JP2571701B2 - 螢光表示管 - Google Patents
螢光表示管Info
- Publication number
- JP2571701B2 JP2571701B2 JP62307704A JP30770487A JP2571701B2 JP 2571701 B2 JP2571701 B2 JP 2571701B2 JP 62307704 A JP62307704 A JP 62307704A JP 30770487 A JP30770487 A JP 30770487A JP 2571701 B2 JP2571701 B2 JP 2571701B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- low
- glass
- insulating layer
- fluorescent display
- cathode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は絶縁層を有する陽極基板上に低融点ガラスで
フエイスガラスを接着する構造の螢光表示管に関し、特
にカソードの電子放射能力を改善して螢光表示管に関す
るものである。
フエイスガラスを接着する構造の螢光表示管に関し、特
にカソードの電子放射能力を改善して螢光表示管に関す
るものである。
従来の螢光表示管において、陽極基板とフエイスガラ
スの封着部は第３図あるいは第４図に示すような構造と
なつている。
スの封着部は第３図あるいは第４図に示すような構造と
なつている。
第３図の構造では、陽極基板１上に形成される絶縁層
２を外囲器としてのフエイスガラス４の封着部分５の下
まで延在させ、この陽極基板１とフエイスガラス４が封
着用の低融点ガラス７により接着されて真空容器が構成
されている。この構造によりフエイスガラス４の内面に
被覆されたネサ膜６と陽極基板１上の配線被膜３との間
に絶縁層２による間隙を設け、両者間の電気的リークの
発生を防止している。
２を外囲器としてのフエイスガラス４の封着部分５の下
まで延在させ、この陽極基板１とフエイスガラス４が封
着用の低融点ガラス７により接着されて真空容器が構成
されている。この構造によりフエイスガラス４の内面に
被覆されたネサ膜６と陽極基板１上の配線被膜３との間
に絶縁層２による間隙を設け、両者間の電気的リークの
発生を防止している。
また、第４図の構造では、陽極基板１上の絶縁層２は
フエイスガラス４の封着部分５の下までは延在されてお
らず、ネサ膜６と配線被膜３の間の電気的リークを防止
するために、封着部分５にはネサ膜６は被覆されていな
い構造となつている。
フエイスガラス４の封着部分５の下までは延在されてお
らず、ネサ膜６と配線被膜３の間の電気的リークを防止
するために、封着部分５にはネサ膜６は被覆されていな
い構造となつている。
なお、第３図，第４図中、８は陽極基板１上の配線被
覆３の各パターンと絶縁層２を介して導通接続された陽
極、９はその陽極８上に形成された螢光体層、10はグリ
ツド、11はカソードである。また、陽極基板１は通常ソ
ーダガラスであり、絶縁層２は低融点ガラスを主成分と
して顔料やフイラーが添加されている。
覆３の各パターンと絶縁層２を介して導通接続された陽
極、９はその陽極８上に形成された螢光体層、10はグリ
ツド、11はカソードである。また、陽極基板１は通常ソ
ーダガラスであり、絶縁層２は低融点ガラスを主成分と
して顔料やフイラーが添加されている。
ところで、第３図や第４図のような構造の螢光表示管
の信頼性を種々調べる中で、本発明者は、かかる従来の
螢光表示管ではカソード11つまりタングステン細線に
（Ba,Sr,Ca）Ｏをコートしたフイラメント状酸化物陰極
の電子放射能力が低いことに気付き、その原因を調べる
ための実験を行つた結果、第３図および第４図中のＰ点
のように封着用の低融点ガラス７が絶縁層２に重なる
と、管球化工程（封止工程，排気工程）でカソード11が
非常に劣化することを見出した。第５図，第６図はその
実験結果を示したものであり、第５図は封着用の低融点
ガラスを絶縁層上に重ねて塗布した管球I,IIでのグリツ
ド電流対フイラメント電流特性図で、そして第６図は封
着用の低融点ガラスをガラス上に塗布した管球III,IVで
のグリツド電流対フイラメント電流特性図である。すな
わち、低融点ガラスを主成分とする絶縁層２としてＢ−
1P（ノリタケ・カンパニー・リミテツド）を印刷，焼成
後、封着用の低融点ガラス７としてLSO118（NEG）を重
ねて塗布した第５図の管球I,IIでは、ガラス上に塗布し
た第６図の管球III,IVに比べてカソード11の飽和エミツ
シヨン量で１桁近く小さくなつていることがわかる。
の信頼性を種々調べる中で、本発明者は、かかる従来の
螢光表示管ではカソード11つまりタングステン細線に
（Ba,Sr,Ca）Ｏをコートしたフイラメント状酸化物陰極
の電子放射能力が低いことに気付き、その原因を調べる
ための実験を行つた結果、第３図および第４図中のＰ点
のように封着用の低融点ガラス７が絶縁層２に重なる
と、管球化工程（封止工程，排気工程）でカソード11が
非常に劣化することを見出した。第５図，第６図はその
実験結果を示したものであり、第５図は封着用の低融点
ガラスを絶縁層上に重ねて塗布した管球I,IIでのグリツ
ド電流対フイラメント電流特性図で、そして第６図は封
着用の低融点ガラスをガラス上に塗布した管球III,IVで
のグリツド電流対フイラメント電流特性図である。すな
わち、低融点ガラスを主成分とする絶縁層２としてＢ−
1P（ノリタケ・カンパニー・リミテツド）を印刷，焼成
後、封着用の低融点ガラス７としてLSO118（NEG）を重
ねて塗布した第５図の管球I,IIでは、ガラス上に塗布し
た第６図の管球III,IVに比べてカソード11の飽和エミツ
シヨン量で１桁近く小さくなつていることがわかる。
本発明はこのような点に鑑みてなされたもので、その
目的は電子放射能力の優れたカソードを有する螢光表示
管を提供することにある。
目的は電子放射能力の優れたカソードを有する螢光表示
管を提供することにある。
本発明に係る螢光表示管は、封着用の低融点ガラスが
絶縁層とバリアー層を介して接触しない構造とすること
により、有害ガスの発生を防止してカソードの能力低下
を防止したものである。
絶縁層とバリアー層を介して接触しない構造とすること
により、有害ガスの発生を防止してカソードの能力低下
を防止したものである。
したがつて、本発明においては、バリアー層の介在に
よりカソードへの有害なガスの発生が抑えられ、低温動
作可能なカソードとなり、螢光表示管の低消費電力化，
長寿命化がはかれる。
よりカソードへの有害なガスの発生が抑えられ、低温動
作可能なカソードとなり、螢光表示管の低消費電力化，
長寿命化がはかれる。
以下、本発明を図面に示す実施例に基づいて説明す
る。
る。
第１図は本発明の前提例による螢光表示管の構造を示
す一部断面図である。この前提例の螢光表示管は、低融
点ガラスを主成分とする絶縁層２を介して配線被膜３と
陽極８が形成された陽極基板１と、この陽極基板１上に
封着用の低融点ガラス７で接着されたフエイスガラス４
とから真空容器を形成していれ点は、第３図ないし第４
図の従来例のものと同様であるが、陽極基板１との封着
部分５を除いてその他の内面にネサ膜６を被覆したフエ
イスガラス４を用い、前記絶縁層２の端面2aが封着用の
低融点ガラス７と接触しないように内側に形成されてい
る。なお、図中，同一符号は同一または相当部分を示し
ている。
す一部断面図である。この前提例の螢光表示管は、低融
点ガラスを主成分とする絶縁層２を介して配線被膜３と
陽極８が形成された陽極基板１と、この陽極基板１上に
封着用の低融点ガラス７で接着されたフエイスガラス４
とから真空容器を形成していれ点は、第３図ないし第４
図の従来例のものと同様であるが、陽極基板１との封着
部分５を除いてその他の内面にネサ膜６を被覆したフエ
イスガラス４を用い、前記絶縁層２の端面2aが封着用の
低融点ガラス７と接触しないように内側に形成されてい
る。なお、図中，同一符号は同一または相当部分を示し
ている。
このように、封着用の低融点ガラス７を陽極基板１上
の絶縁層２と接触しない構造とすることにより、従来と
同様の条件で管球化工程を行つたところ、前提例の管球
では、従来より約25℃低いカソード温度で動作可能であ
ることが認められた。
の絶縁層２と接触しない構造とすることにより、従来と
同様の条件で管球化工程を行つたところ、前提例の管球
では、従来より約25℃低いカソード温度で動作可能であ
ることが認められた。
第２図は本発明の一実施例を示す一部断面図である。
この実施例では、陽極基板１との封着部分５までネサ膜
６で被覆されたフエイスガラス４を用いるとともに、そ
の封着部分５の下まで絶縁層２が延在されている点は、
第３図の従来例と同様であるが、フエイスガラス４との
封着部の絶縁層2b上にマスクスパツタにより膜厚にして
300Å程度のSiO2からなるバリアー層12を被覆形成する
ことにより、前記絶縁層2bと封着用の低融点ガラス７と
の接触を防ぐように構成されている。
この実施例では、陽極基板１との封着部分５までネサ膜
６で被覆されたフエイスガラス４を用いるとともに、そ
の封着部分５の下まで絶縁層２が延在されている点は、
第３図の従来例と同様であるが、フエイスガラス４との
封着部の絶縁層2b上にマスクスパツタにより膜厚にして
300Å程度のSiO2からなるバリアー層12を被覆形成する
ことにより、前記絶縁層2bと封着用の低融点ガラス７と
の接触を防ぐように構成されている。
しかして、このように構成された管球によると、従来
より約20℃低いカソード温度で動作可能となつた。
より約20℃低いカソード温度で動作可能となつた。
ここで、本発明者らは、他の実験で単独のカーボン
（黒鉛）または単独の低融点ガラスを管内に塗布して
も、カソードに対して影響を及ぼさないが、両者を混合
して塗布すると、有害なガスが発生し、カソードが著し
く劣化することを見い出している。これは低融点ガラス
中のPbOやB2O3がカーボンと接触した状態で加熱される
ことにより還元され、この結果、生成されたPbやＢなど
が放出され、カソードに付着することにより劣化すると
推察される。
（黒鉛）または単独の低融点ガラスを管内に塗布して
も、カソードに対して影響を及ぼさないが、両者を混合
して塗布すると、有害なガスが発生し、カソードが著し
く劣化することを見い出している。これは低融点ガラス
中のPbOやB2O3がカーボンと接触した状態で加熱される
ことにより還元され、この結果、生成されたPbやＢなど
が放出され、カソードに付着することにより劣化すると
推察される。
こうしたことから、低融点ガラスの絶縁層上に封着用
の低融点ガラスが有機バインダー（エチルセルロース，
エルバサイトなど）と一緒に塗布され、焼成される際、
何らかの影響で両者の界面にカーボン残渣が残り易く、
結果的にカーボンと低融点ガラスが接触した状態となる
ため、有害なガスが発生するものと推察される。また、
封着用の低融点ガラス層は100〜300μｍと極めて厚く形
成されるため、これによってもカーボン残渣が残り易く
なる一因とも推察される。
の低融点ガラスが有機バインダー（エチルセルロース，
エルバサイトなど）と一緒に塗布され、焼成される際、
何らかの影響で両者の界面にカーボン残渣が残り易く、
結果的にカーボンと低融点ガラスが接触した状態となる
ため、有害なガスが発生するものと推察される。また、
封着用の低融点ガラス層は100〜300μｍと極めて厚く形
成されるため、これによってもカーボン残渣が残り易く
なる一因とも推察される。
したがって本実施例では、封着用の低融点ガラス７と
絶縁層2bとがバリアー層12を介して接触しない構成とす
ることにより、有害ガスの発生が抑えられカソードの能
力低下を防止することができる。
絶縁層2bとがバリアー層12を介して接触しない構成とす
ることにより、有害ガスの発生が抑えられカソードの能
力低下を防止することができる。
以上説明したように本発明の螢光表示管によれば、封
着用の低融点ガラスがバリアー層を介して絶縁層と接触
しないように塗布したことにより、低融点ガラスと絶縁
層との接触がなくなり、有害ガスの発生が抑えられるの
で、カソードの電子放射能力を従来より大幅に高めるこ
とができるとともに、より低い温度で動作可能となる。
その結果、カソードから蒸発し螢光体に堆積するバリウ
ム（Ba）量は少なくなり、螢光体の発光効率低下を軽減
でき、長寿命となる。また、消費電力も低減できる等、
実用上の効果は頗る大である。
着用の低融点ガラスがバリアー層を介して絶縁層と接触
しないように塗布したことにより、低融点ガラスと絶縁
層との接触がなくなり、有害ガスの発生が抑えられるの
で、カソードの電子放射能力を従来より大幅に高めるこ
とができるとともに、より低い温度で動作可能となる。
その結果、カソードから蒸発し螢光体に堆積するバリウ
ム（Ba）量は少なくなり、螢光体の発光効率低下を軽減
でき、長寿命となる。また、消費電力も低減できる等、
実用上の効果は頗る大である。
第１図は本発明による螢光表示管の前提例を示す一部断
面図、第２図は本発明の一実施例を示す第１図相当の一
部断面図、第３図および第４図はそれぞれ従来の螢光表
示管の一例を示す一部断面図、第５図は絶縁層と封着用
の低融点ガラスが重なつた従来の管球でのフイラメント
電流に対するグリツド電流の立上りを示す特性図、第６
図は封着用の低融点ガラスをガラス上に被覆した従来の
管球でのフイラメント電流に対するグリツド電流の立上
りを示す特性図である。 １……陽極基板、２……絶縁層、2a……絶縁層の端面、
2b……封着部の絶縁層、３……配線被膜、４……フエイ
スガラス、５……フエイスガラスの封着部分、６……ネ
サ膜、７……封着用の低融点ガラス、８……陽極、９…
…螢光体層、10……グリツド、11……カソード、12……
バイアー層。
面図、第２図は本発明の一実施例を示す第１図相当の一
部断面図、第３図および第４図はそれぞれ従来の螢光表
示管の一例を示す一部断面図、第５図は絶縁層と封着用
の低融点ガラスが重なつた従来の管球でのフイラメント
電流に対するグリツド電流の立上りを示す特性図、第６
図は封着用の低融点ガラスをガラス上に被覆した従来の
管球でのフイラメント電流に対するグリツド電流の立上
りを示す特性図である。 １……陽極基板、２……絶縁層、2a……絶縁層の端面、
2b……封着部の絶縁層、３……配線被膜、４……フエイ
スガラス、５……フエイスガラスの封着部分、６……ネ
サ膜、７……封着用の低融点ガラス、８……陽極、９…
…螢光体層、10……グリツド、11……カソード、12……
バイアー層。
Claims (1)
- 【請求項１】低融点ガラスを主成分とする絶縁層を介し
て配線被膜と陽極が形成された陽極基板と、この陽極基
板上に封着用の低融点ガラスで接着されたフェイスガラ
スとから真空容器を形成して成り、前記封着用の低融点
ガラスがバリアー層を介して前記絶縁層と接触しないよ
うに塗布されていることを特徴とする螢光表示管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62307704A JP2571701B2 (ja) | 1987-12-07 | 1987-12-07 | 螢光表示管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62307704A JP2571701B2 (ja) | 1987-12-07 | 1987-12-07 | 螢光表示管 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01151136A JPH01151136A (ja) | 1989-06-13 |
| JP2571701B2 true JP2571701B2 (ja) | 1997-01-16 |
Family
ID=17972231
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62307704A Expired - Lifetime JP2571701B2 (ja) | 1987-12-07 | 1987-12-07 | 螢光表示管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2571701B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5233259U (ja) * | 1975-09-01 | 1977-03-09 |
-
1987
- 1987-12-07 JP JP62307704A patent/JP2571701B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01151136A (ja) | 1989-06-13 |
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