JP2558172B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の分野〕 本発明は、半導体素子と、前記半導体素子のためのキ
ャリア部材と、電気的接続導体と、前記半導体素子上の
接続領域と前記電気的接続導体との間のワイヤ接続部
と、前記キャリア部材から離れ、能動回路が設けられた
前記半導体素子の表面上のコーティングと、前記接続導
体の一部が外部へ突出する合成材料のエンベロープとを
有し、前記コーティングは電気的絶縁性で、前記半導体
素子の前記能動表面と前記エンベロープとの間に生ずる
剪断応力を調整するための弾力性を有し、前記剪断応力
が前記コーティングで被覆された前記表面に実質的に平
行に生ずる半導体装置に関するものである。
ャリア部材と、電気的接続導体と、前記半導体素子上の
接続領域と前記電気的接続導体との間のワイヤ接続部
と、前記キャリア部材から離れ、能動回路が設けられた
前記半導体素子の表面上のコーティングと、前記接続導
体の一部が外部へ突出する合成材料のエンベロープとを
有し、前記コーティングは電気的絶縁性で、前記半導体
素子の前記能動表面と前記エンベロープとの間に生ずる
剪断応力を調整するための弾力性を有し、前記剪断応力
が前記コーティングで被覆された前記表面に実質的に平
行に生ずる半導体装置に関するものである。
このような半導体装置はヨーロッパ特許出願第260360
号により知られている。
号により知られている。
集積回路のように半導体素子の大きさが増大し、一方
前記半導体素子のエンベロープは同じ大きさのままのた
め、機械的な問題が生じ得る。これらの問題の一つは実
際の回路が位置する領域での半導体素子の表面に生じ得
る機械的な破損に関係する。本発明はこの問題に関する
もので、特にパターン・シフト（pattern shift、回路
パターンの剥離）として文献等にしばしば言及されるも
のである。
前記半導体素子のエンベロープは同じ大きさのままのた
め、機械的な問題が生じ得る。これらの問題の一つは実
際の回路が位置する領域での半導体素子の表面に生じ得
る機械的な破損に関係する。本発明はこの問題に関する
もので、特にパターン・シフト（pattern shift、回路
パターンの剥離）として文献等にしばしば言及されるも
のである。
パターン・シフト（pattern shift）はアルミニウム
・トラックが半導体素子の中心部に向かってシフトする
ことを意味すると理解される。即ち半導体素子の表面に
ある配線に関するものである。前記パターン・シフト
（pattern shift）は、例えばシリコンのような半導体
素子材料と例えばエポキシ樹脂のようなエンベロープ材
料との間の熱膨張率の差により生ずる。熱負荷は前記半
導体素子が前記合成樹脂材料で封止された場合、特に摂
氏175℃の温度に到達した前記合成材料の冷却中に生ず
る。温度変化試験が行われる場合熱負荷はより高度に生
ずる。これらの試験で、半導体装置全体の特性が絶えず
非常に大きく変化する温度状態のもとで調査され、半導
体装置は例えば−65℃のような０℃より充分に低い温度
と、例えば150℃のような０℃より充分に高い温度との
間に多数回の温度変化サイクルを受ける。パターン・シ
フト（pattern shift）は特に多数の変化の場合、熱的
に変化する動作状態下でも特に生じ得る。
・トラックが半導体素子の中心部に向かってシフトする
ことを意味すると理解される。即ち半導体素子の表面に
ある配線に関するものである。前記パターン・シフト
（pattern shift）は、例えばシリコンのような半導体
素子材料と例えばエポキシ樹脂のようなエンベロープ材
料との間の熱膨張率の差により生ずる。熱負荷は前記半
導体素子が前記合成樹脂材料で封止された場合、特に摂
氏175℃の温度に到達した前記合成材料の冷却中に生ず
る。温度変化試験が行われる場合熱負荷はより高度に生
ずる。これらの試験で、半導体装置全体の特性が絶えず
非常に大きく変化する温度状態のもとで調査され、半導
体装置は例えば−65℃のような０℃より充分に低い温度
と、例えば150℃のような０℃より充分に高い温度との
間に多数回の温度変化サイクルを受ける。パターン・シ
フト（pattern shift）は特に多数の変化の場合、熱的
に変化する動作状態下でも特に生じ得る。
従って、半導体素子の表面の剪断応力の減少は重要で
ある。様々な方法をこのために行うことが出来る。これ
らの成果の一つは前記エンベロープの合成材料の組織及
び重合技術を変えることで、従っていわゆる低い応力プ
ラスチック（lowstress plastic）を得ることができ
る。応力の発生は、これによりある程度まで減少する
が、しかし合成エンベロープ材料自体の特性、例えばこ
れらの耐湿性のように他の点でより悪くなる。
ある。様々な方法をこのために行うことが出来る。これ
らの成果の一つは前記エンベロープの合成材料の組織及
び重合技術を変えることで、従っていわゆる低い応力プ
ラスチック（lowstress plastic）を得ることができ
る。応力の発生は、これによりある程度まで減少する
が、しかし合成エンベロープ材料自体の特性、例えばこ
れらの耐湿性のように他の点でより悪くなる。
より普通の解決は前記半導体素子の能動表面上のポリ
マー・コーティング層の塗布で求められる。より弾力性
を有する分離層を前記半導体素子の表面と前記合成エン
ベロープとの間に塗布し、この層は前記応力を吸収する
ことになる。前記コーティングは、封止される前に完成
された個別の半導体素子上に塗布されてもよく（明らか
に高価であるチップコーティング）、この方法で半導体
素子の全表面は被覆され、又は前記コーティングは半導
体ウェーハのパターンが個別の素子に分割される前に半
導体ウェーハ上のパターンに塗布されてもよい（ウェー
ハコーティング）。この方法では、非常により安く、こ
れから塗布されるべき接続ワイヤ部のための接触領域及
びけがき又は鋸引きレーンも多分コーティングがないま
まであり、一方他の表面は完全に被覆される。比較的ソ
フトなコーティングが用いられるならば（必要ではない
が好ましくは略100MPa以下のヤング率）、剪断応力は充
分に吸収される。ヨーロッパ特許出願第260360号は、こ
の例を提供するものである。このために比較的厚いコー
ティングが塗布されるならば、接続ワイヤ部が引きはが
され得る可能性を示す。これを防止するために、ヨーロ
ッパ特許出願第260360号は薄いコーティング層の使用を
提唱し、その結果半導体素子上の接続領域とのワイヤの
半球状接触点に完全に被覆されないし、又この半球状接
触点に主として力が加えられる。前記半導体素子に対し
て前記エポキシエンベロープのシフトにより生ずる力
は、ワイヤ断面よりもより非常に大きな表面領域を有す
る半球状接続により吸収される。しかしながら、これは
特により大きな半導体素子において、前記接続領域に加
える力はかなりのものであり、前記接続領域の接続点が
剥離されるという問題を導く。
マー・コーティング層の塗布で求められる。より弾力性
を有する分離層を前記半導体素子の表面と前記合成エン
ベロープとの間に塗布し、この層は前記応力を吸収する
ことになる。前記コーティングは、封止される前に完成
された個別の半導体素子上に塗布されてもよく（明らか
に高価であるチップコーティング）、この方法で半導体
素子の全表面は被覆され、又は前記コーティングは半導
体ウェーハのパターンが個別の素子に分割される前に半
導体ウェーハ上のパターンに塗布されてもよい（ウェー
ハコーティング）。この方法では、非常により安く、こ
れから塗布されるべき接続ワイヤ部のための接触領域及
びけがき又は鋸引きレーンも多分コーティングがないま
まであり、一方他の表面は完全に被覆される。比較的ソ
フトなコーティングが用いられるならば（必要ではない
が好ましくは略100MPa以下のヤング率）、剪断応力は充
分に吸収される。ヨーロッパ特許出願第260360号は、こ
の例を提供するものである。このために比較的厚いコー
ティングが塗布されるならば、接続ワイヤ部が引きはが
され得る可能性を示す。これを防止するために、ヨーロ
ッパ特許出願第260360号は薄いコーティング層の使用を
提唱し、その結果半導体素子上の接続領域とのワイヤの
半球状接触点に完全に被覆されないし、又この半球状接
触点に主として力が加えられる。前記半導体素子に対し
て前記エポキシエンベロープのシフトにより生ずる力
は、ワイヤ断面よりもより非常に大きな表面領域を有す
る半球状接続により吸収される。しかしながら、これは
特により大きな半導体素子において、前記接続領域に加
える力はかなりのものであり、前記接続領域の接続点が
剥離されるという問題を導く。
本発明は簡単で安価な手段によりパターン・シフトを
防止し、一方同時に接続ワイヤの破壊及び接続部の剥離
を排除する半導体装置を提供することを目的とする。
防止し、一方同時に接続ワイヤの破壊及び接続部の剥離
を排除する半導体装置を提供することを目的とする。
本発明によれば、この目的は剪断応力を吸収するコー
ティングが半導体素子の能動表面の外縁端に位置され、
よって前記表面の中心部分は露出された状態にあり、ワ
イヤ接続のための接続領域以外に前記コーティングが延
在するということにより達成される。
ティングが半導体素子の能動表面の外縁端に位置され、
よって前記表面の中心部分は露出された状態にあり、ワ
イヤ接続のための接続領域以外に前記コーティングが延
在するということにより達成される。
本発明はパターン・シフトに対抗する手段が、これを
必要とするところにのみ行われるべきであるとの認識に
基づくものである。半導体装置内に力のより好ましい分
布が生ずるのを達成することが出来る。
必要とするところにのみ行われるべきであるとの認識に
基づくものである。半導体装置内に力のより好ましい分
布が生ずるのを達成することが出来る。
合成材料のエンベロープは、本発明による装置では半
導体素子の露出された中心部分に直接付着する。剪断応
力は熱負荷の場合に半導体素子内に生じ得るが、しか
し、これらのずれ応力は比較的小さな力でありパターン
・シフトを生じない。コーティングなしに剪断力が最大
であるところの半導体素子の外縁端で、前記半導体素子
と前記エンベロープとの間に前記コーティングが塗布さ
れることにより、前記剪断応力は吸収される。このよう
にしてパターン・シフトは危険な部分で避けられる。本
発明による手段により、更にまた、前記被覆領域を覆う
半導体素子に対する合成エンベロープの位置ずれの程度
は、半導体素子の全表面のコーティングの場合に比較し
て非常に小さい。前記ワイヤ接続部で受ける力又はワイ
ヤ自身で引っぱる力は、全表面をコーティングした場合
よりかなり小さい。これによりパターン・シフトが阻止
され、ワイヤ接続部の剥離又はワイヤの損傷の両方が生
じないことを達成する。
導体素子の露出された中心部分に直接付着する。剪断応
力は熱負荷の場合に半導体素子内に生じ得るが、しか
し、これらのずれ応力は比較的小さな力でありパターン
・シフトを生じない。コーティングなしに剪断力が最大
であるところの半導体素子の外縁端で、前記半導体素子
と前記エンベロープとの間に前記コーティングが塗布さ
れることにより、前記剪断応力は吸収される。このよう
にしてパターン・シフトは危険な部分で避けられる。本
発明による手段により、更にまた、前記被覆領域を覆う
半導体素子に対する合成エンベロープの位置ずれの程度
は、半導体素子の全表面のコーティングの場合に比較し
て非常に小さい。前記ワイヤ接続部で受ける力又はワイ
ヤ自身で引っぱる力は、全表面をコーティングした場合
よりかなり小さい。これによりパターン・シフトが阻止
され、ワイヤ接続部の剥離又はワイヤの損傷の両方が生
じないことを達成する。
外縁端の前記コーティングは小さな幅の領域を被覆す
る事のみが必要である。コーティングが内縁端で楕円形
を有することが実用的である。
る事のみが必要である。コーティングが内縁端で楕円形
を有することが実用的である。
前記コーティングは全周辺領域を覆うように塗布され
てもよいが、危険な該当部分にのみ局所的に塗布される
ことも可能である。
てもよいが、危険な該当部分にのみ局所的に塗布される
ことも可能である。
前記接続ワイヤ部の前記接続領域がコーティングがな
いならば、製造上及び強度の両方の理由により有益であ
る。
いならば、製造上及び強度の両方の理由により有益であ
る。
本発明の実施例を図面を参照し更に詳細に説明する。
図１は合成材料で形成されたエンベローブを備える半
導体装置の従来例を示す。半導体素子１はリードフレー
ムのキャリア部材２の上に取り付けられる。この取り付
けは、例えばはんだ又は電気的導電接着材を用いて行わ
れる。接続導体３も前記リードフレームの一部を形成す
る。前記半導体素子１と前記接続導体３との間に電気的
接続は接続ワイヤ４による。接続ワイヤ４は前記半導体
素子１の各々の接続領域（ボンドパッド）から接続導体
３に至る。頻繁に用いられる接続技術は、ボールボンデ
ィング又はネールヘッドボンディングである。前記半導
体素子１と前記接続ワイヤ４と前記リードフレーム２及
び３の一部とは、例えばエポキシ樹脂のような合成材料
のエンベロープで封止される。
導体装置の従来例を示す。半導体素子１はリードフレー
ムのキャリア部材２の上に取り付けられる。この取り付
けは、例えばはんだ又は電気的導電接着材を用いて行わ
れる。接続導体３も前記リードフレームの一部を形成す
る。前記半導体素子１と前記接続導体３との間に電気的
接続は接続ワイヤ４による。接続ワイヤ４は前記半導体
素子１の各々の接続領域（ボンドパッド）から接続導体
３に至る。頻繁に用いられる接続技術は、ボールボンデ
ィング又はネールヘッドボンディングである。前記半導
体素子１と前記接続ワイヤ４と前記リードフレーム２及
び３の一部とは、例えばエポキシ樹脂のような合成材料
のエンベロープで封止される。
大きくて高度に複雑な回路を能動表面５に設けること
が出来るように前記半導体素子の大きさの増大に対する
明白な傾向が実際に存在する。しかしながら、パターン
・シフト（pattern shift）のような機械的な問題を生
じることが見られた。パターン・シフト（pattern shif
t）は前記表面５にある集積回路のアルミニウムのワイ
ヤリングのシフトに関係し、また熱負荷により生じる。
これは、例えばシリコンを有する半導体素子と、例えば
エポキシ樹脂のエンベロープとの間の膨張率の明らかな
差によるものである。主要な剪断応力の場合に、前記表
面５上に塗布された例えば窒化シリコンの保護膜が、ア
ルミニウムトラックを被覆するため段階的に積み上げて
いる層の領域において剥離され得る。それから、前記ア
ルミニウムトラック上に加えられる剪断応力は、このト
ラックの幅及び原位置にある剪断応力に比例する。前記
剪断応力及び前記アルミニウム・トラックの幅の両方は
前記半導体素子の端部（ワイヤ接続部及び供給ラインの
ための接続領域）で最大であり、その結果パターン・シ
フトは、ここで容易に生じるであろう。
が出来るように前記半導体素子の大きさの増大に対する
明白な傾向が実際に存在する。しかしながら、パターン
・シフト（pattern shift）のような機械的な問題を生
じることが見られた。パターン・シフト（pattern shif
t）は前記表面５にある集積回路のアルミニウムのワイ
ヤリングのシフトに関係し、また熱負荷により生じる。
これは、例えばシリコンを有する半導体素子と、例えば
エポキシ樹脂のエンベロープとの間の膨張率の明らかな
差によるものである。主要な剪断応力の場合に、前記表
面５上に塗布された例えば窒化シリコンの保護膜が、ア
ルミニウムトラックを被覆するため段階的に積み上げて
いる層の領域において剥離され得る。それから、前記ア
ルミニウムトラック上に加えられる剪断応力は、このト
ラックの幅及び原位置にある剪断応力に比例する。前記
剪断応力及び前記アルミニウム・トラックの幅の両方は
前記半導体素子の端部（ワイヤ接続部及び供給ラインの
ための接続領域）で最大であり、その結果パターン・シ
フトは、ここで容易に生じるであろう。
この問題に対する解決は、前記半導体素子の能動表面
上のコーティングの塗布に見い出された。前記能動表面
は合成材料のエンベロープから分離されている。前記コ
ーティングは、例えばシリコンコーティングのようなポ
リマーコーティングの比較的柔らかい合成材料を有する
場合、パターン・シフトの問題はもはや生じない。図２
は半導体素子が“ウェーハコーティング”（wafer coat
ing）を備える半導体装置を概略的に表わす。例えば鋸
引きを用いて、個別の半導体素子に半導体ウェーハを分
割する前に、コーティング６を前記半導体ウェーハ上に
塗布することを意味する。パターンが形成され、前記パ
ターンにおいて、更に塗布されるべき接続ワイヤ４のた
めの接続領域７及び切断トラック８はコーティングがな
い。（個別の完成した半導体素子の上にコーティングを
塗布すること（チップコーティング）も可能であり、こ
の場合半導体装置の表面全体が被覆される。しかしなが
ら、これは高価である。以下の説明はチップコーティン
グの半導体装置にも原則的に有効である。） 図３は、前記半導体素子の表面での剪断応力σの発生
を示すもので、コーティングのない図１による装置にお
ける場合を破線Ａで示し、コーティングを有する図２に
よる半導体装置の実線Ｂで示す。Ｒは半導体素子の中心
から端部までの距離を示す。コーティングを用いる場合
半導体素子の表面は剪断応力のないことが明確に見られ
る。前記エンベロープの合成材料が前記ワイヤのための
接続領域７の付近の半導体表面と接触するところで、応
力のピークが生ずるのみである。パターン・シフト（pa
ttern shift）は前記コーティングの使用によってもは
や生じない。しかしながら、ここで他の問題がこの場合
生ずる。図４は半導体素子に対する前記コーティングの
上表面変位の例を示し、これは原位置での合成材料の変
位でもある。半導体素子の中心からこの端部に向かって
この変位Ｖが考慮される。主要な力がこの変位により前
記ワイヤ４に加えられる。これは、前記接続領域７に於
けるワイヤ接続部の剥離あるいはワイヤ損傷を導く。
上のコーティングの塗布に見い出された。前記能動表面
は合成材料のエンベロープから分離されている。前記コ
ーティングは、例えばシリコンコーティングのようなポ
リマーコーティングの比較的柔らかい合成材料を有する
場合、パターン・シフトの問題はもはや生じない。図２
は半導体素子が“ウェーハコーティング”（wafer coat
ing）を備える半導体装置を概略的に表わす。例えば鋸
引きを用いて、個別の半導体素子に半導体ウェーハを分
割する前に、コーティング６を前記半導体ウェーハ上に
塗布することを意味する。パターンが形成され、前記パ
ターンにおいて、更に塗布されるべき接続ワイヤ４のた
めの接続領域７及び切断トラック８はコーティングがな
い。（個別の完成した半導体素子の上にコーティングを
塗布すること（チップコーティング）も可能であり、こ
の場合半導体装置の表面全体が被覆される。しかしなが
ら、これは高価である。以下の説明はチップコーティン
グの半導体装置にも原則的に有効である。） 図３は、前記半導体素子の表面での剪断応力σの発生
を示すもので、コーティングのない図１による装置にお
ける場合を破線Ａで示し、コーティングを有する図２に
よる半導体装置の実線Ｂで示す。Ｒは半導体素子の中心
から端部までの距離を示す。コーティングを用いる場合
半導体素子の表面は剪断応力のないことが明確に見られ
る。前記エンベロープの合成材料が前記ワイヤのための
接続領域７の付近の半導体表面と接触するところで、応
力のピークが生ずるのみである。パターン・シフト（pa
ttern shift）は前記コーティングの使用によってもは
や生じない。しかしながら、ここで他の問題がこの場合
生ずる。図４は半導体素子に対する前記コーティングの
上表面変位の例を示し、これは原位置での合成材料の変
位でもある。半導体素子の中心からこの端部に向かって
この変位Ｖが考慮される。主要な力がこの変位により前
記ワイヤ４に加えられる。これは、前記接続領域７に於
けるワイヤ接続部の剥離あるいはワイヤ損傷を導く。
本発明はワイヤ接続部の剥離又はワイヤの損傷が生じ
ないような方法でパターン・シフトの問題を除くことで
ある。本発明によれば、コーティングはパターン・シフ
トの起こり得る領域にのみ塗布され、この領域は半導体
素子の周辺の近くである。
ないような方法でパターン・シフトの問題を除くことで
ある。本発明によれば、コーティングはパターン・シフ
トの起こり得る領域にのみ塗布され、この領域は半導体
素子の周辺の近くである。
図５は半導体素子１に塗布されたコーティング９を有
する本発明の実施例の平面図を概略的に示す。前記コー
ティング９はハッチングで示されている。大きさは明瞭
のために縮尺に従い描かれてはいない。前記コーティン
グ９は前記半導体素子の周辺の付近にのみ存在する。半
導体素子の中心部分はコーティングがないので、合成エ
ンベロープは前記表面に直接被着することができる（上
記の理由により、この実施例において接続領域７及び鋸
引きレーン８のどちらにも全くコーティングは存在しな
い）。コーティングの内縁端10は実用的な理由により楕
円形であるが、他の形状、例えば長方形であっても本発
明の効果を達成することが出来る。前記コーティングの
最小幅Ｄは広い範囲であってもよい。略500μｍの幅Ｄ
が最も適切であることが見出された。
する本発明の実施例の平面図を概略的に示す。前記コー
ティング９はハッチングで示されている。大きさは明瞭
のために縮尺に従い描かれてはいない。前記コーティン
グ９は前記半導体素子の周辺の付近にのみ存在する。半
導体素子の中心部分はコーティングがないので、合成エ
ンベロープは前記表面に直接被着することができる（上
記の理由により、この実施例において接続領域７及び鋸
引きレーン８のどちらにも全くコーティングは存在しな
い）。コーティングの内縁端10は実用的な理由により楕
円形であるが、他の形状、例えば長方形であっても本発
明の効果を達成することが出来る。前記コーティングの
最小幅Ｄは広い範囲であってもよい。略500μｍの幅Ｄ
が最も適切であることが見出された。
図６に、半導体素子の表面における剪断応力σの発生
を示す。破線Ａはコーティングのない剪断応力を表し、
実線Ｃは周囲にコーティングを有する剪断応力を表す。
剪断応力は半導体素子の端部に向かってゆっくりと立ち
上がることが実線Ｃに見ることが出来る。しかしなが
ら、パターン・シフトはこれらの低い値では全く生じな
い。ワイヤのための接続領域７の応力のピークは、半導
体素子の全表面がコーティングされている場合に比べて
非常に低い。パターン・シフトは本発明による実施例で
は明らかに生じないであろう。コーティングの最小幅
は、グラフにおいてＤで示される。
を示す。破線Ａはコーティングのない剪断応力を表し、
実線Ｃは周囲にコーティングを有する剪断応力を表す。
剪断応力は半導体素子の端部に向かってゆっくりと立ち
上がることが実線Ｃに見ることが出来る。しかしなが
ら、パターン・シフトはこれらの低い値では全く生じな
い。ワイヤのための接続領域７の応力のピークは、半導
体素子の全表面がコーティングされている場合に比べて
非常に低い。パターン・シフトは本発明による実施例で
は明らかに生じないであろう。コーティングの最小幅
は、グラフにおいてＤで示される。
図７は半導体素子に対しエンベロープの合成材料の変
位を示す。合成エンベロープが半導体素子の中心部分に
おける半導体素子の表面に直接被着するという事実のた
めに、比較的小さな変位が前記周辺付近においてのみ生
ずる。ワイヤ４に影響するこの比較的小さな変位は、こ
れらのワイヤにより容易に調節できるので、ワイヤ接続
部の剥離及びワイヤの損傷は生じ得ない。パターン・シ
フト及びワイヤ接続部の剥離又はワイヤの損傷を防止す
る二重の効果が、本発明を用いて達成される。
位を示す。合成エンベロープが半導体素子の中心部分に
おける半導体素子の表面に直接被着するという事実のた
めに、比較的小さな変位が前記周辺付近においてのみ生
ずる。ワイヤ４に影響するこの比較的小さな変位は、こ
れらのワイヤにより容易に調節できるので、ワイヤ接続
部の剥離及びワイヤの損傷は生じ得ない。パターン・シ
フト及びワイヤ接続部の剥離又はワイヤの損傷を防止す
る二重の効果が、本発明を用いて達成される。
比較的柔らかいコーティングが好ましくは用いられ、
これは100MPaの弾性率（ヤング率）又はそれ以下の弾性
率を有するコーティングである。しかしながら、比較的
高い弾性率を有するコーティングでも、充分満足する。
コーティングの材料は例えばポリマーのようなものでも
よい。シリコンコーティングは大変適切なものであるこ
とが見出されたが、他の材料も用いることも出来る。コ
ーティングの厚さは広い範囲で変えてもよい。本発明の
好ましい効果は、例えば10μｍ以下のような特別に薄い
コーティングを必要とせず、従ってエンベロープの合成
材料は、ワイヤ接続の点のみに力を加える。ワイヤ上の
力は合成材料の変位（比較的小さい変位）により限定さ
れたままであるので、例えば30μｍ又はそれ以上の大き
な値も許容される。
これは100MPaの弾性率（ヤング率）又はそれ以下の弾性
率を有するコーティングである。しかしながら、比較的
高い弾性率を有するコーティングでも、充分満足する。
コーティングの材料は例えばポリマーのようなものでも
よい。シリコンコーティングは大変適切なものであるこ
とが見出されたが、他の材料も用いることも出来る。コ
ーティングの厚さは広い範囲で変えてもよい。本発明の
好ましい効果は、例えば10μｍ以下のような特別に薄い
コーティングを必要とせず、従ってエンベロープの合成
材料は、ワイヤ接続の点のみに力を加える。ワイヤ上の
力は合成材料の変位（比較的小さい変位）により限定さ
れたままであるので、例えば30μｍ又はそれ以上の大き
な値も許容される。
半導体素子の中心部分はコーティングがないままであ
ることが、本発明による実施例に示されている。これは
出発点として重要である。しかしながら、どのような理
由にせよ、コーティングが前記中心の比較的小さな部分
に塗布されるならば、本発明の原則は充分に損なわれず
に維持される。
ることが、本発明による実施例に示されている。これは
出発点として重要である。しかしながら、どのような理
由にせよ、コーティングが前記中心の比較的小さな部分
に塗布されるならば、本発明の原則は充分に損なわれず
に維持される。
第１図は従来の半導体装置の概略を示し、第２図は半導
体装置の表面にコーティングを設けた半導体装置の概略
図を示し、第３図は前記半導体素子の表面に於ける応力
発生を表わすグラフを示し、第４図は第２図によるコー
ティングのための前記半導体素子に対する前記コーティ
ングの上部の変位を表すグラフを示し、第５図は本発明
によるコーティングを備える半導体素子の平面図を示
し、第６図は外周コーティングを有する半導体素子の表
面に於ける応力発生を表すグラフを示し、第７図は半導
体素子に対するエンベロープの合成材料の変位のグラフ
を示す。 １……半導体素子、２……キャリア部材、 ３……接続導体、４……接続ワイヤ、 ５……能動表面、６……コーティング、 ７……接続領域、８……鋸引きトラック、 ９……本発明によるコーティング、 10……内縁端。
体装置の表面にコーティングを設けた半導体装置の概略
図を示し、第３図は前記半導体素子の表面に於ける応力
発生を表わすグラフを示し、第４図は第２図によるコー
ティングのための前記半導体素子に対する前記コーティ
ングの上部の変位を表すグラフを示し、第５図は本発明
によるコーティングを備える半導体素子の平面図を示
し、第６図は外周コーティングを有する半導体素子の表
面に於ける応力発生を表すグラフを示し、第７図は半導
体素子に対するエンベロープの合成材料の変位のグラフ
を示す。 １……半導体素子、２……キャリア部材、 ３……接続導体、４……接続ワイヤ、 ５……能動表面、６……コーティング、 ７……接続領域、８……鋸引きトラック、 ９……本発明によるコーティング、 10……内縁端。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ハンス・ファン・ウェインガーデン オランダ国 アインドーフェン フルー ネヴァウツウェッハ １ (72)発明者 コルネリス・ヤン・ヘンドリック・デ・ ツェーウ オランダ国 アインドーフェン フルー ネヴァウツウェッハ １
Claims (8)
- 【請求項１】半導体素子と、前記半導体素子のためのキ
ャリア部材と、電気的接続導体と、前記半導体素子上の
接続領域と前記電気的接続導体との間のワイヤ接続部
と、前記キャリア部材から離れ、能動回路が設けられた
前記半導体素子の表面上のコーティングと、前記接続導
体の一部が外部へ突出する合成材料のエンベロープとを
有し、前記コーティングは電気的絶縁性で、前記半導体
素子の前記能動表面と前記エンベロープとの間に生ずる
剪断応力を調整するための弾力性を有し、前記剪断応力
が前記コーティングで被覆された前記表面に実質的に平
行に生ずる半導体装置において、前記剪断応力を吸収す
る前記コーティングが前記半導体素子の前記能動表面の
外縁端に位置し、よって前記表面の中心部分が露出され
た状態にあり、前記ワイヤ接続部のための前記接続領域
以外に前記コーティングが延在することを特徴とする半
導体装置。 - 【請求項２】特許請求の範囲第１項に記載の半導体装置
において、前記コーティングは略500μｍの幅を有する
周辺領域を占めることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項３】特許請求の範囲第１項に記載の半導体装置
において、前記コーティングは該内縁端で楕円形を有
し、前記外縁端への前記コーティングの最小幅は略500
μｍであることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項４】特許請求の範囲第１項ないし第３項の何れ
か１項に記載の半導体装置において、前記ワイヤ接続部
のための前記接続領域はコーティングがないことを特徴
とする半導体装置。 - 【請求項５】特許請求の範囲第４項に記載の半導体装置
において、けがき又は鋸引きレーンもまたコーティング
がないことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項６】特許請求の範囲第１項ないし第４項の何れ
か１項に記載の半導体装置において、前記コーティング
は、100MPa以下の弾性率（ヤング率）を有することを特
徴とする半導体装置。 - 【請求項７】特許請求の範囲第１項ないし第６項の何れ
か１項に記載の半導体装置において、前記コーティング
はポリマー材料を有することを特徴とする半導体装置。 - 【請求項８】特許請求の範囲第１項ないし第７項の何れ
か１項に記載の半導体装置において、前記コーティング
はシリコンベースの材料から形成されることを特徴とす
る半導体装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8902018A NL8902018A (nl) | 1989-08-07 | 1989-08-07 | Halfgeleiderinrichting. |
| NL8902018 | 1989-08-07 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0377354A JPH0377354A (ja) | 1991-04-02 |
| JP2558172B2 true JP2558172B2 (ja) | 1996-11-27 |
Family
ID=19855147
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2206660A Expired - Fee Related JP2558172B2 (ja) | 1989-08-07 | 1990-08-03 | 半導体装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
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| EP (1) | EP0412608B1 (ja) |
| JP (1) | JP2558172B2 (ja) |
| KR (1) | KR0185383B1 (ja) |
| DE (1) | DE69016527T2 (ja) |
| NL (1) | NL8902018A (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| JP3223246B2 (ja) * | 1997-07-25 | 2001-10-29 | 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社 | 半導体装置 |
| US6621173B1 (en) | 1998-07-23 | 2003-09-16 | Dow Corning Toray Silicone Co., Ltd. | Semiconductor device having an adhesive and a sealant |
| US6204557B1 (en) | 1999-09-13 | 2001-03-20 | Integrated Device Technology, Inc. | Reduction of topside movement during temperature cycles |
| US7071559B2 (en) * | 2004-07-16 | 2006-07-04 | International Business Machines Corporation | Design of beol patterns to reduce the stresses on structures below chip bondpads |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPS60206153A (ja) * | 1984-03-30 | 1985-10-17 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JPS6110243A (ja) * | 1984-06-26 | 1986-01-17 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JPS61230344A (ja) * | 1985-04-05 | 1986-10-14 | Toray Silicone Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置 |
| ES2046984T3 (es) * | 1986-12-19 | 1994-02-16 | Philips Nv | Metodo de fabricar un dispositivo semiconductor con tension de encapsulacion reducida. |
-
1989
- 1989-08-07 NL NL8902018A patent/NL8902018A/nl not_active Application Discontinuation
-
1990
- 1990-07-17 US US07/554,631 patent/US5043793A/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-08-03 JP JP2206660A patent/JP2558172B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1990-08-03 DE DE69016527T patent/DE69016527T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-08-03 EP EP90202114A patent/EP0412608B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-08-06 KR KR1019900011993A patent/KR0185383B1/ko not_active IP Right Cessation
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|---|---|
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| KR0185383B1 (ko) | 1999-04-15 |
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| DE69016527D1 (de) | 1995-03-16 |
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|---|---|---|---|
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