JP2568185B2 - Heat treatment equipment - Google Patents
Heat treatment equipmentInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、熱処理技術に関し、特に、半導体ウエーハ
が配置された処理室内にガスを供給して熱処理が行われ
る熱処理技術に適用して有効な技術に関するものであ
る。Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a heat treatment technique, and in particular, it is effective when applied to a heat treatment technique in which a gas is supplied to a treatment chamber in which a semiconductor wafer is placed to perform heat treatment. It is about technology.
半導体装置の製造プロセスにおいては、単結晶シリコ
ンからなるウエーハの主面に不純物を導入（拡散）する
工程がある。不純物の導入は、例えば、ウエル領域やMO
SFETのソース領域及びドレイン領域を形成するために行
われる。この工程は、不純物拡散装置、所謂熱処理装置
で行われている。In a semiconductor device manufacturing process, there is a step of introducing (diffusing) impurities into the main surface of a wafer made of single crystal silicon. The introduction of impurities is performed, for example, in the well region or MO.
Performed to form the source and drain regions of the SFET. This step is performed by an impurity diffusion device, a so-called heat treatment device.
縦型熱処理装置は、複数のウエーハを縦方向に配置可
能な処理室と、処理室内を加熱する加熱源とを有してい
る。処理室の上方には、反応性ガスを供給するガス供給
口が設けられ、処理室の下方には、ガス排気口が設けら
れている。ガス供給口には、反応性ガスをガス供給管に
より供給している。The vertical heat treatment apparatus has a processing chamber in which a plurality of wafers can be arranged in the vertical direction, and a heating source for heating the processing chamber. A gas supply port for supplying a reactive gas is provided above the processing chamber, and a gas exhaust port is provided below the processing chamber. Reactive gas is supplied to the gas supply port through a gas supply pipe.
この種の縦型熱処理装置は、処理室内に予熱された反
応性ガスをガス供給口から供給し、反応性ガスの反応に
よって所定の不純物をウエーハの主面部に導入するよう
に構成されている。処理室内に存在する反応後のガス
は、ガス排気口から排気される。This type of vertical heat treatment apparatus is configured to supply a preheated reactive gas into a processing chamber through a gas supply port and introduce a predetermined impurity into a main surface portion of a wafer by a reaction of the reactive gas. The reacted gas existing in the processing chamber is exhausted from the gas exhaust port.
一方、横型熱処理装置は、複数のウエーハが横方向に
配置され、ガス供給口から供給される反応性ガスが横方
向に流れる点において異なるが、基本的には前記縦型熱
処理装置と同様な構成である。On the other hand, the horizontal heat treatment apparatus is different in that a plurality of wafers are arranged in the horizontal direction and the reactive gas supplied from the gas supply port flows in the horizontal direction, but basically the same configuration as the vertical heat treatment apparatus. Is.
なお、熱処理装置については、例えば、LSIプロセス
工学 昭和57年10月25日発行、オーム社、pp109〜148に
記載されている。The heat treatment apparatus is described, for example, in LSI Process Engineering, October 25, 1982, Ohmsha, pp109-148.
しかしながら、前述の熱処理装置の処理室内の反応性
ガス濃度は、ガス供給口側から順次反応性ガスが反応す
るので、ガス供給口側に比べてガス排気口側が著しく低
濃度になる。このため、本発明者は、処理室内に配置さ
れた複数のウエーハの処理状態が夫々異なり、安定した
不純物の導入を行うことができないので、製造上の歩留
りが低下するという問題点を見出した。However, the reactive gas concentration in the processing chamber of the above-described heat treatment apparatus becomes significantly lower on the gas exhaust port side than on the gas supply port side because the reactive gas reacts sequentially from the gas supply port side. Therefore, the present inventor has found that a plurality of wafers arranged in the processing chamber have different processing states, and it is not possible to stably introduce impurities, which results in a problem that the manufacturing yield is reduced.
また、前記処理室のガス供給口には、予熱された状態
の反応性ガスがガス供給管により供給されるので、ガス
供給管に反応性ガスの反応生成物が堆積する。このた
め、本発明者は、ガス供給管で供給される反応性ガスの
流量が経時的に変化し、それに起因する反応性ガス濃度
の変化を生じるので、安定な不純物の導入を行うことが
できず、製造上の歩留りが低下するという問題点を見出
した。Further, since the preheated reactive gas is supplied to the gas supply port of the processing chamber by the gas supply pipe, reaction products of the reactive gas are deposited on the gas supply pipe. Therefore, the present inventor can stably introduce impurities because the flow rate of the reactive gas supplied through the gas supply pipe changes with time, which causes a change in the reactive gas concentration. However, they found a problem that the production yield was lowered.
本発明の目的は、製造上の歩留りを向上することが可
能な熱処理装置を提供することにある。An object of the present invention is to provide a heat treatment apparatus capable of improving the manufacturing yield.
本発明の他の目的は、処理室内に供給される反応性ガ
ス濃度を均一にすることが可能な熱処理装置を提供する
ことにある。Another object of the present invention is to provide a heat treatment apparatus capable of making the concentration of the reactive gas supplied into the processing chamber uniform.
本発明の他の目的は、処理室内に供給される反応性ガ
スの流量が経時的に変化することを低減することが可能
な熱処理装置を提供することにある。Another object of the present invention is to provide a heat treatment apparatus capable of reducing the flow rate of the reactive gas supplied into the processing chamber from changing over time.
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、
本明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであ
ろう。The above and other objects and novel features of the present invention are as follows.
It will be apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.
〔問題点を解決するための手段〕 本願において開示される発明のうち、代表的なものの
概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。[Means for Solving Problems] Among the inventions disclosed in the present application, the outline of typical ones will be briefly described as follows.
熱処理装置において、処理室のガス供給口とガス排気
口との間に設けられた補助用ガス供給口から、処理室の
内壁に沿ってガス排気口に向けてガスを噴出する。In the heat treatment apparatus, a gas is jetted from the auxiliary gas supply port provided between the gas supply port and the gas exhaust port of the processing chamber toward the gas exhaust port along the inner wall of the processing chamber.
また、前記処理室に別々のガス供給管で反応ガス、反
応促進ガスの夫々を供給し、処理室内に供給する時点に
おいて両者ガスを混合させる。Further, the reaction gas and the reaction accelerating gas are supplied to the processing chamber through separate gas supply pipes, and both gases are mixed at the time of supplying the reaction gas and the reaction accelerating gas.
上述した手段によれば、前記処理室内の反応性ガス濃
度を補正し、その反応性ガス濃度を均一にすることがで
きる。According to the above-mentioned means, the reactive gas concentration in the processing chamber can be corrected and the reactive gas concentration can be made uniform.
また、前記ガス供給管内に、反応性ガスの反応生成物
が堆積されることを防止し、処理室内に供給される反応
性ガスの流量が経時的に変化することを低減することが
できる。In addition, it is possible to prevent the reaction product of the reactive gas from being deposited in the gas supply pipe, and to reduce the change over time of the flow rate of the reactive gas supplied into the processing chamber.
以下、本発明の構成について、本発明を、縦型熱処理
装置（縦型不純物拡散装置）に適用した一実施例ととも
に説明する。Hereinafter, the configuration of the present invention will be described together with an embodiment in which the present invention is applied to a vertical heat treatment apparatus (vertical impurity diffusion apparatus).
なお、実施例を説明するための全図において、同一機
能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明
は省略する。In all the drawings for describing the embodiments, components having the same function are denoted by the same reference numerals, and their repeated description will be omitted.
本発明の一実施例である縦型熱処理装置の概略構成を
第１図（一部断面斜視図）で示す。A schematic configuration of a vertical heat treatment apparatus which is an embodiment of the present invention is shown in FIG. 1 (partially sectional perspective view).
第１図に示すように、縦型熱処理装置（縦型不純物拡
散装置）は、中空の円柱形状で構成される処理室１を有
している。処理室１は、1200［℃］程度の高温度に耐え
られ、しかもその内壁を清浄化状態にすることが可能な
材料、例えば石英ガラスで構成されている。As shown in FIG. 1, the vertical heat treatment apparatus (vertical impurity diffusion apparatus) has a processing chamber 1 having a hollow cylindrical shape. The processing chamber 1 is made of a material, for example, quartz glass, which can withstand a high temperature of about 1200 [° C.] and whose inner wall can be cleaned.
処理室１内には、第２図（斜視図）に示す、ウエーハ
収納治具２を着脱自在に配置できるように構成されてい
る。ウエーハ収納治具２は、処理室１の下方から上方
（矢印Ａ方向）に挿入できるように構成されている。ウ
エーハ収納治具２には、バッチ処理が可能なように、単
結晶シリコンからなるウエーハ３を複数配置できるよう
に構成されている。ウエーハ収納治具２は、処理室１内
に挿入された状態において、ウエーハ３が縦方向に複数
配置されるように構成されている。A wafer storage jig 2 shown in FIG. 2 (perspective view) can be detachably arranged in the processing chamber 1. The wafer storage jig 2 is configured so that it can be inserted from below the processing chamber 1 to above (in the direction of arrow A). In the wafer storage jig 2, a plurality of wafers 3 made of single crystal silicon can be arranged so that batch processing can be performed. The wafer storage jig 2 is configured such that a plurality of wafers 3 are arranged in the vertical direction in a state of being inserted into the processing chamber 1.
処理室１の上部には、処理室１内に反応性ガスを供給
するガス供給口４が設けられている。ガス供給口４は、
反応ガスG1を供給するガス供給管4A、反応促進ガスG2を
供給するガス供給管4Bが夫々独立に処理室１に接続され
て構成されている。つまり、ガス供給口４に供給される
反応ガスG1、反応促進ガスG2の夫々は、処理室１内に供
給される時点（処理室１に供給された直後或は処理室１
に供給される直前）で混合され、反応性ガスを生成する
ように構成されている。また、処理室１内に供給される
反応ガスG1、反応促進ガスG2の夫々は、処理室１内壁に
沿って（円周方向に）供給され、処理室１内に均一に混
合するように構成されている。つまり、ガス供給口４
は、反応性ガスが直接しかも集中的にウエーハに接触す
ることを低減し、ウエーハの処理（不純物の導入）にむ
らができないように構成されている。A gas supply port 4 for supplying a reactive gas into the processing chamber 1 is provided above the processing chamber 1. The gas supply port 4 is
A gas supply pipe 4A for supplying the reaction gas G 1 and a gas supply pipe 4B for supplying the reaction accelerating gas G 2 are independently connected to the processing chamber 1. That is, each of the reaction gas G 1 and the reaction accelerating gas G 2 supplied to the gas supply port 4 is supplied to the processing chamber 1 (immediately after being supplied to the processing chamber 1 or the processing chamber 1).
Immediately before being supplied to) and are mixed with each other to generate a reactive gas. The reaction gas G 1 and the reaction accelerating gas G 2 supplied into the processing chamber 1 are supplied along the inner wall of the processing chamber 1 (in the circumferential direction) so that they are uniformly mixed in the processing chamber 1. Is configured. That is, the gas supply port 4
Is configured so that the reactive gas is prevented from coming into direct and intensive contact with the wafer, and the wafer processing (introduction of impurities) is not uneven.
また、処理室１内にウエーハ収納治具２を挿入する
と、処理室１内に円板形状の密閉用部材1Aが符号1A′に
示す位置まで動作するように構成されている。この密閉
用部材1Aは、処理室１のガス供給口４よりも若干下側の
位置（1A′）に保持される。密閉用部材1Aは、処理室１
にウエーハ収納治具２を挿入していない時には、処理室
１内にゴミ等の汚染物質が侵入しないように構成されて
いる。また、密閉用部材1Aには、処理室１内にウエーハ
収納治具２を挿入している時は、それが上方向に押し上
げられ、ガス供給口４から供給される反応性ガスを処理
室１の内壁側に誘導するように構成されている。つま
り、この状態の密閉用部材1Aは、前述のガス供給口４と
同様に、反応性ガスが直接しかも集中的にウエーハに接
触することを低減し、ウエーハの処理にむらができない
ように構成されている。Further, when the wafer storage jig 2 is inserted into the processing chamber 1, the disk-shaped sealing member 1A is configured to operate in the processing chamber 1 up to the position indicated by reference numeral 1A '. The sealing member 1A is held at a position (1A ') slightly below the gas supply port 4 of the processing chamber 1. The sealing member 1A is the processing chamber 1
When the wafer storage jig 2 is not inserted into the processing chamber 1, contaminants such as dust do not enter the processing chamber 1. Further, when the wafer storage jig 2 is inserted into the processing chamber 1 in the sealing member 1A, the wafer storage jig 2 is pushed upward and the reactive gas supplied from the gas supply port 4 is supplied to the processing chamber 1A. Is configured to be guided to the inner wall side of. That is, the sealing member 1A in this state is configured so as to reduce the direct and concentrated contact of the reactive gas with the wafer in the same manner as the gas supply port 4 described above, and prevent the wafer from being unevenly processed. ing.
ガス供給管4A、4Bの夫々は、処理室１の下部からそれ
に沿って処理室１の上部まで配管されており、反応ガス
G1、反応促進ガスG2の夫々を処理室１の熱で予熱できる
ように構成されている。Each of the gas supply pipes 4A and 4B is piped from the lower part of the process chamber 1 to the upper part of the process chamber 1 along the reaction gas,
Each of the G 1 and the reaction accelerating gas G 2 can be preheated by the heat of the processing chamber 1.
ウエーハ３の主面にｎ型不純物を導入してｎ型半導体
領域を形成する縦型熱処理装置においては、例えば、反
応ガスG1としてPOCl3、反応促進ガスG2としてN2及びO2
の混合ガスを使用する。ガス供給管4A、4Bの夫々は、例
えば処理室１と同様に石英ガラスで構成する。In the vertical heat treatment apparatus by introducing the n-type impurity to form an n-type semiconductor region on the main surface of the wafer 3, for example, the reaction gas G 1 as POCl 3, N 2 and O 2 as reaction accelerator gas G 2
The mixed gas of is used. Each of the gas supply pipes 4A and 4B is made of, for example, quartz glass like the processing chamber 1.
前記処理室１に供給された、反応ガスG1及び反応促進
ガスG2を混合して形成される反応性ガスは、処理室１の
ガス供給口４側（上方）からガス排気口1B側（下方）に
流れる。ガス排気口1Bは、前述のウエーハ収納治具２の
挿入口としても使用されている。The reactive gas supplied to the processing chamber 1 and formed by mixing the reaction gas G 1 and the reaction accelerating gas G 2 is supplied from the gas supply port 4 side (upper side) of the processing chamber 1 to the gas exhaust port 1B side (upper side). Flow down). The gas exhaust port 1B is also used as an insertion port for the wafer storage jig 2 described above.
このように構成される処理室１のガス供給口４とガス
排気口1Bとの間には、処理室１内に反応性ガスを供給す
る補助用ガス供給口4Cが設けられている。補助用ガス供
給口4Cは、第３図（要部斜視図）で示すように、処理室
１内壁に沿った、リング形状のガス供給管で構成されて
おり、ガス供給管4A、4Bに連結されている。すなわち、
補助用ガス供給口4Cは、処理室１内に供給される直前
（又は直後）に、反応ガスG1及び反応促進ガスG2とを混
合して反応性ガスを生成し、この反応性ガスを処理室１
内に供給するように構成されている。補助用ガス供給口
4Cは、符号を付けないが、複数のガス供給孔が設けられ
ている。補助用ガス供給口4Cは、ガス供給口４とガス排
気口1Bとの間に、１つ又は複数設ける。An auxiliary gas supply port 4C for supplying the reactive gas into the processing chamber 1 is provided between the gas supply port 4 and the gas exhaust port 1B of the processing chamber 1 thus configured. As shown in FIG. 3 (perspective perspective view), the auxiliary gas supply port 4C is formed of a ring-shaped gas supply pipe along the inner wall of the processing chamber 1 and is connected to the gas supply pipes 4A and 4B. Has been done. That is,
The auxiliary gas supply port 4C mixes the reaction gas G 1 and the reaction accelerating gas G 2 with each other immediately before (or immediately after) the supply into the processing chamber 1 to generate a reactive gas. Processing room 1
Is configured to be fed into. Auxiliary gas supply port
4C is not labeled, but is provided with a plurality of gas supply holes. One or more auxiliary gas supply ports 4C are provided between the gas supply port 4 and the gas exhaust port 1B.
このように、補助用ガス供給口4Cを設けることによ
り、前記処理室１内の反応性ガス濃度を補正することが
できるので、処理室１内の反応性ガス濃度を均一にする
ことができる。つまり、補助用ガス供給口4Cは、複数の
ウエーハ３をバッチ処理する場合、ウエーハ３の配置位
置による処理むらを低減することができるので、不純物
導入工程における製造上の歩留りを向上することができ
る。In this way, by providing the auxiliary gas supply port 4C, the reactive gas concentration in the processing chamber 1 can be corrected, so that the reactive gas concentration in the processing chamber 1 can be made uniform. That is, when the batch processing of a plurality of wafers 3 is performed, the auxiliary gas supply port 4C can reduce the processing unevenness due to the arrangement position of the wafers 3, so that the manufacturing yield in the impurity introducing step can be improved. .
また、前記処理室１に独立した別々のガス供給管4A、
4Bで反応ガスG1、反応促進ガスG2の夫々を供給し、処理
室１内に供給する時点において両者ガスを混合させるこ
とにより、前記ガス供給管4A、4B内に、反応性ガスの反
応生成物が堆積されることを低減することができるの
で、処理室１内に供給される反応性ガスの流量が経時的
に変化することを低減することができる。In addition, a separate gas supply pipe 4A independent of the processing chamber 1,
By supplying the reaction gas G 1 and the reaction accelerating gas G 2 respectively in 4B and mixing the two gases at the time of supplying into the processing chamber 1, the reaction of the reactive gas into the gas supply pipes 4A and 4B. Since it is possible to reduce the deposition of the product, it is possible to reduce the change over time in the flow rate of the reactive gas supplied into the processing chamber 1.
前記処理室１の下部には、処理室１内に外気が侵入す
ることを防止するためのシールドガス供給口4D及びシー
ルドガスG3を供給するガス供給管4Eが設けられている。A shield gas supply port 4D for preventing outside air from entering the process chamber 1 and a gas supply pipe 4E for supplying the shield gas G 3 are provided in the lower portion of the process chamber 1.
このように構成される処理室１は、その周囲を均熱伝
導部材５で覆い、さらにその周囲をカンタル線（カンタ
ル・ガデリウス社の抵抗発熱線の商品名）６で覆ってい
る。カンタル線６は、処理室１を加熱するように構成さ
れている。均熱伝導部材５は、例えば熱伝導性の高いSi
Cで構成されており、カンタル線６からの加熱を処理室
１に均一に分散加熱するように構成されている。また、
均熱伝導部材５は、処理室１内へのゴミ等の侵入を低減
するように構成されている。The processing chamber 1 configured as described above has its periphery covered with a uniform heat conducting member 5, and further has its periphery covered with a Kanthal wire (trade name of resistance heating wire of Kanthal Gadelius Co., Ltd.) 6. The Kanthal wire 6 is configured to heat the processing chamber 1. The uniform heat conducting member 5 is made of, for example, Si having high thermal conductivity.
It is composed of C, and is configured so that the heating from the Kanthal wire 6 is uniformly dispersed and heated in the processing chamber 1. Also,
The soaking | uniform-heating conductive member 5 is comprised so that the invasion of dust etc. into the process chamber 1 may be reduced.
また、前記補助用ガス供給口4Cは、リング形状で構成
する必要はなく、第４図（要部斜視図）で示すように、
処理室１の内壁に沿って反応性ガスを供給する、一本の
ガス供給管で構成してもよい。Further, the auxiliary gas supply port 4C does not need to be formed in a ring shape, and as shown in FIG. 4 (perspective view of main part),
It may be configured by a single gas supply pipe that supplies the reactive gas along the inner wall of the processing chamber 1.
以上、本発明者によってなされた発明を、前記実施例
に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲に
おいて種々変更可能であることは勿論である。Although the invention made by the present inventor has been specifically described based on the above embodiment, the present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. Of course.
例えば、本発明は、横型熱処理装置（横型不純物拡散
装置）に適用することができる。For example, the present invention can be applied to a horizontal heat treatment apparatus (horizontal impurity diffusion apparatus).
また、本発明は、不純物を導入（拡散）する熱処理装
置に限定されず、酸化シリコン膜，窒化シリコン膜等の
絶縁性薄膜や多結晶シリコン膜等の導電性薄膜を堆積さ
せる熱処理装置（CVD装置）に適用することができる。Further, the present invention is not limited to a heat treatment apparatus for introducing (diffusing) impurities, but a heat treatment apparatus (CVD apparatus) for depositing an insulating thin film such as a silicon oxide film or a silicon nitride film or a conductive thin film such as a polycrystalline silicon film. ) Can be applied to.
本願において開示される発明のうち代表的なものによ
って得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりで
ある。The following is a brief description of an effect obtained by the representative one of the inventions disclosed in the present application.
処理装室の一端部側のガス供給口から他端部側のガス
排出口に向けてガスを供給するとともに、補助用ガス供
給口から処理室の内壁に沿ってガス排気口に向けてガス
を噴出するようにしたことから、ガスは内壁に沿って流
れるのに伴って拡散しつつウエーハに到達することにな
り、熱処理装置における製造上の歩留りを向上すること
ができる。The gas is supplied from the gas supply port on one end side of the processing chamber toward the gas discharge port on the other end side, and the gas is supplied from the auxiliary gas supply port along the inner wall of the processing chamber toward the gas exhaust port. Since the gas is ejected, the gas reaches the wafer while diffusing as the gas flows along the inner wall, so that the manufacturing yield in the heat treatment apparatus can be improved.
第１図は、本発明の一実施例である縦型熱処理装置の概
略構成を示す一部断面斜視図、 第２図は、前記縦型熱処理装置に使用されるウエーハ収
納治具の斜視図、 第３図は、前記縦型熱処理装置の要部斜視図、 第４図は、本発明の他の実施例である縦型熱処理装置の
要部斜視図である。 図中、１……処理室、1A……密閉用部材、1B……ガス排
気口、２……ウエーハ収納治具、３……ウエーハ、４…
…ガス供給口、4A、4B……ガス供給管、4C……補助用ガ
ス供給口である。FIG. 1 is a partial cross-sectional perspective view showing a schematic configuration of a vertical heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a perspective view of a wafer storage jig used in the vertical heat treatment apparatus. FIG. 3 is a perspective view of essential parts of the vertical heat treatment apparatus, and FIG. 4 is a perspective view of essential parts of a vertical heat treatment apparatus according to another embodiment of the present invention. In the figure, 1 ... Processing chamber, 1A ... Sealing member, 1B ... Gas exhaust port, 2 ... Wafer storage jig, 3 ... Wafer, 4 ...
… Gas supply ports, 4A, 4B… Gas supply pipes, 4C… Auxiliary gas supply ports.
Claims (4)
を供給するガス供給口と、 前記処理室の他端部側に設けられ、前記処理室内のガス
を排出するガス排気口と、 前記ガス供給口と前記ガス排気口との間に設けられ、前
記処理室の内壁に沿って前記ガス排気口に向けてガスを
噴出する補助用ガス供給口とを有することを特徴とする
熱処理装置。1. A processing chamber in which a plurality of wafers are arranged, a gas supply port provided at one end side of the processing chamber for supplying gas into the processing chamber, and provided at the other end side of the processing chamber. Is provided between the gas supply port and the gas exhaust port for discharging the gas in the processing chamber, and ejects the gas toward the gas exhaust port along the inner wall of the processing chamber. A heat treatment apparatus having an auxiliary gas supply port.
は、反応ガス及び反応促進ガスを供給するように構成さ
れていることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載
の熱処理装置。2. The heat treatment apparatus according to claim 1, wherein the gas supply port or the auxiliary gas supply port is configured to supply a reaction gas and a reaction accelerating gas. .
記処理室に別々のガス供給管で供給され、処理室内に供
給する時点において両者を混合させることを特徴とする
特許請求の範囲第１項に記載の熱処理装置。3. The reaction gas and the reaction accelerating gas are respectively supplied to the processing chamber through separate gas supply pipes, and both are mixed at the time of being supplied into the processing chamber. The heat treatment apparatus according to item 1.
拡散装置であることを特徴とする特許請求の範囲第１項
乃至第３項に記載の熱処理装置。4. The heat treatment apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein the heat treatment apparatus is a thin film forming apparatus or an impurity diffusion apparatus.
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-
1987
- 1987-01-23 JP JP62012331A patent/JP2568185B2/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
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| JPS63181315A (en) | 1988-07-26 |
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