JP2591447B2 - 多層基板とその製造方法 - Google Patents
多層基板とその製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、インナービアホールを
有する多層基板に関する。
有する多層基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子機器の小型化、高機能化にともない
高配線密度、高信頼性を有する多層基板への要求が高ま
っている。従来のプリント多層基板では、スルーホール
による層間接続が一般的である。またさらに高密度な基
板として、インナービアホールで各層間の接続を行うも
のが提案されている。その一例として、まずガラスエポ
キシなどの絶縁基材の両面に銅箔を熱圧着で張り合わ
せ、エッチングなどの方法により回路パターンを形成し
た後、表裏を電気的に接続する箇所にドリル加工により
貫通孔を形成し、導体ペーストを充填、硬化することに
より２層回路基板を作製し、更にこの２層回路基板２枚
の間に、未硬化の絶縁基材にあらかじめ貫通孔を形成
し、導体ペーストを充填した中間接続体を挟んで熱圧着
することにより４層回路基板を得る方法がある。この方
法の繰り返しによって任意の層数の多層基板をインナー
ビアホール接続で作製することが出来る。
高配線密度、高信頼性を有する多層基板への要求が高ま
っている。従来のプリント多層基板では、スルーホール
による層間接続が一般的である。またさらに高密度な基
板として、インナービアホールで各層間の接続を行うも
のが提案されている。その一例として、まずガラスエポ
キシなどの絶縁基材の両面に銅箔を熱圧着で張り合わ
せ、エッチングなどの方法により回路パターンを形成し
た後、表裏を電気的に接続する箇所にドリル加工により
貫通孔を形成し、導体ペーストを充填、硬化することに
より２層回路基板を作製し、更にこの２層回路基板２枚
の間に、未硬化の絶縁基材にあらかじめ貫通孔を形成
し、導体ペーストを充填した中間接続体を挟んで熱圧着
することにより４層回路基板を得る方法がある。この方
法の繰り返しによって任意の層数の多層基板をインナー
ビアホール接続で作製することが出来る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、一般に
プリント基板においては、絶縁基材の熱膨張係数は導体
金属に比べて大きいので、上記のスルーホールにより層
間を接続するタイプの基板では、スルーホール径に対す
る導体配線長、いわゆるアスペクト比が大きいため、熱
衝撃によって断線する場合がある。これは高多層になる
ほど、また基板厚みが増すほど顕著な問題となってい
る。また、上記の２つ目の例である層間接続タイプの多
層基板では、アスペクト比の観点からはスルーホールタ
イプの基板よりも有利と考えられるが、先行の特許では
充填された導電ペーストの硬化後の耐熱衝撃特性につい
て触れられていない。そこで本発明では、ビア部分の構
成に着目し、優れた耐熱衝撃特性をもつ層間接続ビアを
有するプリント多層基板を提供することを目的とする。
プリント基板においては、絶縁基材の熱膨張係数は導体
金属に比べて大きいので、上記のスルーホールにより層
間を接続するタイプの基板では、スルーホール径に対す
る導体配線長、いわゆるアスペクト比が大きいため、熱
衝撃によって断線する場合がある。これは高多層になる
ほど、また基板厚みが増すほど顕著な問題となってい
る。また、上記の２つ目の例である層間接続タイプの多
層基板では、アスペクト比の観点からはスルーホールタ
イプの基板よりも有利と考えられるが、先行の特許では
充填された導電ペーストの硬化後の耐熱衝撃特性につい
て触れられていない。そこで本発明では、ビア部分の構
成に着目し、優れた耐熱衝撃特性をもつ層間接続ビアを
有するプリント多層基板を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、本発明では多層基板の構成として、導電性粉、液
状樹脂、および粉体硬化剤よりなる導電ペーストの充填
により形成されたビアによって、絶縁材料層の両面に接
着された金属箔が電気的に接続されている両面板の、片
側あるいは両側にさらにビアを含む絶縁材料層と金属箔
とを交互に繰り返し接着してなることを特徴とする。更
に硬化後のビアを構成する液状樹脂の硬化物と粉体硬化
剤の反応物との混合物のガラス転移点が、絶縁材料層の
樹脂硬化物のガラス転移点より低いことが好ましく、特
に液状樹脂として可とう性エポキシ樹脂を含み、粉体硬
化剤として液状樹脂との硬化反応時に溶融しないでもと
の骨格をとどめる粉体硬化剤を用いることが好ましい。
また導電性粉として銀・銅・ニッケルのうちの少なくと
も１種類から任意に選択することができ、絶縁材料層を
ガラスエポキシコンポジット、ガラスビスマレイミド・
トリアジンレジンコンポジット、アラミドエポキシコン
ポジット、アラミドビスマレイミド・トリアジンレジン
コンポジットのうちから選ぶことができる。また、ガラ
ス及びアラミドは織布、不織布の別なく本発明の基板に
使用することが出来る。
めに、本発明では多層基板の構成として、導電性粉、液
状樹脂、および粉体硬化剤よりなる導電ペーストの充填
により形成されたビアによって、絶縁材料層の両面に接
着された金属箔が電気的に接続されている両面板の、片
側あるいは両側にさらにビアを含む絶縁材料層と金属箔
とを交互に繰り返し接着してなることを特徴とする。更
に硬化後のビアを構成する液状樹脂の硬化物と粉体硬化
剤の反応物との混合物のガラス転移点が、絶縁材料層の
樹脂硬化物のガラス転移点より低いことが好ましく、特
に液状樹脂として可とう性エポキシ樹脂を含み、粉体硬
化剤として液状樹脂との硬化反応時に溶融しないでもと
の骨格をとどめる粉体硬化剤を用いることが好ましい。
また導電性粉として銀・銅・ニッケルのうちの少なくと
も１種類から任意に選択することができ、絶縁材料層を
ガラスエポキシコンポジット、ガラスビスマレイミド・
トリアジンレジンコンポジット、アラミドエポキシコン
ポジット、アラミドビスマレイミド・トリアジンレジン
コンポジットのうちから選ぶことができる。また、ガラ
ス及びアラミドは織布、不織布の別なく本発明の基板に
使用することが出来る。
【０００５】
【作用】上記のような構成とする事によって、ビア中に
硬化網目の中心として液状樹脂との硬化反応時に完全に
は溶融しないでもとの骨格をとどめる粉体硬化剤の反応
物を点在させることが出来、この部分の熱膨張係数は絶
縁材料層の樹脂硬化物の熱膨張係数に近いため、導電成
分と絶縁層材料の間の熱膨張係数の違いから生じる応力
を低減することが可能となり、また液状樹脂の硬化物と
粉体硬化剤の反応物との混合物のガラス転移点を、絶縁
材料層の樹脂硬化物のガラス転移点より低くすることに
より、基板の熱膨張収縮にビア部分が柔軟に対応するこ
とが出来るために耐熱衝撃特性に優れた多層基板を提供
することが出来る。
硬化網目の中心として液状樹脂との硬化反応時に完全に
は溶融しないでもとの骨格をとどめる粉体硬化剤の反応
物を点在させることが出来、この部分の熱膨張係数は絶
縁材料層の樹脂硬化物の熱膨張係数に近いため、導電成
分と絶縁層材料の間の熱膨張係数の違いから生じる応力
を低減することが可能となり、また液状樹脂の硬化物と
粉体硬化剤の反応物との混合物のガラス転移点を、絶縁
材料層の樹脂硬化物のガラス転移点より低くすることに
より、基板の熱膨張収縮にビア部分が柔軟に対応するこ
とが出来るために耐熱衝撃特性に優れた多層基板を提供
することが出来る。
【０００６】
【実施例】以下本発明の実施例について説明する。最初
に本実施例における多層基板の作製方法について説明す
る。
に本実施例における多層基板の作製方法について説明す
る。
【０００７】絶縁基材にレーザー加工法などでビア穴加
工し、ビアに本願発明の導電ペーストを充填する。絶縁
基材については、ガラスエポキシコンポジット、ガラス
ＢＴレジンコンポジット、アラミドエポキシコンポジッ
ト、アラミドＢＴレジンコンポジットのうちから選ぶこ
とが出来る。ペーストが充填された絶縁基材の両面を銅
箔で挟み、真空熱プレス中、１８０℃・５０ｋｇ／ｃｍ
2・１時間の条件で加熱加圧した後、内層用回路パター
ンを形成して両面板を構成する。この両面板の両側を、
あらかじめ導電ペーストを充填したビアを有する絶縁材
料層で挟み、更に両外側に銅箔を配置して上記の条件で
熱圧着し外層用回路パターンを形成し４層構造の基板を
得る。これらの一連の工程を繰り返すことにより任意の
総数の多層基板を得ることが出来る。以下の実施例では
４層基板を作製して評価を行った。基板の作製方法は以
下の本発明の範囲外の構成を有する比較例においても共
通である。
工し、ビアに本願発明の導電ペーストを充填する。絶縁
基材については、ガラスエポキシコンポジット、ガラス
ＢＴレジンコンポジット、アラミドエポキシコンポジッ
ト、アラミドＢＴレジンコンポジットのうちから選ぶこ
とが出来る。ペーストが充填された絶縁基材の両面を銅
箔で挟み、真空熱プレス中、１８０℃・５０ｋｇ／ｃｍ
2・１時間の条件で加熱加圧した後、内層用回路パター
ンを形成して両面板を構成する。この両面板の両側を、
あらかじめ導電ペーストを充填したビアを有する絶縁材
料層で挟み、更に両外側に銅箔を配置して上記の条件で
熱圧着し外層用回路パターンを形成し４層構造の基板を
得る。これらの一連の工程を繰り返すことにより任意の
総数の多層基板を得ることが出来る。以下の実施例では
４層基板を作製して評価を行った。基板の作製方法は以
下の本発明の範囲外の構成を有する比較例においても共
通である。
【０００８】図１は、本発明の実施例による４層構造の
多層基板の断面図である。ビアは絶縁基材１１にあけら
れた貫通孔に導電ペーストを充填することにより形成さ
れる。硬化後のビアは導電性粉１２、液状樹脂の硬化物
１３ａ、および粉体硬化剤の反応物１３ｂよりなってお
り、導電ペースト中の液状樹脂が熱圧着により硬化し、
また粉体硬化剤がビア中に硬化網目の中心として液状樹
脂との反応時に完全に溶融しないでもとの骨格をとどめ
る反応物として点在した構造を呈しており、かつ内層回
路１４と外層回路１５、あるいは内層回路間を電気的に
接続している。本発明の実施例に用いる導電ペーストと
しては、銀、銅、ニッケルの内の少なくとも１種類から
選んだ導電性粉が５０VOL％、エポキシ樹脂が４０VOL
％、粉体硬化剤が１０VOL％の配合比で混練した物を用
いることができる。各導電性粉は球状粉で、銀粉が中心
粒径３．０ミクロン、ＢＥＴ値０．３５ｍ2／ｇ、銅粉
が中心粒径２．５ミクロン、ＢＥＴ値０．４０ｍ2／
ｇ、ニッケル粉が５．０ミクロン、ＢＥＴ値０．３０ｍ
2／ｇのものを用いた。エポキシ樹脂としては、最も一
般的なビスフェノールＡ等（例；商品名エピコート８２
８、８０７、８０６：油化シェルエポキシ製）のビスー
エピ系にたとえばグリシジルエステル系等（例；商品名
エピコート８７１：油化シェルエポキシ製、アラルダイ
トＣＹ１８４：チバガイギー製）の可とう性エポキシを
混合する事で適当な作業粘度のペーストを得ることがで
きる。可とう性エポキシを含むことによって、各種の導
電性粉におけるペースト化可能な範囲を広げることがで
きる。また粉体硬化剤としては、アミン系、イミダゾー
ル系等（例；商品名アミキュアＭＹ−２４，ＭＹ−Ｄ，
ＭＹ−Ｈ，ＰＮ−２３、ＰＮ−Ｄ，ＰＮ−Ｈ：味の素
（株）製）が使用できる。
多層基板の断面図である。ビアは絶縁基材１１にあけら
れた貫通孔に導電ペーストを充填することにより形成さ
れる。硬化後のビアは導電性粉１２、液状樹脂の硬化物
１３ａ、および粉体硬化剤の反応物１３ｂよりなってお
り、導電ペースト中の液状樹脂が熱圧着により硬化し、
また粉体硬化剤がビア中に硬化網目の中心として液状樹
脂との反応時に完全に溶融しないでもとの骨格をとどめ
る反応物として点在した構造を呈しており、かつ内層回
路１４と外層回路１５、あるいは内層回路間を電気的に
接続している。本発明の実施例に用いる導電ペーストと
しては、銀、銅、ニッケルの内の少なくとも１種類から
選んだ導電性粉が５０VOL％、エポキシ樹脂が４０VOL
％、粉体硬化剤が１０VOL％の配合比で混練した物を用
いることができる。各導電性粉は球状粉で、銀粉が中心
粒径３．０ミクロン、ＢＥＴ値０．３５ｍ2／ｇ、銅粉
が中心粒径２．５ミクロン、ＢＥＴ値０．４０ｍ2／
ｇ、ニッケル粉が５．０ミクロン、ＢＥＴ値０．３０ｍ
2／ｇのものを用いた。エポキシ樹脂としては、最も一
般的なビスフェノールＡ等（例；商品名エピコート８２
８、８０７、８０６：油化シェルエポキシ製）のビスー
エピ系にたとえばグリシジルエステル系等（例；商品名
エピコート８７１：油化シェルエポキシ製、アラルダイ
トＣＹ１８４：チバガイギー製）の可とう性エポキシを
混合する事で適当な作業粘度のペーストを得ることがで
きる。可とう性エポキシを含むことによって、各種の導
電性粉におけるペースト化可能な範囲を広げることがで
きる。また粉体硬化剤としては、アミン系、イミダゾー
ル系等（例；商品名アミキュアＭＹ−２４，ＭＹ−Ｄ，
ＭＹ−Ｈ，ＰＮ−２３、ＰＮ−Ｄ，ＰＮ−Ｈ：味の素
（株）製）が使用できる。
【０００９】これに対して本発明の範囲外の比較例の基
板用のペーストとして、市販のビスフェノールＡ５５重
量部と酸無水物系液状硬化剤（例；商品名リカシッドＭ
Ｈ：新日本理化製）４４．５重量部及びアミン系促進剤
（例；ライザー：花王製）０．５重量部からなる１液性
エポキシ樹脂に、銅及び銀を５０VOL％になるように加
えて混練したペーストを作製した。このペーストを充填
したビアによる４層基板について断面を図２に示す。
板用のペーストとして、市販のビスフェノールＡ５５重
量部と酸無水物系液状硬化剤（例；商品名リカシッドＭ
Ｈ：新日本理化製）４４．５重量部及びアミン系促進剤
（例；ライザー：花王製）０．５重量部からなる１液性
エポキシ樹脂に、銅及び銀を５０VOL％になるように加
えて混練したペーストを作製した。このペーストを充填
したビアによる４層基板について断面を図２に示す。
【００１０】絶縁基材２１については本発明による基板
と同様に、ガラスエポキシコンポジット、ガラスＢＴレ
ジンコンポジット、アラミドエポキシコンポジット、ア
ラミドＢＴレジンコンポジットのうちから選ぶことがで
きる。本発明による基板と比較例の基板では、ビア部分
の構成のみが異なっている。即ち導電性粉２２および液
状樹脂の硬化物２３による網目のみからなっており、内
層回路２４と外層回路２５、あるいは内層回路間を電気
的に接続している。
と同様に、ガラスエポキシコンポジット、ガラスＢＴレ
ジンコンポジット、アラミドエポキシコンポジット、ア
ラミドＢＴレジンコンポジットのうちから選ぶことがで
きる。本発明による基板と比較例の基板では、ビア部分
の構成のみが異なっている。即ち導電性粉２２および液
状樹脂の硬化物２３による網目のみからなっており、内
層回路２４と外層回路２５、あるいは内層回路間を電気
的に接続している。
【００１１】（表１）に以下の実施例で用いたペースト
の配合組成について示す。以下の実施例では（表１）中
のペースト番号を用いて説明する。
の配合組成について示す。以下の実施例では（表１）中
のペースト番号を用いて説明する。
【００１２】
【表１】
【００１３】以下に各種絶縁基材を用いた基板について
具体的な実施例を挙げて説明する。 （実施例１）絶縁基材として１４０℃、１５０℃、１６
０℃にガラス転移点をもつ３種類の熱硬化エポキシ樹脂
とガラス織布によるガラスエポキシコンポジットにたい
して表１に示した各ペーストを充填し、上述の工程にそ
って４層基板を作製した。
具体的な実施例を挙げて説明する。 （実施例１）絶縁基材として１４０℃、１５０℃、１６
０℃にガラス転移点をもつ３種類の熱硬化エポキシ樹脂
とガラス織布によるガラスエポキシコンポジットにたい
して表１に示した各ペーストを充填し、上述の工程にそ
って４層基板を作製した。
【００１４】これらの各回路に含まれるビアのうち３０
００穴について、−５５℃、１２５℃各３０分保持５０
０サイクルの熱衝撃試験Ａを実施してビア部分の抵抗が
試験前と比べて２倍以上になったものを不良としてその
数を各基板で比較した。結果を（表２）に示す。
００穴について、−５５℃、１２５℃各３０分保持５０
０サイクルの熱衝撃試験Ａを実施してビア部分の抵抗が
試験前と比べて２倍以上になったものを不良としてその
数を各基板で比較した。結果を（表２）に示す。
【００１５】
【表２】
【００１６】またビア部分と基材のガラス転移点の組み
合わせについて基板No.４〜１５を選んで２５℃、２６
０℃各３０秒保持１００サイクルの熱衝撃試験Ｂを実施
して熱衝撃試験Ａと同様にビア部分の抵抗が試験前と比
べて２倍以上になったものを不良としてその数を各基板
で比較した。結果を（表３）に示す。なお、各絶縁基材
の樹脂硬化物のガラス転移点及び各ビア部分の液状樹脂
の硬化物と粉体硬化剤の反応物との混合物のガラス転移
点についても同時に（表３）中に示した。
合わせについて基板No.４〜１５を選んで２５℃、２６
０℃各３０秒保持１００サイクルの熱衝撃試験Ｂを実施
して熱衝撃試験Ａと同様にビア部分の抵抗が試験前と比
べて２倍以上になったものを不良としてその数を各基板
で比較した。結果を（表３）に示す。なお、各絶縁基材
の樹脂硬化物のガラス転移点及び各ビア部分の液状樹脂
の硬化物と粉体硬化剤の反応物との混合物のガラス転移
点についても同時に（表３）中に示した。
【００１７】
【表３】
【００１８】（実施例２）絶縁基材として１４２℃、１
５０℃、１６３℃にガラス転移点をもつ３種類の熱硬化
エポキシ樹脂とアラミド不織布によるアラミドエポキシ
コンポジットにたいして表１に示した各ペーストを充填
し、上述の工程にそって４層基板を作製した。
５０℃、１６３℃にガラス転移点をもつ３種類の熱硬化
エポキシ樹脂とアラミド不織布によるアラミドエポキシ
コンポジットにたいして表１に示した各ペーストを充填
し、上述の工程にそって４層基板を作製した。
【００１９】これらの各回路に含まれるビアのうち３０
００穴について、−５５℃、１２５℃各３０分保持５０
０サイクルの熱衝撃試験Ａを実施してビア部分の抵抗が
試験前と比べて２倍以上になったものを不良としてその
数を各基板で比較した。結果を（表４）に示す。
００穴について、−５５℃、１２５℃各３０分保持５０
０サイクルの熱衝撃試験Ａを実施してビア部分の抵抗が
試験前と比べて２倍以上になったものを不良としてその
数を各基板で比較した。結果を（表４）に示す。
【００２０】
【表４】
【００２１】またビア部分と基材のガラス転移点の組み
合わせについて基板No.２８〜３９を選んで２５℃、２
６０℃各３０秒保持１００サイクルの熱衝撃試験Ｂを実
施して熱衝撃試験Ａと同様にビア部分の抵抗が試験前と
比べて２倍以上になったものを不良としてその数を各基
板で比較した。結果を表５に示す。なお、各絶縁基材の
樹脂硬化物のガラス転移点及び各ビア部分の液状樹脂の
硬化物と粉体硬化剤の反応物との混合物のガラス転移点
についても同時に（表５）中に示した。
合わせについて基板No.２８〜３９を選んで２５℃、２
６０℃各３０秒保持１００サイクルの熱衝撃試験Ｂを実
施して熱衝撃試験Ａと同様にビア部分の抵抗が試験前と
比べて２倍以上になったものを不良としてその数を各基
板で比較した。結果を表５に示す。なお、各絶縁基材の
樹脂硬化物のガラス転移点及び各ビア部分の液状樹脂の
硬化物と粉体硬化剤の反応物との混合物のガラス転移点
についても同時に（表５）中に示した。
【００２２】
【表５】
【００２３】（実施例３）絶縁基材として１４５℃、１
５５℃、１６５℃にガラス転移点をもつ３種類のビスマ
レイミド・トリアジンとガラス不織布よりなるガラスＢ
Ｔレジンコンポジットにたいして表１に示した各ペース
トを充填し、上述の工程にそって４層基板を作製した。
５５℃、１６５℃にガラス転移点をもつ３種類のビスマ
レイミド・トリアジンとガラス不織布よりなるガラスＢ
Ｔレジンコンポジットにたいして表１に示した各ペース
トを充填し、上述の工程にそって４層基板を作製した。
【００２４】これらの各回路に含まれるビアのうち３０
００穴について、−５５℃、１２５℃各３０分保持５０
０サイクルの熱衝撃試験Ａを実施してビア部分の抵抗が
試験前と比べて２倍以上になったものを不良としてその
数を各基板で比較した。結果を（表６）に示す。
００穴について、−５５℃、１２５℃各３０分保持５０
０サイクルの熱衝撃試験Ａを実施してビア部分の抵抗が
試験前と比べて２倍以上になったものを不良としてその
数を各基板で比較した。結果を（表６）に示す。
【００２５】
【表６】
【００２６】またビア部分と基材のガラス転移点の組み
合わせについて基板No.５２〜６３を選んで２５℃、２
６０℃各３０秒保持１００サイクルの熱衝撃試験Ｂを実
施して熱衝撃試験Ａと同様にビア部分の抵抗が試験前と
比べて２倍以上になったものを不良としてその数を各基
板で比較した。結果を（表７）に示す。なお、各絶縁基
材の樹脂硬化物のガラス転移点及び各ビア部分の液状樹
脂の硬化物と粉体硬化剤の反応物との混合物のガラス転
移点についても同時に（表７）中に示した。
合わせについて基板No.５２〜６３を選んで２５℃、２
６０℃各３０秒保持１００サイクルの熱衝撃試験Ｂを実
施して熱衝撃試験Ａと同様にビア部分の抵抗が試験前と
比べて２倍以上になったものを不良としてその数を各基
板で比較した。結果を（表７）に示す。なお、各絶縁基
材の樹脂硬化物のガラス転移点及び各ビア部分の液状樹
脂の硬化物と粉体硬化剤の反応物との混合物のガラス転
移点についても同時に（表７）中に示した。
【００２７】
【表７】
【００２８】（実施例４） 絶縁基材として１４３℃、１５２℃、１６７℃にガラス
転移点をもつ３種類のビスマレイミド・トリアジンとア
ラミド織布によるアラミドＢＴ（ビスマレイミド・トリ
アジン）レジンコンポジットにたいして（表１）に示し
た各ペーストを充填し、上述の工程にそって４層基板を
作製した。
転移点をもつ３種類のビスマレイミド・トリアジンとア
ラミド織布によるアラミドＢＴ（ビスマレイミド・トリ
アジン）レジンコンポジットにたいして（表１）に示し
た各ペーストを充填し、上述の工程にそって４層基板を
作製した。
【００２９】これらの各回路に含まれるビアのうち３０
００穴について、−５５℃、１２５℃各３０分保持５０
０サイクルの熱衝撃試験Ａを実施してビア部分の抵抗が
試験前と比べて２倍以上になったものを不良としてその
数を各基板で比較した。結果を（表８）に示す。
００穴について、−５５℃、１２５℃各３０分保持５０
０サイクルの熱衝撃試験Ａを実施してビア部分の抵抗が
試験前と比べて２倍以上になったものを不良としてその
数を各基板で比較した。結果を（表８）に示す。
【００３０】
【表８】
【００３１】またビア部分と基材のガラス転移点の組み
合わせについて基板No.７６〜８７を選んで２５℃、２
６０℃各３０秒保持１００サイクルの熱衝撃試験Ｂを実
施して熱衝撃試験Ａと同様にビア部分の抵抗が試験前と
比べて２倍以上になったものを不良としてその数を各基
板で比較した。結果を（表９）に示す。なお、各絶縁基
材の樹脂硬化物のガラス転移点及び各ビア部分の液状樹
脂の硬化物と粉体硬化剤の反応物との混合物のガラス転
移点についても同時に（表９）中に示した。
合わせについて基板No.７６〜８７を選んで２５℃、２
６０℃各３０秒保持１００サイクルの熱衝撃試験Ｂを実
施して熱衝撃試験Ａと同様にビア部分の抵抗が試験前と
比べて２倍以上になったものを不良としてその数を各基
板で比較した。結果を（表９）に示す。なお、各絶縁基
材の樹脂硬化物のガラス転移点及び各ビア部分の液状樹
脂の硬化物と粉体硬化剤の反応物との混合物のガラス転
移点についても同時に（表９）中に示した。
【００３２】
【表９】
【００３３】以上の（実施例１）から（実施例４）の
（表２）、（表４）、（表６）、（表８）に示した結果
から明らかなように粉体硬化剤の反応物をビア中に含む
物は、熱衝撃試験Ａの温度条件においての耐熱衝撃特性
に優れることが解る。また（表３）、（表５）、（表
７）、（表９）の結果からビア部分の液状樹脂の硬化物
と粉体硬化剤の反応物との混合物のガラス転移点が、絶
縁基材の樹脂硬化物のガラス転移点以下である組み合わ
せを選択することにより熱衝撃試験Ｂの様な途中にガラ
ス転移点の領域を含むような温度条件においても優れた
耐熱衝撃特性が得られることが解る。
（表２）、（表４）、（表６）、（表８）に示した結果
から明らかなように粉体硬化剤の反応物をビア中に含む
物は、熱衝撃試験Ａの温度条件においての耐熱衝撃特性
に優れることが解る。また（表３）、（表５）、（表
７）、（表９）の結果からビア部分の液状樹脂の硬化物
と粉体硬化剤の反応物との混合物のガラス転移点が、絶
縁基材の樹脂硬化物のガラス転移点以下である組み合わ
せを選択することにより熱衝撃試験Ｂの様な途中にガラ
ス転移点の領域を含むような温度条件においても優れた
耐熱衝撃特性が得られることが解る。
【００３４】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、粉体硬化
剤の反応物をビア中に含むことによりビア部分の熱膨張
係数を絶縁材料層の熱膨張係数に近づけることが可能と
なり、またビア内の液状樹脂の硬化物と粉体硬化剤の反
応物との混合物のガラス転移温度を絶縁基材の樹脂硬化
物のガラス転移温度よりも低くすることで耐熱衝撃特性
に優れたインナービアホールを持つ多層基板を提供する
ことが出来る。
剤の反応物をビア中に含むことによりビア部分の熱膨張
係数を絶縁材料層の熱膨張係数に近づけることが可能と
なり、またビア内の液状樹脂の硬化物と粉体硬化剤の反
応物との混合物のガラス転移温度を絶縁基材の樹脂硬化
物のガラス転移温度よりも低くすることで耐熱衝撃特性
に優れたインナービアホールを持つ多層基板を提供する
ことが出来る。
【図１】本発明の実施例における多層基板の構成を示す
断面図
断面図
【図２】従来例の多層基板の構成を示す断面図
１１ 絶縁基材 １２ 導電性粉 １３ａ 液状樹脂の硬化物 １３ｂ 粉体硬化剤の反応物 １４ 内層用回路 １５ 外層用回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 十河 寛 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (72)発明者 中谷 誠一 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (72)発明者 小島 環生 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内
Claims (11)
- 【請求項１】 導電性粉、液状樹脂、および粉体硬化剤
よりなる導電ペーストの充填により形成されたビアによ
って、絶縁材料層の両面に接着された金属箔が電気的に
接続されている両面板の、片側あるいは両側にさらに前
記ビアを含む絶縁材料層と金属箔とを交互に繰り返し接
着してなり、硬化後のビアを構成する液状樹脂の硬化物
と粉体硬化剤の反応物との混合物のガラス転移点が、絶
縁材料層の樹脂硬化物のガラス転移点より低いことを特
徴とする多層基板。 - 【請求項２】 導電性粉、液状樹脂、および前記液状樹
脂との硬化反応時に溶融しないでもとの骨格をとどめる
粉体硬化剤よりなる導電ペーストの充填により形成され
たビアによって、絶縁材料層の両面に接着された金属箔
が電気的に接続されている両面板の、片側あるいは両側
にさらに前記ビアを含む絶縁材料層と金属箔とを交互に
繰り返し接着してなり、硬化後のビアを構成する液状樹
脂の硬化物と粉体硬化剤の反応物との混合物のガラス転
移点が、絶縁材料層の樹脂硬化物のガラス転移点より低
いことを特徴とする多層基板。 - 【請求項３】 液状樹脂が、可とう性エポキシ樹脂を含
むことを特徴とする請求項１または２記載の多層基板。 - 【請求項４】 導電性粉が銀・銅・ニッケルのうちの少
なくとも１種類から選ばれる請求項１または２記載の多
層基板。 - 【請求項５】 絶縁材料層がガラスエポキシコンポジッ
ト、ガラスビスマレイミド・トリアジンレジンコンポジ
ット、アラミドエポキシコンポジット、アラミドビスマ
レイミド・トリアジンレジンコンポジットのうちの少な
くとも１種類から選ばれることを特徴とする請求項１ま
たは２記載の多層基板。 - 【請求項６】 絶縁材料層にビア穴加工する工程、ビア
穴に導電性粉、液状樹脂および粉体硬化剤よりなる導電
ペーストを充填しビアを形成する工程、前記導電ペース
トが充填された前記ビアを有する絶縁材料層の両面を銅
箔で挟み、熱圧着する工程、前記銅箔を加工して内層用
回路パターンを形成し両面板構成とする工程、さらにこ
の両面板の両側あるいは片側に前記ビアを有する絶縁材
料層と前記銅箔を交互に熱圧着し、かつ前記銅箔を加工
して回路パターンを形成し、多層構成とする工程の一連
の工程よりなる多層基板の製造方法。 - 【請求項７】 絶縁材料層にビア穴加工する工程、ビア
穴に導電性粉、液状樹脂および前記液状樹脂との硬化反
応時に溶融しないでもとの骨格をとどめる粉体硬化剤よ
りなる導電ペーストを充填しビアを形成する工程、前記
導電ペーストが充填された前記ビアを有する絶縁材料層
の両面を銅箔で挟み、熱圧着する工程、前記銅箔を加工
して内層用回路パターンを形成し両面板構成とする工
程、さらにこの両面板の両側あるいは片側に前記ビアを
有する絶縁材料層と前記銅箔を交互に熱圧着し、かつ前
記銅箔を加工して回路パターンを形成し、多層構成とす
る工程の一連の工程よりなる多層基板の製造方法。 - 【請求項８】 液状樹脂が、可とう性エポキシ樹脂を含
むことを特徴とする請求項６または７記載の多層基板の
製造方法。 - 【請求項９】 熱圧着後のビアを構成する液状樹脂の硬
化物と粉体硬化剤の反応物との混合物のガラス転移点
が、絶縁材料層の樹脂硬化物のガラス転移点より低いこ
とを特徴とする請求項６または７記載の多層基板の製造
方法。 - 【請求項１０】 導電性粉が銀・銅・ニッケルのうちの
少なくとも１種類から選ばれる請求項６または７記載の
多層基板の製造方法。 - 【請求項１１】 絶縁材料層がガラスエポキシコンポジ
ット、ガラスビスマレイミド・トリアジンレジンコンポ
ジット、アラミドエポキシコンポジット、アラミドビス
マレイミド・トリアジンレジンコンポジットのうちの少
なくとも１種類から選ばれることを特徴とする請求項６
または７記載の多層基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26217393A JP2591447B2 (ja) | 1993-10-20 | 1993-10-20 | 多層基板とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26217393A JP2591447B2 (ja) | 1993-10-20 | 1993-10-20 | 多層基板とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07115279A JPH07115279A (ja) | 1995-05-02 |
| JP2591447B2 true JP2591447B2 (ja) | 1997-03-19 |
Family
ID=17372085
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26217393A Expired - Lifetime JP2591447B2 (ja) | 1993-10-20 | 1993-10-20 | 多層基板とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2591447B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6753483B2 (en) | 2000-06-14 | 2004-06-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Printed circuit board and method of manufacturing the same |
-
1993
- 1993-10-20 JP JP26217393A patent/JP2591447B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07115279A (ja) | 1995-05-02 |
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