JP2537262B2 - Magnetic head - Google Patents

Magnetic head

Info

Publication number
JP2537262B2
JP2537262B2 JP63074638A JP7463888A JP2537262B2 JP 2537262 B2 JP2537262 B2 JP 2537262B2 JP 63074638 A JP63074638 A JP 63074638A JP 7463888 A JP7463888 A JP 7463888A JP 2537262 B2 JP2537262 B2 JP 2537262B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
thin film
metal
metal thin
magnetic head
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP63074638A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS647305A (en
Inventor
一康 金子
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nidec Sankyo Corp
Original Assignee
Nidec Sankyo Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nidec Sankyo Corp filed Critical Nidec Sankyo Corp
Priority to JP63074638A priority Critical patent/JP2537262B2/en
Publication of JPS647305A publication Critical patent/JPS647305A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2537262B2 publication Critical patent/JP2537262B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、磁気ヘッドに関する。更に詳細に説明する
と、本発明は、セラミック基板・コアと強磁性金属薄膜
とを組合せた複合磁気ヘッドに関する。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a magnetic head. More specifically, the present invention relates to a composite magnetic head in which a ceramic substrate / core and a ferromagnetic metal thin film are combined.

(従来の技術) 最近の磁気記録の高密度化に伴なって、より高い残留
磁束密度Brを有する磁気テープが使用され、これに対応
すべく高磁束密度でトラック幅の狭い磁気ヘッドが要望
されている。
(Prior Art) With the recent increase in density of magnetic recording, a magnetic tape having a higher residual magnetic flux density Br is used, and a magnetic head having a high magnetic flux density and a narrow track width is required to meet this demand. ing.

このような磁気ヘッドとしては、従来、特開昭60−22
3012号に明らかなように、強磁性酸化物より成る磁気コ
アに強磁性金属の薄膜を真空薄膜形成技術により形成
し、非磁性材料に挟まれるようにしてギャップ対向面
(本明細書では磁気ギャップに対して平行な突合せ接合
面をいう)に露呈する強磁性金属の薄膜間で磁気ギャッ
プを形成する薄膜磁気ヘッドが知られている。
As such a magnetic head, a conventional magnetic head is disclosed in JP-A-60-22.
As is clear from No. 3012, a thin film of a ferromagnetic metal is formed on a magnetic core made of a ferromagnetic oxide by a vacuum thin film forming technique, and is sandwiched between nonmagnetic materials so that the gap facing surfaces (in this specification, the magnetic gap). A thin film magnetic head is known in which a magnetic gap is formed between thin films of a ferromagnetic metal exposed to a butt joint surface parallel to the.

この磁気ヘッドにおいて、金属薄膜とギャップボンデ
ィング用のガラスとの間には金属薄膜を保護するための
保護層が設けられている。例えば、特開昭60−205808号
に開示されている磁気ヘッドにおいては、第4図に示す
ように、金属薄膜101の上にTa2O5やTiO2、SiO2等の非磁
性高硬度膜102をスパッタリング等により被着形成する
技術が開示されている。この非磁性高硬度膜102の形成
に際しては該高硬度膜102の金属薄膜101に対する密着性
を良好にするため、0.1μm程度のCrの膜103を形成する
下地処理が行なわれている。例えば同公報には、0.1μ
m程度のCr膜を形成してからその上にTa2O5膜を1μm
程度の膜厚でスパッタリング等により形成したもの、あ
るいはCr膜−SiO2膜−Ta5O5膜の順で形成したもの、ま
たはTi膜−TiO2膜を積層したものが開示されている。
尚、図中符号105は基板である。
In this magnetic head, a protective layer for protecting the metal thin film is provided between the metal thin film and the glass for gap bonding. For example, in the magnetic head disclosed in JP-A-60-205808, as shown in FIG. 4, a non-magnetic high hardness film such as Ta 2 O 5 , TiO 2 , or SiO 2 is formed on the metal thin film 101. A technique of depositing 102 by sputtering or the like is disclosed. In forming the non-magnetic high hardness film 102, an undercoat treatment is performed to form a Cr film 103 of about 0.1 μm in order to improve the adhesion of the high hardness film 102 to the metal thin film 101. For example, in the publication, 0.1 μ
After forming a Cr film of about m, a Ta 2 O 5 film of 1 μm on it
Those that have been formed by sputtering or the like with a thickness on the order, or Cr film -SiO 2 film -Ta 5 O 5 film of those formed in this order, or a laminate of a Ti film -TiO 2 film is disclosed.
Reference numeral 105 in the figure denotes a substrate.

これら非磁性高硬度膜102によって金属薄膜101の酸化
ガラス104に対する濡れ性を向上させている。これによ
りガラスボンディングの際にピンホールができるのを防
止し、ヘッドにしたときに酸化ガラス104部分に欠けが
生じるのを防止している。
The nonmagnetic high hardness film 102 improves the wettability of the metal thin film 101 to the oxide glass 104. This prevents pinholes from being formed during glass bonding, and prevents the oxide glass 104 from being chipped when used as a head.

(発明が解決しようとする問題点) しかしながら、従来の非磁性高硬度膜の形成に際して
は、金属薄膜101と非磁性高硬度膜102との密着性を上げ
るため、CrあるいはTiの金属薄膜103の存在が必要とさ
れている。このCr等は膜付け後の熱処理等によって金属
薄膜101中へ拡散し金属薄膜101を劣化させたり、組成を
不安定なものとする虞がある。また、後のガラスボンデ
ィング工程との関係で、SiO2膜102の上にCr等の金属膜
が必要となることから、下地としてCr等の膜を付けると
保護膜が3層構造となり工程増となる不利がある。更
に、Cr膜103を形成せずに非磁性高硬度膜102を直接金属
薄膜101上に形成する場合、金属薄膜101と酸化ガラス10
4との間の線膨張係数の差に起因するずれを吸収するこ
とができず、結局金属薄膜101に内部ストレスを発生さ
せてしまう欠点がある。
(Problems to be Solved by the Invention) However, when forming a conventional non-magnetic high hardness film, in order to improve the adhesion between the metal thin film 101 and the non-magnetic high hardness film 102, the metal thin film 103 of Cr or Ti Presence is needed. This Cr or the like may diffuse into the metal thin film 101 due to heat treatment after the film is attached, deteriorating the metal thin film 101, or making the composition unstable. In addition, since a metal film such as Cr is required on the SiO 2 film 102 in connection with the subsequent glass bonding process, when a film such as Cr is attached as a base, the protective film has a three-layer structure, which increases the number of processes. There is a disadvantage. Further, when the non-magnetic high hardness film 102 is formed directly on the metal thin film 101 without forming the Cr film 103, the metal thin film 101 and the oxide glass 10
There is a drawback that the deviation due to the difference in the linear expansion coefficient with that of No. 4 cannot be absorbed, and eventually internal stress is generated in the metal thin film 101.

本発明は、金属薄膜の組成を安定的に保護しかつ酸化
ガラスとの密着性を上げてピンホール等の発生を防ぎ得
る保護膜の構造を提供することを目的とする。
It is an object of the present invention to provide a structure of a protective film which can stably protect the composition of a metal thin film and improve the adhesion to oxide glass to prevent the occurrence of pinholes and the like.

(問題点を解決するための手段) かかる目的を達成するため、本発明の磁気ヘッドは、
金属薄膜と酸化ガラスとの間に、前記金属薄膜の上に熱
的に安定でかつ高硬度の酸化物あるいは窒化物の層を形
成し、更にその上に延展性が良くかつ酸化した状態でガ
ラスとの密着性の良い金属の層を形成し更に該金属膜の
表面を酸化させている。
(Means for Solving Problems) In order to achieve such an object, the magnetic head of the present invention is
Between the metal thin film and the oxide glass, a thermally stable and highly hard oxide or nitride layer is formed on the metal thin film, and further glass having good spreadability and oxidized state is formed thereon. A metal layer having good adhesion with is formed, and the surface of the metal film is further oxidized.

(作用) したがって、酸化物あるいは窒化物の膜が金属薄膜と
酸化ガラスとの間の相互拡散を防いで膜組成を安定させ
る一方、金属膜の酸化された表面が酸化ガラスとの濡れ
性を高めて密着性を上げる。そして、酸化ガラスと金属
薄膜の線膨張係数の差に起因するずれを金属層において
吸収し緩和する。これによって、金属薄膜内に内部スト
レスが生じるのを防ぐ。
(Function) Accordingly, the oxide or nitride film prevents mutual diffusion between the metal thin film and the oxide glass to stabilize the film composition, while the oxidized surface of the metal film enhances the wettability with the oxide glass. To improve adhesion. Then, the metal layer absorbs and relaxes the shift caused by the difference in the linear expansion coefficient between the oxide glass and the metal thin film. This prevents internal stress from occurring in the metal thin film.

(実施例) 以下、本発明の構成を図面に示す実施例に基づいて詳
細に説明する。
(Example) Hereinafter, the structure of the present invention will be described in detail based on an example shown in the drawings.

第2図に本発明の磁気ヘッドの一実施例を斜視図で示
す。この磁気ヘッドは、一対の基板1A,1BをSiO2等の低
透磁率材料のスペーサ(図示省略)を介在させて突合せ
接合し、その接合面即ちギャップ対向面3にスパッタリ
ング等の真空薄膜形成技術を用いて高透磁率の合金例え
ばセンダスト合金等から成る強磁性金属の薄膜4を形成
し、両基板1A,1Bの金属薄膜4の間に磁気ギャップgを
形成して成る。尚、基板1A,1Bとしては、通常5MHz程度
の高域までの使用を前提とする場合にはフェライト等の
強磁性酸化物が使用されるが、更に高域の例えば10MHz
付近での使用を前提とする場合にはセラミックス非磁性
体等が使用される。
FIG. 2 is a perspective view showing an embodiment of the magnetic head of the present invention. In this magnetic head, a pair of substrates 1A and 1B are butt-joined with a spacer (not shown) made of a low-permeability material such as SiO 2 interposed, and a vacuum thin film forming technique such as sputtering is applied to the joint surface, that is, the gap facing surface 3. Is used to form a ferromagnetic metal thin film 4 made of a high magnetic permeability alloy such as Sendust alloy, and a magnetic gap g is formed between the metal thin films 4 of both substrates 1A and 1B. As the substrates 1A and 1B, a ferromagnetic oxide such as ferrite is usually used when it is assumed to be used up to a high frequency of about 5 MHz, but a higher frequency such as 10 MHz is used.
If it is assumed to be used in the vicinity, a ceramic non-magnetic material or the like is used.

強磁性金属薄膜4は、磁気ギャップgと平行なギャッ
プ対向面3に穿溝されているトラック溝13の側壁面(以
下薄膜形成面という)6に、ギャップ対向面3と薄膜形
成面6とで構成される稜線7に沿って均一な膜厚となる
ように公知の真空薄膜形成技術によって形成されてい
る。したがって、薄膜4は、ギャップ深さ方向には均一
な膜厚であるが、トラック溝13の底部に向かう程すなわ
ちテープ摺動方向には膜厚が薄くなっている。しかし、
この金属薄膜4の必要箇所はギャップgを形成するギャ
ップ対向面3の近傍、即ちトラック溝13の表面近傍部分
であってギャップgから離れた箇所が狭くなっても出力
特性にそれ程問題は生じないことが今般本発明者等の実
験から明からになった。
The ferromagnetic metal thin film 4 has a side wall surface (hereinafter referred to as a thin film forming surface) 6 of a track groove 13 formed in a gap facing surface 3 parallel to the magnetic gap g, and a gap facing surface 3 and a thin film forming surface 6. It is formed by a known vacuum thin film forming technique so as to have a uniform film thickness along the constituted ridge line 7. Therefore, the thin film 4 has a uniform thickness in the gap depth direction, but becomes thinner toward the bottom of the track groove 13, that is, in the tape sliding direction. But,
The required portion of the metal thin film 4 is in the vicinity of the gap facing surface 3 forming the gap g, that is, in the vicinity of the surface of the track groove 13, and even if the portion apart from the gap g is narrowed, the output characteristic does not cause much problem. This has become clear from the experiments by the present inventors.

また、金属薄膜はその結晶粒径が標準センダスト合金
の場合、520〜570Åの範囲、最も好ましくは約570Å程
度に調整されると共に一層あたりの膜厚が5〜6μm程
度になるように多層膜に構成されて高周波域での出力低
下が防止されている。
In the case of a standard Sendust alloy, the metal thin film is adjusted to a range of 520 to 570 Å, most preferably about 570 Å, and a multilayer film is formed so that the film thickness per layer is about 5 to 6 μm. This structure prevents the output from dropping in the high frequency range.

前記金属薄膜4の上には第1図に示すように保護膜2
が形成され、酸化ガラス10が充填されている。保護膜2
は、熱的に安定でかつ高硬度の酸化物あるいは窒化物の
膜21と、延展性が良くかつ酸化状態で酸化ガラス10との
濡れ性・密着性の良い金属の膜22及び同金属膜22の表層
を形成する金属酸化物の層23とから構成されている。酸
化物としては、通常SiO2或いはTa2O5等が使用されてい
る。この酸化物の膜21はスパッタリングなどよって0.02
〜0.2μm程度の膜厚、好ましくは0.05μm程度の膜厚
が形成されている。また、金属膜22は、通常Crあるいは
Tiが使用されている。この金属の膜22はスパッタリング
等によって、0.02〜0.2μm程度の膜厚、好ましくは0.0
5μm程度の膜厚に形成されている。そして、その表面
が酸化層23例えばCrOあるいはCrO2とされている。
As shown in FIG. 1, a protective film 2 is formed on the metal thin film 4.
Are formed and filled with the oxide glass 10. Protective film 2
Is a thermally stable and highly hard oxide or nitride film 21, and a metal film 22 and a metal film 22 having good spreadability and good wettability and adhesion with the oxide glass 10 in an oxidized state. And a metal oxide layer 23 forming a surface layer thereof. As the oxide, SiO 2 or Ta 2 O 5 is usually used. This oxide film 21 has a thickness of 0.02
The film thickness is about 0.2 μm, preferably about 0.05 μm. The metal film 22 is usually made of Cr or
Ti is used. The metal film 22 is formed by sputtering or the like to have a film thickness of about 0.02 to 0.2 μm, preferably 0.0
It is formed with a film thickness of about 5 μm. The surface of the oxide layer 23 is, for example, CrO or CrO 2 .

一方、薄膜形成面6と隣接させて凹部8が形成されて
いる。この凹部8は磁気ギャップgのトラック幅を規制
しかつ疑似ギャップの発生を抑えるためのもので、酸化
ガラス11が溶融充填されている。尚、本実施例の磁気ヘ
ッドは、一対の基板を接合したブロックから切り出す際
に若干斜めにスライスして所定のアジマス角度を取るよ
うに形成されている。
On the other hand, a recess 8 is formed adjacent to the thin film formation surface 6. The recess 8 is for controlling the track width of the magnetic gap g and for suppressing the generation of the pseudo gap, and the oxide glass 11 is melt-filled. The magnetic head of this embodiment is formed so as to have a predetermined azimuth angle by slightly obliquely slicing when cutting out from a block in which a pair of substrates is joined.

薄膜形成面6はギャップ対向面3に対して直交ないし
100゜の角度で傾斜させることが好ましい。
The thin film forming surface 6 is orthogonal to the gap facing surface 3 or
It is preferable to incline at an angle of 100 °.

以下、本発明の磁気ヘッドの製造工程を第3図の加工
フロー図に基づいて詳細に説明する。
The manufacturing process of the magnetic head of the present invention will be described below in detail with reference to the processing flow chart of FIG.

まず、この基板1のギャップ対向面3に、テープ摺接
面5と直行する方向(深直方向)に向かって延びる方形
ないし台形のトラック溝13を研削によって所定ピッチで
多数本形成する[第3図(a)]。
First, a large number of rectangular or trapezoidal track grooves 13 extending in a direction orthogonal to the tape sliding contact surface 5 (deep vertical direction) are formed on the gap facing surface 3 of the substrate 1 at a predetermined pitch by grinding [3rd (A)].

次いで、この基板1を前述の深直方向と直交する面即
ちテープ摺接面5と平行な面に沿って2分し、一対の基
板1A,1Bを形成する[第3図(b)]。
Next, the substrate 1 is divided into two along a surface orthogonal to the depth direction, that is, a surface parallel to the tape sliding contact surface 5, to form a pair of substrates 1A and 1B [FIG. 3 (b)].

そして、これらを洗浄し、真空薄膜形成技術を用いて
強磁性金属の磁性薄膜4を形成する[第3図(c)]。
通常、磁性膜4はセンダスト合金等から成る強磁性金属
をスパッタリングによって膜付けする。スパッタリング
は、例えば標準センダスト合金をターゲットとする場
合、アルゴンガス雰囲気中、基板温度200℃で約400Å/m
inのレートで行なわれる。金属薄膜は一層当たり5〜6
μmの膜厚となるように実質的な多層膜とすることが好
ましく、通常強磁性金属を断続的にスパッタリングする
ことによって、あるいは強磁性金属と非磁性体を交互に
スパッタリングすることによって結晶粒径520〜570Åの
複数層の磁性薄膜が形成される。
Then, these are washed and a magnetic thin film 4 of a ferromagnetic metal is formed by using a vacuum thin film forming technique [FIG. 3 (c)].
Usually, the magnetic film 4 is formed by sputtering a ferromagnetic metal such as Sendust alloy. For example, when targeting a standard Sendust alloy, sputtering is about 400Å / m at a substrate temperature of 200 ℃ in an argon gas atmosphere.
It is done at the rate of in. 5-6 per layer of metal thin film
It is preferable to form a substantially multilayer film so as to have a thickness of μm. Usually, the crystal grain size is obtained by intermittently sputtering a ferromagnetic metal or alternately sputtering a ferromagnetic metal and a non-magnetic material. A plurality of magnetic thin films of 520 to 570Å are formed.

金属薄膜4の形成後、該膜上にスパッタリング等によ
って保護膜2を形成する[第3図(d)]。保護膜2は
まず金属薄膜4の上に0.05μm程度の酸化物の膜21例え
ばSiO2、Ta2O5を形成し、その上に金属例えばCr、Ti等
の膜22を0.05μm程度の厚さに形成する。そして、基板
1A,1Bを大気中において数時間、好ましくは1時間程度
で約400℃まで加熱し、金属膜22の表面を酸化させる。
After forming the metal thin film 4, the protective film 2 is formed on the film by sputtering or the like [FIG. 3 (d)]. As the protective film 2, first, an oxide film 21 of about 0.05 μm, for example, SiO 2 or Ta 2 O 5 is formed on the metal thin film 4, and a film 22 of metal such as Cr or Ti is formed thereon with a thickness of about 0.05 μm. To form. And the substrate
1A and 1B are heated to about 400 ° C. in the air for several hours, preferably about one hour, to oxidize the surface of the metal film 22.

次いで、該基板1A,1Bを窒素などの不活性雰囲気中で4
00℃以上に加熱しつつトラック溝13に高融点ガラス10を
充填保護する[ガラスボンディング第3図(e)]。こ
のガラス充填は、前述の保護膜2の酸化処理の後一旦冷
却し、窒素雰囲気中において再び室温から徐々に昇温し
500〜600℃に保った後行なうようにしても良い。その
後、ギャップ対向面3及びテープ摺接面5を研削して所
定の面荒さの平坦な面とする。研削は通常ラップによっ
て行なわれ鏡面仕上げとされる。
Then, the substrate 1A, 1B is placed in an inert atmosphere such as nitrogen 4
The high melting point glass 10 is filled and protected in the track groove 13 while being heated to 00 ° C. or higher [glass bonding FIG. 3 (e)]. The glass filling is performed by cooling the protective film 2 after the oxidation treatment described above and then gradually raising the temperature from room temperature again in a nitrogen atmosphere.
It may be carried out after the temperature is kept at 500 to 600 ° C. After that, the gap facing surface 3 and the tape sliding contact surface 5 are ground to form a flat surface having a predetermined surface roughness. Grinding is usually done by lapping to give a mirror finish.

その後、前述のトラック溝13の隣に該溝13に沿って疑
似ギャップを無くすためのトラック規制用凹部8が研削
される。この凹部8の研削の際に金属薄膜4が構成する
トラック幅が所定幅となるように調整する。
Then, a track regulating recess 8 for eliminating a pseudo gap is ground along the track groove 13 adjacent to the track groove 13. When the recess 8 is ground, the track width formed by the metal thin film 4 is adjusted to be a predetermined width.

その後、一方の基板1Aのギャップ対向面3に巻線溝12
を形成する[第3図(f)]。この巻線溝12はディップ
ス寸法を規制する。尚、他方の基板1Bには巻線溝12は形
成されない。
After that, the winding groove 12 is formed on the gap facing surface 3 of the one substrate 1A.
Are formed [FIG. 3 (f)]. The winding groove 12 regulates the dips size. The winding groove 12 is not formed on the other substrate 1B.

ついで、両基板1,1のギャップ対向面3にSiO2等の非
磁性材から成るスペーサ(図示省略)をスパッタリング
によって形成する。そして、一対の基板1A,1Bを向い合
せて金属薄膜4同士を突合せるうよにしてトラック規制
用凹部8に低融点ガラス11を充填し接合する[ギャップ
ボンディング第3図(g)]。
Next, a spacer (not shown) made of a non-magnetic material such as SiO 2 is formed on the gap facing surface 3 of both substrates 1 and 1 by sputtering. Then, the pair of substrates 1A and 1B are faced to each other and the metal thin films 4 are butted against each other, and the low melting point glass 11 is filled in the recess 8 for track regulation and bonded [gap bonding FIG. 3 (g)].

上述のギャップボンディングの後、テープ摺接面5を
円筒研摩し、テープ摺接面5を曲面に仕上げる[第3図
(h)]。
After the above gap bonding, the tape sliding contact surface 5 is cylindrically polished to finish the tape sliding contact surface 5 into a curved surface [FIG. 3 (h)].

次に磁気ギャップgがテープ摺動方向に対して所定の
アジマス角度を取るようにスライスし、多数のチップ状
の磁気コアを切り出す[第3図(i)]。その後検査を
経てサポート・ヘッドベースに取付け、さらにトラック
方向に馴染みを良くする摺動面仕上げ加工を施して巻線
する[第1図(j)]。
Next, the magnetic gap g is sliced so as to form a predetermined azimuth angle with respect to the tape sliding direction, and a large number of chip-shaped magnetic cores are cut out [Fig. 3 (i)]. Then, after inspection, it is attached to the support head base, and a sliding surface finishing process is performed to improve the familiarity in the track direction, and the wire is wound [Fig. 1 (j)].

尚、金属薄膜としてはCo−Zr−Nb合金等の非晶質金属
も利用できる。
An amorphous metal such as a Co-Zr-Nb alloy can be used as the metal thin film.

(発明の効果) 以上の説明より明らかなように、本発明の磁気ヘッド
は、金属薄膜の上に熱的に安定でかつ高硬度の酸化物あ
るいは窒化物の膜を形成し、更にその上に延展性が良く
かつ酸化した状態でガラスとの密着性の良い金属の膜を
形成し更に該金属膜の表面を酸化させているので、酸化
物あるいは窒化物の膜が金属薄膜と酸化ガラスとの間の
相互拡散を防いで膜組成を安定させる一方、金属膜の酸
化された表面が酸化ガラスとの濡れ性を高めて密着性を
上げる。このため金属薄膜の上に酸化ガラスを充填する
際にピンホール等が生ずることがない。よってヘッドに
した時にもチッピング(欠け)を起こすことがない。し
かも酸化ガラスと金属薄膜との間の線膨張係数の違いに
起因するずれを金属層が吸収し金属薄膜内に内部ストレ
スが発生するのを防止し得る。
(Effects of the Invention) As is clear from the above description, the magnetic head of the present invention has a thermally stable and highly hard oxide or nitride film formed on a metal thin film, and further formed thereon. Since a metal film having good spreadability and good adhesion to glass in an oxidized state is formed and the surface of the metal film is further oxidized, the oxide or nitride film forms a metal thin film and a glass oxide. While preventing the mutual diffusion between them and stabilizing the film composition, the oxidized surface of the metal film enhances the wettability with the oxide glass to improve the adhesion. For this reason, pinholes and the like do not occur when the oxide glass is filled on the metal thin film. Therefore, chipping (chipping) does not occur even when used as a head. Moreover, it is possible to prevent the internal stress from being generated in the metal thin film due to the metal layer absorbing the deviation caused by the difference in the linear expansion coefficient between the oxide glass and the metal thin film.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は本発明の磁気ヘッドの金属薄膜及び保護膜部分
の拡大断面図、第2図は本発明の磁気ヘッドの一実施例
を示す斜視図、第3図(a)〜(j)は同磁気ヘッドの
製造方法を示す加工フロー図、第4図は従来の磁気ヘッ
ドの金属薄膜部分を拡大して示す断面図である。 1A,1B……基板、 2……保護膜、 21……酸化物膜、 22……金属膜、 23……金属酸化層、 4……金属薄膜、 6……薄膜形成面・トラック溝の側壁面、 10……酸化ガラス、13……トラック溝。
1 is an enlarged sectional view of a metal thin film and a protective film portion of a magnetic head of the present invention, FIG. 2 is a perspective view showing an embodiment of the magnetic head of the present invention, and FIGS. 3 (a) to 3 (j) are FIG. 4 is an enlarged sectional view showing a metal thin film portion of a conventional magnetic head, showing a processing flow chart showing the method of manufacturing the same magnetic head. 1A, 1B ... Substrate, 2 ... Protective film, 21 ... Oxide film, 22 ... Metal film, 23 ... Metal oxide layer, 4 ... Metal thin film, 6 ... Thin film formation surface / track groove side Wall, 10 …… oxidized glass, 13 …… track groove.

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】基板に形成された強磁性金属の薄膜を酸化
ガラスにより被うように形成してなる磁気ヘッドにおい
て、前記金属薄膜と酸化ガラスとの間に、前記金属薄膜
の上に熱的に安定でかつ高硬度の酸化物あるいは窒化物
の膜を形成し、更にその上に延展性が良くかつ酸化した
状態でガラスとの密着性の良い金属の膜を形成し更に該
金属膜の表面を酸化させた保護膜を設けたことを特徴と
する磁気ヘッド。
1. A magnetic head comprising a ferromagnetic metal thin film formed on a substrate so as to be covered with an oxide glass, and a thermal head formed on the metal thin film between the metal thin film and the oxide glass. A stable and high hardness oxide or nitride film is formed on the surface of the metal film, and a metal film having good spreadability and good adhesion to glass in the oxidized state is formed on the surface of the metal film. A magnetic head characterized in that a protective film obtained by oxidizing is provided.
【請求項2】前記酸化物はSiO2であることを特徴とする
特許請求の範囲第1項に記載の磁気ヘッド。
2. The magnetic head according to claim 1, wherein the oxide is SiO 2 .
【請求項3】前記酸化物はTa2O5であることを特徴とす
る特許請求の範囲第1項に記載の磁気ヘッド。
3. The magnetic head according to claim 1, wherein the oxide is Ta 2 O 5 .
【請求項4】前記金属膜はCrであることを特徴とする特
許請求の範囲第1項ないし第3項のいずれかに記載の磁
気ヘッド。
4. The magnetic head according to any one of claims 1 to 3, wherein the metal film is Cr.
JP63074638A 1987-03-31 1988-03-30 Magnetic head Expired - Lifetime JP2537262B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63074638A JP2537262B2 (en) 1987-03-31 1988-03-30 Magnetic head

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62-75786 1987-03-31
JP7578687 1987-03-31
JP63074638A JP2537262B2 (en) 1987-03-31 1988-03-30 Magnetic head

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS647305A JPS647305A (en) 1989-01-11
JP2537262B2 true JP2537262B2 (en) 1996-09-25

Family

ID=26415807

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63074638A Expired - Lifetime JP2537262B2 (en) 1987-03-31 1988-03-30 Magnetic head

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2537262B2 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04324104A (en) * 1991-04-24 1992-11-13 Nec Corp Magnetic core for magnetic head
JPH0644516A (en) * 1992-07-24 1994-02-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd Magnetic head

Also Published As

Publication number Publication date
JPS647305A (en) 1989-01-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0656647B2 (en) Magnetic head
JP2537262B2 (en) Magnetic head
KR930002393B1 (en) Magnetic transducer head
JP2554041B2 (en) Method of manufacturing magnetic head core
JPS6214313A (en) Magnetic head
JPH0256707A (en) Floating type magnetic head and its manufacture
JP2659989B2 (en) Magnetic head
KR920000214B1 (en) Magnetic head
EP0216114A2 (en) Double azimuth thin film magnetic head and method of manufacturing same
JPH0580724B2 (en)
JPS62139110A (en) Manufacture of magnetic head
JPS61211807A (en) Magnetic head
JPH05282619A (en) Magnetic head
JPH011111A (en) magnetic head
JPH05128434A (en) Magnetic head and production thereof
JPS60242511A (en) Manufacture of magnetic head
JPH0516082B2 (en)
JPH0785288B2 (en) Magnetic head manufacturing method
JPS63300418A (en) Magnetic head and its production
JPS62125509A (en) Magnetic head
JPH01102713A (en) Magnetic head made of soft magnetic metallic film
JPH08102007A (en) Magnetic head
JPH0371405A (en) Composite magnetic head
JPH06111230A (en) Magnetic head
JPH01100718A (en) Magnetic head