JP2574742B2 - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
- Publication number
- JP2574742B2 JP2574742B2 JP59071203A JP7120384A JP2574742B2 JP 2574742 B2 JP2574742 B2 JP 2574742B2 JP 59071203 A JP59071203 A JP 59071203A JP 7120384 A JP7120384 A JP 7120384A JP 2574742 B2 JP2574742 B2 JP 2574742B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- speed
- logic circuit
- semiconductor integrated
- low
- integrated circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
- H01L27/0611—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region
- H01L27/0617—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region comprising components of the field-effect type
- H01L27/0623—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region comprising components of the field-effect type in combination with bipolar transistors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Logic Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は、ECL（Emitter Coupled Logic）型論理回
路とＣ−MOS型論理回路とを半導体基板上に含むシステ
ム構成の半導体集積回路装置に関するものである。
路とＣ−MOS型論理回路とを半導体基板上に含むシステ
ム構成の半導体集積回路装置に関するものである。
従来、高速部分と低速部分とを含む半導体集積回路装
置のシステム構成として第１図に示すものがあった。図
において、１は高速Ｃ−MOS型論理回路、２は低速Ｃ−M
OS型論理回路、３はこの高速Ｃ−MOS型論理回路１と低
速Ｃ−MOS型論理回路２とを同一の半導体基板上に有す
る半導体集積回路、４は高速論理信号、５は低速論理信
号、６は集積回路装置３を用いることにより得られる出
力論理信号である。
置のシステム構成として第１図に示すものがあった。図
において、１は高速Ｃ−MOS型論理回路、２は低速Ｃ−M
OS型論理回路、３はこの高速Ｃ−MOS型論理回路１と低
速Ｃ−MOS型論理回路２とを同一の半導体基板上に有す
る半導体集積回路、４は高速論理信号、５は低速論理信
号、６は集積回路装置３を用いることにより得られる出
力論理信号である。
この半導体集積回路装置３は、高速論理信号４を高速
Ｃ−MOS型論理回路１を用いて低速論理信号５に変換
し、さらに低速Ｃ−MOS型論理回路２を用いて、出力論
理信号６を得るという動作を行なう装置である。
Ｃ−MOS型論理回路１を用いて低速論理信号５に変換
し、さらに低速Ｃ−MOS型論理回路２を用いて、出力論
理信号６を得るという動作を行なう装置である。
このように、従来の半導体集積回路装置３は、Ｃ−MO
S型論理回路を用いることにより低消費電力化を実現し
ようとしていたが、このＣ−MOS型論理回路を用いた場
合、高速論理信号４の周波数が低い周波数，例えば10〜
20MHzまでと限られていた。すなわち、1000MHzの高速論
理信号を入力した場合は、動作しなくなるという欠点が
あった。また、Ｃ−MOS型論理回路のスイッチング時に
電源と接地間に流れる貫通電流が、高周波動作時には周
波数の増加と共に大きくなり、Ｃ−MOS回路といえども
他の論理回路素子と比較したときに、低消費電力である
とはいえなくなるという欠点があった。
S型論理回路を用いることにより低消費電力化を実現し
ようとしていたが、このＣ−MOS型論理回路を用いた場
合、高速論理信号４の周波数が低い周波数，例えば10〜
20MHzまでと限られていた。すなわち、1000MHzの高速論
理信号を入力した場合は、動作しなくなるという欠点が
あった。また、Ｃ−MOS型論理回路のスイッチング時に
電源と接地間に流れる貫通電流が、高周波動作時には周
波数の増加と共に大きくなり、Ｃ−MOS回路といえども
他の論理回路素子と比較したときに、低消費電力である
とはいえなくなるという欠点があった。
この発明は、かかる点に鑑みてなされたもので、高速
分周器（プリスケーラ）と、低速論理回路とを同一基板
上に形成してなる半導体集積回路装置において、上記高
速分周器（プリスケーラ）にECL型論理回路を用い、上
記低速論理回路にＣ−MOS型論理回路を用いることによ
り、Ｃ−MOS回路だけで構成されたシステムでの欠点で
ある最高動作周波数の低いことを改善し、高周波におけ
る消費電力を改善するとともに、Ｃ−MOS型論理回路の
特徴である低周波における低消費電力という利点と高集
積密度という利点をも兼ね備えた半導体集積回路装置を
提供するものである。
分周器（プリスケーラ）と、低速論理回路とを同一基板
上に形成してなる半導体集積回路装置において、上記高
速分周器（プリスケーラ）にECL型論理回路を用い、上
記低速論理回路にＣ−MOS型論理回路を用いることによ
り、Ｃ−MOS回路だけで構成されたシステムでの欠点で
ある最高動作周波数の低いことを改善し、高周波におけ
る消費電力を改善するとともに、Ｃ−MOS型論理回路の
特徴である低周波における低消費電力という利点と高集
積密度という利点をも兼ね備えた半導体集積回路装置を
提供するものである。
以下、本発明の実施例を図について説明する。第２図
は本発明の一実施例による半導体集積回路装置を示し、
図において、７は控訴ECL型論理回路、８は低速Ｃ−MOS
型論理回路、９はこの高速ECL型論理回路７と低速Ｃ−M
OS型論理回路８とを同一集積能動素子上に形成した半導
体集積回路装置である。４は高速論理信号、５は低速論
理信号、６は半導体集積回路装置９を用いることにより
得られる出力論理信号である。
は本発明の一実施例による半導体集積回路装置を示し、
図において、７は控訴ECL型論理回路、８は低速Ｃ−MOS
型論理回路、９はこの高速ECL型論理回路７と低速Ｃ−M
OS型論理回路８とを同一集積能動素子上に形成した半導
体集積回路装置である。４は高速論理信号、５は低速論
理信号、６は半導体集積回路装置９を用いることにより
得られる出力論理信号である。
本実施例の動作については従来と全く同様である。
このような本実施例によれば、高速部分にECL型論理
回路を用いたので、従来、高速Ｃ−MOS型論理回路を使
用した場合、最高動作周波数が、例えば10〜20MHzと限
られていたものが、非常に高い，例えば500〜1000MHzの
周波数論理信号を低周波論理信号に変換することが可能
となる。また、高い周波数における低消費電力化も実現
できる。
回路を用いたので、従来、高速Ｃ−MOS型論理回路を使
用した場合、最高動作周波数が、例えば10〜20MHzと限
られていたものが、非常に高い，例えば500〜1000MHzの
周波数論理信号を低周波論理信号に変換することが可能
となる。また、高い周波数における低消費電力化も実現
できる。
さらに低速部分にはＣ−MOS型論理回路を用いている
ので、低い周波数においては従来と同様に低消費電力化
が実現できる。
ので、低い周波数においては従来と同様に低消費電力化
が実現できる。
このような本装置が適用される具体的な例として、PL
Lシンセサイザー方式に用いられるプリスケーラとPLL
（Phased Locked Loop）回路とを同一基板上に形成した
半導体集積回路装置がある。この場合、高速ECL型論理
回路に相当するのがプリスケーラであり、低速Ｃ−MOS
型論理回路に相当するのがPLLである。
Lシンセサイザー方式に用いられるプリスケーラとPLL
（Phased Locked Loop）回路とを同一基板上に形成した
半導体集積回路装置がある。この場合、高速ECL型論理
回路に相当するのがプリスケーラであり、低速Ｃ−MOS
型論理回路に相当するのがPLLである。
以上のように、本発明によれば、ECL型論理回路によ
り構成されるプリスケーラとＣ−MOS型論理回路により
構成される低速論理回路とを同一基板上に形成したの
で、従来に比してより高い周波数の論理信号にも対応で
き、また高い周波数での消費電力の軽減が実現できる効
果がある。
り構成されるプリスケーラとＣ−MOS型論理回路により
構成される低速論理回路とを同一基板上に形成したの
で、従来に比してより高い周波数の論理信号にも対応で
き、また高い周波数での消費電力の軽減が実現できる効
果がある。
第１図は従来の半導体集積回路装置の構成図、第２図は
本発明の一実施例による半導体集積回路装置の構成図で
ある。 ７……高速ECL型論理回路、８……低速Ｃ−MOS型論理回
路。 なお図中同一符号は同一又は相当部分を示す。
本発明の一実施例による半導体集積回路装置の構成図で
ある。 ７……高速ECL型論理回路、８……低速Ｃ−MOS型論理回
路。 なお図中同一符号は同一又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 【請求項１】高速分周器（プリスケーラ）と、低速論理
回路とを同一基板上に形成してなる半導体集積回路装置
において、 上記高速分周器をECL型論理回路により構成し、上記低
速論理回路をＣ−MOS型論理回路により構成したことを
特徴とする半導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59071203A JP2574742B2 (ja) | 1984-04-09 | 1984-04-09 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59071203A JP2574742B2 (ja) | 1984-04-09 | 1984-04-09 | 半導体集積回路装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60214555A JPS60214555A (ja) | 1985-10-26 |
| JP2574742B2 true JP2574742B2 (ja) | 1997-01-22 |
Family
ID=13453879
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59071203A Expired - Lifetime JP2574742B2 (ja) | 1984-04-09 | 1984-04-09 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2574742B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0473144A3 (en) * | 1990-08-28 | 1992-04-15 | Nec Corporation | Semiconductor integrated circuit comprising interconnections |
| DE69730775T2 (de) | 1996-05-22 | 2005-09-29 | Nippon Telegraph And Telephone Corp. | Logische Schaltung und zugehöriges Herstellungsverfahren |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51101478A (ja) * | 1975-03-04 | 1976-09-07 | Suwa Seikosha Kk | |
| JPS5812346A (ja) * | 1981-07-15 | 1983-01-24 | Nec Corp | 半導体集積回路 |
| JPS6051325A (ja) * | 1983-08-31 | 1985-03-22 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置 |
-
1984
- 1984-04-09 JP JP59071203A patent/JP2574742B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51101478A (ja) * | 1975-03-04 | 1976-09-07 | Suwa Seikosha Kk | |
| JPS5812346A (ja) * | 1981-07-15 | 1983-01-24 | Nec Corp | 半導体集積回路 |
| JPS6051325A (ja) * | 1983-08-31 | 1985-03-22 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60214555A (ja) | 1985-10-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA2053907C (en) | Multiple bandwidth crystal controlled oscillator | |
| JP2574742B2 (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| KR890015419A (ko) | 반도체 칩 및 게이트 어레이 칩 | |
| JP2790311B2 (ja) | 半導体集積回路 | |
| JPH0434589Y2 (ja) | ||
| JPS648855U (ja) | ||
| JPH05259933A (ja) | マイクロコントローラ | |
| JPS5957049U (ja) | 高周波接続回路 | |
| JPS63159937U (ja) | ||
| JPS63169724U (ja) | ||
| JPH0310613U (ja) | ||
| JPS5896335U (ja) | 電子同調チユ−ナ | |
| JPH0614495Y2 (ja) | 高周波発振器 | |
| JPH03113577U (ja) | ||
| JPS61109217U (ja) | ||
| JPH0744390B2 (ja) | 半導体集積回路 | |
| JPS62125034U (ja) | ||
| JPS6030226A (ja) | チユ−ナ | |
| JPS5988738U (ja) | マイクロコンピユ−タのクロツク信号発生回路 | |
| JPS62158943U (ja) | ||
| JPS5929840U (ja) | Ｆｍ・ａｍ受信機 | |
| JPS62158937U (ja) | ||
| JPH0325924U (ja) | ||
| JPS6359323U (ja) | ||
| JPS62141217U (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |