JP2545848B2 - 光受信回路 - Google Patents

光受信回路

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JP2545848B2
JP2545848B2 JP62084664A JP8466487A JP2545848B2 JP 2545848 B2 JP2545848 B2 JP 2545848B2 JP 62084664 A JP62084664 A JP 62084664A JP 8466487 A JP8466487 A JP 8466487A JP 2545848 B2 JP2545848 B2 JP 2545848B2
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幹人 柳生
信孝 渡部
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NEC Corp
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Nippon Electric Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は,光通信システム等において使用される,光
受信回路に関する。
〔従来の技術〕
従来,この種の光受信回路は第2図に示す様に,光入
力を電気信号に変換する光−電気変換素子であるアバラ
シエフォトダイオード(以下APDと記す)1と,その電
気信号を増幅する前置増幅器2,可変利得増幅器3(以下
AGCと記す),及び主増幅器4で構成され主増幅器の出
力は,ピーク検出回路5及び増幅器6,7より構成される
利得制御回路12により,光の受信レベルの変化に対し,
第3図に示すように,受信レベルの低い方では,APD1の
増倍率Mを変え,一方,受信レベルの高い方ではAGC3の
利得を変えることにより,出力振幅が一定になるように
制御される。一方,主増幅器の出力信号はタイミング抽
出回路10によって抽出されたクロック信号により,識別
回路9で識別再生される構成となっていた。
〔発明が解決しようとする問題点〕
ところが,上述した従来の光受信回路では,光の受信
レベルが所定の動作レベルよりも異常に低下したり,あ
るいは,光の入力が完全になくなった場合,APD1で発生
する雑音が所定の振幅になるレベルまで,APD1の増倍率
を上げる方向に利得制御回路12が動作し,APD1のブレー
クダウン近傍まで逆バイアス電圧がかかる構成となって
いた。よって,上述した従来回路ではブレークダウンを
防ぐために,APD保護用抵抗14がAPD1と直列に接続される
構成となっている。しかしながら無入力時にブレークダ
ウン近傍まで逆バイアス電圧がかかってしまうためにAP
D1の保護が十分でなくAPD1の劣化を引き起こすという欠
点があった。
そこで,本発明の技術的課題は,上記欠点に鑑み,受
光レベルが低下し又は無入力になった場合に,APDにかか
る逆バイアス電圧を下げることができる光受信回路を提
供することである。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明によれば、受信光信号を電気信号に変換する光
−電気変換素子1と、光−電気変換素子1を駆動する高
電圧を光−電気変換素子保護用抵抗14を介して光−電気
変換素子1に印加する高電圧発生回路8と、前記変換さ
れた電気信号を増幅して出力信号を出力する増幅回路11
と、該増幅回路11の出力のピーク電圧と基準電圧とを比
較して前記ピーク電圧と前記基準電圧との差電圧に応じ
て高電圧発生回路8の出力電圧を制御するための高電圧
制御回路(5、及び6)と、前記増幅回路11の出力する
出力信号からタイミング成分を抽出するタイミング抽出
回路10と、前記出力信号を識別再生する識別回路9とを
有する光受信回路において、 前記タイミング抽出回路の出力である前記タイミング
成分のピークを検出するピーク検出回路19と、ピーク検
出回路19の出力から前記受信光信号の受光レベルが一定
値以下になったことを検出して前記基準電圧を低下させ
る光−電気変換素子保護回路20を設け、これにより前記
受信光信号の受光レベルが一定値以下のときに高電圧発
生回路8の出力を低下させることを特徴とする光受信回
路が得られる。
〔実施例〕
次に,本発明の一実施例について図面を参照して説明
する。
第1図は,本発明の光受信回路のブロック図である。
第1図において,光の受光レベルが低下したり無入力に
なった場合,ピーク検出回路19の出力V1はV1<Vref3
なる。この時,比較器18の基準電圧Vref3とピーク検出
回路19の出力V1との比較結果により,トランジスタ17の
ベース電位が変化する。受光レベルが所定のレベル以上
では,V1>Vref3となり,トランジスタ17はカットオフ状
態になる。一方,無入力時はV1<Vref3となりトランジ
スタ17が動作し,Vref1は抵抗器15によってトランジスタ
17に流れる電流分だけ電圧降下する。
このように,受光レベルが低下したり,無入力になっ
た場合,基準電圧Vref1が初期の電圧よりも降下し,利
得制御回路▲▼の出力はAPD1の逆バイアス電圧を低
下させる方向に動作する。
〔発明の効果〕
以上説明したように,本発明は,受光レベルが低下し
たり無入力になった時,光−電気変換素子であるAPDの
逆バイアスを下げる効果があり,APDの特性劣化,短命化
及び破壊から保護できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は,本発明の一実施例に係る光受信回路のブロッ
ク図,第2図は,従来の光受信装置のブロック図,第3
図は,従来の利得制御におけるAPDの増倍率Mの変化を
示す概念図である。 1……アバランシェフォトダイオード,2……前置増幅
器,3……可変利得増幅器,4……主増幅器,5,19……ピー
ク検出回路,6,7……増幅器,8……高電圧発生回路,9……
識別回路,10……タイミング抽出回路,11……増幅回路,1
2……利得制御回路,13……コンデンサ,14,15,16……抵
抗器,17……トランジスタ,18……比較器,20……APD保護
回路。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H04B 10/14 10/26

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】受信光信号を電気信号に変換する光−電気
    変換素子と、該光−電気変換素子を駆動する高電圧を光
    −電気変換素子保護用抵抗を介して前記光−電気変換素
    子に印加する高電圧発生回路と、前記変換された電気信
    号を増幅して出力信号を出力する増幅回路と、該増幅回
    路の出力のピーク電圧と基準電圧とを比較して前記ピー
    ク電圧と前記基準電圧との差電圧に応じて前記高電圧発
    生回路の出力電圧を制御するための高電圧制御回路と、
    前記増幅回路の出力する出力信号からタイミング成分を
    抽出するタイミング抽出回路と、前記出力信号を識別再
    生する識別回路とを有する光受信回路において、 前記タイミング抽出回路の出力である前記タイミング成
    分のピークを検出するピーク検出回路と、ピーク検出回
    路の出力から前記受信光信号の受光レベルが一定値以下
    になったことを検出して前記基準電圧を低下させる光−
    電気変換素子保護回路を設け、これにより前記受信光信
    号の受光レベルが一定値以下のときに前記高電圧発生回
    路の出力を低下させることを特徴とする光受信回路。
JP62084664A 1987-04-08 1987-04-08 光受信回路 Expired - Lifetime JP2545848B2 (ja)

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JPS63250929A JPS63250929A (ja) 1988-10-18
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS57212839A (en) * 1981-06-24 1982-12-27 Fujitsu Ltd Detecting circuit for intermission of input signal for optical agc amplifier
JPS5813039A (ja) * 1981-07-16 1983-01-25 Fujitsu Ltd 光通信方式

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JPS63250929A (ja) 1988-10-18

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