JP2571720Y2 - 半導体モールド装置 - Google Patents

半導体モールド装置

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JP2571720Y2
JP2571720Y2 JP1993056069U JP5606993U JP2571720Y2 JP 2571720 Y2 JP2571720 Y2 JP 2571720Y2 JP 1993056069 U JP1993056069 U JP 1993056069U JP 5606993 U JP5606993 U JP 5606993U JP 2571720 Y2 JP2571720 Y2 JP 2571720Y2
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lead frame
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semiconductor
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今井  修
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Sumitomo Precision Products Co Ltd
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Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本考案は、樹脂封止電子部品の製
造に使用される半導体モールド装置に関する。
【0002】
【従来の技術】樹脂封止電子部品は、半導体素子が装着
されたリードフレームを下金型上に載せ、上下の金型を
閉じた後、前記半導体素子を樹脂モールドすることによ
り製造される。樹脂封止電子部品の製造に使用される従
来の半導体モールド装置を図1に示す。
【0003】従来の半導体モールド装置においては、下
金型1上にリードフレーム3,3を載せた後、上下の金
型1,2を閉じるいわゆる型締めを行う。型締め後、金
型1,2間に樹脂を注入して、半導体素子の樹脂モール
ドを行う。
【0004】型締めにおいては、第1段階として低推力
の金型加圧を行い、この状態で金型1,2の間隔Gをギ
ャップセンサ4,4により測定し、その間隔Gが正常で
あれば、第2段階の高推力加圧を開始する。低推力加圧
の後に金型1,2の間隔Gをチェックするのは、下金型
1上に供給されたリードフレーム3の2枚重ねなどのセ
ッティング異常を検出し、不良品の発生を未然に防止す
るためである。
【0005】
【考案が解決しようとする課題】このような型締めを行
う従来の半導体モールド装置においては、ワークのセッ
ティング異常があっても、低推力加圧を行うまで分から
ない。低推力加圧でセッティング異常を発見しても、既
に金型やワークがダメージを受けている場合がある。
【0006】また、ワークの曲がりや金型からの浮き上
がりといったセッティング異常は、低推力加圧により解
消されてしまう。そのため、セッティング異常を検出す
ることなく行程が進み、その結果として不良品の発生を
招くおそれがある。
【0007】本考案の目的は、下金型上に供給されたワ
ークのセッティング異常を的確に検知して、金型の損傷
や不良品の発生を確実に防止し得る半導体モールド装置
を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】本考案の半導体モールド
装置は、半導体素子が装着されたリードフレームを下金
型上に載せ、上下の金型を閉じて、前記半導体素子を樹
脂によりモールドする半導体モールド装置において、前
記リードフレームが着座する下金型の近傍に、該下金型
の上面に沿って下金型の一方の側から他方の側へ帯状の
レーザ光を通過させると共に、その通過光量をアナログ
出力する帯状光軸・アナログ出力型のレーザ光式ワーク
センサを設け、且つ、該ワークセンサの出力ラインにロ
ーパスフィルタ又は積分器を設け、上下の金型を閉じる
前に該ワークセンサにより下金型上のリードフレームの
セッティング異常を検出するようにしたことを特徴とす
る。
【0009】
【作用】金型を閉じる前に、下金型上のリードフレーム
の状態が、レーザ光式のワークセンサによりチェックさ
れるので、リードフレームにセッティング異常があるま
まで、金型を閉じてしまうという事態が回避される
こで、レーザ光式のワークセンサは、下金型の上面に沿
って帯状のレーザ光を通過させると共に、その通過光量
をアナログ出力する帯状光軸・アナログ出力型である。
しかも、その出力ラインにはローパスフィルタ又は積分
器が設けられている。これらのため、リードフレームの
2枚重ねだけでなく曲がりや金型からの浮き上がりも
実に検出できる。即ち、レーザ光式のワークセンサが線
状のレーザ光を用いるピン光軸型の場合、或いはH,L
の2値出力を行うデジタル出力型の場合は、例えばリー
ドフレームの2枚重ねが検出されるようにセッティング
を行うと、リードフレームの曲がりや金型からの浮き上
がりは、そのリードフレームの曲がり量や金型からの浮
き上がり量によっては検出されないことがあるが、レー
ザ光式のワークセンサが帯状光軸・アナログ出力型であ
る場合は、リードフレームの2枚重ねだけでなく曲がり
や金型からの浮き上がりについても、曲がり量や浮き上
がり量に関係なくリードフレームが光軸と交差し、その
交差がアナログ出力変化となって現れる上に、ワークセ
ンサの出力ラインにローパスフィルタ又は積分器が設け
られていることにより、金型の温度による空気層の乱れ
によるアナログ出力変化が除去される。従って、これら
の異常が確実に検出される。
【0010】
【実施例】以下に本考案の実施例を図面に基づいて説明
する。図2は本考案を実施した半導体モールド装置の一
例についてその主要部の構成を示す正面図、図3は図2
のA−A線矢視図である。
【0011】本半導体モールド装置は、上下一対の金型
1,2を備えている。固定金型である下金型1の上に
は、ワークである樹脂モールド前の2枚のリードフレー
ム3,3が左右に並列されて載置され、複数の位置決め
ピン8により固定される。可動金型である上金型2は、
下金型1の上で昇降を行う。
【0012】下金型1は、前後方向に間隔をあけて配置
した2組のワークセンサ5,5を装備している。ワーク
センサ5は、下金型1を挟んで両側に対向配置されたレ
ーザ発光器5aおよびレーザ受光器5bの組合せからな
る。レーザ発光器5aおよびレーザ受光器5bは、レー
ザ発光器5aがレーザ受光器5bに向けて帯状のレーザ
光を照射し、レーザ受光器5bがその受光光量をアナロ
グ出力する帯状光軸・アナログ出力型であり、下金型1
上に正しくセットされたリードフレーム3,3の僅か上
方を、光軸が水平方向に横切るようにセットされる。こ
のセッティングのため、レーザ発光器5aおよびレーザ
受光器5bの高さおよび傾きが、上下調整機構6a,6
bおよび傾き調整機構7a,7bにより調節される。
た、レーザ受光器5bの出力ラインにはローパスフィル
タ又は積分器が設けられている。そして、上下の金型
1,2が型締めされる前に、ワークセンサ5,5による
ワークチェックが行われる。
【0013】下金型1上にリードフレーム3が正しくセ
ットされている場合は、レーザ発光器5aから出たレー
ザ光がリードフレーム3,3の上を通過してレーザ受光
器5bに受光される。下金型1上にリードフレーム3が
2枚重なってセットされた場合は、上側のリードフレー
ム3によって、レーザ光の一部が遮られ、その分、レー
ザ受光器5bのアナログ出力が低下する。下金型1上に
セットされたリードフレーム3が曲がっている場合や浮
き上がっている場合も、その曲がり量や浮き上がり量に
関係なくリードフレーム3によってレーザ光の一部が遮
られ、その分、レーザ受光器5bのアナログ出力が低下
る。そして、いずれの場合も、レーザ受光器5bの出
力ラインに設けられたローパスフィルタ又は積分器によ
り、金型1,2の温度による空気層の乱れによるアナロ
グ出力変化が除去される。
【0014】かくして、本半導体モールド装置において
は、リードフレームの2枚重ねだけでなく、その曲がり
や金型からの浮き上がりといった低推力加圧では検出不
能なワークのセッティング異常も確実に検出される。し
かも、その検出が金型を閉じる前に行われるので、セッ
ティング異常を放置したまま工程が進むおそれがない。
従って、金型やワークのダメージが防止される。更に、
ワークセンサにおける光軸調整も容易である。
【0015】なお、上記実施例では2組のワークセンサ
を使用し、異常検出点を2点としているが、状況に応じ
て検出点を増減させることができる。
【0016】
【0017】
【0018】
【考案の効果】以上の説明から明らかなように、本考案
の半導体モールド装置は、下金型上に供給されたリード
フレームのセッティング異常を、金型が閉じる前に光学
式のワークセンサにより検出するので、リードフレーム
にセッティング異常があってもリードフレームや金型を
損傷させるおそれがない。また、そのワークセンサとし
て帯状光軸・アナログ出力型のレーザ光式を用い、且つ
その出力ラインにローパスフィルタ又は積分器を設けた
ので、従来は検出不能であったリードフレームの曲がり
や金型からの浮き上がりといったセッティング異常も
実に検出でき、リードフレームのセッティング異常によ
る不良品の発生を確実に防止することができる。更に、
ワークセンサにおける光軸のズレが検出精度に影響しな
いために、光軸の調整作業も容易である。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来の半導体モールド装置の概略構成を示す正
面図である。
【図2】本考案を実施した半導体モールド装置の一例に
ついてその主要部の構成を示す正面図である。
【図3】図2のA−A線矢視図である。
【符号の説明】
1 下金型 2 上金型 3 リードフレーム 5 ワークセンサ

Claims (1)

    (57)【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体素子が装着されたリードフレーム
    を下金型上に載せ、上下の金型を閉じて、前記半導体素
    子を樹脂によりモールドする半導体モールド装置におい
    て、 前記リードフレームが着座する下金型の近傍に、該下金
    型の上面に沿って下金型の一方の側から他方の側へ帯状
    のレーザ光を通過させると共に、その通過光量をアナロ
    グ出力する帯状光軸・アナログ出力型のレーザ光式ワー
    クセンサを設け、且つ、該ワークセンサの出力ラインに
    ローパスフィルタ又は積分器を設け、上下の金型を閉じ
    る前に該ワークセンサにより下金型上のリードフレーム
    のセッティング異常を検出するようにしたことを特徴と
    する半導体モールド装置。
JP1993056069U 1993-09-22 1993-09-22 半導体モールド装置 Expired - Fee Related JP2571720Y2 (ja)

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JPS63178322U (ja) * 1987-05-11 1988-11-18
JP2673444B2 (ja) * 1988-10-18 1997-11-05 トーワ株式会社 リードフレームのセット異常検出方法と樹脂封止成形用金型
JPH04373139A (ja) * 1991-06-24 1992-12-25 Toshiba Corp リードフレームのセット不良検出装置

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