JP2512370B2 - 二官能化ブテンの線状ジカルボニル化方法 - Google Patents

二官能化ブテンの線状ジカルボニル化方法

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JP2512370B2 JP4192646A JP19264692A JP2512370B2 JP 2512370 B2 JP2512370 B2 JP 2512370B2 JP 4192646 A JP4192646 A JP 4192646A JP 19264692 A JP19264692 A JP 19264692A JP 2512370 B2 JP2512370 B2 JP 2512370B2
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    • C07CACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C69/00Esters of carboxylic acids; Esters of carbonic or haloformic acids
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、二官能化ブテンの線
状ジカルボニル化方法に関する。線状ジカルボニル化と
は、ヒドロキシル、アルコキシ又はアシルオキシ基で二
置換された少なくとも1種のブテンと一酸化炭素及び場
合によってはアルコールとの反応によって3−ヘキセン
−1,6−二酸及び(又は)そのジアルキルエステルが
主として生成することを意味する。
【0002】3−ヘキセン−1,6−二酸のジエステル
は、水素化して対応するアジピン酸ジエステルにするこ
とができ、これは次いで加水分解してアジピン酸を生成
することができる。3−ヘキセン−1,6−二酸は水素
化してアジピン酸にすることができる。6,6−ナイロ
ンの原料の1つであるアジピン酸がトン単位という多量
で製造され、この事実のためだけでも、この二酸及び
(又は)その誘導体への新しいアクセスルートは即座に
認識し得る根本的な利点がある。
【0003】
【従来の技術】ヨーロッパ特許出願公開第034734
0号(米国特許第4925973号に対応)には、一酸
化炭素及びアルコールとアシルオキシ基で二置換された
少なくとも1種のブテンとの反応によって3−ヘキセン
−1,6−二酸のジエステルを製造するための触媒法が
提唱されている。この線状ジカルボニル化は、パラジウ
ムと窒素及び燐から選択されるVB族元素のハロゲン化
第4級オニウムとを基とする触媒の存在下で実施され、
前記元素は炭素原子に四配位結合され、窒素は5価の燐
原子2個に配位結合されていることができ、ハロゲン陰
イオンは塩素及び臭素から選択される。かかる方法は工
業的規模について容認できる圧力及び温度条件下でカル
ボニル化を実施することを可能にし、線状ジカルボニル
化生成物についての選択性は評価できるものであり、モ
ノカルボニル化生成物及び枝分れ状ジカルボニル化生成
物の割合は非常に小さい。
【0004】ヨーロッパ特許出願公開第0395545
号には、一酸化炭素及び水とアシルオキシ基で二置換さ
れた少なくとも1種のブテンとの反応によって1,6−
ヘキセン二酸を製造するための触媒法が提唱されてい
る。この線状ジカルボニル化もまた、パラジウムと前記
の範囲内の塩化第4級オニウムとを基とする触媒の存在
下で実施される。この出願の例8は活性炭上に担持させ
た金属パラジウムを用い且つ塩化テトラブチルホスホニ
ウムの存在下で実施されているが、完全に満足できる結
果をもたらしていない。
【0005】ヨーロッパ特許出願公開第0395546
号には、一酸化炭素と2−ブテン−1,4−ジオール及
び(又は)1−ブテン−3,4−ジオールとの反応によ
って3−ヘキセン−1,6−二酸を製造するための方法
が特に提唱されている。この線状ジカルボニル化はパラ
ジウムと前記の範囲内の塩化第4級オニウムとを基とす
る触媒の存在下で実施されている。この出願の例21は
活性炭上に担持させた金属パラジウムを用い且つ塩化テ
トラブチルホスホニウムの存在下で実施されているが、
充分に満足できる結果をもたらしていない。
【0006】ヨーロッパ特許出願第90/322256
号、同第90/322257号及び同第90/3222
58号明細書にはそれぞれ、前記の範囲内のハロゲン化
オニウムを少なくとも部分的に、ある種の無機ハロゲン
化物と塩基性の非プロトン系極性溶媒との組合せで置き
換えることが提唱されている。フランス国特許出願第9
0/12042号には、一酸化炭素と、単独又は1,4
−ジアルコキシ−2−ブテンと混合された1,2−ジア
ルコキシ−3−ブテンとの反応によって3−ヘキセン−
1,6−二酸のジエステルを製造するための別の触媒法
が提唱されている。この線状ジカルボニル化は、パラジ
ウムとイオン性塩化物(その陽イオンは、アルカリ金属
陽イオン、アルカリ土類金属陽イオン及び前記の範囲内
の第4級オニウム陽イオンより成る群から選択される)
とを基とする触媒の存在下で実施されている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、二官能
化ブテンの線状ジカルボニル化のためのこれら全ての触
媒法は、それらの根本的な利点には疑義はないが、以下
の少なくとも1つの欠点を示す: ・ある種のパラジウム源、特に担体上に担持させた金属
パラジウムは、ある種の条件下では充分に満足できる活
性を示さない; ・触媒系は不充分な経時安定性を示し、これはカルボニ
ル化用反応器の壁面及び底にパラジウムの沈殿が観察さ
れることによって表わされ得る。従って、二官能化ブテ
ンの線状ジカルボニル化のための触媒法において、パラ
ジウムを基とする触媒系が改善された安定性及び場合に
よっては改善された触媒活性を有することが極めて望ま
しい。
【0008】
【課題を解決するための手段】従って、本発明の主題
は、触媒として有効量のパラジウムと炭素原子に四配位
結合された燐の塩化第4級オニウムとの存在下で、液相
中で高温且つ大気圧より高い圧力下で二官能化ブテンを
線状ジカルボニル化する方法であって、 a)パラジウムの少なくとも一部が酸化状態0のパラジ
ウムの形で導入され、且つ、 b)また、反応が少なくとも1種の塩化水素源の存在下
で実施されることを特徴とする前記方法にある。
【0009】前記のように、本発明の方法の範囲内で用
いられる原料の1つは、二官能化された、即ちヒドロキ
シル、アルコキシ又はアシルオキシ基で二置換された少
なくとも1種のブテン(特に1位置及び4位置を置換さ
れた2−ブテン又は1位置及び2位置を置換された3−
ブテン)である。これら二官能化ブテンは、次式のいず
れかによって表わすことができる:
【化5】 (式中、Zは−OH、−OR又は−O−(CO)−Rを
表わし、ここでRは1〜12個の炭素原子、好ましくは
1〜4個の炭素原子を有する直鎖状、分枝鎖状又は環状
アルキル基である。)
【0010】本発明の範囲内で用いることができる二官
能化ブテンの例としては、次のものを挙げることができ
る: ・2−ブテン−1,4−ジオール、3−ブテン−1,2
−ジオール及びそれらの混合物; ・1,4−ジメトキシ−2−ブテン、1,2−ジメトキ
シ−3−ブテン及びそれらの混合物; ・1,4−ジエトキシ−2−ブテン、1,2−ジエトキ
シ−3−ブテン及びそれらの混合物; ・1,4−ジアセトキシ−2−ブテン、1,2−ジアセ
トキシ−3−ブテン及びそれらの混合物。 原則的にはこれら二官能化ブテンの中から種々の原料の
混合物を選択することに障害はないが、実際上はジオー
ルの混合物、ジアルコキシブテンの混合物又はジアシル
オキシブテンの混合物を選択するのがより有利であると
いうことがわかる。
【0011】本出願人は、実際、出発物質が上記のタイ
プの置換基で1位置及び4位置を二置換された2−ブテ
ンであっても該置換基で1位置及び2位置を二置換され
た3−ブテンであっても、線状ジカルボニル化生成物に
ついての選択性は実質的に同じであるということを見出
した。ブテンジオール及び一酸化炭素を用いて本発明に
従う方法を実施することによって、3−ヘキセン−1,
6−二酸が主生成物として得られる。ジアルコキシブテ
ン及び一酸化炭素を用いて本発明に従う方法を実施する
ことによって、対応する3−ヘキセン二酸アルキルが主
生成物として得られる。ジアシルオキシブテン、一酸化
炭素及び水を用いて本発明に従う方法を実施することに
よって、3−ヘキセン−1,6−二酸が主生成物として
得られる。ジアシルオキシブテン、一酸化炭素及びアル
カノールを用いて本発明に従う方法を実施することによ
って、3−ヘキセン−1,6−二酸及びそのアルキルエ
ステルが主生成物として得られ、それらの割合は反応条
件に応じて変化し得る。
【0012】本発明の本質的な特徴に従えば、ジカルボ
ニル化はパラジウムの存在下で実施され、このパラジウ
ムの少なくとも一部は酸化状態0のパラジウムの形で用
いられる。そのためには、微細に分割された金属パラジ
ウム又はシリカ、アルミナ、アルミノ珪酸塩、ジルコニ
ア、石英、クレー及び活性炭のような担体上に担持させ
た金属パラジウムを用いることができる。本発明の方法
に用いるのには、活性炭上に担持させたパラジウムが特
に好適である。担体上に担持させるパラジウムの量は広
い範囲内で変化し得る。1〜10重量%の範囲の量が、
経済上の拘束と要求される有効性との間の許容できる折
衷点であると思われる。反応混合物中のパラジウムの濃
度は、10-3〜1モル/リットルの範囲であるのが好ま
しい。
【0013】ジカルボニル化はまた、炭素原子に四配位
結合された燐の塩化第4級オニウムの存在下で実施され
。この第4級オニウム陽イオンは当業者に周知であ
り、これについてはヨーロッパ特許出願公開第0347
340号を参照されたい。
【0014】好ましくは、その陽イオンが下記の
(I)に相当する塩化第4級オニウムが用いられる:
【化6】 (式中、R 、R、R及びRは同一であっても異
なっていてもよく、 ・1〜8個の炭素原子を有する直鎖状若しくは分枝鎖状
アルキル基又は ・6〜10個の炭素原子を有し且つ随意に1〜4個の炭
素原子を有するアルキル基1個以上で置換されたアリー
ル基を表わす)。 り特定的には、入手可能であり且つ
特に有効である塩化テトラブチルホスホニウムが推奨さ
れる。
【0015】オニウム陽イオン/パラジウムのモル比は
一般的に0.5〜150の範囲であるが、この比の上限
は経済上のことだけを考慮したものである。かかるモル
比は好ましくは5〜150の範囲である。
【0016】本発明の他の本質的な特徴に従えば、ジカ
ルボニル化は、少なくとも1種の塩化水素源の存在下で
実施される。本発明の範囲内で塩化水素源とは、気体状
HCl、HClの水溶液若しくは有機溶液及び反応条件
下でHClを放出し得る有機塩化物を意味する。有機塩
化物の中では、アミン塩酸塩を用いるのが有利である。
アミン塩酸塩は取り扱いやすく、且つ3−ヘキセン−
1,6−二酸のアルキルエステルを主として得ることが
望まれる場合に追加量の対応する二酸の生成をもたらさ
ない。
【0017】より特定的には、アミン塩酸塩は、下記の
式(III) 〜(VI)のいずれか1つに相当するアミンから
誘導される:
【化8】
【化9】
【化10】
【化11】 (これら式中、R9 〜R11は同一であっても異なってい
てもよく、 ・水素原子、 ・1〜16個の炭素原子を有し且つ随意にフェニル、ヒ
ドロキシル、ハロゲン、ニトロ、アルコキシ若しくはア
ルコキシカルボニル基で置換された直鎖状、分枝鎖状若
しくは環状アルキル基、 ・2〜12個の炭素原子、好ましくは4〜8個の炭素原
子を有する直鎖状若しくは分枝鎖状アルケニル基、又は ・6〜10個の炭素原子を有し且つ随意に1〜4個の炭
素原子を有するアルキル、アルコキシ、アルコキシカル
ボニル若しくはハロゲン基の1種以上で置換されたアリ
ール基を表わし、基R9 〜R11の2個が一緒になって3
〜6個の炭素原子を有する直鎖状又は分枝鎖状アルキレ
ン、アルケニレン又はアルカジエニレン基を形成するこ
ともでき、R12〜R14は同一であっても異なっていても
よく、1〜4個の炭素原子を有する直鎖状又は分枝鎖状
アルキル基を表わし、基R13と基R14とが一緒になって
3〜6個の炭素原子を有するアルキレン基を形成するこ
ともでき、基R12と基R13とが又は基R12と基R14とが
一緒になって4個の炭素原子を有するアルキレン、アル
ケニレン又はアルカジエニレン基を形成してNと共に窒
素系複素環を形成することもでき、R15及びR16は同一
であっても異なっていてもよく、 ・水素原子、 ・1〜4個の炭素原子を有する直鎖状若しくは分枝鎖状
アルキル基又は ・2〜12個の炭素原子、好ましくは4〜8個の炭素原
子を有する直鎖状若しくは分枝鎖状アルケニル基を表わ
し、nは1〜6の範囲の整数であり、R17はR9 〜R11
について前記した意味を持ち、R18〜R20は同一であっ
ても異なっていてもよく、 ・水素原子、 ・1〜16個の炭素原子を有し且つ随意にフェニル、ヒ
ドロキシル、ハロゲン、ニトロ、アルコキシ若しくはア
ルコキシカルボニル基で置換された直鎖状若しくは分枝
鎖状アルキル基又は ・2〜12個の炭素原子、好ましくは4〜8個の炭素原
子を有する直鎖状若しくは分枝鎖状アルケニル基を表わ
す)。
【0018】式(III)に相当するアミンの例として
は、次のものを挙げることができる: ・アンモニア ・モノ、ジ及びトリメチルアミン ・モノ、ジ及びトリエチルアミン ・モノ、ジ及びトリ−n−プロピルアミン ・モノ、ジ及びトリブチルアミン ・モノ、ジ及びトリイソプロピルアミン ・モノ、ジ及びトリペンチルアミン ・モノ、ジ及びトリヘキシルアミン ・モノ、ジ及びトリオクチルアミン ・モノ、ジ及びトリドデシルアミン ・シクロヘキシルアミン ・アニリン ・ジフェニルアミン ・ベンジルアミン ・トリエタノールアミン ・ジエチルメチルアミン ・N,N−ジメチルエタノールアミン ・N,N−ジエチルアニリン ・2,6−ジエチルアニリン ・N,N−ジエチルシクロヘキシルアミン ・N,N−ジメチルベンジルアミン ・N,N−ジメチル−2−クロルエチルアミン ・ピロリジン ・2−クロルアニリ 1,2,3,4−テトラヒドロ−1−ナフチルアミン ・ピペジン・ピロール ・1−メチルピロール。
【0019】式(IV)に相当するアミンの例として
は、次のものを挙げることができる: ・ピリジン ・3−メチルピリジン ・2−フェニルピリジ 2−ピコリン ・ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデカン−7−エ キノリン ・5,6,7,8−テトラヒドロイソキノリン。
【0020】式(V)に相当するアミンの例としては、
次のものを挙げることができる:・トリエチレンジアミン ・N,N’−ジエチルエチレンジアミン ・N,N−ジエチル−N’−メチルエチレンジアミン ・N,N’−ジエチル−1,3−プロパンジアミン ・N,N,N’,N’−テトラメチル−1,4−ブタンジアミン ・N,N,N’,N’−テトラメチルエチレンジアミン。
【0021】式(VI)に相当するアミンの例としては、
次のものを挙げることができる: ・イミダゾール ・1−メチルイミダゾール。
【0022】メチルアミン、ピリジン、メチルイミダゾ
ール、ベンジルアミン、アニリン及びクロルアニリンよ
り成る群から選択されるアミンから誘導される塩酸塩を
用いるのが有利である。アミドが生成する危険性を回避
するためには、第3アミン塩酸塩を用いるのが好まし
い。本発明に従う範囲内で用いられるアミン塩酸塩の量
は、広い範囲内で変化し得る。塩化水素/Pdのモル比
が0.5〜100の範囲、好ましくは2〜20の範囲に
なるようなアミン塩酸塩の量によって、良好な結果が観
察され得る。
【0023】ジカルボニル化反応はもちろん、反応系の
物質以外の溶媒の存在下で実施することもでき、溶媒な
しで実施することもできる。有機溶媒を用いることが望
まれる場合には、N−メチル−2−ピロリドン、テトラ
メチル尿素及びN,N−ジメチルアセトアミドのような
極性で塩基性の非ピロトン系溶媒或いはエステル、飽和
脂肪族若しくは脂環式炭化水素又は芳香族炭化水素のよ
うな非極性で非塩基性の溶媒を用いることができる。溶
媒を用いる場合、その量は反応容積の少なくとも10%
に相当する。約20〜90容量%の量を用いた場合に良
好な結果を得ることができる。
【0024】ジカルボニル化反応は一般的に50〜18
0℃の範囲、好ましくは80〜150℃の範囲の温度に
おいて、20バール以上であって且つ好ましくは250
バール以下の一酸化炭素圧下で実施される。本発明に従
う方法の良好な実施のためには、一酸化炭素圧は90〜
180バールの範囲であるのが好ましい。一酸化炭素に
加えて、窒素、アルゴン又は二酸化炭素のような不活性
ガスを存在させることもできる。
【0025】反応終了時又は反応に割り当てられた時間
の終了時に、任意の好適な手段、例えば抽出及び(又
は)蒸留によって目的の二酸及び(又は)そのジエステ
ルが回収される。
【0026】
【実施例】以下、実施例によって本発明を例示する。例1〜5及び対照試験(a) :前もってアルゴンでパー
ジした125cm3 のステンレス鋼製(316L)オー
トクレーブに次のものを導入する: ・1,4−ジメトキシ−2−ブテン:52ミリモル ・活性炭上に担持させたパラジウムの形のパラジウム:
0.5ミリモル(パラジウム10重量%を含有するPd
/C:0.5g) ・塩化テトラブチルホスホニウム:13.6ミリモル
(4g) ・下記の表Iに記載したアミンの塩酸塩:5ミリモル。 オートクレーブを密封し、撹拌オーブン中に入れ、加圧
下の気体供給装置に連結する。反応器を冷たいままで一
酸化炭素でパージし、120℃に加熱する。次いで圧力
を140バールに調節する。反応後にオートクレーブを
冷却し、ガス抜きする。次いで反応混合物を気相クロマ
トグラフィーによって分析する。条件及び得られた結果
を下記の表Iにまとめる。表中、tは所定の温度におけ
る反応期間を表わし、H3 D(%)は装入した1,4−
ジメトキシ−2−ブテン100モル当たりの生成した3
−ヘキセン二酸メチルのモル量を表わし、DC(%)は
1,4−ジメトキシ−2−ブテンの転化率を表わす。
【0027】
【表1】
【0028】対照試験(b)〜(d):上記の操作方法
を用い、オートクレーブ中で次のものを含有する装入物
について一連の試験を実施する: ・1,4−ジメトキシ−2−ブテン:35ミリモル ・活性炭上に担持させたパラジウムの形で導入されるパ
ラジウム:0.5ミリモル(パラジウム10重量%を含
有) ・ピリジン塩酸塩:18.5ミリモル。 表IIに示した条件下で140バールにおいてジカルボニ
ル化化合物の生成は観察されなかった。
【表2】
【0029】例6:上記の操作方法を用い、オートクレ
ーブ中で次のものを含有する装入物について試験を実施
する: ・1,2−ジメトキシ−3−ブテン:34ミリモル ・活性炭上に担持させたパラジウムの形のパラジウム:
0.5ミリモル(Pd10重量%を含有するPd/C:
0.5g) ・塩化テトラブチルホスホニウム:13.6ミリモル
(4g) ・ピリジン塩酸塩:5ミリモル。 120℃、140バールにおいて3時間の反応の後に、
オートクレーブを冷却し、ガス抜きする。反応混合物を
高性能液体クロマトグラフィー及び気相クロマトグラフ
ィーによって分析する。次いで痕跡量の硫酸の存在下で
還流下でメタノールによってエステル化し、次いで気相
クロマトグラフィーによって再び分析する。得られた結
果は次の通りである: ・ジメトキシブテンの転化率=100% エステル化の前に、次の化合物が測定された(装入した
ジメトキシブテン100モル当たりのモル) ・3−ヘキセン−1,6−二酸モノメチルエステル:1
6% ・3−ヘキセン二酸メチル:66% エステル化の後に、次の化合物が測定された: ・3−ヘキセン二酸メチル:77%
【0030】例7:上記の操作方法を用い、オートクレ
ーブ中で次のものを含有する装入物について試験を実施
する: ・1,2−ジアセトキシ−3−ブテン:35ミリモル ・活性炭上に担持させたパラジウムの形のパラジウム:
0.5ミリモル(Pd10重量%を含有するPd/C:
0.5g) ・塩化テトラブチルホスホニウム:13.6ミリモル
(4g) ・ピリジン塩酸塩:5ミリモル。 120℃、140バールにおいて2.5時間の反応の後
に、オートクレーブを冷却し、ガス抜きする。例6に記
載したようにエステル化の前後に反応混合物を分析す
る。得られた結果は次の通りである: ・ジアセトキシブテンの転化率=100% エステル化の前に、次の化合物が測定された(装入した
ジアセトキシブテン100モル当たりのモル) ・3−ヘキセン−1,6−二酸:9% ・3−ヘキセン−1,6−二酸モノメチルエステル:2
4% ・3−ヘキセン二酸メチル:41% エステル化の後に、次の化合物が測定された: ・3−ヘキセン二酸メチル:66%
【0031】例8: 上記の操作方法を用い、オートクレーブ中で次のものを
含有する装入物について試験を実施する: ・1,4−ジアセトキシ−2−ブテン:36ミリモル ・水:72ミリモル ・活性炭上に担持させたパラジウムの形のパラジウム:0.5ミリモル(Pd 重量%を含有するPd/C:0.5g) ・塩化テトラブチルホスホニウム:13.6ミリモル(4g) ・ピリジン塩酸塩:5ミリモル。 120℃、140バールにおいて3時間の反応の後に、
オートクレーブを冷却し、ガス抜きする。例6に記載し
たようにエステル化の前後に反応混合物を分析する。得
られた結果は次の通りである: ・ジアセトキシブテンの転化率=100% エステル化前: ・3−ヘキセン−1,6−二酸:47% ・3−ヘキセン−1,6−二酸モノメチルエステル:6% ・3−ヘキセン二酸メチル:0% エステル化後: ・3−ヘキセン二酸メチル:48%
【0032】例9: 上記の操作方法を用い、オートクレーブ中で次のものを
含有する装入物について試験を実施する: ・1,4−ブテンジオール:39ミリモル ・メタノール:70ミリモル ・活性炭上に担持させたパラジウムの形のパラジウム:0.5ミリモル(Pd 重量%を含有するPd/C:0.5g) ・塩化テトラブチルホスホニウム:13.6ミリモル(4g) ・ピリジン塩酸塩:5ミリモル。 120℃、140バールにおいて2時間の反応の後に、
オートクレーブを冷却し、ガス抜きする。前記のように
反応混合物をエステル化し、分析する。得られた結果は
次の通りである: ・1,4−ブテンジオールの転化率=100% エステル化後: ・3−ヘキセン二酸メチル:50% ・3−ヘキセン−1,6−二酸:12%
【0033】例10〜15:上記の操作方法を用い、オ
ートクレーブ中で次のものを含有する装入物について一
連の試験を実施する: ・1,4−ジメトキシ−2−ブテン:53ミリモル ・活性炭上に担持させたパラジウム(10重量%)の形
で導入されるパラジウム:0.5ミリモル ・塩化テトラブチルホスホニウム:下記の表III に記載
した量 ・メチルアミン塩酸塩:5ミリモル ・アジピン酸ジメチル:特に記載がない限り、全体を5
0ミリリットルにするのに充分な量。 反応条件及び120℃、140バールにおいて得られた
結果を下記の表III にまとめる。ここで用いる転化率
は、表Iの場合と同じである。
【0034】
【表3】 * 総容量25cm3 、水含有量0.2ミリモルで試験
を実施。少量(2%)の3−ヘキセン二酸モノメチルエ
ステルの生成が観察された。 **総容量25cm3 、水含有量6ミリモルで試験を実
施。少量(1%)の3−ヘキセン二酸モノメチルエステ
ルの生成が観察された。
【0035】例16:上記の操作方法を用い、オートク
レーブ中で次のものを含有する装入物について試験を実
施する: ・1,4−ジメトキシ−2−ブテン:35ミリモル ・活性炭上に担持させたパラジウム(10重量%)の形
で導入されるパラジウム:0.5ミリモル ・塩化テトラブチルホスホニウム:13.6ミリモル ・ピリジン塩酸塩:5ミリモル ・ペンタン:10ミリリットル 120℃、140バールにおいて3.3時間の反応の後
に得られた結果は次の通りである: ・DC=100% ・H3 D=71% ・3−ヘキセン−1,6−二酸モノメチルエステル:2
4% ・3−ヘキセン−1,6−二酸:3%
【0036】例17〜21:上記の操作方法を用い、オ
ートクレーブ中で次のものを含有する装入物について一
連の試験を実施する: ・1,2−ジメトキシ−3−ブテン:17.8ミリモル ・活性炭上に担持させたパラジウム(Pd10重量%を
含有)の形で導入されるパラジウム:0.5ミリモル
(特に記載がない限り) ・塩化テトラブチルホスホニウム:14ミリモル ・10N塩酸水溶液:2ミリモル(特に記載がない限
り) ・下記の表IVの記載の炭化水素系溶媒:表に示した量。 反応終了時に反応混合物を気相クロマトグラフィーによ
って分析する。条件及び120℃、140バールにおい
て得られた結果を表IVに示す。ここで、tは反応時間
(時間)を表わし、H3 D(%)は前記の意味を持ち、
MME(%)は装入した1,2−ジメトキシ−3−ブテ
ン100モル当たりの3−ヘキセン−1,6−二酸モノ
メチルエステルのモル量を表わし、ACID(%)は装
入した1,2−ジメトキシ−3−ブテン100モル当た
りの3−ヘキセン−1,6−二酸のモル量を表わす。
【0037】
【表4】 * 10N・HClを5ミリモル用いて試験を実施。 ** PBu4 Clを7ミリモル用いて試験を実施。 *3 CH=シクロヘキサン *4 PE=ペンタン
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 C07B 61/00 300 C07B 61/00 300

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 触媒として有効量のパラジウムと炭素原
    子に四配位結合された燐の塩化第4級オニウムとの存在
    下で液相中で高温且つ大気圧より高い圧力下で二官能化
    ブテンを線状ジカルボニル化する方法であって、 a)パラジウムの少なくとも一部は酸化状態0のパラジ
    ウムの形で導入され、且つ、 b)また、反応は少なくとも1種の塩化水素源の存在下
    で実施されることを特徴とする、前記方法。
  2. 【請求項2】 塩化水素源が気体状HCl、HCl水溶
    液、HCl有機溶液及び反応条件下でHClを放出し得
    る有機塩化物より成る群から選択されることを特徴とす
    る、請求項1記載の方法。
  3. 【請求項3】 反応を炭化水素から選択される溶媒中で
    実施することを特徴とする、請求項1又は2記載の方
    法。
  4. 【請求項4】 塩化水素/Pdのモル比が0.5〜10
    0の範囲であり、反応混合物中のパラジウムの濃度が1
    −3 〜1モル/リットルの範囲であり、塩化第4級オ
    ニウム/Pdのモル比が0.5〜150の範囲であり、
    反応温度が50〜180℃の範囲であり、且つ圧力が2
    0バール以上であることを特徴とする、請求項1〜3の
    いずれかに記載の方法。
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