JP2024111880A - チップの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ウエーハを分割するために必要な手間の増加及びスループットの低下を抑制することができるチップの製造方法を提供する。【解決手段】機能層を貫通し、かつ、底面が基板に位置する溝をウエーハに形成する溝形成ステップと、基板の内部に改質層を形成する改質層形成ステップと、が共にウエーハの機能層が設けられている側からパルスレーザービームを照射することによって実施される。この場合、両ステップは、ウエーハの機能層が設けられていない側を保持した状態で実施可能である。すなわち、この場合には、両ステップの間にウエーハを反転させる必要がない。そのため、ウエーハを分割するために必要な手間の増加及びスループットの低下を抑制することができる。【選択図】図２

Description

本発明は、基板と基板上に設けられている機能層とを含むウエーハを分割予定ラインに沿って分割して複数のチップを製造するチップの製造方法に関する。

ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）等のデバイスのチップは、携帯電話及びパーソナルコンピュータ等の各種電子機器において不可欠の構成要素である。このようなチップは、一般的に、ウエーハを利用して製造される。

ウエーハは、例えば、半導体材料からなる基板と、複数のデバイスを構成するように基板上に設けられている機能層とを含む。なお、機能層は、パターニングされた導電膜及び絶縁膜等を含む層である。そして、分割予定ラインとも呼ばれる複数のデバイスの境界に沿ってウエーハを分割することによって複数のチップが製造される。

分割予定ラインに沿ってウエーハを分割する方法としては、基板を透過する波長のパルスレーザービーム（以下「第１パルスレーザービーム」ともいう。）を利用する方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。

具体的には、この方法においては、まず、分割予定ラインに沿って第１パルスレーザービームをウエーハに照射することによって基板の内部に改質層を形成する。そして、このウエーハに外力を付与することによって改質層を分割起点としてウエーハを分割する。

また、ウエーハは、機能層に含まれるＬｏｗ－ｋ膜等の絶縁膜が分割予定ラインに対応する領域に設けられた状態で分割されることもある。さらに、ウエーハは、機能層に含まれるＴＥＧ（Ｔｅｓｔ Ｅｌｅｍｅｎｔ Ｇｒｏｕｐ）が分割予定ラインに対応する領域に設けられた状態で分割されることもある。

ただし、このようなウエーハを上述したように分割する場合には、ウエーハに外力を付与する際に、機能層に含まれる絶縁膜が基板から剥離され、かつ／又は、ＴＥＧが障害となって基板を高精度に分割することが不可能になるといった問題が生じることがある。

このような問題の発生は、例えば、基板と基板上に設けられている機能層とに吸収される波長のパルスレーザービーム（以下「第２パルスレーザービーム」ともいう。）を利用してウエーハを分割することによって予防できる。

具体的には、この場合、分割予定ラインに沿って第２パルスレーザービームをウエーハに照射することによってウエーハにおいてアブレーションを生じさせる。その結果、ウエーハの分割予定ラインに対応する領域が除去されるため、ウエーハを確実に分割できる。

もっとも、この場合、アブレーションに伴ってウエーハが高温になることに起因して、ウエーハから製造される複数のチップのそれぞれの側面に多数の亀裂が生じることがある。この場合、製造されるチップの抗折強度が低下するという別の問題が生じる。

この点を踏まえて、製造されるチップの抗折強度の低下を抑制可能なチップの製造方法も提案されている（例えば、特許文献２参照）。具体的には、この方法においては、まず、ウエーハの機能層が設けられている側（表面側）を保持した状態で、分割予定ラインに沿って第１パルスレーザービームをウエーハの機能層が設けられていない側（裏面側）からウエーハに照射することによって基板の内部に改質層を形成する。

次いで、ウエーハの裏面側を保持した状態で、分割予定ラインに沿って第２パルスレーザービームをウエーハの表面側からウエーハに照射することによって、機能層を貫通し、かつ、底面が基板に位置する溝をウエーハに形成する。次いで、ウエーハに外力を付与することによって改質層を分割起点としてウエーハを分割して複数のチップを製造する。

このように複数のチップが製造される場合、分割予定ラインに対応する領域に存在する基板がアブレーションによって除去される場合と比較して、複数のチップのそれぞれの側面に生じる亀裂の数を低減することができる。そのため、この場合には、製造されるチップの抗折強度の低下を抑制できる。

特開２００２－１９２３７０号公報 特開２０１７－１０７９２１号公報

しかしながら、上述したチップの製造方法においては、第１パルスレーザービームをウエーハに照射する際と第２パルスレーザービームをウエーハに照射する際とで、ウエーハの保持される側が異なる。すなわち、この方法においては、その途中でウエーハを反転させる必要がある。

この場合、ウエーハを分割するために必要な手間が増えるとともに所定の時間において分割できるウエーハの枚数、すなわち、スループットが低下する。この点に鑑み、本発明は、ウエーハを分割するために必要な手間の増加及びスループットの低下を抑制することができるチップの製造方法を提供することである。

本発明によれば、基板と該基板上に設けられている機能層とを含むウエーハを分割予定ラインに沿って分割して複数のチップを製造するチップの製造方法であって、該分割予定ラインに沿って該機能層に吸収される波長のパルスレーザービームを該機能層が設けられている側から該ウエーハに照射することによって、該機能層を貫通し、かつ、底面が該基板に位置する溝を該ウエーハに形成する溝形成ステップと、該溝形成ステップの実施後に、該分割予定ラインに沿って該基板を透過する波長のパルスレーザービームを該機能層が設けられている側から該ウエーハに照射することによって、該基板の内部に改質層を形成する改質層形成ステップと、該改質層形成ステップの実施後に、該ウエーハに外力を付与することによって、該改質層を分割起点として該ウエーハを分割して該複数のチップを製造する分割ステップと、を備えるチップの製造方法が提供される。

さらに、本発明のチップの製造方法は、該溝形成ステップの実施後かつ該改質層形成ステップの実施前に、該分割予定ラインに沿って該基板に吸収される波長のレーザービームを該機能層が設けられている側から該ウエーハに照射することによって、該基板を溶融させて該溝の該底面の凹凸を緩和する緩和ステップと、をさらに備えることが好ましい。

また、該溝形成ステップにおいて照射される該パルスレーザービームのパルス幅が該基板の熱拡散時間よりも短いことが好ましい。

本発明においては、機能層を貫通し、かつ、底面が基板に位置する溝をウエーハに形成する溝形成ステップと、基板の内部に改質層を形成する改質層形成ステップと、が共にウエーハの機能層が設けられている側からパルスレーザービームを照射することによって実施される。

この場合、両ステップは、ウエーハの機能層が設けられていない側を保持した状態で実施可能である。すなわち、この場合には、両ステップの間にウエーハを反転させる必要がない。そのため、本発明においては、ウエーハを分割するために必要な手間の増加及びスループットの低下を抑制することができる。

図１（Ａ）は、ウエーハを含むフレームユニットの一例を模式的に示す斜視図であり、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）に示されるウエーハを模式的に示す断面図である。 図２は、ウエーハを分割予定ラインに沿って分割して複数のチップを製造するチップの製造方法の一例を模式的に示すフローチャートである。 図３（Ａ）は、レーザー加工装置において溝形成ステップを実施する様子を模式的に示す斜視図であり、図３（Ｂ）は、溝が形成されたウエーハを模式的に示す断面図である。 図４（Ａ）は、レーザー加工装置において改質層形成ステップを実施する様子を模式的に示す斜視図であり、図４（Ｂ）は、改質層が形成されたウエーハを模式的に示す断面図である。 図５は、拡張装置において分割ステップの第１段階を実施する様子を模式的に示す斜視図である。 図６（Ａ）は、拡張装置において分割ステップの第２段階を実施する様子を模式的に示す断面図であり、図６（Ｂ）は、拡張装置において分割ステップの第３段階を実施する様子を模式的に示す断面図である。 図７は、ウエーハを分割予定ラインに沿って分割して複数のチップを製造するチップの製造方法の別の例を模式的に示すフローチャートである。 図８（Ａ）は、レーザー加工装置において緩和ステップを実施する様子を模式的に示す斜視図であり、図８（Ｂ）は、表面側に形成されている溝の底面の凹凸が緩和されたウエーハを模式的に示す断面図である。

添付図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。図１（Ａ）は、ウエーハを含むフレームユニットの一例を模式的に示す斜視図であり、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）に示されるウエーハを模式的に示す断面図である。図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示されるフレームユニット１１は、チップの製造に利用されるウエーハ１３を含む。

このウエーハ１３は、例えば、シリコン（Ｓｉ）、炭化シリコン（ＳｉＣ）又は窒化ガリウム（ＧａＮ）等の半導体材料からなる基板１５を有する。そして、基板１５の表面には、パターニングされた導電膜及び絶縁膜等を含む機能層１７が設けられている。すなわち、この機能層１７は、ウエーハ１３の表面側に設けられている。

さらに、ウエーハ１３においては、その表面側に複数のデバイス１９が形成されている。そして、機能層１７のうち複数のデバイス１９を構成する部分は、機能層１７のうち分割予定ラインに対応する領域に設けられた部分よりも厚い。

また、ウエーハ１３においては、マトリックス状に複数のデバイス１９が配列されている。すなわち、ウエーハ１３においては複数のデバイス１９の境界（分割予定ライン）が格子状に延在する。そして、この分割予定ラインに沿ってウエーハ１３が分割されることによって複数のチップが製造される。

また、ウエーハ１３の裏面、すなわち、基板１５の裏面には、基板１５よりも直径が長い円板状のテープ２１の中央領域が貼着されている。このテープ２１は、例えば、可撓性を有するフィルム状の基材層と、基材層の一面（基板１５側の面）に設けられた粘着層（糊層）とを有する。

具体的には、この基材層は、ポリオレフィン（ＰＯ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）又はポリスチレン（ＰＳ）等からなる。また、この粘着層は、紫外線硬化型のシリコーンゴム、アクリル系材料又はエポキシ系材料等からなる。

また、テープ２１の外周領域には、ウエーハ１３よりも直径が長い円形の開口２３ａが形成されている環状のフレーム２３が貼着されている。このフレーム２３は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）等の金属材料からなる。

図２は、ウエーハ１３を分割予定ラインに沿って分割して複数のチップを製造するチップの製造方法の一例を模式的に示すフローチャートである。この方法においては、まず、機能層１７を貫通し、かつ、底面が基板１５に位置する溝をウエーハ１３に形成する（溝形成ステップＳ１）。

具体的には、この溝は、分割予定ラインに沿って機能層１７に吸収される波長のパルスレーザービームを表面側（機能層１７が設けられている側）からウエーハ１３に照射することによって形成される。

図３（Ａ）は、レーザー加工装置において溝形成ステップＳ１を実施する様子を模式的に示す斜視図である。なお、図３（Ａ）に示されるＸ軸方向及びＹ軸方向は、水平面上において互いに直交する方向であり、また、Ｚ軸方向（上下方向）は、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に垂直な方向（鉛直方向）である。

図３（Ａ）に示されるレーザー加工装置１０は、チャックテーブル１２を有する。このチャックテーブル１２は、その直径がウエーハ１３の直径よりも大きい円盤状の枠体を有する。この枠体は、円盤状の底壁と、この底壁の外周部から立設する円筒状の側壁とを有する。

すなわち、この枠体の上面側には、底壁及び側壁によって画定される円盤状の凹部が形成されている。そして、この凹部には、円盤状のポーラス板が固定されている。また、枠体の底壁には、凹部の底面において開口し、かつ、底壁を貫通する流路が形成されている。さらに、ポーラス板は、この流路を介してエジェクタ等の吸引源と連通する。

そして、この吸引源を動作させると、ポーラス板を介して、ポーラス板の上面近傍の空間に吸引力が作用する。そのため、例えば、テープ２１を介してウエーハ１３がチャックテーブル１２に置かれた状態で吸引源を動作させると、チャックテーブル１２の上面（保持面）においてウエーハ１３が保持される。

さらに、チャックテーブル１２は、プーリ及びモータ等を含む回転機構に接続されている。そして、この回転駆動源を動作させると、チャックテーブル１２の保持面の中心を通り、かつ、Ｚ軸方向に沿った直線を回転軸としてチャックテーブル１２が回転する。

また、チャックテーブル１２は、ボールねじ及びモータ等を含む水平方向移動機構に接続されている。そして、この水平方向移動機構を動作させると、Ｘ軸方向及び／又はＹ軸方向に沿ってチャックテーブル１２が移動する。

チャックテーブル１２の上方には、レーザービーム照射ユニット１４が設けられている。このレーザービーム照射ユニット１４は、例えば、レーザー媒体としてＮｄ：ＹＡＧを有し、レーザーをパルス発振又は連続波発振させるレーザー発振器（不図示）を含む。

そして、このレーザー発振器においては、基板１５及び機能層１７に吸収される波長（例えば、３５５ｎｍ）又は基板１５及び機能層１７を透過する波長（例えば、１０６４ｎｍ）のパルスレーザービーム又は連続波（ＣＷ）レーザービームが生成される。そして、レーザー発振器において生成されたレーザービームは、レーザービーム照射ユニット１４のヘッド１６から直下に向けて照射される。

また、レーザービーム照射ユニット１４のうちヘッド１６を含む部分は、ボールねじ及びモータ等を含む鉛直方向移動機構に接続されている。そして、この鉛直方向移動機構を動作させると、Ｚ軸方向に沿ってヘッド１６が移動する、すなわち、ヘッド１６が昇降する。

ヘッド１６の側方には、撮像ユニット１８が設けられている。この撮像ユニット１８は、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）等の光源と、対物レンズと、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）イメージセンサ又はＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）イメージセンサ等の撮像素子とを含み、チャックテーブル１２の保持面側を撮像する。

レーザー加工装置１０において溝形成ステップＳ１を実施する際には、まず、テープ２１を介してウエーハ１３をチャックテーブル１２に置いてから、チャックテーブル１２のポーラス板と連通する吸引源を動作させる。これにより、ウエーハ１３の表面側が露出された状態でウエーハ１３がチャックテーブル１２によって保持される。

次いで、撮像ユニット１８によってウエーハ１３の表面側を撮像する。次いで、この撮像によって形成された画像を参照して、格子状の分割予定ラインに含まれる直線状の部分がＸ軸方向と平行になるようにチャックテーブル１２を回転させる。次いで、平面視において、ヘッド１６からみて当該直線状の部分がＸ軸方向に位置付けられるようにチャックテーブル１２をＸ軸方向及び／又はＹ軸方向に沿って移動させる。

次いで、機能層１７に吸収される波長のパルスレーザービームの集光点が、機能層１７のうち分割予定ラインに対応する領域に設けられた部分の上面の高さと概ね等しい高さに位置付けられるようにヘッド１６を昇降させる。次いで、このパルスレーザービームがヘッド１６から直下に向けて照射されるようにレーザービーム照射ユニット１４を動作させる。

次いで、このパルスレーザービームがウエーハ１３のＸ軸方向における一端から他端までを通り過ぎるようにチャックテーブル１２をＸ軸方向に沿って移動させる。これにより、ウエーハ１３においてアブレーションが生じる。その結果、機能層１７の分割予定ラインに沿った領域が除去されてウエーハ１３に溝２５が形成される。

図３（Ｂ）は、溝２５が形成されたウエーハ１３を模式的に示す断面図である。この溝２５は機能層１７を貫通し、かつ、その底面が基板１５に位置する。また、溝２５の底面には、僅かに凹凸が形成されている。

さらに、ウエーハ１３のうち格子状の分割予定ラインの全てに対応する領域において同様の溝２５が形成されるように、チャックテーブル１２の移動とレーザービーム照射ユニット１４の動作とを繰り返す。以上によって、溝形成ステップＳ１が完了する。

なお、このパルスレーザービームのパルス幅は、基板１５の熱拡散時間よりも短くなるように調整されることが好ましい。例えば、このパルス幅は、１ｐｓ未満になるように調整される。この場合、基板１５が過度に高温になることがない。これにより、溝２５の底面に形成される凹凸が大きくなることを抑制できる。

溝形成ステップＳ１の実施後には、基板１５の内部に改質層を形成する（改質層形成ステップＳ２）。具体的には、この改質層は、分割予定ラインに沿って基板１５を透過する波長のパルスレーザービームを表面側（機能層１７が設けられている側）からウエーハ１３に照射することによって形成される。

図４（Ａ）は、上記のレーザー加工装置１０において改質層形成ステップＳ２を実施する様子を模式的に示す斜視図である。具体的には、まず、平面視において、ヘッド１６からみて格子状の分割予定ラインに含まれる直線状の部分がＸ軸方向に位置付けられるようにチャックテーブル１２をＸ軸方向及び／又はＹ軸方向に沿って移動させる。

次いで、基板１５を透過する波長のパルスレーザービームの集光点が、溝２５の底面よりも下、かつ、ウエーハ１３の裏面よりも上の高さに位置付けられるようにヘッド１６を昇降させる。次いで、このパルスレーザービームがヘッド１６から直下に向けて照射されるようにレーザービーム照射ユニット１４を動作させる。

次いで、このパルスレーザービームがウエーハ１３のＸ軸方向における一端から他端までを通り過ぎるようにチャックテーブル１２をＸ軸方向に沿って移動させる。これにより、改質層２７が基板１５の内部に形成される。

図４（Ｂ）は、改質層２７が形成されたウエーハ１３を模式的に示す断面図である。この改質層２７は、基板１５を構成する材料の結晶構造が乱れた領域であり、基板１５のその他の領域よりも脆い。

さらに、基板１５のうち格子状の分割予定ラインの全てに対応する領域において同様の改質層２７が形成されるように、チャックテーブル１２の移動とレーザービーム照射ユニット１４の動作とを繰り返す。以上によって、改質層形成ステップＳ２が完了する。

改質層形成ステップＳ２の実施後には、改質層２７を分割起点としてウエーハ１３を分割して複数のチップを製造する（分割ステップＳ３）。例えば、このウエーハ１３は、ウエーハ１３の径方向に沿ってウエーハ１３を拡張させるような外力を付与することによって、改質層２７を分割起点として分割される。

図５は、拡張装置において分割ステップＳ３の第１段階を実施する様子を模式的に示す斜視図であり、図６（Ａ）は、拡張装置において分割ステップＳ３の第２段階を実施する様子を模式的に示す断面図であり、図６（Ｂ）は、拡張装置において分割ステップＳ３の第３段階を実施する様子を模式的に示す断面図である。

図５、図６（Ａ）及び図６（Ｂ）に示される拡張装置２０は、円筒状のドラム２２を有する。このドラム２２の内径は、ウエーハ１３の直径よりも長く、かつ、フレーム２３の内径よりも短い。そして、ドラム２２の周囲には、フレーム支持ユニット２４が設けられている。

このフレーム支持ユニット２４は、ドラム２２を囲む円筒状のフレーム支持台２６と、フレーム支持台２６の外側に設けられている複数のクランプ２８と、フレーム支持台２６を昇降可能に支持する複数のエアシリンダ３０と、複数のエアシリンダ３０を支持する台座３２とを有する。

フレーム支持台２６の内径は、フレーム２３の内径と概ね等しい。また、複数のクランプ２８は、フレーム支持台２６の周方向に沿って概ね等しい角度の間隔で設けられている。また、複数のエアシリンダ３０は、フレーム支持台２６の周方向に沿って概ね等しい角度の間隔で設けられ、それぞれのロッド３０ａの上端部がフレーム支持台２６の下側に固定されている。

拡張装置２０において分割ステップＳ３を実施する際には、まず、ドラム２２の上端とフレーム支持台２６の上面との高さを一致させるように、複数のエアシリンダ３０を動作させる。次いで、テープ２１を介してフレーム２３をフレーム支持台２６に置く（図５参照）。

次いで、複数のクランプ２８を利用してフレーム２３をフレーム支持台２６に固定する（図６（Ａ）参照）。次いで、フレーム支持台２６を下降させるように複数のエアシリンダ３０を動作させる（図６（Ｂ）参照）。すなわち、複数のエアシリンダ３０のそれぞれのロッド３０ａを下降させる。

この時、ドラム２２の上端の位置が変化しないため、その径方向に沿ってテープ２１が拡張されて、ウエーハ１３を径方向に沿って拡張させるような外力がウエーハ１３に作用する。これにより、改質層２７から基板１５の厚さ方向に沿って亀裂が伸展する。その結果、分割予定ラインに沿ってウエーハ１３が分割されて複数のチップ２９が製造される。以上によって、分割ステップＳ３が完了する。

図２に示されるチップの製造方法においては、機能層１７を貫通し、かつ、底面が基板１５に位置する溝２５をウエーハ１３に形成する溝形成ステップＳ１と、基板１５の内部に改質層を形成する改質層形成ステップＳ２と、が共にウエーハ１３の表面側（機能層１７が設けられている側）からパルスレーザービームを照射することによって実施される。

この場合、溝形成ステップＳ１及び改質層形成ステップＳ２は、ウエーハ１３の裏面側（機能層１７が設けられていない側）を保持した状態で実施可能である。すなわち、この方法においては、その途中にウエーハ１３を反転させる必要がない。そのため、この方法においては、ウエーハ１３を分割するために必要な手間の増加及びスループットの低下を抑制することができる。

なお、上述した内容は本発明の一態様であって、本発明は上述した内容に限定されない。例えば、本発明の分割ステップＳ３においては、３点曲げ又はウエーハ１３の裏面側の研削によってウエーハ１３が分割されてもよい。

なお、３点曲げは、ウエーハ１３のうち分割予定ラインに含まれる直線状の部分を間に挟んで離隔する一対の領域のそれぞれを支持した状態で当該直線状の部分と重なる領域を押圧することによって、当該直線状の部分に沿ってウエーハ１３を分割する方法である。

また、本発明においては、改質層形成ステップＳ２に先立って、基板１５の表面側を僅かに溶融させてもよい。これにより、ウエーハ１３の表面側に形成されている溝２５の底面の凹凸を緩和して、改質層形成ステップＳ２において基板１５の内部に改質層２７を高精度に形成することが可能になる。

図７は、このようなチップの製造方法の一例を模式的に示すフローチャートである。この方法においては、溝形成ステップＳ１の実施後かつ改質層形成ステップＳ２の実施前に、基板１５を溶融させて溝２５の底面の凹凸を緩和する（緩和ステップＳ４）。

具体的には、この溝２５の底面の凹凸は、分割予定ラインに沿って基板１５に吸収される波長のレーザービームを表面側（機能層１７が設けられている側）からウエーハ１３に照射することによって緩和される。

図８（Ａ）は、上記のレーザー加工装置１０において緩和ステップＳ４を実施する様子を模式的に示す斜視図である。具体的には、まず、平面視において、ヘッド１６からみて格子状の分割予定ラインに含まれる直線状の部分がＸ軸方向に位置付けられるようにチャックテーブル１２をＸ軸方向及び／又はＹ軸方向に沿って移動させる。

次いで、基板１５に吸収される波長のパルスレーザービームの集光点が溝２５の底面よりも所定の距離だけ上の高さに位置付けられるようにヘッド１６を昇降させる。なお、この所定の距離は、パルスレーザービームによって基板１５の表面側が僅かに溶融することになるように調整される。

次いで、このパルスレーザービームがヘッド１６から直下に向けて照射されるようにレーザービーム照射ユニット１４を動作させる。次いで、このパルスレーザービームがウエーハ１３のＸ軸方向における一端から他端までを通り過ぎるようにチャックテーブル１２をＸ軸方向に沿って移動させる。

これにより、基板１５のうちパルスレーザービームが照射された直線状の領域の表面側が僅かに溶融する。そして、溶融した基板１５の構成材料が再凝固することによって、この領域に形成されている溝２５の底面の凹凸が緩和される。図８（Ｂ）は、表面側に形成されている溝２５の底面の凹凸が緩和されたウエーハ１３を模式的に示す断面図である。

さらに、溝２５の底面の全域の凹凸が緩和されるように、チャックテーブル１２の移動とレーザービーム照射ユニット１４の動作とを繰り返す。以上によって、緩和ステップＳ４が完了する。

なお、緩和ステップＳ４においては、パルスレーザービームに換えて、ＣＷレーザービームが利用されてもよい。この場合、緩和ステップＳ４は、基板１５に吸収される波長のパルスレーザービームの集光点が、例えば、溝２５の底面の高さと概ね等しい高さに位置付けられる点を除いて、上述したように実施される。

その他、上述した実施形態にかかる構造及び方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。

１０：レーザー加工装置
１１：フレームユニット
１２：チャックテーブル
１３：ウエーハ
１４：レーザービーム照射ユニット
１５：基板
１６：ヘッド
１７：機能層
１８：撮像ユニット
１９：デバイス
２０：拡張装置
２１：テープ
２２：ドラム
２３：フレーム（２３ａ：開口）
２４：フレーム支持ユニット
２５：溝
２６：フレーム支持台
２７：改質層
２８：クランプ
２９：チップ
３０：エアシリンダ（３０ａ：ロッド）
３２：台座

Claims (3)

1. 基板と該基板上に設けられている機能層とを含むウエーハを分割予定ラインに沿って分割して複数のチップを製造するチップの製造方法であって、
   該分割予定ラインに沿って該機能層に吸収される波長のパルスレーザービームを該機能層が設けられている側から該ウエーハに照射することによって、該機能層を貫通し、かつ、底面が該基板に位置する溝を該ウエーハに形成する溝形成ステップと、
   該溝形成ステップの実施後に、該分割予定ラインに沿って該基板を透過する波長のパルスレーザービームを該機能層が設けられている側から該ウエーハに照射することによって、該基板の内部に改質層を形成する改質層形成ステップと、
   該改質層形成ステップの実施後に、該ウエーハに外力を付与することによって、該改質層を分割起点として該ウエーハを分割して該複数のチップを製造する分割ステップと、
   を備えるチップの製造方法。
2. 該溝形成ステップの実施後かつ該改質層形成ステップの実施前に、該分割予定ラインに沿って該基板に吸収される波長のレーザービームを該機能層が設けられている側から該ウエーハに照射することによって、該基板を溶融させて該溝の該底面の凹凸を緩和する緩和ステップと、をさらに備える請求項１に記載のチップの製造方法。
3. 該溝形成ステップにおいて照射される該パルスレーザービームのパルス幅が該基板の熱拡散時間よりも短い請求項１又は２に記載のチップの製造方法。

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