JP2554570B2 - 素子特性測定装置 - Google Patents
素子特性測定装置Info
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- JP2554570B2 JP2554570B2 JP4045928A JP4592892A JP2554570B2 JP 2554570 B2 JP2554570 B2 JP 2554570B2 JP 4045928 A JP4045928 A JP 4045928A JP 4592892 A JP4592892 A JP 4592892A JP 2554570 B2 JP2554570 B2 JP 2554570B2
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- Testing Electric Properties And Detecting Electric Faults (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体及びその他の素
子の種々の特性を測定する素子特性測定装置に関する。
子の種々の特性を測定する素子特性測定装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】 トランジスタ及びサイリスタ等の半導体
素子並びにその他の電子素子及び光半導体素子等の種々
の特性を測定する装置として、カーブトレーサがある。
図４は従来のカーブトレーサの基本構成を示すブロック
図である。ＣＰＵ１００はバス１０２を介して、ＲＯＭ
（リード・オンリ・メモリ）１０４内のプログラム・デ
ータ又は入力装置１０６の操作による入力データを受け
取り、これらのデータに従いバス１０２を介して他の構
成要素を制御する。入力装置１０４は、プッシュ・キー
を有する操作パネル、表示画面及びプッシュ・キーを組
み合わせた入力装置、又は表示画面使用したタッチパネ
ル入力装置等である。測定回路１０８は、ＣＰＵ（中央
処理装置）１００により制御されて可変電圧源、可変電
流源、電圧測定回路及び電流測定回路として機能し、又
は接地及び開放を行う測定ユニットを３個含んでいる。
ＣＰＵ１００に制御されて、測定回路１０８は、第１セ
ットの出力端子からＤＵＴ（被測定素子）１１０に試験
信号を供給する。図４では、ＤＵＴ１１０はバイポーラ
・トランジスタであり、例えば、このトランジスタのコ
レクタ・エミッタ間電圧ＶＣＥ−コレクタ電流ＩＣ特性
を測定するためには、コレクタに定電圧、ベースに階段
波電流を供給し、エミッタを接地する。これにより、各
ステップ毎にＶＣＥ及びＩＣに夫々相当するＸ及びＹア
ナログ信号が測定回路１０８の第２セットの出力端子か
ら出力される。
素子並びにその他の電子素子及び光半導体素子等の種々
の特性を測定する装置として、カーブトレーサがある。
図４は従来のカーブトレーサの基本構成を示すブロック
図である。ＣＰＵ１００はバス１０２を介して、ＲＯＭ
（リード・オンリ・メモリ）１０４内のプログラム・デ
ータ又は入力装置１０６の操作による入力データを受け
取り、これらのデータに従いバス１０２を介して他の構
成要素を制御する。入力装置１０４は、プッシュ・キー
を有する操作パネル、表示画面及びプッシュ・キーを組
み合わせた入力装置、又は表示画面使用したタッチパネ
ル入力装置等である。測定回路１０８は、ＣＰＵ（中央
処理装置）１００により制御されて可変電圧源、可変電
流源、電圧測定回路及び電流測定回路として機能し、又
は接地及び開放を行う測定ユニットを３個含んでいる。
ＣＰＵ１００に制御されて、測定回路１０８は、第１セ
ットの出力端子からＤＵＴ（被測定素子）１１０に試験
信号を供給する。図４では、ＤＵＴ１１０はバイポーラ
・トランジスタであり、例えば、このトランジスタのコ
レクタ・エミッタ間電圧ＶＣＥ−コレクタ電流ＩＣ特性
を測定するためには、コレクタに定電圧、ベースに階段
波電流を供給し、エミッタを接地する。これにより、各
ステップ毎にＶＣＥ及びＩＣに夫々相当するＸ及びＹア
ナログ信号が測定回路１０８の第２セットの出力端子か
ら出力される。
【０００３】ＡＤＣ（アナログ・デジタル変換器）１１
２は、ＣＰＵ１００により制御されるクロック発生器１
１４からのサンプリング・クロックｆsのタイミング
で、Ｘ及びＹアナログ信号をＸ及びＹデジタル・データ
に夫々変換する。ＡＤＣ１１２からのＸ及びＹデジタル
・データは、ＣＰＵ１００によりアドレス制御されてメ
モリ１１６に記憶される。表示制御回路１１８は、陰極
線管の如き表示装置１２０上に、メモリ１１６から読み
出されたＸ及びＹデジタル・データを夫々水平軸用及び
垂直軸用データとして、図５Ａに示す様に、バイポーラ
・トランジスタであるＤＵＴ１１０のコレクタ・エミッ
タ間電圧ＶCE−コレクタ電流ＩC特性を表示する。この
様なカーブ・トレーサでは、この特性測定の他に、ＤＵ
Ｔ１１０の各端子に接続された測定ユニットの機能を制
御することにより、図５Ｂ、図５Ｃ及び図５Ｄに夫々示
すＩCBO−ＶCBO特性、β−ＩC特性、ＩC−ＶBE特性の
他、多様な特性を測定して表示できる。
２は、ＣＰＵ１００により制御されるクロック発生器１
１４からのサンプリング・クロックｆsのタイミング
で、Ｘ及びＹアナログ信号をＸ及びＹデジタル・データ
に夫々変換する。ＡＤＣ１１２からのＸ及びＹデジタル
・データは、ＣＰＵ１００によりアドレス制御されてメ
モリ１１６に記憶される。表示制御回路１１８は、陰極
線管の如き表示装置１２０上に、メモリ１１６から読み
出されたＸ及びＹデジタル・データを夫々水平軸用及び
垂直軸用データとして、図５Ａに示す様に、バイポーラ
・トランジスタであるＤＵＴ１１０のコレクタ・エミッ
タ間電圧ＶCE−コレクタ電流ＩC特性を表示する。この
様なカーブ・トレーサでは、この特性測定の他に、ＤＵ
Ｔ１１０の各端子に接続された測定ユニットの機能を制
御することにより、図５Ｂ、図５Ｃ及び図５Ｄに夫々示
すＩCBO−ＶCBO特性、β−ＩC特性、ＩC−ＶBE特性の
他、多様な特性を測定して表示できる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述のカーブ・トレー
サでは、各特性の測定条件を設定するために、画面に表
示された測定ユニットの表を書き換えることにより、各
測定ユニットの機能を選択する。これらの表は、例え
ば、各項目にＩＣＥ−ＶＣＥ、ＩＣＢＯ−ＶＣＢＯ等の
名称を付けて記憶し、以後、これを呼び出すことによ
り、ＤＵＴの測定条件は自動的に設定される。記憶する
特性測定項目は、ＤＵＴによっては、多数必要になるこ
とがある。図５Ａ〜５Ｄに示す様に、各特性曲線には特
徴が有り、操作者は各特性測定を特性曲線の形状と結び
付けて認識している場合が多い。したがって、使用する
測定項目を選択したときに、その特性曲線のサンプルを
見ることができれば、目的とする特性測定を容易に確認
できる。
サでは、各特性の測定条件を設定するために、画面に表
示された測定ユニットの表を書き換えることにより、各
測定ユニットの機能を選択する。これらの表は、例え
ば、各項目にＩＣＥ−ＶＣＥ、ＩＣＢＯ−ＶＣＢＯ等の
名称を付けて記憶し、以後、これを呼び出すことによ
り、ＤＵＴの測定条件は自動的に設定される。記憶する
特性測定項目は、ＤＵＴによっては、多数必要になるこ
とがある。図５Ａ〜５Ｄに示す様に、各特性曲線には特
徴が有り、操作者は各特性測定を特性曲線の形状と結び
付けて認識している場合が多い。したがって、使用する
測定項目を選択したときに、その特性曲線のサンプルを
見ることができれば、目的とする特性測定を容易に確認
できる。
【０００５】したがって、本発明の目的は、目的とする
測定の結果のサンプルを予め表示する素子特性測定装置
の提供にある。
測定の結果のサンプルを予め表示する素子特性測定装置
の提供にある。
【０００６】
【課題を解決するための手段及び作用】本発明の素子特
性測定装置は、ＣＰＵ１００、記憶装置１０４、例え
ば、タッチパネルである入力装置１０６及び表示装置１
２０を有する。記憶装置には、本発明の装置の処理を行
うためのプログラムが記憶されている。装置をカタログ
・モードにすると、被測定素子の種類を選択するための
ＤＵＴメニューと、その素子に関する複数の測定項目を
リストにした特性メニューとが、表示装置に表示され
る。これらのメニューを使用して、測定しようとする測
定項目を選択すると、画面上の特性サンプ表示領域に、
選択した測定項目において得られるであろう特性曲線の
代表的なサンプルが表示される。
性測定装置は、ＣＰＵ１００、記憶装置１０４、例え
ば、タッチパネルである入力装置１０６及び表示装置１
２０を有する。記憶装置には、本発明の装置の処理を行
うためのプログラムが記憶されている。装置をカタログ
・モードにすると、被測定素子の種類を選択するための
ＤＵＴメニューと、その素子に関する複数の測定項目を
リストにした特性メニューとが、表示装置に表示され
る。これらのメニューを使用して、測定しようとする測
定項目を選択すると、画面上の特性サンプ表示領域に、
選択した測定項目において得られるであろう特性曲線の
代表的なサンプルが表示される。
【０００７】
【実施例】本発明の素子特性測定装置の構成は、図４に
示す構成と同様であるが、以下に説明する処理を行うた
めのプログラムをＲＯＭ１０４が記憶している。図２
は、本発明の素子特性測定装置の１つのモードである構
成（ＣＯＮＦＩＧ）モードを選択したときの表示装置１
２０の表示例を示す。表示装置１２０の画面は、タッチ
パネル入力装置１０６に使用され、操作者による操作
は、タッチ入力により行われる。構成モード表示の頂部
には、この装置で使用されるモード、即ち測定（ＭＥＡ
ＳＵＲＥ）モード、ディスク（ＤＩＳＫ）モード、プロ
グラム（ＰＲＯＧ）モード、ユーティリティ（ＵＴＩＬ
ＩＴＹ）モード及びカタログ（ＣＡＴＡＬＯＧ）モード
を選択するためのソフト・キー群１０が、横方向に配列
されている。更に、この表示は、接続領域１２、グラフ
表示設定領域１４、測定モード設定領域１６及び信号源
設定領域１８を有する。
示す構成と同様であるが、以下に説明する処理を行うた
めのプログラムをＲＯＭ１０４が記憶している。図２
は、本発明の素子特性測定装置の１つのモードである構
成（ＣＯＮＦＩＧ）モードを選択したときの表示装置１
２０の表示例を示す。表示装置１２０の画面は、タッチ
パネル入力装置１０６に使用され、操作者による操作
は、タッチ入力により行われる。構成モード表示の頂部
には、この装置で使用されるモード、即ち測定（ＭＥＡ
ＳＵＲＥ）モード、ディスク（ＤＩＳＫ）モード、プロ
グラム（ＰＲＯＧ）モード、ユーティリティ（ＵＴＩＬ
ＩＴＹ）モード及びカタログ（ＣＡＴＡＬＯＧ）モード
を選択するためのソフト・キー群１０が、横方向に配列
されている。更に、この表示は、接続領域１２、グラフ
表示設定領域１４、測定モード設定領域１６及び信号源
設定領域１８を有する。
【０００８】接続領域１２は、ＤＵＴ１１０に対する測
定回路１０８内の測定ユニットの状態を示し、中央の四
角形で表す被測定素子の端子が、電流源、電圧源、接地
電位に接続され、又は開放された様子が描かれている。
各端子に接続された信号源を変化させる場合、例えば、
図示されたＩ（電流源）をＶ（電圧源）に変えるには、
接続領域１２内の対象とする“Ｉ”に触れると、Ｖ及び
Ｉの文字を有するメニューが画面に現れ、そのメニュー
内の“Ｖ”に触れると、ＩがＶに変わる。また、被測定
素子の領域の中央部分に指等を触れると、表示が図３の
様に切り換えられ、使用可能な複数の接続サンプルが画
面上に、複数の枠で区切られて表示される。これらの枠
のうちの１つに触れると、画面がＣＯＮＦＩＧモード表
示に戻り、選択した枠内の接続サンプルが接続領域１２
に表示される。これと同時に、測定回路１０８はＣＰＵ
１００に制御されて、選択された接続サンプルの接続状
態となる。
定回路１０８内の測定ユニットの状態を示し、中央の四
角形で表す被測定素子の端子が、電流源、電圧源、接地
電位に接続され、又は開放された様子が描かれている。
各端子に接続された信号源を変化させる場合、例えば、
図示されたＩ（電流源）をＶ（電圧源）に変えるには、
接続領域１２内の対象とする“Ｉ”に触れると、Ｖ及び
Ｉの文字を有するメニューが画面に現れ、そのメニュー
内の“Ｖ”に触れると、ＩがＶに変わる。また、被測定
素子の領域の中央部分に指等を触れると、表示が図３の
様に切り換えられ、使用可能な複数の接続サンプルが画
面上に、複数の枠で区切られて表示される。これらの枠
のうちの１つに触れると、画面がＣＯＮＦＩＧモード表
示に戻り、選択した枠内の接続サンプルが接続領域１２
に表示される。これと同時に、測定回路１０８はＣＰＵ
１００に制御されて、選択された接続サンプルの接続状
態となる。
【０００９】グラフ表示設定領域１４は、測定結果を表
示するグラフの水平軸及び垂直軸に等分目盛（ＬＩＮ）
又は対数目盛（ＬＯＧ）のいずれを使用するかを選択す
る領域であり、この選択は、接続領域１２でＩ又はＶを
選択したと同様の方法で行うことができる。更に、グラ
フ表示設定領域１４は、すでに測定した結果を表示する
グラフ表示領域を有し、表示設定の変更に応じて、グラ
フ表示領域のグラフも変化する。通常、上述の測定モー
ドに切り換えて、測定結果である特性曲線を画面領域の
大部分に表示して観察するが、表示設定変更後の特性曲
線の形状の変化を確認したい場合、表示設定領域１４内
にグラフ表示領域があるので、表示設定を変更する度
に、測定モードに切り換える必要がない。これにより、
構成モード表示の１画面を使用して、測定条件設定及び
表示状態設定を行うことができ、操作の煩わしさが軽減
される。
示するグラフの水平軸及び垂直軸に等分目盛（ＬＩＮ）
又は対数目盛（ＬＯＧ）のいずれを使用するかを選択す
る領域であり、この選択は、接続領域１２でＩ又はＶを
選択したと同様の方法で行うことができる。更に、グラ
フ表示設定領域１４は、すでに測定した結果を表示する
グラフ表示領域を有し、表示設定の変更に応じて、グラ
フ表示領域のグラフも変化する。通常、上述の測定モー
ドに切り換えて、測定結果である特性曲線を画面領域の
大部分に表示して観察するが、表示設定変更後の特性曲
線の形状の変化を確認したい場合、表示設定領域１４内
にグラフ表示領域があるので、表示設定を変更する度
に、測定モードに切り換える必要がない。これにより、
構成モード表示の１画面を使用して、測定条件設定及び
表示状態設定を行うことができ、操作の煩わしさが軽減
される。
【００１０】測定モード設定領域１６及び信号源設定領
域１８は、測定に使用する信号の種類、発生条件及び値
を設定するための領域であるが、ここではその説明は省
略する。
域１８は、測定に使用する信号の種類、発生条件及び値
を設定するための領域であるが、ここではその説明は省
略する。
【００１１】構成モードで、ソフト・キー群１０のＣＡ
ＴＡＬＯＧキーを選択すると、カタログ・モードに入
る。図１は、カタログ・モード表示画面を示し、この表
示は、接続領域２０、ＤＵＴメニュー領域２２、特性メ
ニュー領域２４、測定モード設定領域２６及び特性サン
プル表示領域２８を有する。上述の構成モードでは、接
続領域１２、測定モード設定領域１６及び信号源設定領
域１８を使用して、個々の項目を選択して測定条件を設
定したが、カタログ・モードでは、メニュー２２及び２
４を使用して、代表的な特性測定のための測定条件を設
定することができる。ＤＵＴメニュー領域２２では、Ｎ
形ＦＥＴ（ＦＥＴ Ｎ）、Ｐ形ＦＥＴ（ＦＥＴ Ｐ）、
ＮＰＮ形バイポーラ・トランジスタ（ＢＪＴ ＮＰ
Ｎ）、ＰＮＰ形バイポーラ・トランジスタ（ＢＪＴ Ｐ
ＮＰ）及びダイオード（ＤＩＯＤＥ）の被測定素子の項
目が用意されている。例えば、測定対象の素子がＮＰＮ
形バイポーラ・トランジスタであれば、図１に示す様
に、ＢＪＴ ＮＰＮを選択する。この様にＤＵＴの種類
を選択すると、そのＤＵＴに関して通常測定される特性
の項目が特性メニュー２４に表示される。図１では、Ｂ
ＪＴ ＮＰＮに関する１０個の 測定項目表示され、こ
れらの測定項目のうちＩＣ−ＶＣＥ特性が選択されたこ
とを示している。特定の測定項目が選択されると、接続
領域２０には選択された項目における特性測定のための
接続状態が表示され、測定モード設定領域２６には、測
定に使用する信号源の発生条件が表示される。この表示
と対応して、ＣＰＵ１００は、測定回路１０８内の測定
ユニットを設定する。
ＴＡＬＯＧキーを選択すると、カタログ・モードに入
る。図１は、カタログ・モード表示画面を示し、この表
示は、接続領域２０、ＤＵＴメニュー領域２２、特性メ
ニュー領域２４、測定モード設定領域２６及び特性サン
プル表示領域２８を有する。上述の構成モードでは、接
続領域１２、測定モード設定領域１６及び信号源設定領
域１８を使用して、個々の項目を選択して測定条件を設
定したが、カタログ・モードでは、メニュー２２及び２
４を使用して、代表的な特性測定のための測定条件を設
定することができる。ＤＵＴメニュー領域２２では、Ｎ
形ＦＥＴ（ＦＥＴ Ｎ）、Ｐ形ＦＥＴ（ＦＥＴ Ｐ）、
ＮＰＮ形バイポーラ・トランジスタ（ＢＪＴ ＮＰ
Ｎ）、ＰＮＰ形バイポーラ・トランジスタ（ＢＪＴ Ｐ
ＮＰ）及びダイオード（ＤＩＯＤＥ）の被測定素子の項
目が用意されている。例えば、測定対象の素子がＮＰＮ
形バイポーラ・トランジスタであれば、図１に示す様
に、ＢＪＴ ＮＰＮを選択する。この様にＤＵＴの種類
を選択すると、そのＤＵＴに関して通常測定される特性
の項目が特性メニュー２４に表示される。図１では、Ｂ
ＪＴ ＮＰＮに関する１０個の 測定項目表示され、こ
れらの測定項目のうちＩＣ−ＶＣＥ特性が選択されたこ
とを示している。特定の測定項目が選択されると、接続
領域２０には選択された項目における特性測定のための
接続状態が表示され、測定モード設定領域２６には、測
定に使用する信号源の発生条件が表示される。この表示
と対応して、ＣＰＵ１００は、測定回路１０８内の測定
ユニットを設定する。
【００１２】本発明の測定装置の特徴は、メニュー２２
及び２４を使用して測定項目を選択すると、特性サンプ
ル表示領域２８に、その特性曲線の代表的サンプルが表
示されることである。図１では、ＮＰＮ形バイポーラ・
トランジスタのＩＣ−ＶＣＥ特性の特性曲線の代表的サ
ンプルが、特性サンプル表示領域に表示されている。こ
のサンプルは、この特性装置による測定結果を表示した
ものではなく、メニュー２２及び２４で各測定項目を選
択することにより、それに対応した特性曲線を描くよう
にプログラムした結果表示される特性曲線であることに
留意されたい。特性メニューで、他の特性、例えば、Ｉ
ＣＢＯ−ＶＣＢＯ特性、β−ＩＣ特性又はＩＣ−ＶＢＥ
特性の項目を選択すれば、特性サンプル表示領域内に
は、図５Ｂ〜５Ｄの特性曲線が表示される。操作者は、
素子のカタログ等に掲載された特性曲線により、各特性
を特性曲線の形状で認識している場合が多いので、この
様な特性サンプルを表示することは、操作者が目的とす
る特性測定の項目設定が行われたかを確認するのに大い
に役立つ。
及び２４を使用して測定項目を選択すると、特性サンプ
ル表示領域２８に、その特性曲線の代表的サンプルが表
示されることである。図１では、ＮＰＮ形バイポーラ・
トランジスタのＩＣ−ＶＣＥ特性の特性曲線の代表的サ
ンプルが、特性サンプル表示領域に表示されている。こ
のサンプルは、この特性装置による測定結果を表示した
ものではなく、メニュー２２及び２４で各測定項目を選
択することにより、それに対応した特性曲線を描くよう
にプログラムした結果表示される特性曲線であることに
留意されたい。特性メニューで、他の特性、例えば、Ｉ
ＣＢＯ−ＶＣＢＯ特性、β−ＩＣ特性又はＩＣ−ＶＢＥ
特性の項目を選択すれば、特性サンプル表示領域内に
は、図５Ｂ〜５Ｄの特性曲線が表示される。操作者は、
素子のカタログ等に掲載された特性曲線により、各特性
を特性曲線の形状で認識している場合が多いので、この
様な特性サンプルを表示することは、操作者が目的とす
る特性測定の項目設定が行われたかを確認するのに大い
に役立つ。
【００１３】
【発明の効果】本発明の素子特性測定装置では、測定項
目を選択したときに、その測定で得られるであろう特性
曲線の代表的なサンプルを事前に見ることができるの
で、目的とする測定項目に装置が設定されたかどうかを
容易に確認できる。
目を選択したときに、その測定で得られるであろう特性
曲線の代表的なサンプルを事前に見ることができるの
で、目的とする測定項目に装置が設定されたかどうかを
容易に確認できる。
【図１】本発明の素子特性測定装置のカタログ・モード
表示画面を示す線図。
表示画面を示す線図。
【図２】本発明の装置の構成モード表示画面を示す線
図。
図。
【図３】図２の構成モードで、接続サンプルを表示させ
た画面を示す線図。
た画面を示す線図。
【図４】本発明の装置のハードウエアを示すブロック
図。
図。
【図５】バイポーラ・トランジスタの種々の特性を示す
グラフ図。
グラフ図。
１００ ＣＰＵ １０４ 記憶装置 １０６ 入力装置 １２０ 表示装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 細井 修 東京都品川区北品川５丁目９番31号 ソ ニー・テクトロニクス株式会社内 審査官 関根 洋之 (56)参考文献 特公 昭47−12932（ＪＰ，Ｂ１)
Claims (1)
- 【請求項１】 被測定電子素子に接続された測定回路を
制御して複数の測定項目における特性を選択的に測定
し、その測定結果である特性曲線を表示する素子特性測
定装置であって、 上記複数の測定項目における上記被測定電子素子の上記
特性曲線の代表的サンプルを表す表示データを蓄積する
記憶手段と、上記複数の測定項目を示す 特性メニューを表示する表示
手段と、 該表示手段に表示された上記特性メニューから所望の上
記測定項目を選択する入力手段と、 該入力手段で選択された上記測定項目における上記特性
を測定する設定に上記測定回路を制御すると共に、測定
を行う前に選択された上記測定項目で得られる上記特性
曲線の代表的サンプルを表す上記表示データを上記記憶
手段から読出して上記表示手段に表示する制御手段とを
具える素子特性測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4045928A JP2554570B2 (ja) | 1992-01-31 | 1992-01-31 | 素子特性測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4045928A JP2554570B2 (ja) | 1992-01-31 | 1992-01-31 | 素子特性測定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05215807A JPH05215807A (ja) | 1993-08-27 |
| JP2554570B2 true JP2554570B2 (ja) | 1996-11-13 |
Family
ID=12732924
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4045928A Expired - Lifetime JP2554570B2 (ja) | 1992-01-31 | 1992-01-31 | 素子特性測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2554570B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010054435A (ja) * | 2008-08-29 | 2010-03-11 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 試験システム |
| JP6626630B2 (ja) * | 2015-04-28 | 2019-12-25 | キーサイト テクノロジーズ， インク． | データシート形式の表示を備える電子デバイス評価方法、装置、及び記憶媒体 |
-
1992
- 1992-01-31 JP JP4045928A patent/JP2554570B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05215807A (ja) | 1993-08-27 |
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