JP2527220B2 - ピラゾ―ルカルボン酸アミド類の製造方法 - Google Patents

ピラゾ―ルカルボン酸アミド類の製造方法

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JP2527220B2 JP63253059A JP25305988A JP2527220B2 JP 2527220 B2 JP2527220 B2 JP 2527220B2 JP 63253059 A JP63253059 A JP 63253059A JP 25305988 A JP25305988 A JP 25305988A JP 2527220 B2 JP2527220 B2 JP 2527220B2
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【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はピラゾールカルボン酸アミド類の製造方法に
関する。更に詳しくは殺虫、殺ダニ剤および動物に寄生
するダニの駆除剤として有用なピラゾールカルボン酸ア
ミド類の製造方法に関する。
〔従来の技術および発明が解決しようとする課題〕
医・農薬となるような複雑なピラゾールカルボン酸ア
ミド化合物を温和な条件下で簡便かつ汎用的に製造する
方法として、(1)酸ハロゲン化物とアミン類との反応
(2)酸無水物とアミン類との反応により合成する方法
が知られている。
前記(1)の方法は温和の条件下で複雑な化合物の合
成する方法としては最も適していると考えられるが、一
般に酸ハロゲン化物はカルボン酸から誘導されるため、
SOCl2のような酸ハロゲン化剤を当モル以上必要とし、
また酸ハロゲン化物とアミンの反応においても、生成す
るハロゲン化水素の捕捉剤として当モル以上の塩基が消
費され、工業的な製造方法としては必ずしも適当でな
い。前記(2)の方法では、酸無水物の製造において脱
水剤を必要とするばかりでなく、酸無水物とアミンの反
応においても酸無水物の半量はカルボン酸として回収リ
サイクルする工程が必要となり、工業的な製造方法とし
ては不利である。
〔課題を解決するための手段〕
本発明者はかかる状況に対処すべく鋭意検討を行った
結果、ピラゾールカルボン酸エステル誘導体とアミン類
との反応によりピラゾールカルボン酸アミド誘導体を収
率よく安価な工業的に有利な製造法を見出し、本発明を
完成するに至った。
すなわち本発明の要旨は、下記一般式(I) 〔上記式中、R1はC1〜C4のアルキル基、C1〜C4のハロア
ルキル基またはベンジル基を示し、R2は水素原子、C1
C4のアルキル基、C3〜C6のシクロアルキル基またはフェ
ニル基を示し、Xは水素原子、ハロゲン原子、C1〜C4
アルキル基、ニトロ基またはシアノ基を示し、YはC1
C4のアルキル基を示す。〕で表される5−ピラゾールカ
ルボン酸エステル類と下記一般式(II) 〔上記式中、R3、R4およびR5はそれぞれ独立して水素原
子、C1〜C4のアルキル基またはフェニル基を示し、R6
よびR7はそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、C1
〜C8のアルキル基、C3〜C6のシクロアルキル基、C2〜C4
アルコキシアルキル基、C1〜C4のアルコキシ基、C1〜C4
のハロアルコキシ基、ニトロ基、トリフルオロメチル
基、フェニル基、ベンジル基、フェノキシ基、ベンジル
オキシ基、C1〜C4のアルキルアミノ基、C2〜C8のジアル
キルアミノ基、シアノ基、C2〜C6のアルキルアミノカル
ボニル基、C3〜C11のジアルキルアミノカルボニル基、
ピペリジノカルボニル基、モルホリノカルボニル基、ト
リメチルシリル基、C1〜C4のアルキルチオ基、C1〜C4
アルキルスルフィニル基、またはC1〜C4のアルキルスル
ホニル基を示す。〕で表されるベンジルアミン類とを塩
基触媒の存在下、反応させることを特徴とする下記一般
式(III) 〔式中、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7およびXは前記一
般式(I)および(II)で定義したのと同一の意義を有
する。〕で表されるピラゾールカルボン酸アミド類の製
造方法に存する。
以下、本発明を詳細に説明する。
前記一般式(I)、(II)および(III)において、R
1としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i
−プロピル基、n−ブチル基、i−ブチル基、s−ブチ
ル基、t−ブチル基等のC1〜C4の直鎖または分岐鎖アル
キル基;クロロメチル基、ブロモメチル基、1−クロロ
エチル基、2−クロロエチル基、2−ブロモエチル基、
3−ブロモプロピル基、4−クロロブチル基、ジフルオ
ロメチル基、トリフルオロメチル基、2,2,2−トリフル
オロエチル基等のC1〜C4のハロアルキル基;またはベン
ジル基を示し、好ましくは、C1〜C4のアルキル基または
ベンジル基を示し、さらに好ましくはC1〜C4のアルキル
基を示す。R2としては水素原子;メチル基、エチル基、
n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、i−
ブチル基、s−ブチル基、t−ブチル基等のC1〜C4の直
鎖または分岐鎖アルキル基;シクロプロピル基、シクロ
ブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のC3
〜C6のシクロアルキル基;またはフェニル基を示し、好
ましくは水素原子、C1〜C4のアルキル基またはC3〜C6
シクロアルキル基を示す。Xは水素原子;またはフッ素
原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子;メチル
基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−
ブチル基、i−ブチル基、s−ブチル基、t−ブチル基
等のC1〜C4の直鎖または分岐鎖アルキル基;ニトロ基;
またはシアノ基を示し、好ましくは水素原子、ハロゲン
原子、C1〜C4のアルキル基、またはシアノ基を示す。Y
はメチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル
基、n−ブチル基、i−ブチル基、s−ブチル基、t−
ブチル基等のC1〜C4の直鎖または分岐鎖アルキル基を示
す。R3、R4およびR5はそれぞれ独立して水素原子;メチ
ル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n
−ブチル基、i−ブチル基、s−ブチル基、t−ブチル
基等のC1〜C4の直鎖または分岐鎖アルキル基;またはフ
ェニル基を示す。R6およびR7はそれぞれ独立して水素原
子;フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等の
ハロゲン原子;メチル基、エチル基、n−プロピル基、
i−プロピル基、n−ブチル基、i−ブチル基、s−ブ
チル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、i−ペンチル
基、t−ペンチル基、n−ヘキシル基、1−エチル−1
−メチルプロピル基、n−オクチル基等のC1〜C8の直鎖
または分岐鎖アルキル基;シクロプロピル基、シクロブ
チル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のC3
C6のシクロアルキル基;メトキシメチル基、エトキシメ
チル基、エトキシエチル基等のC2〜C4のアルコキシアル
キル基;メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、
i−プロポキシ基、n−ブトキシ基、i−ブトキシ基、
s−ブトキシ基、t−ブトキシ基等のC1〜C4の直鎖また
は分岐鎖アルコキシ基;モノフルオロメトキシ基、ジフ
ルオロメトキシ基、トリフルオロメトキシ基、2,2,2−
トリフルオロエトキシ基、クロロメトキシ基、2−クロ
ロエトキシ基、2−ブロモエトキシ基、3−クロロプロ
ポキシ基、4−クロロブトキシ基、4−ブロモブトキシ
基、1,1−ジメチル−2−クロロエトキシ基等のC1〜C4
のハロアルコキシ基;ニトロ基;トリフルオロメチル
基;フェニル基;ベンジル基;フェノキシ基;ベンジル
オキシ基;メチルアミノ基、エチルアミノ基、n−プロ
ピルアミノ基、i−プロピルアミノ基、n−ブチルアミ
ノ基、i−ブチルアミノ基、s−ブチルアミノ基、t−
ブチルアミノ基等のC1〜C4の直鎖または分岐鎖アルキル
アミノ基;ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジ−
n−プロピルアミノ基、ジ−i−プロピルアミノ基、ジ
−n−ブチルアミノ基、ジ−i−ブチルアミノ基、N−
エチルメチルアミノ基、N−メチル−n−プロピルアミ
ノ基、N−n−ブチルエチルアミノ基、N−i−ブチル
エチルアミノ基等のC2〜C8のジ(直鎖または分岐鎖)の
アルキルアミノ基;シアノ基;メチルアミノカルボニル
基、エチルアミノカルボニル基、n−プロピルアミノカ
ルボニル基、i−プロピルアミノカルボニル基、n−ブ
チルアミノカルボニル基、i−ブチルアミノカルボニル
基、s−ブチルアミノカルボニル基、t−ブチルアミノ
カルボニル基、n−ペンチルアミノカルボニル基、n−
ヘキシルアミノカルボニル基等のC2〜C6のアルキルアミ
ノカルボニル基;ジメチルアミノカルボニル基、ジエチ
ルアミノカルボニル基、ジ−n−プロピルアミノカルボ
ニル基、ジ−n−ブチルアミノカルボニル基、ジ−n−
ペンチルアミノカルボニル基、メチルエチルアミノカル
ボニル基、メチル−n−プロピルアミノカルボニル基、
エチル−n−ブチルアミノカルボニル基等のC3〜C11
ジアルキルアミノカルボニル基;ピペリジノカルボニル
基、モルホリノカルボニル基;トリメチルシリル基;メ
チルチオ基、エチルチオ基、n−プロピルチオ基、i−
プロピルチオ基、n−ブチルチオ基、i−ブチルチオ
基、s−ブチルチオ基、t−ブチルチオ基等のC1〜C4
直鎖または分岐鎖アルキルチオ基;メチルスルフィニル
基、エチルスルフィニル基、n−プロピルスルフィニル
基、i−プロピルスルフィニル基、n−ブチルスルフィ
ニル基、i−ブチルスルフィニル基、s−ブチルスルフ
ィニル基、t−ブチルスルフィニル基等のC1〜C4の直鎖
または分岐鎖アルキルスルフィニル基;またはメチルス
ルホニル基、エチルスルホニル基、n−プロピルスルホ
ニル基、i−プロピルスルホニル基、n−ブチルスルホ
ニル基、i−ブチルスルホニル基、s−ブチルスルホニ
ル基、t−ブチルスルホニル基等のC1〜C4の直鎖または
分岐鎖アルキルスルホニル基を示す。
なお、上記一般式(I)で表される本発明方法の原料
物質は例えば、Bull.Soc.Chim.France,293(1966)記載
の方法に準じて製造することが出来る。
一般式(I)で表されるピラゾールカルボン酸エステ
ルと一般式(II)で表されるアミンとのモル比は、エス
テルに対しアミンを0.1〜10倍モル、好ましくは0.5〜2
倍使用する。
本発明で使用できる塩基触媒としてはナトリウムメト
キシド、ナトリウムエトキシド、ナトリウムプロポキシ
ド、ナトリウムブトキシド、ナトリウムアミルオキシ
ド、リチウムメトキシド、リチウムエトキシド、リチウ
ムプロポキシド、リチウムブトキシド、リチウムアミル
オキシド、カリウムメトキシド、カリウムエトキシド、
カリウムプロポキシド、カリウムブトキシド、カリウム
アミルオキシド等の1A金属アルコラート、メチルリチウ
ム、エチルリチウム、プロピルリチウム、ブチルリチウ
ム、フェニルリチウム、ジイソプロピルアミノリチウム
等のリチウム化合物、水素化ナトリウム、ナトリウムア
ミド、金属ナトリウム、金属リチウム、金属カリウム等
が挙げられ、それらの中でもナトリウムメトキシド、ナ
トリウムエトキシド、ブチルリチウム、ジイソプロピル
アミノリチウム、水素化ナトリウム、ナトリウムアミ
ド、金属ナトリウム等が好ましい。これら塩基触媒の使
用量はピラゾールカルボン酸エステルに対して0.001〜
2.0モル%、好ましくは0.01〜0.5モル%の範囲である。
本発明で使用できる溶媒としてはベンゼン、トルエ
ン、キシレン等の芳香族炭化水素、メタノール、エタノ
ール、プロパノール、ブタノール等のアルコール類、テ
トラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコールモ
ノメチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテ
ル、エチレングリコールモノエチルエーテル等のエーテ
ル系溶媒、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシ
ド等が挙げられるが、無溶媒でも反応は極めて良好に進
行するので無溶媒系が好ましい。
本発明の反応温度は室温から200℃、好ましくは80〜1
60℃の範囲であり、反応時間は通常、1〜10時間であ
る。また、本反応により生成するアルコール類は常圧下
又は減圧下反応系より蒸留等により除去しながら実施す
るのが好ましい。
〔実施例〕
以下の実施例により本発明をさらに詳細に説明する
が、本発明はその要旨を越えない限り以下の実施例によ
って限定されるものではない。
実施例1 1−メチル−3−エチル−4−クロロ−5−ピラゾー
ルカルボン酸エチル(以下EMCEと略す)2、20g(0.010
モル)と4−tert−ブチル−ベンジルアミン(以下TBBA
と略す)1.72g(0.0105モル)の混合物に15%n−ブチ
ルリチウムのヘキサン溶液0.32ml(0.0005モル)を添加
し160℃で2時間生成するエタノールを除去しながら加
熱撹拌した。反応後水2mlを添加し有機物をトルエン10m
lで抽出した。トルエン層をガスクロマトグラフィーで
定量し表−1の結果を得た。また、トルエン層を塩酸お
よび水で洗浄し、溶媒を除去してN−(4−tert−ブチ
ルベンジル)−1−メチル−3−エチル−4−クロロ−
5−ピラゾールボキサミド(表−1記載の化合物No.4
1、以下EMCBAと略す)を得た。(収率97%) なお、表−1中、転換率および選択率は次式により求
めた。
実施例2〜5および比較例 塩基触媒の種類を表−2のように変える他は実施例1
と同様にしてEMCBAを製造した。
実施例6 実施例1と同様にして表−3記載の化合物を得た。収
率はいずれもほぼ90%以上であった。
〔発明の効果〕 本発明の方法によれば、殺虫、殺ダニ剤および動物に
寄生するダニの駆除剤として有用なピラゾールカルボン
酸アミド類を工業的規模で容易に製造することができそ
の価値は高い。

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】下記一般式(I) 〔上記式中、R1はC1〜C4のアルキル基、C1〜C4のハロア
    ルキル基またはベンジル基を示し、R2は水素原子、C1
    C4のアルキル基、C3〜C6のシクロアルキル基またはフェ
    ニル基を示し、Xは水素原子、ハロゲン原子、C1〜C4
    アルキル基、ニトロ基またはシアノ基を示し、YはC1
    C4のアルキル基を示す。〕で表される5−ピラゾールカ
    ルボン酸エステル類と下記一般式(II) 〔上記式中、R3,R4およびR5はそれぞれ独立して水素原
    子、C1〜C4のアルキル基またはフェニル基を示し、R6
    よびR7はそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、C1
    〜C8のアルキル基、C3〜C6のシクロアルキル基、C2〜C4
    のアルコキシアルキル基、C1〜C4のアルコキシ基、C1
    C4のハロアルコキシ基、ニトロ基、トリフルオロメチル
    基、フェニル基、ベンジル基、フェノキシ基、ベンジル
    オキシ基、C1〜C4のアルキルアミノ基、C2〜C8のジアル
    キルアミノ基、シアノ基、C2〜C6のアルキルアミノカル
    ボニル基、C3〜C11のジアルキルアミノカルボニル基、
    ピペリジノカルボニル基、モルホリノカルボニル基、ト
    リメチルシリル基、C1〜C4のアルキルチオ基、C1〜C4
    アルキルスルフィニル基、またはC1〜C4のアルキルスル
    ホニル基を示す。〕で表されるベンジルアミン類とを塩
    基触媒の存在下、反応させることを特徴とする下記一般
    式(III) 〔式中、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7およびXは前記一
    般式(I)および(II)で定義したのと同一の意義を有
    する。〕で表されるピラゾールカルボン酸アミド類の製
    造方法。
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