JP2567320B2 - ウエハキャリア洗浄方法 - Google Patents

ウエハキャリア洗浄方法

Info

Publication number
JP2567320B2
JP2567320B2 JP5646492A JP5646492A JP2567320B2 JP 2567320 B2 JP2567320 B2 JP 2567320B2 JP 5646492 A JP5646492 A JP 5646492A JP 5646492 A JP5646492 A JP 5646492A JP 2567320 B2 JP2567320 B2 JP 2567320B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cleaning
carrier
brush
wafer
wafer carrier
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP5646492A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH05217978A (ja
Inventor
健夫 山中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Precision Products Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Precision Products Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Precision Products Co Ltd filed Critical Sumitomo Precision Products Co Ltd
Priority to JP5646492A priority Critical patent/JP2567320B2/ja
Publication of JPH05217978A publication Critical patent/JPH05217978A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2567320B2 publication Critical patent/JP2567320B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハの搬送に
使用されるウエハキャリアの洗浄方法に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体の製造においては、半導体ウエハ
の搬送に、ウエハキャリアと呼ばれる収納具が使用され
る。このウエハキャリアは、内面に設けた多数の溝によ
って、多数枚の半導体ウエハを整列保持させるようにな
っており、使用の繰り返しにより内外面が汚れる。汚れ
たキャリアは、半導体ウエハの汚染の原因になるので、
その洗浄が行われる。そして、ウェハキャリアの洗浄
は、これまで、高圧ジェットやメカソニック等による自
動洗浄、もしくは有機溶剤を併用したハンドブラシ洗浄
により行われていた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
自動洗浄では、キャリアに突き刺さったウエハの破片ま
で除去するのは困難である。その点、ハンドブラシ洗浄
では、入念な作業さえ行えばウエハの破片も除去でき
る。しかし、ハンドブラシによる洗浄では、能率が低
く、洗浄度のバラツキも大きい。更に、使用する溶剤に
よっては、人体への悪影響も問題になる。
【0004】本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
で、ウエハキャリアを高能率に、且つ高洗浄度で安定に
自動洗浄できるウエハキャリア洗浄方法を提供すること
を目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明のウエハキャリア
洗浄方法は、半導体ウエハの搬送に使用されるキャリア
の内面および外面を機械ブラシにより自動洗浄した後、
そのキャリアを、不活性ガスをバブリングさせた純水中
に浸漬してバブリング洗浄し、更に、純水に有機溶剤を
混合して加熱した加熱混合液により仕上げ洗浄すること
を特徴とする。
【0006】
【作用】機械ブラシによる洗浄は、ウエハキャリアに突
き刺さったウエハの破片を除去できる。しかも、これを
自動化しているので、能率が高く、洗浄度のバラツキも
少ない。更に、バブリング洗浄および加熱液による仕上
げ洗浄も簡単に自動化でき、これらの洗浄により、機械
ブラシによる洗浄で除去できなかった汚れも除去され
る。
【0007】
【実施例】以下に本発明の実施例を説明する。
【0008】本実施例は、機械ブラシによる粗洗浄、バ
ブリング洗浄、加熱液による仕上げ洗浄を全て自動で行
う。その自動洗浄装置の全体構成を図1に示し、自動化
されたブラシ洗浄装置を図2および図3に示す。
【0009】自動洗浄装置は、図1に示すように、ロー
ダ10、ブラシ洗浄装置20、バブリング槽30、仕上
洗浄兼乾燥槽40およびアンローダ50を縦列し、これ
に2つのロボットA,Bを組み合わせた構成になってい
る。
【0010】洗浄すべきウエハキャリアは、ローダ10
により洗浄装置に搬入される。搬入されたウエハキャリ
アは、ロボットAにより、ブラシ洗浄装置20に運ばれ
る。
【0011】ブラシ洗浄装置20は、洗浄槽21と、こ
れに付設された洗浄ロボット23,26とを有する。洗
浄槽21には、底部から、純水と中性洗剤の混合液等よ
りなる洗浄液が導入される。洗浄槽21に導入された洗
浄液は、角筒状の堰21aをオーバーフローして液面が
一定に保たれる。洗浄槽21の底部には、回転テーブル
22が設けられている。回転テーブル22は、洗浄すべ
きキャリア60を、開口部を上に向け且つ洗浄液に浸漬
する状態で槽内に支持し、更に、これを鉛直軸の回りに
回転させる。
【0012】洗浄ロボット23は、水平軸回りに回転す
る回転ブラシ24を有する。回転ブラシ24は、昇降機
構25aに取り付けられ、昇降機構25aは水平方向の
駆動機構25bに取り付けられている。これらの機構に
より、回転ブラシ24は、洗浄槽21内に保持されたキ
ャリア60の内部に挿入され、その特定の内側面に圧接
された状態でキャリア60内を上下する。他の洗浄ロボ
ット26は、外面洗浄ロボットで、回転ブラシ27を昇
降機構28aおよび水平方向の駆動機構28bで駆動す
ることにより、キャリア60の特定の外側面を回転ブラ
シ27によりブラッシングする。
【0013】ロボットAは、ブラシ洗浄装置20の洗浄
槽21内にキャリア60を運ぶ。洗浄膜21内に運ばれ
たキャリア60は、回転テーブル22に保持され、更
に、一対のクランプ29,29により固定される。洗浄
槽21内にキャリア60が固定されると、洗浄槽21内
に洗浄液を供給しながら、キャリア60の特定の内側面
および外側面を洗浄ロボット23,26によりブラッシ
ングする。このブラッシングが終わると、クランプ2
9,29を一旦解放状態にし、回転テーブル22を作動
させてキャリア60を鉛直軸の回りに90度回転させ
る。そして、次の内側面および外側面をブラッシングす
る。これを4回繰り返すことにより、キャリア60の全
ての内側面および外側面がブラシ洗浄される。このブラ
シ洗浄により、キャリア60の内外面にこびり付いた異
物が除去され、キャリア60に突き刺さったウエハの破
片も除去される。
【0014】キャリア60のブラシ洗浄が終了すると、
そのキャリア60をロボットAにてバブリング槽30に
運ぶ。バブリング槽30には、純水が収容され、その純
水中にはN2 ガスがバブリングされている。バブリング
洗浄を終えたキャリア60は、別のロボットBにて仕上
げ洗浄業乾燥槽40に運ばれる。この槽には、純水に数
%のイソプロピルアルコール等の有機溶剤を混合し、且
つ、92℃程度に加熱された加熱混合液が収容されてお
り、これにキャリア60が浸漬されて仕上げ洗浄され
る。バブリング洗浄および仕上げ洗浄により、キャリア
60の表面に残存していた微細な異物、汚れが除去され
る。加熱混合液による仕上げ洗浄を終えたキャリア60
は、ロボットBにより仕上げ洗浄兼乾燥槽40内から引
き上げられて乾燥された後、アンローダ50に運ばれて
収納される。
【0015】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
のウエハキャリア洗浄方法は、自動化が容易で、その自
動洗浄により、従来の自動洗浄では除去できなかったウ
エハの突き刺さり片まで取り除くことができる。また、
ハンドリング洗浄で問題となった洗浄度のバラツキ、有
機溶剤による人体への悪影響も解消される。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に使用する洗浄装置の概略構成図であ
る。
【図2】自動化されたブラシ洗浄装置の平面図である。
【図3】ブラシ洗浄装置の縦断側面図である。
【符号の説明】 20 ブラシ洗浄装置 30 バブリング洗浄槽 40 仕上洗浄兼乾燥槽 60 ウエハキャリア

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体ウエハの搬送に使用されるキャリ
    アの内面および外面を機械ブラシにより自動洗浄した
    後、そのキャリアを、不活性ガスをバブリングさせた純
    水中に浸漬してバブリング洗浄し、更に、純水に有機溶
    剤を混合して加熱した加熱混合液により仕上げ洗浄する
    ことを特徴とするウエハキャリア洗浄方法。
JP5646492A 1992-02-05 1992-02-05 ウエハキャリア洗浄方法 Expired - Fee Related JP2567320B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5646492A JP2567320B2 (ja) 1992-02-05 1992-02-05 ウエハキャリア洗浄方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5646492A JP2567320B2 (ja) 1992-02-05 1992-02-05 ウエハキャリア洗浄方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH05217978A JPH05217978A (ja) 1993-08-27
JP2567320B2 true JP2567320B2 (ja) 1996-12-25

Family

ID=13027830

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5646492A Expired - Fee Related JP2567320B2 (ja) 1992-02-05 1992-02-05 ウエハキャリア洗浄方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2567320B2 (ja)

Also Published As

Publication number Publication date
JPH05217978A (ja) 1993-08-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101992660B1 (ko) 반도체 웨이퍼의 세정 방법 및 장치
US11342204B2 (en) Method and apparatus for cleaning semiconductor wafers
US6457929B2 (en) Apparatus and method for automatically transferring wafers between wafer holders in a liquid environment
US12051599B2 (en) Cleaning method with in-line SPM processing
US5762084A (en) Megasonic bath
JPH07111963B2 (ja) 基板の洗浄乾燥装置
JP2567320B2 (ja) ウエハキャリア洗浄方法
JPH06120186A (ja) ウエハキャリア洗浄方法
US20220285175A1 (en) Drying system with integrated substrate alignment stage
JPS63208223A (ja) ウエハ処理装置
JP3540550B2 (ja) 処理装置及び処理方法
JP2001313278A (ja) 半導体ウエハ研磨・最終洗浄装置
JP3066986B2 (ja) ウエット処理装置及びウエット処理方法
JP3448630B2 (ja) ウエハキャリア洗浄装置
JP7428780B2 (ja) 基板処理装置及び方法
JP2020131367A (ja) 研削装置
JP3164597B2 (ja) 半導体ウェ−ハ洗浄装置
US20240226967A1 (en) System and process for post-chemical mechanical polishing cleaning
JP7574304B2 (ja) 基板のspm加工
JP7262594B2 (ja) 塗布、現像装置
JP3229952B2 (ja) ウエハキャリア洗浄装置
KR20080057087A (ko) 웨이퍼 습식 세정 장비 및 이를 이용한 습식 세정 방법
JP3229951B2 (ja) ウエハキャリア洗浄装置
KR980012019A (ko) 웨이퍼 세정장치 및 세정방법
TW202337581A (zh) 在清潔線中清潔半導體晶圓的方法

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Year of fee payment: 12

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081003

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Year of fee payment: 12

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081003

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Year of fee payment: 13

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091003

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Year of fee payment: 13

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091003

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101003

Year of fee payment: 14

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Year of fee payment: 14

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101003

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees