JP2508205B2 - Master-slice type semiconductor device - Google Patents

Master-slice type semiconductor device

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JP2508205B2 JP63188732A JP18873288A JP2508205B2 JP 2508205 B2 JP2508205 B2 JP 2508205B2 JP 63188732 A JP63188732 A JP 63188732A JP 18873288 A JP18873288 A JP 18873288A JP 2508205 B2 JP2508205 B2 JP 2508205B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、マスタースライス型半導体装置に関し、特
に複数の異なる種類の電源バスラインを有するマスター
スライス型半導体装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a master slice semiconductor device, and more particularly to a master slice semiconductor device having a plurality of different types of power supply bus lines.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

マスタースライス型の半導体装置、特にゲートアレイ
は半導体基板上に回路構成上必要なトランジスタ、抵抗
等の素子をアレイ状に埋設し、それに所望の回路を形成
する為の品種個別のメタライズパターン及び電源バスラ
イン等の品種間で共通のパターンを組み合わせる手法で
あって、この手法により少ない工数で半導体装置を設
計,製造する事ができる。しかして、最近では、同一チ
ップ内に異なる種類の回路を搭載し、使用条件や機能の
上でより高い融通性をもたせることが行なわれている。
例えばCMOSゲートアレイにおいても、デジタル回路とア
ナログ回路を混在させたり、低電圧動作回路と高電圧イ
ンターフェース回路を組み合わせたりして、より高い機
能と汎用性が追求されるようになってきている。
A master slice type semiconductor device, especially a gate array, has elements such as transistors and resistors necessary for circuit configuration embedded in an array on a semiconductor substrate, and a metallization pattern and power supply bus for each product type to form a desired circuit therein. This is a method of combining common patterns between product types such as lines. By this method, a semiconductor device can be designed and manufactured with a small number of steps. In recent years, however, different types of circuits have been mounted on the same chip to provide higher flexibility in terms of use conditions and functions.
For example, even in a CMOS gate array, higher functions and versatility have been pursued by mixing digital circuits and analog circuits or combining low voltage operation circuits and high voltage interface circuits.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problems to be Solved by the Invention]

上述した従来のゲートアレイで、同一チップ上に異な
る種類の回路を搭載する場合、回路間の給電電位の違い
や電源ノイズの回り込みを防止するために、複数の電源
バスラインが必要となってくる。ゲートアレイとしての
品種設計の自由度の上からチップ内の任意の場所に所望
の回路が配置できるようにするべき点を考慮すること、
これら複数のバスラインはチップ内で同等に配置しなけ
ればならない。しかしながら各種類の回路がチップ全体
に占める割合が品種毎に異なるため、各バスラインの電
源容量は、対応する回路がチップ全体で使用された場合
を想定してマージンをとらねばならず、バスライン自身
のチップ上の占有面積もかなり大きくなる。またその複
数バスラインと回路ブロックとの接続点が回路種類によ
り異なるため、回路内の電源配線の引回しが繁雑にな
り、ゲートアレイの設計上も障害となる。
When different types of circuits are mounted on the same chip in the above-mentioned conventional gate array, a plurality of power supply bus lines are required to prevent the difference in power supply potential between circuits and the sneak of power supply noise. . Considering the point that it is possible to arrange a desired circuit in any place in the chip from the degree of freedom of product design as a gate array,
These plurality of bus lines must be arranged equally in the chip. However, since the ratio of each type of circuit to the entire chip varies depending on the type of product, the power supply capacity of each bus line must have a margin assuming that the corresponding circuit is used in the entire chip. The area occupied by the chip itself is also considerably large. Further, since the connection points between the plurality of bus lines and the circuit block differ depending on the circuit type, the wiring of the power supply wiring in the circuit becomes complicated, which is an obstacle to the design of the gate array.

〔課題を解決するための手段〕[Means for solving the problem]

本発明のマスタースライス型半導体装置は、複数の品
種間で共通のパタン形状をもつトランジスタアレイ及び
電源バスラインと、所望の回路機能に応じて品種毎に個
別形状のメタライズパターンを前記トランジスタアレイ
に使用して構成した種類の異なる回路ブロックとを有す
るマスタースライス型半導体装置において、前記共通の
パターン形状を持つ電源バスラインは同一の配線層に形
成された複数の異なる種類の電源バスラインと前記異な
る種類のバスラインのいずれかに接続することで品種毎
に固有の種類の電源バスラインとなる可変電源バスライ
ンとによって構成され、前記可変電源バスラインは前記
異なる種類の電源バスラインのいずれかとこれら電源バ
スラインとは異なる配線層に形成された接続パターンに
よって接続され、前記回路ブロックはその種類に対応す
る電源を前記可変電源バスラインからスルーホールを介
して供給されるものである。
The master slice type semiconductor device of the present invention uses a transistor array and a power supply bus line having a common pattern shape among a plurality of types, and a metallized pattern of an individual shape for each type according to a desired circuit function in the transistor array. In the master slice type semiconductor device having different types of circuit blocks configured as described above, the power bus lines having the common pattern shape are different from the power bus lines of different types formed in the same wiring layer and the different types. Variable power supply bus line that becomes a power supply bus line of a unique type for each product type by connecting to any of the different power supply bus lines. Connected by a connection pattern formed on a wiring layer different from the bus line, Circuit block is intended to be supplied through the through hole of the power corresponding to the kind of the variable power supply bus line.

〔実施例〕〔Example〕

次に、本発明について図面を参照して説明する。 Next, the present invention will be described with reference to the drawings.

第1図は本発明の第1実施例の平面図である。ゲート
アレイチップ10は内部セルアレイ領域11とインターフェ
イスセルアレイ領域12に大別され、インターフェイスセ
ルアレイ上には異なる電位VDDバスラインが2種類配置
されている。これら高VDDバスライン131と低VDDバスラ
イン132の間に131,132いずれにも接続可能な電源バスラ
イン(以下可変VDDバスライン)133が配置されている。
本実施例では1チップ上で可変VDDバスラインが4つに
分割され、チップ上の各辺ごとにVDD電位が選択できる
ようになっているが、必要に応じてさらに細分化も可能
である。
FIG. 1 is a plan view of the first embodiment of the present invention. The gate array chip 10 is roughly divided into an internal cell array region 11 and an interface cell array region 12, and two different potential V DD bus lines are arranged on the interface cell array. Between these high V DD bus line 131 and low V DD bus line 132, a power supply bus line (hereinafter referred to as variable V DD bus line) 133 that can be connected to either 131 or 132 is arranged.
In this embodiment, the variable V DD bus line is divided into four on one chip, and the V DD potential can be selected for each side on the chip, but further subdivision is possible if necessary. is there.

第2図は第1図のチップのインターフェイスセルアレ
イ部(一部分)に回路ブロック121を配置し、低VDD電源
を供給した場合を示す。低VDDバスライン131と可変VDD
バスライン133はセルアレイ端部で接続パターン14およ
びスルーホール(図示なし)で結線されている。
FIG. 2 shows a case where the circuit block 121 is arranged in the interface cell array portion (part) of the chip of FIG. 1 and a low V DD power supply is supplied. Low V DD bus line 131 and variable V DD
The bus line 133 is connected to the connection pattern 14 and a through hole (not shown) at the end of the cell array.

可変VDDバスライン133と回路ブロック121はスルーホ
ール15により結線される。回路ブロックへの電源供給は
低VDDでも高VDDでも可変VDDバスライン133を通じてのみ
行なわれるため、これにより回路ブロック設計時にはス
ルーホールは可変VDDバスライン133上に設置するように
配慮するだけで済み、設計工数が大巾に削減できる。更
に、この可変VDDバスラインを採用しない場合、全VDD
スラインに必要な配線幅は(高VDDバスライン幅+可変V
DDバスライン幅)+(低VDDバスライン幅+可変VDDバス
ライン幅)であるとすると、本発明により全VDDバスラ
インの占有面積を(可変VDDバスライン幅)だけ削減す
ることができる。
The variable V DD bus line 133 and the circuit block 121 are connected by the through hole 15. Since the power supply to the circuit blocks is carried out only through the variable V DD bus line 133 even high V DD even low V DD, thereby the through hole at the time of the circuit block design consideration for installation on the variable V DD bus line 133 It is only necessary, and the design man-hours can be greatly reduced. Furthermore, if this variable V DD bus line is not adopted, the wiring width required for all V DD bus lines is (high V DD bus line width + variable V DD bus line width
DD bus line width) + (low V DD bus line width + variable V DD bus line width), the present invention reduces the occupied area of all V DD bus lines by (variable V DD bus line width). You can

この実施例において、バスライン131〜133と接続パタ
ーン14とでいずれを下層配線層としてもよい。
In this embodiment, any of the bus lines 131 to 133 and the connection pattern 14 may serve as the lower wiring layer.

第3図は本発明の第2実施例のチップインターフェイ
ス部の一部分を示す。高VDDインターフェイス回路220と
低VDDインターフェイス回路221が隣接しており、可変V
DDバスラインは各々別々に置かれている。各インターフ
ェイス回路は出力回路部222と、入力回路部223に分かれ
ており、各入力回路部と電源バスラインの接続はスルー
ホール151,152で行なわれ、また各出力回路部と電源バ
スラインとはスルーホール153,154で接続される。そし
て、2つの可変VDDバスライン233の一方は接続パターン
141およびスルーホール(図示なし)によって高VDDバス
ライン231に接続され、可変VDDバスライン233の他方は
接続パターン142およびスルーホール(図示なし)によ
って低VDDバスライン232に接続されている。このように
可変VDDバスラインを接続するようにすれば入力回路部
は可変バスライン233からのみVDD供給をうければ出力部
と同電位となり、低VDDと高VDDとで入力回路のメタライ
ズパターン形状が統一でき、設計工数を削減することが
できる。
FIG. 3 shows a part of the chip interface section of the second embodiment of the present invention. High V DD interface circuit 220 and low V DD interface circuit 221 are adjacent to each other
The DD bus lines are placed separately. Each interface circuit is divided into an output circuit section 222 and an input circuit section 223. The connection between each input circuit section and the power supply bus line is made by through holes 151 and 152, and each output circuit section and the power supply bus line are through hole. Connected at 153,154. One of the two variable V DD bus lines 233 has a connection pattern
141 and through holes (not shown) are connected to the high V DD bus line 231, and the other of the variable V DD bus lines 233 is connected to the low V DD bus line 232 by a connection pattern 142 and through holes (not shown). . If the variable V DD bus line is connected in this way, the input circuit section will be at the same potential as the output section if V DD is supplied only from the variable bus line 233, and the input circuit with low V DD and high V DD The metallization pattern shape of can be unified, and the design man-hour can be reduced.

この実施例においても、バスライン231〜233と接続パ
ターン141,142のうちいずれを下層配線とすることもで
きる。
Also in this embodiment, any of the bus lines 231 to 233 and the connection patterns 141 and 142 can be used as the lower layer wiring.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

以上説明したように、本発明は、異種の電源バスライ
ンを有するマスタースライス型半導体装置において、チ
ップの品種に応じていずれかの電源バスラインに接続す
ることによって特定の電源バスラインとすることのでき
る可変電源バスラインを設けることにより、下記の効果
を奏することができる。
As described above, according to the present invention, in a master slice type semiconductor device having different types of power supply bus lines, a specific power supply bus line can be formed by connecting to one of the power supply bus lines according to the type of chip. By providing the variable power supply bus line that can be provided, the following effects can be achieved.

(1)冗長なバスラインを廃することができるので、チ
ップにおける電源バスラインの占有面積を軽減できる。
(1) Since redundant bus lines can be eliminated, the area occupied by the power supply bus lines in the chip can be reduced.

(2)チップの品種に応じて異なる電源バスラインに接
続される回路ブロックに対して、設計時には回路ブロッ
クとバスラインとの接続は可変電源バスラインとの接続
のみを考慮すればよいので、電源の引きまわしの繁雑さ
を軽減することができ、設計の工数を削減することがで
きる。
(2) For circuit blocks that are connected to different power supply bus lines depending on the type of chip, only the connection with the variable power supply bus line needs to be considered when connecting the circuit blocks to the bus lines during design. It is possible to reduce the complexity of turning around and reduce the number of designing steps.

【図面の簡単な説明】 第1図,第2図は本発明の第1実施例の平面図、第3図
は本発明の第2実施例の平面図である。 10……ゲートアレイチップ、11……内部セルアレイ領
域、12……インターフェイスセルアレイ領域、131……
高VDDバスライン、132……低VDDバスライン、133……可
変VDDバスライン、14,141,142……接続パターン、15,15
1〜154……スルーホール、121,220,221……インターフ
ェイス回路ブロック。
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIGS. 1 and 2 are plan views of a first embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a plan view of a second embodiment of the present invention. 10 …… Gate array chip, 11 …… Internal cell array area, 12 …… Interface cell array area, 131 ……
High V DD bus line, 132 …… Low V DD bus line, 133 …… Variable V DD bus line, 14,141,142 …… Connection pattern, 15,15
1 to 154 …… Through hole, 121,220,221 …… Interface circuit block.

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】複数の品種間で共通のパタン形状をもつト
ランジスタアレイ及び電源バスラインと、所望の回路機
能に応じて品種毎に個別形状のメタライズパターンを前
記トランジスタアレイに使用して構成した種類の異なる
回路ブロックとを有するマスタースライス型半導体装置
において、前記共通のパターン形状を持つ電源バスライ
ンは同一の配線層に形成された複数の異なる種類の電源
バスラインと前記異なる種類のバスラインのいずれかに
接続することで品種毎に固有の種類の電源バスラインと
なる可変電源バスラインとによって構成され、前記可変
電源バスラインは前記異なる種類の電源バスラインのい
ずれかとこれら電源バスラインとは異なる配線層に形成
された接続パターンによって接続され、前記回路ブロッ
クはその種類に対応する電源を前記可変電源バスライン
からスルーホールを介して供給されることを特徴とする
マスタースライス型半導体装置。
1. A type in which a transistor array and a power supply bus line having a common pattern shape among a plurality of types and a metalized pattern of an individual shape for each type according to a desired circuit function are used in the transistor array. In the master slice type semiconductor device having different circuit blocks, the power supply bus line having the common pattern shape is one of a plurality of different kinds of power supply bus lines and the different kind of bus lines formed in the same wiring layer. And a variable power source bus line which is a power source bus line of a unique type for each product type, and the variable power source bus line is different from any of the different types of power source bus lines. The circuit blocks are connected according to the connection pattern formed on the wiring layer, Master slice type semiconductor device for a power supply that from the variable power supply bus lines, characterized in that it is supplied through the through hole.
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