JP2532606B2 - 液晶混合物用キラ―ル添加剤おびその用途 - Google Patents
液晶混合物用キラ―ル添加剤おびその用途Info
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Description
【発明の詳細な説明】 本発明は、そのヘリツクス構造が電場の作用によつて
影響されて、その結果光学異方性が変化するキラール強
誘電性スメクチツク液晶層、その間に液晶が配置され、
しかも液晶の分子を整列させる表面構造を有し、かつ電
極を備えてその中に電場を生成する１対の透明板および
液晶の前後に各各１個の偏光子を有する液晶表示セルに
関する。また、本発明は、セルに用いるキラールまたは
光学活性化合物および液晶混合物および化合物の電気光
学目的の用途にも関する。
影響されて、その結果光学異方性が変化するキラール強
誘電性スメクチツク液晶層、その間に液晶が配置され、
しかも液晶の分子を整列させる表面構造を有し、かつ電
極を備えてその中に電場を生成する１対の透明板および
液晶の前後に各各１個の偏光子を有する液晶表示セルに
関する。また、本発明は、セルに用いるキラールまたは
光学活性化合物および液晶混合物および化合物の電気光
学目的の用途にも関する。
前記に記載された種類のヘリツクス構造の電場による
ひずみの効果はB.I.Ostrovski、によりアドバンシズ・
イン・リキツド・クリスタル・リサーチ・アンド・アプ
リケーシヨンズ（Advances in Liquid Crystal Researc
h and Applications）、オツクスフオード／ブダペス
ト、1980、第469頁、以降に記載されている。この効果
は文献において「ひずみヘリツクス誘電性」についてDH
Fの略号によつて示されることがある。この文献は、周
波数1kHzにおいて、６×10-3V/cmより小さい電場を用い
て光線を変調する可能性を考慮している。しかしなが
ら、後に、この効果は実用可能な電気光学セルを生じな
いことが明らかに分かつた。
ひずみの効果はB.I.Ostrovski、によりアドバンシズ・
イン・リキツド・クリスタル・リサーチ・アンド・アプ
リケーシヨンズ（Advances in Liquid Crystal Researc
h and Applications）、オツクスフオード／ブダペス
ト、1980、第469頁、以降に記載されている。この効果
は文献において「ひずみヘリツクス誘電性」についてDH
Fの略号によつて示されることがある。この文献は、周
波数1kHzにおいて、６×10-3V/cmより小さい電場を用い
て光線を変調する可能性を考慮している。しかしなが
ら、後に、この効果は実用可能な電気光学セルを生じな
いことが明らかに分かつた。
既知であるが、異種の効果は、強誘電性液晶が未捩れ
構造で用いられるLagerwallおよびClarkの表面安定化さ
れた強誘電性液晶（SSFLC）である。この効果は、モレ
キユラー・クリスタルズ・アンド・リキツド・クリスタ
ルズ（Mol.Cryst.Liq.Cryst.）94（1983）、213〜234お
よび114（1984）、151〜187に記載されている。
構造で用いられるLagerwallおよびClarkの表面安定化さ
れた強誘電性液晶（SSFLC）である。この効果は、モレ
キユラー・クリスタルズ・アンド・リキツド・クリスタ
ルズ（Mol.Cryst.Liq.Cryst.）94（1983）、213〜234お
よび114（1984）、151〜187に記載されている。
本発明の目的は、DHF効果の既知の利点のみでなく、
光シヤツターまたは表示セルとしての実用に必要な性質
をも有するDHFセルを提供することである。
光シヤツターまたは表示セルとしての実用に必要な性質
をも有するDHFセルを提供することである。
本発明により、これは、液晶層の厚さｄ対ヘリカル捩
れのピツチ高の比d/pが５より大であり、スメクチツク
傾斜角θｏは22.5゜〜50゜であり、そして積ｄ・θo 2・
Δｎ・1/λが0.1より大きい、前記に記載されたDHFセル
によつて得られる。Δｎは複屈折を表わし、かつλは光
の波長を表わす。
れのピツチ高の比d/pが５より大であり、スメクチツク
傾斜角θｏは22.5゜〜50゜であり、そして積ｄ・θo 2・
Δｎ・1/λが0.1より大きい、前記に記載されたDHFセル
によつて得られる。Δｎは複屈折を表わし、かつλは光
の波長を表わす。
本発明の態様は、添付図面を参照して下記に記載され
る。
る。
第１図に示すように、本発明による液晶セルは、互に
実質的に平面平行関係に配置されて、しかもガラス・ア
クリル系ガラス、プラスチツク箔などの透明な材料製の
２枚の板２、３の間に配置された液晶層１を含む。偏光
子４を、前板２の前に配置し、しかも好ましくは例えば
粘着によつて前板２に接続する。偏光子５は、相応して
後板３と組み合つている。板は、互に距離ｄだけ離れて
いる。
実質的に平面平行関係に配置されて、しかもガラス・ア
クリル系ガラス、プラスチツク箔などの透明な材料製の
２枚の板２、３の間に配置された液晶層１を含む。偏光
子４を、前板２の前に配置し、しかも好ましくは例えば
粘着によつて前板２に接続する。偏光子５は、相応して
後板３と組み合つている。板は、互に距離ｄだけ離れて
いる。
液晶近傍の板面は記号像ドツトを表わすように分割さ
れた従来の電極被覆を有する。第１図に示すセル部分を
参照して、板２上に単一電極セグメント６のみを示し、
また対向電極セグメント７を後板３上に示す。
れた従来の電極被覆を有する。第１図に示すセル部分を
参照して、板２上に単一電極セグメント６のみを示し、
また対向電極セグメント７を後板３上に示す。
また、液晶近傍の表面は、隣接液晶分子上に方向効果
を及ぼすように、かつ配向ベクトルの方向を求めるよう
に処理される。この処理は、例えば表面を１方向に摩耗
して、平面配向を生じることからなる。他の可能性は、
配向層の斜蒸気被覆などである。このような処理の結果
は、表面配向としてこの説明のために示される。２枚の
板上の表面配向は、矢印によつて示される。後板３上の
表面配向は前板上のものに平行である。平面表面配向な
らびにホメオトロピツク配向または両者の組み合せを考
えることができる。
を及ぼすように、かつ配向ベクトルの方向を求めるよう
に処理される。この処理は、例えば表面を１方向に摩耗
して、平面配向を生じることからなる。他の可能性は、
配向層の斜蒸気被覆などである。このような処理の結果
は、表面配向としてこの説明のために示される。２枚の
板上の表面配向は、矢印によつて示される。後板３上の
表面配向は前板上のものに平行である。平面表面配向な
らびにホメオトロピツク配向または両者の組み合せを考
えることができる。
前板と組み合せた偏光子４は表面配向の方向またはヘ
リツクス軸と角度βをなすように配置されている。後板
と組み合わされた偏光子は前偏光子から90゜偏つてい
る。偏光子のこの配置は好ましい態様である。また満足
な結果を与える他の偏光子の配置も可能である。適切な
偏光子配置は簡単な最適化によつて容易に決定できる。
リツクス軸と角度βをなすように配置されている。後板
と組み合わされた偏光子は前偏光子から90゜偏つてい
る。偏光子のこの配置は好ましい態様である。また満足
な結果を与える他の偏光子の配置も可能である。適切な
偏光子配置は簡単な最適化によつて容易に決定できる。
液晶１は文献においてスメクチツクＣと呼ばれること
が多いキラールスメクチツク強誘電性液晶である。この
種類の液晶は、文献から既知である。これらの著しい特
徴は、これらの分子がスメクチツク面に対して垂直でな
いがスメクチツク傾斜角θｏとして知られる特別の角度
で配置していることである。キラールは、分子方向が全
層において互に平行でなく、互に層毎に相対的に捩れ
て、全体としてヘリカル捩れを与えることにある。平面
表面配向の場合、このヘリカル捩れの軸は板に平行に整
列する。第１図は、スメクチツク層毎に１分子８を示
し、ヘリツクス軸９に沿つて、互に対して分子のヘリカ
ル捩れを図示し、捩れは層毎に連続している。スメクチ
ツク傾斜角θｏは分子縦軸とヘリツクス軸９の間の角度
である。場が液晶に作用しない場合、ヘリツクスのピツ
チ高さはpoである。
が多いキラールスメクチツク強誘電性液晶である。この
種類の液晶は、文献から既知である。これらの著しい特
徴は、これらの分子がスメクチツク面に対して垂直でな
いがスメクチツク傾斜角θｏとして知られる特別の角度
で配置していることである。キラールは、分子方向が全
層において互に平行でなく、互に層毎に相対的に捩れ
て、全体としてヘリカル捩れを与えることにある。平面
表面配向の場合、このヘリカル捩れの軸は板に平行に整
列する。第１図は、スメクチツク層毎に１分子８を示
し、ヘリツクス軸９に沿つて、互に対して分子のヘリカ
ル捩れを図示し、捩れは層毎に連続している。スメクチ
ツク傾斜角θｏは分子縦軸とヘリツクス軸９の間の角度
である。場が液晶に作用しない場合、ヘリツクスのピツ
チ高さはpoである。
電圧が電極６および７に印加される場合、電場は、液
晶中に生成し、しかも分子を再配列する。実際に、記号
で示した電圧源10は、現在のセルの場合、以下詳細に詳
述するように逆極性のものであつてもよい周期的信号ま
たはトリガーパルスを送る。その正常な状態において、
すなわち印加された電場の不存在下で、セルは特別の光
透過率を有する。電場の印加によつて、分子のヘリツク
ス配列は、光透過率が変化するように分子のヘリツクス
配列をひずませる。２状態の間に光コントラストがあ
る。基本的には、電場によつて生成したヘリツクス構造
のひずみによつて、ピツチ高さが変化する。
晶中に生成し、しかも分子を再配列する。実際に、記号
で示した電圧源10は、現在のセルの場合、以下詳細に詳
述するように逆極性のものであつてもよい周期的信号ま
たはトリガーパルスを送る。その正常な状態において、
すなわち印加された電場の不存在下で、セルは特別の光
透過率を有する。電場の印加によつて、分子のヘリツク
ス配列は、光透過率が変化するように分子のヘリツクス
配列をひずませる。２状態の間に光コントラストがあ
る。基本的には、電場によつて生成したヘリツクス構造
のひずみによつて、ピツチ高さが変化する。
光の強さと印加電圧の間の関係により、２つの異つた
形の作動が可能である。すなわち光の強さが印加電圧に
正比例する線形動作および光の強さが電圧の２乗に比例
する２次動作である。
形の作動が可能である。すなわち光の強さが印加電圧に
正比例する線形動作および光の強さが電圧の２乗に比例
する２次動作である。
液晶構造を通る光線がヘリカル構造の多数の周期poに
相当する開口ａに遭遇する場合に、この効果が起こる。
電気光学的出力効果はヘリツクス方向に沿つて、このよ
うに透過する。
相当する開口ａに遭遇する場合に、この効果が起こる。
電気光学的出力効果はヘリツクス方向に沿つて、このよ
うに透過する。
SSFLC効果のようなヘリカル構造が完全に相殺される
効果と比べて、多くの重要な差がある。
効果と比べて、多くの重要な差がある。
1. 動作電圧は、スメクチツク傾斜角θｏ、未捩れ状態
の偏光Pcおよび層厚対ピツチ高の比d/poによつて決ま
り、しかもヘリツクスを相殺するに必要な電圧Uuよりも
通常低い。動作電圧の範囲は、比d/poを増大し、かつス
メクチツク傾斜角θｏを拡大することによつて広げるこ
とができる。
の偏光Pcおよび層厚対ピツチ高の比d/poによつて決ま
り、しかもヘリツクスを相殺するに必要な電圧Uuよりも
通常低い。動作電圧の範囲は、比d/poを増大し、かつス
メクチツク傾斜角θｏを拡大することによつて広げるこ
とができる。
2. 効果は、満足な変調深さ、高いコントラスト比およ
び印加電圧に略比例するグレースケールを有する。
び印加電圧に略比例するグレースケールを有する。
3. 効果は、貯蔵または記憶効果を印加電圧の振幅によ
つて制御可能にする。構造が元の乱されていないヘリツ
クス形状に戻るに要する時間toは、液晶材料の粘度およ
び弾性定数およびヘリツクスのピツチ高によつて決ま
る。貯蔵時間はまた表面状態によつても影響される。低
いピツチ高値には、貯蔵時間は約10msec〜100msecの低
い値から5sec〜10secの高い値に変わり得る。
つて制御可能にする。構造が元の乱されていないヘリツ
クス形状に戻るに要する時間toは、液晶材料の粘度およ
び弾性定数およびヘリツクスのピツチ高によつて決ま
る。貯蔵時間はまた表面状態によつても影響される。低
いピツチ高値には、貯蔵時間は約10msec〜100msecの低
い値から5sec〜10secの高い値に変わり得る。
4. 効果は、配向ベクトルの配向の小さい変動に基づ
き、しかも指示帯域においてデイスインクリネーシヨン
壁を変化させない。従つて、表示動作に遅延時間がな
い。
き、しかも指示帯域においてデイスインクリネーシヨン
壁を変化させない。従つて、表示動作に遅延時間がな
い。
5. 平面配置において、効果は壁配向に敏感ではない。
壁配向の従来の方法は、ネマチツク液晶におけるように
使用できる。
壁配向の従来の方法は、ネマチツク液晶におけるように
使用できる。
6. この効果により、二極信号の使用および特性周波数
ｆを有する調波場の使用ができる。
ｆを有する調波場の使用ができる。
7. 適切な制御信号により、光学相の差は、色切換を容
易にするように液晶層にこの効果によつて生成できる。
易にするように液晶層にこの効果によつて生成できる。
前記のように、５より大きいd/po比パラメーターが好
ましく、10より大きい比パラメーターは特に好ましい。
スメクチツク傾斜角は22.5゜〜50゜が好ましく、25゜〜
40゜が特に好ましい。また、いわゆる位相因子 の値は0.45より大であり、特に好ましくは１より大であ
る。
ましく、10より大きい比パラメーターは特に好ましい。
スメクチツク傾斜角は22.5゜〜50゜が好ましく、25゜〜
40゜が特に好ましい。また、いわゆる位相因子 の値は0.45より大であり、特に好ましくは１より大であ
る。
この例において、液晶は、５−オクチル−２−〔ｐ−
（オクチルオキシ）フエニル〕ピリミジン26.1重量％、
５−オクチル−２−〔ｐ−（ノニルオキシ）フエニル〕
ピリミジン17.1重量％、５−オクチル−２−〔ｐ−（デ
シルオキシ）フエニル〕ピリミジン24.5重量％およびキ
ラール添加剤 32.3重量％の混合物からなる。
（オクチルオキシ）フエニル〕ピリミジン26.1重量％、
５−オクチル−２−〔ｐ−（ノニルオキシ）フエニル〕
ピリミジン17.1重量％、５−オクチル−２−〔ｐ−（デ
シルオキシ）フエニル〕ピリミジン24.5重量％およびキ
ラール添加剤 32.3重量％の混合物からなる。
概して、キラール添加剤として、一般式 （式中、R1およびR2は、少なくとも２個の炭素原子を有
する互に独立のアルキルを表わし、かつＣ＊はキラール
炭素原子を表わす） を有する化合物を使用できる。
する互に独立のアルキルを表わし、かつＣ＊はキラール
炭素原子を表わす） を有する化合物を使用できる。
式Ｉの化合物は新規であり、しかもまた本発明の主題
でもある。これらの化合物は、液晶混合物において非常
に高い自発分極を誘発し、しかも化学的に安定で無色で
あり、かつ従来の液晶材料、さらにとりわけ強誘電性ス
メクチツク液晶に易溶性である。
でもある。これらの化合物は、液晶混合物において非常
に高い自発分極を誘発し、しかも化学的に安定で無色で
あり、かつ従来の液晶材料、さらにとりわけ強誘電性ス
メクチツク液晶に易溶性である。
「少なくとも２個の炭素原子を有するアルキル」の用
語は、直鎖および分枝基、さらにとりわけエチル、プロ
ピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ペンチル、
ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニルなどの少なくと
も２個の炭素原子を有する直鎖アルキルおよびイソアル
キルを包含する。アルキル基R1およびR2は好ましくは各
々２個〜15個、特に好ましくは２個〜９個の炭素原子を
有する。R1およびR2は、異なつたあるいは好ましくは同
じ意味を有していてもよい。
語は、直鎖および分枝基、さらにとりわけエチル、プロ
ピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ペンチル、
ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニルなどの少なくと
も２個の炭素原子を有する直鎖アルキルおよびイソアル
キルを包含する。アルキル基R1およびR2は好ましくは各
々２個〜15個、特に好ましくは２個〜９個の炭素原子を
有する。R1およびR2は、異なつたあるいは好ましくは同
じ意味を有していてもよい。
式II中のキラール中心の配置は、キラール基が同じ意
味で自発分極を誘起するようなものが好ましい。２個の
キラール炭素原子は、さらにとりわけR1およびR2が同じ
意味を有する場合、Ｓ配置またはＲ配置で存在するのが
好ましい。
味で自発分極を誘起するようなものが好ましい。２個の
キラール炭素原子は、さらにとりわけR1およびR2が同じ
意味を有する場合、Ｓ配置またはＲ配置で存在するのが
好ましい。
式IIの化合物は、4,4″−ｐ−テルフエニルジカルボ
ン酸および２−アルカノールから、従来のエステル化方
法によつて既知のように製造できる。出発原料は既知の
化合物であるかまたは既知の化合物に類似である。
ン酸および２−アルカノールから、従来のエステル化方
法によつて既知のように製造できる。出発原料は既知の
化合物であるかまたは既知の化合物に類似である。
式IIの化合物は、液晶化合物用のキラールドープ剤と
して特に適している。従つて、本発明は、また少なくと
も１成分が光学活性の式IIの化合物であることを特徴と
する、少なくとも２成分を有する液晶混合物にも関す
る。混合物は、傾斜スメクチツク相を有する液晶材料お
よび１種またはそれ以上の光学活性の式IIの化合物を含
有するのが好ましい。
して特に適している。従つて、本発明は、また少なくと
も１成分が光学活性の式IIの化合物であることを特徴と
する、少なくとも２成分を有する液晶混合物にも関す
る。混合物は、傾斜スメクチツク相を有する液晶材料お
よび１種またはそれ以上の光学活性の式IIの化合物を含
有するのが好ましい。
本発明による混合物中の式IIの化合物の割合は、広い
限界内で変わることができ、しかも例えば約0.5重量％
〜30重量％である。約１重量％〜10重量％の範囲が一般
に好ましく、しかも約３重量％〜10重量％の範囲が特に
好ましい。
限界内で変わることができ、しかも例えば約0.5重量％
〜30重量％である。約１重量％〜10重量％の範囲が一般
に好ましく、しかも約３重量％〜10重量％の範囲が特に
好ましい。
傾斜スメクチツク相を有する液晶材料は、従来の材料
からなり得る。スメクチツクＣ相を有するフエニルピリ
ミジン、フエニルピリジン、フエニルベンゾエート、安
息香酸ビフエニルエステルおよび４−ビフエニルカルボ
ン酸フエニルエステルのようなスメクチツクＣ相を有す
る材料が好ましい。
からなり得る。スメクチツクＣ相を有するフエニルピリ
ミジン、フエニルピリジン、フエニルベンゾエート、安
息香酸ビフエニルエステルおよび４−ビフエニルカルボ
ン酸フエニルエステルのようなスメクチツクＣ相を有す
る材料が好ましい。
この液晶混合物を有するセルにおいて、ピツチ高poは
25℃において0.3μ〜0.4μであり、かつ複屈折Δｎは0.
25である。スメクチツク傾斜角θｏは室温において約29
゜である。自発分極Pcは、25℃において約7.10-8c/cm2
である。回転粘度は約１ポイズである。セル中の液晶層
は厚さ3.6μｍを有する。ヘリツクス構造の完全相殺に
必要な電圧Uuは約2Vである。このセルの応答時間は約20
0μsecである。全印加電圧範囲Ｏ＜Ｕ＜Uuについての応
答時間は略々同じ長さである。
25℃において0.3μ〜0.4μであり、かつ複屈折Δｎは0.
25である。スメクチツク傾斜角θｏは室温において約29
゜である。自発分極Pcは、25℃において約7.10-8c/cm2
である。回転粘度は約１ポイズである。セル中の液晶層
は厚さ3.6μｍを有する。ヘリツクス構造の完全相殺に
必要な電圧Uuは約2Vである。このセルの応答時間は約20
0μsecである。全印加電圧範囲Ｏ＜Ｕ＜Uuについての応
答時間は略々同じ長さである。
角度βの好ましい値は、線形操作についてβ＝22.5゜
（π/8）またはβ＝67.5゜（３π/8）であり、かつ二次
操作についてβ＝０゜、β＝45゜（π/8）またはβ＝90
゜（π/2）である。
（π/8）またはβ＝67.5゜（３π/8）であり、かつ二次
操作についてβ＝０゜、β＝45゜（π/8）またはβ＝90
゜（π/2）である。
得られたセルは100:1より大きいコントラストを与え
る。下記の表は、一連の電圧振幅についての強度値Ｉを
挙げる。電圧は、矩形パルスの形である。値は、線形動
作についてである。
る。下記の表は、一連の電圧振幅についての強度値Ｉを
挙げる。電圧は、矩形パルスの形である。値は、線形動
作についてである。
表 Ｕ〔Ｖ〕 Ｉ〔％〕 ０ １ 0.15 10 0.25 20 0.45 35 0.6 55 1.0 90 1.5 99 1.75 98 2.0 97 2.45 80 2.6 65 2.95 50 3.3 40 4.0 35 5.15 35 最高強さの値は100％である。電圧範囲０〜2V内の最
初の値は、得ることのできるグレースケールを示してい
る。コントラストは一層高いスメクチツク傾斜角により
2Vより大きく減少する。ヘリツクスは、4.0より高い電
圧において完全にほどける。
初の値は、得ることのできるグレースケールを示してい
る。コントラストは一層高いスメクチツク傾斜角により
2Vより大きく減少する。ヘリツクスは、4.0より高い電
圧において完全にほどける。
配合物IIの製造は、例を参照して、以下に説明され
る。
る。
例 １ 乾燥ピリジン200cc中の4,4″−ｐ−テルフエニルジカ
ルボン酸二塩化物（80℃において4,4″−ｐ−テルフエ
ニルジカルボン酸をピリジン中塩化チオニルと反応させ
ることによつて製造できる）2gの溶液をＳ−（＋）−
（２）−オクタノール1.59gと混合し、次いで20℃にお
いて24時間撹拌する。次いで、反応混合物を氷と希塩酸
との混合物上に注ぐ。結晶性生成物をろ別し、水洗し、
次いで高真空中で乾燥する。クロマトグラフ精製および
再結晶により、融点81℃〜82℃の純粋な4,4″−ジ−
〔２（Ｓ）−オクチルオキシカルボニル〕−ｐ−テルフ
エニルを得た。
ルボン酸二塩化物（80℃において4,4″−ｐ−テルフエ
ニルジカルボン酸をピリジン中塩化チオニルと反応させ
ることによつて製造できる）2gの溶液をＳ−（＋）−
（２）−オクタノール1.59gと混合し、次いで20℃にお
いて24時間撹拌する。次いで、反応混合物を氷と希塩酸
との混合物上に注ぐ。結晶性生成物をろ別し、水洗し、
次いで高真空中で乾燥する。クロマトグラフ精製および
再結晶により、融点81℃〜82℃の純粋な4,4″−ジ−
〔２（Ｓ）−オクチルオキシカルボニル〕−ｐ−テルフ
エニルを得た。
下記の化合物は同様に製造できる。
4,4″−ジ−〔２（Ｓ）−ヘキシルオキシカルボニル〕
−ｐ−テルフエニル、 4,4″−ジ−〔２（Ｒ）−ヘキシルオキシカルボニル〕
−ｐ−テルフエニル、 4,4″−ジ−〔２（Ｓ）−ヘプチルオキシカルボニル〕
−ｐ−テルフエニル、 4,4″−ジ−〔２（Ｒ）−ヘプチルオキシカルボニル〕
−ｐ−テルフエニル、 4,4″−ジ−〔２（Ｒ）−オクチルオキシカルボニル〕
−ｐ−テルフエニル（融点81℃〜82℃）、 4,4″−ジ−〔２（Ｓ）−ノニルオキシカルボニル〕−
ｐ−テルフエニル、 4,4″−ジ−〔２（Ｒ）−ノニルオキシカルボニル〕−
ｐ−テルフエニル、 4,4″−ジ−〔２（Ｓ）−デシルオキシカルボニル〕−
ｐ−テルフエニル、 4,4″−ジ−〔２（Ｒ）−デシルオキシカルボニル〕−
ｐ−テルフエニル。
−ｐ−テルフエニル、 4,4″−ジ−〔２（Ｒ）−ヘキシルオキシカルボニル〕
−ｐ−テルフエニル、 4,4″−ジ−〔２（Ｓ）−ヘプチルオキシカルボニル〕
−ｐ−テルフエニル、 4,4″−ジ−〔２（Ｒ）−ヘプチルオキシカルボニル〕
−ｐ−テルフエニル、 4,4″−ジ−〔２（Ｒ）−オクチルオキシカルボニル〕
−ｐ−テルフエニル（融点81℃〜82℃）、 4,4″−ジ−〔２（Ｓ）−ノニルオキシカルボニル〕−
ｐ−テルフエニル、 4,4″−ジ−〔２（Ｒ）−ノニルオキシカルボニル〕−
ｐ−テルフエニル、 4,4″−ジ−〔２（Ｓ）−デシルオキシカルボニル〕−
ｐ−テルフエニル、 4,4″−ジ−〔２（Ｒ）−デシルオキシカルボニル〕−
ｐ−テルフエニル。
自発分極Psは、4,4″−ジ−〔２（Ｓ）−オクチルオ
キシカルボニル〕−ｐ−テルフエニル５重量％と４−オ
クチルオキシ安息香酸−４−ヘキシルオキシフエニルエ
ステル95重量％との混合物によつて調べた。この混合物
は40℃において8.8nC/cm2のPs値を有した。4,4″−ジ−
〔２（Ｓ）−オクチルオキシカルボニル〕−ｐ−テルフ
エニルについての外挿されたPs値は40℃において176nC/
cm2である。
キシカルボニル〕−ｐ−テルフエニル５重量％と４−オ
クチルオキシ安息香酸−４−ヘキシルオキシフエニルエ
ステル95重量％との混合物によつて調べた。この混合物
は40℃において8.8nC/cm2のPs値を有した。4,4″−ジ−
〔２（Ｓ）−オクチルオキシカルボニル〕−ｐ−テルフ
エニルについての外挿されたPs値は40℃において176nC/
cm2である。
第１図は、本発明の好ましい態様による液晶セルの小部
分の斜線線図であり、かつ 第２図は、貯蔵時間を印加電圧に対してプロツトしたグ
ラフである。 1:液晶層 2:前板 3:後板 ４、5:偏光子 6:単一電極セグメント 7:対向電極セグメント 8:1分式 9:ヘリツクス軸 10:電圧源 θo:スメクチツク傾斜角 β：角度
分の斜線線図であり、かつ 第２図は、貯蔵時間を印加電圧に対してプロツトしたグ
ラフである。 1:液晶層 2:前板 3:後板 ４、5:偏光子 6:単一電極セグメント 7:対向電極セグメント 8:1分式 9:ヘリツクス軸 10:電圧源 θo:スメクチツク傾斜角 β：角度
フロントページの続き (72)発明者 ニナ アイ．シエルノバ ソビエト連邦共和国モスクワ．スケルコ ブスコイエ ハイウエイ 86，フラット 100 (72)発明者 ブラディミアー ジー．チグリノフ ソビエト連邦共和国モスクワ．スボボデ ィ ストリート 73，フラット 35 (72)発明者 ドミトリィ アイ．デルガチェフ ソビエト連邦共和国モスクワ．ボグダノ フ ストリート 48‐２ フラット 127 (72)発明者 アレクサンダー ブイ．イワシュケンコ ソビエト連邦共和国モスクワ リージョ ン，ドルコプルドニィ 141700 ペルボ マイスカヤ ストリート 44エイ，フラ ット 57 (72)発明者 マリナ ブイ．ロセバ ソビエト連邦共和国モスクワ，フェステ ィバルナヤ ストリート 65，フラット 214 (72)発明者 ボリス アイ．オストロブスキィ ソビエト連邦共和国モスクワ，プロフソ ユズナヤ ストリート 156‐１ フラ ット 197 (72)発明者 アーノルド ゼット．ラビノビッチ ソビエト連邦共和国モスクワ，ガステロ ストリート ８，フラット ９ (72)発明者 エブゲニィ ピー．ポズヒダエフ ソビエト連邦共和国モスクワ，ヤブロク コフ ストリート 21‐２ フラット 43 (72)発明者 マルチン スシャドト スイス国ゼルティスベルグ，リーエスタ レルストラーセ 77 (72)発明者 ビクター ブイ．ティトフ ソビエト連邦共和国モスクワ，フェステ ィバルナヤ ストリート 12フラット 95 (56)参考文献 特開 昭58−173718（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−241724（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−60625（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−160420（ＪＰ，Ａ)
Claims (8)
- 【請求項１】液晶層の厚さｄ対ヘリカル捩れのピッチ高
さｐの比d/pが５より大であり、スメクチック傾斜角θ
ｏは22.5゜〜50゜であり、そして厚さｄ、傾斜角θｏの
２乗、複屈折Δｎの値および光の波長λの逆数の積ｄ・
θo 2・Δｎ・1/λ（位相因子）が0.1より大であること
を特徴とする、そのヘリックス構造が電場の作用によっ
て、異なる光学異方性を有する異なるヘリックス構造に
ひずむキラール強誘電性スメクチック液晶層、その間に
液晶が配置され、しかも液晶の分子を整列させる表面構
造を有し、かつ電極に備えてその中に電場を生成する１
対の透明板、および液晶の前後に各々１個の偏光子、を
有する液晶表示セル。 - 【請求項２】θｏ＝29゜であることを特徴とする、特許
請求の範囲第１項に記載のセル。 - 【請求項３】透過光の強さが印加電圧に比例する形でセ
ルが操作される場合に、ヘリックス軸と入力側偏光子の
偏光方向間の角度は±22.5゜または67.5゜であることを
特徴とする、特許請求の範囲第１項に記載のセル。 - 【請求項４】透過光の強さが印加電圧の２乗に比例する
形でセルが操作される場合に、ヘリックス軸と入力側偏
光子の偏光方向間の角度は±０゜または45゜あるいは90
゜であることを特徴とする、特許請求の範囲第１項に記
載のセル。 - 【請求項５】板の表面構造が、液晶分子を平面的に整列
させる効果を有する、特許請求の範囲第１項に記載のセ
ル。 - 【請求項６】偏光子が交差することを特徴とする、特許
請求の範囲第１項に記載のセル。 - 【請求項７】式 （式中、R1およびR2は少なくとも２個の炭素原子を有す
る互に独立のアルキルを表わし、かつＣ＊はキラール炭
素原子を表わす） を特徴とする、液晶混合物用キラール添加剤。 - 【請求項８】少なくとも１成分が、特許請求の範囲第７
項に定義された式を有する光学活性化合物であることを
特徴とする、少なくとも２成分を有する液晶混合物。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CH03607/87-8 | 1987-09-18 | ||
| CH360787 | 1987-09-18 | ||
| CH03640/87-6 | 1987-09-21 | ||
| CH364087 | 1987-09-21 | ||
| CH372287 | 1987-09-25 | ||
| CH03722/87-8 | 1987-09-25 | ||
| CH1555/88-1 | 1988-04-26 | ||
| CH155588 | 1988-04-26 | ||
| CH3607/87-8 | 1988-04-26 | ||
| CH01555/88-1 | 1988-04-26 | ||
| CH3722/87-8 | 1988-04-26 | ||
| CH3640/87-6 | 1988-04-26 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01152430A JPH01152430A (ja) | 1989-06-14 |
| JP2532606B2 true JP2532606B2 (ja) | 1996-09-11 |
Family
ID=27428219
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63232121A Expired - Fee Related JP2532606B2 (ja) | 1987-09-18 | 1988-09-16 | 液晶混合物用キラ―ル添加剤おびその用途 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6671028B1 (ja) |
| EP (1) | EP0309774B1 (ja) |
| JP (1) | JP2532606B2 (ja) |
| KR (1) | KR970000352B1 (ja) |
| CN (1) | CN1032182A (ja) |
| DD (1) | DD299989A5 (ja) |
| DE (1) | DE3876059D1 (ja) |
| HK (1) | HK44096A (ja) |
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