JP2532933B2 - 高純度シリカの製造方法 - Google Patents
高純度シリカの製造方法Info
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- JP2532933B2 JP2532933B2 JP63299693A JP29969388A JP2532933B2 JP 2532933 B2 JP2532933 B2 JP 2532933B2 JP 63299693 A JP63299693 A JP 63299693A JP 29969388 A JP29969388 A JP 29969388A JP 2532933 B2 JP2532933 B2 JP 2532933B2
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C1/00—Ingredients generally applicable to manufacture of glasses, glazes, or vitreous enamels
- C03C1/006—Ingredients generally applicable to manufacture of glasses, glazes, or vitreous enamels to produce glass through wet route
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Description
【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、高純度でかつ均一な粒子径のシリカ粉末の
製造方法に関する。
製造方法に関する。
〈従来技術およびその問題点〉 電子材料として使用される高純度な石英ガラス等を製
造するには、150〜425μｍの粒径を有する均一な粒子の
シリカ粉末が要求される。その原料は従来比較的純度の
高い天然石英を粉砕するかまたは人工的にSiCl4を純水
で加水分解して、脱塩酸および脱水したものが用いられ
ている。
造するには、150〜425μｍの粒径を有する均一な粒子の
シリカ粉末が要求される。その原料は従来比較的純度の
高い天然石英を粉砕するかまたは人工的にSiCl4を純水
で加水分解して、脱塩酸および脱水したものが用いられ
ている。
しかし天然石英の粉砕にはボールミルあるいはジョー
クラッシャーなどの粉砕機で適切な粒径の粉末としなけ
ればならず、これらの粉砕機の機構上磨耗が起り、磨耗
粉が石英粉末に混入して石英粉末の純度が低下すること
は避けられない。またSiCl4を純水で加水分解すること
により人工的に高純度シリカを製造する方法において
も、従来製造される高純度シリカの粒径は比較的大きく
天然石英の場合と同様に粉砕が必要となり、粉砕機から
の不純物の混入が避けられない。
クラッシャーなどの粉砕機で適切な粒径の粉末としなけ
ればならず、これらの粉砕機の機構上磨耗が起り、磨耗
粉が石英粉末に混入して石英粉末の純度が低下すること
は避けられない。またSiCl4を純水で加水分解すること
により人工的に高純度シリカを製造する方法において
も、従来製造される高純度シリカの粒径は比較的大きく
天然石英の場合と同様に粉砕が必要となり、粉砕機から
の不純物の混入が避けられない。
〈問題解決に係る知見〉 本発明者等は高純度でかつ電子材料用石英ガラスの原
料として好適な粒度のシリカ粉末を得る方法について研
究した結果、SiCl4の加水分解反応によってシリカを合
成する場合に、微粉末シリカの存在下で反応させること
により所望の粒径のシリカ粒子を製造できることを知見
した。
料として好適な粒度のシリカ粉末を得る方法について研
究した結果、SiCl4の加水分解反応によってシリカを合
成する場合に、微粉末シリカの存在下で反応させること
により所望の粒径のシリカ粒子を製造できることを知見
した。
〈発明の構成〉 本発明は、ハロゲン化珪素を純水で加水分解して高純
度のシリカ粉末を製造する方法において、粒径150μｍ
以下の高純度シリカ微粉末を純水に分散させた状態でハ
ロゲン化ケイ素を添加し、あるいは粒径150μｍ以下の
高純度シリカ微粉末を分散させたハロゲン化ケイ素を純
水に添加し、ハロゲン化珪素の沸点以下の温度でハロゲ
ン化珪素の加水分解を進行させてゲル状物を生成させ、
これを脱水乾燥して塩酸を除き、高純度シリカ粉末を得
ることを特徴とする高純度シリカの製造方法を提供する
ものであり、電子材料用石英ガラス原料として最適な粒
径、好ましくは150〜425μｍの均一な粒径を有する高純
度シリカ粉末を容易に製造できるようにしたものであ
る。
度のシリカ粉末を製造する方法において、粒径150μｍ
以下の高純度シリカ微粉末を純水に分散させた状態でハ
ロゲン化ケイ素を添加し、あるいは粒径150μｍ以下の
高純度シリカ微粉末を分散させたハロゲン化ケイ素を純
水に添加し、ハロゲン化珪素の沸点以下の温度でハロゲ
ン化珪素の加水分解を進行させてゲル状物を生成させ、
これを脱水乾燥して塩酸を除き、高純度シリカ粉末を得
ることを特徴とする高純度シリカの製造方法を提供する
ものであり、電子材料用石英ガラス原料として最適な粒
径、好ましくは150〜425μｍの均一な粒径を有する高純
度シリカ粉末を容易に製造できるようにしたものであ
る。
本発明において用いるハロゲン化ケイ素としては、Si
Cl4またはHSiCl3が好適に用いられる。SiCl4はHSiCl3と
高純度水素とから多結晶シリコンを製造するときに副生
するものを蒸留分離精製して得られ、HSiCl3は金属シリ
コン粉と塩化水素の反応により合成されたものを精留し
て得られる。
Cl4またはHSiCl3が好適に用いられる。SiCl4はHSiCl3と
高純度水素とから多結晶シリコンを製造するときに副生
するものを蒸留分離精製して得られ、HSiCl3は金属シリ
コン粉と塩化水素の反応により合成されたものを精留し
て得られる。
本発明によれば、150μｍ以下の高純度微粉末シリカ
を純水に分散した状態でSiCl4またはHSiCl3を徐々に添
加して加水分解しゲル状にした後に、脱水、脱塩酸する
ことによって、均一な粒度の高純度シリカが生成する。
なお微粉末シリカは予めSiCl4もしくはHSiCl3に分散さ
せてもよい。用いる微粉末シリカは高純度に精製したア
エロジル（日本アエロジル株式会社製）もしくは本発明
で生成するシリカ等の微粉末が好適である。添加する高
純度シリカ微粉末の粒径は150μｍ以下である。該粒径
が150μｍより大きいと、生成するシリカ粒子が粗粒と
なる。一例として200μｍ前後のシリカ粒子をSiCl4に対
し約７重量％添加した場合、生成されたシリカ粒子の約
60％が粒径425μｍ以上の粗粒である。他方150μｍ以下
のシリカ粒子を用いた場合には、同一条件下で生成され
たシリカ粒子の約90％が150μｍ〜425μｍの粒径を有す
る。
を純水に分散した状態でSiCl4またはHSiCl3を徐々に添
加して加水分解しゲル状にした後に、脱水、脱塩酸する
ことによって、均一な粒度の高純度シリカが生成する。
なお微粉末シリカは予めSiCl4もしくはHSiCl3に分散さ
せてもよい。用いる微粉末シリカは高純度に精製したア
エロジル（日本アエロジル株式会社製）もしくは本発明
で生成するシリカ等の微粉末が好適である。添加する高
純度シリカ微粉末の粒径は150μｍ以下である。該粒径
が150μｍより大きいと、生成するシリカ粒子が粗粒と
なる。一例として200μｍ前後のシリカ粒子をSiCl4に対
し約７重量％添加した場合、生成されたシリカ粒子の約
60％が粒径425μｍ以上の粗粒である。他方150μｍ以下
のシリカ粒子を用いた場合には、同一条件下で生成され
たシリカ粒子の約90％が150μｍ〜425μｍの粒径を有す
る。
添加するシリカ微粉末の量はハロゲン化ケイ素に対し
て３〜10重量％が好適である。３重量％より少ないと生
成されたシリカ粒子が粗粒となる。また10重量％以上添
加しても効果が飽和して意味がない。上記純水は、イオ
ン交換、逆浸透、蒸留などにより高純度に精製したもの
が用いられ、または本発明によるハロゲン化ケイ素の加
水分解物から生成したHClを除去した後の冷却凝集水が
再利用される。
て３〜10重量％が好適である。３重量％より少ないと生
成されたシリカ粒子が粗粒となる。また10重量％以上添
加しても効果が飽和して意味がない。上記純水は、イオ
ン交換、逆浸透、蒸留などにより高純度に精製したもの
が用いられ、または本発明によるハロゲン化ケイ素の加
水分解物から生成したHClを除去した後の冷却凝集水が
再利用される。
加水分解反応装置は、耐腐食性でかつ不純物の溶出が
ない石英ガラスまたはテフロン等の材質を用い、添加す
るシリカ微粉末の分散をよくするため攪拌が必要であ
り、一般的な羽根型攪拌機よりは超音波振動波による非
接触攪拌が高純度品には好適である。
ない石英ガラスまたはテフロン等の材質を用い、添加す
るシリカ微粉末の分散をよくするため攪拌が必要であ
り、一般的な羽根型攪拌機よりは超音波振動波による非
接触攪拌が高純度品には好適である。
加水分解反応の温度は、ハロゲン化ケイ素の蒸発損失
を最小限にするためハロゲン化ケイ素の沸点（SiCl4で
は57℃）以下に制御するのが好ましい。ハロゲン化ケイ
素の加水分解で生成するHClの純水への溶解が発熱反応
であるため反応器を外部から水で冷却する。ハロゲン化
ケイ素を純水に添加する方法は、水中添加でもよいが、
添加用ノズルの閉塞を避けるため水面の上部から添加す
る方がよい。添加の速度は装置の容量などを考慮して適
宜選択される。
を最小限にするためハロゲン化ケイ素の沸点（SiCl4で
は57℃）以下に制御するのが好ましい。ハロゲン化ケイ
素の加水分解で生成するHClの純水への溶解が発熱反応
であるため反応器を外部から水で冷却する。ハロゲン化
ケイ素を純水に添加する方法は、水中添加でもよいが、
添加用ノズルの閉塞を避けるため水面の上部から添加す
る方がよい。添加の速度は装置の容量などを考慮して適
宜選択される。
〈実施例〉 実施例１ 攪拌機付石英ガラス反応器中に純水1,000mlを仕込
み、攪拌しながら第１表に示す量の微粉末シリカ（粒径
150μｍ以下）を添加して分散させ、これにSiCl4200gを
供給して加水分解させた。尚、反応器外壁を水冷して57
℃以下に保持した。加水分解の終了は反応液がゲル状に
なった時点とした。このゲル状物を脱水乾燥して高純度
粉末シリカを得た。生成回収したシリカ粒子の収量と15
0〜425μｍの粒径を有するシリカ粒子の割合を第１表に
示す。
み、攪拌しながら第１表に示す量の微粉末シリカ（粒径
150μｍ以下）を添加して分散させ、これにSiCl4200gを
供給して加水分解させた。尚、反応器外壁を水冷して57
℃以下に保持した。加水分解の終了は反応液がゲル状に
なった時点とした。このゲル状物を脱水乾燥して高純度
粉末シリカを得た。生成回収したシリカ粒子の収量と15
0〜425μｍの粒径を有するシリカ粒子の割合を第１表に
示す。
実施例２ 添加分散する微粉末シリカの粒径を表１に記載のよう
に変て、添加量を14.2gとする他は実施例１と同一条件
で高純度シリカ粒子を製造した。この結果を第２表に示
す。
に変て、添加量を14.2gとする他は実施例１と同一条件
で高純度シリカ粒子を製造した。この結果を第２表に示
す。
〈発明の効果〉 本発明の方法によれば、微粉末シリカの存在下で湿式
法によるハロゲン化珪素の加水分解反応により粉末状の
高純度シリカを容易に、かつ収率良く製造することが出
来る。本発明により得られる高純度シリカは電子材料用
石英ガラス原料として最適な粒径を有しているため粉砕
工程等を必要とせず高純度の石英ガラス材料を製造する
ことが出来る。
法によるハロゲン化珪素の加水分解反応により粉末状の
高純度シリカを容易に、かつ収率良く製造することが出
来る。本発明により得られる高純度シリカは電子材料用
石英ガラス原料として最適な粒径を有しているため粉砕
工程等を必要とせず高純度の石英ガラス材料を製造する
ことが出来る。
Claims (2)
- 【請求項１】ハロゲン化珪素を純水で加水分解して高純
度のシリカ粉末を製造する方法において、粒経150μｍ
以下の高純度シリカ微粉末を純水に分散させた状態でハ
ロゲ化ケイ素を添加し、あるいは粒経150μｍ以下の高
純度シリカ微粉末を分散させたハロゲン化ケイ素を純水
に添加し、ハロゲン化珪素の沸点以下の温度でハロゲン
化珪素の加水分解を進行させてゲル状物を生成させ、こ
れを脱水乾燥して塩酸を除き、高純度シリカ粉末を得る
ことを特徴とする高純度シリカの製造方法。 - 【請求項２】ハロゲン化ケイ素が四塩化ケイ素またはト
リクロルシランであり、ハロゲン化ケイ素に対して３〜
10重量％のシリカ微粉末を添加する請求項１に記載の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63299693A JP2532933B2 (ja) | 1988-11-29 | 1988-11-29 | 高純度シリカの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63299693A JP2532933B2 (ja) | 1988-11-29 | 1988-11-29 | 高純度シリカの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02145420A JPH02145420A (ja) | 1990-06-04 |
| JP2532933B2 true JP2532933B2 (ja) | 1996-09-11 |
Family
ID=17875825
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63299693A Expired - Fee Related JP2532933B2 (ja) | 1988-11-29 | 1988-11-29 | 高純度シリカの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2532933B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115180628A (zh) * | 2022-06-27 | 2022-10-14 | 中琦(广东)硅材料股份有限公司 | 一种高纯度二氧化硅粉末加工方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61236609A (ja) * | 1985-04-11 | 1986-10-21 | Tokuyama Soda Co Ltd | シリカの製造方法 |
-
1988
- 1988-11-29 JP JP63299693A patent/JP2532933B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02145420A (ja) | 1990-06-04 |
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