JP2024543550A5 - - Google Patents
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Applications Claiming Priority (3)
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|---|---|---|---|
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| FR2113508A FR3130296B1 (fr) | 2021-12-14 | 2021-12-14 | Procede de fabrication d’une structure semi-conductrice comprenant un substrat de carbure de silicium polycristallin et une couche active de carbure de silicium monocristallin |
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Publications (2)
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|---|---|
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Family Applications (1)
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