JPS63181315A - Equipment for heat treatment - Google Patents
Equipment for heat treatmentInfo
- Publication number
- JPS63181315A JPS63181315A JP1233187A JP1233187A JPS63181315A JP S63181315 A JPS63181315 A JP S63181315A JP 1233187 A JP1233187 A JP 1233187A JP 1233187 A JP1233187 A JP 1233187A JP S63181315 A JPS63181315 A JP S63181315A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- processing chamber
- gas supply
- heat treatment
- supply port
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims description 35
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 129
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims abstract description 12
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 26
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 14
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 claims description 10
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 3
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 abstract 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 5
- 229910000953 kanthal Inorganic materials 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 241000754400 Gabrius Species 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000010327 methods by industry Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、熱処理技術に関し、特に、半導体ウェーハが
配置された処理室内にガスを供給して熱処理が行われる
熱処理技術に適用して有効な技術に関するものである。[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to heat treatment technology, and particularly to heat treatment technology in which heat treatment is performed by supplying gas into a processing chamber in which a semiconductor wafer is placed. It's about technology.
半導体装置の製造プロセスにおいては、単結晶シリコン
からなるウェーハの主面に不純物を導入（拡散）する工
程がある。不純物の導入は１例えば、ウェル領域やＭＯ
ＳＦＥＴのソース領域及びドレイン領域を形成するため
に行われる。この工程は、不純物拡散装置、所謂熱処理
装置で行われている。In the manufacturing process of semiconductor devices, there is a step of introducing (diffusing) impurities into the main surface of a wafer made of single crystal silicon. The introduction of impurities is 1. For example, in the well region or MO
This is done to form the source and drain regions of the SFET. This step is performed in an impurity diffusion device, a so-called heat treatment device.
縦型熱処理装置は、複数のウェーハを縦方向に配置可能
な処理室と、処理室内を加熱する加熱源とを有している
。処理室の上方には１反応性ガスを供給するガス供給口
が設けられ、処理室の下方には、ガス排気口が設けられ
ている。ガス供給口には、反応性ガスをガス供給管によ
り供給している。A vertical heat treatment apparatus includes a processing chamber in which a plurality of wafers can be arranged vertically, and a heat source that heats the inside of the processing chamber. A gas supply port for supplying one reactive gas is provided above the processing chamber, and a gas exhaust port is provided below the processing chamber. A reactive gas is supplied to the gas supply port through a gas supply pipe.
この種の縦型熱処理装置は、処理室内に予熱された反応
性ガスをガス供給口から供給し、反応性ガスの反応によ
って所定の不純物をウェーハの主面部に導入するように
構成されている。処理室内に存在する反応後のガスは、
ガス排気口から排気される。This type of vertical heat treatment apparatus is configured to supply a preheated reactive gas into a processing chamber from a gas supply port, and introduce predetermined impurities into the main surface of the wafer through a reaction of the reactive gas. The post-reaction gas present in the processing chamber is
Exhausted from the gas exhaust port.
一方、横型熱処理装置は、複数のウェーハが横方向に配
置され、ガス供給口から供給される反応性ガスが横方向
に流れる点において異なるが、基本的には前記縦型熱処
理装置と同様な構成である。On the other hand, horizontal heat treatment equipment has basically the same configuration as the vertical heat treatment equipment, except that a plurality of wafers are arranged horizontally and the reactive gas supplied from the gas supply port flows in the horizontal direction. It is.
なお、熱処理装置については、例えば、ＬＳＩプロセス
工学昭和５７年１０月２５日発行、オーム社、ｐｐ１０
９〜１４８に記載されている。Regarding heat treatment equipment, for example, LSI Process Engineering, published October 25, 1980, Ohmsha, pp10
9-148.
しかしながら、前述の熱処理装置の処理室内の反応性ガ
ス濃度は、ガス供給口側から順次反応性ガスが反応する
ので、ガス供給口側に比べてガス排気口側が著しく低濃
度↓こなる。このため、本発明者は、処理室内に配置さ
れた複数のウェーハの処理状態が夫々異なり、安定した
不純物の導入を行うことができないので、製造上の歩留
りが低下するという問題点を見出した。However, since the reactive gas reacts sequentially from the gas supply port side in the processing chamber of the heat treatment apparatus described above, the concentration on the gas exhaust port side is significantly lower than that on the gas supply port side. For this reason, the present inventor found that the processing conditions of a plurality of wafers arranged in a processing chamber are different from each other, making it impossible to stably introduce impurities, resulting in a decrease in manufacturing yield.
また、前記処理室のガス供給口には、予熱された状態の
反応性ガスがガス供給管により供給されるので、ガス供
給管に反応性ガスの反応生成物が堆積する。このため、
本発明者は、ガス供給管で供給される反応性ガスの流量
が経時的に変化し、それに起因する反応性ガス濃度の変
化を生じるので、安定な不純物の導入を行うことができ
ず、製造上の歩留りが低下するという問題点を見出した
。Further, since a preheated reactive gas is supplied to the gas supply port of the processing chamber through a gas supply pipe, a reaction product of the reactive gas is deposited on the gas supply pipe. For this reason,
The inventor discovered that since the flow rate of the reactive gas supplied through the gas supply pipe changes over time, resulting in a change in the concentration of the reactive gas, it is not possible to stably introduce impurities. We found a problem in that the yield of the above products decreased.
本発明の目的は、製造上の歩留りを向上することが可能
な熱処理装置を提供することにある。An object of the present invention is to provide a heat treatment apparatus that can improve manufacturing yield.
本発明の他の目的は、処理室内に供給される反応性ガス
濃度を均一にすることが可能な熱処理装置を提供するこ
とにある。Another object of the present invention is to provide a heat treatment apparatus that can make the concentration of reactive gas supplied into a processing chamber uniform.
本発明の他の目的は、処理室内に供給される反応性ガス
の流量が経時的に変化することを低減することが可能な
熱処理装置を提供することにある。Another object of the present invention is to provide a heat treatment apparatus that can reduce changes over time in the flow rate of a reactive gas supplied into a treatment chamber.
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろ
う。The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.
本願において開示される発明のうち１代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。A brief overview of one typical invention disclosed in this application is as follows.
熱処理装置において、処理室のガス供給口とガス排気口
との間に、処理室内にガスを供給する補助用ガス供給口
を設ける。In a heat treatment apparatus, an auxiliary gas supply port for supplying gas into the processing chamber is provided between a gas supply port and a gas exhaust port of the processing chamber.
また、前記処理室に別々のガス供給管で反応ガス、反応
促進ガスの夫々を供給し、処理室内に供給する時点にお
いて両者ガスを混合させる。Further, a reaction gas and a reaction promoting gas are each supplied to the processing chamber through separate gas supply pipes, and both gases are mixed at the time of supply into the processing chamber.
上述した手段によれば、前記処理室内の反応性ガス濃度
を補正し、その反応性ガス濃度を均一にすることができ
る。According to the above-described means, the reactive gas concentration within the processing chamber can be corrected and the reactive gas concentration can be made uniform.
また、前記ガス供給管内に、反応性ガスの反応生成物が
堆積されることを防止し、処理室内に供給される反応性
ガスの流量が経時的に変化することを低減することがで
きる。Furthermore, it is possible to prevent reaction products of the reactive gas from being deposited in the gas supply pipe, and to reduce changes over time in the flow rate of the reactive gas supplied into the processing chamber.
以下、本発明の構成について１本発明を、縦型熱処理装
置（縦型不純物拡散装置）に適用した一実施例とともに
説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The structure of the present invention will be described below along with an embodiment in which the present invention is applied to a vertical heat treatment apparatus (vertical impurity diffusion apparatus).
なお、実施例を説明するための全回において。In addition, in all the times for explaining the example.
同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返し
の説明は省略する。Components having the same function are given the same reference numerals, and repeated explanations thereof will be omitted.
本発明の一実施例である縦型熱処理装置の概略構成を第
１図（一部断面斜視図）で示す。FIG. 1 (partially sectional perspective view) shows a schematic configuration of a vertical heat treatment apparatus that is an embodiment of the present invention.
第１図に示すように、縦型熱処理装置（縦型不純物拡散
装置）は、中空の円柱形状で構成される処理室１を有し
ている。処理室ｌは、１２００［”Ｃ］程度の高温度に
耐えられ、しかもその内壁を清浄化状態にすることが可
能な材料１例えば石英ガラスで構成されている。As shown in FIG. 1, a vertical heat treatment apparatus (vertical impurity diffusion apparatus) has a processing chamber 1 having a hollow cylindrical shape. The processing chamber 1 is made of a material 1, for example, quartz glass, which can withstand a high temperature of about 1200 [''C] and can keep its inner wall clean.
処理室１内には、第２図（斜視図）に示す、ウェーハ収
納治具２を着脱自在に配置できるように構成されている
。ウェーハ収納治具２は、処理室１の下方から上方（矢
印Ａ方向）に挿入できるように構成されている。ウェー
ハ収納治具２には、バッチ処理が可能なように、単結晶
シリコンからなるウェーハ３を複数配置できるように構
成されている。ウェーハ収納治具２は、処理室１内に挿
入された状態において、ウェーハ３が縦方向に複数配置
されるように構成されている。Inside the processing chamber 1, a wafer storage jig 2 shown in FIG. 2 (perspective view) is configured to be removably disposed. The wafer storage jig 2 is configured to be inserted into the processing chamber 1 from below to above (in the direction of arrow A). The wafer storage jig 2 is configured so that a plurality of wafers 3 made of single crystal silicon can be placed therein so as to enable batch processing. The wafer storage jig 2 is configured such that a plurality of wafers 3 are arranged in the vertical direction when the wafer storage jig 2 is inserted into the processing chamber 1 .
処理室１の上部には、処理室１内に反応性ガスを供給す
るガス供給口４が設けられている。ガス供給口４は、反
応ガスＧ工を供給するガス供給管４Ａ、反応促進ガスＧ
２を供給するガス供給管４Ｂが夫々独立に処理室１に接
続されて構成されている。つまり、ガス供給口４に供給
される反応ガスＧ０、反応促進ガスＧ２の夫々は、処理
室１内に供給される時点（処理室１に供給された直後或
は処理室１に供給される直前）で混合され、反応性ガス
を生成するように構成されている。また、処理室１内に
供給される反応ガスＧ１、反応促進ガスＧ２の夫々は、
処理室１内壁に沿って（円周方向に）供給され、処理室
１内に均一に混合するように構成されている。つまり、
ガス供給口４は、反応性ガスが直接しかも集中的にウェ
ーハに接触することを低減し、ウェーハの処理（不純物
の導入）にむらができないように構成されている。A gas supply port 4 for supplying reactive gas into the processing chamber 1 is provided at the upper part of the processing chamber 1 . The gas supply port 4 includes a gas supply pipe 4A for supplying reaction gas G, and a gas supply pipe 4A for supplying reaction gas G.
Gas supply pipes 4B for supplying gas 2 are connected to the processing chamber 1 independently. That is, each of the reaction gas G0 and the reaction promoting gas G2 supplied to the gas supply port 4 is supplied into the processing chamber 1 (immediately after being supplied to the processing chamber 1 or immediately before being supplied to the processing chamber 1). ) and configured to produce a reactive gas. In addition, each of the reaction gas G1 and the reaction promoting gas G2 supplied into the processing chamber 1 is
It is configured to be supplied along the inner wall of the processing chamber 1 (in the circumferential direction) and mixed uniformly within the processing chamber 1. In other words,
The gas supply port 4 is configured to reduce direct and concentrated contact of the reactive gas with the wafer, and to prevent unevenness in wafer processing (introduction of impurities).
また、処理室１内にウェーハ収納治具２を挿入すると、
処理室１内を円板形状の密閉用部材ＩＡが符号ＩＡ″に
示す位置まで動作するように構成されている。この密閉
用部材ＩＡは、処理室１のガス供給口４よりも若干下側
の位置（ＩＡ″）に保持される。密閉用部材ＩＡは、処
理室１にウェーハ収納治具２を挿入していない時には、
処理室１内にゴミ等の汚染物質が侵入しないように構成
されている。また、密閉用部材ＩＡは、処理室１内にウ
ェーハ収納治具２を挿入している時は、それが上方向に
押し上げられ、ガス供給口４から供給される反応性ガス
を処理室１の内壁側に誘導するように構成されている。Moreover, when the wafer storage jig 2 is inserted into the processing chamber 1,
A disk-shaped sealing member IA is configured to move inside the processing chamber 1 to a position indicated by the symbol IA''.The sealing member IA is located slightly below the gas supply port 4 of the processing chamber 1. is held at position (IA''). The sealing member IA is used when the wafer storage jig 2 is not inserted into the processing chamber 1.
It is configured to prevent contaminants such as dust from entering the processing chamber 1. Further, when the wafer storage jig 2 is inserted into the processing chamber 1, the sealing member IA is pushed upward and the reactive gas supplied from the gas supply port 4 is transferred to the processing chamber 1. It is configured to be guided toward the inner wall.
つまり、この状態の密閉用部材ＩＡは、前述のガス供給
口４と同様に、反応性ガスが直接しかも集中的にウェー
ハに接触することを低減し、ウェーハの処理にむらがで
きないように構成されている。In other words, like the gas supply port 4 described above, the sealing member IA in this state is configured to reduce direct and concentrated contact of the reactive gas with the wafer, and to prevent uneven processing of the wafer. ing.
ガス供給管４Ａ、４Ｂの夫々は、処理室１の下部からそ
九に沿って処理室１の上部まで配管されており、反応ガ
スＧ１、反応促進ガスＧ２の夫々を処理室１の熱で予熱
できるように構成されている。Each of the gas supply pipes 4A and 4B is piped from the lower part of the processing chamber 1 to the upper part of the processing chamber 1 along the 9th axis, and preheats each of the reaction gas G1 and the reaction promoting gas G2 with the heat of the processing chamber 1. It is configured so that it can be done.
ウェーハ３の主面にｎ型不純物を導入してｎ型半導体領
域を形成する縦型熱処理装置においては。In a vertical heat treatment apparatus that introduces n-type impurities into the main surface of the wafer 3 to form an n-type semiconductor region.
例えば、反応ガスＧ１としてＰＯＣＱ、 、反応促進ガ
スＧ２ としてＮ２及び０２の混合ガスを使用する。ガ
ス供給管４Ａ、４Ｂの夫々は、例えば処理室１と同様に
石英ガラスで構成する。For example, POCQ is used as the reaction gas G1, and a mixed gas of N2 and 02 is used as the reaction promoting gas G2. Each of the gas supply pipes 4A and 4B is made of quartz glass, for example, similarly to the processing chamber 1.
前記処理室１に供給された、反応ガスＧ１及び反応促進
ガスＧ２を混合して形成される反応性ガスは、処理室１
のガス供給口４側（上方）からガス排気口ＩＢ側（下方
）に流れる。ガス排気口ＩＢは、前述のウェーハ収納治
具２の挿入口としても使用されている。The reactive gas supplied to the processing chamber 1 and formed by mixing the reactive gas G1 and the reaction promoting gas G2 is supplied to the processing chamber 1.
The gas flows from the gas supply port 4 side (upper side) to the gas exhaust port IB side (lower side). The gas exhaust port IB is also used as an insertion port for the wafer storage jig 2 described above.
このように構成される処理室１のガス供給口４とガス排
気口ＩＢとの間には、処理室ｌ内に反応性ガスを供給す
る補助用ガス供給口４Ｃが設けられている。補助用ガス
供給口４Ｃは、第３図（要部斜視図）で示すように、処
理室１内壁に沿った、リング形状のガス供給管で構成さ
れており、ガス供給管４Ａ、４Ｂに連結されている。す
なわち、補助用ガス供給口４Ｃは、処理室１内に供給さ
れる直前（又は直後）に、反応ガスＧ工と反応促進ガス
Ｇ２とを混合して反応性ガスを生成し、この反応性ガス
を処理室１内に供給するように構成されている。補助用
ガス供給口４Ｃは、符号を付けないが、複数のガス供給
孔が設けられている。補助用ガス供給口４Ｃは、ガス供
給口４とガス排気口ＩＢとの間に、１つ又は複数設ける
。An auxiliary gas supply port 4C for supplying reactive gas into the processing chamber 1 is provided between the gas supply port 4 and the gas exhaust port IB of the processing chamber 1 configured in this manner. As shown in FIG. 3 (perspective view of main parts), the auxiliary gas supply port 4C is composed of a ring-shaped gas supply pipe along the inner wall of the processing chamber 1, and is connected to the gas supply pipes 4A and 4B. has been done. That is, the auxiliary gas supply port 4C mixes the reactive gas G and the reaction promoting gas G2 to generate a reactive gas immediately before (or immediately after) supplying the reactive gas into the processing chamber 1. is configured to supply into the processing chamber 1. The auxiliary gas supply port 4C is provided with a plurality of gas supply holes, although they are not numbered. One or more auxiliary gas supply ports 4C are provided between the gas supply port 4 and the gas exhaust port IB.
このように、補助用ガス供給口４Ｃを設けることにより
、前記処理室１内の反応性ガス濃度を補正することがで
きるので、処理室１内の反応性ガス濃度を均一にするこ
とができる。つまり、補助用ガス供給口４Ｃは、複数の
ウェーハ３をバッチ処理する場合、ウェーハ３の配置位
置による処理むらを低減することができるので、不純物
導入工程における製造上の歩留りを低減することができ
る。In this manner, by providing the auxiliary gas supply port 4C, the reactive gas concentration within the processing chamber 1 can be corrected, so that the reactive gas concentration within the processing chamber 1 can be made uniform. In other words, when batch processing a plurality of wafers 3, the auxiliary gas supply port 4C can reduce processing unevenness due to the placement position of the wafers 3, and therefore can reduce the manufacturing yield in the impurity introduction process. .
また、前記処理室１に独立した別々のガス供給管４Ａ、
４Ｂで反応ガスＧ工、反応促進ガスＧ２の夫々を供給し
、処理室１内に供給する時点において両者ガスを混合さ
せることにより、前記ガス供給管４Ａ、４Ｂ内に、反応
性ガスの反応生成物が堆積されることを低減することが
できるので、処理室１内に供給される反応性ガスの流量
が経時的に変化することを低減することができる。Further, a separate gas supply pipe 4A independent to the processing chamber 1,
4B, a reactive gas G and a reaction promoting gas G2 are supplied, and by mixing both gases at the time of supplying them into the processing chamber 1, a reactive gas is generated in the gas supply pipes 4A and 4B. Since it is possible to reduce the amount of matter being deposited, it is possible to reduce changes in the flow rate of the reactive gas supplied into the processing chamber 1 over time.
前記処理室１の下部には、処理室１内に外気が侵入する
ことを防止するためのシールドガス供給口４Ｄ及びシー
ルドガスＧ□を供給するガス供給管４Ｅが設けられてい
る。At the bottom of the processing chamber 1, a shield gas supply port 4D for preventing outside air from entering the processing chamber 1 and a gas supply pipe 4E for supplying the shield gas G□ are provided.
このように構成される処理室１は、その周囲を均熱伝導
部材５で覆い、さらにその周囲をカンタル線（カンタル
・ガブリウス社の抵抗発熱線の商品名）６で覆っている
。カンタル線６は、処理室１を加熱するように構成され
ている。均熱伝導部材５は１例えば熱伝導性の高いＳｉ
Ｃで構成されており、カンタル線６からの加熱を処理室
１に均一に分散加熱するように構成されている。また、
均熱伝導部材５は、処理室１内へのゴミ等の侵入を低減
するように構成されている。The processing chamber 1 configured as described above is covered with a heat-uniforming conductive member 5, and further with a Kanthal wire (trade name of a resistance heating wire manufactured by Kanthal Gabrius) 6. The Kanthal wire 6 is configured to heat the processing chamber 1 . The heat-uniforming conductive member 5 is made of, for example, Si with high thermal conductivity.
C, and is configured so that the heating from the Kanthal wire 6 is uniformly distributed and heated in the processing chamber 1. Also,
The heat-uniforming conductive member 5 is configured to reduce the intrusion of dust and the like into the processing chamber 1 .
また、前記補助用ガス供給口４Ｃは、リング形状で構成
する必要はなく、第４図（要部斜視図）で示すように、
処理室１の内壁に沿って反応性ガスを供給する。一本の
ガス供給管で構成してもよい。Further, the auxiliary gas supply port 4C does not need to be configured in a ring shape, and as shown in FIG. 4 (a perspective view of the main part),
A reactive gas is supplied along the inner wall of the processing chamber 1. It may be configured with one gas supply pipe.
以上、本発明者によってなされた発明を、前記実施例に
基づき具体的に説明したが５本発明は。The invention made by the present inventor has been specifically explained above based on the above embodiments, but the present invention is as follows.
前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱
しない範囲において種々変更可能であることは勿論であ
る。It goes without saying that the invention is not limited to the embodiments described above, and that various changes can be made without departing from the spirit thereof.
例えば、本発明は、横型熱処理装置（横型不純物拡散装
置）に適用することができる。For example, the present invention can be applied to a horizontal heat treatment apparatus (horizontal impurity diffusion apparatus).
また、本発明は、不純物を導入（拡散）する熱処理装置
に限定されず、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜等の絶
縁性薄膜や多結晶シリコン膜等の導電性薄膜を堆積させ
る熱処理装置（ＣＶＤ装置）に適用することができる。Furthermore, the present invention is not limited to heat treatment equipment that introduces (diffuses) impurities, but also heat treatment equipment (CVD equipment) that deposits insulating thin films such as silicon oxide films and silicon nitride films, and conductive thin films such as polycrystalline silicon films. ) can be applied.
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。A brief explanation of the effects obtained by typical inventions disclosed in this application is as follows.
熱処理装置における製造上の歩留りを向上することがで
きる。The manufacturing yield of the heat treatment apparatus can be improved.
第１図は１本発明の一実施例である縦型熱処理装置の概
略構成を示す一部断面斜視図、第２図は、前記縦型熱処
理装置に使用されるウェーハ収納治具の斜視図、
第３図は、前記縦型熱処理装置の要部斜視図。
第４図は、本発明の他の実施例である縦型熱処理装置の
要部斜視図である。FIG. 1 is a partial cross-sectional perspective view showing a schematic configuration of a vertical heat treatment apparatus that is an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a perspective view of a wafer storage jig used in the vertical heat treatment apparatus. FIG. 3 is a perspective view of essential parts of the vertical heat treatment apparatus. FIG. 4 is a perspective view of essential parts of a vertical heat treatment apparatus according to another embodiment of the present invention.
Claims (1)
配置可能な処理室を有する熱処理装置において、前記処
理室のガス供給口とガス排気口との間に、当該処理室内
にガスを供給する補助用ガス供給口を設けたことを特徴
とする熱処理装置。 ２、前記ガス供給口又は補助用ガス供給口は、反応ガス
及び反応促進ガスを供給するように構成されていること
を特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の熱処理装置
。 ３、前記反応ガス、反応促進ガスの夫々は、前記処理室
に別々のガス供給管で供給され、処理室内に供給する時
点において両者を混合させることを特徴とする特許請求
の範囲第１項に記載の熱処理装置。 ４、前記熱処理装置は、薄膜形成装置、不純物拡散装置
等であることを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第
３項に記載の夫々の熱処理装置。[Claims] 1. In a heat treatment apparatus having a processing chamber in which a plurality of wafers can be arranged between a gas supply port and a gas exhaust port, between the gas supply port and the gas exhaust port of the processing chamber, A heat treatment apparatus characterized in that an auxiliary gas supply port for supplying gas into the processing chamber is provided. 2. The heat treatment apparatus according to claim 1, wherein the gas supply port or the auxiliary gas supply port is configured to supply a reaction gas and a reaction promoting gas. 3. The reaction gas and the reaction promoting gas are each supplied to the processing chamber through separate gas supply pipes, and the two are mixed at the time of supply into the processing chamber. The heat treatment equipment described. 4. The heat treatment apparatus according to each of claims 1 to 3, wherein the heat treatment apparatus is a thin film forming apparatus, an impurity diffusion apparatus, or the like.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62012331A JP2568185B2 (en) | 1987-01-23 | 1987-01-23 | Heat treatment equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62012331A JP2568185B2 (en) | 1987-01-23 | 1987-01-23 | Heat treatment equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63181315A true JPS63181315A (en) | 1988-07-26 |
| JP2568185B2 JP2568185B2 (en) | 1996-12-25 |
Family
ID=11802323
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62012331A Expired - Fee Related JP2568185B2 (en) | 1987-01-23 | 1987-01-23 | Heat treatment equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2568185B2 (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1991004572A1 (en) * | 1989-09-21 | 1991-04-04 | Asm Japan K.K. | Substrate support device for cvd apparatus |
| JPH0547677A (en) * | 1991-08-21 | 1993-02-26 | Nec Yamaguchi Ltd | Low pressure vapor growth system |
| US5192371A (en) * | 1991-05-21 | 1993-03-09 | Asm Japan K.K. | Substrate supporting apparatus for a CVD apparatus |
| US5925188A (en) * | 1995-10-30 | 1999-07-20 | Tokyo Electron Limited | Film forming apparatus |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS504506A (en) * | 1972-09-14 | 1975-01-17 | ||
| JPS58170829U (en) * | 1982-05-07 | 1983-11-15 | 三菱電機株式会社 | Semiconductor device manufacturing equipment |
| JPS59104123A (en) * | 1982-12-07 | 1984-06-15 | Toshiba Corp | Impurity diffusion device |
-
1987
- 1987-01-23 JP JP62012331A patent/JP2568185B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS504506A (en) * | 1972-09-14 | 1975-01-17 | ||
| JPS58170829U (en) * | 1982-05-07 | 1983-11-15 | 三菱電機株式会社 | Semiconductor device manufacturing equipment |
| JPS59104123A (en) * | 1982-12-07 | 1984-06-15 | Toshiba Corp | Impurity diffusion device |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1991004572A1 (en) * | 1989-09-21 | 1991-04-04 | Asm Japan K.K. | Substrate support device for cvd apparatus |
| US5192371A (en) * | 1991-05-21 | 1993-03-09 | Asm Japan K.K. | Substrate supporting apparatus for a CVD apparatus |
| JPH0547677A (en) * | 1991-08-21 | 1993-02-26 | Nec Yamaguchi Ltd | Low pressure vapor growth system |
| US5925188A (en) * | 1995-10-30 | 1999-07-20 | Tokyo Electron Limited | Film forming apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2568185B2 (en) | 1996-12-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100260120B1 (en) | Heat treatment apparatus | |
| JPH06318551A (en) | Formation of thin film and its apparatus | |
| US8303712B2 (en) | Substrate processing apparatus, method for manufacturing semiconductor device, and process tube | |
| JPS5588323A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPS63181315A (en) | Equipment for heat treatment | |
| JP3904497B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
| JP4031601B2 (en) | Vertical heat treatment equipment | |
| JPH11121311A (en) | Silicon carbide material, its manufacture and silicon carbide wafer | |
| JP2003031515A (en) | Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device | |
| JPH0766139A (en) | Chemical vapor deposition system | |
| JPS6383275A (en) | Cvd device | |
| JPH03235329A (en) | Apparatus for thermal diffusion for manufacturing semiconductor | |
| JPH1050613A (en) | Epitaxial growth device | |
| JPH11150077A (en) | Thermal diffusion equipment of semiconductor wafer | |
| JP2001345314A (en) | Device and method for heat treatment | |
| JPS6058608A (en) | Heat processing furnace | |
| JP2004140320A (en) | Chemical vapor deposition apparatus | |
| JP2002141290A (en) | System for producing semiconductor | |
| JPH07176498A (en) | Reaction furnace with reaction gas preheater | |
| JPH0997768A (en) | Vertical diffusion oven | |
| JPH06310454A (en) | Hot-wall type heat treatment device | |
| JP2004304128A (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
| JPH08139035A (en) | Cvd method and equipment | |
| JP2002353157A (en) | Heat treatment apparatus | |
| JP2004221150A (en) | Semiconductor manufacturing apparatus |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |