JP2555150B2

JP2555150B2 - 固体撮像装置

Info

Publication number: JP2555150B2
Application number: JP63135526A
Authority: JP
Inventors: 知行倉重; 宅哉今出; 敏郎衣笠
Original assignee: Hitachi Image Information Systems Inc; Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Image Information Systems Inc; Hitachi Ltd
Priority date: 1988-06-03
Filing date: 1988-06-03
Publication date: 1996-11-20
Anticipated expiration: 2011-11-20
Also published as: JPH01305673A

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は固体撮像装置に係り、特に固体撮像素子に発
生する暗電流を補正して黒レベルの温度変動を抑圧した
固体撮像装置に関する。

〔従来の技術〕

フォトダイオード等の光電変換素子を画素として、こ
れら画素を順次走査して映像信号を得る固体撮像装置に
おいて、避けられない問題のひとつに暗電流がある。

まず、第２図，第３図，第４図を用いて、固体撮像装
置の概略を説明し、続いて、暗電流について説明する。
第２図は固体撮像素子の略構成図である。フォトダイオ
ード23に蓄えられた信号は、水平走査回路21及び垂直走
査回路22により、水平選択スイッチ25、及び垂直選択ス
イッチ24,26が選択されたタイミングで、水平信号線2
7、さらに垂直信号線28側へ読み出され、前置増幅器29
で、電圧信号に変換される。

第３図は、上記した固体撮像素子の画素ごとの単位回
路である。図中31〜38は、第２図の21〜28の部分にそれ
ぞれ相当する。第４図は、第３図の回路を半導体基板上
に構成した縦構造図である。

第４図において41はＮ形半導体基板であり、42はＰ形
ウエル層である。43,44,45は、水平，垂直選択スイッチ
のドレイン及びソースをなすｎ形拡散層であり、このう
ち43はフォトダイオードのカソードとなる。46は垂直選
択スイッチのゲート、47は水平選択スイッチのゲートで
ある。48は絶縁酸化膜、49はアルミ信号線である。

同図において、ｎ形基板41には一般に５〜7Vの正電圧
を印加する。さらにＰ形ウエル42は、第２図，第３図に
おけるグランドに相当する部位であるが、この部分にも
0.5〜1V程度の正電圧を印加することが通常である。こ
れは、極端に強い光がフォトダイオードに入射したとき
に、画素からあふれた電荷が、水平，垂直選択スイッチ
の電位障壁をのりこえて、出力側へ流れ出してしまうブ
ルーミング現象を抑圧するためである。ウェル42に正電
圧を与えて電位ポテンシャルを少し下げておけば、あふ
れた電荷は、ウェル側へ流れ、上記したブルーミングは
発生しない。

問題とする暗電流は、上記したウエルと、フォトダイ
オード、及び水平，垂直信号線間のｎ−ｐ接合で、第３
図中、矢印I₁,I₂,I₃に示すように発生する。

この暗電流Ｉは、撮像素子固体定数をa,b、絶対温度
Ｔとすると、Ｉ＝ae^-b/T で表わされるように、温度と共に指数関数的に増加す
る。暗電流の発生により、無信号時の再生レベル、すな
わち黒レベルがオフセットを持つこととなり、これによ
り、黒レベルが温度変動してしまう。

従来からこの問題を回避するために外部回路により、
上記変動分をキャンセルすることが行なわれてきた。こ
の種の装置については、例えば、特公昭62−4033今出他
「固体撮像装置」において論じられている。

本従来例では、暗電流と同様に温度によって指数関数
的に変化するバイポーラトランジスタのコレクタ電流を
補正信号として用いている。

また、最近では、第５図に示すように固体撮像素子5
1,52の画素アレイ53,54の一部をアルミなどで遮光し、
この部分55,56を光学黒として、同部分の再生電位を基
準黒とし、暗電流による変動分を相殺する方法が一般的
となっている。

しかしながら、上記した光学黒を用いても、撮像素子
製造過程での、光学黒を生成するためのアルミエッチン
グや、受光面への色フィルタ貼付などにより、光学黒の
部分と、受光部の部分とが厳密には均質とならず、各々
で発生する暗電流量にアンバランスが生じて黒ずれが発
生し、同じく外部回路による補償を必要としていた。

〔発明が解決しようとする課題〕

前記従来例においては、補償誤差に関しても言及して
あるが、近年、固体撮像素子の高感度化は急速に進んで
おり、これにより暗電流補償誤差に対する許容度は増々
厳しくなってきており、より正確な補償を行なう必要が
生じてきている。

さらに近年、詳細は後述するが、画素の読み出し周
期、すなわち電荷蓄積時間を標準時よりも延長し、画像
メモリと組みあわせて高感度化を図る機能を有した固体
撮像装置や、逆に電荷蓄積時間を短かくして高速シャッ
タ効果を得るような機能を有した固体撮像装置が提案さ
れている。

画素に蓄積される暗電流量は、蓄積時間に比例するの
でこのように画素の電気蓄積時間を変化させた場合、当
然ながら暗電流による黒レベルの変動量も変化し、その
補正量も変化させる必要がある。

従来の補正装置には、このような電荷蓄積時間の変化
については考慮されておらず、適正な補正が行なえない
という問題があった。

したがって本発明の目的は、上記した従来技術の欠点
をなくし、温度ないし電荷蓄積時間が変化しても、黒レ
ベルが変動しない固体撮像装置を提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

上記問題点は以下の技術手段のいずれか、ないし複数
を併用することにより達成される。

1.温度検出用トランジスタないしダイオードから流れる
逆飽和電流をコンデンサ等の充電器に蓄積する手段Ａ
と、該充電器を撮像素子各画素の電荷蓄積時間と同周期
でリセットする手段Ｂと、リセット時に該充電器より放
出された電荷量に比例した振幅の補正パルスを出力する
手段Ｃとからなる暗電流補正回路を構成し、該補正パル
スを映像信号光学黒部分に注入し、受光部黒レベルと、
光学黒部黒レベルを同一とする。

2.固体撮像素子の光学黒部分の画素のウエル層１を、受
光部画素のウエル層２と分離し、該ウエル層１に電圧を
印加する端子Ａと、該ウエル層２に電圧を印加する端子
Ｂを設け、それぞれの端子電圧A,Bを別個に制御して、
光学黒部画素において発生する暗電流量を、受光部画素
において発生する暗電流量と等しくする。

3.固体撮像素子の光学黒部分の画素を走査する走査回路
１を、受光部画素を走査する走査回路２と個別に設け、
該走査回路１の走査速度を、該走査回路２の走査速度と
一定比率を持つように制御し、受光部画素から読み出さ
れる暗電流量と、光学黒部画素から読み出される暗電流
量を等しくする。

〔作用〕

まず必要のため、前記した画素の電荷蓄積時間を延長
して高感度化する手段、及び蓄積時間を短縮して高速シ
ャッタ効果を得る手段について説明する。

第６図は高速シャッタ機能を有する固体撮像素子の構
成図であり、61は水平走査回路、62は垂直走査回路であ
る。63は掃き出し用垂直走査回路であり、64は掃き出し
端子RVである。その他各部の動作は第２図，第３図に示
した標準的な固体撮像素子と同様である。

各々の走査回路61,62,63は、それぞれの走査スタート
パルスH1n,V1n,V1nEのタイミングで走査を開始し、各々
のクロックH1/H2,V1/V2,V1E/V2Eに従い走査を繰り返
す。

第７図は垂直帰線期間付近のタイミングチャートであ
る。期間T3が垂直帰線期間である。

今、第６図Ａの画素に着目する。画素Ａはまず時刻t1
において走査を開始した掃き出し用垂直走査回路、及び
水平走査回路によって選択され、時刻t2において第６図
RV端子電圧にリセットされる。リセット後も画素Ａは光
電変換による電荷蓄積を続け、時刻t3において走査を開
始した読み出し用垂直走査回路、及び水平走査回路にお
いて再度選択され、時刻t4において読み出される。

以上により、画素Ａの電荷蓄積時間は、第７図期間T2
で表わされる短い期間となり、高速シャッタ効果が得ら
れる。電荷蓄積時間T2は、パルスV1nとV1nEの間の期間T
1に等しく、従って、V1nEのV1nに対する位相を変化させ
ることで、電荷蓄積時間を、標準1/60秒から、水平走査
周期である約1/15000秒まで可変しうる。

第８図を用いて長時間蓄積による高感度機能について
説明する。は標準撮像時の信号波形であり、V1nは、前
記の垂直走査回路スタートパルスである。高感度化機能
動作時には、同パルスを同図V1n′に示すようにｎフィ
ールドに１回とする。Ｓ′はその時の信号波形である。
本Ｓ′信号を画像メモリに入力し、次の信号読み出しが
行なわれるまでの間、メモリからの信号で補間して、同
図Ｓ″に示すような信号波形として高感度化を果たして
いる。

以上の高速シャッタ機能及び高感度化機能を単一の固
体撮像装置にもりこむことも、もちろん可能であるが、
これらの機能は、画素の電荷蓄積時間の可変を基本とし
ており、本発明において問題とする暗電流もまた各状態
において変化し、黒レベル変動の問題が発生する。

以下において前記各技術手段の作用について説明す
る。

1.黒レベルの温度変動は、前記したように、光学黒部分
画素に発生する暗電流量と、受光部分画素に発生する暗
電流量の差異により生じる。従って変動量は温度と共に
指数関数的に増大し、また画素の電荷蓄積時間に比例す
る。

前記手段１における温度検出用トランジスタの逆飽和
電流は、暗電流と同じく温度により指数関数的に変化す
る。充電器には画素の電荷蓄積時間に等しい期間だけ逆
飽和電流が流入したのちリセットされるので、補正パル
ス振幅は、黒レベル変動と同じく、温度と共に指数関数
的に変化し、電荷蓄積時間に比例する。したがって上記
補正パルスにより、常に適正な補正を行なうことがで
き、黒レベル変動を抑圧することができる。

2.固体撮像素子の暗電流は、前記したように画素や信号
線と、Ｐ形ウェル層との間のｎ−ｐ接合で発生し、その
発生量はウェル層に印加される電圧に大きく依存する。
そこで光学黒部のウェル層に印加する電圧を、受光部ウ
ェル電圧と個別に制御することで、黒レベル変動を抑圧
することができる。

3.前記したように、各画素から読み出される暗電流量
は、画素の蓄積時間、すなわち走査周期に比例する。光
学黒部画素を走査する走査回路を独立に設けて、受光部
画素の走査周期と、光学黒部画素の走査周期をそれぞれ
の画素に発生する暗電流量の比率と逆比率とすること
で、黒レベル変動を抑圧することができる。

〔実施例〕

第１図、及び第９図，第10図，第11図を用いて本発明
の第１の実施例について説明する。

本実施例においては、固体撮像素子の光学黒部画素
と、受光部画素とにおいて発生する暗電流量の不一致に
より発生する黒レベル変動を、外部回路により補正す
る。

第１図は、黒レベル変動補正回路の構成図であり、第
９図は前記した高速シャッタ機能動作時において、上記
補正回路各端子に印加するパルス、及び回路内各部電圧
波形のタイミングチャートである。第10図は、標準撮像
時における同上のタイミングチャート、第11図は、同じ
く前記した長時間蓄積による高感度機能動作時の同上の
タイミングチャートである。

第１図、及び第９図を用いて、本実施例の構成及び動
作について説明する。

第１図端子11及び12に印加されるパルス▲
▼,V1nは、第６図、及び第７図に説明した、掃出、読出
用垂直走査回路のスタートパルス、及びその逆相パルス
である。したがって固体撮像素子からは、第９図にS1に
示すようなタイミングで信号が読み出されるが、第５図
Ｂに示したような垂直光学黒を設けた場合、この部分の
暗電流量が他の部分と異なるため、波形S1中、OBの部分
のように段差を生じる。この段差幅DEが温度と共に変化
して、黒レベル変動を生じる。

第１図101は温度検出用ダイオードである。本ダイオ
ードを流れる逆飽和電流ｉは、暗電流と同じく温度と共
に指数関数的に変化する。今、パルス▲▼によ
り、時刻t1において容量102内の電荷がリセトされる。
容量102内には、電流ｉによる充電が続き、蓄積された
電荷Ｑは時刻t2においてパルスV1nにより容量103へ転送
される。

この電荷により出力トランジスタ104のベースには、1
02,103の容量をＣとするとQ/Cで与えられる電圧が生じ
て、ホールドされる。この状態において時刻t3〜t4に光
学黒パルスOBPが端子14に印加されると、出力端VOに
は、容量103に発生している電圧υに、出力トランジス
タ104のベース・エミッタ間電圧V_BE5を加えた振幅 υ
＋V_BE5 なるパルスVOが出力される。その後時刻t5にお
いて容量103内の電荷はリセットされる。

実際には、容量103のリセット電位はトランジスタT4
のベース・エミッタ間電圧V_BE4であるため、V_BE4＝V_BE5
であるならば、出力パルスVOの振幅は、時刻t1からt2ま
での時間をｔとすると、次式で表わされる。

ここにおいて前述したように逆飽和電流ｉは、暗電流
と同様の依存性を持つ。さらに時間ｔは、第７図に示し
たように、撮像素子画素の電荷蓄積時間に常に等しい。
従って、第１図抵抗R4を調整して、この出力パルスVOを
撮像素子出力信号に注入すれば、第９図S2に示すよう
に、あらゆる温度において光学黒部OB部に発生する段差
を消去することができ、黒レベル変動を抑圧することが
できる。

さらに第10図，第11図に、標準撮像時、及び長時間蓄
積時の第９図に対応したタイミングチャートを示すが、
いずれの場合にも、出力パルスVOの振幅は、それぞれの
撮像素子画素の電荷蓄積時間ｔに比例しており、常に最
適な黒レベル変動抑圧を行なうことができる。

第12図を用いて本発明の第２の実施例について説明す
る。本実施例は前記第１の実施例に示した温度補償装置
の固体撮像装置内での配置等に関するものである。

第12図は固体撮像装置の略ブロック図である。固体撮
像素子121は、駆動パルス発生器125により駆動され、レ
ンズ122に結像した信号を出力する。信号は前置増幅器1
23で増幅された後、マトリクス演算器128により輝度及
び色信号に分離され、直流再生器129により直流再生さ
れる。その後エンコーダ1210においてNTSC等の規格信号
化され出力される。これらの処理のタイミングは、同期
信号発生器1211により制御されている。

以上の固体撮像装置において、一般に固体撮像素子12
1は、配線数が数多く必要なこと、撮像素子出力信号が
微弱であることなどから、前置増幅器123及び駆動パル
ス発生器125と同一の基板126上に配置される。これを撮
像素子基板と称する。さらに、撮像素子基板126は、撮
像素子121が外乱に敏感であること、充分な遮光が必要
であることなどから、導体ケース127に封入される。

本実施例においては、黒レベル変動補償回路124を、
上記導体ケース127内に配置し、注入抵抗R_V及びR1〜R4
により、信号処理基板1212上において、前置増幅器123
出力信号に、補償信号注入を行なう。

まず補償回路124を導体ケース内に配置する理由であ
るが、撮像素子近傍に配置される駆動パルス発生器125
及び前置増幅器123が比較的発熱しやすく、これらによ
り変化する撮像素子121自身の温度変化を素早く検出す
る必要があるためである。また、布線数が増大するが、
撮像素子121、及び補償回路124のみを独立な導体ケース
に封入してもよい。

次に補償信号注入を前置増幅器123出力信号に行なう
理由であるが、マトリクス演算器128により演算された
後での注入では、輝度及び各色信号によって注入量を変
化させねばならず、調整箇所が増大するからである。

さらに注入抵抗RV調整を信号処理基板1212上で行なう
理由であるが、撮像素子基板126は導体ケースでおおわ
れているため、量産上、調整しづらく、ケースに調整用
の穴をあける等の必要もあるからである。

以上より、本実施例における構成により、量産におい
ても無理のない黒レベル変動補償を行なうことができ
る。

第13図を用いて本発明の第３の実施例について説明す
る。

第13図は固体撮像素子の略構成図で、第２図に示した
ものに等しい。131は画素を示し、特に132に、その上部
をアルミ等で覆い、光学黒とした画素である。133は水
平走査回路、134は垂直走査回路を示す。

本実施例においては、光学黒の画素132をつくるウェ
ル層136を、他の部分のウェル層と分離し、各々個別の
電圧を印加できるように端子137,138を設ける。

前記したように受光部画素のウェル電位は、ブルーミ
ングや、信号ダイナミックレンジなどから様々な制約を
受けるが、光学黒画素のウェル電位は比較的自由に設定
できる。そこで、光学黒画素のウェル電位を調整し、光
学黒画素に発生する暗電流を、受光部画素に発生する暗
電流と一致させ、黒レベル変動の少ない固体撮像素子を
実現できる。

第14図を用いて本発明の第４の実施例を説明する。第
14図は、本実施例における固体撮像素子の略構成図であ
る。本実施例においては、光学黒部画素を走査するの
に、独立な走査回路を設ける。141は受光部画素、142は
光学黒部画素、143は水平走査回路、144は受光部画素用
垂直走査回路145は光学黒部画素用読み出し垂直走査回
路、146は光学黒部画素用掃き出し垂直走査回路、147,1
48は走査行選択回路である。

本実施例においては、光学黒部画素の電荷蓄積時間に
対する受光部画素の電荷蓄積時間の比率が、各々におい
て発生する暗電流量の逆比となるよう光学黒部画素の走
査周期を制御する。

今、受光部画素は標準撮像である1/60秒周期で走査さ
れているとする。仮に光学黒部画素に発生する暗電流量
が、受光部画素に発生する暗電流量と比較して、1.5倍
であったとすれば、光学黒部画素のみ、1/60×1/1.5＝1
/90秒の蓄積時間とすればよい。電荷掃き出しに関して
は、第６図，第７図に示した高速シャッタ機能と同様で
ある。

逆に光学黒部画素に発生する暗電流量が、受光部画素
に発生する暗電流量の75％であったとすれば、147,148
の走査行選択回路により、例えば一行おきの間引き走査
を行ない、各々の電荷蓄積時間を延長した上で、掃き出
し走査を行なうことにより、任意の走査周期とすること
ができる。

以上により、本実施例における方法においても、黒レ
ベル変動の少ない固体撮像装置を実現できる。

第３図及び第14図を用いて、本発明の第５の実施例に
ついて説明する。本実施例では、第１実施例に示したよ
うな温度補償装置により、黒レベル変動を抑圧するにあ
たり、より正確な補償を可能とする方法について示す。

本発明の第１実施例では、画素の電荷蓄積時間と同一
時間だけ温度検出用ダイオードの逆飽和電流による電荷
をコンデンサに蓄積し、本電荷量に比例した補正を行な
う構成となっている。

しかしながら、撮像素子から出力される暗電流は厳密
に言うと、画素の電荷蓄積時間に比例しない。すなわち
第３図I₃に示した暗電流は、画素の選択とは無関係であ
り、通常撮像時には影響は少ないが、例えば高速シャッ
タ機能により、画素の電荷蓄積時間を短かくした場合、
補正誤差の要因となる。

この問題は第14図において第４実施例に示したよう
に、光学黒部画素に独立な読み出し及び掃き出し用垂直
走査回路を設け、光学黒画素の少なくとも一部領域を、
高速シャッタ走査させ、本領域の出力電位を基準黒レベ
ルとすることで回避できる。

上記のようにすれば、基準黒レベル電位は、画素から
の影響がなく、垂直信号線に発生する暗電流I₃によって
定められる電位となる。垂直信号線は、光学黒部、受光
部を問わず全ての画素に共通であるため、上記基準黒レ
ベルを補正時の基準値とすることで、より正確な補正を
行なうことができ、黒レベル変動のない固体撮像装置を
実現できる。

〔発明の効果〕

本発明によれば、温度変動のみならず、高速シャッタ
機能や、間欠読み出しによる高感度機能に必要な撮像素
子画素の電荷蓄積時間の変化に対しても黒レベル変動の
ない固体撮像装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の実施例の回路構成図、第２図は
固体撮像素子の構成図、第３図は固体撮像素子の単位回
路図、第４図は、第３図回路の縦構造図、第５図は光学
黒を説明した固体撮像素子表面図、第６図は高速シャッ
タ機能付固体撮像素子の構成図、第７図は、高速シャッ
タ動作時のパルスタイミングチャート、第８図は間欠読
み出しによる高感度機能の説明図、第９図，第10図，第
11図は、第１図回路の動作説明のためのタイミングチャ
ート、第12図は、第１図回路配置を示した固体撮像装置
の略構成図、第13図は本発明の第３の実施例の固体撮像
素子の構成図、第14図は本発明の第４の実施例の固体撮
像素子の構成図である。符号の説明 101……温度検出用ダイオード 102,103……暗電流補正用電荷充電器 104……出力トランジスタ 105,106……充電器リセットトランジスタ

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】２次元的に配列された画素のアレイを有す
る固体撮像素子と、該固体撮像素子を駆動する駆動パル
ス発生器と、該画素に発生する暗電流の影響による基準
直流再生電位の変化の抑圧ないし相殺を目的とする暗電
流補償回路とからなり、該駆動パルスタイミングの可変
により、該固体撮像素子画素の電荷蓄積時間を可変しう
る手段を設けた固体撮像装置において、該駆動パルス発
生器から、該固体撮像素子駆動パルスの一部を、該暗電
流補償回路の動作のタイミングパルスとして出力し、該
暗電流補償回路は、該タイミングパルスにより補償量を
可変しうる構成とし、これらにより該暗電流補償を、温
度および該画素の電荷蓄積時間により可変させることを
特徴とした固体撮像装置。
【請求項２】固体撮像素子に発生する暗電流の影響によ
る該固体撮像素子出力の基準直流再生電位の変動を抑圧
ないし相殺する目的で用いられる暗電流補償回路におい
て、該暗電流補償回路は、温度検出用素子として設けら
れた逆バイアスされたダイオードと、該ダイオードに生
じた逆飽和電流を蓄積する単数ないし複数の充電器と、
該充電器内の電荷をリセットする単数ないし複数のリセ
ットトランジスタと、該充電器に蓄積された電荷に比例
した振幅の暗電流補正信号を出力する出力トランジスタ
と、該リセットトランジスタ及び出力トランジスタに接
続され、該各トランジスタにバイアス電圧を印加する複
数の端子とからなり、該端子には、長なる時間Ａにおい
て、接続された該各トランジスタをカットオフさせ、短
なる時間Ｂにおいて導通し動作させる電圧のタイミング
パルスが印加され、これにより、該各トランジスタのベ
ース電流などにより、該充電器内に該逆飽和電流以外の
電荷が流入、ないし流出すること最小限に留め、正確な
暗電流補償を行なうことを特徴とした暗電流補償回路。
【請求項３】固体撮像素子に発生する暗電流の影響によ
る該固体撮像素子出力の基準直流再生電位の変動を抑圧
ないし相殺する目的で用いられる暗電流補償回路におい
て、該暗電流補償回路は、温度検出用素子として設けら
れた逆バイアスされたダイオードと、該ダイオードに生
じた逆飽和電流を蓄積する充電器１と、該充電器１の電
荷をリセットするリセットトランジスタ１と、該リセッ
トトランジスタ１に接続され、該リセットトランジスタ
１の動作時刻を定めるタイミングパルスを入力する端子
１と、該充電器１の電荷を充電器２へ転送する転送トラ
ンジスタと、該充電器１に接続され、該転送トランジス
タの転送時刻を定めるタイミングパルスを入力する端子
２と、該充電器２に接続され、該充電器２の電荷をリセ
ットするリセットトランジスタ２と、該リセットトラン
ジスタ２に接続され、該リセットトランジスタ２のリセ
ット時刻を定めるタイミングパルスを入力する端子３
と、該充電器２に接続され、該充電器２に蓄積された電
荷に比例した振幅の暗電流補正信号を出力する出力トラ
ンジスタと、該補正信号の出力時刻を定めるタイミング
バルスを入力する端子４とからなり、該構成要件におけ
る全てのトランジスタは、該端子１〜４にパルスの印加
されない期間にあっては全てカットオフするバイアス関
係に維持されており、これによりトランジスタのベース
電流等の影響により、該充電器１ないし充電器２に蓄積
された該ダイオードの逆飽和電流による電荷が流出ない
し増大して、該補正信号に影響を及ぼすことを最少限に
留め、正確な暗電流補正を行なうことを特徴とした暗電
流補正回路。
【請求項４】２次元的に配列された画素のアレイと、該
画素を走査する走査パルスを出力する走査回路とを有す
る固体撮像素子と、該走査回路を駆動する駆動パルス発
生器とを有し、該画素アレイの一部を遮光し、同部分の
再生電位を基準直流電位として映像信号を得る固体撮像
装置において、該遮光画素を走査する走査回路Ａを、該
受光画素を走査する走査回路Ｂと独立に設け、該受光画
素の電荷蓄積時間Ｃに対する該遮光画素の電荷蓄積時間
Ｄの比率を、該受光画素に発生する暗電流Ｅに対する該
遮光画素に発生する暗電流Ｆの逆比となるよう、該駆動
パルス発生器を制御したことを特徴とする固体撮像装
置。
【請求項５】ｎ形半導体基板上にＰ形ウエル層を設け、
該ウエル層上部にｎ形拡散層を２次元状に配して画素を
形成し、該画素の一部分をアルミ等で覆い、遮光画素と
した固体撮像素子と、該ウエル層にバイアス電圧を印加
する電源と、該遮光画素の再生電位を基準直流再生電位
として映像信号を得る手段とを有する固体撮像装置にお
いて、該遮光画素部のウエル層Ａと、その他の受光画素
部のウエル層Ｂとを分離し、各々に接続された端子C,D
を設け、該端子C,Dに、該遮光画素に発生する暗電流
と、該受光画素に発生する暗電流とが、それぞれ等しく
なるような電圧を印加することを特徴とした固体撮像装
置。