JP2024507573A - 自立窒化ガリウム基板の製作方法 - Google Patents
自立窒化ガリウム基板の製作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2024507573A JP2024507573A JP2023551706A JP2023551706A JP2024507573A JP 2024507573 A JP2024507573 A JP 2024507573A JP 2023551706 A JP2023551706 A JP 2023551706A JP 2023551706 A JP2023551706 A JP 2023551706A JP 2024507573 A JP2024507573 A JP 2024507573A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gallium nitride
- thin film
- substrate
- nitride thin
- metal grid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 209
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 206
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 185
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 113
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 105
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims abstract description 34
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims abstract description 34
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims abstract description 27
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 114
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 114
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 16
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 16
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 16
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 15
- 238000002248 hydride vapour-phase epitaxy Methods 0.000 claims description 9
- 238000011161 development Methods 0.000 claims description 8
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 8
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 8
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 claims description 8
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000005554 pickling Methods 0.000 claims description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000032798 delamination Effects 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 abstract description 11
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 67
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 6
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 6
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000003745 diagnosis Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000001534 heteroepitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02387—Group 13/15 materials
- H01L21/02389—Nitrides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/0242—Crystalline insulating materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/301—AIII BV compounds, where A is Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
- C23C16/303—Nitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/18—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
- C30B29/403—AIII-nitrides
- C30B29/406—Gallium nitride
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/02433—Crystal orientation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02538—Group 13/15 materials
- H01L21/0254—Nitrides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02609—Crystal orientation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02656—Special treatments
- H01L21/02664—Aftertreatments
- H01L21/02694—Controlling the interface between substrate and epitaxial layer, e.g. by ion implantation followed by annealing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68318—Auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68368—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used in a transfer process involving at least two transfer steps, i.e. including an intermediate handle substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
- H01L2221/68386—Separation by peeling
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
本開示は、1)サファイア基板及び窒化ガリウム薄膜を備える複合基板を提供することと、2)窒化ガリウム薄膜に仮粘結層を形成することと、3)転移基板を仮粘結層により複合基板にボンディングすることと、4)レーザ剥離プロセスによりサファイア基板を剥離することと、5)受け基板と窒化ガリウム薄膜とを弱ボンディングさせ、仮粘結層を失効させて転移基板を窒化ガリウム薄膜から剥離することと、6)窒化ガリウム薄膜に窒化ガリウムエピタキシャル層をエピタキシャル成長させ、窒化ガリウム薄膜及び窒化ガリウムエピタキシャル層と受け基板との間の格子不整合応力及び/又は熱的不整合応力により、弱ボンディングを失効させて、窒化ガリウム薄膜と受け基板との間の分離を実現することと、を含む自立窒化ガリウム基板の製作方法を開示する。本願は、格子不整合及び熱的不整合によりヘテロ窒化ガリウムエピタキシャル層の厚みが制限されるという欠陥を効果的に克服し、自立窒化ガリウム基板の品質を高め、自立窒化ガリウム基板の製作コストを低減させることができる。【選択図】図6
Description
本願の実施例は、半導体製造の分野、例えば自立窒化ガリウム基板の製作方法に関する。
窒化ガリウム(GaN)及びその合金に代表される第3世代半導体材料は、ここ十数年来、国際的に非常に重視されている新型半導体材料であり、禁制帯幅が大きく、電子飽和ドリフト速度が高く、誘電率が小さく、熱伝導性能がよく、構造的に安定しているなどの多くの優れた性能を有し、光電子及びマイクロエレクトロニクス技術分野のいずれにおいても大きな応用見通しがある。光電子分野においては、III族窒化物の禁制帯幅が0.7~6.2eVの範囲内で連続的に調整可能であり、赤光から紫外光までの波長帯をカバーしているため、緑色、青色ないし紫外の波長帯の発光デバイス及び白色光照明を製作可能である。また、最近台頭している紫外光LEDは、スクリーン印刷、ポリマー硬化、環境保護においても特殊な用途を示しており、研究者の研究意欲を大いに奮い立たせている。GaNレーザは、情報記憶分野においても大きな役割を果たしており、さらに、医療診断、海底潜水探査及び通信などの各方面でも応用できる。
GaNバルク単結晶の作製が困難であり、大サイズで品質のよいバルク単結晶GaN基板が得られにくいため、GaNのエピタキシャル成長は、通常、ヘテロエピタキシーの方式で行われている。しかし、GaNを基板として採用してデバイスをホモエピタキシーすると、デバイス性能が大幅に高められることは、理論及び実験のいずれによっても判明している。そのため、自立GaN基板の製造は、人々に注目されている。
現在、大面積のGaN自立基板は通常、全てヘテロ基板にGaN厚膜を気相成長させ、その後、元のヘテロ基板を分離することによって得られるものである。そのうち、サファイア基板は、最も常用されている基板である。自立基板を得るために、サファイア基板を除去する必要がある。サファイアは、硬質で、化学性質が安定しているため、化学的腐蝕又は機械的研磨の方法により除去されにくい。現在、レーザ剥離の方法をよく使用してGaNとサファイア基板とを分離している。しかし、レーザ剥離は、技術的コストが高価であり、且つレーザ剥離の過程において、界面でGaNが高温分解した後に発生した高圧気体は、作製するGaN自立基板に損傷を与えやすく、軽い場合、GaN自立基板に大量の転位及びマイクロクラックを発生させてその後のデバイスの品質に影響を与え、重い場合、GaN自立基板を完全に解砕させて歩留を大きく低下させる。
要するに、ヘテロ材料のエピタキシーでエピタキシャル成長を行うときに、格子不整合及び熱的不整合により、ヘテロエピタキシャル窒化ガリウムの厚みが制限され、同時に窒化ガリウム単結晶を解離するプロセス難度が大きく、大サイズのサファイア/窒化ガリウム厚膜複合基板(HVPE一回エピタキシャルウェーハ)ではとりわけ顕著に表れる。
以下は、本稿で詳しく説明される主題についての概説である。本概説は、請求項の保護範囲を制限するためのものではない。
以上に記載された関連技術の欠点に鑑み、本願の実施例は、関連技術における、厚みが大きい窒化ガリウムエピタキシャル層及びサファイア基板に大きな格子不整合及び熱的不整合が存在することによりヘテロエピタキシャル窒化ガリウムの厚みが制限されるという問題を解決するための、自立窒化ガリウム基板の製作方法を提供する。
本願の実施例は、1)サファイア基板及び前記サファイア基板に形成された窒化ガリウム薄膜を備える複合基板を提供することと、2)前記窒化ガリウム薄膜に仮粘結層を形成することと、3)転移基板を提供し、前記転移基板を前記仮粘結層により前記複合基板にボンディングすることと、4)レーザ剥離プロセスにより前記サファイア基板を剥離し、前記窒化ガリウム薄膜を露出させることと、5)受け基板を提供し、前記受け基板と前記窒化ガリウム薄膜とを弱ボンディングさせ、前記仮粘結層を失効させて前記転移基板を前記窒化ガリウム薄膜から剥離することと、6)前記窒化ガリウム薄膜に窒化ガリウムエピタキシャル層をエピタキシャル成長させ、前記窒化ガリウムエピタキシャル層を一定の厚みに成長させた後、前記窒化ガリウム薄膜及び前記窒化ガリウムエピタキシャル層と前記受け基板との間の格子不整合応力及び熱的不整合応力により、前記窒化ガリウム薄膜と前記受け基板との間の弱ボンディング状態を失効させて、前記窒化ガリウム薄膜と前記受け基板との間の分離を実現し、自立窒化ガリウム基板を得ることと、を含む自立窒化ガリウム基板の製作方法を提供する。
好ましくは、ステップ5)は、前記受け基板の表面に第1の金属グリッドを形成し、前記窒化ガリウム薄膜の表面に第2の金属グリッドを形成し、前記第1の金属グリッドと前記第2の金属グリッドとを積層した後、ボンディングプロセスにより前記第1の金属グリッドと前記第2の金属グリッドとを相互拡散させることで前記受け基板と前記窒化ガリウム薄膜とを弱ボンディングさせ、同時に前記ボンディングプロセスで前記仮粘結層を失効させて前記転移基板を前記窒化ガリウム薄膜から剥離することを含む。
好ましくは、前記ボンディングプロセスの温度は、前記第1の金属グリッド及び前記第2の金属グリッドの溶融温度よりも低い。
好ましくは、前記第1の金属グリッドの材料は、Ti、Cr及びMoのうちの1種類を含み、前記第2の金属グリッドの材料は、Ti、Cr及びMoのうちの1種類を含む。
好ましくは、前記受け基板の表面に第1の金属グリッドを形成することは、前記受け基板の表面にフォトレジスト層を形成し、露光プロセス及び現像プロセスを経た後、前記受け基板にグリッド溝状のフォトリソグラフィパターンを形成することと、蒸着プロセス及び金属剥離プロセスにより前記受け基板の表面に第1の金属グリッドを形成することと、を含み、前記窒化ガリウム薄膜の表面に第2の金属グリッドを形成することは、前記窒化ガリウム薄膜の表面にフォトレジスト層を形成し、露光プロセス及び現像プロセスを経た後、前記窒化ガリウム薄膜にグリッド溝状のフォトリソグラフィパターンを形成することと、蒸着プロセス及び金属剥離プロセスにより前記窒化ガリウム薄膜の表面に第2の金属グリッドを形成することと、を含む。
好ましくは、前記第1の金属グリッド及び前記第2の金属グリッドの形状及び大きさは、同じであり、且つ前記受け基板と前記窒化ガリウム薄膜とをボンディングさせるときに、前記第1の金属グリッドと前記第2の金属グリッドとは合わさって重なる。
好ましくは、ステップ2)は、回転塗布プロセスにより前記窒化ガリウム薄膜に仮粘結層を形成し、前記仮粘結層は、エポキシ樹脂及び高温ワックスのうちの1種類を含む。
好ましくは、前記転移基板、受け基板の材料は、サファイア、シリコン及び石英のうちの1種類を含む。
好ましくは、ステップ4)は、前記窒化ガリウム薄膜の表面に残余した金属ガリウムを除去するように、露出された前記窒化ガリウム薄膜の表面を酸洗するステップをさらに含む。
好ましくは、ステップ6)は、ハイドライド気相エピタキシープロセスにより前記窒化ガリウム薄膜に窒化ガリウムエピタキシャル層をエピタキシャル成長させる。
上述のように、本願の実施例に係る自立窒化ガリウム基板の製作方法は、以下の有益な効果を有する。
本願の実施例は、受け基板及び金属グリッドにより、本来のサファイア基板と窒化ガリウムエピタキシャル層との間を化学結合の強結合状態から金属グリッドにより実現される弱ボンディング状態に変えることで、窒化ガリウム薄膜と受け基板との間を弱接続状態にして、ハイドライド気相エピタキシープロセスで窒化ガリウムエピタキシャル層を成長させるときに受け基板の格子の束縛を弱め、これにより、窒化ガリウムエピタキシャル層を厚い状態に成長させ、且つ、一定の厚みになると、格子不整合応力及び熱的不整合応力を利用して、窒化ガリウム薄膜と受け基板との間の弱接続状態を突破し、窒化ガリウムエピタキシャル層と受け基板との分離を実現することができ、一回のエピタキシャル成長だけで厚みが大きい窒化ガリウムエピタキシャル層を得ることができる。本願の実施例は、格子不整合及び熱的不整合によりヘテロ窒化ガリウムエピタキシャル層の厚みが制限されるという欠陥を効果的に克服し、自立窒化ガリウム基板の品質を高め、自立窒化ガリウム基板の製作コストを低減させることができる。
図面及び詳細な説明を閲読して理解した後、他の面を理解することができる。
図面は、本稿の技術態様についてのさらなる理解を提供するためのものであり、且つ明細書の一部であり、本願の実施例とともに本稿の技術態様を解釈するために用いられるが、本稿の技術態様を制限するものではない。
101・・・サファイア基板、102・・・窒化ガリウム薄膜、103・・・転移基板、104・・・仮粘結層、105・・・受け基板、106・・・第1の金属グリッド、107・・・第2の金属グリッド、108・・・窒化ガリウムエピタキシャル層。
以下、特定の具体的な実例により本願の実施形態を説明し、当業者であれば、本明細書に掲示される内容から本願の他の利点及び効果を容易に了解することができる。本願は、他の異なる具体的な実施形態により実施又は応用されてもよく、本明細書における各細部も、異なる観点及び応用に基づいて、本願の精神から逸脱することなく様々な修飾又は変更を行うことが可能である。
例えば、本願の実施例を詳述するときに、説明を容易にするために、デバイス構造を示す断面図は、一般的な割合によらず部分的に拡大され、且つ前記模式図は、例に過ぎず、ここで本願の保護範囲を制限すべきではない。また、実際の製作においては、長さ、幅及び深さの3次元空間のサイズを含むべきである。
説明を容易にするために、ここでは例えば「の下」、「下方」、「よりも低い」、「下面」、「上方」、「上」などの空間関係の用語を使用して図面に示す1つの素子又は特徴と他の素子又は特徴との関係を説明する可能性がある。これらの空間関係の用語が、使用中又は操作中のデバイスの、図面に描かれる方向以外の他の方向を含むことを意図していることが理解される。また、1つの層が2つの層「の間」にあると言われる場合、それは、前記2つの層の間のオンリーの層であってもよいし、又はその間に介在する1つ又は複数の層が存在してもよい。
本願の文脈において、説明される第1の特徴が第2の特徴「の上」にある構造は、第1の特徴と第2の特徴とが直接接触するように形成される実施例を含んでもよいし、他の特徴が第1の特徴と第2の特徴との間に形成される実施例を含んでもよく、このように第1の特徴と第2の特徴とが直接接触しない可能性がある。
なお、本実施例に係る図示は、模式的な方式で本願の基本構想を説明しているものに過ぎず、従って、図面には、実際の実施時のコンポーネントの数、形状及びサイズに従って作成されたものではなく、本願に関連するコンポーネントのみが示されており、その実際の実施時の各コンポーネントの形態、数及び割合は、ある種の自由に変えられるものであってもよく、且つそのコンポーネントの配置形態がより複雑である可能性もある。
図1~図9に示すように、本実施例は、自立窒化ガリウム基板の製作方法を提供し、前記製作方法は、以下を含む。
図1に示すように、まず、サファイア基板101及び前記サファイア基板101に形成された窒化ガリウム薄膜102を備える複合基板を提供し、一実施例において、前記窒化ガリウム薄膜102の厚みが4.5μmであるステップ1)を行う。
図2に示すように、その後、前記窒化ガリウム薄膜102に仮粘結層104を形成するステップ2)、及び転移基板103を提供し、前記転移基板103を前記仮粘結層104により前記複合基板にボンディングするステップ3)を行う。
1つの実施例において、ステップ2)は、回転塗布プロセスにより前記窒化ガリウム薄膜102に仮粘結層104を形成し、前記仮粘結層104は、エポキシ樹脂及び高温ワックスのうちの1種類を含む。例えば、前記高温ワックスは、溶融温度が100℃よりも大きいものであってもよく、100℃以下で粘性を有する固体状態であり、溶融温度よりも高いときに、部分的に溶融したり全て溶融したり分解して炭化したりして粘性を失う。
1つの実施例において、前記転移基板103の材料は、サファイア、シリコン及び石英のうちの1種類を含む。例えば、本実施例において、前記転移基板103の材料は、サファイアであってもよい。前記転移基板103の形状及びサイズは、前記サファイア基板101と完全に同じである。
図3に示すように、その後、レーザ剥離プロセスにより前記サファイア基板101を剥離し、前記窒化ガリウム薄膜102を露出させ、前記窒化ガリウム薄膜102の外に露出する面がN面であるステップ4)を行う。
1つの実施例において、レーザの前記サファイア基板101の一面からの照射により、前記サファイア基板101を前記窒化ガリウム薄膜102から剥離する。
1つの実施例において、ステップ4)は、前記窒化ガリウム薄膜102の表面に残余した金属ガリウムを除去するように、露出された前記窒化ガリウム薄膜102の表面を酸洗するステップをさらに含む。
図4~図6に示すように、その後、受け基板105を提供し、前記受け基板105と前記窒化ガリウム薄膜102とを弱ボンディングさせ、前記仮粘結層104を失効させて前記転移基板103を前記窒化ガリウム薄膜102から剥離するステップ5)を行う。
1つの実施例において、ステップ5)は、以下を含む。
図4に示すように、まず、前記受け基板105の表面に第1の金属グリッド106を形成するステップ5-1)を行う。
具体的には、前記受け基板105の表面に第1の金属グリッド106を形成することは、まず、回転塗布プロセスにより前記受け基板105の表面にフォトレジスト層を形成し、その後、露光プロセス及び現像プロセスを経た後、前記受け基板105にグリッド溝状のフォトリソグラフィパターンを形成し、次に、蒸着プロセスにより前記受け基板105及びフォトリソグラフィパターンの表面に第1の金属被覆層を形成し、金属剥離プロセス、即ち前記フォトリソグラフィパターン及びその上の金属被覆層を同時に除去することにより、凸起状の第1の金属グリッド106を形成することを含む。
1つの実施例において、前記ボンディングプロセスの温度は、前記第1の金属グリッド106の溶融温度よりも低い。例えば、前記第1の金属グリッド106の材料は、Ti、Cr及びMoのうちの1種類を含む。
図5に示すように、その後、前記窒化ガリウム薄膜102の表面に第2の金属グリッド107を形成するステップ5-2)を行う。
具体的には、前記窒化ガリウム薄膜102の表面に第2の金属グリッド107を形成することは、回転塗布プロセスにより前記窒化ガリウム薄膜102の表面にフォトレジスト層を形成し、露光プロセス及び現像プロセスを経た後、前記窒化ガリウム薄膜102にグリッド溝状のフォトリソグラフィパターンを形成することと、蒸着プロセスにより前記窒化ガリウム薄膜102及びフォトリソグラフィパターンの表面に第2の金属被覆層を形成し、金属剥離プロセス、即ち前記フォトリソグラフィパターン及びその上の金属被覆層を同時に除去することにより、凸起状の第2の金属グリッド107を形成することと、を含む。
1つの実施例において、前記ボンディングプロセスの温度は、前記第2の金属グリッド107の溶融温度よりも低い。例えば、前記第2の金属グリッド107の材料は、Ti、Cr及びMoのうちの1種類を含む。
前記金属グリッド106及び金属グリッド107の材料は、同じ又は異なってもよい。
図6に示すように、最後に、前記第1の金属グリッド106と前記第2の金属グリッド107とを積層した後、ボンディングプロセスにより前記第1の金属グリッド106と前記第2の金属グリッド107とを相互拡散させることで前記受け基板105と前記窒化ガリウム薄膜102とを弱ボンディングさせ、同時に前記ボンディングプロセスで前記仮粘結層104を失効させて前記転移基板103を前記窒化ガリウム薄膜102から剥離するステップ5-3)を行う。
例えば、1つの実施例において、前記仮粘結層104は、100℃以下で粘性を有する固体状態であり、溶融温度よりも高いときに、部分的に溶融したり全て溶融したり分解して炭化したりして粘性を失う高温ワックスであってもよい。前記ボンディング温度は、一方で、前記第1の金属グリッド106及び前記第2の金属グリッド107の溶融温度よりも低く、これにより、前記第1の金属グリッド106と前記第2の金属グリッド107との相溶により高過ぎるボンディング強度を生じさせることを回避し、該ボンディング温度は、それらを固体状態で相互拡散して弱接続を実現するようにさせるものに過ぎず、他方で、前記ボンディング温度は、前記高温ワックスの溶融温度よりも高く、これにより、それを自動的に失効させ、例えば炭化させて、前記転移基板103と前記窒化ガリウム薄膜102との間の分離を実現する。本態様は、転移基板103の余分な剥離ステップを省き、プロセス時間及びプロセスコストを大きく低減させることができる。
図7~図9に示すように、最後に、前記窒化ガリウム薄膜102に窒化ガリウムエピタキシャル層108をエピタキシャル成長させ、前記窒化ガリウムエピタキシャル層108を一定の厚みに成長させた後、前記窒化ガリウム薄膜102及び前記窒化ガリウムエピタキシャル層108と前記受け基板105との間の格子不整合応力及び熱的不整合応力により、前記窒化ガリウム薄膜102と前記受け基板105との間の弱ボンディング状態を失効させて、前記窒化ガリウム薄膜102と前記受け基板105との間の分離を実現し、自立窒化ガリウム基板を得るステップ6)を行う。
1つの実施例において、前記第1の金属グリッド106及び前記第2の金属グリッド107の形状及び大きさは、同じであり、且つ前記受け基板105と前記窒化ガリウム薄膜102とをボンディングさせるときに、前記第1の金属グリッド106と前記第2の金属グリッド107とは合わさって重なる。該ボンディング過程において、受け基板105と前記窒化ガリウム薄膜102との接続強度を弱くするように、前記フォトリソグラフィパターンの頂面に位置する金属のみの間の拡散接続を保証することができ、同時に、金属グリッドが一定の高さを有し、ボンディング後、金属グリッドの間に空洞を形成する可能性があるため、ハイドライド気相エピタキシープロセスで窒化ガリウムエピタキシャル層108を成長させるときに受け基板105の格子の束縛を弱め、これにより、窒化ガリウムエピタキシャル層108を厚い状態に成長させ、且つ、一定の厚みになると、格子不整合応力及び熱的不整合応力を利用して、窒化ガリウム薄膜102と受け基板105との間の弱接続状態を突破し、窒化ガリウム薄膜102と受け基板105との分離を実現することができる。本態様は、前記窒化ガリウム薄膜102と前記受け基板105とを自動的に分離させ、プロセスコストを大きく低減させることができる。
1つの実施例において、ステップ6)は、ハイドライド気相エピタキシープロセスにより前記窒化ガリウム薄膜102に窒化ガリウムエピタキシャル層108をエピタキシャル成長させる。
1つの実施例において、表面の品質が良好な窒化ガリウムエピタキシャル層108を得て、高品質の自立窒化ガリウム基板を得るように、前記窒化ガリウムエピタキシャル層108を研磨又は/及び洗浄するステップをさらに含む。
上述のように、本願の実施例に係る自立窒化ガリウム基板の製作方法は、以下の有益な効果を有する。
本願の実施例は、受け基板105及び金属グリッドにより、本来のサファイア基板101と窒化ガリウムエピタキシャル層108との間を化学結合の強結合状態から金属グリッドにより実現される弱ボンディング状態に変えることで、窒化ガリウム薄膜102と受け基板105との間を弱接続状態にして、ハイドライド気相エピタキシープロセスで窒化ガリウムエピタキシャル層108を成長させるときに受け基板105の格子の束縛を弱め、これにより、窒化ガリウムエピタキシャル層108を厚い状態に成長させ、且つ、一定の厚みになると、格子不整合応力及び熱的不整合応力を利用して、窒化ガリウム薄膜102と受け基板105との間の弱接続状態を突破し、窒化ガリウムエピタキシャル層108と受け基板105との分離を実現することができ、一回のエピタキシャル成長だけで厚みが大きい窒化ガリウムエピタキシャル層108を得ることができる。
従って、本願の実施例は、関連技術における種々の欠点を効果的に克服して高度な産業利用の価値を有する。
実施例1
図1~図9に示すように、本実施例は、自立窒化ガリウム基板の製作方法を提供し、前記製作方法は、以下を含む。
図1~図9に示すように、本実施例は、自立窒化ガリウム基板の製作方法を提供し、前記製作方法は、以下を含む。
図1に示すように、まず、サファイア基板101及び前記サファイア基板101に形成された窒化ガリウム薄膜102を備える複合基板を提供し、前記窒化ガリウム薄膜102の厚みが4.5μmであるステップ1)を行う。
図2に示すように、その後、前記窒化ガリウム薄膜102に仮粘結層104を形成するステップ2)、及び転移基板103を提供し、前記転移基板103を前記仮粘結層104により前記複合基板にボンディングするステップ3)を行う。
ステップ2)は、回転塗布プロセスにより前記窒化ガリウム薄膜102に仮粘結層104を形成し、前記仮粘結層104は、高温ワックスであり、前記高温ワックスは、溶融温度が100℃よりも大きく、100℃以下で粘性を有する固体状態であり、溶融温度よりも高いときに、部分的に溶融したり全て溶融したり分解して炭化したりして粘性を失う。
前記転移基板103の材料は、サファイアである。その形状及びサイズは、前記サファイア基板101と完全に同じである。
図3に示すように、その後、レーザ剥離プロセスにより前記サファイア基板101を剥離し、前記窒化ガリウム薄膜102を露出させ、前記窒化ガリウム薄膜102の外に露出する面がN面であるステップ4)を行う。
レーザの前記サファイア基板101の一面からの照射により、前記サファイア基板101を前記窒化ガリウム薄膜102から剥離する。
ステップ4)は、露出された前記窒化ガリウム薄膜102の表面を酸洗するステップをさらに含み、HCl:H2O=1:1の混合液で、30s浸漬し、これにより、前記窒化ガリウム薄膜102の表面に残余した金属ガリウムを除去する。
図4~図6に示すように、その後、受け基板105を提供し、前記受け基板105と前記窒化ガリウム薄膜102とを弱ボンディングさせ、前記仮粘結層104を失効させて前記転移基板103を前記窒化ガリウム薄膜102から剥離するステップ5)を行う。
ステップ5)は、以下を含む。図4に示すように、まず、前記受け基板105の表面に第1の金属グリッド106を形成するステップ5-1)を行う。
具体的には、前記受け基板105の表面に第1の金属グリッド106を形成することは、まず、回転塗布プロセスにより前記受け基板105の表面にフォトレジスト層を形成し、その後、露光プロセス及び現像プロセスを経た後、前記受け基板105にグリッド溝状のフォトリソグラフィパターンを形成し、次に、蒸着プロセスにより前記受け基板105及びフォトリソグラフィパターンの表面に第1の金属被覆層を形成し、金属剥離プロセス、即ち前記フォトリソグラフィパターン及びその上の金属被覆層を同時に除去することにより、凸起状の第1の金属グリッド106を形成することを含む。
前記ボンディングプロセスの温度は、400℃であり、前記第1の金属グリッド106の溶融温度よりも低い。前記第1の金属グリッド106の材料は、Tiである。
図5に示すように、その後、前記窒化ガリウム薄膜102の表面に第2の金属グリッド107を形成するステップ5-2)を行う。
具体的には、前記窒化ガリウム薄膜102の表面に第2の金属グリッド107を形成することは、回転塗布プロセスにより前記窒化ガリウム薄膜102の表面にフォトレジスト層を形成し、露光プロセス及び現像プロセスを経た後、前記窒化ガリウム薄膜102にグリッド溝状のフォトリソグラフィパターンを形成することと、蒸着プロセスにより前記窒化ガリウム薄膜102及びフォトリソグラフィパターンの表面に第2の金属被覆層を形成し、金属剥離プロセス、即ち前記フォトリソグラフィパターン及びその上の金属被覆層を同時に除去することにより、凸起状の第2の金属グリッド107を形成することと、を含む。
前記ボンディングプロセスの温度は、400℃であり、前記第2の金属グリッド107の溶融温度よりも低い。前記第2の金属グリッド107の材料は、Tiである。
図6に示すように、最後に、前記第1の金属グリッド106と前記第2の金属グリッド107とを積層した後、ボンディングプロセスにより前記第1の金属グリッド106と前記第2の金属グリッド107とを相互拡散させることで前記受け基板105と前記窒化ガリウム薄膜102とを弱ボンディングさせ、同時に前記ボンディングプロセスで前記仮粘結層104を失効させて前記転移基板103を前記窒化ガリウム薄膜102から剥離するステップ5-3)を行う。
前記仮粘結層104は、100℃以下で粘性を有する固体状態であり、溶融温度よりも高いときに、部分的に溶融したり全て溶融したり分解して炭化したりして粘性を失う高温ワックスである。前記ボンディング温度は、400℃であり、一方で、前記第1の金属グリッド106及び前記第2の金属グリッド107の溶融温度よりも低く、これにより、前記第1の金属グリッド106と前記第2の金属グリッド107との相溶により高過ぎるボンディング強度を生じさせることを回避し、該ボンディング温度は、それらを固体状態で相互拡散して弱接続を実現するようにさせるものに過ぎず、他方で、前記ボンディング温度は、400℃であり、前記高温ワックスの溶融温度よりも高く、これにより、それを自動的に失効させて、前記転移基板103と前記窒化ガリウム薄膜102との間の分離を実現する。本態様は、転移基板103の余分な剥離ステップを省き、プロセス時間及びプロセスコストを大きく低減させることができる。
図7~図9に示すように、最後に、前記窒化ガリウム薄膜102に窒化ガリウムエピタキシャル層108をエピタキシャル成長させ、前記窒化ガリウムエピタキシャル層108を一定の厚みに成長させた後、前記窒化ガリウム薄膜102及び前記窒化ガリウムエピタキシャル層108と前記受け基板105との間の格子不整合応力及び熱的不整合応力により、前記窒化ガリウム薄膜102と前記受け基板105との間の弱ボンディング状態を失効させて、前記窒化ガリウム薄膜102と前記受け基板105との間の分離を実現し、自立窒化ガリウム基板を得るステップ6)を行う。測定を経て、最終的に得られた自立窒化ガリウム基板の厚みは、約500μmである。
前記第1の金属グリッド106及び前記第2の金属グリッド107の形状及び大きさは、同じであり、且つ前記受け基板105と前記窒化ガリウム薄膜102とをボンディングさせるときに、前記第1の金属グリッド106と前記第2の金属グリッド107とは合わさって重なる。該ボンディング過程において、受け基板105と前記窒化ガリウム薄膜102との接続強度を弱くするように、前記フォトリソグラフィパターンの頂面に位置する金属のみの間の拡散接続を保証することができ、同時に、金属グリッドが一定の高さを有し、ボンディング後、金属グリッドの間に空洞を形成する可能性があるため、ハイドライド気相エピタキシープロセスで窒化ガリウムエピタキシャル層108を成長させるときに受け基板105の格子の束縛を弱め、これにより、窒化ガリウムエピタキシャル層108を厚い状態に成長させ、且つ、一定の厚みになると、格子不整合応力及び熱的不整合応力を利用して、窒化ガリウム薄膜102と受け基板105との間の弱接続状態を突破し、窒化ガリウム薄膜102と受け基板105との分離を実現することができる。本態様は、前記窒化ガリウム薄膜102と前記受け基板105とを自動的に剥離させ、プロセスコストを大きく低減させることができる。
ステップ6)は、ハイドライド気相エピタキシープロセスにより前記窒化ガリウム薄膜102に窒化ガリウムエピタキシャル層108をエピタキシャル成長させる。
本実施例において、表面の品質が良好な窒化ガリウムエピタキシャル層108を得て、高品質の自立窒化ガリウム基板を得るように、前記窒化ガリウムエピタキシャル層108を研磨又は/及び洗浄するステップをさらに含む。
上記実施例は、本願を制限するためのものではなく、本願の原理及びその効果を例示的に説明するものに過ぎない。この技術に精通している者であれば、本願の精神及び範疇に背くことなく、上記実施例を修飾又は変更することができる。そのため、所属する技術分野で一般的な知識を持つ者により本願に掲げられる精神及び技術思想から逸脱することなく完成されたあらゆる等価な修飾又は変更であれば、依然として本願の請求項によってカバーされるべきである。
Claims (10)
- 1)サファイア基板及び前記サファイア基板に形成された窒化ガリウム薄膜を備える複合基板を提供することと、
2)前記窒化ガリウム薄膜に仮粘結層を形成することと、
3)転移基板を提供し、前記転移基板を前記仮粘結層により前記複合基板にボンディングすることと、
4)レーザ剥離プロセスにより前記サファイア基板を剥離し、前記窒化ガリウム薄膜を露出させることと、
5)受け基板を提供し、前記受け基板と前記窒化ガリウム薄膜とを弱ボンディングさせ、前記仮粘結層を失効させて前記転移基板を前記窒化ガリウム薄膜から剥離することと、
6)前記窒化ガリウム薄膜に窒化ガリウムエピタキシャル層をエピタキシャル成長させ、前記窒化ガリウムエピタキシャル層を一定の厚みに成長させた後、前記窒化ガリウム薄膜及び前記窒化ガリウムエピタキシャル層と前記受け基板との間の格子不整合応力及び熱的不整合応力により、前記窒化ガリウム薄膜と前記受け基板との間の弱ボンディング状態を失効させて、前記窒化ガリウム薄膜と前記受け基板との間の分離を実現し、自立窒化ガリウム基板を得ることと、を含む、
自立窒化ガリウム基板の製作方法。 - ステップ5)は、前記受け基板の表面に第1の金属グリッドを形成し、前記窒化ガリウム薄膜の表面に第2の金属グリッドを形成し、前記第1の金属グリッドと前記第2の金属グリッドとを積層した後、ボンディングプロセスにより前記第1の金属グリッドと前記第2の金属グリッドとを相互拡散させることで前記受け基板と前記窒化ガリウム薄膜とを弱ボンディングさせ、同時に前記ボンディングプロセスで前記仮粘結層を失効させて前記転移基板を前記窒化ガリウム薄膜から剥離することを含む、
請求項1に記載の自立窒化ガリウム基板の製作方法。 - 前記ボンディングプロセスの温度は、前記第1の金属グリッド及び前記第2の金属グリッドの溶融温度よりも低い、
請求項2に記載の自立窒化ガリウム基板の製作方法。 - 前記第1の金属グリッドの材料は、Ti、Cr及びMoのうちの1種類を含み、前記第2の金属グリッドの材料は、Ti、Cr及びMoのうちの1種類を含む、
請求項2に記載の自立窒化ガリウム基板の製作方法。 - 前記受け基板の表面に第1の金属グリッドを形成する方法は、
前記受け基板の表面にフォトレジスト層を形成し、露光プロセス及び現像プロセスを経た後、前記受け基板にグリッド溝状のフォトリソグラフィパターンを形成することと、
蒸着プロセス及び金属剥離プロセスにより前記受け基板の表面に第1の金属グリッドを形成することと、を含み、
前記窒化ガリウム薄膜の表面に第2の金属グリッドを形成する方法は、
前記窒化ガリウム薄膜の表面にフォトレジスト層を形成し、露光プロセス及び現像プロセスを経た後、前記窒化ガリウム薄膜にグリッド溝状のフォトリソグラフィパターンを形成することと、
蒸着プロセス及び金属剥離プロセスにより前記窒化ガリウム薄膜の表面に第2の金属グリッドを形成することと、を含む、
請求項2に記載の自立窒化ガリウム基板の製作方法。 - 前記第1の金属グリッド及び前記第2の金属グリッドの形状及び大きさは、同じであり、且つ前記受け基板と前記窒化ガリウム薄膜とをボンディングさせるときに、前記第1の金属グリッドと前記第2の金属グリッドとは合わさって重なる、
請求項2に記載の自立窒化ガリウム基板の製作方法。 - ステップ2)は、回転塗布プロセスにより前記窒化ガリウム薄膜に仮粘結層を形成し、前記仮粘結層は、エポキシ樹脂及び高温ワックスのうちの1種類を含む、
請求項1に記載の自立窒化ガリウム基板の製作方法。 - 前記転移基板、受け基板の材料は、サファイア、シリコン及び石英のうちの1種類を含む、
請求項1に記載の自立窒化ガリウム基板の製作方法。 - ステップ4)は、前記窒化ガリウム薄膜の表面に残余した金属ガリウムを除去するように、露出された前記窒化ガリウム薄膜の表面を酸洗するステップをさらに含む、
請求項1に記載の自立窒化ガリウム基板の製作方法。 - ステップ6)は、ハイドライド気相エピタキシープロセスにより前記窒化ガリウム薄膜に窒化ガリウムエピタキシャル層をエピタキシャル成長させる、
請求項1に記載の自立窒化ガリウム基板の製作方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202111098433.1 | 2021-09-18 | ||
CN202111098433.1A CN113903655A (zh) | 2021-09-18 | 2021-09-18 | 自支撑氮化镓衬底的制作方法 |
PCT/CN2022/084250 WO2023040237A1 (zh) | 2021-09-18 | 2022-03-31 | 自支撑氮化镓衬底的制作方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2024507573A true JP2024507573A (ja) | 2024-02-20 |
Family
ID=79028837
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023551706A Pending JP2024507573A (ja) | 2021-09-18 | 2022-03-31 | 自立窒化ガリウム基板の製作方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20240063016A1 (ja) |
JP (1) | JP2024507573A (ja) |
CN (1) | CN113903655A (ja) |
WO (1) | WO2023040237A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113903655A (zh) * | 2021-09-18 | 2022-01-07 | 东莞市中镓半导体科技有限公司 | 自支撑氮化镓衬底的制作方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103114332A (zh) * | 2011-11-17 | 2013-05-22 | 北京大学 | 一种通过表面改性自分离制备氮化镓单晶衬底的方法 |
KR20130078984A (ko) * | 2012-01-02 | 2013-07-10 | 삼성코닝정밀소재 주식회사 | 질화갈륨 기판 제조방법 |
CN103305909B (zh) * | 2012-03-14 | 2016-01-20 | 东莞市中镓半导体科技有限公司 | 一种用于GaN生长的复合衬底的制备方法 |
CN112301422A (zh) * | 2019-08-01 | 2021-02-02 | 北京飓芯科技有限公司 | 一种基于叠层掩模衬底的衬底剥离方法 |
CN111769036B (zh) * | 2020-07-07 | 2023-03-21 | 东莞市中镓半导体科技有限公司 | 氮化镓单晶衬底的制备方法 |
CN113903655A (zh) * | 2021-09-18 | 2022-01-07 | 东莞市中镓半导体科技有限公司 | 自支撑氮化镓衬底的制作方法 |
-
2021
- 2021-09-18 CN CN202111098433.1A patent/CN113903655A/zh active Pending
-
2022
- 2022-03-31 US US18/281,994 patent/US20240063016A1/en active Pending
- 2022-03-31 JP JP2023551706A patent/JP2024507573A/ja active Pending
- 2022-03-31 WO PCT/CN2022/084250 patent/WO2023040237A1/zh active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2023040237A1 (zh) | 2023-03-23 |
US20240063016A1 (en) | 2024-02-22 |
CN113903655A (zh) | 2022-01-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN109585269B (zh) | 一种利用二维晶体过渡层制备半导体单晶衬底的方法 | |
US8058705B2 (en) | Composite material substrate | |
CN101584024B (zh) | 多层结构及其制备工艺 | |
JPH02283077A (ja) | タンデム型ソーラーセルの製造法 | |
CN108701710B (zh) | 制造纳米棒的方法以及通过该方法制造的纳米棒 | |
CN111769036B (zh) | 氮化镓单晶衬底的制备方法 | |
TWI397618B (zh) | 氮化物半導體模板及其製作方法 | |
JP2024507573A (ja) | 自立窒化ガリウム基板の製作方法 | |
TW202039943A (zh) | 磊晶於異質基板之結構及其製備方法 | |
CN115881514A (zh) | 单晶自支撑衬底的制作方法 | |
CN110491827B (zh) | 一种半导体薄膜层的转移方法及复合晶圆的制备方法 | |
TWI405353B (zh) | Method for manufacturing photovoltaic element | |
CN112151355B (zh) | 氮化镓自支撑衬底的制作方法 | |
CN111128688B (zh) | n型氮化镓自支撑衬底的制作方法 | |
CN221201761U (zh) | 硅衬底iii-v面阵器件 | |
JPH0963951A (ja) | 半導体基板の製造方法及び半導体装置の製造方法 | |
KR100425092B1 (ko) | 실리콘 컴플라이언트 기판 제조방법 | |
CN108231950A (zh) | 半导体同质衬底及其制备方法、同质外延层的制备方法 | |
CN117888204A (zh) | 多孔结构及单晶衬底的制备方法 | |
CN117888189A (zh) | 自支撑单晶衬底的制作方法 | |
TWI476817B (zh) | 多層材料之自我組裝堆疊製程方法 | |
TWM634692U (zh) | 接合基板 | |
CN113707770A (zh) | 一种硅衬底GaN的加工工艺 | |
JP2002164292A (ja) | 化合物半導体基板およびその製造方法 | |
US20120319160A1 (en) | Method for Reducing Stress in Epitaxial Growth |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20230824 |