JP2572083B2 - Material testing machine - Google Patents

Material testing machine

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JP2572083B2
JP2572083B2 JP62272827A JP27282787A JP2572083B2 JP 2572083 B2 JP2572083 B2 JP 2572083B2 JP 62272827 A JP62272827 A JP 62272827A JP 27282787 A JP27282787 A JP 27282787A JP 2572083 B2 JP2572083 B2 JP 2572083B2
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semiconductor memory
memory module
test
microprocessor
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秀則 林
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【発明の詳細な説明】 A.産業上の利用分野 この発明は、材料試験機において、各種試験方法に対
応した専用プログラム(試験条件およびデータ処理方
法)を適宜に切り換える技術に関する。
Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a technique for appropriately switching dedicated programs (test conditions and data processing methods) corresponding to various test methods in a material testing machine.

B.従来技術 一般材料の材料試験の分野では、各種材料により、ま
た採取するデータの種類により様々な試験方法がある。
したがって、その試験方法に応じた試験条件およびデー
タ処理方法をその都度材料試験機に設定する必要があ
る。
B. Prior Art In the field of material testing of general materials, there are various testing methods depending on various materials and types of data collected.
Therefore, it is necessary to set a test condition and a data processing method according to the test method in the material testing machine each time.

試験方法の種類としては、単純バッチ試験、低サイク
ル疲労試験,高サイクル疲労試験、曲げ試験、き裂進展
試験、静的負荷試験、弾塑性破壊靱性試験等があり、材
料の降伏点,ヤング率,最大応力,応力−歪み特性やき
裂伝搬速度,K1C値,J1C値などのデータを採取する。
The types of test methods include simple batch test, low cycle fatigue test, high cycle fatigue test, bending test, crack growth test, static load test, elasto-plastic fracture toughness test, etc. Collect data such as, maximum stress, stress-strain characteristics, crack propagation speed, K1C value, and J1C value.

電気・油圧式の材料試験機の試験条件には、PID制御
の各定数、負荷荷重信号の波形,振幅,平均値、荷重検
出アンプのレンジなどがある。
The test conditions of the electric / hydraulic material testing machine include the constants of PID control, the waveform, amplitude, average value of the load load signal, and the range of the load detection amplifier.

また、ネジ棹式の材料試験機の試験条件には、荷重負
荷速度,荷重負荷方向、荷重検出アンプのレンジ,レコ
ーダのチャート速度、繰り返し負荷の場合の負荷荷重信
号の最大値,最小値などがある。
The test conditions of the screw rod type material testing machine include load speed, load direction, range of load detection amplifier, chart speed of recorder, maximum value and minimum value of load signal in case of repetitive load. is there.

データ処理方法には、データのサンプリング方法,サ
ンプリングデータの演算方法,ディスプレイでの表示方
法,プリンタの印字方法等がある。
The data processing method includes a data sampling method, a sampling data calculation method, a display method on a display, a printer printing method, and the like.

以上のように試験方法ごとに異なった試験条件および
データ処理方法を設定する作業は非常に面倒である。特
に、1台の材料試験機で各種材料の品質管理を目的とし
て頻繁に試験する場合には、試験条件およびデータ処理
方法の設定のために大変な時間を必要とし、作業性が悪
いだけでなく、設定ミスを発生するおそれが多分にあ
る。
As described above, the work of setting different test conditions and data processing methods for each test method is very troublesome. In particular, when testing frequently with a single material testing machine for the purpose of quality control of various materials, it takes a great deal of time to set the test conditions and data processing methods, and not only is the workability poor, but also There is a possibility that a setting error may occur.

そこで、試験プログラムの設定を簡素化するために、
従来、次のような方式で対処してきた。
Therefore, in order to simplify the setting of the test program,
Conventionally, the following method has been used.

その一つは、フロッピーディスクに幾種類かの試験
プログラムを記憶させておき、必要に応じて試験プログ
ラムを選択してロードするという方式である。
One is a method in which several types of test programs are stored in a floppy disk, and test programs are selected and loaded as needed.

他の一つは、材料試験機におけるシステム内のCMOS
−RAM(バッテリーバックアップ付き)に試験プログラ
ムを1つ以上もたせる方式である。
The other is CMOS in the system in the material testing machine.
-A method in which one or more test programs are provided in RAM (with battery backup).

C.発明が解決しようとする問題点 しかしながら、前記,の各方式にはそれぞれ次の
ような問題点がある。
C. Problems to be Solved by the Invention However, each of the above methods has the following problems.

のフロッピーディスク方式の場合、フロッピーディ
スクドライバを必要とするために高価でコスト的に不利
である。その上、操作が容易でない、アクセスタイムが
長い、フロッピーディスクは取り扱いに注意を要する等
の問題がある。
In the case of the floppy disk method, a floppy disk driver is required, which is expensive and disadvantageous in terms of cost. In addition, there are problems that operation is not easy, access time is long, and handling of a floppy disk requires care.

また、のシステム内RAM方式の場合、その記憶容量
から試験プログラムの数に限界がある。また、複数の試
験プログラムの中から1つを選択する操作に際しては、
ディスプレイを見ながらのキー操作が繁雑になりがちで
ある。また、ディスプレイや割り込みのプログラムのボ
リュームが大きくなってシステムプログラム全体の負担
も大きい上に、プログラムの実行時間が長くなる。
In the case of the in-system RAM method, the number of test programs is limited due to the storage capacity. When selecting one of a plurality of test programs,
Key operations while looking at the display tend to be complicated. In addition, the volume of the display or interrupt program is increased, so that the burden on the entire system program is increased, and the execution time of the program is prolonged.

さらに、何らかの原因でマイクロプロセッサが暴走を
起こしたときには、記憶していたすべての試験プログラ
ムが破壊されてしまい、信頼性の点で問題がある。
Further, when the microprocessor goes out of control for some reason, all the stored test programs are destroyed, and there is a problem in reliability.

この発明は、このような事情に鑑みてなされたもので
あって、試験プログラム(試験条件およびデータ処理方
法)を種々に切り換えるに当たり、コスト面,操作面で
有利で、高速アクセスが可能であり、信頼性も高い材料
試験機を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of such circumstances, and is advantageous in terms of cost and operation, and is capable of high-speed access when switching test programs (test conditions and data processing methods) in various ways. It is an object of the present invention to provide a highly reliable material testing machine.

D.問題点を解決するための手段 この発明は、このような目的を達成するために、次の
ような構成をとる。
D. Means for Solving the Problems The present invention has the following configuration to achieve such an object.

すなわち、この発明の材料試験機は、読み込んだプロ
グラムに従って試験機各部を制御するマイクロプロセッ
サと、試験条件およびデータ処理方法についての基本プ
ログラムを有しマイクロプロセッサに接続されたシステ
ム内メモリと、試験条件およびデータ処理方法について
の専用プログラムを有しマイクロプロセッサに対して接
続分離自在かつ交換可能な半導体メモリモジュールと、
マイクロプロセッサにシステム内メモリの基本プログラ
ムを選択する内部選択キーと半導体メモリモジュールの
専用プログラムを選択する外部選択キーとからなり、こ
れら選択キーのON/OFFによって基本プログラムを実行さ
せる状態と専用プログラムを実行させる状態とを切り換
えるプログラム選択手段とを備えたものである。
That is, the material testing machine according to the present invention includes a microprocessor for controlling each part of the testing machine in accordance with the read program, a memory in a system having a basic program for a test condition and a data processing method and connected to the microprocessor, And a semiconductor memory module having a dedicated program for a data processing method and having a detachable and replaceable connection to a microprocessor,
The microprocessor consists of an internal selection key for selecting the basic program of the memory in the system and an external selection key for selecting the dedicated program for the semiconductor memory module. Program selection means for switching between a state to be executed and a state to be executed.

E.作 用 この発明の構成による作用は、次のとおりである。E. Operation The operation of the configuration of the present invention is as follows.

種々の専用プログラムに対応して複数の半導体メモリ
モジュールを用意しておき、必要とする試験条件および
データ処理方法についての専用プログラムを記憶してい
る半導体メモリモジュールを選択し、その半導体メモリ
モジュールをマイクロプロセッサに接続し、プログラム
選択手段によって専用プログラムを選択するだけで、必
要とする専用プログラムに基づいて試験機各部が制御さ
れる。
A plurality of semiconductor memory modules are prepared corresponding to various dedicated programs, a semiconductor memory module storing a dedicated program for necessary test conditions and a data processing method is selected, and the semiconductor memory module is micro-processed. Just by connecting to the processor and selecting the dedicated program by the program selecting means, each part of the test machine is controlled based on the required dedicated program.

すなわち、半導体メモリモジュールの選択により種々
の専用プログラム(試験条件およびデータ処理方法)を
切り換えることが非常に簡単に行える。
That is, it is very easy to switch various dedicated programs (test conditions and data processing methods) by selecting a semiconductor memory module.

半導体メモリモジュールのアクセスは、従来例のフ
ロッピーディスクからのローディングの場合に比べては
るかに高速である。また、従来例(システム内RAM方
式)の頻繁なキー操作による試験プログラムの選択作業
に比べても作業性が良い。
Access to the semiconductor memory module is much faster than in the conventional case of loading from a floppy disk. Further, the workability is better than the test program selection operation by frequent key operations of the conventional example (in-system RAM system).

また、たとえマイクロプロセッサが暴走を起こしシス
テム内メモリ上の基本プログラムが破壊されたとして
も、専用プログラム(試験条件およびデータ処理方法)
自体は半導体メモリモジュールに保存されているから、
従来例のようにすべてのプログラム(基本プログラム
および各種の専用プログラム)が破壊されるということ
から免れる。
Even if the microprocessor goes out of control and the basic program on the memory in the system is destroyed, the dedicated program (test conditions and data processing method)
Since it is stored in the semiconductor memory module itself,
It is avoided that all programs (basic programs and various dedicated programs) are destroyed as in the conventional example.

コスト面では、従来例に対してはフロッピーディス
クドライバを必要としない点で、また、従来例に対し
ては、ディスプレイや割り込みのプログラムのボリュー
ムが小さくてすみシステムプログラムの負担が軽くなる
上に、プログラムの実行時間が短くなる点で有利であ
る。
In terms of cost, the conventional example does not require a floppy disk driver, and the conventional example requires a small display and interrupt program volume, reducing the load on the system program. This is advantageous in that the execution time of the program is reduced.

さらに、半導体メモリモジュールはパッケージ化され
ているため、その取り扱いがフロッピーディスクに比べ
て簡便である。
Further, since the semiconductor memory module is packaged, its handling is simpler than that of a floppy disk.

そして、半導体メモリモジュールは必要な数を用意で
きるから、専用プログラムの種類数についての制約はな
いといってよく、この点で従来例のシステム内RAM方
式に比べて有利である。
Since the required number of semiconductor memory modules can be prepared, it can be said that there is no restriction on the number of types of dedicated programs, which is advantageous over the conventional in-system RAM system.

F.実施例 この発明の実施例に係る材料試験機の要部のブロック
図を示す第1図において、1はマイクロコンピュータに
おけるマイクロプロセッサ(CPU)、2はシステムプロ
グラムおよび基本プログラム(試験条件およびデータ処
理方法)を格納したROM(リードオンリメモリ)、3は
得られたデータを格納するRAM(ランダムアクセスメモ
リ)であり、ROM2およびRAM3は、マイクロプロセッサ1
に対してアドレスバス,データバス,コントロールバス
を介して接続されている。
F. Embodiment In FIG. 1 showing a block diagram of a main part of a material testing machine according to an embodiment of the present invention, reference numeral 1 denotes a microprocessor (CPU) in a microcomputer, and 2 denotes a system program and a basic program (test conditions and data). (Processing method) is stored in the ROM (read only memory), 3 is a RAM (random access memory) storing the obtained data, and the ROM 2 and the RAM 3 are the microprocessor 1
Are connected via an address bus, a data bus, and a control bus.

ROM2およびRAM3は発明の構成にいうシステム内メモリ
に相当する。
ROM2 and RAM3 correspond to the in-system memory in the configuration of the present invention.

4は試験機本体とマイクロプロセッサ1との間で信号
の授受を行うインターフェイス、5はCRTや液晶表示装
置などのディスプレイ、6はキーボード、7はプリンタ
やプロッタなどのレコーダである。
Reference numeral 4 denotes an interface for transmitting and receiving signals between the tester main body and the microprocessor 1, reference numeral 5 denotes a display such as a CRT or a liquid crystal display, reference numeral 6 denotes a keyboard, and reference numeral 7 denotes a recorder such as a printer or plotter.

8は専用プログラム(試験条件およびデータ処理方
法)を格納しマイクロプロセッサ1に対して接続分離重
自在かつ交換可能な半導体メモリモジュールである。
Reference numeral 8 denotes a semiconductor memory module which stores a dedicated program (test conditions and data processing method), is detachably connected to the microprocessor 1, and is replaceable.

種々の試験方法に応じた専用プログラム(試験条件お
よびデータ処理方法)を記憶している半導体メモリモジ
ュール8が複数用意されており、それぞれはROMまたは
バックアップ用バッテリー付きのCMOS−RAMを内蔵した
コンパクトなパッケージに構成され、そのパッケージに
は格納している専用プログラム(試験条件およびデータ
処理方法)が何についてのものであるのかを表すラベル
が貼られている。
A plurality of semiconductor memory modules 8 storing dedicated programs (test conditions and data processing methods) corresponding to various test methods are provided, each of which is a compact ROM-based or CMOS-RAM with a backup battery. The package is configured with a label indicating what the dedicated program (test conditions and data processing method) stored is for the package.

半導体メモリモジュール8は、アドレスバス,データ
バス,コントロールバスおよび半導体メモリモジュール
8がマイクロプロセッサ1に接続されているときに“L"
レベルの接続検出信号▲▼を出力する接続検出信号
ライン9を介してマイクロプロセッサ1に接続されるよ
うに構成されている。接続検出信号ライン9はプルアッ
プ抵抗R1を介して直流電源Vccに接続されている。
The semiconductor memory module 8 is set to “L” when the address bus, the data bus, the control bus, and the semiconductor memory module 8 are connected to the microprocessor 1.
It is configured to be connected to the microprocessor 1 via a connection detection signal line 9 for outputting a level connection detection signal ▲ ▼. The connection detection signal line 9 is connected to a DC power supply Vcc via a pull-up resistor R1.

10はマイクロプロセッサ1にROM2の基本プログラムを
実行させる状態と半導体メモリモジュール8の専用プロ
グラムを実行させる状態とを切り換えるプログラム選択
キーで、これは、システム内部の基本プログラムを選択
する内部選択キー10aと、システム外部の専用プログラ
ムを選択する外部選択キー10bとからなる。これらのキ
ー10a,10bの一端はプルアップ抵抗R2,R3を介して直流電
源Vccに接続され、他端は接地されている。プログラム
選択キー10が発明の構成にいうプログラム選択手段に相
当する。
Reference numeral 10 denotes a program selection key for switching between a state in which the microprocessor 1 executes the basic program of the ROM 2 and a state in which the dedicated program of the semiconductor memory module 8 is executed, and an internal selection key 10a for selecting a basic program in the system. And an external selection key 10b for selecting a dedicated program outside the system. One ends of these keys 10a, 10b are connected to a DC power supply Vcc via pull-up resistors R2, R3, and the other ends are grounded. The program selection key 10 corresponds to a program selection means according to the present invention.

PL1は内部選択キー10aがONされたときに点灯する内部
選択表示ランプ、PL2は外部選択キー10bがONされたとき
に点灯する外部選択表示ランプである。各表示ランプPL
1,PL2には発光ダイオードを使用している。
PL1 is an internal selection display lamp that lights up when the internal selection key 10a is turned on, and PL2 is an external selection display lamp that lights up when the external selection key 10b is turned on. Each indicator lamp PL
1, Light emitting diode is used for PL2.

第2図は半導体メモリモジュール8の具体的構成を示
し、Vccは+5V電源、GNDは0V電源、A0〜Anはアドレスバ
ス、D0〜Dnはデータバス、▲▼はチップイネーブル
端子、▲▼は半導体メモリモジュール8がROMの場
合のアウトプットイネーブル端子(リード端子)であ
る。半導体メモリモジュール8がRAMの場合にはアウト
プットイネーブル端子▲▼がリード/ライト端子R/
となる。
Figure 2 shows a specific configuration of a semiconductor memory module 8, Vcc is + 5V power supply, GND is 0V power supply, A 0 to A n address bus, D 0 to D n is the data bus, ▲ ▼ chip enable terminal, ▲ ▼ indicates an output enable terminal (lead terminal) when the semiconductor memory module 8 is a ROM. When the semiconductor memory module 8 is a RAM, the output enable terminal ▲ ▼ is the read / write terminal R /
Becomes

なお、第3図に示すように、内部選択表示ランプPL1
は内部選択キー10aに付設され、外部選択表示ランプPL2
は外部選択キー10bに付設されている。
In addition, as shown in FIG.
Is attached to the internal selection key 10a, and the external selection indicator lamp PL2
Is attached to the external selection key 10b.

次に、この実施例の動作を第4図のフローチャートに
基づいて説明する。
Next, the operation of this embodiment will be described with reference to the flowchart of FIG.

システムの電源投入に伴ってステップS1からの動作を
開始する。
The operation from step S1 is started when the power of the system is turned on.

ステップS1ですべての状態をイニシャライズし、ステ
ップS2で接続検出信号▲▼が“L"レベルかどうかを
判断する。
In step S1, all states are initialized, and in step S2, it is determined whether or not the connection detection signal ▼ is at the “L” level.

マイクロプロセッサ1に半導体メモリモジュール8が
接続されていないときには▲▼端子はプルアップ抵
抗R1を介して直流電源Vccに接続されるため、“H"レベ
ルとなる。半導体メモリモジュール8が接続されている
ときには▲▼端子はGND端子に接続されるため“L"
レベルとなる。
When the semiconductor memory module 8 is not connected to the microprocessor 1, the terminal ▼ is connected to the DC power supply Vcc via the pull-up resistor R1, so that it becomes “H” level. When the semiconductor memory module 8 is connected, the ▲ terminal is connected to the GND terminal and thus “L”.
Level.

ステップS2の判断がNOのときはステップS3に進んで▲
▼端子を“L"レベルにすることにより内部選択表示
ランプPL1を点灯し、ステップS4でフラグFに“IN"(=
“0")をセットした後、ステップS5でシステム内メモリ
であるROM2に格納されている基本プログラムを実行す
る。
If the determination in step S2 is NO, proceed to step S3 and
▼ By setting the terminal to “L” level, the internal selection display lamp PL1 is turned on, and the flag F is set to “IN” (=
After “0” is set, the basic program stored in the ROM 2 which is a memory in the system is executed in step S5.

すなわち、基本プログラムによる試験条件およびデー
タ処理方法に従って、試験機本体の各部に対応したレジ
スタをセットするとともに、試験機本体の各部を制御す
ることにより材料試験を行う。これによって得られた試
験データはRAM3に記憶される。
That is, according to the test conditions and the data processing method according to the basic program, a register corresponding to each part of the tester main body is set, and a material test is performed by controlling each part of the tester main body. The test data thus obtained is stored in the RAM 3.

ステップS2からステップS5への移行は、電源投入時に
半導体メモリモジュール8が接続されていないときに
は、前回の運転終了直前に使用していた基本プログラム
を継続使用するということである。
The transition from step S2 to step S5 means that when the semiconductor memory module 8 is not connected when the power is turned on, the basic program used immediately before the end of the previous operation is continuously used.

ステップS2の判断がYESのときはステップS6に進んで
▲▼端子を“L"レベルにすることにより外部選択表
示ランプPL2を点灯し、ステップS7でフラグFに“EXT"
(=“1")をセットした後、ステップS8で半導体メモリ
モジュール8から専用プログラム(試験条件およびデー
タ処理方法)を読み込み、それをRAM3にローディング
し、ステップS9でRAM3に格納された専用プログラムによ
る試験条件およびデータ処理方法に従って、試験機本体
の各部に対応したレジスタをセットするとともに、試験
機本体の各部を制御することにより材料試験を行う。こ
の場合も、得られた試験データはRAM3に記憶される。
If the determination in step S2 is YES, the process proceeds to step S6, in which the external selection indicator lamp PL2 is turned on by setting the ▲ ▼ terminal to “L” level, and the flag F is set to “EXT” in step S7.
After setting (= “1”), the dedicated program (test condition and data processing method) is read from the semiconductor memory module 8 in step S8, loaded into the RAM3, and the dedicated program stored in the RAM3 is loaded in step S9. According to the test conditions and the data processing method, a register corresponding to each part of the tester main body is set, and a material test is performed by controlling each part of the tester main body. Also in this case, the obtained test data is stored in the RAM 3.

なお、半導体メモリモジュール8からRAM3へのローデ
ィングが完了した後は、半導体メモリモジュール8をマ
イクロプロセッサ1から分離してもよいし、接続したま
まにしておいてもよい。
After the loading from the semiconductor memory module 8 to the RAM 3 is completed, the semiconductor memory module 8 may be separated from the microprocessor 1 or may be kept connected.

ステップS10で試験機本体の動作が停止中であるかど
うかを判断し、動作継続中であればステップS10にリタ
ーンし試験動作の停止を持つ。
In step S10, it is determined whether or not the operation of the tester main body is stopped. If the operation is continued, the process returns to step S10 to stop the test operation.

試験機本体の動作が停止中となったときはステップS1
1に進んで内部選択キー10aONされているかどうかを▲
▼端子が“L"レベルかどうかで判断する。
Step S1 when the operation of the testing machine is stopped
Go to 1 and check whether the internal selection key 10a is ON
▼ Judge by whether the terminal is "L" level.

ONされているときはステップS12に進んでフラグFに
“EXT"がセットされているかどうかを判断する。NOのと
きはすなわちROM2の基本プログラムの実行を継続すると
いうことであり、ステップS5にリターンする。
If it is ON, the process proceeds to step S12 to determine whether "EXT" is set in the flag F. If NO, that is, the execution of the basic program in the ROM 2 is continued, and the process returns to step S5.

フラグFが“EXT"にセットされ、かつ、内部選択キー
10aがONされているということは、ステップS8でRAM3に
ローディングされた専用プログラムを使用する状態から
ROM2の基本プログラムを使用する状態に切り換えるとい
うことである。
Flag F is set to "EXT" and the internal selection key
The fact that 10a is ON means that the dedicated program loaded in RAM3 in step S8 is used.
This means switching to a state in which the basic program of ROM2 is used.

すなわち、ステップS13に進んで▲▼端子を“H"
レベルにすることにより外部選択表示ランプPL2を消灯
し、ステップS14で内部選択表示ランプPL1を点灯し、ス
テップS15でフラグFを“IN"に切り換えた後、ステップ
S16でROM2の基本プログラムを実行した後、ステップS10
にリターンする。
That is, the process proceeds to step S13, where the ▲ ▼ terminals are set to “H”.
Level, the external selection display lamp PL2 is turned off, the internal selection display lamp PL1 is turned on in step S14, and the flag F is switched to "IN" in step S15.
After executing the basic program of ROM2 in S16, step S10
Return to

ステップS11の判断において内部選択キー10aがOFFで
あるときはステップS17に進み、外部選択キー10bがONさ
れているかどうかを判断する。OFFのときはステップS10
にリターンするが、ONのときにはステップS18に進み、
フラグFに“IN"がセットされているかどうかを判断す
る。NOのときはすなわちRAM3にローディングされた専用
プログラムの実行を継続するということであり、ステッ
プS9にリターンする。
If it is determined in step S11 that the internal selection key 10a is OFF, the process proceeds to step S17 to determine whether the external selection key 10b is ON. Step S10 when OFF
Returns to step S.
It is determined whether "IN" is set in the flag F. If NO, that is, the execution of the dedicated program loaded in the RAM 3 is continued, and the process returns to step S9.

フラグFが“IN"にセットされ、かつ、外部選択キー1
0bがONされているということは、ROM2の基本プログラム
を使用する状態から半導体メモリモジュール8に格納さ
れている専用プログラムを使用する状態に切り換えると
いうことである。
The flag F is set to “IN” and the external selection key 1
When 0b is ON, it means that the state in which the basic program of the ROM 2 is used is switched to the state in which the dedicated program stored in the semiconductor memory module 8 is used.

この場合、ステップS19に進んで接続検出信号▲
▼が“L"レベルであるかどうかを判断する。半導体メモ
リモジュール8が接続されていないときには基本プログ
ラムから専用プログラムへの切り換えはできないのでス
テップS10にリターンして半導体メモリモジュール8が
接続されるまでステップS10→S11→S17→S18→S19→S10
を繰り返す。
In this case, the process proceeds to step S19, where the connection detection signal ▲
It is determined whether or not ▼ is at the “L” level. When the semiconductor memory module 8 is not connected, it is not possible to switch from the basic program to the dedicated program, so the process returns to step S10, and steps S10 → S11 → S17 → S18 → S19 → S10 until the semiconductor memory module 8 is connected.
repeat.

交換によって既に新たな半導体メモリモジュール8が
接続されているとき、あるいは、新たに接続されたとき
にはステップS20に進み、▲▼端子を“H"レベルに
することにより内部選択表示ランプPL1を消灯し、ステ
ップS21で外部選択表示ランプPL2を点灯する。
If a new semiconductor memory module 8 has already been connected by replacement or has been newly connected, the process proceeds to step S20, and the internal selection display lamp PL1 is turned off by setting the ▲ ▼ terminal to the “H” level, In step S21, the external selection display lamp PL2 is turned on.

次いで、ステップS22に進み、フラグFを“EXT"に切
り換え、ステップS23で半導体メモリモジュール8から
専用プログラムを読み込み、それをRAM3にローディング
し、ステップS24でRAM3に格納された専用プログラムに
よる試験を実行した後、ステップS10にリターンする。
Next, the process proceeds to step S22, in which the flag F is switched to "EXT", a dedicated program is read from the semiconductor memory module 8 in step S23, loaded into the RAM 3, and a test is executed by the dedicated program stored in the RAM 3 in step S24. After that, the process returns to step S10.

半導体メモリモジュール8からRAM3へのローディング
が完了した後は、半導体メモリモジュール8をマイクロ
プロセッサ1から分離してもよいし、接続したままにし
ておいてもよい。
After the loading from the semiconductor memory module 8 to the RAM 3 is completed, the semiconductor memory module 8 may be separated from the microprocessor 1 or may be kept connected.

以上の一連の動作において、使用プログラムを基本プ
ログラムから専用プログラムに切り換えるには、 (a) 試験機本体の動作が停止中であること、 (b) 外部選択キー10がONされていること、 (c) 半導体メモリモジュール8がマイクロプロセッ
サ1に接続されていて▲▼端子が“L"レベルである
こと、 の3つの条件がそろった場合である。
In the above series of operations, to switch the program to be used from the basic program to the dedicated program, (a) the operation of the tester body is stopped, (b) the external selection key 10 is turned on, c) The case where the semiconductor memory module 8 is connected to the microprocessor 1 and the terminal ▲ is at “L” level, and the following three conditions are satisfied.

一方、使用プログラムを専用プログラムから基本プロ
グラムに切り換えるには、 (a) 試験機本体の動作が停止中であること、 (b) 内部選択キー10aがONされていること、 の2つの条件がそろった場合であり、▲▼端子が
“L"レベルであることは必ずしも条件とはならない。
On the other hand, in order to switch the program to be used from the dedicated program to the basic program, the following two conditions must be met: (a) the operation of the tester body is stopped, and (b) the internal selection key 10a is turned on. It is not always necessary that the ▲ ▼ terminals are at “L” level.

なお、第4図のフローチャートはあくまでも基本とな
る概略のフローを示したもので、実際には、半導体メモ
リモジュール8から読み込んだ専用プログラムのうちの
試験条件の内容をチェックし、もしその試験条件に異常
があるときにはその試験条件に代えてROM2に格納されて
いる基本プログラムのデフォルト値(標準的な値)をセ
ットするというエラー処理を行うものである。
The flowchart in FIG. 4 shows only a basic schematic flow, and in actuality, the contents of the test conditions of the dedicated program read from the semiconductor memory module 8 are checked, and if the test conditions are satisfied, When there is an error, an error process of setting a default value (standard value) of the basic program stored in the ROM 2 instead of the test condition is performed.

第4図のフローチャートでは、専用プログラムの選択
に際して、一旦、半導体メモリモジュール8の専用プロ
グラムをシステム内メモリであるRAM3に書き込んで、そ
のRAM3内の専用プログラムをアクセスする方式をとった
が、これに限る必要はなく、専用プログラムをRAM3に書
き込むことなく、半導体メモリモジュール8をダイレク
トにアクセスするように構成してもよい。
In the flowchart of FIG. 4, when the dedicated program is selected, the dedicated program of the semiconductor memory module 8 is temporarily written into the RAM 3 which is a memory in the system, and the dedicated program in the RAM 3 is accessed. There is no need to limit the configuration, and the semiconductor memory module 8 may be configured to be directly accessed without writing the dedicated program to the RAM 3.

また、上記実施例では、マイクロプロセッサ1に接続
する半導体メモリモジュール8が1つであったが、これ
に代えて複数の半導体メモリモジュール6を同時的にマ
イクロプロセッサ1に接続するように構成し、そのうち
のいずれか一つを選択するようにしてもよい。この場
合、各半導体メモリモジュール8に対応して、内部選択
キー10a,外部選択キー10b,内部選択表示ランプPL1,外部
選択表示ランプPL2を個別的に設けるものとする。
In the above embodiment, the number of the semiconductor memory modules 8 connected to the microprocessor 1 is one. Instead, a plurality of semiconductor memory modules 6 are connected to the microprocessor 1 at the same time. Any one of them may be selected. In this case, an internal selection key 10a, an external selection key 10b, an internal selection display lamp PL1, and an external selection display lamp PL2 are individually provided for each semiconductor memory module 8.

さらに、上記実施例では、基本プログラムと専用プロ
グラムとの切り換えのためのプログラム選択手段とし
て、内部選択キー10aと外部選択キー10bとを設けたが、
これらのキー10a,10bは必ずしも必要ではなく、▲
▼端子が“L"レベルのときには必ず専用プログラムを選
択し、▲▼端子が“H"レベルのときには必ず基本プ
ログラムを選択するように構成してもよい。
Furthermore, in the above embodiment, the internal selection key 10a and the external selection key 10b are provided as program selection means for switching between the basic program and the dedicated program.
These keys 10a and 10b are not always necessary,
The configuration may be such that the dedicated program is always selected when the ▼ terminal is at “L” level, and the basic program is always selected when the ▲ ▼ terminal is at “H” level.

G.発明の効果 この発明によれば、次の効果が発揮される。G. Effects of the Invention According to the present invention, the following effects are exhibited.

種々の試験条件およびデータ処理方法に対応した専用
プログラムをもつ複数の半導体メモリモジュールのうち
から必要な半導体メモリモジュールを選択してマイクロ
プロセッサに接続し、プログラム選択手段によって専用
プログラムを選択するだけで、必要とする専用プログラ
ムに基づいて試験機各部を制御することができる。すな
わち、半導体メモリモジュールの選択,接続というごく
簡単な操作で専用プログラム(試験条件およびデータ処
理方法)を種々に切り換えることができる。したがっ
て、特定の試験条件を設定した半導体メモリを用意して
おくと、必要な試験条件が記憶された半導体メモリモジ
ュールを装着するだけで、面倒な試験条件の設定が一切
不要になるとともに、引張圧縮試験などの基本的な種類
を試験の設定をシステム内メモリに記憶させておき、疲
労試験等種々の特殊な専用プログラムをそれぞれ半導体
メモリモジュールに記憶させておくことで、これらプロ
グラムが簡単に切り換えられ、必要な専用プログラムが
記憶された半導体メモリモジュールを選択し接続するだ
けで、基本試験と特殊な試験の任意の組合せの材料試験
が、一台の材料試験機で実行できるという材料試験機特
有の効果を奏する。
By simply selecting a required semiconductor memory module from a plurality of semiconductor memory modules having dedicated programs corresponding to various test conditions and data processing methods, connecting the selected semiconductor memory module to the microprocessor, and selecting the dedicated program by the program selecting means, Each part of the testing machine can be controlled based on the required dedicated program. That is, the dedicated program (test condition and data processing method) can be switched in various ways by a very simple operation of selecting and connecting the semiconductor memory module. Therefore, if a semiconductor memory in which specific test conditions are set is prepared, simply installing a semiconductor memory module in which necessary test conditions are stored eliminates the need for complicated test condition settings, and also complicates tension and compression. By storing test settings in the system memory for basic types such as tests and storing various special programs such as fatigue tests in the semiconductor memory module, these programs can be switched easily. By simply selecting and connecting a semiconductor memory module that stores the necessary dedicated programs, the material test of any combination of the basic test and the special test can be executed by a single material test machine. It works.

そして、半導体メモリモジュールの数は任意であるか
ら、専用プログラムの種類数についての制約はなく、従
来のシステム内RAM方式に比べて有利である。
Since the number of semiconductor memory modules is arbitrary, there is no restriction on the number of types of dedicated programs, which is advantageous as compared with the conventional in-system RAM system.

また、たとえマイクロプロセッサが暴走を起こしシス
テム内メモリ上の基本プログラムが破壊されたとして
も、専用プログラム(試験条件およびデータ処理方法)
自体は半導体メモリモジュールに保存されているから、
従来のようにすべてのプログラム(基本プログラムおよ
び各種の専用プログラム)が破壊されるということから
免れ、信頼性を向上することができる。半導体メモリモ
ジュールのアクセスは、従来のフロッピーディスクから
のローディングの場合に比べてはるかに高速であり、ま
た、従来の頻繁なキー操作による試験プログラムの選択
作業に比べても作業性を改善することができる。コスト
面では、フロッピーディスクドライバを必要としない点
で、また、ディスプレイや割り込みのプログラムのボリ
ュームが小さくてすみシステムプログラムの負担が軽く
なる上に、プログラムの実行時間が短くなる点で有利で
ある。
Even if the microprocessor goes out of control and the basic program on the memory in the system is destroyed, the dedicated program (test conditions and data processing method)
Since it is stored in the semiconductor memory module itself,
As a result, all programs (basic programs and various dedicated programs) are prevented from being destroyed as in the related art, and the reliability can be improved. Access to the semiconductor memory module is much faster than when loading from a conventional floppy disk, and it is possible to improve workability compared to the conventional frequent key operation of selecting test programs. it can. In terms of cost, it is advantageous in that a floppy disk driver is not required, the volume of a display or interrupt program is small, the load on the system program is light, and the execution time of the program is short.

さらに、半導体メモリモジュールはパッケージ化され
ているため、その取り扱いがフロッピーディスクに比べ
て簡便である。以上のように、この発明によれば、専用
プログラム(試験条件およびデータ処理方法)を種々に
切り換えるに当たり、コスト面,操作面で有利で、高速
アクセスが可能であり、高い信頼性を得ることができる
という効果を奏する。
Further, since the semiconductor memory module is packaged, its handling is simpler than that of a floppy disk. As described above, according to the present invention, in switching the dedicated program (test conditions and data processing method) in various ways, it is advantageous in terms of cost and operation, high-speed access is possible, and high reliability can be obtained. It has the effect of being able to.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図ないし第4図はこの発明の実施例に係り、第1図
は要部のブロック図、第2図は半導体メモリモジュール
の構成図、第3図は内部選択キー10と外部選択キーを示
す図、第4図は動作説明に供するフローチャートであ
る。 1……マイクロプロセッサ 2……ROM(システム内メモリ) 8……半導体メモリモジュール 10……プログラム選択キー(プログラム選択手段) 10a……内部選択キー 10b……外部選択キー
1 to 4 relate to an embodiment of the present invention, FIG. 1 is a block diagram of a main part, FIG. 2 is a configuration diagram of a semiconductor memory module, and FIG. 3 is a diagram showing an internal selection key 10 and an external selection key. FIG. 4 and FIG. 4 are flowcharts for explaining the operation. 1 Microprocessor 2 ROM (memory in the system) 8 Semiconductor memory module 10 Program selection key (program selection means) 10a Internal selection key 10b External selection key

フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭60−114742(JP,A) 特開 昭62−25301(JP,A) 特開 昭58−127212(JP,A)Continuation of the front page (56) References JP-A-60-114742 (JP, A) JP-A-62-25301 (JP, A) JP-A-58-127212 (JP, A)

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】読み込んだプログラムに従って試験機各部
を制御するマイクロプロセッサと、試験条件およびデー
タ処理方法についての基本プログラムを有しマイクロプ
ロセッサに接続されたシステム内メモリと、試験条件お
よびデータ処理方法についての専用プログラムを有しマ
イクロプロセッサに対して接続分離自在かつ交換可能な
半導体メモリモジュールと、マイクロプロセッサにシス
テム内メモリの基本プログラムを選択する内部選択キー
と半導体メモリモジュールの専用プログラムを選択する
外部選択キーとからなり、これら選択キーのON/OFFによ
って基本プログラムを実行させる状態と専用プログラム
を実行させる状態とを切り換えるプログラム選択手段と
を備えた材料試験機。
1. A microprocessor for controlling each part of a tester in accordance with a read program, a memory in a system having a basic program for a test condition and a data processing method and connected to the microprocessor, and a test condition and a data processing method. A semiconductor memory module which has a dedicated program and is detachably connectable to and replaceable with the microprocessor, an internal selection key for selecting a basic program of the memory in the system for the microprocessor, and an external selection for selecting a dedicated program for the semiconductor memory module A material testing machine comprising keys and a program selecting means for switching between a state in which a basic program is executed and a state in which a dedicated program is executed by turning on / off these select keys.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS60114742A (en) * 1983-11-28 1985-06-21 Akira Nishihara Hardness tester
JPS6225301A (en) * 1985-07-25 1987-02-03 Matsushita Electric Works Ltd Sequence controller

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