JP2572245B2 - 導電膜の製造方法 - Google Patents
導電膜の製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は電気伝導性被覆を有する導電膜の製造方法に
関する。
関する。
（従来の技術） 透明導電性のフィルムは電子写真記録のベース材料、
静電写真記録のベース材料、薄型液晶ディスプレイの透
明電極、分散型ELの透明電極、タッチパネルの透明電
極、クリーンルーム、メーター窓、VTRテープ等の帯電
防止膜、透明ヒーターなど、幅広い応用分野を有してい
る。
静電写真記録のベース材料、薄型液晶ディスプレイの透
明電極、分散型ELの透明電極、タッチパネルの透明電
極、クリーンルーム、メーター窓、VTRテープ等の帯電
防止膜、透明ヒーターなど、幅広い応用分野を有してい
る。
従来の透明導電性膜のうちで半導体薄膜タイプとして
はスズをドープした酸化インジウム膜（Indium Tin Oxi
de−ITO膜）、アンチモンをドープした酸化スズ膜、カ
ドミウム・スズ酸化物膜（Cadmium Tin Oxide−CTO
膜）、ヨウ化銅膜、酸化チタン膜および酸化ジルコニウ
ム膜などがある。この中でITO膜が透明性、導電性とも
に最も優れている。酸化スズ膜は、膜形成に高い基板温
度が必要であり、高分子フィルムへの適用は難しい。CT
O膜は酸化インジウム膜よりエネルギーギャップが小さ
く（吸収端が長波長側にあり）、膜厚が大きくなるとや
や黄味を帯びる。ヨウ化銅膜、酸化チタン膜、酸化ジル
コニウム膜はこれらに比較して透明性、導電性ともに劣
る。
はスズをドープした酸化インジウム膜（Indium Tin Oxi
de−ITO膜）、アンチモンをドープした酸化スズ膜、カ
ドミウム・スズ酸化物膜（Cadmium Tin Oxide−CTO
膜）、ヨウ化銅膜、酸化チタン膜および酸化ジルコニウ
ム膜などがある。この中でITO膜が透明性、導電性とも
に最も優れている。酸化スズ膜は、膜形成に高い基板温
度が必要であり、高分子フィルムへの適用は難しい。CT
O膜は酸化インジウム膜よりエネルギーギャップが小さ
く（吸収端が長波長側にあり）、膜厚が大きくなるとや
や黄味を帯びる。ヨウ化銅膜、酸化チタン膜、酸化ジル
コニウム膜はこれらに比較して透明性、導電性ともに劣
る。
またこれらの半導体薄膜銅電膜は、蒸着、その後の処
理工程において作成されるが、大型の製造設備が必要
で、そのため高価であった。
理工程において作成されるが、大型の製造設備が必要
で、そのため高価であった。
このような半導体薄膜を安価に形成される一方法とし
て高分子フィルムに予め下塗りを施し、その層表面に半
導体化合物を吸収させることにより透明性導電膜を作成
する方法が、支持体、上層への密着の改良法として記載
されている（特公昭48−9984号）。
て高分子フィルムに予め下塗りを施し、その層表面に半
導体化合物を吸収させることにより透明性導電膜を作成
する方法が、支持体、上層への密着の改良法として記載
されている（特公昭48−9984号）。
（発明が解決しようとする問題点） 従来の下塗りは支持体に接着性を有する可膨潤性、電
気絶縁性重合体物質を用いて行われているがしかしこの
ような透明導電性フィルムは密着性、透明性などは優れ
ているが導電性はまだ十分とはいえなかった。
気絶縁性重合体物質を用いて行われているがしかしこの
ような透明導電性フィルムは密着性、透明性などは優れ
ているが導電性はまだ十分とはいえなかった。
（問題点を解決するための手段） 本発明者らはこのような従来の透明導電性フィルムの
欠点を克服するため鋭意研究を重ねた結果、下塗層とし
て湿気硬化型ウレタン樹脂を塗布し、硬化することによ
り、その上に塗布した半導体化合物溶液の溶剤による膨
潤性が所定範囲に制御され、半導体化合物が支持体の反
対側の、下塗層中表面近くに最も高い濃度で存在してい
る導電層を形成しうることを見出し、この知見に基づき
本発明をなすに至った。
欠点を克服するため鋭意研究を重ねた結果、下塗層とし
て湿気硬化型ウレタン樹脂を塗布し、硬化することによ
り、その上に塗布した半導体化合物溶液の溶剤による膨
潤性が所定範囲に制御され、半導体化合物が支持体の反
対側の、下塗層中表面近くに最も高い濃度で存在してい
る導電層を形成しうることを見出し、この知見に基づき
本発明をなすに至った。
すなわち本発明は、支持体上に、多価アルコールに過
剰のジイソシアネートを反応させて末端に遊離イソシア
ネート基を残した湿気硬化型ウレタン樹脂を塗布して硬
化させて膨潤度T1/T0（T0は浸漬前の膜厚を、T1は半導
体化合物を溶解する揮発性有機溶剤に５分間浸漬後の膜
厚を示す。）が、T0が約10μの時、1.05〜2.5の範囲に
ある塗布層（以下、下塗層ということがある。）を形成
し、この塗布層上に半導体化合物を含有する揮発性有機
溶剤溶液を塗布することにより、前記塗布層中の上部に
半導体化合物を含有する導電層を形成することを特徴と
する導電膜の製造方法を提供するものである。
剰のジイソシアネートを反応させて末端に遊離イソシア
ネート基を残した湿気硬化型ウレタン樹脂を塗布して硬
化させて膨潤度T1/T0（T0は浸漬前の膜厚を、T1は半導
体化合物を溶解する揮発性有機溶剤に５分間浸漬後の膜
厚を示す。）が、T0が約10μの時、1.05〜2.5の範囲に
ある塗布層（以下、下塗層ということがある。）を形成
し、この塗布層上に半導体化合物を含有する揮発性有機
溶剤溶液を塗布することにより、前記塗布層中の上部に
半導体化合物を含有する導電層を形成することを特徴と
する導電膜の製造方法を提供するものである。
本発明において支持体としては従来公知のものを用い
ることができ、例えば、ポリエチレンテレフタレートな
どのポリエステル類、ポリエチレン、ポリプロピレンな
どのポリオレフィン類、セルロースアセテートなどのセ
ルロース類、ポリメチルメタクリレート類、ナイロン６
などのポリアミド類、ポリイミド類、ポリカーボネート
類、ポリビニルアルコール類、塩化ビニル−酢酸ビニル
共重合体類、ガラス、前記ポリオレフィン類、ポリエス
テル類を被覆した被覆紙なども用いることができる。
ることができ、例えば、ポリエチレンテレフタレートな
どのポリエステル類、ポリエチレン、ポリプロピレンな
どのポリオレフィン類、セルロースアセテートなどのセ
ルロース類、ポリメチルメタクリレート類、ナイロン６
などのポリアミド類、ポリイミド類、ポリカーボネート
類、ポリビニルアルコール類、塩化ビニル−酢酸ビニル
共重合体類、ガラス、前記ポリオレフィン類、ポリエス
テル類を被覆した被覆紙なども用いることができる。
本発明においてこのような支持体上に湿気硬化型ウレ
タン樹脂の下塗層を形成する。
タン樹脂の下塗層を形成する。
本発明において使用する湿気硬化型ウレタン樹脂とは
一液型の硬化型ウレタン樹脂で、空気中の湿気を吸収し
て三次元的に架橋反応が進行して硬化する型の樹脂であ
る。このような湿気硬化型ウレタン樹脂は多価アルコー
ルに過剰のジイソシアネートを反応させて末端に遊離イ
ソシアネート基を残した樹脂で、湿気によりイソシアネ
ート基が反応し硬化する型の樹脂が一般的である。また
非黄変性のジイソシアネートを用いる場合は反応促進剤
としてジブチルチンジラウレートなどの触媒を用いるこ
ともある。
一液型の硬化型ウレタン樹脂で、空気中の湿気を吸収し
て三次元的に架橋反応が進行して硬化する型の樹脂であ
る。このような湿気硬化型ウレタン樹脂は多価アルコー
ルに過剰のジイソシアネートを反応させて末端に遊離イ
ソシアネート基を残した樹脂で、湿気によりイソシアネ
ート基が反応し硬化する型の樹脂が一般的である。また
非黄変性のジイソシアネートを用いる場合は反応促進剤
としてジブチルチンジラウレートなどの触媒を用いるこ
ともある。
ここで使用される多価アルコールとしてはエチレング
リコール、プロピレングリコール、1,3−ブチレングリ
コール、1,6−ヘキサンジオール、ジエチレングリコー
ル、ジプロピレングリコール、ネオペンチルグリコー
ル、トリエチレングリコール、水素化ビスフェノール
Ａ、ビスフェノールジヒドロキシプロピルエーテル、グ
リセリン、トリメチロールエタン、トリメチロールプロ
パン、トリスヒドロキシメチルアミノメタン、ペンタエ
リトリット、ジペンタエリトリットが挙げられ、またジ
イソシアネートとしては2,4−トリレンジイソシアネー
ト、2,6−トリレンジイソシアネート、4,4′−ジフェニ
ルメタンジイソシアネート、パラキシリレンジイソシア
ネート、メタキシリレンジイソシアネート、ヘキサメチ
レンジイソシアネート、リジンジイソシアネート、4,
4′−メチレンビス（シクロヘキシルイソシアネー
ト）、メチルシクロヘキサン−2,4−ジイソシアネー
ト、メチルシクロヘキサン−2,6−ジイソシアネート、
1,3−（イソシアナートメチル）シクロヘキサン、イソ
ホロンジイソシアネート、トリメチルヘキサメチレンジ
イソシアネート、ダイマー酸ジイソシアネートなどが挙
げられる。また、他の湿気硬化型ウレタン樹脂としては
トリフェニルメタントリイソシアナート、ナフチレン−
1,5−ジイソシアナート、ポリメチレンポリフェニルイ
ソシアナート等が挙げられる。他にフェノール、クレゾ
ール等のフェノール類、アルコール類でブロックしたブ
ロック型イソシアナートを用いることができるが特にこ
れらに限定されるものではない。
リコール、プロピレングリコール、1,3−ブチレングリ
コール、1,6−ヘキサンジオール、ジエチレングリコー
ル、ジプロピレングリコール、ネオペンチルグリコー
ル、トリエチレングリコール、水素化ビスフェノール
Ａ、ビスフェノールジヒドロキシプロピルエーテル、グ
リセリン、トリメチロールエタン、トリメチロールプロ
パン、トリスヒドロキシメチルアミノメタン、ペンタエ
リトリット、ジペンタエリトリットが挙げられ、またジ
イソシアネートとしては2,4−トリレンジイソシアネー
ト、2,6−トリレンジイソシアネート、4,4′−ジフェニ
ルメタンジイソシアネート、パラキシリレンジイソシア
ネート、メタキシリレンジイソシアネート、ヘキサメチ
レンジイソシアネート、リジンジイソシアネート、4,
4′−メチレンビス（シクロヘキシルイソシアネー
ト）、メチルシクロヘキサン−2,4−ジイソシアネー
ト、メチルシクロヘキサン−2,6−ジイソシアネート、
1,3−（イソシアナートメチル）シクロヘキサン、イソ
ホロンジイソシアネート、トリメチルヘキサメチレンジ
イソシアネート、ダイマー酸ジイソシアネートなどが挙
げられる。また、他の湿気硬化型ウレタン樹脂としては
トリフェニルメタントリイソシアナート、ナフチレン−
1,5−ジイソシアナート、ポリメチレンポリフェニルイ
ソシアナート等が挙げられる。他にフェノール、クレゾ
ール等のフェノール類、アルコール類でブロックしたブ
ロック型イソシアナートを用いることができるが特にこ
れらに限定されるものではない。
本発明の下塗層中には湿気硬化型ウレタン樹脂の他
に、これらの化合物と相溶性のよい他の樹脂を含有して
もよい。例えば、スチレン−ブタジエンコポリマー、ス
チレン樹脂、アルキツド樹脂、塩化ビニル樹脂、塩化ビ
ニル−酢酸ビニル樹脂、ポリビニリデンクロライド樹
脂、酢酸ビニル樹脂、ポリビニルアセタール、ポリアク
リル酸エステル、ポリメタクリル酸エステル、イソブチ
レンポリマー、ポリエステル、ケトン樹脂、ポリアミド
類、ポリカーボネート類、ポリチオカーボネート類、ビ
ニルハロアリレート類のコポリマー、ビニルアセテート
等を挙げることができるが、特にこれらに限定されるも
のではない。
に、これらの化合物と相溶性のよい他の樹脂を含有して
もよい。例えば、スチレン−ブタジエンコポリマー、ス
チレン樹脂、アルキツド樹脂、塩化ビニル樹脂、塩化ビ
ニル−酢酸ビニル樹脂、ポリビニリデンクロライド樹
脂、酢酸ビニル樹脂、ポリビニルアセタール、ポリアク
リル酸エステル、ポリメタクリル酸エステル、イソブチ
レンポリマー、ポリエステル、ケトン樹脂、ポリアミド
類、ポリカーボネート類、ポリチオカーボネート類、ビ
ニルハロアリレート類のコポリマー、ビニルアセテート
等を挙げることができるが、特にこれらに限定されるも
のではない。
下塗層の厚さは特に制限はないが0.01〜100μ、好ま
しくは0.05〜10μとする。
しくは0.05〜10μとする。
本発明において下塗層は半導体化合物溶液の溶剤の塗
布処理中に膨潤して半導体化合物溶液を吸収するが溶解
しない（溶剤膨潤性を有する）。これは三次元網目構造
によるものと考えられる。またこの結果、下塗層の表面
近くに導電層が形成されることになる。
布処理中に膨潤して半導体化合物溶液を吸収するが溶解
しない（溶剤膨潤性を有する）。これは三次元網目構造
によるものと考えられる。またこの結果、下塗層の表面
近くに導電層が形成されることになる。
本発明において用いられる湿気硬化型ウレタン樹脂
は、膨潤度T1/T0（T0は浸漬前の膜厚を、T1は半導体化
合物を溶解する揮発性有機溶剤に５分間浸漬後の膜厚）
がT0が約10μｍの時1.05〜2.5の範囲であり、好ましく
は1.05〜1.7である。
は、膨潤度T1/T0（T0は浸漬前の膜厚を、T1は半導体化
合物を溶解する揮発性有機溶剤に５分間浸漬後の膜厚）
がT0が約10μｍの時1.05〜2.5の範囲であり、好ましく
は1.05〜1.7である。
本発明の導電層を作るための好ましい方法は、揮発性
有機溶剤中に可溶化された半導体化合物を溶かした溶液
を適当な支持体上に形成した硬化された湿気硬化型ポリ
ウレタン樹脂の下塗層上に塗布し、下塗層中に塗布液を
吸収させ、その溶剤を蒸発させる方法である。
有機溶剤中に可溶化された半導体化合物を溶かした溶液
を適当な支持体上に形成した硬化された湿気硬化型ポリ
ウレタン樹脂の下塗層上に塗布し、下塗層中に塗布液を
吸収させ、その溶剤を蒸発させる方法である。
また本発明の導電性薄膜の導電層に用いられる半導体
化合物としては、好ましくは沃化第一銅及び沃化銀であ
るが他の金属含有半導体化合物、例えば他のハロゲン化
第一銅；ハロゲン化銀；ビスマス、金、インジウム、イ
リジウム、鉛、ニッケル、パラジウム、レニウム、錫、
テルリウム、及びタングステンのハライド；チオシアン
酸第一銅、第二銅及び銀；あるいはヨードマーキュレー
ト等も使用しうる。
化合物としては、好ましくは沃化第一銅及び沃化銀であ
るが他の金属含有半導体化合物、例えば他のハロゲン化
第一銅；ハロゲン化銀；ビスマス、金、インジウム、イ
リジウム、鉛、ニッケル、パラジウム、レニウム、錫、
テルリウム、及びタングステンのハライド；チオシアン
酸第一銅、第二銅及び銀；あるいはヨードマーキュレー
ト等も使用しうる。
金属含有半導体化合物は水とか多くの有機溶剤の如き
揮発性溶剤の殆どのものに易溶性ではない。従って半導
体のための可溶化剤としてその半導体と可溶性錯塩を生
成する化合物を使用することができる。
揮発性溶剤の殆どのものに易溶性ではない。従って半導
体のための可溶化剤としてその半導体と可溶性錯塩を生
成する化合物を使用することができる。
一般にアルカリ金属ハライド及びアンモニウムハライ
ドをハロゲン化銀、ハロゲン化第一銅、ハロゲン化第一
錫、ハロゲン化鉛その他の如き半導体ハロゲン化金属の
あるものとの錯化合剤として使用することができ、ケト
ン溶剤に易溶性の錯化合物を生成する。通常は、例えば
水で洗浄することによりその可溶化剤を取り除くのが好
ましいけれども、若干の具体例では、その錯塩自体が十
分な導電性を提供する。後者の場合、その錯化合物自体
が半導体化合物である。これらの錯化合物を溶かすのに
適した揮発性ケトン溶剤の例としてはアセトン、メチル
エチルケトン、２−ペンタノン、３−ペンタノン、２−
ヘキサン、２−ヘプタノン、４−ヘプタノン、メチルイ
ソプロピルケトン、エチルイソプロピルケトン、ジイソ
プロピルケトン、メチルイソブチルケトン、メチル−ｔ
−ブチルケトン、ジアセチル、アセチルアセントン、ア
セトニルアセトンジアセトンアルコール、メシチルオキ
サイド、クロロアセトン、シクロペンタノン、シクロヘ
キサノン、アセトフェノンがある。ケトン溶剤の混合物
を用いることもでき、また場合によっては単一のケトン
溶剤を使用できる。ある場合においては、特に沃化リチ
ウム、沃化ナトリウムが錯塩化剤として使用される場
合、ケトン以外の溶剤の若干のものを沃化錯化合物を溶
かすため使用してもかまわない。メチルアセテート、エ
チルアセテート、ｎ−プロピルアセテート、イソプロピ
ルアセテート、ｎ−ブチルアセテート、イソ−アミルア
セテート、テトラヒドロフラン、ジメチルフォルムアミ
ド、メチルセロソルブ、メチルセロソルブアセテート、
エチルアセテート及びその他のものが沃化錯化合物を溶
解するため有効に使用することができる。
ドをハロゲン化銀、ハロゲン化第一銅、ハロゲン化第一
錫、ハロゲン化鉛その他の如き半導体ハロゲン化金属の
あるものとの錯化合剤として使用することができ、ケト
ン溶剤に易溶性の錯化合物を生成する。通常は、例えば
水で洗浄することによりその可溶化剤を取り除くのが好
ましいけれども、若干の具体例では、その錯塩自体が十
分な導電性を提供する。後者の場合、その錯化合物自体
が半導体化合物である。これらの錯化合物を溶かすのに
適した揮発性ケトン溶剤の例としてはアセトン、メチル
エチルケトン、２−ペンタノン、３−ペンタノン、２−
ヘキサン、２−ヘプタノン、４−ヘプタノン、メチルイ
ソプロピルケトン、エチルイソプロピルケトン、ジイソ
プロピルケトン、メチルイソブチルケトン、メチル−ｔ
−ブチルケトン、ジアセチル、アセチルアセントン、ア
セトニルアセトンジアセトンアルコール、メシチルオキ
サイド、クロロアセトン、シクロペンタノン、シクロヘ
キサノン、アセトフェノンがある。ケトン溶剤の混合物
を用いることもでき、また場合によっては単一のケトン
溶剤を使用できる。ある場合においては、特に沃化リチ
ウム、沃化ナトリウムが錯塩化剤として使用される場
合、ケトン以外の溶剤の若干のものを沃化錯化合物を溶
かすため使用してもかまわない。メチルアセテート、エ
チルアセテート、ｎ−プロピルアセテート、イソプロピ
ルアセテート、ｎ−ブチルアセテート、イソ−アミルア
セテート、テトラヒドロフラン、ジメチルフォルムアミ
ド、メチルセロソルブ、メチルセロソルブアセテート、
エチルアセテート及びその他のものが沃化錯化合物を溶
解するため有効に使用することができる。
沃化第一銅の溶剤としては沃化第一銅とアセトニトリ
ルが錯塩を作るため、アセトニトリルを使用することが
できる。
ルが錯塩を作るため、アセトニトリルを使用することが
できる。
半導体化合物を濃度0.1〜50重量％溶液として用いる
のが好ましい。また、この溶液を半導体化合物が40〜20
00mg/m2の割合で塗布することが好ましく特に100〜1000
mg/m2の割合で塗布することが好ましい。
のが好ましい。また、この溶液を半導体化合物が40〜20
00mg/m2の割合で塗布することが好ましく特に100〜1000
mg/m2の割合で塗布することが好ましい。
本発明の透明導電膜は支持体上に硬化された湿気硬化
型ウレタンの下塗層を形成させ、この上に半導体化合物
の溶液を塗布し、導電層を形成することにより得ること
ができる。硬化させる時間は特に制限はなく、硬化する
温度によっても異なる。
型ウレタンの下塗層を形成させ、この上に半導体化合物
の溶液を塗布し、導電層を形成することにより得ること
ができる。硬化させる時間は特に制限はなく、硬化する
温度によっても異なる。
半導体化合物の溶液を塗布する方法は、例えば回転塗
布、浸液塗布、噴霧塗布、連続塗布機によるビード塗
布、連続的に移動するウィック法、ホッパーを用いる塗
布法などがあるが、特にこれに限定されるものではな
い。
布、浸液塗布、噴霧塗布、連続塗布機によるビード塗
布、連続的に移動するウィック法、ホッパーを用いる塗
布法などがあるが、特にこれに限定されるものではな
い。
このような導電層の形成方法自体は特公昭48−9984、
同46−34499号の方法により行うことができる。
同46−34499号の方法により行うことができる。
（発明の効果） 本発明方法により得られた導電膜は透明性、及び導電
層の密着性が優れ、とりわけ、高い導電性を示す。この
透明導電性フィルムは電子写真記録のベース材料、静電
写真記録のベース材料、薄型液晶ディスプレイの透明電
極、分散型ELの透明電極、タッチパネルの透明電極、ク
リーンルーム、メーター窓、VTRテープ等の帯電防止
膜、透明ヒーターなど幅広く用いることができる。
層の密着性が優れ、とりわけ、高い導電性を示す。この
透明導電性フィルムは電子写真記録のベース材料、静電
写真記録のベース材料、薄型液晶ディスプレイの透明電
極、分散型ELの透明電極、タッチパネルの透明電極、ク
リーンルーム、メーター窓、VTRテープ等の帯電防止
膜、透明ヒーターなど幅広く用いることができる。
（実施例） 以下に本発明を実施例に基づきさらに詳細に説明す
る。
る。
実施例１ 厚さ100μのポリエチレンテレフタレートフィルムの
上にトリレンジイソシアナートのトリメチロールプロパ
ン付加体からなる湿気硬化型ウレタン樹脂5.0gをジクロ
ロメタン95.0gに溶解した溶液を押しだしホッパーで塗
布し、100℃で乾燥した。この下塗層の膜厚は約0.5μで
あった。この膜を50℃80％RHで１日間放置し硬化した。
こうして得られた下塗層としての膜の膨潤度T1/T0は1.3
であった。その後、この層の上に97gのアセトニトリル
中に3gのヨウ化第一銅を含む溶液を乾燥重量で0.3g/m2
の割合で塗布し、100℃で乾燥した。この溶液はバイン
ダーを含まないが、下塗層に吸収され、主に下塗層の上
層にCuIの微粒子層ができる（かれは以下の実施例でも
同様であった。）。この導電膜の表面抵抗をLoresta MC
P−TESTER（三菱油化社製）で測定した結果1.0×104Ω
／□であった。
上にトリレンジイソシアナートのトリメチロールプロパ
ン付加体からなる湿気硬化型ウレタン樹脂5.0gをジクロ
ロメタン95.0gに溶解した溶液を押しだしホッパーで塗
布し、100℃で乾燥した。この下塗層の膜厚は約0.5μで
あった。この膜を50℃80％RHで１日間放置し硬化した。
こうして得られた下塗層としての膜の膨潤度T1/T0は1.3
であった。その後、この層の上に97gのアセトニトリル
中に3gのヨウ化第一銅を含む溶液を乾燥重量で0.3g/m2
の割合で塗布し、100℃で乾燥した。この溶液はバイン
ダーを含まないが、下塗層に吸収され、主に下塗層の上
層にCuIの微粒子層ができる（かれは以下の実施例でも
同様であった。）。この導電膜の表面抵抗をLoresta MC
P−TESTER（三菱油化社製）で測定した結果1.0×104Ω
／□であった。
実施例２ 厚さ100μのポリエチレンテレフタレートフィルムの
上に湿気硬化型ウレタン樹脂；コロネートＬ（商品名、
日本ポリウレタン社製）4.0g、ポリエステル樹脂；ポリ
エステルアドヘシブ49000（商品名、デュポン社製）3.0
gをジクロロメタン93.0gに溶解した溶液を押しだしホッ
パーで塗布し、100℃で乾燥した。この下塗層の膜厚は
約0.3μであった。この膜を50℃80％RHで２日間放置し
硬化した。こうして得られた下塗層としての膜の膨潤度
T1/T0は1.7であった。この層の上に97gのアセトニトリ
ル中に3gのヨウ化第一銅を含む溶液を乾燥重量で0.3g/m
2の割合で塗布し100℃で乾燥した。この導電膜の表面抵
抗は1.0×104Ω／□であった。
上に湿気硬化型ウレタン樹脂；コロネートＬ（商品名、
日本ポリウレタン社製）4.0g、ポリエステル樹脂；ポリ
エステルアドヘシブ49000（商品名、デュポン社製）3.0
gをジクロロメタン93.0gに溶解した溶液を押しだしホッ
パーで塗布し、100℃で乾燥した。この下塗層の膜厚は
約0.3μであった。この膜を50℃80％RHで２日間放置し
硬化した。こうして得られた下塗層としての膜の膨潤度
T1/T0は1.7であった。この層の上に97gのアセトニトリ
ル中に3gのヨウ化第一銅を含む溶液を乾燥重量で0.3g/m
2の割合で塗布し100℃で乾燥した。この導電膜の表面抵
抗は1.0×104Ω／□であった。
実施例３ 実施例２のポリエステルアドヘシブ49000 0.3gの代
わりに第１表に記載のポリマーを使用した以外は実施例
２を全く同様に実施した。得られた導電膜は何れも良好
な導電性を示した。
わりに第１表に記載のポリマーを使用した以外は実施例
２を全く同様に実施した。得られた導電膜は何れも良好
な導電性を示した。
実施例４ 実施例２のコロネートL4.0gの代わりに第２表に記載
の湿気硬化型ウレタン樹脂（ポリイソシアネート）を使
用した以外は実施例２を全く同様に実施した。何れも良
好な導電性を示した。
の湿気硬化型ウレタン樹脂（ポリイソシアネート）を使
用した以外は実施例２を全く同様に実施した。何れも良
好な導電性を示した。
比較例１ 厚さ100μのポリエチレンテレフタレートフィルムの
上にポリエステルアドヘシブ49000 5.0gをメチルエチ
ルケトン95.0gに溶解した溶液を押しだしホッパーで塗
布し、100℃で乾燥した。この下塗層の膜厚は約0.5μで
あった。この下塗層としての膜の膨潤度T1/T0は2.9であ
った。この層の上に97gのアセトニトリル中に3gのヨウ
化第一銅を含む溶液を乾燥重量で0.3g/m2の割合で塗布
し、100℃で乾燥させた。この導電膜の表面抵抗は5.0×
109Ω／□であった。
上にポリエステルアドヘシブ49000 5.0gをメチルエチ
ルケトン95.0gに溶解した溶液を押しだしホッパーで塗
布し、100℃で乾燥した。この下塗層の膜厚は約0.5μで
あった。この下塗層としての膜の膨潤度T1/T0は2.9であ
った。この層の上に97gのアセトニトリル中に3gのヨウ
化第一銅を含む溶液を乾燥重量で0.3g/m2の割合で塗布
し、100℃で乾燥させた。この導電膜の表面抵抗は5.0×
109Ω／□であった。
比較例２ 比較例１の下塗層の代わりに塩化ビニリデン、アクリ
ロニトリル、アクリル酸を80:19:1（重量比）で共重合
させて調製した樹脂5.0gをジクロロメタン95.0gに溶解
した溶液を押しだしホッパーで塗布し、100℃で乾燥し
た。この層の膜厚は約0.5μであった。この下塗層とし
て膜の膨潤度T1/T0は2.8であった。その後実施例１と全
く同様にして導電膜を作成し表面抵抗を測定した結果3.
0×107Ω／□であった。
ロニトリル、アクリル酸を80:19:1（重量比）で共重合
させて調製した樹脂5.0gをジクロロメタン95.0gに溶解
した溶液を押しだしホッパーで塗布し、100℃で乾燥し
た。この層の膜厚は約0.5μであった。この下塗層とし
て膜の膨潤度T1/T0は2.8であった。その後実施例１と全
く同様にして導電膜を作成し表面抵抗を測定した結果3.
0×107Ω／□であった。
実施例５ 厚さ100μのポリエチレンテレフタレートフィルム上
に実施例２と全く同様の操作により約0.3μの下塗層を
設けた。この膜を50℃80％RHで２日間放置して硬化した
後、この上にヨウ化銀776g、ヨウ化カリウム2.14gを２
−ブタン中に溶解した溶液を乾燥重量で0.6g/m2の割合
で塗布し100℃で乾燥した。なお、硬化した下塗層の膨
純度T1/T0は1.7であった。この導電膜の抵抗は3.0×106
Ω／□であった。
に実施例２と全く同様の操作により約0.3μの下塗層を
設けた。この膜を50℃80％RHで２日間放置して硬化した
後、この上にヨウ化銀776g、ヨウ化カリウム2.14gを２
−ブタン中に溶解した溶液を乾燥重量で0.6g/m2の割合
で塗布し100℃で乾燥した。なお、硬化した下塗層の膨
純度T1/T0は1.7であった。この導電膜の抵抗は3.0×106
Ω／□であった。
実施例１から４に示すように下塗層に湿気硬化型ポリ
ウレタン樹脂を用いた導電膜は比較例に比べ良好な導電
性を示す。
ウレタン樹脂を用いた導電膜は比較例に比べ良好な導電
性を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ２３Ｃ 26/00 Ｃ２３Ｃ 26/00 Ｃ (56)参考文献 特開 昭60−150508（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−140605（ＪＰ，Ａ) 特公 昭48−9984（ＪＰ，Ｂ１) 特公 昭46−34499（ＪＰ，Ｂ１)
Claims (1)
- 【請求項１】支持体上に、多価アルコールに過剰のジイ
ソシアネートを反応させて末端に遊離イソシアネート基
を残した湿気硬化型ウレタン樹脂を塗布して硬化させて
膨潤度T1/T0（T0は浸漬前の膜厚を、T1は半導体化合物
を溶解する揮発性有機溶剤に５分間浸漬後の膜厚を示
す。）が、T0が約10μの時、1.05〜2.5の範囲にある塗
布層を形成し、この塗布層上に半導体化合物を含有する
揮発性有機溶剤溶液を塗布することにより、前記塗布層
中の上部に半導体化合物を含有する導電層を形成するこ
とを特徴とする導電膜の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62304090A JP2572245B2 (ja) | 1987-12-01 | 1987-12-01 | 導電膜の製造方法 |
| US07/675,069 US5075171A (en) | 1987-09-10 | 1991-03-26 | Conductive film and method for preparing same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62304090A JP2572245B2 (ja) | 1987-12-01 | 1987-12-01 | 導電膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01144520A JPH01144520A (ja) | 1989-06-06 |
| JP2572245B2 true JP2572245B2 (ja) | 1997-01-16 |
Family
ID=17928901
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62304090A Expired - Fee Related JP2572245B2 (ja) | 1987-09-10 | 1987-12-01 | 導電膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2572245B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1602479B1 (en) | 2003-02-17 | 2019-04-10 | Tokuyama Corporation | Layered product, optical part, processes for producing these, and coating fluid |
| CN101394938A (zh) | 2006-03-01 | 2009-03-25 | 德山株式会社 | 层压体的制造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60150508A (ja) * | 1984-01-18 | 1985-08-08 | 日本写真印刷株式会社 | 透明電極基板の製造方法 |
-
1987
- 1987-12-01 JP JP62304090A patent/JP2572245B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01144520A (ja) | 1989-06-06 |
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Legal Events
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