JP2500768B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JP2500768B2 JP2500768B2 JP17723193A JP17723193A JP2500768B2 JP 2500768 B2 JP2500768 B2 JP 2500768B2 JP 17723193 A JP17723193 A JP 17723193A JP 17723193 A JP17723193 A JP 17723193A JP 2500768 B2 JP2500768 B2 JP 2500768B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
に関し、特に、中空パッケージ内に半導体素子を封止す
る半導体装置の製造方法に関する。
に関し、特に、中空パッケージ内に半導体素子を封止す
る半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の技術について図３を用いて説明す
る。従来の中空パッケージを用いる半導体装置の製造方
法では、図３の（ａ）に示すように、キャップ７に熱硬
化性の樹脂１０を塗布し、このキャップを図３の（ｂ）
に示すように、半導体素子２の搭載されたケース１に載
置し、キャップ７とケース１を押さえつけて密着させた
状態で真空オーブン炉中で加熱し、熱硬化性の樹脂１０
を溶融、硬化させてシールしていた。この際、ケース１
内の空気が膨張し圧力が高くなることを防ぐために、キ
ャップ７に塗布する熱硬化性樹脂１０に断点（エア逃
げ）１１を作り、炉内の気圧を下げケース１内の気圧を
下げた状態で熱硬化性の樹脂１０が溶融し、断点１１を
ふさぐ状態で硬化させ、シールを行っていた。
る。従来の中空パッケージを用いる半導体装置の製造方
法では、図３の（ａ）に示すように、キャップ７に熱硬
化性の樹脂１０を塗布し、このキャップを図３の（ｂ）
に示すように、半導体素子２の搭載されたケース１に載
置し、キャップ７とケース１を押さえつけて密着させた
状態で真空オーブン炉中で加熱し、熱硬化性の樹脂１０
を溶融、硬化させてシールしていた。この際、ケース１
内の空気が膨張し圧力が高くなることを防ぐために、キ
ャップ７に塗布する熱硬化性樹脂１０に断点（エア逃
げ）１１を作り、炉内の気圧を下げケース１内の気圧を
下げた状態で熱硬化性の樹脂１０が溶融し、断点１１を
ふさぐ状態で硬化させ、シールを行っていた。
【０００３】半導体素子が熱により障害を受けるもので
ある場合、上記の熱硬化性樹脂を用いる手段に代え、紫
外線硬化性の樹脂を用いることが提案されている（例え
ば、特開昭５６−１１６６４９号公報、特開昭６３−１
２２２４９号公報等）。この封止方法では、ケース上に
ペースト状の紫外線硬化性の樹脂をディスペンサ等を用
いて塗布し、これにキャップを搭載し、常温で紫外線を
一定時間照射して樹脂を硬化させシールしている。
ある場合、上記の熱硬化性樹脂を用いる手段に代え、紫
外線硬化性の樹脂を用いることが提案されている（例え
ば、特開昭５６−１１６６４９号公報、特開昭６３−１
２２２４９号公報等）。この封止方法では、ケース上に
ペースト状の紫外線硬化性の樹脂をディスペンサ等を用
いて塗布し、これにキャップを搭載し、常温で紫外線を
一定時間照射して樹脂を硬化させシールしている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した第１の従来例
では、熱硬化性の樹脂にエア逃げ用の断点を形成してい
たが、この断点が大きすぎると断点が十分に塞がらず、
また小さすぎるとエア抜きの機能を果たさなくなるとい
う問題があり、厳格な工程管理を必要とし、また、シー
ル作業を減圧下で行わなければならないという工程上の
煩雑さがあった。また、熱によって障害をうける半導体
素子を搭載するパッケージのシール手段には不向きであ
った。
では、熱硬化性の樹脂にエア逃げ用の断点を形成してい
たが、この断点が大きすぎると断点が十分に塞がらず、
また小さすぎるとエア抜きの機能を果たさなくなるとい
う問題があり、厳格な工程管理を必要とし、また、シー
ル作業を減圧下で行わなければならないという工程上の
煩雑さがあった。また、熱によって障害をうける半導体
素子を搭載するパッケージのシール手段には不向きであ
った。
【０００５】上述した第２の従来例の紫外線硬化型の樹
脂を使用する方法では、第１の従来例の場合のように、
パッケージを加熱する必要がないので、シール時の熱に
よるケース内の気圧の上昇はなくなるが、キャップをケ
ースに搭載する時に紫外線硬化性の樹脂を押しつぶして
密着させるため、ケース内の気圧が数％高くなってい
る。そのため、この半導体装置を使用する環境の温度が
上昇した場合、ケース内部の空気が膨張し、シール部に
ストレスがかかり、シール部が破損して気密性を損なわ
れる恐れが生じる。
脂を使用する方法では、第１の従来例の場合のように、
パッケージを加熱する必要がないので、シール時の熱に
よるケース内の気圧の上昇はなくなるが、キャップをケ
ースに搭載する時に紫外線硬化性の樹脂を押しつぶして
密着させるため、ケース内の気圧が数％高くなってい
る。そのため、この半導体装置を使用する環境の温度が
上昇した場合、ケース内部の空気が膨張し、シール部に
ストレスがかかり、シール部が破損して気密性を損なわ
れる恐れが生じる。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の製
造方法は、半導体素子が搭載された、上方が開放された
箱型ケースを平板状キャップにて封止する方法に関する
ものであって、前記箱型ケースまたは前記平板状キャッ
プの少なくともいずれか一方に紫外線硬化性の樹脂を塗
布し、ケースを一定温度に昇温した状態で平板状キャッ
プをケースに密着させ、気密性を保った状態で紫外線を
照射して紫外線硬化性の樹脂を硬化させることを特徴と
している。
造方法は、半導体素子が搭載された、上方が開放された
箱型ケースを平板状キャップにて封止する方法に関する
ものであって、前記箱型ケースまたは前記平板状キャッ
プの少なくともいずれか一方に紫外線硬化性の樹脂を塗
布し、ケースを一定温度に昇温した状態で平板状キャッ
プをケースに密着させ、気密性を保った状態で紫外線を
照射して紫外線硬化性の樹脂を硬化させることを特徴と
している。
【０００７】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図１は、本発明の第１の実施例による製造
方法を説明するための平面図および断面図である。図１
の（ａ）、（ｂ）に示すように、セラミックまたはモー
ルド樹脂からなるケース１に固体撮像素子等の半導体素
子２を搭載し、金属配線３によって各端子４と半導体素
子２とを接続した後、ケース１に、ディスペンサ等を用
い、ペースト状の紫外線硬化性の樹脂５を塗布する。し
かる後、図１の（ｂ）に示すように、紫外線硬化性の樹
脂５の塗布されたケース１をヒータ６で約５０℃程度に
昇温し、ケース内の空気を希薄にする。その状態で、図
１の（ｃ）に示すように、ケース１上にキャップ７を密
着させ、気密性を保った状態で紫外線８を照射し、紫外
線硬化性の樹脂５を硬化させる。
て説明する。図１は、本発明の第１の実施例による製造
方法を説明するための平面図および断面図である。図１
の（ａ）、（ｂ）に示すように、セラミックまたはモー
ルド樹脂からなるケース１に固体撮像素子等の半導体素
子２を搭載し、金属配線３によって各端子４と半導体素
子２とを接続した後、ケース１に、ディスペンサ等を用
い、ペースト状の紫外線硬化性の樹脂５を塗布する。し
かる後、図１の（ｂ）に示すように、紫外線硬化性の樹
脂５の塗布されたケース１をヒータ６で約５０℃程度に
昇温し、ケース内の空気を希薄にする。その状態で、図
１の（ｃ）に示すように、ケース１上にキャップ７を密
着させ、気密性を保った状態で紫外線８を照射し、紫外
線硬化性の樹脂５を硬化させる。
【０００８】上記製造方法では、キャップを接着するシ
ーリング工程において、キャビティ内には希薄化された
空気が閉じ込められるため、紫外線硬化性の樹脂を押し
潰してシーリングを行ってもキャビティ内はなお減圧さ
れた状態にとどまる。そのため、半導体装置が高温環境
下で使用されることがあってもシール部に過大なストレ
スが加わることはなくなり、ケースが破損されることは
なくなる。
ーリング工程において、キャビティ内には希薄化された
空気が閉じ込められるため、紫外線硬化性の樹脂を押し
潰してシーリングを行ってもキャビティ内はなお減圧さ
れた状態にとどまる。そのため、半導体装置が高温環境
下で使用されることがあってもシール部に過大なストレ
スが加わることはなくなり、ケースが破損されることは
なくなる。
【０００９】次に、図２を参照して、本発明の第２の実
施例について説明する。第１の実施例の場合と同様に、
ケース１に半導体素子２を搭載し、金属配線３によって
各端子４と半導体素子２とを接続した後、ケース１に、
紫外線硬化性の樹脂５を塗布する。しかる後、図２に示
すように、紫外線硬化性の樹脂５の塗布されたケース１
を温風発生機９により約５０℃に昇温し、ケース内の空
気を希薄化する。その状態で、キャップ７をケース１に
密着させ、気密性を保った状態で紫外線を照射し、紫外
線硬化性の樹脂５を硬化させる。
施例について説明する。第１の実施例の場合と同様に、
ケース１に半導体素子２を搭載し、金属配線３によって
各端子４と半導体素子２とを接続した後、ケース１に、
紫外線硬化性の樹脂５を塗布する。しかる後、図２に示
すように、紫外線硬化性の樹脂５の塗布されたケース１
を温風発生機９により約５０℃に昇温し、ケース内の空
気を希薄化する。その状態で、キャップ７をケース１に
密着させ、気密性を保った状態で紫外線を照射し、紫外
線硬化性の樹脂５を硬化させる。
【００１０】以上好ましい実施例について説明したが、
本発明はこれら実施例に限定されるものではなく、特許
請求の範囲に記載された本願発明の要旨内において各種
の変更が可能である。例えば、ヒータや温風発生機を用
いる昇温手段に代え、恒温室内でケースを昇温すること
ができる。また、ケースとキャップとを密着した後には
昇温を中止し、常温にて紫外線照射を行うようにするこ
とができる。
本発明はこれら実施例に限定されるものではなく、特許
請求の範囲に記載された本願発明の要旨内において各種
の変更が可能である。例えば、ヒータや温風発生機を用
いる昇温手段に代え、恒温室内でケースを昇温すること
ができる。また、ケースとキャップとを密着した後には
昇温を中止し、常温にて紫外線照射を行うようにするこ
とができる。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による半導
体装置の製造方法は、中空パッケージのケースにキャッ
プをシールする際に紫外線硬化性の樹脂を使用し、比較
的低温（例えば、５０℃）に昇温してケース内の空気を
希薄化し、その状態でケースとキャップとを密着させ紫
外線照射によって樹脂を硬化させるものであるので、以
下の効果を奏することができる。 熱硬化性の樹脂を用いてシーリングを行うものでは
ないので、高温加熱に伴う工程の煩雑さを回避すること
ができ、また半導体素子が熱によって破損されるのを防
止することができる。 封止後にキャビティ内を減圧状態とすることができ
るため、半導体装置が高温環境下で使用された場合であ
っても、ケース内の気圧上昇を抑制されたものとするこ
とができ、気圧上昇によってシール部が破損する事故を
防止することができる。 真空室のような高価な設備を必要とせず、加熱とい
う簡単な手段を用いてキャビティ内を減圧状態にするこ
とができるので、コスト上昇を招くことなく品質の向上
を図ることができる。
体装置の製造方法は、中空パッケージのケースにキャッ
プをシールする際に紫外線硬化性の樹脂を使用し、比較
的低温（例えば、５０℃）に昇温してケース内の空気を
希薄化し、その状態でケースとキャップとを密着させ紫
外線照射によって樹脂を硬化させるものであるので、以
下の効果を奏することができる。 熱硬化性の樹脂を用いてシーリングを行うものでは
ないので、高温加熱に伴う工程の煩雑さを回避すること
ができ、また半導体素子が熱によって破損されるのを防
止することができる。 封止後にキャビティ内を減圧状態とすることができ
るため、半導体装置が高温環境下で使用された場合であ
っても、ケース内の気圧上昇を抑制されたものとするこ
とができ、気圧上昇によってシール部が破損する事故を
防止することができる。 真空室のような高価な設備を必要とせず、加熱とい
う簡単な手段を用いてキャビティ内を減圧状態にするこ
とができるので、コスト上昇を招くことなく品質の向上
を図ることができる。
【図１】本発明の第１の実施例の製造方法を説明するた
めの平面図と断面図。
めの平面図と断面図。
【図２】本発明の第２の実施例の製造方法を説明するた
めの断面図。
めの断面図。
【図３】従来例を説明するためのキャップの平面図と半
導体装置の断面図。
導体装置の断面図。
１ ケース ２ 半導体素子 ３ 金属配線 ４ 外部端子 ５ 紫外線硬化性の樹脂 ６ ヒータ ７ キャップ ８ 紫外線 ９ 温風発生機 １０ 熱硬化性の樹脂 １１ 断点
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体素子が搭載された、上方が開放さ
れた箱型ケースを平板状キャップにて封止する半導体装
置の製造方法において、前記箱型ケースまたは前記平板
状キャップの少なくとも一方に紫外線硬化性の樹脂を塗
布し、ケースを一定温度に昇温した状態で平板状キャッ
プをケースに密着させ、気密性を保った状態で紫外線を
照射して紫外線硬化性の樹脂を硬化させることを特徴と
する半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 常温で紫外線照射を行うことを特徴とす
る請求項１記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17723193A JP2500768B2 (ja) | 1993-06-24 | 1993-06-24 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17723193A JP2500768B2 (ja) | 1993-06-24 | 1993-06-24 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0786457A JPH0786457A (ja) | 1995-03-31 |
| JP2500768B2 true JP2500768B2 (ja) | 1996-05-29 |
Family
ID=16027449
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17723193A Expired - Fee Related JP2500768B2 (ja) | 1993-06-24 | 1993-06-24 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2500768B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009033007A (ja) * | 2007-07-30 | 2009-02-12 | Kyoritsu Kagaku Sangyo Kk | 密封中空構造体の製造方法およびその方法により製造した中空構造体 |
-
1993
- 1993-06-24 JP JP17723193A patent/JP2500768B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0786457A (ja) | 1995-03-31 |
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