JP2586583Y2 - パルス電子ビーム照射装置 - Google Patents

パルス電子ビーム照射装置

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JP2586583Y2
JP2586583Y2 JP5995193U JP5995193U JP2586583Y2 JP 2586583 Y2 JP2586583 Y2 JP 2586583Y2 JP 5995193 U JP5995193 U JP 5995193U JP 5995193 U JP5995193 U JP 5995193U JP 2586583 Y2 JP2586583 Y2 JP 2586583Y2
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JP
Japan
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electron beam
anode
pulsed electron
support
beam irradiation
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JP5995193U
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暁 千林
茂 加藤
健太 内藤
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Nissin Electric Co Ltd
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Nissin Electric Co Ltd
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Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本考案はパルス電子ビーム照射装
置に関する。
【0002】
【従来の技術】パルス電子ビーム照射装置において、真
空中に配置したカソードとアノードとの間に高電圧パル
スを印加させて大電流のパルス電子ビームを発生させ、
これを多孔、メッシュ或は薄膜のアノードを透過させ
て、被照射物に照射するようにした構成は、既によく知
られている。
【0003】このようなパルス電子ビーム照射装置の利
用目的の一つとして、たとえば気体レーザ励起のため
に、被照射物であるガス中にパルス電子ビームを打ち込
んでガスを励起し、あるいは電離させることがあげられ
る。その構成を示したのが図3である。同図において1
は内部が真空の容器、2は絶縁スペーサ3により支持さ
れているカソード、4はアノードで、多孔、メッシュ状
あるいは薄膜状に形成されている。5はカソード2とア
ノード4との間に高電圧パルスを印加するパルス電源、
6は電子ビーム、7は被照射物であるであるガスが封入
されてある照射領域である。
【0004】照射領域7にはガスがたとえば1気圧乃至
3気圧程度に封入されてあり、このガスに電子ビームが
打ち込まれる。この場合、アノード4がカソード2側の
真空領域と照射領域7との圧力の差に耐えることができ
るように、ヒバチ構造と呼ばれている金属製の支持体8
を利用し、これによりアノード4を支持するようにして
いる。
【0005】すなわち、支持体8は前記した圧力差に耐
えられるように、その厚みを厚くとも1mm程度の厚さ
のアノード4に対して、これよりも充分に厚いもの、た
とえば1cm以上の厚さのものが使用される。そしてこ
れにはたとえば複数の長孔9が形成されてあり(図2を
参照)、その前面(カソード2側)にアノード4が支持
されてあり、また後面側には、金属膜あるいは導電性薄
膜をコートした絶縁フィルムなどからなる電子透過膜1
0が支持されてある。
【0006】アノード4を通過した電子ビームは長孔9
内を通り、および電子透過膜10を透過して照射領域7
のガス中に打ち込まれる。また照射領域7内のガスは、
電子透過膜10によって真空領域には侵入し得ない。な
お支持体8は容器1に支持されている。
【0007】しかしこのような構成によると、支持体8
はアース電位とされているため、発生した電子ビームの
一部が、支持体8の長孔9の内壁に引き寄せられて捕捉
されることがある。また電子ビーム自身の大量の電荷の
ために、長孔9内に仮想アノードと呼ばれる空間電荷層
が形成され、ビームは反発したり、あるいはアノード側
に逆戻りすることがある。そのため電子ビームの出力が
減少するという問題が生じる。
【0008】
【考案が解決しようとする課題】本考案は、アノードを
分厚いヒバチ構造の支持体により支持した場合でも、電
子ビーム出力の減少を回避することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】本考案は、ヒバチ構造の
支持体に設けられている長孔の内壁を、絶縁物によって
覆ってなることを特徴とする。
【0010】
【作用】アノードを通過した電子ビームが支持体の長孔
内を通過する際、この長孔の内壁を絶縁物が覆っている
ことにより、電子ビームが長孔の内壁に捕捉されること
はない。また電子ビームがこの絶縁物に衝突しても、こ
の衝突によって絶縁物自身、絶縁物の表層に吸着、吸蔵
しているガスをプラズマ化させる。
【0012】このプラズマ中のイオンにより電子ビーム
の電荷は中和され、仮想アノードの生成を阻止する。こ
れにより電子ビームは支持体中をその出力の減少をみる
ことなく通過していくようになる。
【0013】
【実施例】本考案の実施例を図1によって説明する。な
お図3と同じ符号を付した部分は同一または対応する部
分を示す。本考案にしたがい、支持体8に形成されてあ
る長孔9の内面を絶縁物11により覆ってある。絶縁物
11としては、アルミナセラミックなどのセラミック、
或はアクリル、ナイロン、エポキシなどのプラスチック
が利用できる。これらを内壁に取り付けるなり、コーテ
ィングするなどして長孔の内壁を覆う。
【0014】以上の構成において、カソード2からのパ
ルス電子ビーム6は、アノード4を通過して支持体8の
長孔9に入っても、その内壁が絶縁物11により覆われ
ているため、その内壁に捕捉されることなく通過する。
また絶縁物11に電子ビームが衝突することにより、そ
の絶縁物自身、絶縁物の表層に吸着、吸蔵しているガス
をプラズマ化させる。このプラズマ中のイオンにより電
子ビームの電荷は中和され、仮想アノードの生成を阻止
する。以上のようにして電子ビーム6は支持体8中をそ
の出力の減少をみることなく通過していくようになる。
【0015】なお前述した実施例は、パルス電子ビーム
を気体レーザの励起に使用した場合の例であったが、こ
れに限られるものではなく、たとえば被照射物が排ガス
であって、その脱硫、脱硝に使用する場合にも、また被
照射物が金属、プラスチック成形物であって、その表面
などの加工に使用する場合でも、本考案は適用可能であ
る。
【0016】
【考案の効果】以上説明したように本考案によれば、大
気圧あるいは高気圧雰囲気中にある被照射物に電子ビー
ムを打ち込むための電子線照射装置において、分厚い支
持体によりアノードと電子透過膜を支持する場合でも、
この支持体による電子ビームの出力の減少を阻止するこ
とができる効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本考案の実施例を示す断面図である。
【図2】図1のヒバチ構造の支持体の正面図である。
【図3】従来例の構成を示す断面図である。
【符号の説明】
1 真空の容器 2 カソード 4 アノード 5 パルス電源 6 パルス電子ビーム 7 照射領域 8 支持体 9 長孔 11 絶縁物
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01S 3/0959 G21K 5/04

Claims (1)

    (57)【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 真空中に配置してあるカソードからのパ
    ルス電子ビームを、アノードを透過して被照射体に照射
    するパルス電子ビーム照射装置において、前記アノード
    を、前記パルス電子ビームが通過する複数の長孔が形成
    されてある金属製の支持体の、前記カソード側の面に支
    持するとともに、前記支持体の前記被照射体側の面に、
    電子透過膜を支持し、かつ前記長孔の内壁を絶縁物で覆
    ってなるパルス電子ビーム照射装置。
JP5995193U 1993-09-30 1993-09-30 パルス電子ビーム照射装置 Expired - Lifetime JP2586583Y2 (ja)

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JPH0727176U JPH0727176U (ja) 1995-05-19
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