JP2024503188A - 多環式ケイ素－ゲルマニウム化合物、その製造方法ならびにＳｉおよびＧｅ含有固体を製造するためのその使用 - Google Patents
多環式ケイ素－ゲルマニウム化合物、その製造方法ならびにＳｉおよびＧｅ含有固体を製造するためのその使用 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2024503188A JP2024503188A JP2023532722A JP2023532722A JP2024503188A JP 2024503188 A JP2024503188 A JP 2024503188A JP 2023532722 A JP2023532722 A JP 2023532722A JP 2023532722 A JP2023532722 A JP 2023532722A JP 2024503188 A JP2024503188 A JP 2024503188A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- compound
- formula
- alkyl
- envisaged
- group
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000007787 solid Substances 0.000 title claims abstract description 49
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 19
- -1 Polycyclic silicon-germanium compounds Chemical class 0.000 title description 16
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 66
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims abstract description 20
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 27
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 17
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 12
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 10
- 150000004795 grignard reagents Chemical class 0.000 claims description 8
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000007818 Grignard reagent Substances 0.000 claims description 6
- 125000002877 alkyl aryl group Chemical group 0.000 claims description 5
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 claims description 5
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 5
- 125000000304 alkynyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 claims description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 abstract description 4
- 125000003358 C2-C20 alkenyl group Chemical group 0.000 abstract description 2
- 125000003837 (C1-C20) alkyl group Chemical group 0.000 abstract 3
- 229910003828 SiH3 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- OLRJXMHANKMLTD-UHFFFAOYSA-N silyl Chemical compound [SiH3] OLRJXMHANKMLTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 27
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 19
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 14
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 6
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 6
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000047 product Substances 0.000 description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 6
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 6
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000004009 13C{1H}-NMR spectroscopy Methods 0.000 description 4
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 4
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 4
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 4
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical class [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 3
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 3
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 3
- LXEXBJXDGVGRAR-UHFFFAOYSA-N trichloro(trichlorosilyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)[Si](Cl)(Cl)Cl LXEXBJXDGVGRAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910007245 Si2Cl6 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- NXPHGHWWQRMDIA-UHFFFAOYSA-M magnesium;carbanide;bromide Chemical compound [CH3-].[Mg+2].[Br-] NXPHGHWWQRMDIA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 2
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 2
- NHGXDBSUJJNIRV-UHFFFAOYSA-M tetrabutylammonium chloride Chemical compound [Cl-].CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC NHGXDBSUJJNIRV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- YBYIRNPNPLQARY-UHFFFAOYSA-N 1H-indene Natural products C1=CC=C2CC=CC2=C1 YBYIRNPNPLQARY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000094 2-phenylethyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000003542 3-methylbutan-2-yl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WYHZYPSDNWYMJW-UHFFFAOYSA-N C1(=CC=CC=C1)[Ge]([SiH3])(C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1 Chemical compound C1(=CC=CC=C1)[Ge]([SiH3])(C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1 WYHZYPSDNWYMJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BZLVMXJERCGZMT-UHFFFAOYSA-N Methyl tert-butyl ether Chemical compound COC(C)(C)C BZLVMXJERCGZMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001266 acyl halides Chemical class 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 125000005428 anthryl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C([H])=C3C(*)=C([H])C([H])=C([H])C3=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003828 azulenyl group Chemical group 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012043 crude product Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 150000004292 cyclic ethers Chemical class 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000058 cyclopentadienyl group Chemical group C1(=CC=CC1)* 0.000 description 1
- 150000001983 dialkylethers Chemical class 0.000 description 1
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N endo-cyclopentadiene Natural products C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 125000003983 fluorenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 description 1
- 125000003454 indenyl group Chemical group C1(C=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052752 metalloid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002738 metalloids Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 125000003136 n-heptyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001280 n-hexyl group Chemical group C(CCCCC)* 0.000 description 1
- 125000000740 n-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
- 125000001971 neopentyl group Chemical group [H]C([*])([H])C(C([H])([H])[H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 125000005561 phenanthryl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000004714 phosphonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 239000003495 polar organic solvent Substances 0.000 description 1
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000003548 sec-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010626 work up procedure Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/30—Germanium compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07B—GENERAL METHODS OF ORGANIC CHEMISTRY; APPARATUS THEREFOR
- C07B2200/00—Indexing scheme relating to specific properties of organic compounds
- C07B2200/13—Crystalline forms, e.g. polymorphs
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
Abstract
本発明は、式（Ｉ）の化合物；その製造方法；ならびにＳｉおよびＧｅ含有固体を製造するためのこの化合物の使用に関する。【化１】JPEG2024503188000016.jpg86170［式中、Ｅ１～Ｅ６は、互いに無関係に、ＳｉまたはＧｅであり；Ｘ１～Ｘ４は、互いに無関係に、Ｈ、ＳｉＨ３、ハロゲンおよびＳｉ（Ｙ）３からなる群から選択され；Ｙは、無関係に、Ｃ１～Ｃ２０アルキルおよびハロゲンから選択され；Ｒ１～Ｒ１２は、互いに無関係に、Ｃ１～Ｃ２０アルキル、Ｃ２～Ｃ２０アルケニル、Ｃ２～Ｃ２０アルキニル、Ｃ３～Ｃ２０シクロアルキル、Ｃ６～Ｃ２０アリール、Ｃ７～Ｃ２０アリールアルキル、Ｃ７～Ｃ２０アルキルアリールおよびＺからなる群から選択され；およびＺは、無関係に、Ｈ、ハロゲンおよびＣ１～Ｃ２０アルキルからなる群から選択される。］
Description
本発明は、多環式ケイ素－ゲルマニウム化合物、その製造方法ならびにＳｉおよびＧｅ含有固体を製造するためのその使用に関する。
ハロゲンシラン、ポリハロゲンシラン、ハロゲンゲルマン、ポリハロゲンゲルマン、シラン、ポリシラン、ゲルマン、ポリゲルマンならびに対応する混合化合物は、以前から公知であり、無機化学の一般的教書の他に、国際公開第２００４／０３６６３１号またはC.J. Ritter et al., J. Am. Chem. Soc., 2005, 127, 9855-9864も参照。
トリフェニルゲルミルシランおよびその製造方法は、欧州特許出願公開第３４０９６４５号明細書に記載されている。
クロロシリルアリールゲルマンおよびその製造は、欧州特許第３４１０４６６号明細書に開示されている。
Ritter et al. J. Am. Chem. Soc. 2005, 127, 9855は、ケイ素上に半導体ナノ構造を製造するために（Ｈ３Ｇｅ）ｘＳｉＨ４－ｘの使用を記載している。
先行技術から出発して、改善されたケイ素－ゲルマニウム化合物を、特に貯蔵可能なケイ素－ゲルマニウム化合物を製造すること、ならびに多様なこのような化合物を簡単に製造するフレキシブルな方法を提供することが望ましい。同様に、Ｓｉ／Ｇｅ固体を生成するために使用することができる化合物を提供することが望ましい。
C.J. Ritter et al., J. Am. Chem. Soc., 2005, 127, 9855-9864
Ritter et al. J. Am. Chem. Soc. 2005, 127, 9855
本発明の課題は、先行技術の欠点を克服すること、特に、Ｓｉ／Ｇｅ固体の製造のために適した貯蔵可能な、オーダーメイドのケイ素－ゲルマニウム化合物を製造することである。
この課題は、式（Ｉ）の化合物により解決される。
［式中、Ｅ１～Ｅ６は、互いに無関係に、ＳｉまたはＧｅであり；Ｘ１～Ｘ４は、互いに無関係に、Ｈ、ＳｉＨ３、ハロゲンおよびＳｉ（Ｙ）３からなる群から選択され；Ｙは、無関係に、Ｃ１～Ｃ２０アルキルおよびハロゲンから選択され；Ｒ１～Ｒ１２は、互いに無関係に、Ｃ１～Ｃ２０アルキル、Ｃ２～Ｃ２０アルケニル、Ｃ２～Ｃ２０アルキニル、Ｃ３～Ｃ２０シクロアルキル、Ｃ６～Ｃ２０アリール、Ｃ７～Ｃ２０アリールアルキル、Ｃ７～Ｃ２０アルキルアリールおよびＺからなる群から選択され；およびＺは、無関係に、Ｈ、ハロゲンおよびＣ１～Ｃ２０アルキルからなる群から選択される。］
Ｅ１～Ｅ６の少なくとも３つがＧｅであり、Ｅ１～Ｅ６の残りがＳｉであることが予定されていてよい。Ｅ１～Ｅ６の４つ、５つまたは６つがＧｅであり、Ｅ１～Ｅ６の残りがＳｉであることが予定されていてよい。Ｅ１～Ｅ６の４つまたは５つがＧｅであり、Ｅ１～Ｅ６の残りがＳｉであることが予定されていてよい。
Ｒ１～Ｒ１２は、互いに無関係に、Ｃ１～Ｃ１２アルキル、Ｃ２～Ｃ１２アルケニル、Ｃ２～Ｃ１２アルキニル、Ｃ３～Ｃ１２シクロアルキル、Ｃ６～Ｃ１２アリール、Ｃ７～Ｃ１３アリールアルキル、Ｃ７～Ｃ１３アルキルアリール、およびハロゲンからなる群から選択されることが予定されていてよい。
Ｒ１～Ｒ１２は、互いに無関係に、Ｃ１～Ｃ１２アルキル、Ｃ６～Ｃ１２アリール、Ｃ７～Ｃ１３アリールアルキル、Ｃ７～Ｃ１３アルキルアリール、およびハロゲンからなる群から選択されることが予定されていてよい。
Ｒ１～Ｒ１２は、互いに無関係に、Ｃ１～Ｃ２０アルキル、Ｃ６～Ｃ２０アリールおよびハロゲンからなる群から選択されることが予定されていてよい。
Ｒ１～Ｒ１２は、互いに無関係に、Ｃ１～Ｃ１２アルキルおよびハロゲンからなる群から選択されることが予定されていてよい。
Ｒ１～Ｒ１２は、互いに無関係に、Ｃｌまたはメチルであることが予定されていてよい。
同じＥｍと直接結合されている二つのＲｎ（すなわち、ペアのＲ１とＲ２、Ｒ３とＲ４、Ｒ５とＲ６、Ｒ７とＲ８、Ｒ９とＲ１０、ならびにＲ１１とＲ１２の両方のＲ）は、同じであることが予定されていてよい。
Ｅｍ（すなわち、Ｅ１～Ｅ６からの１つ）がＧｅである場合、Ｅｍと直接結合されている両方のＲｎは、Ｃ１～Ｃ２０アルキルであることが予定されていてよい。Ｅｍ（すなわち、Ｅ１～Ｅ６からの１つ）がＧｅである場合、Ｅｍと直接結合されている両方のＲｎは、Ｃ１～Ｃ１２アルキルであることが予定されていてよい。Ｅｍ（すなわち、Ｅ１～Ｅ６からの１つ）がＧｅである場合、Ｅｍと直接結合されている両方のＲｎは、Ｃ１～Ｃ８アルキルであることが予定されていてよい。Ｅｍ（すなわち、Ｅ１～Ｅ６からの１つ）がＧｅである場合、Ｅｍと直接結合されている両方のＲｎは、Ｃ１～Ｃ４アルキルであることが予定されていてよい。Ｅｍ（すなわち、Ｅ１～Ｅ６からの１つ）がＧｅである場合、Ｅｍと直接結合されている両方のＲｎは、メチルであることが予定されていてよい。
Ｅｍ（すなわち、Ｅ１～Ｅ６からの１つ）がＳｉである場合、Ｅｍと直接結合されている両方のＲｎは、ハロゲンであることが予定されていてよい。Ｅｍ（すなわち、Ｅ１～Ｅ６からの１つ）がＳｉである場合、Ｅｍと直接結合されている両方のＲｎは、Ｃｌであることが予定されていてよい。
Ｘ１～Ｘ４は、無関係に、Ｈ、ＳｉＨ３、Ｓｉ（Ｃ１～Ｃ２０アルキル）３、ＣｌおよびＳｉＣｌ３からなる群から選択されることが予定されていてよい。Ｘ１～Ｘ４は、無関係に、Ｈ、ＳｉＨ３、Ｓｉ（Ｃ１～Ｃ１２アルキル）３、ＣｌおよびＳｉＣｌ３からなる群から選択されることが予定されていてよい。Ｘ１～Ｘ４は、無関係に、Ｈ、ＳｉＨ３、Ｓｉ（Ｃ１～Ｃ８アルキル）３、ＣｌおよびＳｉＣｌ３からなる群から選択されることが予定されていてよい。Ｘ１～Ｘ４は、無関係に、Ｈ、ＳｉＨ３、Ｓｉ（Ｃ１～Ｃ４アルキル）３、ＣｌおよびＳｉＣｌ３からなる群から選択されることが予定されていてよい。Ｘ１～Ｘ４は、無関係に、Ｓｉ（Ｃ１～Ｃ４アルキル）３およびＳｉＣｌ３からなる群から選択されることが予定されていてよい。
式（Ｉ）の化合物は、以下の化合物Ｃ１～Ｃ４の１つから選択されることが予定されていてよい。
この課題は、さらに、式（ＩＩ）の化合物を、式（ＩＩＩ）の化合物と反応させるステップと、
化合物（ＩＩ）と（ＩＩＩ）の反応の生成物を結晶化させるステップとを含み、
Ｈａｌ１～Ｈａｌ８は、互いに無関係に、ハロゲンであり；Ｒ１およびＲ２は、先に定義された通りである、先行する請求項のいずれか一つに記載の式（Ｉ）の化合物の製造方法により解決される。
Ｈａｌ１～Ｈａｌ８は、互いに無関係に、ハロゲンであり；Ｒ１およびＲ２は、先に定義された通りである、先行する請求項のいずれか一つに記載の式（Ｉ）の化合物の製造方法により解決される。
この方法において、Ｅ１はＧｅであり、Ｅ２およびＥ３は、それぞれＳｉであることが予定されていてよい。
化合物（ＩＩ）対化合物（ＩＩＩ）のモル比は、１０：１～１：４０；５：１～１：２；２：１～１：２０；１．５：１～１：１０；１．２：１～１：８；１：３～１：５、約１：４であってよい。
式（ＩＩ）で示される化合物と式（ＩＩＩ）の化合物との反応は、触媒の存在で行うことが予定されていてよい。触媒を０．００１～１当量、好ましくは０．０１～０．１当量の量で使用することが予定されていてよい。触媒は塩基であることが予定されていてよい。触媒は、リン含有塩基または窒素含有塩基であることが予定されていてよい。触媒は、窒素含有塩基であることが予定されていてよい。触媒は、ホスホニウム塩またはアンモニウム塩であることが予定されていてよい。触媒は、［（Ｒ３）４Ｐ］Ｃｌまたは［（Ｒ３）４Ｎ］Ｃｌから選択され、基Ｒ３は、互いに無関係に、Ｃ１～Ｃ１２アルキル、Ｃ６～Ｃ１２アリール、Ｃ７～Ｃ１３アリールアルキルおよびＣ７～Ｃ１３アルキルアリールから選択されることが予定されていてよい。触媒は、［（Ｒ３）４Ｎ］Ｃｌであり、Ｒ３は、メチル、エチル、イソプロピル、ｎ－ブチルおよびフェニルから選択されることが予定されていてよい。触媒は、［（Ｒ３）４Ｎ］Ｃｌであり、Ｒ３は、ｎ－ブチルから選択されることが予定されていてよい。
式（ＩＩ）で示される化合物と式（ＩＩＩ）の化合物との反応を溶媒中で行うことが予定されていてよい。この方法では、化合物（ＩＩＩ）１モル当たり少なくとも５モルの溶媒、あるいは化合物（ＩＩＩ）１モル当たり１０モル～１００モルの溶媒を使用することができる。溶媒は、有機溶媒であることが予定されていてよい。溶媒（反応のステップでも、水素化のステップでもいずれも）は、無極性有機溶媒であることが予定されていてよい。溶媒は、ｎ－ペンタン、ｎ－ヘキサン、ｎ－ヘプタン、シクロヘキサン、トルエン、ジエチルエーテル、ジクロロメタン、クロロホルム、ｔｅｒｔ－ブチルメチルエーテル、アセトンおよびテトラヒドロフランから選択されることが予定されていてよい。溶媒はジクロロメタンであることが予定されていてよい。
式（ＩＩ）で示される化合物と式（ＩＩＩ）の化合物との反応を、０℃～５０℃、１０℃～４０℃、１５℃～３０℃、２０℃～２５℃の範囲内の温度で、または２２℃（＝室温）の温度で行うことが予定されていてよい。
式（ＩＩ）で示される化合物と式（ＩＩＩ）の化合物との反応を、５分～２４時間、３０分～１２時間、または１時間～４時間行うことが予定されていてよい。
この方法は、さらに、結晶化の後に得られた生成物とグリニャール試薬との反応を含むことが予定されていてよい。グリニャール試薬は、一般式Ｒ－Ｍｇ－Ｈａｌの化合物であり、Ｒは、アシル（例えばアリールまたはアルキル）であり、Ｈａｌは、ハロゲン（例えばＣｌまたはＢｒ）である。このような化合物は、適切な有機溶媒中でのアシルハロゲン化物とマグネシウムとの反応により製造することができる。適切な有機溶媒は、非共有電子対によってＲ－Ｍｇ－Ｈａｌ内のＭｇに配位結合を形成することができる有機溶媒である。好ましくは、有機溶媒として、エーテル（好ましくは、ジアルキルエーテル、例えばジエチルエーテルまたは環状エーテル、例えばテトラヒドロフラン（ＴＨＦ））が使用される。グリニャール試薬ならびにその製造および使用は、先行技術から、特に有機化学の関連する教書から周知である。
Ｘ１～Ｘ４がＳｉＨａｌ３である式（Ｉ）の化合物と、Ｒがアシルである式Ｒ－Ｍｇ－Ｈａｌのグリニャール試薬とのＴＨＦまたはジエチルエーテル中での反応により、Ｘ１～Ｘ４がＳｉアシル３である式（Ｉ）の化合物が得られることが予定されていてよい。Ｘ１～Ｘ４がＳｉＨａｌ３である式（Ｉ）の化合物と、Ｒがアルキルである式Ｒ－Ｍｇ－Ｈａｌのグリニャール試薬とのＴＨＦまたはジエチルエーテル中での反応により、Ｘ１～Ｘ４がＳｉアルキル３である式（Ｉ）の化合物が得られることが予定されていてよい。Ｘ１～Ｘ４がＳｉＣｌ３である式（Ｉ）の化合物と、ＲがＣ１～Ｃ４アルキルである式Ｒ－Ｍｇ－Ｈａｌのグリニャール試薬とのジエチルエーテル中での反応により、Ｘ１～Ｘ４がＳｉ（Ｃ１～Ｃ４アルキル）３である式（Ｉ）の化合物が得られることが予定されていてよい。Ｘ１～Ｘ４がＳｉＣｌ３である式（Ｉ）の化合物と、Ｒがメチルである式Ｒ－Ｍｇ－Ｈａｌのグリニャール試薬とのジエチルエーテル中での反応により、Ｘ１～Ｘ４がＳｉＭｅ３である式（Ｉ）の化合物が得られることが予定されていてよい。
この課題は、同様に、ＳｉおよびＧｅ含有固体を製造するための、上述の化合物の使用により解決される。
ＳｉおよびＧｅ含有固体は、金属間相であり、両方の半金属のＳｉおよびＧｅは、この関連では、金属と見なされるべきであることが予定されていてよい。金属間相（金属間化合物とも言う）は、二つまたはそれ以上の金属からなる化合物である。合金とは異なり、金属間相は、構成される金属とは異なる格子構造を示す。異なるタイプの原子の格子結合は、優勢な金属結合と、僅かな割合の他の結合種（共有結合、イオン結合）との混合形態であり、それにより、これらの相は、特別な物理的および機械的特性を有する。
ＳｉおよびＧｅ含有固体の製造は、化合物を３００℃またはそれ以上の温度に加熱することを含むことが予定されていてよい。ＳｉおよびＧｅ含有固体の製造は、化合物を４００℃またはそれ以上の温度に加熱することを含むことが予定されていてよい。ＳｉおよびＧｅ含有固体の製造は、化合物を４５０℃またはそれ以上の温度に加熱することを含むことが予定されていてよい。ＳｉおよびＧｅ含有固体の製造は、化合物を５００℃またはそれ以上の温度に加熱することを含むことが予定されていてよい。ＳｉおよびＧｅ含有固体の製造は、化合物を５５０℃またはそれ以上の温度に加熱することを含むことが予定されていてよい。ＳｉおよびＧｅ含有固体の製造は、化合物を６００℃またはそれ以上の温度に加熱することを含むことが予定されていてよい。ＳｉおよびＧｅ含有固体の製造は、化合物を４００℃～１０００℃の温度に加熱することを含むことが予定されていてよい。ＳｉおよびＧｅ含有固体の製造は、化合物を４００℃～８００℃の温度に加熱することを含むことが予定されていてよい。ＳｉおよびＧｅ含有固体の製造は、化合物を４５０℃～７５０℃の温度に加熱することを含むことが予定されていてよい。ＳｉおよびＧｅ含有固体の製造は、化合物を５００℃～７００℃の温度に加熱することを含むことが予定されていてよい。ＳｉおよびＧｅ含有固体の製造は、化合物を５５０℃～６５０℃の温度に加熱することを含むことが予定されていてよい。ＳｉおよびＧｅ含有固体の製造は、化合物を約６００℃の温度に加熱することを含むことが予定されていてよい。
ＳｉおよびＧｅ含有固体の製造は、ＧｉＧｅの析出を含むことが予定されていてよい。ＳｉおよびＧｅ含有固体の製造は、ＳｉとＧｅの同時の析出を含むことが予定されていてよい。ＳｉおよびＧｅ含有固体中のＳｉ対Ｇｅの化学量論比は、式（Ｉ）の化合物中のＳｉ対Ｇｅの化学量論比に対応することが予定されていてよい。ＳｉおよびＧｅ含有固体中のＳｉ対Ｇｅの化学量論比は、式（Ｉ）の化合物中のＳｉ対Ｇｅの化学量論比に、±１０％の偏差で対応することが予定されていてよい。
ＳｉおよびＧｅ含有固体は、ＳｉおよびＧｅ含有固体の全質量を基準として１０質量％またはそれ以下の量で他の元素を含有することが予定されていてよい。ＳｉおよびＧｅ含有固体は、ＳｉおよびＧｅ含有固体の全質量を基準として５質量％またはそれ以下の量で他の元素を含有することが予定されていてよい。ＳｉおよびＧｅ含有固体は、ＳｉおよびＧｅ含有固体の全質量を基準として３質量％またはそれ以下の量で他の元素を含有することが予定されていてよい。ＳｉおよびＧｅ含有固体は、ＳｉおよびＧｅ含有固体の全質量を基準として２質量％またはそれ以下の量で他の元素を含有することが予定されていてよい。ＳｉおよびＧｅ含有固体は、ＳｉおよびＧｅ含有固体の全質量を基準として１質量％またはそれ以下の量で他の元素を含有することが予定されていてよい。ＳｉおよびＧｅ含有固体は、ＳｉおよびＧｅ含有固体の全質量を基準として０．５質量％またはそれ以下の量で他の元素を含有することが予定されていてよい。ＳｉおよびＧｅ含有固体は、ＳｉおよびＧｅ含有固体の全質量を基準として０．１質量％またはそれ以下の量で他の元素を含有することが予定されていてよい。ＳｉおよびＧｅ含有固体は、ＳｉおよびＧｅ含有固体の全質量を基準として０．０１質量％またはそれ以下の量で他の元素を含有することが予定されていてよい。ＳｉおよびＧｅ含有固体は、ＳｉおよびＧｅ含有固体の全質量を基準として０．００１質量％またはそれ以下の量で他の元素を含有することが予定されていてよい。
ＳｉおよびＧｅ含有固体中に含まれる他の元素は、炭素、酸素、アルミニウムおよびそれらの混合物からなる群から選択されることが予定されていてよい。
ＳｉおよびＧｅ含有固体の製造の間の、式（Ｉ）の化合物の加熱は、Ｒ１－ＨおよびＲ２－Ｈの形成を伴うことが予定されていてよい。
本明細書で使用される「アルキル」の概念は、飽和鎖状のまたは分枝状の炭化水素の一価基を指す。好ましくは、アルキル基は、１～１２（例えば１～１０）の炭素原子、つまり、１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１または１２の炭化水素、好ましくは１～８の炭化水素、あるいは１～６または１～４の炭化水素を含む。例示的なアルキル基は、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イブチル、ｔｅｒｔ－ブチル、ｎ－ペンチル、イペンチル、ｓｅｃ－ペンチル、ネオペンチル、１，２－ジメチルプロピル、イアミル、ｎ－ヘキシル、イヘキシル、ｓｅｃ－ヘキシル、ｎ－ヘプチル、イヘプチル、ｎ－オクチル、２－エチルヘキシル、ｎ－ノニル、ｎ－デシル、ｎ－ウンデシルまたはｎ－ドデシルである。
本明細書で使用される「アルケニル」の概念は、少なくとも１つの二重結合を有する飽和鎖状または分枝状の炭化水素の一価基を指す。
本明細書で使用される「アルキニル」の概念は、少なくとも１つの三重結合を有する飽和鎖状または分枝状の炭化水素の一価基を指す。
本明細書で使用される「アリール」の概念は、芳香族環式炭化水素の一価基を指す。好ましくは、アリール基は、５～１４（例えば５、６、７、８、９、１０）の炭素原子を含み、これらの炭素原子は、１つの環（例えば、「フェニル」＝「Ｐｈ」）の形態に、または二つまたはそれ以上の縮合環（例えば、「ナフチル」）の形態に配置されていてよい。例示的なアリール基は、例えばシクロペンタジエニル、フェニル、インデニル、ナフチル、アズレニル、フルオレニル、アントリル、およびフェナントリルである。
本明細書で使用される「シクロアルキル」の概念は、アルキルの環状の非芳香族の形態を指す。
本明細書で使用される「アリールアルキル」の概念は、少なくとも１つのアルキルで置換されているアリール基、例えばトルオリルを指す。
本明細書で使用される「アルキルアリール」の概念は、少なくとも１つのアリールで置換されているアルキル基、例えば２－フェニルエチルを指す。
本明細書で使用される「ハロゲン」の概念は、フッ素、塩素、臭素またはヨウ素を指す。
以下に、本発明を、特に好ましい実施形態および実施例を参照しながら詳細に説明する。しかしながら、本発明は、この特に好ましい実施形態および実施例に限定されるものではなく、特に好ましい実施形態および実施例の個々の特徴は、別の特徴または本発明の上述の一般的な開示の特徴と一緒に、本発明の実現のために利用されてよい。
本発明は、式（Ｉ）の新規多環式ケイ素－ゲルマニウム化合物に関する。
対応する化合物は、例えば、ジオルガニルジクロロゲルマンおよびヘキサクロロジシランから出発して、新規合成を介して入手可能である。例えば、テトラブチルアンモニウムクロリドの添加および場合によりグリニャール試薬との引き続く反応により、目的化合物（Ｉ）が製造可能である。これらの多環式ケイ素－ゲルマニウム化合物は、例えば純粋なＳｉおよびＧｅの析出の際に、その熱分解挙動により優れていて、この場合に得られた残留物は、化学量論比で純粋なＳｉおよびＧｅからなる。
合成例
Ｃ１０Ｈ３０Ｃｌ１４Ｇｅ５Ｓｉ９（Ｃ１）の合成
［ｎＢｕ４Ｎ］Ｃｌ（１６１ｍｇ、０．５８ｍｍｏｌ、０．２当量）、Ｍｅ２ＧｅＣｌ２（５００ｍｇ、２．８８ｍｍｏｌ、１当量）、１０ｍＬ ＣＨ２Ｃｌ２およびＳｉ２Ｃｌ６（３０９２ｍｇ、１１．５ｍｍｏｌ、４当量）を、室温で３時間攪拌し、引き続き減圧下で全ての揮発性成分を除去した。粗製生成物を、それぞれ５ｍＬ ｎヘキサンで２回洗浄し、残留物をＣＨ２Ｃｌ２中に溶かした。時間とともに、無色の固体が晶出した。ＣＨ２Ｃｌ２を用いた洗浄は、無色の結晶性固体としてＣ１（４％、３２ｍｇ、０．０２５ｍｍｏｌ）を提供した。この生成物を、Ｘ線回折（斜方晶、Ｃｍｃ２１）およびＮＭＲ分光法により特性決定した。
１Ｈ ＮＭＲ（５００．２ＭＨｚ、ＣＤ２Ｃｌ２、２９８Ｋ）：δ＝１．００、０．９４、０．９３ｐｐｍ。
１３Ｃ｛１Ｈ｝ＮＭＲ（１２５．８ＭＨｚ、ＣＤ２Ｃｌ２、２９８Ｋ）：δ＝２．５７、２．２３、１．９７ｐｐｍ。
２９Ｓｉ ＮＭＲ（９９．４ＭＨｚ、ＣＤ２Ｃｌ２、２９８Ｋ）：δ＝１６．２、１２．１、－８０．７、－８３．３ｐｐｍ。
Ｃ１０Ｈ３０Ｃｌ１４Ｇｅ５Ｓｉ９（Ｃ１）の合成
１Ｈ ＮＭＲ（５００．２ＭＨｚ、ＣＤ２Ｃｌ２、２９８Ｋ）：δ＝１．００、０．９４、０．９３ｐｐｍ。
１３Ｃ｛１Ｈ｝ＮＭＲ（１２５．８ＭＨｚ、ＣＤ２Ｃｌ２、２９８Ｋ）：δ＝２．５７、２．２３、１．９７ｐｐｍ。
２９Ｓｉ ＮＭＲ（９９．４ＭＨｚ、ＣＤ２Ｃｌ２、２９８Ｋ）：δ＝１６．２、１２．１、－８０．７、－８３．３ｐｐｍ。
Ｃ８Ｈ２４Ｃｌ１６Ｇｅ４Ｓｉ１０（Ｃ２）の合成
［ｎＢｕ４Ｎ］Ｃｌ（１６１ｍｇ、０．５８ｍｍｏｌ、０．２当量）、Ｍｅ２ＧｅＣｌ２（５００ｍｇ、２．８８ｍｍｏｌ、１当量）、１０ｍＬ ＣＨ２Ｃｌ２およびＳｉ２Ｃｌ６（３０９２ｍｇ、１１．５ｍｍｏｌ、４当量）をＳｃｈｏｔｔフラスコ中に装入した。数日後に無色の結晶が形成され、これを濾過により単離することができた。ＣＨ２Ｃｌ２を用いた洗浄は、無色の結晶性固体としてＣ２（１８％、１６３ｍｇ、０．１３ｍｍｏｌ）を提供した。この生成物を、Ｘ線回折（三方晶、Ｒ－３）およびＮＭＲ分光法により特性決定した。
１Ｈ ＮＭＲ（５００．２ＭＨｚ、ＣＤ２Ｃｌ２、２９８Ｋ）：δ＝１．０３ｐｐｍ。
１３Ｃ｛１Ｈ｝ＮＭＲ（１２５．８ＭＨｚ、ＣＤ２Ｃｌ２、２９８Ｋ）：δ＝１．５９ｐｐｍ。
２９Ｓｉ ＮＭＲ（９９．４ＭＨｚ、ＣＤ２Ｃｌ２、２９８Ｋ）：δ＝１１．９、－８０．８ｐｐｍ。
１Ｈ ＮＭＲ（５００．２ＭＨｚ、ＣＤ２Ｃｌ２、２９８Ｋ）：δ＝１．０３ｐｐｍ。
１３Ｃ｛１Ｈ｝ＮＭＲ（１２５．８ＭＨｚ、ＣＤ２Ｃｌ２、２９８Ｋ）：δ＝１．５９ｐｐｍ。
２９Ｓｉ ＮＭＲ（９９．４ＭＨｚ、ＣＤ２Ｃｌ２、２９８Ｋ）：δ＝１１．９、－８０．８ｐｐｍ。
Ｃ２２Ｈ６６Ｃｌ２Ｇｅ５Ｓｉ９（Ｃ３）の合成
Ｃ１（１２ｍｇ、０．００９ｍｍｏｌ、１当量）および０．５ｍＬ Ｅｔ２Ｏを、ＮＭＲ管中に装入し、氷冷下でＭｅＭｇＢｒ（３Ｍ、０．１ｍＬ、０．３０ｍｍｏｌ、３０当量）のＥｔ２Ｏ溶液を添加した。このＮＭＲ管を真空下で融封した。室温で約２週間後に、ＮＭＲ分光法により完全な変換を観察することができた。次いで、このＮＭＲ管を開放し、内容物を３ｍＬ Ｅｔ２Ｏと一緒にシュレンクフラスコ中に移し入れ、引き続き氷冷下で０．０５ｍＬ ＭｅＯＨを添加した。１０分間攪拌した後、全ての揮発性成分を除去し、残留物を、合計で７ｍＬ ｎヘキサンで抽出した。抽出物から、再び全ての揮発性成分を除去すると、無色の結晶性固体としてＣ３（８２％、８ｍｇ、０．００８ｍｍｏｌ）が得られた。この生成物を、Ｘ線回折（斜方晶、Ｃｍｃｍ）およびＮＭＲ分光法により特性決定した。
１Ｈ ＮＭＲ（５００．２ＭＨｚ、ＣＤ２Ｃｌ２、２９８Ｋ）：δ＝０．６６、０．６１、０．５９、０．３５、０．２７ｐｐｍ。
１３Ｃ｛１Ｈ｝ＮＭＲ（１２５．８ＭＨｚ、ＣＤ２Ｃｌ２、２９８Ｋ）：δ＝４．０６、３．８１、３．６０、３．２７、２．９２ｐｐｍ。
２９Ｓｉ ＮＭＲ（９９．４ＭＨｚ、ＣＤ２Ｃｌ２、２９８Ｋ）：δ＝－２．６、－３．５、－９１．５、－９７．２ｐｐｍ。
１Ｈ ＮＭＲ（５００．２ＭＨｚ、ＣＤ２Ｃｌ２、２９８Ｋ）：δ＝０．６６、０．６１、０．５９、０．３５、０．２７ｐｐｍ。
１３Ｃ｛１Ｈ｝ＮＭＲ（１２５．８ＭＨｚ、ＣＤ２Ｃｌ２、２９８Ｋ）：δ＝４．０６、３．８１、３．６０、３．２７、２．９２ｐｐｍ。
２９Ｓｉ ＮＭＲ（９９．４ＭＨｚ、ＣＤ２Ｃｌ２、２９８Ｋ）：δ＝－２．６、－３．５、－９１．５、－９７．２ｐｐｍ。
Ｃ２０Ｈ６０Ｃｌ４Ｇｅ４Ｓｉ１０（Ｃ４）の合成
Ｃ２（２０ｍｇ、０．０１５ｍｍｏｌ、１当量）および０．５ｍＬ Ｅｔ２Ｏを、ＮＭＲ管中に装入し、氷冷下でＭｅＭｇＢｒ（３Ｍ、０．２ｍＬ、０．６０ｍｍｏｌ、４０当量）のＥｔ２Ｏ溶液を添加した。このＮＭＲ管を真空下で融封した。６０℃で１４時間加熱した後、ＮＭＲ分光法により完全な変換を観察することができた。次いで、更なる後処理を、Ｃ３と同様に行った。
最終的に、無色の結晶性固体としてＣ４（８９％、１６ｍｇ、０．０１６ｍｍｏｌ）が得られた。この生成物を、Ｘ線回折（斜方晶、Ｐｂｃａ）およびＮＭＲ分光法により特性決定した。
１Ｈ ＮＭＲ（５００．２ＭＨｚ、ＣＤ２Ｃｌ２、２９８Ｋ）：δ＝０．７０、０．３７ｐｐｍ。
１３Ｃ｛１Ｈ｝ＮＭＲ（１２５．８ＭＨｚ、ＣＤ２Ｃｌ２、２９８Ｋ）：δ＝３．７、２．５ｐｐｍ。
２９Ｓｉ ＮＭＲ（９９．４ＭＨｚ、ＣＤ２Ｃｌ２、２９８Ｋ）：δ＝－１．８、－９１．６ｐｐｍ。
１Ｈ ＮＭＲ（５００．２ＭＨｚ、ＣＤ２Ｃｌ２、２９８Ｋ）：δ＝０．７０、０．３７ｐｐｍ。
１３Ｃ｛１Ｈ｝ＮＭＲ（１２５．８ＭＨｚ、ＣＤ２Ｃｌ２、２９８Ｋ）：δ＝３．７、２．５ｐｐｍ。
２９Ｓｉ ＮＭＲ（９９．４ＭＨｚ、ＣＤ２Ｃｌ２、２９８Ｋ）：δ＝－１．８、－９１．６ｐｐｍ。
上述の明細書ならびに特許請求の範囲に開示された本発明の特徴は、多様な実施形態での本発明の実現のために、単独でも任意に組み合わせても重要であることができる。
Claims (10)
- 式（Ｉ）の化合物。
Ｅ１～Ｅ６は、互いに無関係に、ＳｉまたはＧｅであり；
Ｘ１～Ｘ４は、互いに無関係に、Ｈ、ＳｉＨ３、ハロゲンおよびＳｉ（Ｙ）３からなる群から選択され；
Ｙは、無関係に、Ｃ１～Ｃ２０アルキルおよびハロゲンから選択され；
Ｒ１～Ｒ１２は、互いに無関係に、Ｃ１～Ｃ２０アルキル、Ｃ２～Ｃ２０アルケニル、Ｃ２～Ｃ２０アルキニル、Ｃ３～Ｃ２０シクロアルキル、Ｃ６～Ｃ２０アリール、Ｃ７～Ｃ２０アリールアルキル、Ｃ７～Ｃ２０アルキルアリールおよびＺからなる群から選択され；および
Ｚは、無関係に、Ｈ、ハロゲンおよびＣ１～Ｃ２０アルキルからなる群から選択される。］ - Ｅ１～Ｅ６の少なくとも３つがＧｅであり、Ｅ１～Ｅ６の残りはＳｉである、請求項１に記載の化合物。
- Ｒ１～Ｒ１２は、互いに無関係に、Ｃ１～Ｃ２０アルキルおよびハロゲンからなる群から選択される、請求項１または２に記載の化合物。
- Ｒ１～Ｒ１２は、互いに無関係に、メチルおよびＣｌからなる群から選択される、請求項１から３までのいずれか一項に記載の化合物。
- Ｘ１～Ｘ４は、無関係に、Ｈ、ＳｉＨ３、Ｓｉ（Ｃ１～Ｃ４アルキル）３、ＣｌおよびＳｉＣｌ３からなる群から選択される、請求項１から４までのいずれか一項に記載の化合物。
- Ｘ１～Ｘ４は、無関係に、ＳｉＣｌ３およびＳｉ（ＣＨ３）３からなる群から選択される、請求項１から５までのいずれか一項に記載の化合物。
- 式（ＩＩ）の化合物と式（ＩＩＩ）の化合物とを反応させるステップと、
Ｈａｌ１～Ｈａｌ８は、互いに無関係に、ハロゲンであり；および
Ｒ１およびＲ２は、請求項１から６までのいずれか一項に定義されている通りである、
請求項１から６までのいずれか一項に記載の式（Ｉ）の化合物の製造方法。 - 式（ＩＩ）で示される化合物と式（ＩＩＩ）の化合物との前記反応は、触媒の存在で行われる、請求項７に記載の方法。
- 前記結晶化後に得られた前記生成物とグリニャール試薬とを反応させるステップをさらに含む、請求項７または８に記載の方法。
- ＳｉおよびＧｅ含有固体を製造するための、請求項１から６までのいずれか一項に記載の化合物の使用。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102020131425.6 | 2020-11-27 | ||
| DE102020131425 | 2020-11-27 | ||
| PCT/DE2021/100913 WO2022111758A1 (de) | 2020-11-27 | 2021-11-18 | Polycyclische silicium-germanium-verbindungen, verfahren zur herstellung derselben sowie die verwendung derselben zum herstellen eines si- und ge-enthaltenden festkörpers |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2024503188A true JP2024503188A (ja) | 2024-01-25 |
Family
ID=80050796
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2023532722A Pending JP2024503188A (ja) | 2020-11-27 | 2021-11-18 | 多環式ケイ素－ゲルマニウム化合物、その製造方法ならびにＳｉおよびＧｅ含有固体を製造するためのその使用 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20240025926A1 (ja) |
| EP (1) | EP4251631A1 (ja) |
| JP (1) | JP2024503188A (ja) |
| KR (1) | KR20230112619A (ja) |
| CN (1) | CN116457496A (ja) |
| WO (1) | WO2022111758A1 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7540920B2 (en) | 2002-10-18 | 2009-06-02 | Applied Materials, Inc. | Silicon-containing layer deposition with silicon compounds |
| EP3409645B1 (de) | 2017-06-01 | 2019-10-02 | Evonik Degussa GmbH | Triphenylgermylsilan und trichlorsilyl-trichlorgerman für die erzeugung von germanium-silizium-schichten sowie verfahren zu deren herstellung aus trichlorsilyl-triphenylgerman |
| EP3410466B1 (de) | 2017-06-01 | 2020-02-26 | Evonik Operations GmbH | Neue chlorsilylarylgermane, verfahren zu deren herstellung und deren verwendung |
-
2021
- 2021-11-18 JP JP2023532722A patent/JP2024503188A/ja active Pending
- 2021-11-18 US US18/254,389 patent/US20240025926A1/en active Pending
- 2021-11-18 WO PCT/DE2021/100913 patent/WO2022111758A1/de active Application Filing
- 2021-11-18 KR KR1020237016393A patent/KR20230112619A/ko unknown
- 2021-11-18 CN CN202180078318.XA patent/CN116457496A/zh active Pending
- 2021-11-18 EP EP21848247.9A patent/EP4251631A1/de not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20230112619A (ko) | 2023-07-27 |
| EP4251631A1 (de) | 2023-10-04 |
| WO2022111758A1 (de) | 2022-06-02 |
| US20240025926A1 (en) | 2024-01-25 |
| CN116457496A (zh) | 2023-07-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10414783B2 (en) | Chlorosilylarylgermanes, method for preparation thereof and use thereof | |
| US11691996B2 (en) | Halogermanides and methods for the preparation thereof | |
| US9181283B2 (en) | Methods of preparing low molecular weight carbosilanes and precursors thereof | |
| US5068386A (en) | Preparation of tertiary-hydrocarbylsilyl compounds | |
| TWI816915B (zh) | 肆（三氯矽基）鍺烷，其製備方法及其用途 | |
| JP2024503188A (ja) | 多環式ケイ素－ゲルマニウム化合物、その製造方法ならびにＳｉおよびＧｅ含有固体を製造するためのその使用 | |
| JPH06166691A (ja) | ゲルマニウム二ハロゲン化物−エーテル付加物の製造方法 | |
| JP6707668B2 (ja) | カチオン性ケイ素（ｉｉ）化合物およびその製造方法 | |
| TWI822886B (zh) | 三（三氯矽基）二氯鎵基鍺烷，其製備方法及其用途 | |
| JP2023529170A (ja) | シリル化オリゴゲルマンおよび多環式ケイ素－ゲルマニウム化合物、その製造方法、ならびにＳｉおよびＧｅ含有固体の製造のためのその使用 | |
| US20220002324A1 (en) | Novel perchlorinated disilenes and germasilenes and also neopentatetrelanes, a method for the preparation thereof and use thereof | |
| JP4262900B2 (ja) | テトラターシャリーアルコキシシランの製法 | |
| TW202436313A (zh) | 矽基化聚合物及包含該聚合物之混合物 | |
| JPH08119976A (ja) | 非対称ジシロキサン化合物の製造方法 | |
| JPH0625261A (ja) | ポリシランオリゴマーの製造方法 | |
| JP2001335530A (ja) | 有機銅錯体 | |
| JPH1112284A (ja) | 有機インジウム化合物の製造方法 |