JP2540643B2 - Ramの非同期デ―タアクセス方式 - Google Patents

Ramの非同期デ―タアクセス方式

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JP2540643B2 JP2058758A JP5875890A JP2540643B2 JP 2540643 B2 JP2540643 B2 JP 2540643B2 JP 2058758 A JP2058758 A JP 2058758A JP 5875890 A JP5875890 A JP 5875890A JP 2540643 B2 JP2540643 B2 JP 2540643B2
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【発明の詳細な説明】 [目 次] 概要 産業上の利用分野 従来の技術(第5図) 発明が解決しようとする課題 課題を解決するための手段(第1,2図) 作 用(第1,2図) 実 施 例(第3,4図) 発明の効果 [概 要] 非同期データをシリアル/パラレル変換器およびパラ
レル/シリアル変換器を介してRAMに書き込んだり読み
出したりする際のデータアクセス方式に関し、 非同期送受信データの一方から作ったRAMの読み書き
制御信号に基づき非同期データの読み書きを確実に行な
えるようにすることを目的とし、 非同期データをシリアル/パラレル変換器およびパラ
レル/シリアル変換器を介してRAMに書き込んだり読み
出したりする際に、受信クロック又は送信クロックから
RAMへの書き込み制御信号および読み出し制御信号を作
成するとともに、読み出し制御信号とパラレル/シリア
ル変換器用のロードタイミング信号との位相を比較する
か、書き込み制御信号とシリアル/パラレル変換器用の
ロードタイミング信号との位相を比較しておき、これら
の信号位相が重なると、読み出し制御信号又は書き込み
制御信号の位相を通常位置より所要ビットシフトさせる
ように構成する。
[産業上の利用分野] 本発明は、非同期データをシリアル/パラレル変換器
およびパラレル/シリアル変換器を介してRAMに書き込
んだり読み出したりする際のデータアクセス方式に関す
る。
[従来の技術] 従来のRAMへのデータアクセス方式について説明す
る。第5図は従来のRAMの同期データアクセス方式を説
明するためのブロック図であるが、この第5図におい
て、101はRAM(ランダムアクセスメモリ)、102はシリ
アル/パラレル変換器(S/P変換器)、103はパラレル/
シリアル変換器(P/S変換器)、104はパルス発生器であ
り、受信シリアルデータ(R DATA)は、S/P変換器102で
nビットパラレルデータに変換されて、RAM101に記憶さ
れると共に、このRAM101に記憶されたデータはP/S変換
器103で送信シリアルデータ(S DATA)に変換されて出
力されるようになっている。そして、RAM101,S/P変換器
102,P/S変換器103は、パルス発生器104で共通のマスタ
クロックから作られる制御信号によって作動状態を制御
される。
[発明が解決しようとする課題] ところで、送信装置と受信装置とが離れていて、相互
に非同期の送受信データをRAMに読み書きしなければな
らないような場合がある。
しかしながら、このような送受非同期データを扱う場
合には、上記従来のものでは問題がある。
本発明は、このような状況下において創案されたもの
で、非同期送受信データの一方から作成したRAMの読み
書き制御信号に基づいて非同期送受信データについての
読み書きを確実に行なえるようにした、RAMの非同期デ
ータアクセス方式を提供することを目的としている。
[課題を解決するための手段] 第1図は請求項1記載の本発明の原理ブロック図であ
る。
この第1図において、1はRAMで、このRAM1は、非同
期データを所要のアドレスに記憶するもので、その読み
出しおよび書き込みは読み出し制御信号OEおよび書き込
み制御信号WEによって行なう。
2はシリアル/パラレル変換器(S/P変換器)で、こ
のS/P変換器2は、受信シリアルデータR DATAをnビッ
トパラレルデータに変換するものである。
3はパラレル/シリアル変換器(P/S変換器)で、こ
のP/S変換器3は、RAM1からnビットパラレルデータを
送信シリアルデータS DATAに変換するものである。
4,5はパルス発生器で、パルス発生器4は、受信デー
タR DATAに同期した信号(受信クロックR CLK,受信タイ
ミング信号R TIM)を受けて、所要のパルス信号を発生
するもので、このパルス信号は、S/P変換器2,書き込み
制御信号発生器6および読み出し制御信号発生器7へ供
給される。また、パルス発生器5は、送信データS DATA
に同期した信号(送信クロックS CLK,送信タイミング信
号S TIM)を受けて、所要のパルス信号を発生するもの
で、このパルス信号は、P/S変換器3および比較器8へ
供給される。
6は書き込み制御信号発生器で、この書き込み制御信
号発生器6は、パルス発生器4からの受信データR DATA
に同期する受信クロックより生成される信号を受けて、
書き込み制御信号WEを発生するもので、この書き込み制
御信号WEはRAM1の書き込み制御端へ入力される。
7は読み出し制御信号発生器で、この読み出し制御信
号発生器7は、パルス発生器4からの受信データR DATA
に同期する受信クロックより生成される信号を受けて、
読み出し制御信号OEを発生するもので、この読み出し制
御信号OEはRAM1の読み出し制御端および比較器8へ入力
される。
8は比較器で、この比較器8は、読み出し制御信号発
生器7からの読み出し制御信号OEとパルス発生器5から
のP/S変換器用のロードタイミング信号P/S LOAD TIMと
の位相を比較するもので、これらの信号位相が重なる
と、その旨の信号を出すようになっている。
9は位相シフト制御部で、この位相シフト制御部9
は、比較器8から上記の信号位相の重なりを検出した旨
の信号を受けると、読み出し制御信号発生器7へ読み出
し制御信号OEの位相を通常位置より所要ビットシフトさ
せる旨の制御信号を出力するものである。
第2図は請求項2記載の本発明の原理ブロック図であ
る。
この第2図において、RAM1,S/P変換器2,P/S変換器3
については、前述の第1図のものと同じであるので、そ
の説明を省略する。
4′,5′はパルス発生器で、パルス発生器4′は、受
信データR DATAに同期した信号(受信クロックR CLK,受
信タイミング信号R TIM)を受けて、所要のパルス信号
を発生するもので、このパルス信号は、S/P変換器2お
よび比較器8へ供給される。また、パルス発生器5′
は、送信データS DATAに同期した信号(送信クロックS
CLK,送信タイミング信号S TIM)を受けて、所要のパル
ス信号を発生するもので、このパルス信号は、P/S変換
器3,書き込み制御信号発生器6′および読み出し制御信
号発生器7′へ供給される。
6′は書き込み制御信号発生器で、この書き込み制御
信号発生器6′は、パルス発生器5′からの送信データ
S DATAに同期する送信クロックより生成される信号を受
けて、書き込み制御信号WEを発生するもので、この書き
込み制御信号WEはRAM1の書き込み制御端および比較器
8′へ入力される。
7′は読み出し制御信号発生器で、この読み出し制御
信号発生器7′は、パルス発生器5′からの送信データ
S DATAに同期する送信クロックより生成される信号を受
けて、読み出し制御信OEを発生するもので、この読み出
し制御信号OEはRAM1の読み出し制御端へ入力される。
8′は比較器で、この比較器8′は、読み出し制御信
号発生器7′からの読み出し制御信号OEとパルス発生器
4′からのS/P変換器用のロードタイミング信号S/P LOA
D TIMとの位相を比較するもので、これらの信号位相が
重なると、その旨の信号を出すようになっている。
9′は位相シフト制御部で、この位相シフト制御部
9′は、比較器8′から上記の信号位相の重なりを検出
した旨の信号を受けると、書き込み制御信号発生器6′
へ書き込み制御信号WEの位相を通常位置より所要ビット
シフトさせる旨の制御信号を出力するものである。
[作 用] 上述の請求項1記載の本発明のRAMの非同期データア
クセス方式では、非同期データをS/P変換器2およびP/S
変換器3を介してRAM1に書き込んだり読み出したりする
に際しては、第1図に示すように、受信データR DATAに
同期する受信クロックからRAM1への書き込み制御信号WE
および読み出し制御信号OEを作成するとともに、読み出
し制御OEとP/S変換器用のロードタイミング信号P/S LOA
D TIMとの位相を比較器8にて比較しておき、これらの
信号位相が重なると、位相シフト制御部9にて、読み出
し制御信号OEの位相を通常位置より所要ビットシフトさ
せる。
また、請求項2記載の本発明のRAMの非同期データア
クセス方式では、非同期データをS/P変換器2およびP/S
変換器3を介してRAM1に書き込んだり読み出したりする
に際しては、第2図に示すごとく、送信データS DATAに
同期する送信クロックからRAM1への書き込み制御信号WE
および読み出し制御信号OEを作成するとともに、書き込
み制御信号WEとS/P変換器のロードタイミング信号S/P L
OAD TIMとの位相を比較しておき、これらの信号位相が
重なると、位相シフト制御部9′にて、書き込み制御信
号WEの位相を通常位置より所要ビットシフトさせる。
[実 施 例] 以下、図面を参照して本発明の実施例を説明する。
さて、本実施例は、データ伝送システムのオーバヘッ
ドビット処理ユニットにて処理されるソネット(SONE
T)仕様のSECTION/LINE/PATH OVER BYTEの内のJ1バイト
(サービスバイト)をマイクロプロセッサユニット(MP
U)へ送ったりこのMPUから受信したりする際に、この情
報を一旦RAM1にストアする場合のアクセスの仕方に関す
るものである。
即ち、第3図(本発明の一実施例を示すブロック図)
に示すように、サービスビット挿入抽出部20が設けられ
ており、このサービスビット挿入抽出部20は、1チャネ
ルのデータR DATAを受けて、これをMPUへ送るととも
に、MPUからのデータが5チャネル分のデータS DATA1〜
S DATA5として取り出されるようになっている。なお、
送信用の各チャネルのそれぞれについて、クロックS P/
S CLK1〜S P/S CLK5[第4図(17),(20),(23),
(26),(29)参照],タイミングクロックS TIM1〜S
TIM5[第4図(16),(19),(22),(25),(28)
参照]を有し、受信用チャネルについて、クロックR CL
K[第4図(2)参照],タイミングクロックR TIM[第
4図(1)参照]を有する。
また、このサービスビット挿入抽出部20とMPUとの間
には、バスラインを介してデュアルポートRAM1が設けら
れており、サービスビット挿入抽出部20とMPUとの間で
のデータ[第4図(4)〜(11)参照]の授受に際し、
このデュアルポートRAM1にデータを一旦ストアできるよ
うになっている、そして、このデュアルポートRAM1の書
き込み読み出し制御は読み出し制御信号OE[第4図(1
3)参照]および書き込み制御信号WE[第4図(14)参
照]によって行なうようになっている。
ところで、サービスビット挿入抽出部20は、S/P変換
器2,パルス発生器4,5チャネル分のP/S変換器31〜35とパ
ルス発生器51〜55,書き込み制御信号発生器6,読み出し
制御信号発生器7,比較器8,位相シフト制御部としてのリ
ングカウンタ9,ゲート部10,データラッチ11,アドレス発
生器12をそなえている。
ここで、S/P変換器2は、受信シリアルデータR DATA
[第4図(3)参照]を例えば8ビットパラレルデータ
[第4図(4)〜(11)参照]に変換するものである。
P/S変換器31〜35は、それぞれデュアルポートRAM1か
らの8ビットパラレルデータ[第4図(4)〜(11)参
照]をシリアルデータS DATA1〜S DATA5に変換するもの
である。
パルス変換器4は、受信データR DATAに同期した信号
{受信クロックR CLK[第4図(2)参照],受信タイ
ミング信号R TIM[第4図(1)参照]}を受けて、所
要のパルス信号を発生するもので、該パルス信号は、S/
P変換器2,書き込み制御信号発生器6,読み出し制御信号
発生器7,データラッチ11,アドレス発生器12へ供給され
るようになっている。
また、パルス発生器51〜55は、送信データS DATA1〜S
DATA5に同期した信号{送信クロックS P/S CLK1〜S P/
S CLK5[第4図(17),(20),(23),(26),(2
9)参照],送信タイミングクロックS TIM1〜S TIM5
[第4図(16),(19),(22),(25),(28)参
照]}を受けて、所要のパルス信号を発生するもので、
該パルス信号のうちS P/S CLK1〜S P/S CLK5はそれぞれ
P/S変換器31〜35へ供給されるとともに、ロードタイミ
ング信号P/S LOAD TIM1〜P/S LOAD TIM5[第4図(1
8),(21),(24),(27),(30)参照]はそれぞ
れゲート部10を介して比較器8へ供給されるようになっ
ている。
書き込み制御信号発生器6は、パルス発生器4からの
受信データR DATAに同期する受信クロックR CLK[第4
図(2)参照]より生成される信号を受けて、書き込み
制御信号WE[第4図(14)参照]を発生するもので、こ
の書き込み制御信号WEはデュアルポートRAM1の書き込み
制御端へ入力される。
読み出し制御信号発生器7は、パルス発生器4からの
受信データR DATAに同期する受信クロックR CLK[第4
図(2)参照]より生成される信号を受けて、読み出し
制御信号OE[第4図(13)参照]を発生するもので、こ
の読み出し制御信号OEはデュアルポートRAM1の読み出し
制御端および比較器8へ入力される。
比較器8は、読み出し制御信号発生器7からの読み出
し制御信号OEとゲート部10を経由したパルス発生器51〜
55からのP/S変換器用のロードタイミング信号P/S LOAD
TIM1〜P/S LOAD TIM5[第4図(18),(21),(2
4),(27),(30)参照]との位相を比較するもの
で、これらの信号位相が重なると、その旨の信号を出す
ようになっている。
リングカウンタ9は、比較器8から上記の信号位相の
重なりを検出した旨の信号を受けると、読み出し制御信
号発生器7へ読み出し制御信号OEの位相を通常位置より
所要ビットシフトさせる旨の制御信号を出力するもので
ある。
ゲート部10は、パルス発生器51〜55からのP/S変換器
用のロードタイミング信号P/S LOAD TIM1〜P/S LOAD TI
M5[第4図(18),(21),(24),(27),(30)参
照]を比較器8へ通すもので、例えばORゲートが使用さ
れる。
データラッチ11は、デュアルポートRAM1から読み出さ
れたデータをラッチするもので、アドレス発生器12は、
デュアルポートRAM1への書き込みアドレスおよび読み出
しアドレスを発生するものである。なお、第4図(15)
はデータラッチ出力(8ビット分)であり、第4図(1
2)はアドレスコントロールデータである。
上述の構成により、非同期データをS/P変換器2およ
びP/S変換器31〜35を介してデュアルポートRAM1に書き
込んだり読み出したりする際に、書き込み制御信号発生
器6および読み出し制御信号発生器7で、それぞれ受信
データR DATA[第4図(3)参照]に同期する受信クロ
ックR CLK[第4図(2)参照]からデュアルポートRAM
1への書き込み制御信号WE[第4図(14)参照]および
読み出し制御信号OE[第4図(13)参照]を作成すると
ともに、読み出し制御信号OEとP/S変換器用のロードタ
イミング信号P/S LOAD TIM1〜P/S LOAD TIM5[第4図
(18),(21),(24),(27),(30)参照]との位
相を、比較器8にて比較しておき、これらの信号位相が
重なると、リングカウンタ9にて、読み出し制御信号OE
の位相を通常位置より所要ビットシフトさせるのである
[第4図(13)のA部参照]。
これにより、この現象以降は一定周期で作成されるP/
S変換器用のロードタイミング信号P/S LOAD TIM1〜P/S
LOAD TIM5[第4図(18),(21),(24),(27),
(30)参照]と読み出し制御信号OE[第4図(13)参
照]とは重なり合うことがなくなり、デュアルポートRA
M1からのデータを確実に読み出すことが可能となる。
なお、その後、仮りに読み出し制御信号OEとP/S変換
器用のロードタイミング信号P/S LOAD TIM1〜P/S LOAD
TIM5との位相が重なったとしても、再度同様の動作を起
こして、信号重なりを回避することが行なわれる。
このようにして、デュアルポートRAM1を介して非同期
のシリアルデータを読み書きする場合、不都合なタイミ
ングからの回避を確実に行なうことができ、これによ
り、確実なデータのやりとりが可能となるものである。
また、非同期データをS/P変換器2およびP/S変換器3
を介してRAM1に書き込んだり読み出したりする際に、送
信データに同期する送信クロックからRAM1への書き込み
制御信号WEおよび読み出し制御信号OEを作成するととも
に、書き込み制御信号OEとS/P変換器のロードタイミン
グ信号との位相を比較しておき、これらの信号位相が重
なると、位相シフト制御部としてのリングカウンタに
て、書き込み制御信号WEの位相を通常位置より所要ビッ
トシフトさせるようにしても、RAM1を介して非同期のシ
リアルデータを読み書きする場合の不都合なタイミング
を回避することができ、このようにしても確実なデータ
のやりとりが可能となるものである。
さらに、書き込みおよび読み出しクロックを生成する
ためのマスタとなるマスタクロックとして同一のクロッ
クを用いていることから、本RAMの非同期データアクセ
ス方式を例えばLSIおよび外付したRAMを用いて実現した
場合には、クロックの本数を減少させることができ、装
置を小型化することができる等の物理的設計において効
果が得られるものである。
なお、上記の実施例において、書き込み制御信号WE,
読み出し制御信号OE,ロードタイミング信号P/S LOAD TI
M1〜P/S LOAD TIM5は反転信号であるので、バーをつけ
るべきであるが、それを明細書中では省略してある。
[発明の効果] 以上説明したように、請求項1記載の本発明のRAMの
非同期データアクセス方式によれば、非同期データをシ
リアル/パラレル変換器およびパラレル/シリアル変換
器を介してRAMに書き込んだり読み出したりする際に、
受信データに同期する受信クロックから該RAMへの書き
込み制御信号および読み出し制御信号を作成するととも
に、該読み出し制御信号と該パラレル/シリアル変換器
用のロードタイミング信号との位相を比較しておき、こ
れらの信号位相が重なると、該読み出し制御信号の位相
を通常位置より所要ビットシフトさせることが行なわれ
るので、RAMを介して非同期のシリアルデータを読み書
きする場合の不都合なタイミングを回避することがで
き、これにより、確実なデータのやりとりが可能となる
利点がある。
また、請求項2記載の本発明のRAMの非同期データア
クセス方式では、非同期データをシリアル/パラレル変
換器およびパラレル/シリアル変換器を介してRAMに書
き込んだり読み出したりする際に、送信データに同期す
る送信クロックから該RAMへの書き込み制御信号および
読み出し制御信号を作成するとともに、該書き込み制御
信号と該シリアル/パラレル変換器のロードタイミング
信号との位相を比較しておき、これらの信号位相が重な
ると、該書き込み制御信号の位相を通常位置より所要ビ
ットシフトさせることが行なわれるので、上記請求項1
記載の発明と同様に、RAMを介して非同期のシリアルデ
ータを読み書きする場合の不都合なタイミングを回避す
ることができ、これにより、確実なデータのやりとりが
可能となる利点がある。
さらに、請求項1及び請求項2記載の本発明のRAMの
非同期データアクセス方式では、いずれも書き込みおよ
び読み出しクロックを生成するためのマスタとなるマス
タクロックとして同一のクロックを用いていることか
ら、本発明にかかるRAMの非同期データアクセス方式を
例えばLSIおよび外付したRAMを用いて実現した場合に
は、クロックの本数を減少させることができ、装置を小
型化することができる等の物理的設計において効果が得
られる利点もある。
【図面の簡単な説明】
第1,2図はそれぞれ本発明の原理ブロック図、 第3図は本発明の一実施例を示すブロック図、 第4図は本発明の一実施例の作用を説明するタイムチャ
ート、 第5図は従来例を示すブロック図である。 図において、 1はRAM、 2はS/P変換器、 3はP/S変換器、 4,4′,5,5′はパルス発生器、 6,6′は書き込み制御信号発生器、 7,7′は読み出し制御信号発生器、 8は比較器、 9はリングカウンタ(位相シフト制御部)、 9′は位相シフト制御部、 10はゲート部、 11はデータラッチ、 12はアドレス発生器、 20はザービスビット挿入抽出部、 31〜35はP/S変換器、 51〜55はパルス発生器である。

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】非同期データをシリアル/パラレル変換器
    (2)およびパラレル/シリアル変換器(3)を介して
    RAM(1)に書き込んだり読み出したりする際に、 受信データに同期する受信クロックから該RAM(1)へ
    の書き込み制御信号および読み出し制御信号を作成する
    とともに、 該読み出し制御信号と該パラレル/シリアル変換器
    (3)用のロードタイミング信号との位相を比較してお
    き、これらの信号位相が重なると、該読み出し制御信号
    の位相を通常位置より所要ビットシフトさせることを 特徴とする、RAMの非同期データアクセス方式。
  2. 【請求項2】非同期データをシリアル/パラレル変換器
    (2)およびパラレル/シリアル変換器(3)を介して
    RAM(1)に書き込んだり読み出したりする際に、 送信データに同期する受信クロックから該RAM(1)へ
    の書き込み制御信号および読み出し制御信号を作成する
    とともに、 該書き込み制御信号と該シリアル/パラレル変換器
    (2)のロードタイミング信号との位相を比較してお
    き、これらの信号位相が重なると、該書き込み制御信号
    の位相を通常位置より所要ビットシフトさせることを 特徴とする、RAMの非同期データアクセス方式。
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