JP2554605B2 - 広帯域信号結合装置 - Google Patents
広帯域信号結合装置Info
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- JP2554605B2 JP2554605B2 JP62148891A JP14889187A JP2554605B2 JP 2554605 B2 JP2554605 B2 JP 2554605B2 JP 62148891 A JP62148891 A JP 62148891A JP 14889187 A JP14889187 A JP 14889187A JP 2554605 B2 JP2554605 B2 JP 2554605B2
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- switch
- coupling
- wideband signal
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K5/00—Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
- H03K5/01—Shaping pulses
- H03K5/02—Shaping pulses by amplifying
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04Q—SELECTING
- H04Q3/00—Selecting arrangements
- H04Q3/42—Circuit arrangements for indirect selecting controlled by common circuits, e.g. register controller, marker
- H04Q3/52—Circuit arrangements for indirect selecting controlled by common circuits, e.g. register controller, marker using static devices in switching stages, e.g. electronic switching arrangements
- H04Q3/521—Circuit arrangements for indirect selecting controlled by common circuits, e.g. register controller, marker using static devices in switching stages, e.g. electronic switching arrangements using semiconductors in the switching stages
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Use Of Switch Circuits For Exchanges And Methods Of Control Of Multiplex Exchanges (AREA)
- Stereo-Broadcasting Methods (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、FET技術による結合点マトリックスを有
し、その入力端にそれぞれ1つの入力ドライバ回路が設
けられていてよく、またその出力端にそれぞれ1つの出
力増幅器回路が設けられている広帯域結合装置に関す
る。
し、その入力端にそれぞれ1つの入力ドライバ回路が設
けられていてよく、またその出力端にそれぞれ1つの出
力増幅器回路が設けられている広帯域結合装置に関す
る。
通信技術の最近の開発は、加入者線の範囲の伝送媒体
として特に64kbit/sディジタル電話のような狭帯域通信
サービスも督に140Mbit/sテレビ電話のような広帯域通
信サービスも可能な光導波路が設けられている狭帯域お
よび広帯域通信サービスのための総合サービス網を構成
する伝送および交換システムに至っている。その際に交
換局には好ましくは共通の制御装置を有する狭帯域信号
結合装置および広帯域信号結合装置が相並んで設けられ
ている(ドイツ連邦共和国特許第2421002号明細書参
照)。
として特に64kbit/sディジタル電話のような狭帯域通信
サービスも督に140Mbit/sテレビ電話のような広帯域通
信サービスも可能な光導波路が設けられている狭帯域お
よび広帯域通信サービスのための総合サービス網を構成
する伝送および交換システムに至っている。その際に交
換局には好ましくは共通の制御装置を有する狭帯域信号
結合装置および広帯域信号結合装置が相並んで設けられ
ている(ドイツ連邦共和国特許第2421002号明細書参
照)。
結合点が時分割多重化によりそれぞれ多数の接続のた
めに利用される広帯域信号−時分割多重化−結合装置と
関連して、それぞれ2つの導線を、双安定Dマルチバイ
ブレータとして形成された結合点個別のメモリセルによ
りスイッチオンおよびスイッチオフされるゲート要素に
より接続することは知られている。その際に、クロック
入力端に相応のクロック信号を供給されるこれらの結合
点個別のメモリセルは1つの座標方向のみに、詳細には
そのD入力端において駆動される(プファンシュミット
(Pfannschmidt)著“広帯域ディジタル信号に対する結
合回路網の動作速度限界(Arbeitsgeschwindigkeitsgre
nzen von Koppelnetzwerken f r Breitband−Digital
signale)”、学位論文、ブラウンシュバイク、1978
年、第6.7図および第6.4図)。140Mbit/sのビット速度
において到達可能な約4ないし8の時分割多重化ファク
タおよびその際に必要な回路テクノロジーを考慮に入れ
て、現在広帯域信号の交換のためには、個々の結合点を
介して通過接続される接続がもっぱら空間的に互いに隔
てられている純粋な空間結合装置が有利とされている。
めに利用される広帯域信号−時分割多重化−結合装置と
関連して、それぞれ2つの導線を、双安定Dマルチバイ
ブレータとして形成された結合点個別のメモリセルによ
りスイッチオンおよびスイッチオフされるゲート要素に
より接続することは知られている。その際に、クロック
入力端に相応のクロック信号を供給されるこれらの結合
点個別のメモリセルは1つの座標方向のみに、詳細には
そのD入力端において駆動される(プファンシュミット
(Pfannschmidt)著“広帯域ディジタル信号に対する結
合回路網の動作速度限界(Arbeitsgeschwindigkeitsgre
nzen von Koppelnetzwerken f r Breitband−Digital
signale)”、学位論文、ブラウンシュバイク、1978
年、第6.7図および第6.4図)。140Mbit/sのビット速度
において到達可能な約4ないし8の時分割多重化ファク
タおよびその際に必要な回路テクノロジーを考慮に入れ
て、現在広帯域信号の交換のためには、個々の結合点を
介して通過接続される接続がもっぱら空間的に互いに隔
てられている純粋な空間結合装置が有利とされている。
純粋な広帯域信号−空間結合装置は、入力増幅器およ
び出力増幅器を設けられているC−MOS技術による結合
点マトリックスとして構成されており、それらの結合点
で結合要素がそれぞれデコーダ制御される結合点個別の
保持メモリセルにより制御され、その際に結合要素はそ
れぞれC−MOSトランスファゲート(C−MOSトランスミ
ッションゲート)として構成されており(ISS′84コン
フェレンス・ペーパー23Cl、第9図)、純粋な空間結合
装置の結合点個別の保持メモリセルは行デコーダおよび
列デコーダからそれぞれ行または列個別の駆動線を介し
て2つの座標内で駆動される(プファンシュミット、前
出、第6.4図)。結合マトリックス内に設けられている
出力増幅器は付属のマトリックス線の(少なくとも)1
つの結合点の能動化に関係して能動化されていてもよい
(フランス特許第A−2,365,263号明細書、第5図)。
び出力増幅器を設けられているC−MOS技術による結合
点マトリックスとして構成されており、それらの結合点
で結合要素がそれぞれデコーダ制御される結合点個別の
保持メモリセルにより制御され、その際に結合要素はそ
れぞれC−MOSトランスファゲート(C−MOSトランスミ
ッションゲート)として構成されており(ISS′84コン
フェレンス・ペーパー23Cl、第9図)、純粋な空間結合
装置の結合点個別の保持メモリセルは行デコーダおよび
列デコーダからそれぞれ行または列個別の駆動線を介し
て2つの座標内で駆動される(プファンシュミット、前
出、第6.4図)。結合マトリックス内に設けられている
出力増幅器は付属のマトリックス線の(少なくとも)1
つの結合点の能動化に関係して能動化されていてもよい
(フランス特許第A−2,365,263号明細書、第5図)。
さらに、広帯域信号−空間結合点マトリックス内にデ
ィジタル結合点を3状態インバータの形態で設けること
は(エレクトロニクス(Electronics)、1983年12月15
日、第88/89頁から)一般的な形態で公知である。その
具体的な実現は上記文献に記載されていないが、いずれ
にせよ多数のトランジスタを必要とする。
ィジタル結合点を3状態インバータの形態で設けること
は(エレクトロニクス(Electronics)、1983年12月15
日、第88/89頁から)一般的な形態で公知である。その
具体的な実現は上記文献に記載されていないが、いずれ
にせよ多数のトランジスタを必要とする。
個々の結合点の具体的実現の際のトランジスタ費用を
特にわずかにとどめるため、FET技術による結合点マト
リックスを有する広帯域信号−空間結合装置であって、
結合要素がそれぞれ、メモリセルからそのゲート電極
に、通過接続すべき信号の上側(限界)値をトランジス
タ−ピンチオフ電圧よりも大きい電圧だけ上回る通過接
続電位または通過接続すべき信号の下側(限界)値がト
ランジスタ−ピンチオフ電圧だけ上昇することにより生
ずるレベルを下回る阻止電位を与えられる単一のnチャ
ネル−トランジスタにより形成されている広帯域信号−
空間結合装置は既に提案さている(ドイツ連邦共和国特
許第3604605号明細書参照)。
特にわずかにとどめるため、FET技術による結合点マト
リックスを有する広帯域信号−空間結合装置であって、
結合要素がそれぞれ、メモリセルからそのゲート電極
に、通過接続すべき信号の上側(限界)値をトランジス
タ−ピンチオフ電圧よりも大きい電圧だけ上回る通過接
続電位または通過接続すべき信号の下側(限界)値がト
ランジスタ−ピンチオフ電圧だけ上昇することにより生
ずるレベルを下回る阻止電位を与えられる単一のnチャ
ネル−トランジスタにより形成されている広帯域信号−
空間結合装置は既に提案さている(ドイツ連邦共和国特
許第3604605号明細書参照)。
こうして、結合点マトリックス内に設けられており簡
単な仕方でそれぞれ1つの結合点個別の保持メモリセル
により制御される結合要素を最小のトランジスタ費用
で、インバータを設ける必要なしに、またC−MOSトラ
ンスファゲート内に(固有抵抗が高いので大きい面積を
必要とする)pチャネルトランジスタを設ける必要なし
に、従ってまた相応にわずかな占有場所で(このことは
集積の際に特に有意義である)、また相応にわずかな回
路容量で実現することができる。
単な仕方でそれぞれ1つの結合点個別の保持メモリセル
により制御される結合要素を最小のトランジスタ費用
で、インバータを設ける必要なしに、またC−MOSトラ
ンスファゲート内に(固有抵抗が高いので大きい面積を
必要とする)pチャネルトランジスタを設ける必要なし
に、従ってまた相応にわずかな占有場所で(このことは
集積の際に特に有意義である)、また相応にわずかな回
路容量で実現することができる。
回路の大きさ、従ってまた占有場所を一層減ずるた
め、2つの駆動デコーダ(行デコーダ、列デコーダ)に
より2つの座標内で駆動される結合点個別のメモリセル
が1つのnチャネル−トランジスタおよび2つの交差結
合されたインバータ回路により形成されており、その際
に1つのインバータ回路が入力側で一方の駆動デコーダ
の付属のデコーダ出力端とnチャネル−トランジスタを
介して接続されており、このnチャネル−トランジスタ
がその制御電極に他方の駆動デコーダの付属のデコーダ
出力端の出力信号を与えられており、またその際に1つ
のインバータ回路が出力側で付属の結合要素の制御入力
端に通じている広帯域信号−空間結合装置も既に提案さ
れている。
め、2つの駆動デコーダ(行デコーダ、列デコーダ)に
より2つの座標内で駆動される結合点個別のメモリセル
が1つのnチャネル−トランジスタおよび2つの交差結
合されたインバータ回路により形成されており、その際
に1つのインバータ回路が入力側で一方の駆動デコーダ
の付属のデコーダ出力端とnチャネル−トランジスタを
介して接続されており、このnチャネル−トランジスタ
がその制御電極に他方の駆動デコーダの付属のデコーダ
出力端の出力信号を与えられており、またその際に1つ
のインバータ回路が出力側で付属の結合要素の制御入力
端に通じている広帯域信号−空間結合装置も既に提案さ
れている。
たとえば64の入力端および32の出力端を有するFET技
術による結合点マトリックスを有する上記のような既に
提案された広帯域信号−空間結合装置を介して、170Mbi
t/sのオーダーまでのビット速度を有する任意の非同期
信号を、従ってまた特にいわゆるH4チャネルを満たす
(たとえば140Mbit/sの)信号をもそれぞれ1つの入力
端と1つの出力端(または分配サービスの場合には、多
くの出力端)との間で通過接続し得る。しかしながら、
それぞれ1つの全H4チャネルを交換し得るだけでなく、
サブチャネル、たとえば34Mbit/sの信号に対するいわゆ
るH3チャネルをも交換し得ることが要望されるようにな
ってきた。このようなサブチャネル交換は原理的に、そ
れぞれの(H4)チャネルをその(H3)サブチャネルに分
解するデマルチプレクサを結合装置の前に設け、またサ
ブチャネルを再び1つのチャネルに合成するマルチプレ
クサを結合装置の後に設けることにより達成される。そ
の際に結合装置自体は個々のサブチャネルをそれぞれ単
独に交換するが、このことは結合点マトリックスの入力
端および出力端の個数の相応の増大を前提としており、
いまの例では64×32の結合点の代わりにたとえば256×1
28の結合点を有していなければならない。その際に結合
点マトリックスの完全な分配サービス能力が要求される
ので、1つのこのような結合点マトリックスの(たとえ
ば256の)入力端の各々が結合点マトリックスのすべて
の(たとえば128の)出力端により同時に負荷可能でな
ければならないという問題が生ずる。このことはそれ自
体として256の過度に大きい入力ドライバ回路を必要と
し、その横電流および損失電力はこのような結合点マト
リックスモジュールの製造可能性を困難にするであろ
う。
術による結合点マトリックスを有する上記のような既に
提案された広帯域信号−空間結合装置を介して、170Mbi
t/sのオーダーまでのビット速度を有する任意の非同期
信号を、従ってまた特にいわゆるH4チャネルを満たす
(たとえば140Mbit/sの)信号をもそれぞれ1つの入力
端と1つの出力端(または分配サービスの場合には、多
くの出力端)との間で通過接続し得る。しかしながら、
それぞれ1つの全H4チャネルを交換し得るだけでなく、
サブチャネル、たとえば34Mbit/sの信号に対するいわゆ
るH3チャネルをも交換し得ることが要望されるようにな
ってきた。このようなサブチャネル交換は原理的に、そ
れぞれの(H4)チャネルをその(H3)サブチャネルに分
解するデマルチプレクサを結合装置の前に設け、またサ
ブチャネルを再び1つのチャネルに合成するマルチプレ
クサを結合装置の後に設けることにより達成される。そ
の際に結合装置自体は個々のサブチャネルをそれぞれ単
独に交換するが、このことは結合点マトリックスの入力
端および出力端の個数の相応の増大を前提としており、
いまの例では64×32の結合点の代わりにたとえば256×1
28の結合点を有していなければならない。その際に結合
点マトリックスの完全な分配サービス能力が要求される
ので、1つのこのような結合点マトリックスの(たとえ
ば256の)入力端の各々が結合点マトリックスのすべて
の(たとえば128の)出力端により同時に負荷可能でな
ければならないという問題が生ずる。このことはそれ自
体として256の過度に大きい入力ドライバ回路を必要と
し、その横電流および損失電力はこのような結合点マト
リックスモジュールの製造可能性を困難にするであろ
う。
本発明の目的は、以上に概要を述べた要求条件に困難
なしに適合し得る広帯域信号−結合装置を提供すること
である。
なしに適合し得る広帯域信号−結合装置を提供すること
である。
〔問題点を解決するための手段〕 この目的は、本発明によれば、冒頭に記載した種類の
広帯域信号結合装置において、結合点が、通過接続状態
で1つのマトリックス入力端に与えられる内部抵抗にく
らべて大きいそれぞれ1つの内部抵抗を有する結合要素
により形成されており、また出力増幅器回路が 当該の出力線に挿入された少なくとも1つの否定C−
MOS論理演算要素、好ましくはC−MOSインバータ、およ
び1つの保持要素、好ましくはDフリップフロップ、の
それぞれ1つの縦続回路と、主電極で否定C−MOS論理
演算要素の入力端に接続されており、1つの結合要素の
抵抗にくらべて小さい通過抵抗を有する1つのスイッチ
とを有し、 スイッチの制御電極が、1つのビット通過接続時間幅
を1つの前段階および1つの本来の通過接続段階に分割
する1つの結合フィールド通過接続クロックを与えられ
ており、 またスイッチを介して各前段階で結合点マトリックス
の当該の出力線が少なくとも近似的に、論理演算要素の
スイッチングしきいに相当する電位に再充電され、この
電位から出発して後続の通過接続段階でそれぞれの結合
要素を介して、それによってそれぞれ通過接続されるビ
ットに相当する電位に再充電されることを特徴とする広
帯域信号結合装置により達成される。
広帯域信号結合装置において、結合点が、通過接続状態
で1つのマトリックス入力端に与えられる内部抵抗にく
らべて大きいそれぞれ1つの内部抵抗を有する結合要素
により形成されており、また出力増幅器回路が 当該の出力線に挿入された少なくとも1つの否定C−
MOS論理演算要素、好ましくはC−MOSインバータ、およ
び1つの保持要素、好ましくはDフリップフロップ、の
それぞれ1つの縦続回路と、主電極で否定C−MOS論理
演算要素の入力端に接続されており、1つの結合要素の
抵抗にくらべて小さい通過抵抗を有する1つのスイッチ
とを有し、 スイッチの制御電極が、1つのビット通過接続時間幅
を1つの前段階および1つの本来の通過接続段階に分割
する1つの結合フィールド通過接続クロックを与えられ
ており、 またスイッチを介して各前段階で結合点マトリックス
の当該の出力線が少なくとも近似的に、論理演算要素の
スイッチングしきいに相当する電位に再充電され、この
電位から出発して後続の通過接続段階でそれぞれの結合
要素を介して、それによってそれぞれ通過接続されるビ
ットに相当する電位に再充電されることを特徴とする広
帯域信号結合装置により達成される。
ここで言及すべきこととして、いわゆるオート−ゼロ
原理により作動する走査増幅器(センス増幅器)自体は
公知である(たとえば米国特許第4434381号明細書)。
原理により作動する走査増幅器(センス増幅器)自体は
公知である(たとえば米国特許第4434381号明細書)。
広帯域信号結合装置の1つの特に有利な実施例の問題
はその際に言及されていない。本発明は、これについて
1つの道を示す。
はその際に言及されていない。本発明は、これについて
1つの道を示す。
C−MOS論理演算要素がそのスイッチングしきいの近
傍で高い電圧増幅度を有するという状態を利用する本発
明は、入力ドライバ回路およびそれらの横電流および損
失電力に過度な要求をせずに、論理演算要素のそれぞれ
の出力端に、従ってまたそこに接続されている出力線部
分にそれぞれ一方の信号状態から他方の信号状態への一
義的な移行を生じさせるため、小さい信号変化幅および
それぞれ論理演算要素入力端に通ずる出力線部分の小さ
い再充電で十分であるという利点をもたらす。
傍で高い電圧増幅度を有するという状態を利用する本発
明は、入力ドライバ回路およびそれらの横電流および損
失電力に過度な要求をせずに、論理演算要素のそれぞれ
の出力端に、従ってまたそこに接続されている出力線部
分にそれぞれ一方の信号状態から他方の信号状態への一
義的な移行を生じさせるため、小さい信号変化幅および
それぞれ論理演算要素入力端に通ずる出力線部分の小さ
い再充電で十分であるという利点をもたらす。
本発明の他の実施態様においては、スイッチの他の主
電極は論理演算要素の出力端に接続することができる。
またそれに換えて、スイッチの他の主電極を特別の参照
電圧発生器の出力端に接続し、この参照電圧発生器は、
本発明の他の実施態様において上述の論理演算要素が形
成されると同様の方法でディメンジョニングされフィー
ドバックされたC−MOSインバータによって形成するこ
とができ、場合によっては複数のスイッチを共通の参照
電圧発生器として用いることもできる。
電極は論理演算要素の出力端に接続することができる。
またそれに換えて、スイッチの他の主電極を特別の参照
電圧発生器の出力端に接続し、この参照電圧発生器は、
本発明の他の実施態様において上述の論理演算要素が形
成されると同様の方法でディメンジョニングされフィー
ドバックされたC−MOSインバータによって形成するこ
とができ、場合によっては複数のスイッチを共通の参照
電圧発生器として用いることもできる。
以下、図面に示されている実施例により本発明を一層
詳細に説明する。
詳細に説明する。
第1図には、本発明を理解するために必要な範囲で、
本発明による広帯域信号−空間結合装置の概要が示され
ている。1つの結合点マトリックスの列線sl…sj…snに
通ずる入力端el…ej…enには入力ドライバ回路El…Ej…
Enが設けられており、結合点マトリックスの行線zl…zi
…zmが接続されている出力端al…ai…amには出力増幅器
回路Al…Ai…Amが設けられている。結合点マトリックス
は結合点KPll…KPij…KPmnを有し、それらの結合要素
は、結合要素Kijの結合点KPijに関して詳細に説明する
ように、それぞれ1つの結合点個別の(結合点KPijにお
ける)保持メモリセルHijにより制御され、その出力端
sはそれぞれの結合要素(結合点KPijにおけるKij)の
制御入力端に通じている。
本発明による広帯域信号−空間結合装置の概要が示され
ている。1つの結合点マトリックスの列線sl…sj…snに
通ずる入力端el…ej…enには入力ドライバ回路El…Ej…
Enが設けられており、結合点マトリックスの行線zl…zi
…zmが接続されている出力端al…ai…amには出力増幅器
回路Al…Ai…Amが設けられている。結合点マトリックス
は結合点KPll…KPij…KPmnを有し、それらの結合要素
は、結合要素Kijの結合点KPijに関して詳細に説明する
ように、それぞれ1つの結合点個別の(結合点KPijにお
ける)保持メモリセルHijにより制御され、その出力端
sはそれぞれの結合要素(結合点KPijにおけるKij)の
制御入力端に通じている。
保持メモリセル…Hij…は2つの駆動デコーダ、すな
わち行デコーダDXおよび列デコーダDYにより相応の駆動
線xl…xi…xm;yl…yj…ynを介して2つの座標内で駆動
される。
わち行デコーダDXおよび列デコーダDYにより相応の駆動
線xl…xi…xm;yl…yj…ynを介して2つの座標内で駆動
される。
第1図から明らかなように、両駆動デコーダDX、DYは
入力レジスタRegX、RegYからそれぞれ、結合点の1つの
マトリックス(行または列)に共通の結合点行または結
合点列アドレスを与えられ、それぞれの結合点アドレス
に相応する駆動線にそれぞれ“1"駆動信号を与え得る。
当該のマトリックス行と当該のマトリックス列との交差
点における行駆動信号“1"と列駆動信号“1"との同時生
起により、そこに位置する保持メモリセル、たとえばHi
jが能動化され、その結果として当該の保持メモリセル
(Hij)により制御される結合要素、たとえばKijが導通
状態となる。
入力レジスタRegX、RegYからそれぞれ、結合点の1つの
マトリックス(行または列)に共通の結合点行または結
合点列アドレスを与えられ、それぞれの結合点アドレス
に相応する駆動線にそれぞれ“1"駆動信号を与え得る。
当該のマトリックス行と当該のマトリックス列との交差
点における行駆動信号“1"と列駆動信号“1"との同時生
起により、そこに位置する保持メモリセル、たとえばHi
jが能動化され、その結果として当該の保持メモリセル
(Hij)により制御される結合要素、たとえばKijが導通
状態となる。
例として考案されている結合要素Kijが当該の接続の
形成の際に再び阻止されるように、再び駆動デコーダDX
が入力レジスタRegXから当該の行アドレスを与えられ、
従って行デコーダDXが再びその出力線xi上に行駆動信号
“1"を与え、また同時に列デコーダDYがその入力レジス
タRegYからたとえば空アドレスまたは接続されていない
結合点の列アドレスを与えられ、従って列デコーダDYが
その出力線yj上に列駆動信号“0"を与える。行駆動信号
“1"と列駆動信号“0"との同時生起により保持メモリセ
ルHijがリセットされ、その結果としてそれにより制御
される結合要素Kijが阻止される。
形成の際に再び阻止されるように、再び駆動デコーダDX
が入力レジスタRegXから当該の行アドレスを与えられ、
従って行デコーダDXが再びその出力線xi上に行駆動信号
“1"を与え、また同時に列デコーダDYがその入力レジス
タRegYからたとえば空アドレスまたは接続されていない
結合点の列アドレスを与えられ、従って列デコーダDYが
その出力線yj上に列駆動信号“0"を与える。行駆動信号
“1"と列駆動信号“0"との同時生起により保持メモリセ
ルHijがリセットされ、その結果としてそれにより制御
される結合要素Kijが阻止される。
第2図から一層明らかなように、両駆動デコーダ(第
1図中の行デコーダDXおよび列デコーダDY)により2つ
の座標内で駆動されるメモリセルHijは1つのnチャネ
ル−トランジスタTnhおよび2つの交差結合されたイン
バータ回路Tn′、Tnl′;Tn″、Tnl″により形成されて
おり、両インバータ回路の一方(Tn,Tnl′)は入力側で
一方の駆動デコーダ(第1図中のDY)の付属のデコーダ
出力端yjとnチャネル−トランジスタTnhを介して接続
されており、このnチャネル−トランジスタTnhはその
制御電極に他方の駆動デコーダ(第1図中のDX)の付属
のデコーダ出力端xiの出力信号を与えられており、他方
において両インバータ回路の他方は出力側で付属の結合
要素Kijの制御入力端に通じている。
1図中の行デコーダDXおよび列デコーダDY)により2つ
の座標内で駆動されるメモリセルHijは1つのnチャネ
ル−トランジスタTnhおよび2つの交差結合されたイン
バータ回路Tn′、Tnl′;Tn″、Tnl″により形成されて
おり、両インバータ回路の一方(Tn,Tnl′)は入力側で
一方の駆動デコーダ(第1図中のDY)の付属のデコーダ
出力端yjとnチャネル−トランジスタTnhを介して接続
されており、このnチャネル−トランジスタTnhはその
制御電極に他方の駆動デコーダ(第1図中のDX)の付属
のデコーダ出力端xiの出力信号を与えられており、他方
において両インバータ回路の他方は出力側で付属の結合
要素Kijの制御入力端に通じている。
結合要素Kijはたとえば1つの3状態ドライバによ
り、または第2図中にも示されているように、ゲート電
極に、列線(入力線)sjと行線(出力線)ziとの間を通
過接続すべき信号の上側(限界)値をトランジスタ−ピ
ンチオフ電圧よりも大きい電圧だけ上回る通過接続電位
(“H"レベル)または列線(入力線)sjと行線(出力
線)ziとの間を通過接続すべき信号の下側(限界)値が
トランジスタ−ピンチオフ電圧だけ上昇することにより
生ずるレベルを下回る阻止電位(“L"レベル)を与えら
れる単一のnチャネル−トランジスタTnkにより形成さ
れていてよい。このような保持メモリセルHijおよび結
合要素Kijの実現は既に他の文献(ドイツ連邦共和国特
許第3604605号明細書)に説明されており、従ってここ
でこれ以上説明する必要はない。ここで重要なことは、
このような結合要素の通過抵抗がそこに設けられている
入力ドライバ回路Ej(第1図)のマトリックス列線sjに
与えられている内部抵抗よりも大きいことのみである。
このことはトランジスタジオメトリの相応の設計により
容易に実現し得る。
り、または第2図中にも示されているように、ゲート電
極に、列線(入力線)sjと行線(出力線)ziとの間を通
過接続すべき信号の上側(限界)値をトランジスタ−ピ
ンチオフ電圧よりも大きい電圧だけ上回る通過接続電位
(“H"レベル)または列線(入力線)sjと行線(出力
線)ziとの間を通過接続すべき信号の下側(限界)値が
トランジスタ−ピンチオフ電圧だけ上昇することにより
生ずるレベルを下回る阻止電位(“L"レベル)を与えら
れる単一のnチャネル−トランジスタTnkにより形成さ
れていてよい。このような保持メモリセルHijおよび結
合要素Kijの実現は既に他の文献(ドイツ連邦共和国特
許第3604605号明細書)に説明されており、従ってここ
でこれ以上説明する必要はない。ここで重要なことは、
このような結合要素の通過抵抗がそこに設けられている
入力ドライバ回路Ej(第1図)のマトリックス列線sjに
与えられている内部抵抗よりも大きいことのみである。
このことはトランジスタジオメトリの相応の設計により
容易に実現し得る。
第1図中ではそのために列デコーダDYの出力端の後に
書込みスイッチWRが接続されており、書込みスイッチWR
はレリーズ線wr上の書込み命令の出現の際にのみ閉じら
れ、またその後に場合によってはデコーダ出力端に生ず
る“1"駆動信号(“L")およびその他のデコーダ出力端
に生ずる“0"駆動信号(“H")を低抵抗で個々の列駆動
線yl…yj…ynに通過接続し、従って前記の仕方でそれぞ
れ駆動された結合要素が通過接続または阻止状態に到達
する。
書込みスイッチWRが接続されており、書込みスイッチWR
はレリーズ線wr上の書込み命令の出現の際にのみ閉じら
れ、またその後に場合によってはデコーダ出力端に生ず
る“1"駆動信号(“L")およびその他のデコーダ出力端
に生ずる“0"駆動信号(“H")を低抵抗で個々の列駆動
線yl…yj…ynに通過接続し、従って前記の仕方でそれぞ
れ駆動された結合要素が通過接続または阻止状態に到達
する。
それに対して、1つの行の結合状態が結合点マトリッ
クスの結合点から単に読出されるべきであり、そのため
に当該の行駆動線、たとえば線xiが再び、接続形成また
は接続解除の場合のように、“1"駆動信号(“H")を与
えられるならば、書込みスイッチWRはレリーズ線wr上に
書込み命令が出現しないゆえに開かれ、その結果とし
て、列駆動線yl…yj…ynは列デコーダDYからいまは制御
電位を受けない。行駆動信号“H"によりそのゲート電極
からそれにもかかわらずアンロックされた当該の結合点
行…Kpij…の保持メモリセルHijのnチャネル−トラン
ジスタTnh(第2図)を介して、保持メモリセルHij内の
その時の信号状態がそのつどの列駆動線(第2図中のy
j)に通過接続され、その際にエラーのない作動の際に
は1つよりも多くない列駆動線yl…yj…yn(第1図)上
に“L"電位が現れ得る。第1図中にも示されているよう
に、この列駆動線のアドレス、従ってまた当該の結合点
のアドレスはコーダーCZにより得られ、またそれから後
続のレジスタRegZに伝達され得る。
クスの結合点から単に読出されるべきであり、そのため
に当該の行駆動線、たとえば線xiが再び、接続形成また
は接続解除の場合のように、“1"駆動信号(“H")を与
えられるならば、書込みスイッチWRはレリーズ線wr上に
書込み命令が出現しないゆえに開かれ、その結果とし
て、列駆動線yl…yj…ynは列デコーダDYからいまは制御
電位を受けない。行駆動信号“H"によりそのゲート電極
からそれにもかかわらずアンロックされた当該の結合点
行…Kpij…の保持メモリセルHijのnチャネル−トラン
ジスタTnh(第2図)を介して、保持メモリセルHij内の
その時の信号状態がそのつどの列駆動線(第2図中のy
j)に通過接続され、その際にエラーのない作動の際に
は1つよりも多くない列駆動線yl…yj…yn(第1図)上
に“L"電位が現れ得る。第1図中にも示されているよう
に、この列駆動線のアドレス、従ってまた当該の結合点
のアドレスはコーダーCZにより得られ、またそれから後
続のレジスタRegZに伝達され得る。
結合点マトリックスの1つの行線zi(第1図および第
2図)と後続の出力端ai(第1図)との間に設けられて
いる出力増幅器回路Aiは、第3図および第4図中に示さ
れているように、当該の出力線部分ziとaiとの間に挿入
された、2つのMOSトランジスタTp、Tnにより形成され
たC−MOSインバータJと1つの縁制御されるDフリッ
プフロップDKとの縦続回路と、1つの別のMOSトランジ
スタSにより形成されたスイッチとを有し、このトラン
ジスタ−スイッチの通過抵抗は1つの結合要素Kij(第
1図および第2図)の通過抵抗にくらべて小さい。スイ
ッチ−トランジスタSはその1つの主電極でインバータ
Jの入力端ziに接続されている。その制御電極はDフリ
ップフロップDKのクロック入力端Cと一緒に、同じく第
5図中で下に示されているように1つのビット通過接続
時間幅を1つの前段階pvおよび1つの主段階phに分割す
るクロックを与えられ得るクロック線pvに接続されてい
る。
2図)と後続の出力端ai(第1図)との間に設けられて
いる出力増幅器回路Aiは、第3図および第4図中に示さ
れているように、当該の出力線部分ziとaiとの間に挿入
された、2つのMOSトランジスタTp、Tnにより形成され
たC−MOSインバータJと1つの縁制御されるDフリッ
プフロップDKとの縦続回路と、1つの別のMOSトランジ
スタSにより形成されたスイッチとを有し、このトラン
ジスタ−スイッチの通過抵抗は1つの結合要素Kij(第
1図および第2図)の通過抵抗にくらべて小さい。スイ
ッチ−トランジスタSはその1つの主電極でインバータ
Jの入力端ziに接続されている。その制御電極はDフリ
ップフロップDKのクロック入力端Cと一緒に、同じく第
5図中で下に示されているように1つのビット通過接続
時間幅を1つの前段階pvおよび1つの主段階phに分割す
るクロックを与えられ得るクロック線pvに接続されてい
る。
第3図に示されている出力増幅器回路Aiではスイッチ
−トランジスタSの他方の主電極がインバータJの出力
端、従ってまたDフリップフロップDKの入力端Dに接続
されている。前段階pvの間(第5図参照)はインバータ
Jの出力端(D)をその入力端と接続するスイッチ−ト
ランジスタSは導通しており、従ってインバータ入力端
に通ずるマトリックス行線ziはインバータJのスイッチ
ングしきいに相当する電位に充電される。この状態から
出発して次いで、スイッチ−トランジスタSが遮断され
ている後続の主段階ph(第5図参照)では付属の列線sj
から結合要素Kij(第1図および第2図)を介してイン
バータJの入力端に通ずるマトリックス行線ziがそれに
よって通過接続されたビットに相応する電位に再充電さ
れる。インバータJはそのスイッチングしきいの近傍で
高い電圧増幅率を有するので、場合によってはインバー
タ出力端(DフリップフロップDKの入力端D)にそれぞ
れ一方の信号状態から他方の信号状態への一義的な移行
を生じさせるためにマトリックス行線ziの小さい再充電
で十分であり、この信号状態が主段階の終了時にクロッ
ク縁によりDフリップフロップDKから受け渡され、従っ
てまた結合装置の付属の出力端aiに与えられている。
−トランジスタSの他方の主電極がインバータJの出力
端、従ってまたDフリップフロップDKの入力端Dに接続
されている。前段階pvの間(第5図参照)はインバータ
Jの出力端(D)をその入力端と接続するスイッチ−ト
ランジスタSは導通しており、従ってインバータ入力端
に通ずるマトリックス行線ziはインバータJのスイッチ
ングしきいに相当する電位に充電される。この状態から
出発して次いで、スイッチ−トランジスタSが遮断され
ている後続の主段階ph(第5図参照)では付属の列線sj
から結合要素Kij(第1図および第2図)を介してイン
バータJの入力端に通ずるマトリックス行線ziがそれに
よって通過接続されたビットに相応する電位に再充電さ
れる。インバータJはそのスイッチングしきいの近傍で
高い電圧増幅率を有するので、場合によってはインバー
タ出力端(DフリップフロップDKの入力端D)にそれぞ
れ一方の信号状態から他方の信号状態への一義的な移行
を生じさせるためにマトリックス行線ziの小さい再充電
で十分であり、この信号状態が主段階の終了時にクロッ
ク縁によりDフリップフロップDKから受け渡され、従っ
てまた結合装置の付属の出力端aiに与えられている。
マトリックス行線ziの電位がオート−ゼロ段階と呼ば
れる前段階pvの間により近くインバータJのスイッチン
グしきいに近傍すべきであるほど、両インバータ−トラ
ンジスタTp、Tnの抵抗は低くなければならない。しかし
ながらそれと結び付くインバータ−横電流およびその結
果としての損失電力は、他方において、インバータJが
より高い抵抗値を有するものとして設計されるならば、
減ぜられ得る。この場合には、主段階ph(第5図参照)
の開始時にインバータ入力端ziに得られた電位とインバ
ータ−スイッチングしきいとの間に電位差が残り、それ
に起因して線の再充電がスイッチングしきいを上回るま
でに余分の時間を必要とする。従って、回路のディメン
ジョニングの際に臨界的な損失電力とスイッチング時間
とのかねあいを最適化する必要がある。
れる前段階pvの間により近くインバータJのスイッチン
グしきいに近傍すべきであるほど、両インバータ−トラ
ンジスタTp、Tnの抵抗は低くなければならない。しかし
ながらそれと結び付くインバータ−横電流およびその結
果としての損失電力は、他方において、インバータJが
より高い抵抗値を有するものとして設計されるならば、
減ぜられ得る。この場合には、主段階ph(第5図参照)
の開始時にインバータ入力端ziに得られた電位とインバ
ータ−スイッチングしきいとの間に電位差が残り、それ
に起因して線の再充電がスイッチングしきいを上回るま
でに余分の時間を必要とする。従って、回路のディメン
ジョニングの際に臨界的な損失電力とスイッチング時間
とのかねあいを最適化する必要がある。
第3図による出力増幅器回路Aiで得られる信号経過が
第5図に原理図で示されている。第5図はマトリックス
列線sj(第1図および第2図)上のビット列−1、0の
基礎となる曲線sjに示されている信号経過から出発して
おり、入力ドライバの作動の仕方に関係する信号経過の
変化が破線および点線で示されている。第5図中の曲線
ziによりインバータ入力端zi(第3図)に生ずる電位経
過が示されており、また第5図中の曲線Dにより第3図
による出力増幅器回路Ai内でインバータJの出力端、従
ってまた後続のDフリップフロップDKの入力端Dに生ず
る信号経過が示されている。第5図中で破線で示されて
いる曲線TによりインバータJ(第3図)のスイッチン
グしきいが示されている。
第5図に原理図で示されている。第5図はマトリックス
列線sj(第1図および第2図)上のビット列−1、0の
基礎となる曲線sjに示されている信号経過から出発して
おり、入力ドライバの作動の仕方に関係する信号経過の
変化が破線および点線で示されている。第5図中の曲線
ziによりインバータ入力端zi(第3図)に生ずる電位経
過が示されており、また第5図中の曲線Dにより第3図
による出力増幅器回路Ai内でインバータJの出力端、従
ってまた後続のDフリップフロップDKの入力端Dに生ず
る信号経過が示されている。第5図中で破線で示されて
いる曲線TによりインバータJ(第3図)のスイッチン
グしきいが示されている。
第5図に概要を示されているものと同一の信号経過
が、第4図に示されている仕方で構成された出力増幅器
回路Aiにおいても生ずる。C−MOSインバータJおよび
DフリップフロップDKの縦続回路とスイッチ−トランジ
スタSの制御電極の接続に関して第3図による回路装置
と一致している第4図による出力増幅器回路Aiでは、ス
イッチ−トランジスタSはその一方の主電極では同じく
インバータ入力端ziに接続されているが、その他方の主
電極では参照電圧発生器Bの出力端bに接続されてい
る。前段階pv(第5図参照)の間、インバータJの入力
端に通ずるマトリックス行線ziは導通しているスイッチ
−トランジスタSを介して、参照電圧発生器Bから発生
される、インバータJのスイッチングしきいに相応する
電位に再充電される。この再充電経過はいまやインバー
タJ自体により行われないので、インバータJは、再充
電過程に不利を与えることなしに、高い抵抗値に設計さ
れ得る。後続の主段階ph(第5図参照)では、既に第3
図で説明した仕方と同一の仕方で、付属の列線sj(第1
図および第2図)から結合要素Kij(第1図)を介し
て、インバータJの入力端に通ずるマトリックス行線zi
がそれによって通過接続されたビットに相応する電位に
再充電される。
が、第4図に示されている仕方で構成された出力増幅器
回路Aiにおいても生ずる。C−MOSインバータJおよび
DフリップフロップDKの縦続回路とスイッチ−トランジ
スタSの制御電極の接続に関して第3図による回路装置
と一致している第4図による出力増幅器回路Aiでは、ス
イッチ−トランジスタSはその一方の主電極では同じく
インバータ入力端ziに接続されているが、その他方の主
電極では参照電圧発生器Bの出力端bに接続されてい
る。前段階pv(第5図参照)の間、インバータJの入力
端に通ずるマトリックス行線ziは導通しているスイッチ
−トランジスタSを介して、参照電圧発生器Bから発生
される、インバータJのスイッチングしきいに相応する
電位に再充電される。この再充電経過はいまやインバー
タJ自体により行われないので、インバータJは、再充
電過程に不利を与えることなしに、高い抵抗値に設計さ
れ得る。後続の主段階ph(第5図参照)では、既に第3
図で説明した仕方と同一の仕方で、付属の列線sj(第1
図および第2図)から結合要素Kij(第1図)を介し
て、インバータJの入力端に通ずるマトリックス行線zi
がそれによって通過接続されたビットに相応する電位に
再充電される。
参照電圧発生器Bとしては、第4図から明らかなよう
に、インバータJと同一の仕方でディメンジョニングさ
れており低いダイナミック内部抵抗の達成のためにコン
デンサによりブロックされている負帰還されたC−MOS
インバータが設けられていてよい。同じく負帰還された
インバータからコンデンサに通ずる接続線に1つの反結
合された(電圧ホロワーとして接続されている)差増幅
器が挿入されている。この差増幅器は第4図中には示さ
れていない。第4図中に示されているように、複数個の
スイッチ−トランジスタSに対して1つの共通の参照電
圧発生器Bが設けられていてよい。第4図中に示されて
いないが、本発明による1つの広帯域信号結合装置内に
分布して複数の参照電圧発生器が設けられていてもよ
い。
に、インバータJと同一の仕方でディメンジョニングさ
れており低いダイナミック内部抵抗の達成のためにコン
デンサによりブロックされている負帰還されたC−MOS
インバータが設けられていてよい。同じく負帰還された
インバータからコンデンサに通ずる接続線に1つの反結
合された(電圧ホロワーとして接続されている)差増幅
器が挿入されている。この差増幅器は第4図中には示さ
れていない。第4図中に示されているように、複数個の
スイッチ−トランジスタSに対して1つの共通の参照電
圧発生器Bが設けられていてよい。第4図中に示されて
いないが、本発明による1つの広帯域信号結合装置内に
分布して複数の参照電圧発生器が設けられていてもよ
い。
最後になお言及すべきこととして、第3図および第4
図に概要を示されている実施例では、C−MOSインバー
タおよび保持要素の縦続回路内に保持要素としてそれぞ
れ1つのDフリップフロップ(DK)が設けられていても
よい。しかしながら本発明はこのような実施例に限定さ
れない。それどころか保持要素は他の仕方で、たとえば
1つの(別の)C−MOSインバータの入力キャパシタン
スにより実現されていてよい1つのコンデンサにより実
現されていてもよいし、また(少なくとも1つの)C−
MOSインバータの代わりに(少なくとも)1つの他の否
定C−MOS論理演算要素が設けられていてもよい。
図に概要を示されている実施例では、C−MOSインバー
タおよび保持要素の縦続回路内に保持要素としてそれぞ
れ1つのDフリップフロップ(DK)が設けられていても
よい。しかしながら本発明はこのような実施例に限定さ
れない。それどころか保持要素は他の仕方で、たとえば
1つの(別の)C−MOSインバータの入力キャパシタン
スにより実現されていてよい1つのコンデンサにより実
現されていてもよいし、また(少なくとも1つの)C−
MOSインバータの代わりに(少なくとも)1つの他の否
定C−MOS論理演算要素が設けられていてもよい。
第1図および第2図は広帯域信号結合装置およびその結
合点の概要図、第3図および第4図は本発明によるその
回路の一実施例の詳細図、第5図はその信号経過を示す
図である。 al〜ai〜am……結合点マトリックス出力端、出力端部
分、Al〜Ai〜Am……出力増幅器回路、b……参照電圧発
生器出力端、B……参照電圧発生器、C……保持メモ
リ、CZ……コーダー、DK……Dフリップフロップ、DX…
…行デコーダ、DY……列デコーダ、el〜ej〜en……結合
点マトリックス入力線、El〜Ej〜En……入力ドライバ回
路、Hij……保持メモリセル、J……C−MOSインバー
タ、K……コンパレータ、Kij……結合要素、KPll〜KPi
j〜KPmn……結合点、pv……クロック線、R1、R2……抵
抗、RegX、RegY……入力レジスタ、RegZ……レジスタ、
sl〜sj〜sn……結合点マトリックス列線(入力列)、S
……トランジスタ−スイッチ、T……スイッチングしき
い、Tn′、Tn″、Tnl′、Tnl″……(N−MOS)インバ
ータ回路、nチャネルインバータ回路、Tnh、Tnk……n
チャネル−トランジスタ、Tp、Tn……C−MOSトランジ
スタ、UDD、VCC……供給電位、WR……書込みスイッチ、
wr……レリーズ線、xl〜xi〜xm……行デコーダ出力端、
駆動線、yl〜yj〜yn……列デコーダ出力端、駆動線、zl
〜zj〜zn……結合点マトリックス行線、出力線部分。
合点の概要図、第3図および第4図は本発明によるその
回路の一実施例の詳細図、第5図はその信号経過を示す
図である。 al〜ai〜am……結合点マトリックス出力端、出力端部
分、Al〜Ai〜Am……出力増幅器回路、b……参照電圧発
生器出力端、B……参照電圧発生器、C……保持メモ
リ、CZ……コーダー、DK……Dフリップフロップ、DX…
…行デコーダ、DY……列デコーダ、el〜ej〜en……結合
点マトリックス入力線、El〜Ej〜En……入力ドライバ回
路、Hij……保持メモリセル、J……C−MOSインバー
タ、K……コンパレータ、Kij……結合要素、KPll〜KPi
j〜KPmn……結合点、pv……クロック線、R1、R2……抵
抗、RegX、RegY……入力レジスタ、RegZ……レジスタ、
sl〜sj〜sn……結合点マトリックス列線(入力列)、S
……トランジスタ−スイッチ、T……スイッチングしき
い、Tn′、Tn″、Tnl′、Tnl″……(N−MOS)インバ
ータ回路、nチャネルインバータ回路、Tnh、Tnk……n
チャネル−トランジスタ、Tp、Tn……C−MOSトランジ
スタ、UDD、VCC……供給電位、WR……書込みスイッチ、
wr……レリーズ線、xl〜xi〜xm……行デコーダ出力端、
駆動線、yl〜yj〜yn……列デコーダ出力端、駆動線、zl
〜zj〜zn……結合点マトリックス行線、出力線部分。
Claims (7)
- 【請求項1】FET技術による結合点マトリックスを有
し、その出力端(zi〜ai)にそれぞれ1つの出力増幅器
回路(Ai)が設けられている広帯域結合装置において、 結合点(KPij)が、通過接続状態で1つのマトリックス
入力端(sj)に与えられる内部抵抗にくらべて大きいそ
れぞれ1つの内部抵抗を有する結合要素(Kij)により
形成されており、また出力増幅器回路(Ai)が 当該の出力線(zi〜ai)に挿入された少なくとも1つの
否定C−MOS論理演算要素および1つの保持要素(DK)
のそれぞれ1つの縦続回路と、 主電極で否定C−MOS論理演算要素の入力端に接続され
ており、1つの結合要素(Kij)の抵抗にくらべて小さ
い通過抵抗を有する1つのスイッチ(S)と を有し、 スイッチ(S)の制御電極が、1つのビット通過接続段
時間幅を1つの前段階(pv)および1つの本来の通過接
続段階(ph)に分割する1つの結合フィールド通過接続
クロックを与えられており、 またスイッチ(S)を介して各前段階(pv)で結合点マ
トリックスの当該の出力線(zi)が少なくとも近似的
に、論理演算要素(J)のスイッチングしきいに相当す
る電位に再充電され、この電位から出発して後続の通過
接続段階(ph)でそれぞれの結合要素(Kij)を介し
て、それによってそれぞれ通過接続されるビットに相当
する電位に再充電されることを特徴とする広帯域信号結
合装置。 - 【請求項2】論理演算要素が1つのC−MOSインバータ
(J)により形成されていることを特徴とする特許請求
の範囲第1項記載の広帯域信号結合装置。 - 【請求項3】スイッチ(S)の他方の主電極が論理演算
要素(J)の出力端に接続されていることを特徴とする
特許請求の範囲第1項または第2項記載の広帯域信号結
合装置。 - 【請求項4】スイッチ(S)の他方の主電極が1つの参
照電圧発生器(B)の出力端(b)に接続されているこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項または第2項記載
の広帯域信号結合装置。 - 【請求項5】複数個のスイッチ(S)にそれぞれ共通の
1つ(またはそれ以上の)参照電圧発生器(B)が設け
られていることを特徴とする特許請求の範囲第4項記載
の広帯域信号結合装置。 - 【請求項6】参照電圧発生器(B)が1つの縦続回路の
インバータ(J)と同一の仕方でディメンジョニングお
よび負帰還されたC−MOSインバータにより形成されて
いることを特徴とする特許請求の範囲第2項、第4項お
よび第5項のいずれか1項に記載の広帯域信号結合装
置。 - 【請求項7】保持要素がクロック入力端に結合フィール
ド通過接続クロックを与えられるDフリップフロップ
(DK)により形成されていることを特徴とする特許請求
の範囲第1項ないし第6項のいずれか1項に記載の広帯
域信号結合装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE3620468 | 1986-06-19 | ||
DE3620468.4 | 1986-06-19 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS633510A JPS633510A (ja) | 1988-01-08 |
JP2554605B2 true JP2554605B2 (ja) | 1996-11-13 |
Family
ID=6303232
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62148891A Expired - Lifetime JP2554605B2 (ja) | 1986-06-19 | 1987-06-15 | 広帯域信号結合装置 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4894651A (ja) |
EP (1) | EP0249837B1 (ja) |
JP (1) | JP2554605B2 (ja) |
AT (1) | ATE70685T1 (ja) |
CA (1) | CA1290045C (ja) |
DE (1) | DE3775283D1 (ja) |
HU (1) | HU197133B (ja) |
LU (1) | LU86787A1 (ja) |
RU (1) | RU2105429C1 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3886041D1 (de) * | 1988-08-08 | 1994-01-13 | Siemens Ag | Breitbandsignal-Koppeleinrichtung. |
DE3886040D1 (de) * | 1988-08-08 | 1994-01-13 | Siemens Ag | Breitbandsignal-Koppeleinrichtung. |
DE58906174D1 (de) * | 1989-03-31 | 1993-12-16 | Siemens Ag | Breitbandsignal-Koppeleinrichtung. |
EP0417336B1 (de) * | 1989-09-11 | 1994-05-11 | Siemens Aktiengesellschaft | Breitbandsignal-Koppeleinrichtung |
GB2300330B (en) * | 1995-04-28 | 1999-11-03 | Northern Telecom Ltd | Crosspoint matrix switch arrangement |
US5991296A (en) * | 1996-02-22 | 1999-11-23 | Fujitsu, Ltd. | Crossbar switch and method with reduced voltage swing and no internal blocking data path |
DE19801994C1 (de) * | 1998-01-20 | 1999-08-26 | Siemens Ag | Referenzspannungsgenerator |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL7209535A (ja) * | 1972-07-08 | 1974-01-10 | ||
US3938049A (en) * | 1972-09-20 | 1976-02-10 | Akro-Medic Engineering, Inc. | Baseline correction system for pulse trains |
DE2421002C3 (de) * | 1974-04-30 | 1980-07-03 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Nachrichtenvermittlungssystem |
FR2365263A1 (fr) * | 1976-09-16 | 1978-04-14 | Labo Cent Telecommunicat | Perfectionnements aux etages de commutation electroniques |
GB1564671A (en) * | 1978-04-12 | 1980-04-10 | Hughes Microelectronics Ltd | Comparator |
US4434381A (en) * | 1981-12-07 | 1984-02-28 | Rca Corporation | Sense amplifiers |
US4446552A (en) * | 1981-12-21 | 1984-05-01 | Gte Laboratories Incorporated | Wideband switch crosspoint and switching matrix |
EP0088291B1 (en) * | 1982-02-26 | 1985-07-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Mos switch circuit |
DE3369615D1 (en) * | 1982-07-30 | 1987-03-05 | Toshiba Kk | Differential voltage amplifier |
JPS59126319A (ja) * | 1982-08-31 | 1984-07-20 | Toshiba Corp | チヨツパ形コンパレ−タ |
US4521695A (en) * | 1983-03-23 | 1985-06-04 | General Electric Company | CMOS D-type latch employing six transistors and four diodes |
JPS60105320A (ja) * | 1983-11-14 | 1985-06-10 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | レベル変換回路 |
DE3676612D1 (de) * | 1985-09-23 | 1991-02-07 | Siemens Ag | Breitbandsignal-raumkoppeleinrichtung. |
LU86455A1 (de) * | 1985-10-28 | 1986-11-13 | Siemens Ag | Breitbandsignal-raumkoppeleinrichtung |
LU86456A1 (de) * | 1985-11-04 | 1986-11-13 | Siemens Ag | Breitbandsignal-raumkoppeleinrichtung |
LU86660A1 (de) * | 1986-02-14 | 1987-05-04 | Siemens Ag | Breitbandsignal-raumkoppeleinrichtung |
-
1987
- 1987-02-25 LU LU86787A patent/LU86787A1/de unknown
- 1987-06-05 AT AT87108206T patent/ATE70685T1/de active
- 1987-06-05 EP EP87108206A patent/EP0249837B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1987-06-05 DE DE8787108206T patent/DE3775283D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1987-06-09 RU SU4202696A patent/RU2105429C1/ru active
- 1987-06-15 JP JP62148891A patent/JP2554605B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1987-06-16 US US07/062,677 patent/US4894651A/en not_active Expired - Fee Related
- 1987-06-17 CA CA000539901A patent/CA1290045C/en not_active Expired - Fee Related
- 1987-06-18 HU HU872787A patent/HU197133B/hu not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4894651A (en) | 1990-01-16 |
DE3775283D1 (de) | 1992-01-30 |
RU2105429C1 (ru) | 1998-02-20 |
HUT44687A (en) | 1988-03-28 |
LU86787A1 (de) | 1987-07-24 |
EP0249837B1 (de) | 1991-12-18 |
EP0249837A1 (de) | 1987-12-23 |
HU197133B (en) | 1989-02-28 |
CA1290045C (en) | 1991-10-01 |
JPS633510A (ja) | 1988-01-08 |
ATE70685T1 (de) | 1992-01-15 |
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