記実施例（図１
４）と同様であり、同様に作用する。
６により説明する。本実施例の振動ジャイロ４９では、
第１，２層４５ａ，４５ｂ間に金属電極４６ｂを設ける
ことにより、上部側の第１層４５ａの圧電材料にのみ膜
厚方向に電圧が印加され、庇１５に曲げによる振動が生
ずるように構成されている。この他は前記実施例（図１
４）と同様であり、同様に作用する。
【００５０】請求項１０記載の発明の一実施例を図１７
により説明する。本実施例の振動ジャイロ５０では、庇
１５が圧電材料５１により形成されており、このような
庇１５の片面上には面内で接近配置させた一対の電極５
２ａ，５２ｂが積層状態で形成されている。これらの電
極５２ａ，５２ｂの対は、例えば、拡散抵抗Ｒ1 ，Ｒ
2 ，Ｒ3 に相当する位置に設けられている。なお、前記
圧電材料５１は膜厚方向に圧電定数が変化する特性を有
していなくもよい。
により説明する。本実施例の振動ジャイロ５０では、庇
１５が圧電材料５１により形成されており、このような
庇１５の片面上には面内で接近配置させた一対の電極５
２ａ，５２ｂが積層状態で形成されている。これらの電
極５２ａ，５２ｂの対は、例えば、拡散抵抗Ｒ1 ，Ｒ
2 ，Ｒ3 に相当する位置に設けられている。なお、前記
圧電材料５１は膜厚方向に圧電定数が変化する特性を有
していなくもよい。
【００５１】このような構成において、例えば、拡散抵
抗Ｒ1 に相当する位置に設けられた電極５２ａ，５２ｂ
間に電圧を印加すると、庇１５の対応する部分ではその
面方向に電界が印加された状態となり、圧電材料５１よ
りなるため振動を生ずる。よって、送波器として機能す
る。一方、拡散抵抗Ｒ2 ，Ｒ3 に相当する位置に設けら
れた電極５２ａ，５２ｂ間には伝搬される振動による圧
電効果によってその端子ａｂ間には電圧が生ずるので、
この電圧を測定することにより回転角速度の測定が可能
となる。ここに、受波器として機能する。
抗Ｒ1 に相当する位置に設けられた電極５２ａ，５２ｂ
間に電圧を印加すると、庇１５の対応する部分ではその
面方向に電界が印加された状態となり、圧電材料５１よ
りなるため振動を生ずる。よって、送波器として機能す
る。一方、拡散抵抗Ｒ2 ，Ｒ3 に相当する位置に設けら
れた電極５２ａ，５２ｂ間には伝搬される振動による圧
電効果によってその端子ａｂ間には電圧が生ずるので、
この電圧を測定することにより回転角速度の測定が可能
となる。ここに、受波器として機能する。
【００５２】請求項１１記載の発明の第一の実施例を図
１８により説明する。本実施例の振動ジャイロ５３で
は、絶縁体材料、例えば、Ｓｉ3Ｎ4膜４２による庇１５
上に部分的に圧電材料５４が形成され、この圧電材料５
４に対して庇１５の片面内で接近配置させた一対の電極
５５ａ，５５ｂが積層状態で形成されている。圧電材料
５４は、例えば、拡散抵抗Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ3 に相当する
位置に設けられている。
１８により説明する。本実施例の振動ジャイロ５３で
は、絶縁体材料、例えば、Ｓｉ3Ｎ4膜４２による庇１５
上に部分的に圧電材料５４が形成され、この圧電材料５
４に対して庇１５の片面内で接近配置させた一対の電極
５５ａ，５５ｂが積層状態で形成されている。圧電材料
５４は、例えば、拡散抵抗Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ3 に相当する
位置に設けられている。
【００５３】このような構成において、例えば、拡散抵
抗Ｒ1 に相当する位置に設けられた圧電材料５４の電極
５５ａ，５５ｂ間に電圧を印加すると、圧電材料５４に
振動を生じ、庇１５にも振動を生ずる。よって、送波器
として機能する。一方、拡散抵抗Ｒ2 ，Ｒ3 に相当する
位置に設けられた圧電材料５４の電極５５ａ，５５ｂ間
には伝搬される振動による圧電効果によってその端子ａ
ｂ間には電圧が生ずるので、この電圧を測定することに
より回転角速度の測定が可能となる。ここに、受波器と
して機能する。
抗Ｒ1 に相当する位置に設けられた圧電材料５４の電極
５５ａ，５５ｂ間に電圧を印加すると、圧電材料５４に
振動を生じ、庇１５にも振動を生ずる。よって、送波器
として機能する。一方、拡散抵抗Ｒ2 ，Ｒ3 に相当する
位置に設けられた圧電材料５４の電極５５ａ，５５ｂ間
には伝搬される振動による圧電効果によってその端子ａ
ｂ間には電圧が生ずるので、この電圧を測定することに
より回転角速度の測定が可能となる。ここに、受波器と
して機能する。
【００５４】また、請求項１１記載の発明の第二の実施
例を図１９により説明する。本実施例の振動ジャイロ５
６では、庇１５上に設けられる圧電材料５４をその膜厚
方向に挾む形で電極５７ａ，５７ｂが設けられ、電極５
７ａ，５７ｂ間には絶縁膜５８が介在されている。よっ
て、送波器として機能させる場合には、圧電材料５４に
対して膜厚方向に電圧が印加される。この他の構成・作
用等は図１８に示した前記実施例の場合と同様である。
例を図１９により説明する。本実施例の振動ジャイロ５
６では、庇１５上に設けられる圧電材料５４をその膜厚
方向に挾む形で電極５７ａ，５７ｂが設けられ、電極５
７ａ，５７ｂ間には絶縁膜５８が介在されている。よっ
て、送波器として機能させる場合には、圧電材料５４に
対して膜厚方向に電圧が印加される。この他の構成・作
用等は図１８に示した前記実施例の場合と同様である。
【００５５】請求項１２記載の発明の一実施例を図２０
により説明する。本実施例の振動ジャイロ５９では、平
板１１とＳｉ3Ｎ4膜４２による庇１５との間に、ＳｉＯ
2 等によるスペーサ６０により空隙６１が形成され、こ
の空隙６１を間にして庇１５（Ｓｉ3Ｎ4膜４２）下面と
平板１１の上面には各々電極６２ａ，６２ｂが形成され
てコンデンサ６３が構成されている。電極６２ａ，６２
ｂは金属、低抵抗多結晶Ｓｉなどの低抵抗膜として形成
されている。これらの電極６２ａ，６２ｂは、例えば、
拡散抵抗Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ3 に相当する位置に設けられて
いる。
により説明する。本実施例の振動ジャイロ５９では、平
板１１とＳｉ3Ｎ4膜４２による庇１５との間に、ＳｉＯ
2 等によるスペーサ６０により空隙６１が形成され、こ
の空隙６１を間にして庇１５（Ｓｉ3Ｎ4膜４２）下面と
平板１１の上面には各々電極６２ａ，６２ｂが形成され
てコンデンサ６３が構成されている。電極６２ａ，６２
ｂは金属、低抵抗多結晶Ｓｉなどの低抵抗膜として形成
されている。これらの電極６２ａ，６２ｂは、例えば、
拡散抵抗Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ3 に相当する位置に設けられて
いる。
【００５６】このような構成において、例えば、拡散抵
抗Ｒ1 に相当する位置に設けられた電極６２ａ，６２ｂ
間に電圧を印加すると、空隙６１を介して静電引力が作
用するので、その部分の庇１５が曲がり、振動を発生す
る。よって、送波器として機能する。一方、拡散抵抗Ｒ
2 ，Ｒ3 に相当する位置に設けられた電極６２ａ，６２
ｂでは伝搬される振動に伴い両者間の距離が変動し、コ
ンデンサ６３としての静電容量が変化するので、電極６
２ａ，６２ｂ間の静電容量の変化を測定することによ
り、振動ジャイロ５９の回転角速度の測定が可能とな
る。ここに、受波器として機能する。
抗Ｒ1 に相当する位置に設けられた電極６２ａ，６２ｂ
間に電圧を印加すると、空隙６１を介して静電引力が作
用するので、その部分の庇１５が曲がり、振動を発生す
る。よって、送波器として機能する。一方、拡散抵抗Ｒ
2 ，Ｒ3 に相当する位置に設けられた電極６２ａ，６２
ｂでは伝搬される振動に伴い両者間の距離が変動し、コ
ンデンサ６３としての静電容量が変化するので、電極６
２ａ，６２ｂ間の静電容量の変化を測定することによ
り、振動ジャイロ５９の回転角速度の測定が可能とな
る。ここに、受波器として機能する。
【００５７】請求項１３記載の発明の一実施例を図２１
により説明する。本実施例での振動ジャイロ６４でも、
基本的には、図２２の場合と同様に、スペーサ６０によ
って平板１１と庇１５との間に空隙６１が形成されてい
る。ここに、本実施例では、Ｓｉ3Ｎ4膜４２の庇１５上
の所定位置にはＣｕによるコイル６５が矩形渦巻状に形
成されている。６６は絶縁体である。また、このコイル
６５に対向する平板１１上にはパーマロイ膜６７が磁性
体材料膜として形成されている。このようなコイル６５
は、例えば、拡散抵抗Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ3 に相当する位置
に設けられている。
により説明する。本実施例での振動ジャイロ６４でも、
基本的には、図２２の場合と同様に、スペーサ６０によ
って平板１１と庇１５との間に空隙６１が形成されてい
る。ここに、本実施例では、Ｓｉ3Ｎ4膜４２の庇１５上
の所定位置にはＣｕによるコイル６５が矩形渦巻状に形
成されている。６６は絶縁体である。また、このコイル
６５に対向する平板１１上にはパーマロイ膜６７が磁性
体材料膜として形成されている。このようなコイル６５
は、例えば、拡散抵抗Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ3 に相当する位置
に設けられている。
【００５８】このような構成において、例えば、拡散抵
抗Ｒ1 に相当する位置に設けられたコイル６５の両端間
に通電すると、コイル６５とパーマロイ膜６７との間に
生じる磁力により、庇１５が曲がり振動を生ずる。よっ
て、送波器として機能する。一方、拡散抵抗Ｒ2 ，Ｒ3
に相当する位置に設けられたコイル６５とパーマロイ膜
６７とでは伝搬される振動に伴い、コイル６５を含めた
閉回路間に振動に応じて強弱を持つ誘導電流が流れる。
よって、コイル６５に流れる電流の変化を測定すること
により、振動ジャイロ６４の回転角速度の測定が可能と
なる。ここに、受波器として機能する。
抗Ｒ1 に相当する位置に設けられたコイル６５の両端間
に通電すると、コイル６５とパーマロイ膜６７との間に
生じる磁力により、庇１５が曲がり振動を生ずる。よっ
て、送波器として機能する。一方、拡散抵抗Ｒ2 ，Ｒ3
に相当する位置に設けられたコイル６５とパーマロイ膜
６７とでは伝搬される振動に伴い、コイル６５を含めた
閉回路間に振動に応じて強弱を持つ誘導電流が流れる。
よって、コイル６５に流れる電流の変化を測定すること
により、振動ジャイロ６４の回転角速度の測定が可能と
なる。ここに、受波器として機能する。
【００５９】なお、図２１において、コイル６５とパー
マロイ膜６７との位置を交換すると、請求項１４記載の
発明の実施例に相当する。
マロイ膜６７との位置を交換すると、請求項１４記載の
発明の実施例に相当する。
【００６０】請求項１５記載の発明の一実施例を図２２
により説明する。本実施例の振動ジャイロ６８では、送
波器についてのみ工夫されている。即ち、ａｂ端子間に
パルス電圧を印加することにより時間的に光量が変化す
るパルス光を発生するレーザ光源６９が、集光レンズ７
０とともに庇１５上方に設けられ、パルス光を集光レン
ズ７０によってＳｉ4Ｎ4膜４２による庇１５表面に集光
照射し得るように構成されている。ここに、本実施例で
は、このようなパルス光が照射される被照射部７１を送
波器として機能させるようにしたものである。この被照
射部７１は、例えば、拡散抵抗Ｒ1 に相当する位置に設
定されている。
により説明する。本実施例の振動ジャイロ６８では、送
波器についてのみ工夫されている。即ち、ａｂ端子間に
パルス電圧を印加することにより時間的に光量が変化す
るパルス光を発生するレーザ光源６９が、集光レンズ７
０とともに庇１５上方に設けられ、パルス光を集光レン
ズ７０によってＳｉ4Ｎ4膜４２による庇１５表面に集光
照射し得るように構成されている。ここに、本実施例で
は、このようなパルス光が照射される被照射部７１を送
波器として機能させるようにしたものである。この被照
射部７１は、例えば、拡散抵抗Ｒ1 に相当する位置に設
定されている。
【００６１】このような構成において、レーザ光源６９
によって庇１５の被照射部７１にパルス光を照射する
と、照射された部分が熱せられ、庇１５が曲がる。ここ
に、照射される光がパルス光であって時間的に光量が変
化するので、庇１５は振動する。よって、庇１５上の被
照射部７１が送波器として機能する。
によって庇１５の被照射部７１にパルス光を照射する
と、照射された部分が熱せられ、庇１５が曲がる。ここ
に、照射される光がパルス光であって時間的に光量が変
化するので、庇１５は振動する。よって、庇１５上の被
照射部７１が送波器として機能する。
【００６２】請求項１６記載の発明の一実施例を図２３
により説明する。本実施例の振動ジャイロ７２では、受
波器のみについて工夫されている。即ち、振動ジャイロ
７２の庇１５領域部分に対して光学的手法による受波器
７３が設けられている。この受波器７３は電源７４に接
続されて庇１５領域部分の所定位置（前述した拡散抵抗
Ｒ2 ，Ｒ3 に相当する位置）７５にレーザ光を照射する
レーザ光源（光源）７６と、所定位置７６から反射され
るレーザ光の位置変化を検出する光位置検出器７７とに
より光テコ方式の検出器として構成されている。光位置
検出器７７の出力側には増幅器７８が接続されている。
により説明する。本実施例の振動ジャイロ７２では、受
波器のみについて工夫されている。即ち、振動ジャイロ
７２の庇１５領域部分に対して光学的手法による受波器
７３が設けられている。この受波器７３は電源７４に接
続されて庇１５領域部分の所定位置（前述した拡散抵抗
Ｒ2 ，Ｒ3 に相当する位置）７５にレーザ光を照射する
レーザ光源（光源）７６と、所定位置７６から反射され
るレーザ光の位置変化を検出する光位置検出器７７とに
より光テコ方式の検出器として構成されている。光位置
検出器７７の出力側には増幅器７８が接続されている。
【００６３】このような構成において、庇１５に生じた
振動により所定位置７６が変位すると、この所定位置７
６に照射されたレーザ光の反射位置も変位する。この位
置変位が光位置検出器７７により検出されるので、庇１
５の振動状態、従って、振動ジャイロ７２の回転角速度
の検出が可能となる。
振動により所定位置７６が変位すると、この所定位置７
６に照射されたレーザ光の反射位置も変位する。この位
置変位が光位置検出器７７により検出されるので、庇１
５の振動状態、従って、振動ジャイロ７２の回転角速度
の検出が可能となる。
【００６４】請求項１７記載の発明の一実施例を図２４
により説明する。本実施例の振動ジャイロ７９も受波器
のみについて工夫したもので、前記実施例と同様に光学
的手法とされているが、光干渉法により庇１５の振動を
検出する２周波レーザ振動計（光検出器）８０が受波器
として設けられている。この２周波レーザ振動計８０
は、例えば、前述した拡散抵抗Ｒ2 ，Ｒ3 に相当する所
定位置７６にて庇１５に対向するように配置されてい
る。
により説明する。本実施例の振動ジャイロ７９も受波器
のみについて工夫したもので、前記実施例と同様に光学
的手法とされているが、光干渉法により庇１５の振動を
検出する２周波レーザ振動計（光検出器）８０が受波器
として設けられている。この２周波レーザ振動計８０
は、例えば、前述した拡散抵抗Ｒ2 ，Ｒ3 に相当する所
定位置７６にて庇１５に対向するように配置されてい
る。
【００６５】このような構成において、庇１５に生じた
振動により所定位置７６が変位すると、この所定位置７
６に照射された２周波レーザ光が変位に応じた光路差に
より干渉することになり、２周波レーザ振動計８０によ
って検出される。これにより、振動ジャイロ７９の回転
角速度の検出が可能となる。
振動により所定位置７６が変位すると、この所定位置７
６に照射された２周波レーザ光が変位に応じた光路差に
より干渉することになり、２周波レーザ振動計８０によ
って検出される。これにより、振動ジャイロ７９の回転
角速度の検出が可能となる。
【００６６】これらの図１３ないし図２４の各実施例に
示した振動ジャイロ４１，４４，４７，４９，５０，５
３，５６，５９，６４，６８，７２，７９によれば、送
波器及び受波器も含めて、全体的に半導体製造工程によ
って作製できるので、生産性のよいものである。
示した振動ジャイロ４１，４４，４７，４９，５０，５
３，５６，５９，６４，６８，７２，７９によれば、送
波器及び受波器も含めて、全体的に半導体製造工程によ
って作製できるので、生産性のよいものである。
【００６７】なお、前述した本実施例では、図１等に示
したように、庇１５が内周側に向けて突出する円形状の
ものとして説明したが（即ち、庇１５の固定端が外周側
に位置する）、このような構造に限らず、例えば、図２
５に示すように、平板１１が小さめで庇１５が外方に突
出するような円形状構造であってもよい。即ち、庇１５
の固定端が中心側に位置する構造であってもよい。この
ような構造によっても、全く同様な作用・効果が得られ
る。
したように、庇１５が内周側に向けて突出する円形状の
ものとして説明したが（即ち、庇１５の固定端が外周側
に位置する）、このような構造に限らず、例えば、図２
５に示すように、平板１１が小さめで庇１５が外方に突
出するような円形状構造であってもよい。即ち、庇１５
の固定端が中心側に位置する構造であってもよい。この
ような構造によっても、全く同様な作用・効果が得られ
る。
【００６８】この場合、庇１５の中心部に位置する平板
１１自体が剛性の高い部分８１として形成されており、
図２６に示すように、この部分８１の下端を台座８２に
接着させることにより振動ジャイロ８３が固定される
（請求項１８記載の発明に相当する）。前記台座８２は
振動ジャイロ８３全体が入り込む窪み８４が形成された
円形形状のものであり、振動ジャイロ８３の各Ａｌ配線
１６に対応する位置には絶縁フィルム８５を介してリー
ドピン８６が取り付けられ、ボンディングワイヤ８７に
よってＡｌ配線１６とリードピン８６との電気的接続が
とられている。
１１自体が剛性の高い部分８１として形成されており、
図２６に示すように、この部分８１の下端を台座８２に
接着させることにより振動ジャイロ８３が固定される
（請求項１８記載の発明に相当する）。前記台座８２は
振動ジャイロ８３全体が入り込む窪み８４が形成された
円形形状のものであり、振動ジャイロ８３の各Ａｌ配線
１６に対応する位置には絶縁フィルム８５を介してリー
ドピン８６が取り付けられ、ボンディングワイヤ８７に
よってＡｌ配線１６とリードピン８６との電気的接続が
とられている。
【００６９】台座８２に対するこのような固定構造によ
れば、剛性の高い部分８１が庇１５の中心部に位置して
いるので、部分８１（平板１１）と台座８２との熱膨張
係数が違っていても、熱膨張係数の差により生ずる平板
１１の応力歪が庇１５部分には殆ど及ばないので、測定
出力への影響が少ないものとなる。即ち、図１に示した
ような振動ジャイロ１７を台座に接着固定した場合に
は、台座と平板１１との間の熱膨張係数の違いにより、
温度が変化すると、平板１１が撓み、これにより円形状
の庇１５の膜に応力が発生し、これにより、庇１５の剛
性が変化して波の伝搬速度が変わってしまう。これによ
り、送波器（Ｒ1 ）から受波器（Ｒ2，Ｒ3）へ波が伝わ
る時間が温度により変化し、角速度の測定制度が低下し
てしまう。しかし、図２６に示した固定構造によればこ
のような不都合が回避される。
れば、剛性の高い部分８１が庇１５の中心部に位置して
いるので、部分８１（平板１１）と台座８２との熱膨張
係数が違っていても、熱膨張係数の差により生ずる平板
１１の応力歪が庇１５部分には殆ど及ばないので、測定
出力への影響が少ないものとなる。即ち、図１に示した
ような振動ジャイロ１７を台座に接着固定した場合に
は、台座と平板１１との間の熱膨張係数の違いにより、
温度が変化すると、平板１１が撓み、これにより円形状
の庇１５の膜に応力が発生し、これにより、庇１５の剛
性が変化して波の伝搬速度が変わってしまう。これによ
り、送波器（Ｒ1 ）から受波器（Ｒ2，Ｒ3）へ波が伝わ
る時間が温度により変化し、角速度の測定制度が低下し
てしまう。しかし、図２６に示した固定構造によればこ
のような不都合が回避される。
【００７０】図２７（ａ）は図１２（又は、図８）の振
動ジャイロ３０（又は、２４）に対応する変形例、図２
７（ｂ）は図７の振動ジャイロ２２に対応する変形例を
示す。
動ジャイロ３０（又は、２４）に対応する変形例、図２
７（ｂ）は図７の振動ジャイロ２２に対応する変形例を
示す。
【００７１】これらの場合、庇１５の保護を考えて、例
えば、図２８に示すように、庇１５の外側に庇１５の全
周を囲むような保護壁８８を形成するようにしてもよ
い。即ち、図２８に示す振動ジャイロ８９にあっては、
平板１１において、庇１５の中心部に位置する剛性の高
い部分８１と庇１５の外側に位置する剛性の高い部分９
０とが一体で形成されている（請求項１９記載の発明に
相当する）。このような構造の振動ジャイロ８９も、例
えば、図２９に示すように、庇１５の中心部に位置させ
た剛性の高い部分８１にて台座８２に接着固定される
（請求項１８記載の発明に相当する）。よって、図２６
の場合と同様の作用・効果が得られる。特に、図２８に
示す振動ジャイロ８９の構造によれば、この振動ジャイ
ロ８９を台座８２に接着させる等のハンドリング作業を
行うときに庇１５の外側に剛性の高い部分９０による保
護壁８８が存在するので、破損しやすい庇１５を破損さ
せることなく作業を行える。即ち、台座８２への接着作
業に際しては保護壁８８にダイボンダの治具が接触する
ようにすればよく、簡単に行える。
えば、図２８に示すように、庇１５の外側に庇１５の全
周を囲むような保護壁８８を形成するようにしてもよ
い。即ち、図２８に示す振動ジャイロ８９にあっては、
平板１１において、庇１５の中心部に位置する剛性の高
い部分８１と庇１５の外側に位置する剛性の高い部分９
０とが一体で形成されている（請求項１９記載の発明に
相当する）。このような構造の振動ジャイロ８９も、例
えば、図２９に示すように、庇１５の中心部に位置させ
た剛性の高い部分８１にて台座８２に接着固定される
（請求項１８記載の発明に相当する）。よって、図２６
の場合と同様の作用・効果が得られる。特に、図２８に
示す振動ジャイロ８９の構造によれば、この振動ジャイ
ロ８９を台座８２に接着させる等のハンドリング作業を
行うときに庇１５の外側に剛性の高い部分９０による保
護壁８８が存在するので、破損しやすい庇１５を破損さ
せることなく作業を行える。即ち、台座８２への接着作
業に際しては保護壁８８にダイボンダの治具が接触する
ようにすればよく、簡単に行える。
【００７２】また、前述した実施例では、平板１１の中
心に穴１２をあけた構造としたが、穴１２をあけること
なく、図３０に示すように窪み９１を形成した構造とし
てもよい。この場合も、前述した実施例と全く同様な作
用・効果が得られる。
心に穴１２をあけた構造としたが、穴１２をあけること
なく、図３０に示すように窪み９１を形成した構造とし
てもよい。この場合も、前述した実施例と全く同様な作
用・効果が得られる。
【００７３】さらには、平板１１の窪み９１における中
心部（庇１５の中心部）に図３１に示すような島部９２
を残す構造としてもよい。この場合、島部９２が図３２
に示すように対象となる台座９３への取付部となる剛性
の高い部分９４とされる（請求項１８記載の発明に相当
する）。即ち、平板１１を台座９３に取り付ける剛性の
高い部分９４（島部９２）が平板１１の中央であって庇
１５の中心部にあるため、平板１１と異なる熱膨張係数
を持つ台座９３上に平板１１を取り付けても、熱膨張係
数の差により生じる平板１１の応力歪の測定出力への影
響が少ないものとなる。
心部（庇１５の中心部）に図３１に示すような島部９２
を残す構造としてもよい。この場合、島部９２が図３２
に示すように対象となる台座９３への取付部となる剛性
の高い部分９４とされる（請求項１８記載の発明に相当
する）。即ち、平板１１を台座９３に取り付ける剛性の
高い部分９４（島部９２）が平板１１の中央であって庇
１５の中心部にあるため、平板１１と異なる熱膨張係数
を持つ台座９３上に平板１１を取り付けても、熱膨張係
数の差により生じる平板１１の応力歪の測定出力への影
響が少ないものとなる。
【００７４】また、前述した実施例では、何れも一対の
受波器のみを設けた例で説明したが、複数対の受波器を
適宜配置させるようにしてもよい。
受波器のみを設けた例で説明したが、複数対の受波器を
適宜配置させるようにしてもよい。
【００７５】
【発明の効果】請求項１記載の発明によれば、円形状に
形成された庇を有する平板と、前記庇領域部分に対して
配置させた送波器と、この送波器によって前記庇に生ず
る定在波の波長の整数倍の距離だけ離間させて前記庇領
域部分に対して配置させた少なくとも一対の受波器とを
有する構成の振動ジャイロとして回転角速度を検出する
ようにしたので、平板に対するフォトリソグラフィ工程
等の工程による半導体製造工程なるバッチプロセスによ
り作製でき、組立て工程を要せず、かつ、加工コストを
低減でき、大量生産に適したものとなり、また、半導体
製造工程によれば、μｍ以下の精度があるので、小型化
が容易であり、かつ、加工精度の再現性があるので、容
易にヌル電圧を低減させることができ、回転角速度の測
定精度を向上させることができる。
形成された庇を有する平板と、前記庇領域部分に対して
配置させた送波器と、この送波器によって前記庇に生ず
る定在波の波長の整数倍の距離だけ離間させて前記庇領
域部分に対して配置させた少なくとも一対の受波器とを
有する構成の振動ジャイロとして回転角速度を検出する
ようにしたので、平板に対するフォトリソグラフィ工程
等の工程による半導体製造工程なるバッチプロセスによ
り作製でき、組立て工程を要せず、かつ、加工コストを
低減でき、大量生産に適したものとなり、また、半導体
製造工程によれば、μｍ以下の精度があるので、小型化
が容易であり、かつ、加工精度の再現性があるので、容
易にヌル電圧を低減させることができ、回転角速度の測
定精度を向上させることができる。
【００７６】請求項２記載の発明によれば、円形状に形
成された庇を有する平板と、前記庇領域部分に対して配
置させた送波器と、この送波器から等距離の位置の前記
庇領域部分に対して配置させた少なくとも一対の受波器
とを有する構成の振動ジャイロとしたので、半導体製造
工程なるバッチプロセスにより作製できる等、請求項１
記載の発明と同様な効果を有する。
成された庇を有する平板と、前記庇領域部分に対して配
置させた送波器と、この送波器から等距離の位置の前記
庇領域部分に対して配置させた少なくとも一対の受波器
とを有する構成の振動ジャイロとしたので、半導体製造
工程なるバッチプロセスにより作製できる等、請求項１
記載の発明と同様な効果を有する。
【００７７】請求項３記載の発明によれば、請求項２記
載の発明の振動ジャイロの構成に加えて、送波器から最
も遠い等距離の位置に配置させた一対の受波器間に位置
させて庇領域部分に吸振材又は吸音材を設け、また、請
求項４記載の発明によれば、請求項３記載の発明の振動
ジャイロの構成において、吸振材又は吸音材を充填させ
る切欠きを庇領域部分に形成したので、吸振材又は吸音
材或いは切欠きによって右回りの振動と左回りの振動と
の干渉を防止できるので、請求項２記載の発明の効果に
加えて、回転角速度の測定精度を一層向上させることが
できる。
載の発明の振動ジャイロの構成に加えて、送波器から最
も遠い等距離の位置に配置させた一対の受波器間に位置
させて庇領域部分に吸振材又は吸音材を設け、また、請
求項４記載の発明によれば、請求項３記載の発明の振動
ジャイロの構成において、吸振材又は吸音材を充填させ
る切欠きを庇領域部分に形成したので、吸振材又は吸音
材或いは切欠きによって右回りの振動と左回りの振動と
の干渉を防止できるので、請求項２記載の発明の効果に
加えて、回転角速度の測定精度を一層向上させることが
できる。
【００７８】請求項５記載の発明によれば、円形状に形
成された庇を有する平板と、前記庇領域部分に対して配
置させた送波器と、円形状の前記庇の中心点に対して前
記送波器と点対称をなす庇領域部分の位置に形成された
切欠きと、前記送波器によって前記庇に生ずる定在波の
波長の整数倍であって送波器から等距離の位置の庇領域
部分に対して配置させた少なくとも一対の受波器とを有
する構成の振動ジャイロとしたので、半導体製造工程な
るバッチプロセスにより作製できる等、請求項１記載の
発明と同様の効果を有する。
成された庇を有する平板と、前記庇領域部分に対して配
置させた送波器と、円形状の前記庇の中心点に対して前
記送波器と点対称をなす庇領域部分の位置に形成された
切欠きと、前記送波器によって前記庇に生ずる定在波の
波長の整数倍であって送波器から等距離の位置の庇領域
部分に対して配置させた少なくとも一対の受波器とを有
する構成の振動ジャイロとしたので、半導体製造工程な
るバッチプロセスにより作製できる等、請求項１記載の
発明と同様の効果を有する。
【００７９】また、請求項１，２，３，４又は５記載の
発明の振動ジャイロの構成に関して、請求項６記載の発
明によれば、庇を半導体材料により形成し、送波器と受
波器との少なくとも一方を前記庇領域部分に不純物を拡
散させてなる拡散抵抗により形成し、請求項７記載の発
明によれば、庇を絶縁体材料により形成し、送波器と受
波器との少なくとも一方を前記庇領域部分に設けた半導
体材料により形成し、請求項８記載の発明によれば、庇
を絶縁体材料により形成し、送波器と受波器との少なく
とも一方を前記庇領域部分に設けた金属材料により形成
し、請求項９記載の発明によれば、庇を膜厚方向に圧電
定数が順次変化する圧電材料により形成し、送波器と受
波器との少なくとも一方が配置される庇領域部分の両面
に対をなす電極を形成し、請求項１０記載の発明によれ
ば、庇を圧電材料により形成し、送波器と受波器との少
なくとも一方が配置される庇領域部分の片面に面内で対
をなす電極を形成し、請求項１１記載の発明によれば、
庇を絶縁体材料により形成し、送波器と受波器との少な
くとも一方を前記庇領域部分に設けた圧電材料により形
成し、請求項１２記載の発明によれば、庇と平板との間
に空隙を設け、送波器と受波器との少なくとも一方が配
置される庇領域部分に設けられた電極と前記空隙を介し
てこの電極に対向させた前記平板上の電極とによりコン
デンサを形成し、請求項１３記載の発明によれば、庇と
平板との間に空隙を設け、送波器と受波器との少なくと
も一方が配置される庇領域部分にコイルを形成するとと
もに前記空隙を介してこのコイルに対向する磁性体材料
部を前記平板上に形成し、請求項１４記載の発明によれ
ば、庇と平板との間に空隙を設け、送波器と受波器との
少なくとも一方が配置される庇領域部分に磁性体材料部
を形成するとともに前記空隙を介してこの磁性体材料部
に対向するコイルを前記平板上に形成し、請求項１５記
載の発明によれば、時間的に光量が変化する光が照射さ
れる庇領域部分を送波器とし、請求項１６記載の発明に
よれば、庇領域部分の面上に光を照射する光源と、この
光源により照射されて庇領域部分から反射される光の位
置を検出する光位置検出器とよりなる受波器とし、請求
項１７記載の発明によれば、庇の振動を光干渉法により
検出する光検出計よりなる受波器としたので、請求項
１，２，３，４又は５記載の発明の効果に加えて、送波
器や受波器を含めて半導体製造工程なるバッチプロセス
により作製することができ、振動ジャイロの作製をより
一層容易にできるという効果を有する。
発明の振動ジャイロの構成に関して、請求項６記載の発
明によれば、庇を半導体材料により形成し、送波器と受
波器との少なくとも一方を前記庇領域部分に不純物を拡
散させてなる拡散抵抗により形成し、請求項７記載の発
明によれば、庇を絶縁体材料により形成し、送波器と受
波器との少なくとも一方を前記庇領域部分に設けた半導
体材料により形成し、請求項８記載の発明によれば、庇
を絶縁体材料により形成し、送波器と受波器との少なく
とも一方を前記庇領域部分に設けた金属材料により形成
し、請求項９記載の発明によれば、庇を膜厚方向に圧電
定数が順次変化する圧電材料により形成し、送波器と受
波器との少なくとも一方が配置される庇領域部分の両面
に対をなす電極を形成し、請求項１０記載の発明によれ
ば、庇を圧電材料により形成し、送波器と受波器との少
なくとも一方が配置される庇領域部分の片面に面内で対
をなす電極を形成し、請求項１１記載の発明によれば、
庇を絶縁体材料により形成し、送波器と受波器との少な
くとも一方を前記庇領域部分に設けた圧電材料により形
成し、請求項１２記載の発明によれば、庇と平板との間
に空隙を設け、送波器と受波器との少なくとも一方が配
置される庇領域部分に設けられた電極と前記空隙を介し
てこの電極に対向させた前記平板上の電極とによりコン
デンサを形成し、請求項１３記載の発明によれば、庇と
平板との間に空隙を設け、送波器と受波器との少なくと
も一方が配置される庇領域部分にコイルを形成するとと
もに前記空隙を介してこのコイルに対向する磁性体材料
部を前記平板上に形成し、請求項１４記載の発明によれ
ば、庇と平板との間に空隙を設け、送波器と受波器との
少なくとも一方が配置される庇領域部分に磁性体材料部
を形成するとともに前記空隙を介してこの磁性体材料部
に対向するコイルを前記平板上に形成し、請求項１５記
載の発明によれば、時間的に光量が変化する光が照射さ
れる庇領域部分を送波器とし、請求項１６記載の発明に
よれば、庇領域部分の面上に光を照射する光源と、この
光源により照射されて庇領域部分から反射される光の位
置を検出する光位置検出器とよりなる受波器とし、請求
項１７記載の発明によれば、庇の振動を光干渉法により
検出する光検出計よりなる受波器としたので、請求項
１，２，３，４又は５記載の発明の効果に加えて、送波
器や受波器を含めて半導体製造工程なるバッチプロセス
により作製することができ、振動ジャイロの作製をより
一層容易にできるという効果を有する。
【００８０】さらに、これらの請求項１ないし１７記載
の発明の振動ジャイロに関して、請求項１８記載の発明
によれば、台座に接着される部分が剛性が高くて庇の中
心部に位置するように構成されているので、熱膨張係数
の異なる台座に平板を取り付けてもこの熱膨張係数の差
により生ずる平板の応力歪の測定出力への影響、即ち、
温度変化の測定出力への影響を少なくすることができ
る。また、請求項１９記載の発明によれば、平板の外側
を向いている庇を損傷することなく、台座に接着する等
のハンドリング作業を行うことができる。
の発明の振動ジャイロに関して、請求項１８記載の発明
によれば、台座に接着される部分が剛性が高くて庇の中
心部に位置するように構成されているので、熱膨張係数
の異なる台座に平板を取り付けてもこの熱膨張係数の差
により生ずる平板の応力歪の測定出力への影響、即ち、
温度変化の測定出力への影響を少なくすることができ
る。また、請求項１９記載の発明によれば、平板の外側
を向いている庇を損傷することなく、台座に接着する等
のハンドリング作業を行うことができる。
【図１】請求項１及び６記載の発明の一実施例を示し、
（ａ）は平面図、（ｂ）はそのＡ‐Ａ線断面図である。
（ａ）は平面図、（ｂ）はそのＡ‐Ａ線断面図である。
【図２】作製プロセスを順に示す工程図である。
【図３】回転角速度検出系の構成を示す回路図である。
【図４】庇に曲がりが生ずる前後の様子を示す断面図で
ある。
ある。
【図５】回転角速度がゼロ時の動作を示す出力波形図で
ある。
ある。
【図６】回転時の動作を示す出力波形図である。
【図７】請求項５記載の発明の一実施例を示す平面図で
ある。
ある。
【図８】請求項２及び３記載の発明の一実施例を示し、
（ａ）は平面図、（ｂ）はその一部の断面図である。
（ａ）は平面図、（ｂ）はその一部の断面図である。
【図９】回転角速度検出系の構成を示す回路図である。
【図１０】回転角速度がゼロ時の動作を示す出力波形図
である。
である。
【図１１】回転時の動作を示す出力波形図である。
【図１２】請求項２，３及び４記載の発明の一実施例を
示し、（ａ）は平面図、（ｂ）はその一部の断面図であ
る。
示し、（ａ）は平面図、（ｂ）はその一部の断面図であ
る。
【図１３】請求項７記載の発明の一実施例を示す要部の
概略断面図である。
概略断面図である。
【図１４】請求項９記載の発明の第一の実施例を示す要
部の概略断面図である。
部の概略断面図である。
【図１５】請求項９記載の発明の第二の実施例を示す要
部の概略断面図である。
部の概略断面図である。
【図１６】請求項９記載の発明の第三の実施例を示す要
部の概略断面図である。
部の概略断面図である。
【図１７】請求項１０記載の発明の一実施例を示す要部
の概略平面図である。
の概略平面図である。
【図１８】請求項１１記載の発明の第一の実施例を示
し、（ａ）は要部の概略断面図、（ｂ）は概略平面図で
ある。
し、（ａ）は要部の概略断面図、（ｂ）は概略平面図で
ある。
【図１９】請求項１１記載の発明の第二の実施例を示す
要部の概略断面図である。
要部の概略断面図である。
【図２０】請求項１２記載の発明の一実施例を示し、
（ａ）は要部の概略断面図、（ｂ）は概略平面図であ
る。
（ａ）は要部の概略断面図、（ｂ）は概略平面図であ
る。
【図２１】請求項１３記載の発明の一実施例を示し、
（ａ）は要部の概略断面図、（ｂ）は概略平面図であ
る。
（ａ）は要部の概略断面図、（ｂ）は概略平面図であ
る。
【図２２】請求項１５記載の発明の一実施例を示す要部
の概略断面図である。
の概略断面図である。
【図２３】請求項１６記載の発明の一実施例を示す要部
の概略断面図である。
の概略断面図である。
【図２４】請求項１７記載の発明の一実施例を示す要部
の概略断面図である。
の概略断面図である。
【図２５】変形例を示し、（ａ）は概略平面図、（ｂ）
は概略側面図である。
は概略側面図である。
【図２６】請求項１８記載の発明の第一の実施例を示
し、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略断面図である。
し、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略断面図である。
【図２７】異なる変形例を示す概略平面図である。
【図２８】請求項１９記載の発明の一実施例を示し、
（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略断面図である。
（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略断面図である。
【図２９】請求項１８記載の発明の第二の実施例を示
し、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略断面図である。
し、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略断面図である。
【図３０】別の変形例を示し、（ａ）は概略平面図、
（ｂ）は概略断面図である。
（ｂ）は概略断面図である。
【図３１】さらに別の変形例を示し、（ａ）は概略平面
図、（ｂ）は概略断面図である。
図、（ｂ）は概略断面図である。
【図３２】請求項１８記載の発明の第三の実施例を示
し、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略断面図である。
し、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略断面図である。
【図３３】従来例を示す斜視図である。
【図３４】異なる従来例を示す斜視図である。
１１ 平板 １３ 半導体材料 １５ 庇 ２３ 切欠き ２５ 吸振材 ３１ 切欠き ４２ 絶縁体材料 ４３ 半導体材料 ４５ａ，４５ｂ 圧電定数の異なる圧電材料 ４６ａ，４６ｂ 電極 ４８ 圧電定数が膜厚方向に異なる圧電材料 ５１ 圧電材料 ５２ａ，５２ｂ 電極 ５４ 圧電材料 ６１ 空隙 ６２ａ，６２ｂ 電極 ６３ コンデンサ ６５ コイル ６７ 磁性体材料部 ７１ 被照射部 ７３ 受波器 ７５ 光源 ７７ 光位置検出器 ８０ 光検出計 ８１ 剛性の高い部分 ８２ 台座 ９０ 剛性の高い部分 ９３ 台座 ９４ 剛性の高い部分 Ｒ1 送波器 Ｒ2 ，Ｒ3 受波器
Claims (19)
- 【請求項１】 円形状に形成された庇を有する平板と、
前記庇領域部分に対して配置させた送波器と、この送波
器によって前記庇に生ずる定在波の波長の整数倍の距離
だけ離間させて前記庇領域部分に対して配置させた少な
くとも一対の受波器とを有することを特徴とする振動ジ
ャイロ。 - 【請求項２】 円形状に形成された庇を有する平板と、
前記庇領域部分に対して配置させた送波器と、この送波
器から等距離の位置の前記庇領域部分に対して配置させ
た少なくとも一対の受波器とを有することを特徴とする
振動ジャイロ。 - 【請求項３】 送波器から最も遠い等距離の位置に配置
させた一対の受波器間に位置させて庇領域部分に吸振材
又は吸音材を設けたことを特徴とする請求項２記載の振
動ジャイロ。 - 【請求項４】 吸振材又は吸音材を充填させる切欠きを
庇領域部分に形成したことを特徴とする請求項３記載の
振動ジャイロ。 - 【請求項５】 円形状に形成された庇を有する平板と、
前記庇領域部分に対して配置させた送波器と、円形状の
前記庇の中心点に対して前記送波器と点対称をなす庇領
域部分の位置に形成された切欠きと、前記送波器によっ
て前記庇に生ずる定在波の波長の整数倍であって送波器
から等距離の位置の庇領域部分に対して配置させた少な
くとも一対の受波器とを有することを特徴とする振動ジ
ャイロ。 - 【請求項６】 庇を半導体材料により形成し、送波器と
受波器との少なくとも一方を前記庇領域部分に不純物を
拡散させてなる拡散抵抗により形成したことを特徴とす
る請求項１，２，３，４又は５記載の振動ジャイロ。 - 【請求項７】 庇を絶縁体材料により形成し、送波器と
受波器との少なくとも一方を前記庇領域部分に設けた半
導体材料により形成したことを特徴とする請求項１，
２，３，４又は５記載の振動ジャイロ。 - 【請求項８】 庇を絶縁体材料により形成し、送波器と
受波器との少なくとも一方を前記庇領域部分に設けた金
属材料により形成したことを特徴とする請求項１，２，
３，４又は５記載の振動ジャイロ。 - 【請求項９】 庇を膜厚方向に圧電定数が順次変化する
圧電材料により形成し、送波器と受波器との少なくとも
一方が配置される庇領域部分の両面に対をなす電極を形
成したことを特徴とする請求項１，２，３，４又は５記
載の振動ジャイロ。 - 【請求項１０】 庇を圧電材料により形成し、送波器と
受波器との少なくとも一方が配置される庇領域部分の片
面に面内で対をなす電極を形成したことを特徴とする請
求項１，２，３，４又は５記載の振動ジャイロ。 - 【請求項１１】 庇を絶縁体材料により形成し、送波器
と受波器との少なくとも一方を前記庇領域部分に設けた
圧電材料により形成したことを特徴とする請求項１，
２，３，４又は５記載の振動ジャイロ。 - 【請求項１２】 庇と平板との間に空隙を設け、送波器
と受波器との少なくとも一方が配置される庇領域部分に
設けられた電極と前記空隙を介してこの電極に対向させ
た前記平板上の電極とによりコンデンサを形成したこと
を特徴とする請求項１，２，３，４又は５記載の振動ジ
ャイロ。 - 【請求項１３】 庇と平板との間に空隙を設け、送波器
と受波器との少なくとも一方が配置される庇領域部分に
コイルを形成するとともに前記空隙を介してこのコイル
に対向する磁性体材料部を前記平板上に形成したことを
特徴とする請求項１，２，３，４又は５記載の振動ジャ
イロ。 - 【請求項１４】 庇と平板との間に空隙を設け、送波器
と受波器との少なくとも一方が配置される庇領域部分に
磁性体材料部を形成するとともに前記空隙を介してこの
磁性体材料部に対向するコイルを前記平板上に形成した
ことを特徴とする請求項１，２，３，４又は５記載の振
動ジャイロ。 - 【請求項１５】 時間的に光量が変化する光が照射され
る庇領域部分を送波器としたことを特徴とする請求項
１，２，３，４又は５記載の振動ジャイロ。 - 【請求項１６】 庇領域部分の面上に光を照射する光源
と、この光源により照射されて庇領域部分から反射され
る光の位置を検出する光位置検出器とよりなる受波器と
したことを特徴とする請求項１，２，３，４又は５記載
の振動ジャイロ。 - 【請求項１７】 庇の振動を光干渉法により検出する光
検出計よりなる受波器としたことを特徴とする請求項
１，２，３，４又は５記載の振動ジャイロ。 - 【請求項１８】 円形状に形成された庇の中心部に位置
させて、台座に接着される剛性の高い部分を平板部と一
体で形成したことを特徴とする請求項１，２，３，４，
５，６，７，８，９，１０，１１，１２，１３，１４，
１５，１６又は１７記載の振動ジャイロ。 - 【請求項１９】 円形状に形成された庇の中心部及び前
記庇の外側に位置させて、剛性の高い部分を平板部と一
体で形成したことを特徴とする請求項１，２，３，４，
５，６，７，８，９，１０，１１，１２，１３，１４，
１５，１６又は１７記載の振動ジャイロ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7158885A JP2591931B2 (ja) | 1994-10-17 | 1995-06-26 | 振動ジャイロ |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6-250290 | 1994-10-17 | ||
| JP25029094 | 1994-10-17 | ||
| JP7158885A JP2591931B2 (ja) | 1994-10-17 | 1995-06-26 | 振動ジャイロ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08170919A JPH08170919A (ja) | 1996-07-02 |
| JP2591931B2 true JP2591931B2 (ja) | 1997-03-19 |
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ID=26485870
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7158885A Expired - Fee Related JP2591931B2 (ja) | 1994-10-17 | 1995-06-26 | 振動ジャイロ |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2591931B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108622404B (zh) | 2017-03-17 | 2022-05-24 | 株式会社理光 | 飞行器以及飞行系统 |
-
1995
- 1995-06-26 JP JP7158885A patent/JP2591931B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08170919A (ja) | 1996-07-02 |
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