JP2504991Y2 - マイクロ波増幅器のバイアス回路 - Google Patents
マイクロ波増幅器のバイアス回路Info
- Publication number
- JP2504991Y2 JP2504991Y2 JP1988035925U JP3592588U JP2504991Y2 JP 2504991 Y2 JP2504991 Y2 JP 2504991Y2 JP 1988035925 U JP1988035925 U JP 1988035925U JP 3592588 U JP3592588 U JP 3592588U JP 2504991 Y2 JP2504991 Y2 JP 2504991Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- positive
- gate
- microwave amplifier
- bias voltage
- bias
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案はマイクロ波増幅器のバイアス回路、特にソー
ス接地のGaASショッキトゲート型電界効果トランジスタ
（MESFET）を増幅素子として使用したマイクロ波増幅器
において、利得の温度補償を目的としたゲート側バイア
ス回路に関する。
ス接地のGaASショッキトゲート型電界効果トランジスタ
（MESFET）を増幅素子として使用したマイクロ波増幅器
において、利得の温度補償を目的としたゲート側バイア
ス回路に関する。
第２図は従来のマイクロ波増幅器のバイアス回路図を
示す。図において１はGaAsMESFETであり、Ｄはドレイン
端子,Gはゲート端子,Sはソース端子である。ドレイン端
子Ｄにはドレインバイアス電圧Vdとして３〜5Vが供給さ
れる。ソース端子Ｓは接地される。ゲート端子Ｇはゲー
トバイアス電圧として０〜2Vが供給されるが、第２図に
示すように負電源−Vgの電圧を抵抗２および３で分圧す
ることにより所望の電圧を得る。
示す。図において１はGaAsMESFETであり、Ｄはドレイン
端子,Gはゲート端子,Sはソース端子である。ドレイン端
子Ｄにはドレインバイアス電圧Vdとして３〜5Vが供給さ
れる。ソース端子Ｓは接地される。ゲート端子Ｇはゲー
トバイアス電圧として０〜2Vが供給されるが、第２図に
示すように負電源−Vgの電圧を抵抗２および３で分圧す
ることにより所望の電圧を得る。
この種のマイクロ波増幅器では、その利得はゲートバ
イアス電圧に依存し、ゲートバイアス電圧が低い程利得
が小さくなる。この性質を利用して増幅器の利得の温度
補償を行うことができる。また、ゲートバイアス電圧が
一定の場合、増幅器の利得は低温程大きくなる。したが
って低温時にゲートバイアス電圧が低くなるようすれば
温度補償が可能となる。温度補償を実施する場合、負電
源−Vgの分圧抵抗２あるいは３の少なくとも一方を温度
可変抵抗にする。この第２図の例では抵抗３を正特性の
温度可変抵抗にしており、低温時に抵抗３の抵抗値が小
さくなるためゲートバイアス電圧が低くなり、温度補償
ができる。
イアス電圧に依存し、ゲートバイアス電圧が低い程利得
が小さくなる。この性質を利用して増幅器の利得の温度
補償を行うことができる。また、ゲートバイアス電圧が
一定の場合、増幅器の利得は低温程大きくなる。したが
って低温時にゲートバイアス電圧が低くなるようすれば
温度補償が可能となる。温度補償を実施する場合、負電
源−Vgの分圧抵抗２あるいは３の少なくとも一方を温度
可変抵抗にする。この第２図の例では抵抗３を正特性の
温度可変抵抗にしており、低温時に抵抗３の抵抗値が小
さくなるためゲートバイアス電圧が低くなり、温度補償
ができる。
しかしながら、第２図に示す従来のマイクロ波増幅器
のバイアス回路では温度可変抵抗の変化率に上限がある
ため、利得の温度変化が大きい場合には補償が不充分に
なる欠点があった。
のバイアス回路では温度可変抵抗の変化率に上限がある
ため、利得の温度変化が大きい場合には補償が不充分に
なる欠点があった。
一例として、−Vgが−5V、ゲートバイアス電圧が−1V
の場合を想定する。温度可変抵抗の変化率の上限は室温
（＋25℃）から低温（−15℃）に対して抵抗値が約75％
に減少する。
の場合を想定する。温度可変抵抗の変化率の上限は室温
（＋25℃）から低温（−15℃）に対して抵抗値が約75％
に減少する。
室温でゲートバイアス電圧を−1Vに設定した場合、低
温では−1.25Vとなる。−Vgを−10Vと低くすれば−1.29
Vと若干電圧変化を大きくできるが、大幅には変わらな
い。増幅器の利得変化が大きく、低温時にゲートバイア
ス電圧を−1.29V以下にする必要がある場合には温度補
償が不充分となる。
温では−1.25Vとなる。−Vgを−10Vと低くすれば−1.29
Vと若干電圧変化を大きくできるが、大幅には変わらな
い。増幅器の利得変化が大きく、低温時にゲートバイア
ス電圧を−1.29V以下にする必要がある場合には温度補
償が不充分となる。
本考案は上述した問題を解消し、温度補償が充分に行
えるバイアス回路を提供することを目的としている。
えるバイアス回路を提供することを目的としている。
本考案のバイアス回路は、GaAsMESFETを使用し、該FE
Tのドレイン端子に正のバイアス電圧を印加し、ソース
端子を接地したマイクロ波増幅器のゲート側バイアス回
路に、正負の２電源を用い、これら正負の電源電圧を抵
抗回路で分圧して該FETのゲートに供給し、かつこの分
圧用の抵抗回路の負電源側を少なくとも１つ以上の正特
性の温度可変抵抗で構成している。
Tのドレイン端子に正のバイアス電圧を印加し、ソース
端子を接地したマイクロ波増幅器のゲート側バイアス回
路に、正負の２電源を用い、これら正負の電源電圧を抵
抗回路で分圧して該FETのゲートに供給し、かつこの分
圧用の抵抗回路の負電源側を少なくとも１つ以上の正特
性の温度可変抵抗で構成している。
上述した構成では、ゲートバイアス電圧が正負の２電
源であるために、バイアス電圧の範囲を広げることが可
能となる。
源であるために、バイアス電圧の範囲を広げることが可
能となる。
〔実施例〕 次に、本考案を図面を参照して説明する。
第１図は本考案のマイクロ波増幅器のバイアス回路の
回路図を示し、第２図と同一部分には同一符号を付して
ある。図において１はGaAsMESFETであり、Ｄはドレイン
端子,Gはゲート端子,Sはソース端子である。ドレイン端
子Ｄにはドレインバイアス電圧Vdとして３〜5Vが供給さ
れる。ソース端子Ｓは接地される。ゲート端子Ｇはゲー
トバイアス電圧として０〜−2Vが供給されるが、ここで
は負電源−Vgと、正電源＋Vggの２電源の電圧を抵抗２
および３で分圧している。また、ここでは抵抗３を正特
性の温度可変抵抗としており、低温時に抵抗３の抵抗値
が小さくなる。
回路図を示し、第２図と同一部分には同一符号を付して
ある。図において１はGaAsMESFETであり、Ｄはドレイン
端子,Gはゲート端子,Sはソース端子である。ドレイン端
子Ｄにはドレインバイアス電圧Vdとして３〜5Vが供給さ
れる。ソース端子Ｓは接地される。ゲート端子Ｇはゲー
トバイアス電圧として０〜−2Vが供給されるが、ここで
は負電源−Vgと、正電源＋Vggの２電源の電圧を抵抗２
および３で分圧している。また、ここでは抵抗３を正特
性の温度可変抵抗としており、低温時に抵抗３の抵抗値
が小さくなる。
この回路によれば、低温時に抵抗３の抵抗値が小さく
なるためにゲートバイアス電圧が低くなり、増幅器の利
得を抑制してその温度補償が実現できる。そして、この
場合では、正負の２電源を用いていることにより、温度
補償可能な利得変化を大幅に増加させることができる。
なるためにゲートバイアス電圧が低くなり、増幅器の利
得を抑制してその温度補償が実現できる。そして、この
場合では、正負の２電源を用いていることにより、温度
補償可能な利得変化を大幅に増加させることができる。
例えば、第２図の例と同様に、室温でのゲートバイア
ス設定値を−1Vとした場合、−Vgを−5V、＋Vggを5Vと
すれば低温でのゲートバイアス電圧は−1.67Vとなる。
−Vgが−10V,＋Vggが10Vとすれば−2.39Vとなる。した
がって、十分な温度補償が実現できることが判る。
ス設定値を−1Vとした場合、−Vgを−5V、＋Vggを5Vと
すれば低温でのゲートバイアス電圧は−1.67Vとなる。
−Vgが−10V,＋Vggが10Vとすれば−2.39Vとなる。した
がって、十分な温度補償が実現できることが判る。
なお、GaAsMESFETではドレインバイアス電圧供給用に
正電源を必要としているため、ゲートバイアス電圧に正
負の２電源を使用することは回路上不利にはならない。
正電源を必要としているため、ゲートバイアス電圧に正
負の２電源を使用することは回路上不利にはならない。
以上説明したように本考案はゲートバイアス供給用の
電源に正負の２電源を用い、かつ分圧用の抵抗の負電源
側に少なくとも１つ以上の正特性の温度可変抵抗を用い
ることにより、増幅器利得の温度補償範囲を拡大するこ
とができる効果がある。
電源に正負の２電源を用い、かつ分圧用の抵抗の負電源
側に少なくとも１つ以上の正特性の温度可変抵抗を用い
ることにより、増幅器利得の温度補償範囲を拡大するこ
とができる効果がある。
第１図は本考案のマイクロ波増幅器のバイアス回路の回
路図、第２図は従来のマイクロ波増幅器のバイアス回路
の回路図である。 １……GaAsMESFET、２……抵抗、３……温度可変抵抗、
Ｄ……ドレイン端子、Ｇ……ゲート端子、Ｓ……ソース
端子、Vd……ドレインバイアス電圧、−Vg……ゲートバ
イアス負電圧、＋Vgg……ゲートバイアス正電圧。
路図、第２図は従来のマイクロ波増幅器のバイアス回路
の回路図である。 １……GaAsMESFET、２……抵抗、３……温度可変抵抗、
Ｄ……ドレイン端子、Ｇ……ゲート端子、Ｓ……ソース
端子、Vd……ドレインバイアス電圧、−Vg……ゲートバ
イアス負電圧、＋Vgg……ゲートバイアス正電圧。
Claims (1)
- 【請求項１】GaAsショットキゲート型電界効果トランジ
スタを増幅素子として使用し、該トランジスタのドレイ
ン端子に正のバイアス電圧を印加し、ソース端子を接地
したマイクロ波増幅器のゲート側バイアス回路におい
て、該ゲートバイアス電源を正負の２電源で構成し、こ
の正負の２電源電圧を抵抗回路で分圧してゲートバイア
ス電圧を得るとともに、この分圧用の抵抗回路の負電源
側を少なくとも１つ以上の正特性の温度可変抵抗で構成
したことを特徴とするマイクロ波増幅器のバイアス回
路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988035925U JP2504991Y2 (ja) | 1988-03-18 | 1988-03-18 | マイクロ波増幅器のバイアス回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988035925U JP2504991Y2 (ja) | 1988-03-18 | 1988-03-18 | マイクロ波増幅器のバイアス回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01139613U JPH01139613U (ja) | 1989-09-25 |
| JP2504991Y2 true JP2504991Y2 (ja) | 1996-07-24 |
Family
ID=31262553
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1988035925U Expired - Lifetime JP2504991Y2 (ja) | 1988-03-18 | 1988-03-18 | マイクロ波増幅器のバイアス回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2504991Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4799485B2 (ja) * | 2007-06-12 | 2011-10-26 | 三菱電機株式会社 | マイクロ波信号の増幅回路 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62151221U (ja) * | 1986-03-18 | 1987-09-25 |
-
1988
- 1988-03-18 JP JP1988035925U patent/JP2504991Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01139613U (ja) | 1989-09-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| GB1334990A (en) | Gyrator | |
| US4121169A (en) | Amplifier device | |
| GB2159305A (en) | Band gap voltage reference circuit | |
| GB1242858A (en) | Gain controlled amplifier circuit | |
| JPH0714135B2 (ja) | フィルタ回路 | |
| US3566289A (en) | Current amplifier and inverting circuits | |
| JP2504991Y2 (ja) | マイクロ波増幅器のバイアス回路 | |
| JPS5912603A (ja) | カスコ−ド回路 | |
| US3710270A (en) | Linear gain control | |
| US5012134A (en) | DC bootstrapped unity gain buffer | |
| JPS5818333Y2 (ja) | ゾウフクカイロ | |
| US4345215A (en) | Audio frequency power amplifier circuit | |
| US5051708A (en) | Amplifier arrangement with output power boosting | |
| JPH031844B2 (ja) | ||
| JPH0685558A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS5922245B2 (ja) | テイデンアツバイアスカイロ | |
| KR200211739Y1 (ko) | 전력증폭용 에프이티(fet)의 게이트 바이어스 회로 | |
| JPS6297411A (ja) | Ｆｅｔ増幅器の温度補償回路 | |
| JPS6133707Y2 (ja) | ||
| JPS5918725Y2 (ja) | 可変抵抗器 | |
| JPH0521446B2 (ja) | ||
| JPS5951166B2 (ja) | 増巾回路 | |
| JPS5942744Y2 (ja) | Ｆｅｔ増幅器 | |
| JPS6080317A (ja) | マ−ク率変動補償回路 | |
| JPH0746973Y2 (ja) | 温度補償電圧増幅器 |