JP2551760B2 - 情報シフト装置 - Google Patents
情報シフト装置Info
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- JP2551760B2 JP2551760B2 JP61191855A JP19185586A JP2551760B2 JP 2551760 B2 JP2551760 B2 JP 2551760B2 JP 61191855 A JP61191855 A JP 61191855A JP 19185586 A JP19185586 A JP 19185586A JP 2551760 B2 JP2551760 B2 JP 2551760B2
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、電子線発生源を用いた記憶素子に情報をシ
フトする機能を持たせた情報シフト装置に関するもので
ある。
フトする機能を持たせた情報シフト装置に関するもので
ある。
［従来の技術］ 従来、電子線を用いた記憶素子として、例えば（G.W.
Ellis他,Applied Physics Letters,Vol.24,No.9,1974,4
19頁）などによりエレクトロンビームアドレスドMOSと
称されるものが知られている。これは、MOS（Metal Oxi
de Semiconductor）構造のキャパシタに書き込み電子線
を入射させて絶縁層に正孔を蓄積させ、蓄積させた正孔
の一部を読み出し電子線により消失させることによって
情報を読み出すものである。
Ellis他,Applied Physics Letters,Vol.24,No.9,1974,4
19頁）などによりエレクトロンビームアドレスドMOSと
称されるものが知られている。これは、MOS（Metal Oxi
de Semiconductor）構造のキャパシタに書き込み電子線
を入射させて絶縁層に正孔を蓄積させ、蓄積させた正孔
の一部を読み出し電子線により消失させることによって
情報を読み出すものである。
このような情報の読み出しにおいては情報が一部分破
壊されるため、そのままでは多数回の読み出しが不可能
である。従って、多数回の読み出しを行うためには、再
書き込みを要するために必要な情報を入手するには時間
がかかることになる。また、長時間の放置により情報が
消失するといった欠点もある。更に、このような電子線
を用いた記憶素子において、情報をシフトする機能を有
する所謂シフトレジスタは知られていない。
壊されるため、そのままでは多数回の読み出しが不可能
である。従って、多数回の読み出しを行うためには、再
書き込みを要するために必要な情報を入手するには時間
がかかることになる。また、長時間の放置により情報が
消失するといった欠点もある。更に、このような電子線
を用いた記憶素子において、情報をシフトする機能を有
する所謂シフトレジスタは知られていない。
［発明の目的］ 本発明の目的は、シフト動作を容易に行うことを可能
とし、シフト機能を利用することにより、所謂シリアル
・パラレル情報交換、一次元、二次元情報交換をも行い
得る情報の入出力の容易な情報シフト装置を提供するこ
とにある。
とし、シフト機能を利用することにより、所謂シリアル
・パラレル情報交換、一次元、二次元情報交換をも行い
得る情報の入出力の容易な情報シフト装置を提供するこ
とにある。
［発明の概要］ 上述の目的を達成するための本発明の要旨は、電子線
源と電子線検出手段と該電子線検出手段の信号により前
記電子線源を駆動する駆動手段とを１単位とする複数の
単位から成り、互いに一方の電子線源からの電子線を偏
向させ複数の電子線検出手段のうち任意の１つに入射可
能とする電磁界発生手段とを有することを特徴とする情
報シフト装置である。
源と電子線検出手段と該電子線検出手段の信号により前
記電子線源を駆動する駆動手段とを１単位とする複数の
単位から成り、互いに一方の電子線源からの電子線を偏
向させ複数の電子線検出手段のうち任意の１つに入射可
能とする電磁界発生手段とを有することを特徴とする情
報シフト装置である。
［発明の実施例］ 本発明を図示の実施例に基づいて詳細に説明する。
第１図はその概略構成図であり、電子線検出手段Ｄと
駆動手段Ｔと電子線源Ｅとから成る単位Ｕが、それぞれ
複数個配されているメモリユニットMU1とMU2とが対向し
て設置されている。なお、第１図（ａ）、（ｂ）におい
ては説明の簡略化のため、単位U111、U121、U211、U22
1、U311、U321等から成る３行２列のマトリクスのメモ
リユニットMU1、MU2を用いたが、それぞれの単位Ｕはエ
ピタキシャル成長、リソグラフィ等の半導体技術で形成
することができるので、非常に高密度に形成することが
できる。そして、メモリユニットMU1の上部にはシフト
レジスタSR1が、下部にはシフトレジスタSR2が配置され
ており、メモリユニットMU1とMU2との間には電源VAが介
在されている。また、メモリユニットMU1とMU2との上方
には電磁界発生手段としての偏向電極SE1が設けられて
おり、メモリユニットMU1とMU2との下方には偏向電極SE
2が設けられている。そして、偏向電極SE1とSE2の間に
は電源VRVを介してスイッチRV、電源VFWを介してスイッ
チFW、電源を有さないスイッチHLが設置されている。
駆動手段Ｔと電子線源Ｅとから成る単位Ｕが、それぞれ
複数個配されているメモリユニットMU1とMU2とが対向し
て設置されている。なお、第１図（ａ）、（ｂ）におい
ては説明の簡略化のため、単位U111、U121、U211、U22
1、U311、U321等から成る３行２列のマトリクスのメモ
リユニットMU1、MU2を用いたが、それぞれの単位Ｕはエ
ピタキシャル成長、リソグラフィ等の半導体技術で形成
することができるので、非常に高密度に形成することが
できる。そして、メモリユニットMU1の上部にはシフト
レジスタSR1が、下部にはシフトレジスタSR2が配置され
ており、メモリユニットMU1とMU2との間には電源VAが介
在されている。また、メモリユニットMU1とMU2との上方
には電磁界発生手段としての偏向電極SE1が設けられて
おり、メモリユニットMU1とMU2との下方には偏向電極SE
2が設けられている。そして、偏向電極SE1とSE2の間に
は電源VRVを介してスイッチRV、電源VFWを介してスイッ
チFW、電源を有さないスイッチHLが設置されている。
ここで、メモリユニットMU1及びMU2に配置されている
単位U111〜U322について、第２図及び第３図により説明
する。第２図は１単位Ｕの断面図を示しており、単位Ｕ
はpn接合から成る電子線検出手段Ｄと駆動手段Ｔと電子
線源Ｅとから成り、ｐ型半導体で形成された基板SSの表
面に絶縁層INSが形成され、絶縁層INSの上部には各種電
極が取り付けられている。基板SS中に裏側からnpn接合
により形成された電子線検出手段Ｄには、基準電圧を与
える電極DN、正バイアスを与える電極DI、逆バイアスを
与える電極DPが取り付けられている。また、基板SSには
絶縁層INSの開口部を介して加速電極GNDが取り付けられ
ている。電子線検出手段Ｄの横には基板SS中に裏側から
np+n+接合により形成された駆動手段Ｔが配置されてお
り、この駆動手段Ｔには電極TB、TE、TCが取り付けられ
ている。更に、駆動手段Ｔの横には基板SS中に裏側から
np+pn+接合により形成された電子線源Ｅが配置されてい
る。電子線源Ｅとしては、第２図に示すような例えば特
公昭54-30274号、特開昭54-11272号、特開昭56-15529
号、特開昭57-38528号公報等に開示されている固体電子
線源ものが好ましい。この電子線源Ｅは電極ENを電極EP
に対し正電位、即ち逆方向バイアスを印加することによ
り、アバランシュ効果により電子を発生させ正の電圧を
印加することにより、その開口部から電子を真空中に引
き出す引き出し電極EGが設けられている。また、このよ
うなpn接合を利用した固体電子線源として、順方向バイ
アスにより動作させるネガティブワークファンクション
形のもの、その他の所謂電界放出形、熱電子放出形のも
のなどが使用できる。
単位U111〜U322について、第２図及び第３図により説明
する。第２図は１単位Ｕの断面図を示しており、単位Ｕ
はpn接合から成る電子線検出手段Ｄと駆動手段Ｔと電子
線源Ｅとから成り、ｐ型半導体で形成された基板SSの表
面に絶縁層INSが形成され、絶縁層INSの上部には各種電
極が取り付けられている。基板SS中に裏側からnpn接合
により形成された電子線検出手段Ｄには、基準電圧を与
える電極DN、正バイアスを与える電極DI、逆バイアスを
与える電極DPが取り付けられている。また、基板SSには
絶縁層INSの開口部を介して加速電極GNDが取り付けられ
ている。電子線検出手段Ｄの横には基板SS中に裏側から
np+n+接合により形成された駆動手段Ｔが配置されてお
り、この駆動手段Ｔには電極TB、TE、TCが取り付けられ
ている。更に、駆動手段Ｔの横には基板SS中に裏側から
np+pn+接合により形成された電子線源Ｅが配置されてい
る。電子線源Ｅとしては、第２図に示すような例えば特
公昭54-30274号、特開昭54-11272号、特開昭56-15529
号、特開昭57-38528号公報等に開示されている固体電子
線源ものが好ましい。この電子線源Ｅは電極ENを電極EP
に対し正電位、即ち逆方向バイアスを印加することによ
り、アバランシュ効果により電子を発生させ正の電圧を
印加することにより、その開口部から電子を真空中に引
き出す引き出し電極EGが設けられている。また、このよ
うなpn接合を利用した固体電子線源として、順方向バイ
アスにより動作させるネガティブワークファンクション
形のもの、その他の所謂電界放出形、熱電子放出形のも
のなどが使用できる。
第３図は上述の素子を駆動するためのブロック回路図
である。電子線検出手段Ｄの電極DIにはスイッチSWI、
電極DNにはスイッチSWN、電極DPにはスイッチSWPが接続
され、電子線検出手段Ｄに電子線EBを入射する書き込み
モードをＷモード、電子線源Ｅより電子線EBを出射する
読み出しモードをＲモードとしたとき、スイッチSWI、
スイッチSWPには書き込みスイッチＷ及び読み出しスイ
ッチＲがそれぞれ対向して設けられており、スイッチSW
Iに対応したスイッチＷには電圧VW、スイッチＲには電
圧VRが印加されるようになっている。そして、スイッチ
SWNに対応したスイッチＷ、Ｒには電圧が印加されない
ようになっており、スイッチSWPに対応したスイッチＷ
には負の電圧VBが印加され、スイッチＲには入力端子IN
を介して外部の情報が入力されるようになっている。駆
動手段Ｔにおける電極TBは電極DPと接続されており、ス
イッチSWPによりスイッチＷ或いはスイッチＲと接続さ
れるようになっている。また、駆動手段Ｔの電極TCには
電流ICが接続されており、電極TEは電子線源Ｅの電極EN
と接続され、電極TE、ENから出力端子OUTにより情報を
外に取り出すことができるようになっている。引き出し
電極EGは電源VGと接続されており、電極EPは加速電極GN
Dと接続されている。
である。電子線検出手段Ｄの電極DIにはスイッチSWI、
電極DNにはスイッチSWN、電極DPにはスイッチSWPが接続
され、電子線検出手段Ｄに電子線EBを入射する書き込み
モードをＷモード、電子線源Ｅより電子線EBを出射する
読み出しモードをＲモードとしたとき、スイッチSWI、
スイッチSWPには書き込みスイッチＷ及び読み出しスイ
ッチＲがそれぞれ対向して設けられており、スイッチSW
Iに対応したスイッチＷには電圧VW、スイッチＲには電
圧VRが印加されるようになっている。そして、スイッチ
SWNに対応したスイッチＷ、Ｒには電圧が印加されない
ようになっており、スイッチSWPに対応したスイッチＷ
には負の電圧VBが印加され、スイッチＲには入力端子IN
を介して外部の情報が入力されるようになっている。駆
動手段Ｔにおける電極TBは電極DPと接続されており、ス
イッチSWPによりスイッチＷ或いはスイッチＲと接続さ
れるようになっている。また、駆動手段Ｔの電極TCには
電流ICが接続されており、電極TEは電子線源Ｅの電極EN
と接続され、電極TE、ENから出力端子OUTにより情報を
外に取り出すことができるようになっている。引き出し
電極EGは電源VGと接続されており、電極EPは加速電極GN
Dと接続されている。
先ず、電子線検出手段Ｄの動作を簡単に説明すると、
Ｗモード時においてはスイッチSWI、SWN、SWPはそれぞ
れスイッチＷ側に接続されているので、電極DNを基準電
圧として電極DIに正の電圧VWがバイアスとして印加され
ることになる。また、電極DN、DP間は逆バイアスのため
電流は流れないようになっている。ここで、電子線EBが
電極DIを介して入射すると、電極DIを透過し絶縁層INS
内で電子・正孔対を生ずる。この電子・正孔対のうち正
孔が絶縁層INSとｎ層の界面に近い絶縁層INS内に蓄積さ
れる。この正孔として蓄積された電荷は、電子線EBの照
射がないときでも比較的安定に保存される。
Ｗモード時においてはスイッチSWI、SWN、SWPはそれぞ
れスイッチＷ側に接続されているので、電極DNを基準電
圧として電極DIに正の電圧VWがバイアスとして印加され
ることになる。また、電極DN、DP間は逆バイアスのため
電流は流れないようになっている。ここで、電子線EBが
電極DIを介して入射すると、電極DIを透過し絶縁層INS
内で電子・正孔対を生ずる。この電子・正孔対のうち正
孔が絶縁層INSとｎ層の界面に近い絶縁層INS内に蓄積さ
れる。この正孔として蓄積された電荷は、電子線EBの照
射がないときでも比較的安定に保存される。
次に、電子線検出手段Ｄにおける読み出し方法につい
て述べると、従来から電極DIを電極DNと同電位にして読
み出し用に電子線を照射する方法が知られている。しか
し、逆方向電圧を電極DI、DP間に与えたときのブレーク
ダウン電圧が、絶縁層INSに蓄積された電荷の有無に応
じて異なる現象を利用することが好ましい。即ち、電極
DIに書き込み時よりも更に高い正の電位で、かつ絶縁層
INSに電荷が蓄積されていないときにはブレークダウン
せずに、絶縁層INSに電荷が或る閾値以上に蓄積されて
いるときには、ブレークダウンして電流が流れるような
電圧VRを与えることにより読み出しが行われる。このよ
うなブレークダウン効果を利用することにより、高感度
の電子線検出手段Ｄを得ることができる。なお、読み出
し時に蓄積されている電荷のうちの大部分を外部に放出
させる条件で使用することが望ましい。
て述べると、従来から電極DIを電極DNと同電位にして読
み出し用に電子線を照射する方法が知られている。しか
し、逆方向電圧を電極DI、DP間に与えたときのブレーク
ダウン電圧が、絶縁層INSに蓄積された電荷の有無に応
じて異なる現象を利用することが好ましい。即ち、電極
DIに書き込み時よりも更に高い正の電位で、かつ絶縁層
INSに電荷が蓄積されていないときにはブレークダウン
せずに、絶縁層INSに電荷が或る閾値以上に蓄積されて
いるときには、ブレークダウンして電流が流れるような
電圧VRを与えることにより読み出しが行われる。このよ
うなブレークダウン効果を利用することにより、高感度
の電子線検出手段Ｄを得ることができる。なお、読み出
し時に蓄積されている電荷のうちの大部分を外部に放出
させる条件で使用することが望ましい。
駆動手段Ｔは所謂npn形トランジスタの一例であり、
電子線源Ｅを駆動する目的には他のスイッチング素子で
もよい。なお、電子線検出手段Ｄ、駆動手段Ｔ、電子線
源Ｅはそれぞれｐ形基板に対し、pn接合に逆バイアス電
圧を印加することにより、各素子がアイソレートされる
ようになっている。また、電子線検出手段Ｄ、駆動手段
Ｔ、電子線源Ｅは必ずしも同一基板上にある必要はない
し、各素子は電界効果形のものでもよい。
電子線源Ｅを駆動する目的には他のスイッチング素子で
もよい。なお、電子線検出手段Ｄ、駆動手段Ｔ、電子線
源Ｅはそれぞれｐ形基板に対し、pn接合に逆バイアス電
圧を印加することにより、各素子がアイソレートされる
ようになっている。また、電子線検出手段Ｄ、駆動手段
Ｔ、電子線源Ｅは必ずしも同一基板上にある必要はない
し、各素子は電界効果形のものでもよい。
ここで、各素子を連動させた動作を第３図のブロック
回路図を用いて説明する。この第３図においては、前述
したように電子線検出手段Ｄに電子線EBを入射するモー
ドをＲモードとしてあるので、Ｗモード時にスイッチSW
I、SWN、SWPはそれぞれスイッチＷ側に接続する。この
とき、電子線検出手段Ｄに電子線EBが入射した場合に、
前述のように電子線検出手段Ｄの絶縁層INSに正孔等の
形で電荷が蓄積されるが、電極DPには電圧VBなる逆バイ
アス電圧が印加されているため、絶縁層INSに蓄積され
た正孔は電子線照射後も安定に保持される。このとき、
駆動手段ＴにおいてはスイッチSWPを介して電極DPと同
様に電極TBにも逆バイアス電圧VBが印加されているた
め、カットオフ状態であり電子線源Ｅも動作しない。
回路図を用いて説明する。この第３図においては、前述
したように電子線検出手段Ｄに電子線EBを入射するモー
ドをＲモードとしてあるので、Ｗモード時にスイッチSW
I、SWN、SWPはそれぞれスイッチＷ側に接続する。この
とき、電子線検出手段Ｄに電子線EBが入射した場合に、
前述のように電子線検出手段Ｄの絶縁層INSに正孔等の
形で電荷が蓄積されるが、電極DPには電圧VBなる逆バイ
アス電圧が印加されているため、絶縁層INSに蓄積され
た正孔は電子線照射後も安定に保持される。このとき、
駆動手段ＴにおいてはスイッチSWPを介して電極DPと同
様に電極TBにも逆バイアス電圧VBが印加されているた
め、カットオフ状態であり電子線源Ｅも動作しない。
一方、Ｒモード時にはスイッチSWI、SWN、SWPはそれ
ぞれスイッチＲ側に接続する。このとき、電極DIに書き
込み時よりも高い逆バイアス電圧が印加され、電子線EB
の照射の履歴の有無つまり電荷の蓄積の有無に応じ、電
子線検出手段Ｄがブレークダウンするか否かの選択が行
われることになる。電子線検出手段Ｄがブレークダウン
した場合に、電極DIからDPへ電流が流れ、この電流によ
り電極TBからTEへ順方向に電流が流れるため駆動手段Ｔ
はオン状態となり、電子線源Ｅにおいてアバランシェ効
果により電極ENからEPへ逆方向に電流が流れることにな
る。このとき、引き出し電極EGに正の電圧が印加されて
いれば、電子は真空中へ引き出され電子線EBとして出射
される。一方、電子線検出手段Ｄがブレークダウンしな
い場合は、電極DIからDPの方向へ電流が流れず駆動手段
Ｔがオフ状態のままとなり、その結果電子線源Ｅから電
子線EBは出射されない。なお、Ｒモード時には出力端子
OUTから情報の有無を電気的に読み出すことができ、ま
た入力端子INに強制的に電圧を印加することにより、情
報を書き込むことができる。
ぞれスイッチＲ側に接続する。このとき、電極DIに書き
込み時よりも高い逆バイアス電圧が印加され、電子線EB
の照射の履歴の有無つまり電荷の蓄積の有無に応じ、電
子線検出手段Ｄがブレークダウンするか否かの選択が行
われることになる。電子線検出手段Ｄがブレークダウン
した場合に、電極DIからDPへ電流が流れ、この電流によ
り電極TBからTEへ順方向に電流が流れるため駆動手段Ｔ
はオン状態となり、電子線源Ｅにおいてアバランシェ効
果により電極ENからEPへ逆方向に電流が流れることにな
る。このとき、引き出し電極EGに正の電圧が印加されて
いれば、電子は真空中へ引き出され電子線EBとして出射
される。一方、電子線検出手段Ｄがブレークダウンしな
い場合は、電極DIからDPの方向へ電流が流れず駆動手段
Ｔがオフ状態のままとなり、その結果電子線源Ｅから電
子線EBは出射されない。なお、Ｒモード時には出力端子
OUTから情報の有無を電気的に読み出すことができ、ま
た入力端子INに強制的に電圧を印加することにより、情
報を書き込むことができる。
上述した単位Ｕを配置したメモリユニットMUを用いた
本実施例の動作を再び第１図を用いて説明する。この第
１図において、シフトレジスタSR1、SR2は外部の上方を
入出力するためのものであり、これは半導体基板上に通
常の電気的回路により形成することができる。第１図の
場合にシフトレジスタSR1は単位U111、U121の入力端子I
Nに情報を書き込むため、シフトレジスタSR2は単位U31
1、U321の出力端子OUTから１情報を読み出すためのもの
である。
本実施例の動作を再び第１図を用いて説明する。この第
１図において、シフトレジスタSR1、SR2は外部の上方を
入出力するためのものであり、これは半導体基板上に通
常の電気的回路により形成することができる。第１図の
場合にシフトレジスタSR1は単位U111、U121の入力端子I
Nに情報を書き込むため、シフトレジスタSR2は単位U31
1、U321の出力端子OUTから１情報を読み出すためのもの
である。
第１図（ａ）はメモリユニットMU1に記載された情報
に応じ、メモリユニットMU1からMU2へ情報が転送される
様子を示している。例えば、メモリユニットMU1の電子
線源E112、E121、E211から出射した電子線EBがメモリユ
ニットMU2の電子線検出手段D112、D122、D212に入射す
ることにより、情報がメモリユニットMU1からMU2に転送
される。このとき、メモリユニットMU1はＲモード、メ
モリユニットMU2はＷモードに設定されており、加速電
極GND2はGND1に対し加速電圧VAが印加され、メモリユニ
ットMU1からMU2の方向へ加速電界が形成される。また第
１図（ａ）の場合には、電磁界発生手段としての偏向電
極SE1とSE2間の電位差が０に設定されているので、電子
線EBは偏向されることはない。
に応じ、メモリユニットMU1からMU2へ情報が転送される
様子を示している。例えば、メモリユニットMU1の電子
線源E112、E121、E211から出射した電子線EBがメモリユ
ニットMU2の電子線検出手段D112、D122、D212に入射す
ることにより、情報がメモリユニットMU1からMU2に転送
される。このとき、メモリユニットMU1はＲモード、メ
モリユニットMU2はＷモードに設定されており、加速電
極GND2はGND1に対し加速電圧VAが印加され、メモリユニ
ットMU1からMU2の方向へ加速電界が形成される。また第
１図（ａ）の場合には、電磁界発生手段としての偏向電
極SE1とSE2間の電位差が０に設定されているので、電子
線EBは偏向されることはない。
次に、第１図（ｂ）に示すようにメモリユニットMU1
をＷモード、MU2をＲモードに設定し、加速電極GND2をG
ND1に対して負電位VAが印加されるようにする。このと
き、偏向電極SE1とSE2間の電位差が０であれば、電子線
源E112、E121、E212から出射した電子線EBは、それぞれ
電子線検出手段D111、D121、D211に入射し、記憶情報は
第１図（ａ）の状態と同じ状態に保持されるが、第１図
（ｂ）のように偏向電極SE1に対してSE2に適当な電圧VF
Eを印加することにより、電子線EBを偏向することがで
き、電子線EBをそれぞれ電子線検出手段D211、D221、D3
11に入射させることができる。このようにして、メモリ
ユニットMU1の情報は１行分シフトさせることができ、
このような動作を繰り返すことにより順次に情報のシフ
トが可能となる。
をＷモード、MU2をＲモードに設定し、加速電極GND2をG
ND1に対して負電位VAが印加されるようにする。このと
き、偏向電極SE1とSE2間の電位差が０であれば、電子線
源E112、E121、E212から出射した電子線EBは、それぞれ
電子線検出手段D111、D121、D211に入射し、記憶情報は
第１図（ａ）の状態と同じ状態に保持されるが、第１図
（ｂ）のように偏向電極SE1に対してSE2に適当な電圧VF
Eを印加することにより、電子線EBを偏向することがで
き、電子線EBをそれぞれ電子線検出手段D211、D221、D3
11に入射させることができる。このようにして、メモリ
ユニットMU1の情報は１行分シフトさせることができ、
このような動作を繰り返すことにより順次に情報のシフ
トが可能となる。
第４図にこのような例において、順次にシフトすると
きの電圧印加の一例をタイミングチャートとして示す。
即ち、加速電圧GND2-GND1をVAとし偏向電圧SE2-SE1を０
として、メモリユニットMU1をＲモードに、メモリユニ
ットMU2をＷモードに設定し、メモリユニットMU1から電
子線EBを出射させてメモリユニットMU2に入射させ、次
に加速電圧GND2-GND1を−VAとし偏向電圧SE2-SE1をVWF
とし、メモリユニットMU2をＲモードに、メモリユニッ
トMU1をＷモードに設定し、メモリユニットMU2から電子
線EBを出射させメモリユニットMU1に入射させるという
シフト動作を繰り返した場合を示している。
きの電圧印加の一例をタイミングチャートとして示す。
即ち、加速電圧GND2-GND1をVAとし偏向電圧SE2-SE1を０
として、メモリユニットMU1をＲモードに、メモリユニ
ットMU2をＷモードに設定し、メモリユニットMU1から電
子線EBを出射させてメモリユニットMU2に入射させ、次
に加速電圧GND2-GND1を−VAとし偏向電圧SE2-SE1をVWF
とし、メモリユニットMU2をＲモードに、メモリユニッ
トMU1をＷモードに設定し、メモリユニットMU2から電子
線EBを出射させメモリユニットMU1に入射させるという
シフト動作を繰り返した場合を示している。
なお、メモリユニットMU1、MU2から電子線EBが出射さ
れる時間を加速電圧GND2-GND1、偏向電極SE2-SE1が印加
されている時間に比べて短くすることにより、正確に情
報が取り入れられるようにしている。また、メモリユニ
ットMU1、MU2は電子線EBの出射時以外はＷモードになっ
ており、その状態においてはメモリユニットMU1、MU2に
蓄積された電荷としての情報は安定している。
れる時間を加速電圧GND2-GND1、偏向電極SE2-SE1が印加
されている時間に比べて短くすることにより、正確に情
報が取り入れられるようにしている。また、メモリユニ
ットMU1、MU2は電子線EBの出射時以外はＷモードになっ
ており、その状態においてはメモリユニットMU1、MU2に
蓄積された電荷としての情報は安定している。
以上、第１図に示した実施例により情報をどのように
してシフトするかを述べたが、情報のシフト動作はこの
実施例に限るものではない。即ち、情報をシフトする場
合にメモリユニットMU1からMU2への情報転送時には電子
線EBを偏向するように設定したが、この逆にメモリユニ
ットMU1からMU2への情報転送時には電子線EBを偏向し、
メモリユニットMU2からMU1への情報転送時には電子線EB
を偏向しないようにしてもよい。
してシフトするかを述べたが、情報のシフト動作はこの
実施例に限るものではない。即ち、情報をシフトする場
合にメモリユニットMU1からMU2への情報転送時には電子
線EBを偏向するように設定したが、この逆にメモリユニ
ットMU1からMU2への情報転送時には電子線EBを偏向し、
メモリユニットMU2からMU1への情報転送時には電子線EB
を偏向しないようにしてもよい。
また、常に偏向電極SE2、SE1間に電圧VFWを印加させ
ることにより、２行分のシフトを実行させることが可能
であるし、更にメモリユニットMU1とMU2を幾何学的に２
分の１行分ずらして配置し、常時電圧（1/2）VFWを印加
することにより、１行分ずつシフトさせることもでき
る。なお、一般に複数行分のシフトも電圧VFWの値を適
当に選ぶことにより、電子線EBの軌跡が歪まない範囲で
可能である。また、第１図で電圧VFWの方向と逆の電磁
界印加手段として、電圧VRVを印加することにより逆方
向の情報シフトも可能である。更に、第１図においては
ｙ方向の電界を印加することにより、電子線源E111から
出射した電子線EBを電子線検出手段D122に入射するよう
に列方向シフトも可能であり、行方向のシフトと併用す
ることもできる。
ることにより、２行分のシフトを実行させることが可能
であるし、更にメモリユニットMU1とMU2を幾何学的に２
分の１行分ずらして配置し、常時電圧（1/2）VFWを印加
することにより、１行分ずつシフトさせることもでき
る。なお、一般に複数行分のシフトも電圧VFWの値を適
当に選ぶことにより、電子線EBの軌跡が歪まない範囲で
可能である。また、第１図で電圧VFWの方向と逆の電磁
界印加手段として、電圧VRVを印加することにより逆方
向の情報シフトも可能である。更に、第１図においては
ｙ方向の電界を印加することにより、電子線源E111から
出射した電子線EBを電子線検出手段D122に入射するよう
に列方向シフトも可能であり、行方向のシフトと併用す
ることもできる。
また、これらの偏向手段として一般に電磁界発生手段
が使用でき、上述のように電磁界発生手段を使用しても
よいし、或いは磁界発生手段によってもよく、更にこれ
ら双方を併用してもよい。第１図の電気回路的シフトレ
ジスタSR1、SR2は、双方向の入出力をできるようにすれ
ば１個でもよい。
が使用でき、上述のように電磁界発生手段を使用しても
よいし、或いは磁界発生手段によってもよく、更にこれ
ら双方を併用してもよい。第１図の電気回路的シフトレ
ジスタSR1、SR2は、双方向の入出力をできるようにすれ
ば１個でもよい。
第５図は磁界によりシフト動作を行う場合の実施例で
あり、第１図の実施例と同様に対向させて配置されたメ
モリユニットMU1とMU2の左右に磁界発生手段SM1、SM2が
配置されている場合が示されている。例えば、メモリユ
ニットMU1からMU2への情報転送に際してシフトするとし
て、電子線源E211、E221からの電子線EBは、磁界発生手
段SM1、SM2により磁界Ｂが存在しなければ電子線検出手
段D212、D222に入射することになる。第５図（ａ）に示
すように磁界発生手段SM2からSM1へ適当な大きさの磁界
Ｂを印加することにより、電子線検出手段D312、D322の
方向に電子線EBが入射する順シフトが可能であり、
（ｂ）に示すように磁界発生手段SM1からSM2へ磁界Ｂを
印加すれば、電子線源E211、E221から電子線検出手段D1
12、D122へ電子線EBを入射させる逆シフトを行うことが
できる。
あり、第１図の実施例と同様に対向させて配置されたメ
モリユニットMU1とMU2の左右に磁界発生手段SM1、SM2が
配置されている場合が示されている。例えば、メモリユ
ニットMU1からMU2への情報転送に際してシフトするとし
て、電子線源E211、E221からの電子線EBは、磁界発生手
段SM1、SM2により磁界Ｂが存在しなければ電子線検出手
段D212、D222に入射することになる。第５図（ａ）に示
すように磁界発生手段SM2からSM1へ適当な大きさの磁界
Ｂを印加することにより、電子線検出手段D312、D322の
方向に電子線EBが入射する順シフトが可能であり、
（ｂ）に示すように磁界発生手段SM1からSM2へ磁界Ｂを
印加すれば、電子線源E211、E221から電子線検出手段D1
12、D122へ電子線EBを入射させる逆シフトを行うことが
できる。
［発明の効果］ 以上説明したように本発明に係る情報シフト装置は、
電子線源と電子線検出手段と、この電子線検出手段の信
号により電子線源を駆動する駆動手段とを１つの単位と
する複数の単位間で、互いに一方の電子線源からの電子
線を電磁界発生手段により偏向させ、複数の検出手段の
うちの任意の１つに入射可能であるようにすることによ
り、電子線を任意の方向に任意の量だけシフトすること
を可能とし、シリアル・パラレル情報変換、一次元、二
次元情報交換等の情報交換を容易に実行し得る。
電子線源と電子線検出手段と、この電子線検出手段の信
号により電子線源を駆動する駆動手段とを１つの単位と
する複数の単位間で、互いに一方の電子線源からの電子
線を電磁界発生手段により偏向させ、複数の検出手段の
うちの任意の１つに入射可能であるようにすることによ
り、電子線を任意の方向に任意の量だけシフトすること
を可能とし、シリアル・パラレル情報変換、一次元、二
次元情報交換等の情報交換を容易に実行し得る。
図面は本発明に係る情報シフト装置の実施例を示すもの
であり、第１図はその概略斜視図、第２図は電子線検出
手段、駆動手段、電子線源の説明図、第３図はブロック
回路図、第４図は動作のタイミングチャート図、第５図
は他の実施例の概略構成図である。 符号Ｄは電子線検出手段、Ｔは駆動手段、Ｅは電子線
源、MU1、MU2はメモリユニット、SR1、SR2はシフトレジ
スタ、SE1、SE2は偏向電極、SM1、SM2は磁界発生手段で
ある。
であり、第１図はその概略斜視図、第２図は電子線検出
手段、駆動手段、電子線源の説明図、第３図はブロック
回路図、第４図は動作のタイミングチャート図、第５図
は他の実施例の概略構成図である。 符号Ｄは電子線検出手段、Ｔは駆動手段、Ｅは電子線
源、MU1、MU2はメモリユニット、SR1、SR2はシフトレジ
スタ、SE1、SE2は偏向電極、SM1、SM2は磁界発生手段で
ある。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 竹之内 雅典 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 下田 勇 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 奥貫 昌彦 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】電子線源と電子線検出手段と該電子線検出
手段の信号により前記電子線源を駆動する駆動手段とを
１単位とする複数の単位から成る２つのメモリユニット
と、一方のメモリユニットの電子線源から出射した電子
線を偏向させ、他方のメモリユニットの任意の電子線検
出手段に入射可能とする電磁界発生手段とを備えたこと
を特徴とする情報シフト装置。 - 【請求項２】前記メモリユニットを対向させて配置した
特許請求の範囲第１項に記載の情報シフト装置。 - 【請求項３】前記電磁界発生手段は交互に逆方向電磁界
を印加するようにした特許請求の範囲第１項に記載の情
報シフト装置。 - 【請求項４】前記電磁界発生手段による電磁界とは別の
方向に電磁界を印加する電磁界発生手段を設けた特許請
求の範囲第１項に記載の情報シフト装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61191855A JP2551760B2 (ja) | 1986-08-15 | 1986-08-15 | 情報シフト装置 |
| DE3788318T DE3788318T2 (de) | 1986-06-23 | 1987-06-23 | Verfahren und Anordnung zur Datenübertragung unter Verwendung eines Elektronenstrahls. |
| EP87305598A EP0256641B1 (en) | 1986-06-23 | 1987-06-23 | Method and apparatus for transferring information by utilizing electron beam |
| US07/902,783 US5355127A (en) | 1986-06-23 | 1992-06-24 | Method and apparatus for transferring information by utilizing electron beam |
| US08/242,236 US5574438A (en) | 1986-06-23 | 1994-05-13 | Method for transferring information, and in particular for performing a logic operation, using electron beams |
| US08/449,834 US5576699A (en) | 1986-06-23 | 1995-05-24 | Method and apparatus for transferring information by utilizing electron beam |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61191855A JP2551760B2 (ja) | 1986-08-15 | 1986-08-15 | 情報シフト装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6348700A JPS6348700A (ja) | 1988-03-01 |
| JP2551760B2 true JP2551760B2 (ja) | 1996-11-06 |
Family
ID=16281627
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61191855A Expired - Fee Related JP2551760B2 (ja) | 1986-06-23 | 1986-08-15 | 情報シフト装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2551760B2 (ja) |
-
1986
- 1986-08-15 JP JP61191855A patent/JP2551760B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6348700A (ja) | 1988-03-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |