JP2504872B2 - 非線形光デバイス及びその製造方法 - Google Patents
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/35—Non-linear optics
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- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D251/00—Heterocyclic compounds containing 1,3,5-triazine rings
- C07D251/02—Heterocyclic compounds containing 1,3,5-triazine rings not condensed with other rings
- C07D251/12—Heterocyclic compounds containing 1,3,5-triazine rings not condensed with other rings having three double bonds between ring members or between ring members and non-ring members
- C07D251/26—Heterocyclic compounds containing 1,3,5-triazine rings not condensed with other rings having three double bonds between ring members or between ring members and non-ring members with only hetero atoms directly attached to ring carbon atoms
- C07D251/30—Only oxygen atoms
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- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
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- C08G73/0622—Polycondensates containing six-membered rings, not condensed with other rings, with nitrogen atoms as the only ring hetero atoms
- C08G73/0638—Polycondensates containing six-membered rings, not condensed with other rings, with nitrogen atoms as the only ring hetero atoms with at least three nitrogen atoms in the ring
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- C08G73/0655—Preparatory processes from polycyanurates
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- G—PHYSICS
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- G02F1/3612—Heterocycles having N as heteroatom
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電気光学式変調器および
スイッチ、周波数変換器、データプロセッサ、光学的パ
ラメトリック発振器および増幅器のような非線形光デバ
イスおよびこのようなデバイスにおいて有用な光学的に
非線形な材料に関する。
スイッチ、周波数変換器、データプロセッサ、光学的パ
ラメトリック発振器および増幅器のような非線形光デバ
イスおよびこのようなデバイスにおいて有用な光学的に
非線形な材料に関する。
【０００２】
【従来の技術】主として、他の同等な伝送媒体に比べ
て、光ファイバは極めて多量の情報を伝送することがで
きるので、光伝送システムは広範に使用されるようにな
った。このような情報の処理には通常、情報を電子的な
形に変換することが必要である。従って、変調、スイッ
チング、ミキシング、データ処理などのような作用を光
波で直接行うことが出来れば、光通信システムを更に一
層効率的なものにすることができると長いあいだ信じら
れてきた。
て、光ファイバは極めて多量の情報を伝送することがで
きるので、光伝送システムは広範に使用されるようにな
った。このような情報の処理には通常、情報を電子的な
形に変換することが必要である。従って、変調、スイッ
チング、ミキシング、データ処理などのような作用を光
波で直接行うことが出来れば、光通信システムを更に一
層効率的なものにすることができると長いあいだ信じら
れてきた。
【０００３】また、電気光学式変調器、スイッチ、光学
的パラメトリックデバイスおよび光波で直接動作するそ
の他の装置の製造に光学的非線形材料を使用できること
も公知である。様々な有機結晶物質が提案されている
が、ニオブ酸リチウムが最も一般に使用されている非線
形媒体である。
的パラメトリックデバイスおよび光波で直接動作するそ
の他の装置の製造に光学的非線形材料を使用できること
も公知である。様々な有機結晶物質が提案されている
が、ニオブ酸リチウムが最も一般に使用されている非線
形媒体である。
【０００４】米国特許第４８５９８７６号明細書は、光
学的に非線形の有機部分を含有するガラス状ポリマーか
らなる非線形要素を開示している。この非線形性はポリ
マー中の双極子を永久に整列させる電気ポーリングに起
因する。数多くのアクリレート系ポリマーも挙げられて
いたが、主として記載されているガラス状ポリマーはポ
リメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）であった。ＰＭＭ
Ａポリマーは基板に被膜状に塗布することができ、しか
も、結晶物質よりもその特性を極めて簡単かつ正確にコ
ントロールできるので、著しい技術革新である。様々な
電気光学式デバイスの核心部分を構成するＰＭＭＡ被膜
の厚さは僅か１ミクロンから約２００ミクロンまでの広
い範囲に及ぶことができる。
学的に非線形の有機部分を含有するガラス状ポリマーか
らなる非線形要素を開示している。この非線形性はポリ
マー中の双極子を永久に整列させる電気ポーリングに起
因する。数多くのアクリレート系ポリマーも挙げられて
いたが、主として記載されているガラス状ポリマーはポ
リメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）であった。ＰＭＭ
Ａポリマーは基板に被膜状に塗布することができ、しか
も、結晶物質よりもその特性を極めて簡単かつ正確にコ
ントロールできるので、著しい技術革新である。様々な
電気光学式デバイスの核心部分を構成するＰＭＭＡ被膜
の厚さは僅か１ミクロンから約２００ミクロンまでの広
い範囲に及ぶことができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】米国特許第４８５９８
７６号明細書に開示された非線形デバイスの問題点は時
間の経過につれてその非線形磁化率が劣化しやすいこと
である。特に、８０℃以上の高温に暴露されたときに劣
化しやすい。このような低磁化率は一般的に、デバイス
が劣化されていない状態の効率よりも低い効率で企図さ
れた機能を果たすことを意味する。従って、これらのデ
バイスを使用するシステムは、デバイスを低温に保つた
めの特別な冷却装置を必要とし、更に、時間の経過によ
る光学特性の劣化を補償するために、その他の設計上の
予防措置が求められる。
７６号明細書に開示された非線形デバイスの問題点は時
間の経過につれてその非線形磁化率が劣化しやすいこと
である。特に、８０℃以上の高温に暴露されたときに劣
化しやすい。このような低磁化率は一般的に、デバイス
が劣化されていない状態の効率よりも低い効率で企図さ
れた機能を果たすことを意味する。従って、これらのデ
バイスを使用するシステムは、デバイスを低温に保つた
めの特別な冷却装置を必要とし、更に、時間の経過によ
る光学特性の劣化を補償するために、その他の設計上の
予防措置が求められる。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明による光学的非線
形素子は共有結合された光学的非線形染料部分を含有す
る架橋されたトリアジンポリマーからなる。硬化された
トリアジンはこの染料部分を強力に安定化し、そして、
このような安定化は長期間にわたり、しかも、高温条件
下で継続する。この安定性はまた、高非線形磁化率にと
って必要な双極子の整列の特性を表す。トリアジンは薄
膜形状で使用しやすいといったような、前記米国特許明
細書に記載された材料の利点を有し、更に、本質的に熱
に対して安定である。
形素子は共有結合された光学的非線形染料部分を含有す
る架橋されたトリアジンポリマーからなる。硬化された
トリアジンはこの染料部分を強力に安定化し、そして、
このような安定化は長期間にわたり、しかも、高温条件
下で継続する。この安定性はまた、高非線形磁化率にと
って必要な双極子の整列の特性を表す。トリアジンは薄
膜形状で使用しやすいといったような、前記米国特許明
細書に記載された材料の利点を有し、更に、本質的に熱
に対して安定である。
【０００７】後で詳細に説明されるように、トリアジン
ポリマーはジシアノビニルアゾ部分を用いて製造でき
る。ジシアノビニルアゾ部分は、約０．８〜約２．０ミ
クロンの有用な光学波長の全体にわたって透明でありな
がら、大きな非線形磁化率を維持することができる。こ
の染料部分を有する特定の架橋トリアジンは、ｐ−
（Ｎ，Ｎ−ビス（４´−シアナトベンジル）アミノ）−
ｐ´−（２，２−ジシアノビニル）アゾベンゼン モノ
マーを環化三量重合させることにより生成させることが
できる。環化三量重合または硬化中、素子にポーリング
電圧を印加して、染料部分の双極子を整列させることに
より、極めて有用な非線形磁化率が得られる。
ポリマーはジシアノビニルアゾ部分を用いて製造でき
る。ジシアノビニルアゾ部分は、約０．８〜約２．０ミ
クロンの有用な光学波長の全体にわたって透明でありな
がら、大きな非線形磁化率を維持することができる。こ
の染料部分を有する特定の架橋トリアジンは、ｐ−
（Ｎ，Ｎ−ビス（４´−シアナトベンジル）アミノ）−
ｐ´−（２，２−ジシアノビニル）アゾベンゼン モノ
マーを環化三量重合させることにより生成させることが
できる。環化三量重合または硬化中、素子にポーリング
電圧を印加して、染料部分の双極子を整列させることに
より、極めて有用な非線形磁化率が得られる。
【０００８】
【実施例】以下、図面を参照しながら本発明を更に詳細
に説明する。ここに記載されたデバイスは光波で直接動
作し、そして、異なるデバイス機能を例証する。これら
のデバイスは、ポリマーを使用する。特に、有限の非線
形光学的磁化率を有する構成成分を内部に有するトリア
ジンポリマーを使用する。この非線形光学特性は公知の
電気ポーリング法により改善される。この方法では、材
料に電界を印加し、成分分子の双極子を硬化中に大体同
一方向に永久に整列させる。
に説明する。ここに記載されたデバイスは光波で直接動
作し、そして、異なるデバイス機能を例証する。これら
のデバイスは、ポリマーを使用する。特に、有限の非線
形光学的磁化率を有する構成成分を内部に有するトリア
ジンポリマーを使用する。この非線形光学特性は公知の
電気ポーリング法により改善される。この方法では、材
料に電界を印加し、成分分子の双極子を硬化中に大体同
一方向に永久に整列させる。
【０００９】図１〜図５のデバイスは、このような非線
形高分子要素の非線形の光学的磁化率を活用できる様々
な方法を例証する。これらの全てのデバイスにおいて、
非線形材料は動作光学波長において概ね透明である。す
なわち、このような波長における減衰は、商業的に動作
可能であり、しかも、便利なデバイスを見込むのに十分
に低い。
形高分子要素の非線形の光学的磁化率を活用できる様々
な方法を例証する。これらの全てのデバイスにおいて、
非線形材料は動作光学波長において概ね透明である。す
なわち、このような波長における減衰は、商業的に動作
可能であり、しかも、便利なデバイスを見込むのに十分
に低い。
【００１０】図１を参照する。ここには電気光学式の方
向性結合器またはスイッチ１が模式的に図示されてい
る。結合器は基板２、基板表面上の一対の間隔をあけた
チャネル導波路３，４、および一対の電極５，６からな
る。一方の電極はチャネル導波路に付随し、これに接触
している。導波路３および４のそれぞれの中心領域７お
よび８において、導波路は互いに平行であり、この平行
部分の導波路間の間隔は小さい（例えば、５〜２０ミク
ロン程度）。電極に電圧が印加された時に導波路に発生
する電界を最大にするために、電極５および６はこの狭
い間隔領域内の導波路に隣接して配置される。別法とし
て、点線で示されるように、導波路の対向面の上部と底
部に電極を配置し、所定の印加電圧による電界を高める
こともできる。
向性結合器またはスイッチ１が模式的に図示されてい
る。結合器は基板２、基板表面上の一対の間隔をあけた
チャネル導波路３，４、および一対の電極５，６からな
る。一方の電極はチャネル導波路に付随し、これに接触
している。導波路３および４のそれぞれの中心領域７お
よび８において、導波路は互いに平行であり、この平行
部分の導波路間の間隔は小さい（例えば、５〜２０ミク
ロン程度）。電極に電圧が印加された時に導波路に発生
する電界を最大にするために、電極５および６はこの狭
い間隔領域内の導波路に隣接して配置される。別法とし
て、点線で示されるように、導波路の対向面の上部と底
部に電極を配置し、所定の印加電圧による電界を高める
こともできる。
【００１１】導波路３，４は印加された電界に応じて非
線形の光学的磁化率を示すトリアジン材料から形成され
ている。光（好ましくは、レーザ光）は、Ｓ1 で示され
るように、導波路３の一端に入射される。印加電界が全
く存在しなければ、光に付随する電磁界は導波路３の境
界を超えて延び、そして、導波路の領域８において導波
路４に侵入する。部分７および８の長さを適当に選択す
れば、本来、光はＳ2 で示されるように、導波路４から
放射される。従って、或る導波路から他の導波路への光
の完全な伝達が行われる。
線形の光学的磁化率を示すトリアジン材料から形成され
ている。光（好ましくは、レーザ光）は、Ｓ1 で示され
るように、導波路３の一端に入射される。印加電界が全
く存在しなければ、光に付随する電磁界は導波路３の境
界を超えて延び、そして、導波路の領域８において導波
路４に侵入する。部分７および８の長さを適当に選択す
れば、本来、光はＳ2 で示されるように、導波路４から
放射される。従って、或る導波路から他の導波路への光
の完全な伝達が行われる。
【００１２】電極により適正な電圧を印加することによ
り、電界に対する導波路材料の非線形応答は、導波路の
伝送特性を僅かに変化させることができる。適正に調整
された場合、この電圧または電界は、或る導波路から他
の導波路への光の伝達を妨げ、そして、光はＳ3 で示さ
れるように放射されるために、導波路３中に直接伝送さ
れる。非線形光学的磁化率はしばしば、χで表される。
この値は素子の効率を指示するものである。すなわち、
χの値が高ければ高いほど、印加電界に対する応答が高
い。このようにして、光学的に非線形の材料が電圧また
は電界に応答する場合、これはしばしば、電気光学材料
と呼ばれる。
り、電界に対する導波路材料の非線形応答は、導波路の
伝送特性を僅かに変化させることができる。適正に調整
された場合、この電圧または電界は、或る導波路から他
の導波路への光の伝達を妨げ、そして、光はＳ3 で示さ
れるように放射されるために、導波路３中に直接伝送さ
れる。非線形光学的磁化率はしばしば、χで表される。
この値は素子の効率を指示するものである。すなわち、
χの値が高ければ高いほど、印加電界に対する応答が高
い。このようにして、光学的に非線形の材料が電圧また
は電界に応答する場合、これはしばしば、電気光学材料
と呼ばれる。
【００１３】図２は、ここに記載されたトリアジン非線
形または電気光学媒体を使用する集積レーザ同調器およ
び周波数安定器を示す。接合または注入レーザ２０は、
電気光学薄膜に接触する発光ジャンクション２３を有す
るように分割されている。薄膜２２は、レーザの一方の
側に図示されているように、対向電極２４および２５を
具備することもできる。あるいは、レーザの他方の側に
図示されているように、電極２４a および２５a を具備
することもできる。何れの電極配置を使用しても、非線
形薄膜２２内で光学的非線形応答を励起することができ
る。適正に印加された電界の下における薄膜の電気光学
効果は有用な同調可能なフィルタ機能を生じるか、また
は、レーザ出力の周波数安定器として使用できる。
形または電気光学媒体を使用する集積レーザ同調器およ
び周波数安定器を示す。接合または注入レーザ２０は、
電気光学薄膜に接触する発光ジャンクション２３を有す
るように分割されている。薄膜２２は、レーザの一方の
側に図示されているように、対向電極２４および２５を
具備することもできる。あるいは、レーザの他方の側に
図示されているように、電極２４a および２５a を具備
することもできる。何れの電極配置を使用しても、非線
形薄膜２２内で光学的非線形応答を励起することができ
る。適正に印加された電界の下における薄膜の電気光学
効果は有用な同調可能なフィルタ機能を生じるか、また
は、レーザ出力の周波数安定器として使用できる。
【００１４】図３は、二次調波周波数発生用の光学的パ
ラメトリックデバイスで使用されるトリアジンの光学的
非線形媒体を示す。ここでは、周波数ｆの入射光線３０
は光学的非線形薄膜３１に衝突する。非線形光学特性に
より、２本のコリニアビーム３２および３３が放射され
る。１本は同じ周波数ｆであり、もう１本の方は元の周
波数の２倍の周波数（２ｆ）で放射される。新生コリニ
アビーム３２および３３はプリズム３４により方向付け
られる。このプリズムは、光線を別々のビーム３２およ
び３３に空間的に分割する。何らかの理由により、高い
２ｆ周波数が望ましい場合には、周波数２ｆのビームは
他のビームと別個に使用することもできる。この実施態
様は、有用な機能を行うために非線形光学要素にとって
印加電界が必ずしも必要ないことを証明している。
ラメトリックデバイスで使用されるトリアジンの光学的
非線形媒体を示す。ここでは、周波数ｆの入射光線３０
は光学的非線形薄膜３１に衝突する。非線形光学特性に
より、２本のコリニアビーム３２および３３が放射され
る。１本は同じ周波数ｆであり、もう１本の方は元の周
波数の２倍の周波数（２ｆ）で放射される。新生コリニ
アビーム３２および３３はプリズム３４により方向付け
られる。このプリズムは、光線を別々のビーム３２およ
び３３に空間的に分割する。何らかの理由により、高い
２ｆ周波数が望ましい場合には、周波数２ｆのビームは
他のビームと別個に使用することもできる。この実施態
様は、有用な機能を行うために非線形光学要素にとって
印加電界が必ずしも必要ないことを証明している。
【００１５】図４は電気光学式の相／輝度変調器におけ
るトリアジン非線形ポリマーの使用を示す。ここでは、
偏光Ｐ1 を有する入射光４０が非線形薄膜４１を通過す
る。この薄膜には両面に透明電極４２および４３が配設
されている。薄膜を通過する際、光学的非線形薄膜の自
然復屈折は光の偏光をＰ2 に変化させる。電源４４によ
り薄膜に電圧が印加された場合、薄膜に印加された電界
はその光学特性を変化する。
るトリアジン非線形ポリマーの使用を示す。ここでは、
偏光Ｐ1 を有する入射光４０が非線形薄膜４１を通過す
る。この薄膜には両面に透明電極４２および４３が配設
されている。薄膜を通過する際、光学的非線形薄膜の自
然復屈折は光の偏光をＰ2 に変化させる。電源４４によ
り薄膜に電圧が印加された場合、薄膜に印加された電界
はその光学特性を変化する。
【００１６】非線形応答は薄膜の屈折率を変化させ、こ
れにより、その輝度を変化させる。そして、その結果、
更に別の偏光Ｐ3 を有する光を放射する。従って、Ｐ2
およびＰ3 値間の偏光変調は薄膜４１に電圧を周期的に
印加することにより実施できる。Ｐ2 またはＰ3 の何れ
か一方は通過させるが、両方は通過させないように配向
されたビームの出力路に偏光器４５を配置することによ
り、輝度変調を随意に得ることができる。言うまでもな
く、図３および図４の両方のデバイスの非線形光学薄膜
は透明な基板上に堆積させることが好ましい。
れにより、その輝度を変化させる。そして、その結果、
更に別の偏光Ｐ3 を有する光を放射する。従って、Ｐ2
およびＰ3 値間の偏光変調は薄膜４１に電圧を周期的に
印加することにより実施できる。Ｐ2 またはＰ3 の何れ
か一方は通過させるが、両方は通過させないように配向
されたビームの出力路に偏光器４５を配置することによ
り、輝度変調を随意に得ることができる。言うまでもな
く、図３および図４の両方のデバイスの非線形光学薄膜
は透明な基板上に堆積させることが好ましい。
【００１７】図５はトリアジン非線形光学薄膜５０を使
用する導波型電気光学式輝度変調器を示す。薄膜５０は
絶縁被膜５２を有する導電性基板５１上に形成されてい
る。この薄膜は干渉計の一方のアーム５４上に配置され
た電極５３を有する干渉計式導波構造体として形成され
ている。電極５３によりアーム５４に電圧が印加される
につれて、干渉計のアーム５４内に電界が発生される。
この電界は材料の屈折率を変化させ、その結果、他のア
ームに対して、干渉計のアーム５４の光路長を効果的に
変化させる。これにより、再結合点５５において強め合
う干渉、または弱め合う干渉の何れかを生じる。強め合
う干渉と弱め合う干渉を互い違いにするために電圧が変
調されるので、出力輝度も同様に、最大値と最小値との
間で変化する。
用する導波型電気光学式輝度変調器を示す。薄膜５０は
絶縁被膜５２を有する導電性基板５１上に形成されてい
る。この薄膜は干渉計の一方のアーム５４上に配置され
た電極５３を有する干渉計式導波構造体として形成され
ている。電極５３によりアーム５４に電圧が印加される
につれて、干渉計のアーム５４内に電界が発生される。
この電界は材料の屈折率を変化させ、その結果、他のア
ームに対して、干渉計のアーム５４の光路長を効果的に
変化させる。これにより、再結合点５５において強め合
う干渉、または弱め合う干渉の何れかを生じる。強め合
う干渉と弱め合う干渉を互い違いにするために電圧が変
調されるので、出力輝度も同様に、最大値と最小値との
間で変化する。
【００１８】図１〜図５のデバイスおよび本発明により
製造できるその他の電気光学式およびオプティカルパラ
メトリックデバイスの全てにおいて使用された非線形光
学媒体は、共有結合された光学的に非線形の染料部分を
含有する架橋されたトリアジンからなる。本発明の或る
実施例によれば、染料部分はジシアノビニルアゾ染料で
ある。このジシアノビニルアゾ染料は０．８〜２．０ミ
クロンの範囲内の波長を有する光に対して概ね透明であ
る。従って、前記のようなデバイスで使用される光は対
応する波長のものでなければならない。トリアジン分子
の双極子は硬化中（すなわち、架橋中）にポーリング電
圧を印加することにより整列される。この点については
後で更に詳細に説明する。ジシアノビニルアゾ部分を有
するトリアジンを製造するために実験室で使用された具
体的な方法について下記に説明する。
製造できるその他の電気光学式およびオプティカルパラ
メトリックデバイスの全てにおいて使用された非線形光
学媒体は、共有結合された光学的に非線形の染料部分を
含有する架橋されたトリアジンからなる。本発明の或る
実施例によれば、染料部分はジシアノビニルアゾ染料で
ある。このジシアノビニルアゾ染料は０．８〜２．０ミ
クロンの範囲内の波長を有する光に対して概ね透明であ
る。従って、前記のようなデバイスで使用される光は対
応する波長のものでなければならない。トリアジン分子
の双極子は硬化中（すなわち、架橋中）にポーリング電
圧を印加することにより整列される。この点については
後で更に詳細に説明する。ジシアノビニルアゾ部分を有
するトリアジンを製造するために実験室で使用された具
体的な方法について下記に説明する。
【００１９】図６は本発明による合成モノマーの製造方
法を要約して示し、図７はこの合成モノマーからトリア
ジンオリゴマーを製造する方法を示す。最終のポリマー
はこのオリゴマーから得られる。図６を参照する。符号
６０は出発物質を示す。符号６０の出発物質のＣＨ3 Ｃ
Ｎ溶液６０ｍｌに塩化チオニル（ＳＯＣｌ2 ）７．０ｇ
を１滴づつ滴加した。この反応により中間体６１が生成
した。中間体６１は分液ロートから排出することにより
ガム状残留物から分離した。トリエチルアミン（ＴＥ
Ａ）１２ｇとアニリン（ＰｈＮＨ2 ）２．３６ｇからな
る溶液に、激しく攪拌しながら、室温で、１０分間かけ
て、中間体６１を添加した。
法を要約して示し、図７はこの合成モノマーからトリア
ジンオリゴマーを製造する方法を示す。最終のポリマー
はこのオリゴマーから得られる。図６を参照する。符号
６０は出発物質を示す。符号６０の出発物質のＣＨ3 Ｃ
Ｎ溶液６０ｍｌに塩化チオニル（ＳＯＣｌ2 ）７．０ｇ
を１滴づつ滴加した。この反応により中間体６１が生成
した。中間体６１は分液ロートから排出することにより
ガム状残留物から分離した。トリエチルアミン（ＴＥ
Ａ）１２ｇとアニリン（ＰｈＮＨ2 ）２．３６ｇからな
る溶液に、激しく攪拌しながら、室温で、１０分間かけ
て、中間体６１を添加した。
【００２０】トリエチルアンモニウム塩酸塩を濾去した
後、この溶液を濃縮し、図６において符号６２で示され
るシロップ状の中間体化合物を得た。この中間体化合物
はビス（４−ヒドロキシベンジル）アニリンである。符
号６２の中間体７ｇをアセトン１５ｍｌに溶解し、この
溶液をキシレン液体窒素浴中で−１５℃にまで冷却し
た。これに臭化シアンのアセトン溶液（臭化シアン３．
０ｇ＋アセトン７ｍｌ）を添加した。次いで、これにト
リエチルアミン４ｇを滴加した。温度を約−１０℃のま
ま１５分間維持した。次いで、１時間以内に室温にまで
加温した。斯くして、ビス（４−シアナトベンジル）ア
ニリンと指称される符号６３の中間体が得られた。
後、この溶液を濃縮し、図６において符号６２で示され
るシロップ状の中間体化合物を得た。この中間体化合物
はビス（４−ヒドロキシベンジル）アニリンである。符
号６２の中間体７ｇをアセトン１５ｍｌに溶解し、この
溶液をキシレン液体窒素浴中で−１５℃にまで冷却し
た。これに臭化シアンのアセトン溶液（臭化シアン３．
０ｇ＋アセトン７ｍｌ）を添加した。次いで、これにト
リエチルアミン４ｇを滴加した。温度を約−１０℃のま
ま１５分間維持した。次いで、１時間以内に室温にまで
加温した。斯くして、ビス（４−シアナトベンジル）ア
ニリンと指称される符号６３の中間体が得られた。
【００２１】符号６３の中間体７００ｍｇをアセトン２
０ｍｌに溶解した。これに酢酸４滴と、ジアゾニウム塩
（４−（４，４−ジシアノビニル）ベンゼンジアゾニウ
ムヘキサフルオロホスフェート）（１０８０ｍｇ）のア
セトン（１２ｍｌ）溶液を添加した。特に言及すれば、
このジアゾニウム塩は結局、最終ポリマーの染料部分を
構成する。この混合物を窒素雰囲気中で、室温で１８時
間攪拌し、その後、４４℃で１時間加熱した。次いで、
この混合物を、アセトントと水の等量部混合物５０ｍｌ
と混合し、沈殿物を集め、中性になるまで水で洗浄し
た。乾燥後、符号６４の中間体、すなわち、ｐ−（Ｎ，
Ｎ−ビス（４´−シアナトベンジル）アミノ）−ｐ´−
（２，２−ジシアノビニル）アゾベンゼンと指称される
モノマーが１．１５ｇ得られた。
０ｍｌに溶解した。これに酢酸４滴と、ジアゾニウム塩
（４−（４，４−ジシアノビニル）ベンゼンジアゾニウ
ムヘキサフルオロホスフェート）（１０８０ｍｇ）のア
セトン（１２ｍｌ）溶液を添加した。特に言及すれば、
このジアゾニウム塩は結局、最終ポリマーの染料部分を
構成する。この混合物を窒素雰囲気中で、室温で１８時
間攪拌し、その後、４４℃で１時間加熱した。次いで、
この混合物を、アセトントと水の等量部混合物５０ｍｌ
と混合し、沈殿物を集め、中性になるまで水で洗浄し
た。乾燥後、符号６４の中間体、すなわち、ｐ−（Ｎ，
Ｎ−ビス（４´−シアナトベンジル）アミノ）−ｐ´−
（２，２−ジシアノビニル）アゾベンゼンと指称される
モノマーが１．１５ｇ得られた。
【００２２】図７を参照する。次いで、符号６４のモノ
マー（１００ｍｇ）をメチルエチルケトン（ＭＥＫ）ま
たはγ−ブチロラクトン（５００ｍｇ）のような溶剤に
溶解した。γ−ブチロラクトンが好ましい。この溶液
に、モノマーの重量を基準にして、０．１〜５wt％、好
ましくは、０．８〜２．０wt％の濃度の金属錯体触媒を
添加した。代表的な触媒はベンゾイルアセトン酸銅（Ｃ
ＢＡ）、ベンゾイルアセトン酸亜鉛およびナフテン酸銅
または亜鉛などである。ベンゾイルアセトン酸銅（ＣＢ
Ａ）が好ましい。その後、この溶液を密閉管中で１５０
℃で３０分間加熱し、環化三量重合を開始させた。得ら
れたオリゴマー溶液はアルミニウム蒸着ウエハのような
基板上にスピンコートにより塗布するのに好適である。
次いで、この被膜を１００〜１７０℃、好ましくは、１
３０〜１６０℃の範囲内の温度で加熱することにより重
合、更に詳細には、ポリ環化三量重合させた。好ましく
は、温度は１００℃にまで急速に上昇させ、その後、約
２℃／分の速度で最終温度にまで上昇させ、この最終温
度を約１．５時間持続させる。
マー（１００ｍｇ）をメチルエチルケトン（ＭＥＫ）ま
たはγ−ブチロラクトン（５００ｍｇ）のような溶剤に
溶解した。γ−ブチロラクトンが好ましい。この溶液
に、モノマーの重量を基準にして、０．１〜５wt％、好
ましくは、０．８〜２．０wt％の濃度の金属錯体触媒を
添加した。代表的な触媒はベンゾイルアセトン酸銅（Ｃ
ＢＡ）、ベンゾイルアセトン酸亜鉛およびナフテン酸銅
または亜鉛などである。ベンゾイルアセトン酸銅（ＣＢ
Ａ）が好ましい。その後、この溶液を密閉管中で１５０
℃で３０分間加熱し、環化三量重合を開始させた。得ら
れたオリゴマー溶液はアルミニウム蒸着ウエハのような
基板上にスピンコートにより塗布するのに好適である。
次いで、この被膜を１００〜１７０℃、好ましくは、１
３０〜１６０℃の範囲内の温度で加熱することにより重
合、更に詳細には、ポリ環化三量重合させた。好ましく
は、温度は１００℃にまで急速に上昇させ、その後、約
２℃／分の速度で最終温度にまで上昇させ、この最終温
度を約１．５時間持続させる。
【００２３】符号６６のオリゴマーは、磁極化されて非
線形光学的磁化率を付与することのできるジシアノビニ
ルアゾ染料部分６５を含有する。硬化中に、例えば、１
×１０6 Ｖ／ｃｍ以上の電界を被膜に印加し、染料部分
を磁極化する。電界は平行電極板間に印加することもで
きるし、あるいは、別法として、当業者に公知のコロナ
ポーリングによっても印加することができる。
線形光学的磁化率を付与することのできるジシアノビニ
ルアゾ染料部分６５を含有する。硬化中に、例えば、１
×１０6 Ｖ／ｃｍ以上の電界を被膜に印加し、染料部分
を磁極化する。電界は平行電極板間に印加することもで
きるし、あるいは、別法として、当業者に公知のコロナ
ポーリングによっても印加することができる。
【００２４】硬化中に溶液はポリ環化三量重合され、光
学的に非線形であるように磁極化された架橋トリアジン
ポリマーが得られた。公知なように、架橋トリアジンは
３次元方向に延びるので、２次元方向にしか延びないＰ
ＭＭＡのようなポリマーとは異なる。３次元架橋により
生じる外面的形態は、２次元ポリマーの場合よりも一層
強力に磁極化染料部分６５を幽閉するものと思われる。
従って、長期間経過しても、また、比較的高温の条件下
でも、染料部分６５はトリアジン高分子構造体中にしっ
かりと幽閉されたままの状態で存在する。
学的に非線形であるように磁極化された架橋トリアジン
ポリマーが得られた。公知なように、架橋トリアジンは
３次元方向に延びるので、２次元方向にしか延びないＰ
ＭＭＡのようなポリマーとは異なる。３次元架橋により
生じる外面的形態は、２次元ポリマーの場合よりも一層
強力に磁極化染料部分６５を幽閉するものと思われる。
従って、長期間経過しても、また、比較的高温の条件下
でも、染料部分６５はトリアジン高分子構造体中にしっ
かりと幽閉されたままの状態で存在する。
【００２５】この利点はテストにおいて実験的に立証さ
れた。この結果を図８に要約して示す。図８は経過日数
の関数として、３種類の異なる材料のｒの変動を示す。
ｒは元の電気光学係数に対する磁極化被膜の電気光学係
数の比率である。従って、時間に変化がなければ、ｒは
１のままである。電気光学係数は光学的磁化率（この場
合、二次光学的磁化率）および非線形部分の密度の双方
の関数である。従って、ｒの減少は一般的に、有効非線
形部分の個数の減少の兆である。曲線６７は米国特許第
４８５９８７６号明細書で論じられた材料（すなわち、
ポリメチルメタクリレートに溶解された分散性赤色染料
１（ＤＲ１／ＰＭＭＡ））の時間に対する電気光学係数
の変化を示す。２５℃の室温では、曲線６７は１０日経
過後に、電気光学係数が元の値の半分未満の値にまで低
下することを示している。曲線６８は、８０℃では電気
光学係数は概ねゼロまで急落することを示している。こ
のことは、この材料は８０℃のような温度では実際的に
使用できないことを意味する。曲線６９は米国特許第４
８５９８７６号明細書で概説されたような、ガラス状ポ
リマーホスト中の共有結合非線形染料分子の一例を示
す。この材料はジシアノビニルアゾベンゼン−メチルメ
タクリレート（ＤＣＶ−ＭＭＡ）である。曲線６９は、
２５℃では電気光学係数は少ししか劣化しないことを示
している。曲線７０は、８０℃における電気光学係数の
急落と、時間の経過に伴うその後の持続的な劣化を示し
ている。
れた。この結果を図８に要約して示す。図８は経過日数
の関数として、３種類の異なる材料のｒの変動を示す。
ｒは元の電気光学係数に対する磁極化被膜の電気光学係
数の比率である。従って、時間に変化がなければ、ｒは
１のままである。電気光学係数は光学的磁化率（この場
合、二次光学的磁化率）および非線形部分の密度の双方
の関数である。従って、ｒの減少は一般的に、有効非線
形部分の個数の減少の兆である。曲線６７は米国特許第
４８５９８７６号明細書で論じられた材料（すなわち、
ポリメチルメタクリレートに溶解された分散性赤色染料
１（ＤＲ１／ＰＭＭＡ））の時間に対する電気光学係数
の変化を示す。２５℃の室温では、曲線６７は１０日経
過後に、電気光学係数が元の値の半分未満の値にまで低
下することを示している。曲線６８は、８０℃では電気
光学係数は概ねゼロまで急落することを示している。こ
のことは、この材料は８０℃のような温度では実際的に
使用できないことを意味する。曲線６９は米国特許第４
８５９８７６号明細書で概説されたような、ガラス状ポ
リマーホスト中の共有結合非線形染料分子の一例を示
す。この材料はジシアノビニルアゾベンゼン−メチルメ
タクリレート（ＤＣＶ−ＭＭＡ）である。曲線６９は、
２５℃では電気光学係数は少ししか劣化しないことを示
している。曲線７０は、８０℃における電気光学係数の
急落と、時間の経過に伴うその後の持続的な劣化を示し
ている。
【００２６】曲線７１は、８５℃におけるトリアジンの
電気光学係数の変化を示す。この曲線から明らかなよう
に、８５℃のような高温度でも、僅かな劣化しか起こさ
ず、１０日後の二次光学的磁化率は元の値の約８／１０
程度である。二次光学的磁化率の元の測定値は約７５×
１０-9ｅｓｕ（静電単位）であった。このことは、８５
℃程度の高温度にまで一貫して加熱されるような環境中
で、図１〜図５の様々なデバイスにおける非線形素子と
して、トリアジンが実用的であり、このような信頼性は
長期間の寿命を有することを実証している。
電気光学係数の変化を示す。この曲線から明らかなよう
に、８５℃のような高温度でも、僅かな劣化しか起こさ
ず、１０日後の二次光学的磁化率は元の値の約８／１０
程度である。二次光学的磁化率の元の測定値は約７５×
１０-9ｅｓｕ（静電単位）であった。このことは、８５
℃程度の高温度にまで一貫して加熱されるような環境中
で、図１〜図５の様々なデバイスにおける非線形素子と
して、トリアジンが実用的であり、このような信頼性は
長期間の寿命を有することを実証している。
【００２７】本明細書に記載されたトリアジンオリゴマ
ーは当業者に周知の様々な方法を用いて、種々の基板に
塗布することができる。塗布後、加熱および硬化工程中
に、溶剤は除去される。多数回の塗布も実施可能であ
る。しかし、最も有用なデバイス被膜の厚さは１ミクロ
ン〜２００ミクロンの範囲内であると思われる。種々の
基板を使用することができ、また、ポーリング電極は基
板の一方の表面上に配設することもできる。
ーは当業者に周知の様々な方法を用いて、種々の基板に
塗布することができる。塗布後、加熱および硬化工程中
に、溶剤は除去される。多数回の塗布も実施可能であ
る。しかし、最も有用なデバイス被膜の厚さは１ミクロ
ン〜２００ミクロンの範囲内であると思われる。種々の
基板を使用することができ、また、ポーリング電極は基
板の一方の表面上に配設することもできる。
【００２８】説明するまでもなく、トリアジン分子が生
成される図６および図７のモノマー６４は好適なトリア
ジン先駆体の一例でしかない。図９は使用可能なトリア
ジン先駆体の一般式を示す。図９において、Ｒ1 および
Ｒ2 は、（ＣＨ2 ）n または−（−ＣＨ2 …φ…Ｃ（Ｍ
ｅ）2 −）n −であり、２−（４´−メチレンフェニレ
ン）プロピリデニルとも指称できる。ｎは０〜１０の整
数である。Ｒ3 およびＲ4 は、水素、アルキル、アルケ
ニル、アルコキシまたはアリールオキシである。Ｒ5 は
水素、アルキルまたはアルコキシである。Ｒ6 はｐ−
（２，２−ジシアノビニル）フェニル、ｐ−（１，２，
２−トリシアノビニル）フェニル、５−（２，２−ジシ
アノビニル）チアゾリル、５−（１，２，２−トリシア
ノビニル）チアゾリル、４−クロロ−５−（２，２−ジ
シアノビニル）チアゾリル、４−クロロ−５−（１，
２，２−トリシアノビニル）チアゾリルまたは５−ニト
ロチアゾリルである。
成される図６および図７のモノマー６４は好適なトリア
ジン先駆体の一例でしかない。図９は使用可能なトリア
ジン先駆体の一般式を示す。図９において、Ｒ1 および
Ｒ2 は、（ＣＨ2 ）n または−（−ＣＨ2 …φ…Ｃ（Ｍ
ｅ）2 −）n −であり、２−（４´−メチレンフェニレ
ン）プロピリデニルとも指称できる。ｎは０〜１０の整
数である。Ｒ3 およびＲ4 は、水素、アルキル、アルケ
ニル、アルコキシまたはアリールオキシである。Ｒ5 は
水素、アルキルまたはアルコキシである。Ｒ6 はｐ−
（２，２−ジシアノビニル）フェニル、ｐ−（１，２，
２−トリシアノビニル）フェニル、５−（２，２−ジシ
アノビニル）チアゾリル、５−（１，２，２−トリシア
ノビニル）チアゾリル、４−クロロ−５−（２，２−ジ
シアノビニル）チアゾリル、４−クロロ−５−（１，
２，２−トリシアノビニル）チアゾリルまたは５−ニト
ロチアゾリルである。
【００２９】以上、光学的に非線形の染料部分を含有す
る架橋トリアジンの製造方法、および各種の有用なデバ
イスにおける使用方法について詳細に説明した。二次磁
化率は高温度であっても、従来技術の材料の二次磁化率
と拮抗するが、三次以上においても同様に、有用な磁化
率を有する。このような染料部分を有するトリアジンの
その他の様々な製造方法は本発明にもとることなく、当
業者により創出することができる。トリアジンを光学的
非線形素子として使用するように明記されたデバイス以
外のデバイスも同様に当業者が創出できる。また、本発
明にもとることなく、様々なその他の実施例および変形
も可能である。
る架橋トリアジンの製造方法、および各種の有用なデバ
イスにおける使用方法について詳細に説明した。二次磁
化率は高温度であっても、従来技術の材料の二次磁化率
と拮抗するが、三次以上においても同様に、有用な磁化
率を有する。このような染料部分を有するトリアジンの
その他の様々な製造方法は本発明にもとることなく、当
業者により創出することができる。トリアジンを光学的
非線形素子として使用するように明記されたデバイス以
外のデバイスも同様に当業者が創出できる。また、本発
明にもとることなく、様々なその他の実施例および変形
も可能である。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による光学
的非線形素子は共有結合された光学的非線形染料部分を
含有する架橋されたトリアジンポリマーからなる。硬化
されたトリアジンはこの染料部分を強力に安定化し、そ
して、このような安定化は長期間にわたり、しかも、高
温条件下で継続する。この安定性はまた、高非線形磁化
率にとって必要な双極子の整列の特性を表す。トリアジ
ンは薄膜形状で使用しやすいといったような利点を有
し、更に、本質的に熱に対して安定である。
的非線形素子は共有結合された光学的非線形染料部分を
含有する架橋されたトリアジンポリマーからなる。硬化
されたトリアジンはこの染料部分を強力に安定化し、そ
して、このような安定化は長期間にわたり、しかも、高
温条件下で継続する。この安定性はまた、高非線形磁化
率にとって必要な双極子の整列の特性を表す。トリアジ
ンは薄膜形状で使用しやすいといったような利点を有
し、更に、本質的に熱に対して安定である。
【図１】本発明の代表的実施例による電気光学方向性結
合器またはスイッチの模式的斜視図である。
合器またはスイッチの模式的斜視図である。
【図２】本発明が使用された集積ソリッドステートレー
ザ同調器および周波数安定器の模式的斜視図である。
ザ同調器および周波数安定器の模式的斜視図である。
【図３】本発明が使用された二次調波周波数を発生する
デバイスの模式図である。
デバイスの模式図である。
【図４】本発明が使用された電気光学的相／輝度変調器
の模式図である。
の模式図である。
【図５】本発明が使用された電気光学的導波輝度変調器
の模式的斜視図である。
の模式的斜視図である。
【図６】本発明の一例による合成モノマーの製造方法の
一例の反応方程式である。
一例の反応方程式である。
【図７】図６のモノマーからトリアジンポリマーを製造
する方法の一例の反応方程式である。
する方法の一例の反応方程式である。
【図８】従来技術の２種類の光学的に非線形の材料の熱
安定性と本発明により生成されたトリアジン材料の熱安
定性を比較したグラフである。
安定性と本発明により生成されたトリアジン材料の熱安
定性を比較したグラフである。
【図９】本発明によりトリアジンを生成するのに使用で
きるモノマーの一般式である。
きるモノマーの一般式である。
１ スイッチ ２ 基板 ３ チャネル導波路 ４ チャネル導波路 ５ 電極 ６ 電極 ７ 中心領域 ８ 中心領域 ２０ 注入または接合レーザ ２２ 薄膜 ２３ 発光ジャンクション ２４ 対向電極 ２５ 対向電極 ２４ａ 電極 ２５ａ 電極 ３０ 入射光線 ３１ 光学的非線形薄膜 ３２ 新生コリニアビーム ３３ 新生コリニアビーム ３４ プリズム ４０ 入射光 ４１ 非線形薄膜 ４２ 透明電極 ４３ 透明電極 ４４ 電源 ４５ 偏光器 ５０ トリアジン非線形薄膜 ５１ 導電性基板 ５２ 絶縁被膜 ５３ 電極 ５４ アーム ５５ 再結合点 ６０ 出発物質 ６１ 中間体 ６２ ビス（４−ヒドロキシベンジル）アニリン中間体 ６３ ビス（４−シアナトベンジル）アニリン中間体 ６４ ｐ−（Ｎ，Ｎ−ビス（４´−シアナトベンジル）
アミノ）−ｐ´−（２，２−ジシアノビニル）アゾベン
ゼン中間体 ６５ ジシアノビニルアゾ染料部分
アミノ）−ｐ´−（２，２−ジシアノビニル）アゾベン
ゼン中間体 ６５ ジシアノビニルアゾ染料部分
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−173729（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−183235（ＪＰ，Ａ) 特公 昭61−59306（ＪＰ，Ｂ２) 米国特許4859876（ＵＳ，Ａ)
Claims (25)
- 【請求項１】 共有結合された光学的に非線形の染料部
分を含有する架橋トリアジンからなる光学的非線形素
子；光学的入力を前記素子に加え、そして、前記素子か
らの光学的出力を画成する手段；からなり、光学的非線
形素子は、光学的入力時に非線形素子に加えられる光学
的エネルギーに対して概ね透明である光デバイス。 - 【請求項２】 前記非線形素子に電界を印加し、その光
学特性を変化させる手段を更に含む請求項１のデバイ
ス。 - 【請求項３】 素子は基板上のトリアジン被膜である請
求項１のデバイス。 - 【請求項４】 膜は膜厚が１ミクロン〜２００ミクロン
のものである請求項３のデバイス。 - 【請求項５】 架橋トリアジンは、ｐ−（Ｎ，Ｎ−ビス
（４´−シアナトベンジル）アミノ）−ｐ´−（２，２
−ジシアノビニル）アゾベンゼンを環化三量重合するこ
とにより生成される請求項１のデバイス。 - 【請求項６】 前記環化三量重合の少なくとも一時期中
に、素子にポーリング電圧を印加し、光学的非線形染料
部分の双極子を整列させる請求項５のデバイス。 - 【請求項７】 染料部分はジシアノビニルアゾ染料であ
る請求項６のデバイス。 - 【請求項８】 所期の光学的入力エネルギーは約０．８
〜約２．０ミクロンの範囲内の波長を有する請求項７の
デバイス。 - 【請求項９】 架橋トリアジンは図９のモノマーを環化
三量重合することにより生成される請求項１のデバイ
ス。 - 【請求項１０】 ｐ−（Ｎ，Ｎ−ビス（４´−シアナト
ベンジル）アミノ）−ｐ´−（２，２−ジシアノビニ
ル）アゾベンゼンは図６の方法により生成される請求項
５のデバイス。 - 【請求項１１】 光学的非線形素子の間近の第２の非線
形素子；光学的非線形素子からの光学的エネルギーを第
２の非線形素子に光学的に伝達する手段；を更に含み、
光学的伝達手段は光学的非線形素子中に電界を光学的に
確立する手段からなる請求項１の光デバイス。 - 【請求項１２】 光学的非線形素子と緊密に光学的に接
続された半導体レーザ；光学的非線形素子の全体に電界
を印加する手段からなる、レーザの出力周波数を安定化
させる手段を更に含む請求項１の光デバイス。 - 【請求項１３】 光学的非線形素子は光入力時に供給さ
れる光の二次調波を発生する手段からなる請求項１の光
デバイス。 - 【請求項１４】 光入力および光出力間の光学的非線形
素子の一部分は等しい物理長さの２本のアームに分割さ
れており；前記アームの光学的路長を整列させるため
に、前記アームのうちの一つの間近に電極が含有されて
いる請求項１の光デバイス。 - 【請求項１５】 光学的非線形素子中に電界を印加する
手段からなる、光入力部に印加され、そして、光出力部
から送信される光学的エネルギーの相を変更する手段を
更に含む請求項１の光デバイス。 - 【請求項１６】 染料部分を含有するモノマーを合成
し；溶液状のモノマーを環化三量重合してトリアジンオ
リゴマー溶液を生成し；オリゴマー溶液を基板上に展延
し；染料部分の双極子を整列させるのに十分な強度の電
界の存在下でオリゴマーをポリ環化三量重合して基板上
に架橋トリアジンの光学的に非線形の被膜を形成し；そ
して、トリアジン被膜の或る部分に光学的入力手段と、
トリアジン被膜の別の部分に光学的出力手段を画成す
る；工程からなる非線形光デバイスの製造方法。 - 【請求項１７】 モノマーは図９に示される形状のもの
である請求項１６の方法。 - 【請求項１８】 モノマーはｐ−（Ｎ，Ｎ−ビス（４´
−シアナトベンジル）アミノ）−ｐ´−（２，２−ジシ
アノビニル）アゾベンゼンである請求項１７の方法。 - 【請求項１９】 染料部分はジシアノビニルアゾ部分で
ある請求項１６の方法。 - 【請求項２０】 展延工程はオリゴマー溶液を厚さ１〜
２００ミクロンまで回転塗布することからなる請求項１
６の方法。 - 【請求項２１】 モノマーは図６の方法により生成され
る請求項１８の方法。 - 【請求項２２】 請求項１６の方法により製造される非
線形光デバイス。 - 【請求項２３】 光伝送素子からなる光デバイスであ
り、光伝送素子の少なくとも一部分は光学的非線形素子
からなり；光学的非線形素子は共有結合された光学的非
線形染料部分を含有するトリアジンポリマーからなり；
トリアジンポリマーに印加する電圧をコントロールする
手段からなる、光伝送素子により伝送された光の性質を
コントロールする手段を含む光デバイス。 - 【請求項２４】 トリアジン先駆体はｐ−（Ｎ，Ｎ−ビ
ス（４´−シアナトベンジル）アミノ）−ｐ´−（２，
２−ジシアノビニル）アゾベンゼンである請求項２３の
デバイス。 - 【請求項２５】 染料部分はジシアノビニルアゾである
請求項２３のデバイス。
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