JP2553952B2 - 半導体装置形成用硬化炉 - Google Patents
半導体装置形成用硬化炉Info
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- JP2553952B2 JP2553952B2 JP2171689A JP17168990A JP2553952B2 JP 2553952 B2 JP2553952 B2 JP 2553952B2 JP 2171689 A JP2171689 A JP 2171689A JP 17168990 A JP17168990 A JP 17168990A JP 2553952 B2 JP2553952 B2 JP 2553952B2
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- Japan
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- heater
- carrier tape
- resin
- semiconductor chip
- preheater
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、半導体チップの樹脂封止用硬化炉に関する
ものである。
ものである。
［従来の技術］ 従来、キャリアテープに装着された半導体チップをコ
ーテイングしている封止用樹脂（熱硬化性樹脂）を加熱
して硬化させる半導体チップの樹脂封止用硬化炉は、各
種型式のものが公知である。
ーテイングしている封止用樹脂（熱硬化性樹脂）を加熱
して硬化させる半導体チップの樹脂封止用硬化炉は、各
種型式のものが公知である。
例えば、特開平１−100928号公報においては、炉本体
の入口から出口に向って間欠移送されるキャリアテープ
の上面側に装着の半導体チップをコーテイングしている
封止用樹脂を加熱するヒータを、キャリアテープの下面
側だけに配設した硬化炉が開示されている。なお、これ
と反対に、ヒータを、キャリアテープの上面側だけに配
設したものも一般に知られている。
の入口から出口に向って間欠移送されるキャリアテープ
の上面側に装着の半導体チップをコーテイングしている
封止用樹脂を加熱するヒータを、キャリアテープの下面
側だけに配設した硬化炉が開示されている。なお、これ
と反対に、ヒータを、キャリアテープの上面側だけに配
設したものも一般に知られている。
［発明が解決しようとする課題］ ところが、このような、キャリアテープの上下両面の
どちらか一方側だけに配設されたヒータで加熱する型式
の炉は、その性能が十分でなく、比較的狭い処理条件下
での硬化処理が余儀無くされていた。
どちらか一方側だけに配設されたヒータで加熱する型式
の炉は、その性能が十分でなく、比較的狭い処理条件下
での硬化処理が余儀無くされていた。
すなわち、処理に際し、樹脂の液だれ、発泡及び亀裂
等が発生しないようにしなければならないが、その為、
キャリアテープの移送速度とヒータの加熱温度との関係
を狭い範囲に設定しなければならなかった。
等が発生しないようにしなければならないが、その為、
キャリアテープの移送速度とヒータの加熱温度との関係
を狭い範囲に設定しなければならなかった。
そこで、キャリアテープの上下両面側に対向させてヒ
ータを配設すること等が試みられていたが、いずれも十
分に満足し得なかった。
ータを配設すること等が試みられていたが、いずれも十
分に満足し得なかった。
本発明は、このようなことに鑑み、かかる問題を解決
すべく各方面から鋭意検討の結果、半導体チップを上面
側に位置せしめて炉本体の入口を通過したキャリアテー
プの封止用樹脂を、その入口近傍においてキャリアテー
プの下面側から加熱するプリヒータと、このプリヒータ
で加熱されて前記出口側へ移送されるキャリアテープの
前記封止用樹脂を、キャリアテープの上面側から加熱す
る上側のヒータ及び前記上側のヒータと対向せしめられ
て配されて下面側から加熱する下側のヒータとを設け、
しかも、かかるプリヒータを、上記上側及び下側のヒー
タ夫々の加熱温度よりも低温度に加熱制御することによ
り、従来よりも一段と多種の処理条件下で良好に硬化処
理をすることができることを見出したのである。
すべく各方面から鋭意検討の結果、半導体チップを上面
側に位置せしめて炉本体の入口を通過したキャリアテー
プの封止用樹脂を、その入口近傍においてキャリアテー
プの下面側から加熱するプリヒータと、このプリヒータ
で加熱されて前記出口側へ移送されるキャリアテープの
前記封止用樹脂を、キャリアテープの上面側から加熱す
る上側のヒータ及び前記上側のヒータと対向せしめられ
て配されて下面側から加熱する下側のヒータとを設け、
しかも、かかるプリヒータを、上記上側及び下側のヒー
タ夫々の加熱温度よりも低温度に加熱制御することによ
り、従来よりも一段と多種の処理条件下で良好に硬化処
理をすることができることを見出したのである。
［課題を解決するための手段］ すなわち、本発明に係る、半導体チップの樹脂封止用
硬化炉は、炉本体の入口から出口に向って移送されるキ
ャリアテープに装着の半導体チップをコーティングして
いる封止用樹脂を加熱硬化せしめる半導体チップの樹脂
封止用硬化炉において、前記半導体チップを上面側に位
置せしめて前記入口を通過した前記キャリアテープの前
記封止用樹脂を、前記入口の近傍において前記キャリア
テープの下面側から加熱するプリヒータと、前記プリヒ
ータで加熱されて前記出口側へ移送される前記キャリア
テープの前記封止用樹脂を、前記キャリアテープの上面
側から加熱する上側のヒータ及び前記上側のヒータと対
向せしめられて配されて前記キャリアテープの下面側か
ら加熱する下側のヒータとを備え、かつ、前記プリヒー
タを、前記上側及び下側のヒータ夫々の加熱温度よりも
低温度に加熱制御することを特徴とし、かつ、キャリア
テープの上下両面側に対向せしめて配設されたヒータの
対は、キャリアテープの移送方向に複数対配設するのが
好ましく、また、ヒータ及びプリヒータは、遠赤外線ヒ
ータで構成するのが好ましい。
硬化炉は、炉本体の入口から出口に向って移送されるキ
ャリアテープに装着の半導体チップをコーティングして
いる封止用樹脂を加熱硬化せしめる半導体チップの樹脂
封止用硬化炉において、前記半導体チップを上面側に位
置せしめて前記入口を通過した前記キャリアテープの前
記封止用樹脂を、前記入口の近傍において前記キャリア
テープの下面側から加熱するプリヒータと、前記プリヒ
ータで加熱されて前記出口側へ移送される前記キャリア
テープの前記封止用樹脂を、前記キャリアテープの上面
側から加熱する上側のヒータ及び前記上側のヒータと対
向せしめられて配されて前記キャリアテープの下面側か
ら加熱する下側のヒータとを備え、かつ、前記プリヒー
タを、前記上側及び下側のヒータ夫々の加熱温度よりも
低温度に加熱制御することを特徴とし、かつ、キャリア
テープの上下両面側に対向せしめて配設されたヒータの
対は、キャリアテープの移送方向に複数対配設するのが
好ましく、また、ヒータ及びプリヒータは、遠赤外線ヒ
ータで構成するのが好ましい。
［実施例］ 以下、本発明に係る一実施例について述べると、第１
図において、入口１及び出口２を有する炉本体３内に、
第１〜４反転ローラ４〜７とプリヒータ８とヒータ９〜
19とが配設されていると共に入口１の外側にガイドロー
ラ20が配設されている。
図において、入口１及び出口２を有する炉本体３内に、
第１〜４反転ローラ４〜７とプリヒータ８とヒータ９〜
19とが配設されていると共に入口１の外側にガイドロー
ラ20が配設されている。
而して、これらのロータ４〜７を所定に駆動回転させ
ることにより、炉本体３の入口１から出口２に向ってキ
ャリアテープ21を複数段に蛇行させて間欠移送し得る
が、キャリアテープ21は、これに半導体チップ22を装着
するボンデイング工程、及び装着された半導体チップ22
を封止用樹脂（熱硬化性樹脂）でコーテイングするポッ
テイング工程等の前工程を経て、ここに移送されて来
る。
ることにより、炉本体３の入口１から出口２に向ってキ
ャリアテープ21を複数段に蛇行させて間欠移送し得る
が、キャリアテープ21は、これに半導体チップ22を装着
するボンデイング工程、及び装着された半導体チップ22
を封止用樹脂（熱硬化性樹脂）でコーテイングするポッ
テイング工程等の前工程を経て、ここに移送されて来
る。
なお、キャリアテープ21は、半導体チップ22が装着さ
れている方の面（以下、チップ装着面という。）を上側
にして炉本体３内に移送され、そして、反転ローラ４を
通過するとチップ装着面が下側にされ、以下、反転ロー
ラ５を通過すると再びチップ装着面が上側にされ、更
に、反転ローラ６を通過するとそれが下側にされると共
に反転ローラ７を通過すると上側にされて炉本体３外に
移送される。
れている方の面（以下、チップ装着面という。）を上側
にして炉本体３内に移送され、そして、反転ローラ４を
通過するとチップ装着面が下側にされ、以下、反転ロー
ラ５を通過すると再びチップ装着面が上側にされ、更
に、反転ローラ６を通過するとそれが下側にされると共
に反転ローラ７を通過すると上側にされて炉本体３外に
移送される。
その際、炉本体３内に移送されたキャリアテープ21
は、ヒータ9,10による加熱に先立って、最初にプリヒー
タ８で加熱される。すなわち、プリヒータ８は、入口１
に接近されてチップ装着面と反対側（キャリアテープ21
の下面側）に配設され、かつ、他のヒータ９〜19の加熱
よりも低温度に加熱する。
は、ヒータ9,10による加熱に先立って、最初にプリヒー
タ８で加熱される。すなわち、プリヒータ８は、入口１
に接近されてチップ装着面と反対側（キャリアテープ21
の下面側）に配設され、かつ、他のヒータ９〜19の加熱
よりも低温度に加熱する。
その為、半導体チップ22を封止している樹脂中の溶剤
成分の放散を促し、このことにより、この低温度加熱に
続いて、他のヒータ９〜19で高温度加熱をしても、発泡
や亀裂等の発生を防止することができ、かつ、他のヒー
タ９〜19で高温度に加熱することができることに基い
て、液だれの発生を防止し得ると共に、キャリアテープ
21の移送速度をより高速にすることができ、このような
ことの相乗効果により、従来よりも一段と多種の処理条
件下で良好に硬化処理することができる。
成分の放散を促し、このことにより、この低温度加熱に
続いて、他のヒータ９〜19で高温度加熱をしても、発泡
や亀裂等の発生を防止することができ、かつ、他のヒー
タ９〜19で高温度に加熱することができることに基い
て、液だれの発生を防止し得ると共に、キャリアテープ
21の移送速度をより高速にすることができ、このような
ことの相乗効果により、従来よりも一段と多種の処理条
件下で良好に硬化処理することができる。
次に、封止用樹脂として北陸塗料（株）製のチップコ
ート1320−617を0.0190cc塗布したキャリアテープ21
を、4,6,8,10,12,16（パーフォレーション/sec）で移送
して行った各種のテストの結果について述べる。
ート1320−617を0.0190cc塗布したキャリアテープ21
を、4,6,8,10,12,16（パーフォレーション/sec）で移送
して行った各種のテストの結果について述べる。
（テスト１）…プリヒータ８、ヒータ９、10の温度を
いずれも50℃にしたところ、６（パーフォレーション/s
ec）になると、液だれが発生したが、４（パーフォレー
ション/sec）では、液だれ、発泡のいずれも発生しなか
った。
いずれも50℃にしたところ、６（パーフォレーション/s
ec）になると、液だれが発生したが、４（パーフォレー
ション/sec）では、液だれ、発泡のいずれも発生しなか
った。
（テスト２）…プリヒータ８の温度を70℃、ヒータ
９、10の温度をいずれも80℃にしたところ、12（パーフ
ォレーション/sec）で液だれが発生したが、４〜10（パ
ーフォレーション/sec）では、液だれ、発泡のいずれも
発生しなかった。
９、10の温度をいずれも80℃にしたところ、12（パーフ
ォレーション/sec）で液だれが発生したが、４〜10（パ
ーフォレーション/sec）では、液だれ、発泡のいずれも
発生しなかった。
（テスト３）…プリヒータ８、ヒータ９〜12の温度を
いずれも50℃にしたところ、８（パーフォレーション/s
ec）まで良好に処理できた。
いずれも50℃にしたところ、８（パーフォレーション/s
ec）まで良好に処理できた。
（テスト４）…ヒータ11,12の温度をいずれも70℃に
したこと以外の条件は、テスト３と同一にしたところ、
４〜８（パーフォレーション/sec）では、液だれ、発泡
が発生しなかった。しかし、10（パーフォレーション/s
ec）では液だれが発生した。
したこと以外の条件は、テスト３と同一にしたところ、
４〜８（パーフォレーション/sec）では、液だれ、発泡
が発生しなかった。しかし、10（パーフォレーション/s
ec）では液だれが発生した。
（テスト５）…ヒータ11,12の温度をいずれも90℃に
したこと以外の条件は、テスト３と同一にしたところ、
４（パーフォレーション/sec）で発泡が発生した。
したこと以外の条件は、テスト３と同一にしたところ、
４（パーフォレーション/sec）で発泡が発生した。
更に、封止用樹脂として北陸塗料（株）製のチップコ
ート1320−617を0.0190cc塗布したキャリアテープ21
を、4,6,8,10,12,16,18（パーフォレーション/sec）で
移送して行った各種のテストの結果について述べる。
ート1320−617を0.0190cc塗布したキャリアテープ21
を、4,6,8,10,12,16,18（パーフォレーション/sec）で
移送して行った各種のテストの結果について述べる。
（テスト６）…プリヒータ８の温度を70℃、ヒータ９
〜12の温度をいずれも80℃にしたところ、12（パーフォ
レーション/sec）で液だれが発生した。
〜12の温度をいずれも80℃にしたところ、12（パーフォ
レーション/sec）で液だれが発生した。
（テスト７）…ヒータ11,12の温度を100℃にしたこと
以外の条件は、テスト６と同一にしたところ、12（パー
フォレーション/sec）で液だれが発生した。
以外の条件は、テスト６と同一にしたところ、12（パー
フォレーション/sec）で液だれが発生した。
（テスト８）…ヒータ11,12の温度を120℃にしたこと
以外の条件は、テスト６と同一にしたところ、８（パー
フォレーション/sec）で発泡が発生し、かつ、18（パー
フォレーション/sec）で液だれが発生した。
以外の条件は、テスト６と同一にしたところ、８（パー
フォレーション/sec）で発泡が発生し、かつ、18（パー
フォレーション/sec）で液だれが発生した。
（テスト９）…ヒータ11,12の温度を140℃にしたこと
以外の条件は、テスト６と同一にしたところ、８（パー
フォレーション/sec）で発泡が発生した。
以外の条件は、テスト６と同一にしたところ、８（パー
フォレーション/sec）で発泡が発生した。
なお、第２図において示されている従来の硬化炉、す
なわち、炉本体３の入口１側から出口２に向って間欠移
送されるキャリアテープ21を、ヒータ30〜34で加熱する
炉を用いてのテストにおいては、ヒータ30〜34の温度が
50℃の場合、４（パーフォレーション/sec）で、また、
80℃の場合は、10（パーフォレーション/sec）で液だれ
が発生したが、この結果と、テスト１の結果とを対比し
てみた場合、前者は、50℃のときに、４（パーフォレー
ション/sec）で液だれが発生するのに対し、後者は、こ
の速度では液だれが発生しないで、６（パーフォレーシ
ョン/sec）で発生するものであるから、後者の方が有利
であることが判る。
なわち、炉本体３の入口１側から出口２に向って間欠移
送されるキャリアテープ21を、ヒータ30〜34で加熱する
炉を用いてのテストにおいては、ヒータ30〜34の温度が
50℃の場合、４（パーフォレーション/sec）で、また、
80℃の場合は、10（パーフォレーション/sec）で液だれ
が発生したが、この結果と、テスト１の結果とを対比し
てみた場合、前者は、50℃のときに、４（パーフォレー
ション/sec）で液だれが発生するのに対し、後者は、こ
の速度では液だれが発生しないで、６（パーフォレーシ
ョン/sec）で発生するものであるから、後者の方が有利
であることが判る。
また、前者は、80℃のときに、４（パーフォレーショ
ン/sec）で液だれが発生するのに対し、テスト2,6にお
いては、それが12（パーフォレーション/sec）で発生す
るものであるから、後者の方が有利であることが判る。
ン/sec）で液だれが発生するのに対し、テスト2,6にお
いては、それが12（パーフォレーション/sec）で発生す
るものであるから、後者の方が有利であることが判る。
なお、本発明においては、キャリアテープの上下両面
側に対向せしめて配設されたヒータの対を、必要に応じ
て複数対配設してもよく、これにより、樹脂の硬化速度
をより速くすることができ、また、係るヒータの対に加
えて、この配設位置より後方位置（出口側に向う方）
に、キャリアテープの一面側だけを加熱するように他の
ヒータを配設してもよく、更に、ヒータは、周知の電気
抵抗発熱ヒータ以外に、遠赤外線ヒータを用いてもよ
く、プリヒータについても同様である。
側に対向せしめて配設されたヒータの対を、必要に応じ
て複数対配設してもよく、これにより、樹脂の硬化速度
をより速くすることができ、また、係るヒータの対に加
えて、この配設位置より後方位置（出口側に向う方）
に、キャリアテープの一面側だけを加熱するように他の
ヒータを配設してもよく、更に、ヒータは、周知の電気
抵抗発熱ヒータ以外に、遠赤外線ヒータを用いてもよ
く、プリヒータについても同様である。
なお、ヒータ及びプリヒータは、遠赤外線ヒータで構
成するのが好ましく、これにより、樹脂をその内部から
加熱し得る為、一段と均一に加熱することができて溶剤
の放散を効果的に行うことができ、従って、発泡の発生
をより有効に防止することができる。
成するのが好ましく、これにより、樹脂をその内部から
加熱し得る為、一段と均一に加熱することができて溶剤
の放散を効果的に行うことができ、従って、発泡の発生
をより有効に防止することができる。
［発明の効果］ 上述の如く、本発明によると、従来の炉よりも一段と
多種の処理条件下で良好に（樹脂の液だれ、発泡及び亀
裂等を発生させずに）連続的に硬化処理をすることがで
きる半導体チップの樹脂封止用硬化炉を得ることができ
る。
多種の処理条件下で良好に（樹脂の液だれ、発泡及び亀
裂等を発生させずに）連続的に硬化処理をすることがで
きる半導体チップの樹脂封止用硬化炉を得ることができ
る。
第１図は本発明に係る半導体チップの樹脂封止用硬化炉
の一実施例を示す正面図、第２図は従来の半導体チップ
の樹脂封止用硬化炉の正面図である。 １……入口、２……出口、３……炉本体、４〜７……反
転ローラ、８……プリヒータ、９〜19……ヒータ、21…
…キャリアテープ、22……半導体チップ
の一実施例を示す正面図、第２図は従来の半導体チップ
の樹脂封止用硬化炉の正面図である。 １……入口、２……出口、３……炉本体、４〜７……反
転ローラ、８……プリヒータ、９〜19……ヒータ、21…
…キャリアテープ、22……半導体チップ
Claims (3)
- 【請求項１】炉本体の入口から出口に向って移送される
キャリアテープに装着の半導体チップをコーティングし
ている封止用樹脂を加熱硬化せしめる半導体チップの樹
脂封止用硬化炉において、前記半導体チップを上面側に
位置せしめて前記入口を通過した前記キャリアテープの
前記封止用樹脂を、前記入口の近傍において前記キャリ
アテープの下面側から加熱するプリヒータと、前記プリ
ヒータで加熱されて前記出口側へ移送される前記キャリ
アテープの前記封止用樹脂を、前記キャリアテープの上
面側から加熱する上側のヒータ及び前記上側のヒータと
対向せしめられて配されて前記キャリアテープの下面側
から加熱する下側のヒータとを備え、かつ、前記プリヒ
ータを、前記上側及び下側のヒータ夫々の加熱温度より
も低温度に加熱制御することを特徴とする半導体チップ
の樹脂封止用硬化炉。 - 【請求項２】上側のヒータと下側のヒータとの対が、キ
ャリアテープの移送方向に複数対配設されていることを
特徴とする請求項１に記載の半導体チップの樹脂封止用
硬化炉。 - 【請求項３】プリヒータ、上側のヒータ及び下側のヒー
タが、遠赤外線ヒータで構成されていることを特徴とす
る請求項１若しくは請求項２に記載の半導体チップの樹
脂封止用硬化炉。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2171689A JP2553952B2 (ja) | 1990-06-28 | 1990-06-28 | 半導体装置形成用硬化炉 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2171689A JP2553952B2 (ja) | 1990-06-28 | 1990-06-28 | 半導体装置形成用硬化炉 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0461242A JPH0461242A (ja) | 1992-02-27 |
| JP2553952B2 true JP2553952B2 (ja) | 1996-11-13 |
Family
ID=15927869
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2171689A Expired - Lifetime JP2553952B2 (ja) | 1990-06-28 | 1990-06-28 | 半導体装置形成用硬化炉 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2553952B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4919483B2 (ja) * | 2006-10-30 | 2012-04-18 | 日東電工株式会社 | 粘着シートの製造方法及びその製造装置 |
| JP2010002129A (ja) * | 2008-06-20 | 2010-01-07 | Ngk Insulators Ltd | フィルム式加熱炉 |
| JP5454935B2 (ja) * | 2010-10-01 | 2014-03-26 | 株式会社日本製鋼所 | 連続式熱処理炉 |
-
1990
- 1990-06-28 JP JP2171689A patent/JP2553952B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0461242A (ja) | 1992-02-27 |
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