JP2547855Y2 - ガス検出装置 - Google Patents

ガス検出装置

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JP2547855Y2 JP1990023440U JP2344090U JP2547855Y2 JP 2547855 Y2 JP2547855 Y2 JP 2547855Y2 JP 1990023440 U JP1990023440 U JP 1990023440U JP 2344090 U JP2344090 U JP 2344090U JP 2547855 Y2 JP2547855 Y2 JP 2547855Y2
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Description

【考案の詳細な説明】 [考案の利用分野] この考案は金属酸化物半導体ガスセンサの異常検出に
関する。
[従来技術] 実公昭57−59,962号は、ガスセンサの金属酸化物半導
体の抵抗値の異常増加から、ガスセンサの断線等の異常
を検出することを示している。しかしながら、ガスセン
サの異常により抵抗値が異常に増加した後に、水分の金
属酸化物半導体への吸着等により、抵抗値が再び減少す
る現象がしばしば生じる。実公昭57−59,962号ではこの
ことを考慮していない。このため水分の吸着等で抵抗値
が減少すると、ガスセンサが異常であるにもかかわら
ず、異常検出信号が解除されることになる。これはガス
センサの異常検出にとって、好ましくない。
[考案の課題] この考案の課題は、上記の不都合を除き、異常の検出
後にガスセンサの抵抗値が正常値に復帰した後も、異常
の検出信号を解除しないようにすることにある。
[考案の構成] この考案のガス検出装置は、ガスにより抵抗値が変化
する金属酸化物半導体と、金属酸化物半導体の加熱用ヒ
ータとを設けたガスセンサを用い、金属酸化物半導体の
抵抗値の変化からガスを検出すると共に、金属酸化物半
導体の抵抗値の異常増加から、ガスセンサの異常を検出
するようにしたものにおいて、ガスセンサの異常検出後
の通常検出状態への復帰を阻止する手段を設け、ガスセ
ンサの抵抗値が異常増加状態から正常状態へ移行した後
も、通常検出状態への復帰を阻止するようにしたことを
特徴とする。
このようにすれば、異常の検出後に抵抗値が正常値に
復帰し、見掛け上異常が解消しても、異常の検出信号は
失われず、使用者が誤って検出装置を使用可能であると
誤解することがない。
[実施例] 第1図〜第16図に、実施例を示す。
実施例の目次 全体構成(第1図〜第3図), ヒートクリニーング(第4図,第5図), 動作モードの決定(第6図,第7図), 基準値の決定(第8図,第9図), ガス検出表示(第10図〜第12図), トラブルのチェック(第13図,第14図), デモンストレーション・モード(第15図,第16図) 全体構成(第1図〜第3図) 第1図において、2は検出信号の処理用のマイクロコ
ンピュータ、4はSnO2等の金属酸化物半導体の抵抗値の
変化を利用したガスセンサで、6はその金属酸化物半導
体(SnO2)、8はヒータである。10は電池等の電源、12
は電源スイッチ、14は定電圧電源、16,18は電源電圧の
監視用抵抗である。18,20,22はガスセンサ4の負荷抵抗
で、その合成抵抗値をR1と呼ぶ。24は出力平滑用のコン
デンサである。26,28はヒートクリーニング用のトラン
ジスタ・スイッチ、31は抵抗である。32,34,36,38は分
圧抵抗、40は感度変更用のスイッチである。42は、クロ
ック発生回路である。また44は、動作モードがデモンス
トレーション・モードか否かを決定するためのスイッチ
で、このスイッチは装置のカバーを開けないと操作でき
ないようにしておく。
マイクロコンピュータ2の入力側には、これ以外に動
作モードの決定用の入力ポートJ1,J2,J3,J4を設け
る。マイクロコンピュータ2の出力側には、ヒートクリ
ーニング,通常測定,電源電圧の低下,トラブルの発
生,の各状態を表示するためのLED0を設ける。また50
は、5個のLEDからなるLEDレベルメータである。レベル
メータ50中の各LEDを、低濃度側から高濃度側への順
に、LED1〜LED5と呼ぶ。これらへの出力ポートとして、
出力ポートP0,P1,P2,P3,P4,P5を設ける。52はピエ
ゾ・ブザー、P6はピエゾ・ブザー52への出力ポートであ
る。
第2図に移り、マイクロコンピュータ2の構成を説明
する。マイクロコンピュータ2には、4ポート・8ビッ
トのA/Dコンバータが有る。4個のA/Dコンバータ60,62,
64,66の後段には、それぞれ平均化回路68,70,72,74を接
続し、A/D変換出力を8回平均して、A/D変換値とする。
A/Dコンバータの割り当てを表1に示す。
表1 A/Dコンバータ (1) 端子A センサ抵抗(Rs):ガスセンサ4の出
力 (2) 端子B 感度1(V1):I1の決定用 (3) 端子C 感度2(V2):I2〜I5の決定用 (4) 端子D 電源電圧の低下検出 76はセンサ抵抗RsのRAM,78は基準値R0のRAM,80は予備
値R1のRAM,82は基準値R0の更新制御用タイマである。84
は基準感度決定用の電圧V1のRAM、86はスパン感度決定
用の電圧V2のRAM、88は検出レベルR0・I1〜R0・I5をス
トアするRAMである。90はガス検出部で、センサ抵抗Rs
と検出レベルRO・I1〜R0・I5との比較から、ガス濃度を
検出する。検出レベルはR0・I1〜R0・I5の5つのレベル
で、各レベルに対する検出信号として、5つの変数K1
K5を設ける。
92は、検出信号K1〜K5が同時に2レベル以上変化する
場合に、2段目からの変化に0.15秒ずつの遅延をもたら
すための遅延部である。94は検出信号K1〜K5を記憶する
ためのRAMである。96はLEDレベルメータ50の制御部、98
はブザー52の制御部である。
100は、ガスセンサ4の故障等のトラブルの検出用の
トラブル検出部、102はトラブル信号のRAM、104はトラ
ブル処理部である。106は、電池電圧の低下の検出用の
電源チェック部である。110は、デモンストレーション
・モード判別部である。デモンストレーション・モード
判別部110では、デモンストレーション信号の入力ポー
トへの電圧から、装置の動作状態がデモンストレーショ
ン・モードか通常モードかを判別し、デモンストレーシ
ョン・モードではデモンストレーション処理部112を作
動させる。
120はヒートクリーニング信号の発生部、122はヒート
クリーニング信号のRAM、124はヒートクリーニング時間
の上限を定めるタイマ、126はヒートクリーニング中に
センサ抵抗Rsが安定値に達したことを検出する安定化検
出部である。ヒートクリーニング後には、センサ温度の
変動に基づく過渡現象があり、この間も装置を待機状態
におく。128は過渡現象への待機時間の上限を定めるタ
イマ、130は過渡現象が終了し、センサ抵抗Rsが安定化
したことを検出する安定化検出部である。132は、ヒー
トクリーニングとその後の過渡現象の間、LED0とブザー
52を制御し、待機表示処理を行う待機表示部である。
140は動作モード判別部で、入力ポートJ1,J2,J3,J
4への電圧から、動作モードを判別する。実施例ではマ
イクロコンピュータ2の遊びポートを利用し、同じマイ
クロコンピュータ2を種々のモードで切り替えて用い
る。142は、ピークホールド・モード用の、ピークホー
ルド処理部である。
第3図に、装置の動作シーケンスを示す。ステップ20
0で、動作モードがデモンストレーション・モードか否
かを判別し、デモンストレーション・モードでは装置の
動作表示(デモンストレーション)をエンドレスに繰り
返す(ステップ201)。
デモンストレーション・モード以外のモードでは、ヒ
ートクリーニングを行い(ステップ220)、入力ポートJ
1〜J4への電圧から動作モードを決定する(ステップ24
0)。そしてV1,V2から検出パラメータI1〜I5を決定す
る(ステップ260)。ステップ280では、基準値R0をサン
プリングする。ステップ301では、R0・I1とRsとの比較
からガスの有無を検出し、ステップ302ではガスの検出
と表示とを行う。センサ抵抗Rsは、常時0.5秒間隔でサ
ンプリングする。サンプリング値は、0.5秒間に8回A/D
変換し平均したものを用いる。
ステップ303では、ガス濃度が検出下限以下に低下し
たことを検出する。ステップ330では、トラブルの有無
や電池電圧の低下を検出する。ステップ331では、スイ
ッチ40の操作でV1,V2が変更されたか否かを判別し、変
更された場合ステップ260に戻り、パラメータI1〜I5
再決定する。
ヒートクリーニング(第4図,第5図) ヒートクリーニング処理では、ヒートクリーニング信
号発生部120でヒートクリーニング信号を発生させ、20
秒のタイマ124をスタートさせる(ステップ221)。この
信号に基づいて、トランジスタ26,28をONさせ、センサ
4のヒータ8に通常の電圧5Vより高い、例えば6Vの電圧
を加える。またブザー52を1回0.25秒間鳴動させ(ステ
ップ222)、通常測定状態へ移行するまでLEDを0.5秒毎
にON/OFFさせる(ステップ223)。
ヒートクリーニングでは第4図に示すように、センサ
抵抗Rsは一旦急激に低下した後、徐々に増加し安定値へ
と移行する。センサ抵抗Rsの安定化を、10回続けて以下
の条件が満たされることから判別し、ヒートクリーニン
グを打ち切る。
0.98<Rsn+1/Rsn<1.08 ここにRsn,Rsn+1は、0.5秒間隔でサンプリングしたセ
ンサ抵抗のn番目の値とn+1番目の値を示す。また第
4図の上段での丸印表示は、0.5秒毎のRsのサンプリン
グ点を示す。Rsの極小値(第4図の谷)では、Rsが安定
している時間が短く、この条件を満たさない。ヒートク
リーニングが終了し、センサ抵抗Rsが安定すると上の条
件が満たされる。ここでRsn+1とRsnとの比を0.98〜1.08
としたのは、Rsが徐々に増加することを安定化に含める
ためである。Rsが安定化する(ステップ224)、あるい
はヒートクリーニング時間が上限に達すると(ステップ
225)、ヒートクリーニングを打ち切る(ステップ22
6)。
ヒートクリーニングが終了すると、ヒータ電圧を通常
電圧の5Vに戻す。しかしセンサ抵抗Rsには、温度変化に
伴う過渡特性が残るので、この間装置を待機させる。待
機時間の上限を20秒とし、過渡時間タイマ128をスター
トさせる(ステップ227)。過渡時間の間にセンサ抵抗R
sは一旦変化した後、安定化する。前の処理と同様に、1
0回続けて以下の条件が満たされることから、安定化を
検出する(ステップ228)。
0.99<Rsn+1/Rsn<1.04 安定化が起こらない場合も、ステップ229で20秒経過し
たことを検出し、装置を通常測定状態へ移行させる。通
常測定状態への移行では、LED0を点滅から連続点灯へ切
り替え、ブザー52を0.25秒間ずつ3回鳴動させて、通常
測定状態への移行を表示する(ステップ231)。
通常測定状態までの待機時間は、上限が20秒+20秒の
40秒で、下限が5秒(0.5秒×10回,ヒートクリーニン
グ)+5秒(0.5秒×10回、ヒートクリーニング後の待
機)の10秒である。
動作モードの決定(第6図,第7図) マイクロコンピュータ2の入出力ポートの数やROMの
容量は、ガス検出装置に対して通常オーバースペックで
ある。これを利用し実施例では、遊びの入出力ポートを
用いて装置の動作モードを切り替える。モードの判別
は、ポートJ1〜J4への入力電圧がハイかロウかから行
う。またROMには複数のプログラムや複数の制御変数を
記憶させ、ポートJ1〜J4への電圧からこれらを選び、1
つのマイクロコンピュータ2で複数の動作ができるよう
にする。
ステップ241では、基準値R0の更新モードを決定す
る。ポートJ1,J2を2ビットの入力とし、(0,0)で
は、更新タイマ82の時間を1分に、リセット条件を Rs<R0・I1 とする。
(0,1)では、更新タイマ82の時間を3分に、リセット
条件を Rs<R0・I2 とする。
(1,0)では、更新タイマ82の時間を10分に、リセット
条件を Rs<R0・I3 とする。
(1,1)では、更新タイマ82の時間を30分に、リセット
条件を Rs<R0・I4 とする。
更新タイマ82の時間を短くすることは、工場等でガス
漏れの有無や発生箇所を探るためのガス漏れ検出器に適
し、長くすることは空調制御機器に適している。そして
更新時間を長くしたことに対応して、リセット条件を変
更する。
ステップ242では、表示モードが通常モードかオプシ
ョン・モードかを判別する。通常モードでは、レベルメ
ータ50について該当するレベルのLEDとそれ以下のレベ
ルのLEDとを点灯させる。またレベルK1〜K4では、ブザ
ー52を間欠鳴動させ、レベルの増加と共にブザー52の鳴
動間隔(OFF時間)を短くする。そして最高レベルK5
はブザー52を連続鳴動させる。
オプション・モードでは、該当するレベルのLEDのみ
を点灯させ、他は点灯させない。またブザー52は、最高
レベルK5で連続鳴動させ、他のレベルでは動作させな
い。
ステップ243では、動作モードが通常モードか、ピー
クホールド・モードかを判別する。ピークホールド・モ
ードでは、ガスを検出すると、(K1〜K5のいずれかの検
出信号がセットされると)、検出信号の最高値(最高の
検出レベル)を保持し、それを表示する。そして6回続
けて、 Rs/Rsmin≧1 で、検出を終了したものとする。ここにRsminは、セン
サ抵抗Rsの最小値である。この条件が満たされると検出
を終了し、装置はヒートクリーニング(第4図,第5
図)に戻り、測定で吸着したガスをセンサ4から除く。
ピークホールド・モードでの表示は、第6図のオプシ
ョン・モードに従い、かつヒートクリーニングが終了
し、通常測定状態に戻るまで、レベルメータ50やブザー
52で表示を継続する。
第7図の処理では、検出用のパラメータI1〜I5を決定
する。このサブルーチンは、装置の動作開始時と、高感
度側か低感度側かを定めるスイッチ40の操作で入力電圧
V1,V2が変更された場合に起動する。ステップ261で、
基準値R0、入力電圧V1,V2,マイクロコンピュータ2へ
の電源電圧Vccを読み込む。ステップ262ではパラメータ
I1〜I5を演算し、ステップ263でI1〜I5を元に検出レベ
ルR0・I1〜R0・I5を求める。入力電圧V1は検出下限I1
定め、入力電圧V2は各検出レベルI1〜I5の間の1レベル
当たりの変化幅を定める。V1,V2は抵抗32,34,36,38に
より製造時に可変である。また使用時には、スイッチ40
により、V1,V2を2レベルに可変である。
基準値の決定(第8図,第9図) このサブルーチンでは、0.5秒毎に読み込んだセンサ
抵抗Rsを基に、基準値R0を求める。また更新タイマ82の
作動時間は入力ポートJ1,J2への入力電圧で定め、1分
〜30分の間で変化させる。更新タイマ82のリセット条
件、(更新禁止レベル)、も入力ポートJ1,J2への電圧
で定め、更新禁止レベルのパラメータをI1〜I4の範囲で
変化させる。更新タイマ82の作動時間やリセット条件
は、第6図のステップ241で定める。
ステップ281でセンサ抵抗Rsを読み込み、ステップ282
で Rs>R0・In(In:更新禁止パラメータ) であることを確認し、RsがR0・In以下の場合、ステップ
283で更新タイマ82をリセットし、サブルーチンを終了
する。そうでない場合、RsがR0より大きければ、R0にRs
を代入する(ステップ284〜286)。RsがR0以下の場合、
更新タイマ82が作動中かどうか確認し(ステップ28
7)、停止している場合タイマ82を作動させて(ステッ
プ288)、予備値R1の初期値にRsを代入する(ステップ2
89)。更新タイマ82が作動中の場合、RsがR1より大きけ
ればR1にRsを代入し(ステップ290,291)、更新タイマ8
2の作動時間終了時にR1を基準値R0に代入する。
この動作を第9図に示す。センサ抵抗Rsが図の左端の
ように単調に増加する場合、R0はRsと一致して増加し、
0.5秒毎に連続的に更新が行われる。Rsが徐々に減少す
る場合、減少が緩やかで、更新禁止レベル以下にRsが低
下しなければ、R0は更新タイマ82の動作終了と共に置き
換えられる。更新タイマ82の動作が、更新の区間を定め
る。R0の更新値は、前の区間でのRsの最大値である。例
えば区間2でのR0は、区間1でのRsの最大値であり、区
間3でのR0は区間2でのRsの最大値である。図の右側の
ように、Rsが更新禁止レベル以下に低下した場合、更新
タイマ82はリセットされ、更新処理は行わない。そして
Rsが更新禁止レベル以上に増加した場合に、再度更新タ
イマ82を起動し、タイマ82の動作終了時にR0を更新す
る。この間に再びRsが更新禁止レベル以下に低下すれ
ば、タイマ82はリセットされ、R0の更新は行わない。タ
イマ82による更新の条件は、更新タイマ82の作動時間の
間、Rsが更新禁止レベル以下に低下せずに、更新タイマ
82の作動が終了することである。
ガス検出と表示(第10図〜第12図) 第10図に、ガスの検出と表示とのサブルーチンを示
す。また第11図に、LEDレベルメータ50とブザー52を用
いた、ガス濃度の表示波形を示す。第12図に、1回のRs
のサンプリングで2レベル以上検出結果がジャンプする
場合の、表示波形を示す。第12図の表示波形は、LEDレ
ベルメータ50の表示が数レベル分同時に変化し、使用者
の感覚に沿わず、不審を与えることを防止するためのも
のである。
第3図のステップ301で、検出下限(R0・I1)以上の
濃度のガスを検出すると、第10図のサブルーチンを起動
する。ステップ305でガス濃度レベルをRO・I1〜R0・I5
の5段階で求める。この結果が、検出結果を示すパラメ
ータK1〜K5の候補値となる。ステップ306では、既存の
(0.5秒前の前回のサンプリング時)のK1〜K5値を求め
る。ステップ307では、K1〜K5に2レベル以上の変化が
有るか否か判別する。K1〜K5のレベルの変化が1レベル
の場合、ステップ308でK1〜K5の値を1レベル変化させ
る。2レベル以上の変化の場合、ステップ309で1レベ
ル変化させ、以降の変化は1レベル毎に0.15秒ずつ遅延
させる(ステップ310)。この結果、2レベル以上の変
化がある場合には、2レベル目からの変化には0.15秒ず
つの間隔が置かれることになる。
第2図のLED処理部96,ブザー処理部98は、K1〜K5の値
に応じてガス濃度を表示する。レベル変化が緩やかで、
1レベルずつ変化する場合の表示を、第11図と表2とに
示す。図の上段はセンサ抵抗Rsの変化を示し、矢印はレ
ベルが変化した時点を現す。図の中段はLEDレベルメー
タ50のON/OFFを示し、下のOFFはLED1〜5が全てOFFした
ことを、1〜5の数字はONさせるLEDのレベルを示し、
例えば5はLED1〜5が全てONすることを示す。
ブザー52での濃度報知は、レベルが増すにつれて、鳴
動と鳴動との間隔を短縮し、ブザー52の鳴動頻度あるい
は鳴動のデューテイ比を増加させる事で行う。ブザー52
でガス濃度を表示するのは、LEDレベルメータ単独では
濃度を読み取り難いことがあるためである。例えば携帯
用のガス漏れ検出器で、配管等のガス漏れ箇所を探る場
合、配管箇所の置くに検出器を差し込むと、レベルメー
タ50が見えにくいことが有る。そこでブザー52の鳴動頻
度あるいはON/OFFの間隔を変えて、濃度を報知する。
用いたピエゾ・ブザー52から最大の音量が得られる周
波数は4KHzで、マイクロコンピュータ2は出力ポートP6
から4KHzのパルスを出力し、ブザー52を駆動する。ピエ
ゾ・ブザー52でも他のブザーでも、音量は周波数により
変化するので、鳴動周波数を変化させてガス濃度を報知
すると、十分な音量が得られない、あるいは鳴動周波数
の変化幅が小さいとの問題が生じる。そこで表2のよう
に、鳴動間隔を変化させて、ガス濃度によりブザー52の
動作を変更する。
表2 表示 K1: LED1をON,ブザーは1秒OFF,0.0625秒ONの繰り返
し K2: LED1,2をON,ブザーは0.5秒OFF,0.0625秒ONの繰り
返し K3: LED1〜3をON,ブザーは0.25秒OFF,0.0625秒ONの
繰り返し K4: LED1〜4をON,ブザーは0.125秒OFF,0.0625秒ONの
繰り返し K5: LED1〜5をON,ブザーは連続ON レベルが急激に変化する場合の表示を、第12図に示
す。図の上部の丸記号は、0.5秒毎のRsのサンプリング
点を示す。図の下部にはLEDのON/OFFを示す。ブザー52
はLEDに連動し、その条件は表2のものである。
0.5秒のサンプリング間隔の間にRsが急激に変化した
場合、これをそのまま表示すると、図の鎖線のように多
数のLEDが一斉にONあるいはOFFする。しかし実際にはRs
の変化速度は有限であり、多数のLEDが一斉にON/OFFす
るような状況は有り得ない。多数のLEDが一斉にON/OFF
し、表示レベルが複数のレベルにわたって一瞬に変化す
るのは、実際にはRsのサンプリング間隔が長く、検出器
の出力が実際のRsの変化に追随していないためである。
検出器の出力がRsの変化に十分に追随していれば、各LE
DのON/OFFの間には、僅かでも時間のずれが有るはずで
ある。サンプリング間隔が大きく、LEDレベルメータ50
が不自然な動作をすることを隠すため、K1〜K5の値を2
レベル以上変化させる場合、ステップ309で2レベル目
から0.15秒の遅延時間を置き、第12図の実線のようにLE
DのON/OFFに時間差を持たせる。
トラブルのチェック(第13図,第14図) 装置のトラブルとして、ガスセンサ4の異常と、電池
10の電圧低下とを検出する。ガスセンサ4の異常は、主
としてヒータ8等の断線によるものである。ヒータ8の
断線等が生じる頻度は極めて低いが、万一に備えセンサ
異常の検出を行う。
ヒータ8が断線すると、金属酸化物半導体6が冷却さ
れ、その結果抵抗値Rsは極めて大きくなる。これへの検
出閾値としてQを設け、 Rs≧Q で、センサ異常と判断する(ステップ332)。ステップ3
33では、トラブル検出時のフラグをRAM102にセットし、
トラブル処理部104を起動する。トラブル処理部104が起
動されると、全てのLED(LED0〜6)をOFFし、ブザー52
もOFFさせる(ステップ334)。この結果装置は全く出力
のない、(全く表示を行わなず、電源10の再投入以外の
使用者の行為に対して何等反応しない)、状態となる。
また装置の動作シーケンスはメインループに復帰せず、
動作シーケンスはトラブル処理のループ内を繰り返すだ
けとなる。そして電源10をOFFして、RAM102のトラブル
検出フラグを降ろし、再度電源10をONするまで、装置は
全く出力のない状態を保つ。
第14図に、センサ異常の表示波形を示す。断線等でRs
がQ以上に増加しても、その後の水分の吸着等でRsがQ
以下に低下することがある。この見掛けの異常の解消に
より、装置を再作動させるのは不都合である。実施例で
は、トラブル検出フラグをセットし、電源をOFFするま
でフラグを降ろさないようにしたことと、センサの異常
時に動作シーケンスをトラブル処理の中で循環させ、他
のループに戻さないことで、一旦RsがQ以上に増加する
と、電源を再度ONするまで、装置を再作動させないよう
にした。
電源電圧が低下すると、電源チェック部106で検出し
(ステップ335)、LED0を0.25秒毎にON/OFFする。この
表示周波数は2Hzで、ヒートクリーニング表示(1Hz)の
2倍の周波数とする。
デモンストレーション・モード(第15図,第16図) 装置の販売時等に、LEDとブザーの動作を表示し、装
置の使用方法や表示の意味を理解させるため、デモンス
トレーション・モードを設けた。デモンストレーション
・モードでは、ヒートクリーニング状態、通常測定状
態、ガス検出時の状態、電源電圧の低下、センサの異常
の各状態を、繰り返し表示する。表示の内容は、その状
態への実際の表示と同一である。勿論、全ての状態をデ
モンストレーションする必要があるのではなく、センサ
異常等の通常は起こり得ない状態はデモンストレーショ
ンから除いても良い。デモンストレーション・モードの
実行は、装置内部のスイッチ44がデモンストレーション
側にセットされている場合に行う。
第15図に、LEDレベルメータ50とブザー52の表示を示
す。最初に例えば7秒間、ヒートクリーニング時のLED
とブザーの表示を行う。次にガス濃度が検出下限以下の
状態での通常測定状態、(レベル0で,K1からK5はいず
れも0,ガス濃度は検出下限以下)、の表示を、例えば4
秒間行う。次いでレベル1〜5の各状態(K1〜K5が順次
K1からK5へセット)をLEDレベルメータ50とブザー52
で、例えば1レベル毎に4秒ずつ表示する。この後4秒
間で、表示をレベル5(K5がセット)からレベル1(K1
がセットK2〜K5はリセット)へ移行させる。そして3秒
間通常測定状態の表示を行った後、5秒間電源電圧の低
下表示を行い、3秒間センサ異常の表示(LEDとブザー
を全てOFF)を行う。このシーケンスはエンドレスとし
た。
動作シーケンスを、第16図に示す。ステップ202でヒ
ートクリーニングを、ステップ203で通常測定状態を、
ステップ204でガスの検出状態をレベル1〜5の5段階
で表示し、ステップ205でレベル5から1への低下を表
示する。ステップ206では通常測定状態を、ステップ207
で電源電圧の低下を、ステップ208でセンサの異常(ト
ラブル)を表示し、これらのサイクルを繰り返す。
[考案の効果] この考案では、ガスセンサ抵抗が異常に増加したこと
からセンサの異常を検出した後に、抵抗値が正常値に復
帰し見掛け上異常が解消しても、異常の検出信号は失わ
れず、使用者が誤って検出装置を使用可能であると誤解
することがない。
【図面の簡単な説明】
第1図は実施例の回路図、第2図は実施例に用いるマイ
クロコンピュータの回路図、第3図は実施例の動作シー
ケンスを示すフローチャートである。 第4図はヒートクリーニング動作の波形図、第5図はヒ
ートクリーニングの動作シーケンスを示すフローチャー
トである。 第6図は実施例の動作モードの決定を示すフローチャー
ト,第7図は検出パラメータI1〜I5の決定を示すフロー
チャートである。 第8図は基準値R0の更新を示す動作フローチャート、第
9図は基準値R0の更新を示す波形図である。 第10図はガスの検出とガス濃度の表示とを示すフローチ
ャート、第11図、第12図はガス濃度の表示を示す波形図
である。 第13図は、トラブルの検出を示すフローチャート、第14
図はガスセンサの異常検出を示す波形図である。 第15図はデモンストレーション・モードの波形図、第16
図はデモンストレーション・モードのフローチャートで
ある。 図において、2……マイクロコンピュータ、4……ガス
センサ、50……LEDレベルメータ、52……ブザー、Rs…
…センサ抵抗、R0……基準値。

Claims (1)

    (57)【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】ガスにより抵抗値が変化する金属酸化物半
    導体と、金属酸化物半導体の加熱用ヒータとを設けたガ
    スセンサを用い、金属酸化物半導体の抵抗値の変化から
    ガスを検出すると共に、金属酸化物半導体の抵抗値の異
    常増加から、ガスセンサの異常を検出するようにしたガ
    ス検出装置において、 ガスセンサの異常検出後の通常検出状態への復帰を阻止
    する手段を設け、ガスセンサの抵抗値が異常増加状態か
    ら正常状態へ移行した後も、通常検出状態への復帰を阻
    止するようにしたことを特徴とする、ガス検出装置。
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