JP2547103B2 - 帯電防止装置 - Google Patents
帯電防止装置Info
- Publication number
- JP2547103B2 JP2547103B2 JP1331686A JP33168689A JP2547103B2 JP 2547103 B2 JP2547103 B2 JP 2547103B2 JP 1331686 A JP1331686 A JP 1331686A JP 33168689 A JP33168689 A JP 33168689A JP 2547103 B2 JP2547103 B2 JP 2547103B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer film
- present
- lower layer
- sample
- charged particles
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 13
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 5
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000002216 antistatic agent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 <産業上の利用分野> 本願発明は荷電粒子を照射した場合の帯電を防止する
ための装置に関する。
ための装置に関する。
<従来の技術> 近年、微細加工技術は急速な発展をとげており、微小
領域の評価に荷電粒子を用いる場合も多くなってきてい
る。しかしながら、試料も多様化し、例えば絶縁物のよ
うに荷電粒子による評価では、荷電粒子がその表面を衝
撃した場合に評価しようとする試料表面が帯電し、その
ため評価しようとする微小領域の表面電位が変化するな
ど、充分正確な評価ができないという場合も生じてき
た。このため、微小領域を評価するための帯電対策はこ
の技術分野ではますます重要な課題となっていている。
領域の評価に荷電粒子を用いる場合も多くなってきてい
る。しかしながら、試料も多様化し、例えば絶縁物のよ
うに荷電粒子による評価では、荷電粒子がその表面を衝
撃した場合に評価しようとする試料表面が帯電し、その
ため評価しようとする微小領域の表面電位が変化するな
ど、充分正確な評価ができないという場合も生じてき
た。このため、微小領域を評価するための帯電対策はこ
の技術分野ではますます重要な課題となっていている。
従来、絶縁物に荷電粒子を照射した時の前記帯電を防
止する方法の1つとして、金属メッシュを絶縁物試料表
面にのせ、上から別金属で押さえることで固定し、帯電
した電荷を試料より逃がす方法が提案実施されている。
止する方法の1つとして、金属メッシュを絶縁物試料表
面にのせ、上から別金属で押さえることで固定し、帯電
した電荷を試料より逃がす方法が提案実施されている。
<発明が解決しようとする課題> しかしながら、前記従来の方法では、特定の微小領域
を金属メッシュの穴の位置に収める場合、上から金属で
押さえる時の不安定さにより前記金属メッシュが移動
し、正確な位置に固定するのが困難であった。特に評価
する領域が微小であるため、上記困難性は解決すること
が難しかった。
を金属メッシュの穴の位置に収める場合、上から金属で
押さえる時の不安定さにより前記金属メッシュが移動
し、正確な位置に固定するのが困難であった。特に評価
する領域が微小であるため、上記困難性は解決すること
が難しかった。
本発明は上記事情に鑑みて創案されたもので、任意の
微小領域に対する正確な位置と、上からの押さえを必要
としない状態で前記金属メッシュに相当する帯電防止材
を固定し、試料の帯電防止を行うことの可能な帯電防止
装置を提供することを目的としている。
微小領域に対する正確な位置と、上からの押さえを必要
としない状態で前記金属メッシュに相当する帯電防止材
を固定し、試料の帯電防止を行うことの可能な帯電防止
装置を提供することを目的としている。
<課題を解決するための手段> 上記目的を達成するために、本願発明に係る帯電防止
装置は、厚さが10〜100μmで荷電粒子の衝撃により二
次電子の放出能がある低抵抗の導電性物質からなる上層
膜と、200℃以下の融点である下層膜とからなる2重膜
から形成されており、且つ前記上層膜は前記下層膜より
も熱による変形が少なく、前記2重膜には10〜1000μm
程度の長さを直径とする円内に収まる穴を1個または複
数個有しており、加熱することにより前記下層膜の変形
で他の試料表面の任意の位置に固定することができるよ
うに構成した。
装置は、厚さが10〜100μmで荷電粒子の衝撃により二
次電子の放出能がある低抵抗の導電性物質からなる上層
膜と、200℃以下の融点である下層膜とからなる2重膜
から形成されており、且つ前記上層膜は前記下層膜より
も熱による変形が少なく、前記2重膜には10〜1000μm
程度の長さを直径とする円内に収まる穴を1個または複
数個有しており、加熱することにより前記下層膜の変形
で他の試料表面の任意の位置に固定することができるよ
うに構成した。
<作用> 後記する実施例のように、試料の上に本願発明装置を
のせて加熱手段を用いて、下層膜を試料に固定する。
のせて加熱手段を用いて、下層膜を試料に固定する。
<実施例> 以下、図面を参照して本発明に係る一実施例を説明す
る。第1図は本願発明の帯電防止装置を適用した場合の
断面図、第2図は本願発明装置の外観斜視図である。
る。第1図は本願発明の帯電防止装置を適用した場合の
断面図、第2図は本願発明装置の外観斜視図である。
第1図において、4はシリコン(Si)単結晶、3はシ
リコン単結晶4の上に成長さてた5000Åのシリコン酸化
膜で、シリコン酸化膜3の上に本願発明装置が使用され
ている。
リコン単結晶4の上に成長さてた5000Åのシリコン酸化
膜で、シリコン酸化膜3の上に本願発明装置が使用され
ている。
すなわち、実施例においては、上層膜1は低抵抗導電
物質であり、例えば銅が使用される。下層膜2は低融点
導電物質で、例えばインジュウム(In)が使用される。
本願発明装置は前記上層膜1と下層膜2の2重膜からな
っており、上層膜1の厚さは10〜100μm程度が適当で
あり、荷電粒子の衝撃により二次電子の放出能があるこ
とが必要であり、下層膜2よりも熱による変形が少ない
ことが必要である。
物質であり、例えば銅が使用される。下層膜2は低融点
導電物質で、例えばインジュウム(In)が使用される。
本願発明装置は前記上層膜1と下層膜2の2重膜からな
っており、上層膜1の厚さは10〜100μm程度が適当で
あり、荷電粒子の衝撃により二次電子の放出能があるこ
とが必要であり、下層膜2よりも熱による変形が少ない
ことが必要である。
また前記下層膜2は、200℃以下の融点であることが
好ましい。
好ましい。
そして、前記2重膜には、第1図、第2図に図示する
ように、10〜1000μm程度の長さを直径とする円内に収
まる穴6を1個もしくは複数個有している。なお第2図
では全体の形状を円形として描いてあるが、本願発明装
置は外形にこだわらないことは勿論である。
ように、10〜1000μm程度の長さを直径とする円内に収
まる穴6を1個もしくは複数個有している。なお第2図
では全体の形状を円形として描いてあるが、本願発明装
置は外形にこだわらないことは勿論である。
本願発明装置は以下のようにして使用する。まず、本
願発明装置を試料である前記シリコン単結晶4のシリコ
ン酸化膜3の評価しようとする位置に置く。この状態で
試料であるシリコン単結晶4のシリコン酸化膜3表面を
温風や赤外線で加熱するか、又は試料の下から加熱す
る。すると、シリコン酸化膜3上に搭載された本願発明
装置における下層膜2も加熱され、下層膜2は変形可能
な状態になり、シリコン酸化膜3と接触しているため、
シリコン酸化膜3の表面の微小な凹凸に対応した形状に
変形する。従って、試料であるシリコン酸化膜3と本願
発明装置との接触面積が増大し、本願発明装置が試料で
あるシリコン単結晶4に固定されることになる。なお、
試料であるシリコン単結晶4を加熱した後に、シリコン
酸化膜3の表面に本願発明装置を置いても同様に本願発
明装置が変形して固定されることになる。
願発明装置を試料である前記シリコン単結晶4のシリコ
ン酸化膜3の評価しようとする位置に置く。この状態で
試料であるシリコン単結晶4のシリコン酸化膜3表面を
温風や赤外線で加熱するか、又は試料の下から加熱す
る。すると、シリコン酸化膜3上に搭載された本願発明
装置における下層膜2も加熱され、下層膜2は変形可能
な状態になり、シリコン酸化膜3と接触しているため、
シリコン酸化膜3の表面の微小な凹凸に対応した形状に
変形する。従って、試料であるシリコン酸化膜3と本願
発明装置との接触面積が増大し、本願発明装置が試料で
あるシリコン単結晶4に固定されることになる。なお、
試料であるシリコン単結晶4を加熱した後に、シリコン
酸化膜3の表面に本願発明装置を置いても同様に本願発
明装置が変形して固定されることになる。
このようにして本願発明装置が固定された試料に対し
て荷電粒子を衝撃させる。この時、荷電粒子は試料のみ
ならず、本願発明装置にも衝撃される。この荷電粒子の
本願発明装置に対する衝撃によって上層膜1からは二次
電子が放出される。
て荷電粒子を衝撃させる。この時、荷電粒子は試料のみ
ならず、本願発明装置にも衝撃される。この荷電粒子の
本願発明装置に対する衝撃によって上層膜1からは二次
電子が放出される。
ここで、本願発明装置に電荷を逃がす経路を確保して
おけば、電荷はその経路を通って逃げるため、従来のよ
うな不安定な金属メッシュ等を使用せずともよい。ま
た、荷電粒子の衝撃によって、試料が帯電する場合に
は、前記経路を確保することなく、本願発明装置から放
出された二次電子を試料に導くことによってその帯電を
防止するのである。
おけば、電荷はその経路を通って逃げるため、従来のよ
うな不安定な金属メッシュ等を使用せずともよい。ま
た、荷電粒子の衝撃によって、試料が帯電する場合に
は、前記経路を確保することなく、本願発明装置から放
出された二次電子を試料に導くことによってその帯電を
防止するのである。
<発明の効果> 本願発明装置は、厚さが10〜100μmで荷電粒子の衝
撃により二次電子の放出能がある低抵抗の導電性物質か
らなる上層膜と、200℃以下の融点である下層膜とから
なる2重膜から形成されており、且つ前記上層膜は前記
下層膜よりも熱による変形が少なく、前記2重膜には10
〜1000μm程度の長さを直径とする円内に収まる穴を1
個または複数個有しており、加熱することにより前記下
層膜の変形で他の試料表面の任意の位置に固定すること
ができることを特徴としている。それ故、本願発明装置
を使用することにより、従来の方法を使用する場合で
も、指定の微小領域を正確な位置に固定することができ
る。また、導電材を用いて本願発明装置より電荷を逃が
す経路を確保すれば、従来使用していた上からの押さえ
を用いる必要がない。また本願発明装置より発生する二
次電子により帯電が防げる場合には、試料表面に本願発
明装置を取付けるのみでよい。
撃により二次電子の放出能がある低抵抗の導電性物質か
らなる上層膜と、200℃以下の融点である下層膜とから
なる2重膜から形成されており、且つ前記上層膜は前記
下層膜よりも熱による変形が少なく、前記2重膜には10
〜1000μm程度の長さを直径とする円内に収まる穴を1
個または複数個有しており、加熱することにより前記下
層膜の変形で他の試料表面の任意の位置に固定すること
ができることを特徴としている。それ故、本願発明装置
を使用することにより、従来の方法を使用する場合で
も、指定の微小領域を正確な位置に固定することができ
る。また、導電材を用いて本願発明装置より電荷を逃が
す経路を確保すれば、従来使用していた上からの押さえ
を用いる必要がない。また本願発明装置より発生する二
次電子により帯電が防げる場合には、試料表面に本願発
明装置を取付けるのみでよい。
第1図は本願発明の帯電防止装置を適用した場合の断面
図、第2図は本願発明装置の外観斜視図である。 1……銅(上層膜) 2……インジュウム(下層膜) 3……シリコン酸化膜 4……シリコン 5……穴
図、第2図は本願発明装置の外観斜視図である。 1……銅(上層膜) 2……インジュウム(下層膜) 3……シリコン酸化膜 4……シリコン 5……穴
Claims (1)
- 【請求項1】厚さが10〜100μmで荷電粒子の衝撃によ
り二次電子の放出能がある低抵抗の導電性物質からなる
上層膜と、200℃以下の融点である下層膜とからなる2
重膜から形成されており、且つ前記上層膜は前記下層膜
よりも熱による変形が少なく、前記2重膜には10〜1000
μm程度の長さを直径とする円内に収まる穴を1個また
は複数個有しており、加熱することにより前記下層膜の
変形で他の試料表面の任意の位置に固定することができ
ることを特徴とする帯電防止装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1331686A JP2547103B2 (ja) | 1989-12-21 | 1989-12-21 | 帯電防止装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1331686A JP2547103B2 (ja) | 1989-12-21 | 1989-12-21 | 帯電防止装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03191512A JPH03191512A (ja) | 1991-08-21 |
JP2547103B2 true JP2547103B2 (ja) | 1996-10-23 |
Family
ID=18246446
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1331686A Expired - Fee Related JP2547103B2 (ja) | 1989-12-21 | 1989-12-21 | 帯電防止装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2547103B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7772455B1 (en) | 1997-11-14 | 2010-08-10 | The Procter & Gamble Company | Disposable article providing improved management of bodily exudates |
US8569568B2 (en) | 1997-11-15 | 2013-10-29 | The Procter & Gamble Company | Article having improved fecal storage structure |
-
1989
- 1989-12-21 JP JP1331686A patent/JP2547103B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7772455B1 (en) | 1997-11-14 | 2010-08-10 | The Procter & Gamble Company | Disposable article providing improved management of bodily exudates |
US8981177B2 (en) | 1997-11-14 | 2015-03-17 | The Procter & Gamble Company | Disposable article providing improved management of bodily exudates |
US8569568B2 (en) | 1997-11-15 | 2013-10-29 | The Procter & Gamble Company | Article having improved fecal storage structure |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH03191512A (ja) | 1991-08-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR860008582A (ko) | 집속이온빔 처리장치 및 그의 사용방법 | |
JPS61131331A (ja) | 電子ビーム装置 | |
JPS6062045A (ja) | イオンマイクロビ−ム打込み装置 | |
JPH0934103A (ja) | 荷電粒子線転写用マスク | |
JP2547103B2 (ja) | 帯電防止装置 | |
JPS5878350A (ja) | 電界放出発生装置とその製造方法 | |
TW548842B (en) | Emitter, integrated circuit, electronic device, and method for creating an emitter on an electron supply | |
JPH10106428A (ja) | フィールドエミッタアレイとその製造方法およびその駆動方法 | |
JPS58126978A (ja) | 基板の保持装置 | |
US2275952A (en) | Method of coating insulating materials on metal objects | |
US4833331A (en) | Method of holding an electrically insulating sample | |
Shaw et al. | Silicon field emitter arrays | |
JPS60100349A (ja) | 2次電子検出器 | |
WO1990008312A1 (en) | Holding method for specimen of electric insulation | |
JPH01115042A (ja) | 走査型電子顕微鏡の試料台 | |
JP2002116162A (ja) | 絶縁性試料に対するxps用簡易帯電防止方法 | |
JP2950937B2 (ja) | 電子ビームの偏向格子 | |
JPH03191061A (ja) | 成膜用治具 | |
JPS59201416A (ja) | 荷電粒子線ブランキング装置 | |
Mizuno et al. | Effect of electron‐beam parameters on critical‐dimension measurements | |
JP2612716B2 (ja) | 二次イオン質量分析方法 | |
JPH0720021A (ja) | 絶縁物の二次イオン質量分析法 | |
JPH04170045A (ja) | 半導体装置の表面及び断面の観察方法 | |
JPH02123638A (ja) | 軽元素イオン源 | |
US20090166567A1 (en) | Method of performing ion implantation |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070808 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080808 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080808 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090808 Year of fee payment: 13 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |