JP2024101435A - 基板処理方法及び基板処理システム - Google Patents

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Abstract

【課題】導電体と絶縁体のパターンが形成された基板おいて、導電体の表面に金属層を形成する基板処理方法及び基板処理システムを提供する。【解決手段】基板表面に導電体と絶縁体のパターンが形成された基板を準備する工程と、前記基板の前記基板表面に、金属塩を含むイオン液体を塗布する工程と、前記イオン液体が塗布された前記基板にエネルギーを加える工程と、を有し、前記基板にエネルギーを加える工程は、前記金属塩の還元反応により前記導電体の表面に前記金属塩の金属を析出させ、前記導電体の表面に金属層を形成する、基板処理方法。【選択図】図６

Description

本開示は、基板処理方法及び基板処理システムに関する。
特許文献１には、絶縁膜に形成されたトレンチ内に金属層を埋め込んだ後に、その金属層の表面部分をエッチングによって除去することにより、金属層の上面を絶縁膜の上面よりも後退させることが記載されている。
特開２０１９－６１９７８号公報
一の側面では、本開示は、導電体と絶縁体のパターンが形成された基板おいて、導電体の表面に金属層を形成する基板処理方法及び基板処理システムを提供する。
上記課題を解決するために、一の態様によれば、基板表面に導電体と絶縁体のパターンが形成された基板を準備する工程と、前記基板の前記基板表面に、金属塩を含むイオン液体を塗布する工程と、前記イオン液体が塗布された前記基板にエネルギーを加える工程と、を有し、前記基板にエネルギーを加える工程は、前記金属塩の還元反応により前記導電体の表面に前記金属塩の金属を析出させ、前記導電体の表面に金属層を形成する、基板処理方法が提供される。
一の側面によれば、本開示は、導電体と絶縁体のパターンが形成された基板おいて、導電体の表面に金属層を形成する基板処理方法及び基板処理システムを提供することができる。
本実施形態に係る基板処理システムの構成の一例を示す模式図。 塗布装置の一例を示す概略図。 エネルギー供給装置の一例を示す概略図。 エネルギー供給装置の他の一例を示す概略図。 第１実施形態及び第２実施形態に係る基板処理を示すフローチャットの一例。 第１実施形態に係る基板処理の各工程における基板Ｗの断面模式図の一例。 金属塩と還元剤の反応を説明する模式図。 本実施形態に係る基板処理システムの構成の他の一例を示す模式図。 酸化膜除去装置の一例を示す概略図。 第３実施形態及び第４実施形態に係る基板処理を示すフローチャットの一例。 第３実施形態及び第４実施形態に係る基板処理の各工程における基板Ｗの断面模式図の一例。 第５実施形態及び第６実施形態に係る基板処理を示すフローチャットの一例。 第５実施形態及び第６実施形態に係る基板処理の各工程における基板Ｗの断面模式図の一例。 基板に形成される構造の一例を示す断面模式図。 基板に形成される構造の他の一例を示す斜視図。 基板に形成される金属配線の構造の一例を示す斜視図。 各工程における基板Ｗの斜視図の一例。
以下、図面を参照して本開示を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
［基板処理システム１００］
本実施形態に係る基板処理システム１００について、図１を用いて説明する。図１は、本実施形態に係る基板処理システム１００の構成の一例を示す模式図である。
基板処理システム１００は、塗布装置２００と、エネルギー供給装置３００と、制御装置４００と、を有する。
塗布装置２００には、基板表面に導電体と絶縁体のパターンが形成された基板Ｗ（後述する図６（ａ）等参照）が搬入される。塗布装置２００は、基板Ｗの基板表面に少なくとも金属塩を含むイオン液体を塗布する。
塗布装置２００で基板表面にイオン液体が塗布された基板Ｗは、エネルギー供給装置３００に搬送される。エネルギー供給装置３００は、基板表面にイオン液体が塗布された基板Ｗにエネルギーを供給することにより、金属塩の還元反応により導電体の表面に金属塩の金属を析出させ、導電体の表面に金属層を形成する。即ち、基板Ｗの基板表面に、導電体のパターンに対応して金属層の金属パターンを形成する。基板表面に金属層の金属パターンが形成された基板Ｗは、エネルギー供給装置３００から搬出される。
制御装置４００は、塗布装置２００、エネルギー供給装置３００等を制御することにより、基板処理システム１００全体を制御する。
［塗布装置２００］
次に、塗布装置２００の一例について、図２を用いて説明する。図２は、塗布装置２００の一例を示す概略図である。ここでは、塗布装置２００の一例として、スリットコータについて説明する。
塗布装置２００は、チャンバ２１０、液体供給部２２０、液体循環部２３０及び制御部２９０を有する。
チャンバ２１０は、内部に基板Ｗを収納する密閉構造の処理空間２１１を形成する。チャンバ２１０内には、ステージ２１２が設けられている。ステージ２１２は、基板Ｗを略水平の状態で保持する。ステージ２１２は、駆動機構２１３により回転する回転軸２１４の上端に接続されており、回転可能に構成される。ステージ２１２の下方の周囲には、上方側が開口する液受け部２１５が設けられている。液受け部２１５は、基板Ｗからこぼれ落ちたり、振り切られたりするイオン液体を受け止め、貯留する。チャンバ２１０の内部は、圧力制御弁及び真空ポンプ等を含む排気システム（図示せず）により排気される。
液体供給部２２０は、スリットノズル２２１を含む。スリットノズル２２１は、基板Ｗの上方を水平方向に移動することにより、液体循環部２３０からの乾燥防止用のイオン液体をステージ２１２に載置された基板Ｗの基板表面に供給する。
液体循環部２３０は、液受け部２１５に貯留されたイオン液体を回収してスリットノズル２２１に供給する。液体循環部２３０は、圧縮器２３１、原液槽２３２、キャリアガス供給源２３３、洗浄部２３４及びｐＨセンサ２３５，２３６を含む。
圧縮器２３１は、配管２３９ａを介して液受け部２１５と接続されており、液受け部２１５に貯留されたイオン液体を回収し、例えば大気圧以上に圧縮する。圧縮器２３１は、配管２３９ｂを介して原液槽２３２と接続されており、配管２３９ｂを介して圧縮したイオン液体を原液槽２３２に輸送する。配管２３９ａには、例えばバルブ、流量制御器（いずれも図示せず）が介設されている。例えば、バルブの開閉を制御することにより、圧縮器２３１から原液槽２３２へのイオン液体の輸送を定期的に行う。
原液槽２３２は、イオン液体を貯留する。原液槽２３２には、配管２３９ｂ～２３９ｄの一端が挿入されている。配管２３９ｂの他端は圧縮器２３１に接続されており、原液槽２３２には配管２３９ｂを介して圧縮器２３１で圧縮されたイオン液体が供給される。配管２３９ｃの他端はキャリアガス供給源２３３に接続されており、原液槽２３２には配管２３９ｃを介してキャリアガス供給源２３３から窒素（Ｎ２）ガス等のキャリアガスが供給される。配管２３９ｄの他端はスリットノズル２２１に接続されており、キャリアガスと共に原液槽２３２内のイオン液体が配管２３９ｄを介してスリットノズル２２１に輸送される。配管２３９ｂ～２３９ｄには、例えばバルブ、流量制御器（いずれも図示せず）が介設されている。
キャリアガス供給源２３３は、配管２３９ｃを介して原液槽２３２と接続されており、配管２３９ｃを介して原液槽２３２にＮ２ガス等のキャリアガスを供給する。
洗浄部２３４は、配管２３９ｂに介設されている。洗浄部２３４は、圧縮器２３１から輸送されたイオン液体を洗浄する。洗浄部２３４には排水管２３９ｅが接続されており、特性が劣化したイオン液体は排水管２３９ｅを介して排出される。例えば、洗浄部２３４は、ｐＨセンサ２３６の検出値に基づいて、イオン液体を再利用するか又は排出するかを制御する。また、例えば洗浄部２３４は、ｐＨセンサ２３５の検出値に基づいて、イオン液体を再利用するか又は排出するかを制御してもよい。また、例えば洗浄部２３４は、ｐＨセンサ２３５及びｐＨセンサ２３６の検出値に基づいて、イオン液体を再利用するか又は排出するかを制御してもよい。
ｐＨセンサ２３５は、圧縮器２３１に設けられており、圧縮器２３１内のイオン液体の水素イオン指数（ｐＨ）を検出する。
ｐＨセンサ２３６は、洗浄部２３４に設けられており、洗浄部２３４内のイオン液体の水素イオン指数（ｐＨ）を検出する。
制御部２９０は、後述するイオン液体を塗布する工程（図５のステップＳ１０２、図１０のステップＳ３０３、図１２のステップＳ５０３参照）を塗布装置２００に実行させるコンピュータ実行可能な指示を処理する。制御部２９０は、イオン液体を塗布する工程を実行するように塗布装置２００の各要素を制御するように構成され得る。制御部２９０は、例えばコンピュータを含む。コンピュータは、例えばＣＰＵ、記憶部及び通信インタフェースを含む。
［エネルギー供給装置３００］
次に、エネルギー供給装置３００の一例について、図３を用いて説明する。図３は、エネルギー供給装置３００の一例を示す概略図である。ここでは、エネルギー供給装置３００の一例として、基板加熱装置３００Ａについて説明する。
基板加熱装置３００Ａは、チャンバ３１０及び載置台３２０を有する。載置台３２０には、ヒータ３２１が設けられている。
これにより、基板加熱装置３００Ａは、載置台３２０に載置された基板Ｗの全体を外部から加熱することができる。
次に、エネルギー供給装置３００の他の一例について、図４を用いて説明する。図４は、エネルギー供給装置３００の他の一例を示す概略図である。ここでは、エネルギー供給装置３００の一例として、マイクロ波照射装置３００Ｂについて説明する。
図１に示すように、このマイクロ波照射装置３００Ｂは、例えばステンレススチールやアルミニウムやアルミニウム合金等の金属により筒体状に成形された処理容器４０４を有している。この処理容器４０４の内面は、導入される電磁波が反射され易くするために鏡内仕上げされている。この処理容器４０４は基板Ｗを収容できるような大きさに設定されており、この処理容器４０４自体は接地されている。この処理容器４０４の天井部は開口されており、この開口部には、Ｏリング等のシール部材４０６を介して後述するように電磁波を透過する透過板４０８が気密に設けられている。この透過板４０８の材料としては、例えば石英や窒化アルミニウム等のセラミック材が用いられる。
また、この処理容器４０４の側壁には、開口４１０が設けられると共に、この開口４１０には被処理体として例えば基板Ｗを搬出入する際に開閉されるゲートバルブ４１２が設けられる。
そして、この処理容器４０４内には、上記基板Ｗを、その上面に載置するための載置台４３２が設けられている。この載置台４３２は、容器底部より起立された円筒状の支柱４３４により支持されている。載置台４３２の材料としては、シリコンカーバイトや窒化アルミニウム等のセラミック材を用いることができる。
また、載置台４３２は、コールドリンク４３６を介して冷却器４３８と熱的に接続される。冷却器４３８は、例えば冷媒溶液の温度を一定に制御して循環させるチラー等を用いることができる。また、冷却器４３８として、電子冷却素子（ペルチェ素子）を用いてもよい。冷却器４３８は、コールドリンク４３６を介して載置台４３２を冷却し、載置台４３２に載置された基板Ｗを冷却する。
そして、上記載置台４３２の下方には、基板Ｗの搬出入時に昇降されるリフタピン４４２が配置されている。このリフタピン４４２は、同心円上に１２０度間隔で３本（図示例では２本のみ記す）設けられており、円弧状に成形された昇降ベース４４４上にそれぞれ支持されている。この昇降ベース４４４は、容器底部を貫通する昇降ロッド４４６に連結されており、図示しないアクチュエータにより上述したようにリフタピン４４２を昇降できるようになっている。また上記昇降ロッド４４６の貫通部には、処理容器４０４内の気密性を維持するために伸縮可能になされた金属ベローズ４４８が設けられている。
そして、処理容器４０４の透過板４０８の上方には、上記基板Ｗに向けて電磁波を照射する電磁波導入手段４５０が設けられている。ここで電磁波としては、周波数が０．５ＧＨｚ～５ＴＨｚの範囲の電磁波を用いることができ、ここでは一例として２８ＧＨｚのマイクロ波領域の電磁波を用いた場合を例にとって説明する。
具体的には、この電磁波導入手段４５０は、上記透過板４０８の上面に設けられた入射アンテナ部４５２と、例えば０．５ＧＨｚ～５ＴＨｚの範囲内の周波数の電磁波を発生することができる電磁波発生源４５４を有している。そして、この電磁波発生源４５４と上記入射アンテナ部４５２とが導波路４５６により連結されている。上記電磁波発生源４５４としては、例えばジャイロトロン、マグネトロン、クライストロン、進行波管等を用いることができ、具体的には上述のように２８ＧＨｚを用いることができ、この他に７７ＧＨｚ、８２．７ＧＨｚ、１０７ＧＨｚ、１１０ＧＨｚ、１４０ＧＨｚ、１６８ＧＨｚ、１７１ＧＨｚ、２０３ＧＨｚ、３００ＧＨｚ、８７４ＧＨｚ等の周波数の電磁波を用いることができる。
そして、この電磁波発生源４５４より出力された電磁波は、例えば矩形導波管やコルゲート導波管等よりなる導波路４５６により透過板４０８上に設けた入射アンテナ部４５２に導かれる。そして、この入射アンテナ部４５２には、図示しない複数の鏡面反射レンズや反射ミラーが設けられており、上記導かれた電磁波を処理容器４０４内の処理空間Ｓに向けて反射して導入できるようになっている。
この場合にも、上記反射された電磁波は透過板４０８を透過して処理空間Ｓに導入されて基板Ｗの基板表面に直接的に照射されることになり、これにより、基板Ｗを加熱することができるようになっている。
そして、このマイクロ波照射装置３００Ｂの全体の動作は、例えばマイクロコンピュータ等よりなる装置制御部４５８により制御されるようになっており、この動作を行うコンピュータのプログラムはフレキシブルディスクやＣＤ（Ｃｏｍｐａｃｔ Ｄｉｓｃ）やフラッシュメモリやハードディスク等の記憶媒体４６０に記憶されている。具体的には、この装置制御部４５８からの指令により、ガスの供給や流量制御、電磁波の供給や電力制御、プロセス温度やプロセス圧力の制御等が行われる。
＜第１実施形態＞
次に、基板処理システム１００を用いて基板Ｗの基板表面に金属層６９０の金属パターンを形成する第１実施形態に係る基板処理方法について、図５及び図６を用いて説明する。図５は、第１実施形態（及び後述する第２実施形態）に係る基板処理を示すフローチャットの一例である。図６は、第１実施形態（及び後述する第２実施形態）に係る基板処理の各工程における基板Ｗの断面模式図の一例である。
ステップＳ１０１において、基板Ｗを準備する。ここで、図６（ａ）は、ステップＳ１０１において準備される基板Ｗを示す。基板Ｗは、導電体６１０と、絶縁体６２０と、を有する。例えば、基板Ｗにおいて、絶縁体６２０にはトレンチ・ビア・ホール等の凹部が形成されている。絶縁体６２０の凹部には、導電体６１０が埋め込まれている。これにより、基板Ｗの基板表面は、導電体６１０が露出する導電体表面６１０ｓと、絶縁体６２０が露出する絶縁体表面６２０ｓと、を有する。即ち、基板Ｗの基板表面には、導電体６１０と絶縁体６２０のパターンが形成されている。
導電体６１０は、金属または半導体を用いることができる。また、半導体は、不純物が高濃度にドープされることにより、電荷キャリア濃度が増加した半導体が好ましい。以下の説明において、導電体６１０は、Ｒｕである場合を例に説明する。絶縁体６２０は、例えば、ＳｉＯ２膜、ＳｉＮ膜、ＳｉＯＣＮ膜等を用いることができる。
ステップＳ１０２において、塗布装置２００で基板Ｗの基板表面にイオン液体６５０を塗布する。ここで、図６（ｂ）は、ステップＳ１０２において基板Ｗの基板表面にイオン液体６５０が塗布された基板Ｗを示す。イオン液体６５０には、析出させる金属を含む金属塩（金属化合物）６５１と、還元剤６５２と、が添加されている。
イオン液体６５０は、金属塩６５１及び還元剤６５２の溶媒として用いられる。イオン液体６５０は、例えば、カチオンとして１－エチル－３－メチルイミダゾリウム（Ｅｍｉｍ）を含み、アニオンとしてＡｌ２Ｃｌ７を含む、Ｅｍｉｍ－Ａｌ２Ｃｌ７を用いることができる。また、イオン液体６５０は、例えば、カチオンとしてＥｍｉｍを含み、アニオンとしてＡｌＣｌ４を含む、Ｅｍｉｍ－ＡｌＣｌ４を用いることができる。また、イオン液体６５０は、例えば、カチオンとして１－ブチル－３－メチル－１Ｈ－イミダゾール－３－イウム（Ｂｍｉｍ）を含み、アニオンとしてＰＦ６を含む、Ｂｍｉｍ－ＰＦ６を用いることができる。また、イオン液体６５０は、例えば、カチオンとしてＢｍｉｍを含み、アニオンとしてＢＦ４を含む、Ｂｍｉｍ－ＢＦ４を用いることができる。
イオン液体６５０に添加される金属塩６５１は、析出させる金属を含む塩である。金属塩６５１は、イオン液体６５０の液中において、金属イオン（陽イオン）と、陰イオンと、に電離する。金属塩６５１は、例えば、ＲｕＣｌ３、ＮｂＣｌ５、ＴａＣｌ５、ＴｉＩ４、ＴｉＣｌ４、ＺｒＩ４、ＺｒＣｌ４、ＨｆＩ４、ＨｆＣｌ４、ＷＣｌ６、ＭｏＣｌ６等のうち、いずれかを用いることができる。
イオン液体６５０に添加される還元剤６５２は、金属塩６５１の金属（金属イオン）を還元する。還元剤６５２は、例えば、ＳｎＣｌ２、ＷＣｌ５、ＶＣｌ２、ＴｉＣｌ２、ＧｅＣｌ２等を用いることができる。
ステップＳ１０３において、エネルギー供給装置３００で基板Ｗにエネルギーを加えて基板Ｗを加熱する。これにより、金属塩６５１の金属（金属イオン）を還元剤６５２で還元して、導電体表面６１０ｓに金属層６９０を析出させる。また、反応副生物６５３が生成される。ここで、図６（ｃ）は、ステップＳ１０３における基板Ｗの状態を示す。
ここで、第１実施形態に係る基板処理方法において、エネルギー供給装置３００として基板加熱装置３００Ａを用い、基板Ｗに加えるエネルギーとして熱を供給する。即ち、第１実施形態に係る基板処理方法において、基板Ｗの全体を外部から加熱する。なお、基板Ｗの温度を好ましくは１５０℃～４００℃、より好ましくは２００℃～３５０℃の範囲内に加熱する。
図７は、金属塩６５１と還元剤６５２の反応を説明する模式図である。図７（ａ）は、導電体表面６１０ｓの近傍での反応を示す。図７（ｂ）は、絶縁体表面６２０ｓの近傍及びイオン液体６５０の液中における反応を示す。
エネルギー供給装置３００（基板加熱装置３００Ａ）によって金属塩６５１及び還元剤６５２を含むイオン液体６５０が塗布された基板Ｗが加熱されることにより、金属塩６５１の金属イオンを還元剤６５２と反応（還元反応）させて、金属イオンを還元することにより金属を析出させる。
ここでは、金属塩６５１としてＲｕＣｌ３、還元剤６５２としてＳｎＣｌ２を用いる場合を例に説明する。還元剤６５２は、Ｓｎ２＋からＳｎ４＋として電子を放出し、金属塩６５１のＲｕ３＋に電子が供給されることにより、金属のＲｕとして析出する。ここで、導電体表面６１０ｓの近傍において、還元剤６５２から放出された電子が導電体６１０を介して金属塩６５１のＲｕ３＋に供給される。これにより、導電体表面６１０ｓの近傍において、金属塩６５１と還元剤６５２とが近接していなくても、導電体６１０を介して電子が移動することができる。これにより、導電体表面６１０ｓに金属（Ｒｕ）が析出され、金属層６９０（図６（ｃ）参照）が形成される。なお、反応副生物６５３として、ＳｎＣｌ４が生成される。
一方、図７（ｂ）に示すように、絶縁体６２０の表面近傍及びイオン液体６５０の液中において、金属塩６５１と還元剤６５２とが近接していない場合、電子の授受が抑制される。このため、絶縁体６２０の表面近傍及びイオン液体６５０の液中において、金属塩６５１の金属が析出することが抑制される。
図７（ａ）及び図７（ｂ）を対比して示すように、導電体表面６１０ｓにおいては、電子が導電体６１０を介して移動することにより導電体表面６１０ｓに金属（Ｒｕ）が析出する。一方、絶縁体６２０の表面近傍及びイオン液体６５０の液中においては、金属（Ｒｕ）の析出が抑制されている。これにより、絶縁体表面６２０ｓに対して導電体表面６１０ｓに選択的に金属（Ｒｕ）を析出させ、導電体６１０の上に金属層６９０を形成することができる。これにより、基板Ｗの基板表面に、導電体６１０のパターンに併せて金属層６９０の金属パターンを形成することができる。また、イオン液体６５０の液中における金属の析出を抑制することができる。これにより、イオン液体６５０の液中で析出した金属に基づくパーティクルの発生を抑制することができる。
また、基板Ｗの温度を好ましくは１５０℃～４００℃、より好ましくは２００℃～３５０℃の範囲内に加熱することにより、導電体６１０の表面近傍における金属の析出を促進させるとともに、絶縁体６２０の表面近傍及びイオン液体６５０の液中おける金属の析出を抑制することができる。
ここで、金属の析出速度に関しては、導電体６１０の最表面にある酸化膜（自然酸化膜）を除去して金属的な活性状態に維持しておくことにより、より向上させることができる。酸化膜除去の手法としては、基板表面近傍で水素プラズマを発生させ、その還元作用によって導電体６１０の最表面に形成された酸化膜をエッチングで除去するなどの方法が挙げられる。この処理は、ステップＳ１０１で基板Ｗを準備する前に別の装置で除去処理工程を経てもよい。
図８は、本実施形態に係る基板処理システム１００の構成の他の一例を示す模式図である。基板処理システム１００は、塗布装置２００と、エネルギー供給装置３００と、制御装置４００と、酸化膜除去装置５００と、を有する。酸化膜除去装置５００は、基板Ｗの表面にイオン液体を塗布する塗布装置２００の前段に設けられ、基板Ｗの導電体６１０の最表面にある酸化膜を除去する除去処理工程を行う。このように、酸化膜除去装置５００を基板処理システム１００内に内包させておくことで必要に応じて一貫した処理を実施することができる。
次に、酸化膜除去装置５００の一例について、図９を用いて説明する。図９は、酸化膜除去装置５００の一例を示す概略図である。ここでは、酸化膜除去装置５００の一例として、容量結合型平行平板プラズマ処理装置について説明する。
酸化膜除去装置５００は、例えば表面が陽極酸化処理されたアルミニウム等によって形成され、内部に略円筒形状の空間が形成された処理容器５１０を有する。また、処理容器５１０は、接地されている。
処理容器５１０内には、基板Ｗが載置される略円筒形状のステージ５２０が設けられている。ステージ５２０は、例えばアルミニウム等で形成されている。ステージ５２０は、絶縁体を介して処理容器５１０の底部に支持されている。
処理容器５１０の底部には、排気口５１１が設けられている。排気口５１１には、排気管５１２を介して排気装置５１３が接続されている。排気装置５１３は、例えばターボ分子ポンプ等の真空ポンプを有しており、処理容器５１０内を予め定められた真空度まで減圧することができる。
処理容器５１０の側壁には、基板Ｗを搬入および搬出するための開口５１４が形成されている。開口５１４は、ゲートバルブ５１５によって開閉される。
ステージ５２０の上方には、ステージ５２０と対向するようにシャワーヘッド５３０が設けられている。シャワーヘッド５３０は、絶縁部材５１６を介して処理容器５１０の上部に支持されている。ステージ５２０とシャワーヘッド５３０とは、互いに略平行となるように処理容器５１０内に設けられている。
シャワーヘッド５３０は、天板保持部５３１および天板５３２を有する。天板保持部５３１は、例えば表面が陽極酸化処理されたアルミニウム等により形成されており、その下部に天板５３２を着脱自在に支持する。
天板保持部５３１には、拡散室５３３が形成されている。天板保持部５３１の上部には、拡散室５３３に連通する導入口５３６が形成されている。天板保持部５３１の底部には、拡散室５３３に連通する複数の流路５３４が形成されている。導入口５３６には、配管を介してガス供給源５３８が接続されている。ガス供給源５３８は、水素ガス等の処理ガスの供給源である。
天板５３２には、天板５３２を厚さ方向に貫通する複数の貫通口５３５が形成されている。１つの貫通口５３５は、１つの流路５３４に連通している。ガス供給源５３８から導入口５３６を介して拡散室５３３内に供給された処理ガスは、拡散室５３３内を拡散し、複数の流路５３４および貫通口５３５を介して処理容器５１０内にシャワー状に供給される。
シャワーヘッド５３０の天板保持部５３１には、高周波電源５３７が接続されている。高周波電源５３７は、予め定められた周波数の高周波電力を天板保持部５３１に供給する。高周波電力の周波数は、例えば４５０ｋＨｚ～２．５ＧＨｚの範囲内の周波数である。天板保持部５３１に供給された高周波電力は、天板保持部５３１の下面から処理容器５１０内に放射される。処理容器５１０内に供給された処理ガスは、処理容器５１０内に放射された高周波電力によってプラズマ化される。そして、プラズマに含まれるイオンや活性種等が基板Ｗの表面に照射される。
このように、酸化膜除去装置５００は、処理容器５１０内に水素プラズマを生成し、ステージ５２０に載置された基板Ｗを水素プラズマにさらすことにより、水素プラズマの還元作用によって導電体６１０の最表面に形成された酸化膜を除去する。
＜第２実施形態＞
次に、基板処理システム１００を用いて基板Ｗの基板表面に金属層６９０の金属パターンを形成する第２実施形態に係る基板処理方法について、引き続き図５及び図６を用いて説明する。第２実施形態に係る基板処理方法は、第１実施形態に係る基板処理方法（図５及び図６参照）と比較して、ステップＳ１０３において用いるエネルギー供給装置３００が異なっている。その他のステップＳ１０１からステップＳ１０２は、第１実施形態に係る基板処理方法におけるステップＳ１０１からステップＳ１０２と同様であり、重複する説明を省略する。
ステップＳ１０３において、エネルギー供給装置３００で基板Ｗにエネルギーを加えて基板Ｗを加熱する。これにより、金属塩６５１の金属（金属イオン）を還元剤６５２で還元して、導電体表面６１０ｓに金属層６９０を析出させる。
ここで、第２実施形態に係る基板処理方法において、エネルギー供給装置３００としてマイクロ波照射装置３００Ｂを用い、基板Ｗに加えるエネルギーとしてマイクロ波を供給する。ここで、マイクロ波照射装置３００Ｂから基板Ｗに照射されるマイクロ波は、絶縁体６２０を透過し、導電体６１０で吸収される周波数を有する。これにより、マイクロ波照射装置３００Ｂは、基板Ｗにマイクロ波を照射することにより、絶縁体６２０に対し導電体６１０を選択的に加熱することができる。即ち、第２実施形態に係る基板処理方法において、基板Ｗの導電体６１０を内部から加熱する。
これにより、導電体表面６１０ｓの近傍における金属の析出反応を促進させ、絶縁体表面６２０ｓに対して導電体表面６１０ｓに選択的に金属塩６５１の金属を析出させ、導電体６１０の上に金属層６９０を形成することができる。また、イオン液体６５０の液中における金属の析出を抑制することができる。
また、マイクロ波照射装置３００Ｂは、冷却器４３８によって基板Ｗ全体を冷却してもよい。これにより、導電体６１０と絶縁体６２０との温度差を大きくすることができる。よって、絶縁体表面６２０ｓに対して導電体表面６１０ｓに選択的に金属塩６５１の金属を析出させ、導電体６１０の上に金属層６９０を形成することができる。また、導電体６１０及び絶縁体６２０は、例えばシリコン基板６００（後述する図１７参照）の上に形成されている。シリコン基板６００を冷却することにより、シリコン基板６００中のキャリア濃度を抑制し、シリコン基板６００の誘導加熱を抑制することができる。これにより、導電体６１０を選択的に加熱することができる。
＜第３実施形態＞
次に、基板処理システム１００を用いて基板Ｗの基板表面に金属層６９０の金属パターンを形成する第３実施形態に係る基板処理方法について、図１０及び図１１を用いて説明する。図１０は、第３実施形態（及び後述する第４実施形態）に係る基板処理を示すフローチャットの一例である。図１１は、第３実施形態（及び後述する第４実施形態）に係る基板処理の各工程における基板Ｗの断面模式図の一例である。
ステップＳ３０１において、基板Ｗを準備する。ここで、ステップＳ３０１において準備される基板Ｗは、図６（ａ）に示す基板Ｗと同様である。
ステップＳ３０２において、基板Ｗの基板表面に還元剤６３０を配置する。ここで、図１１（ａ）は、ステップＳ３０２において基板Ｗの基板表面に還元剤６３０が配置された基板Ｗを示す。還元剤６３０は、金属塩６５１の金属よりもイオン化しやすい（イオン化傾向が大きい）金属を含む。還元剤６３０に含まれる金属は、例えばＭｇ、Ａｌ、Ｓｒ、Ｌｉ、Ｔｉ等を用いることができる。基板Ｗの基板表面に配置される還元剤６３０は、例えば、ＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）法による成膜方法、ＡＬＤ（Atomic layer deposition）法による成膜方法、ＣＶＤ（chemical vapor deposition）法による成膜方法等を用いて配置（成膜）することができる。また、基板Ｗの基板表面に還元剤６３０を塗布することで配置してもよい。
ステップＳ３０３において、塗布装置２００で基板Ｗの基板表面にイオン液体６５０を塗布する。ここで、図１１（ｂ）は、ステップＳ３０３において基板Ｗの基板表面にイオン液体６５０が塗布された基板Ｗを示す。イオン液体６５０には、析出させる金属を含む金属塩（金属化合物）６５１が添加されている。
イオン液体６５０は、金属塩６５１の溶媒として用いられる。イオン液体６５０は、Ｅｍｉｍ－Ａｌ２Ｃｌ７、Ｅｍｉｍ－ＡｌＣｌ４、Ｂｍｉｍ－ＰＦ６、Ｂｍｉｍ－ＢＦ４等のうち、いずれかを用いることができる。
イオン液体６５０に添加される金属塩６５１は、析出させる金属を含む塩である。金属塩６５１は、イオン液体６５０の液中において、金属イオン（陽イオン）と、陰イオンと、に電離する。金属塩６５１は、例えば、ＲｕＣｌ３、ＮｂＣｌ５、ＴａＣｌ５、ＴｉＩ４、ＴｉＣｌ４、ＺｒＩ４、ＺｒＣｌ４、ＨｆＩ４、ＨｆＣｌ４、ＷＣｌ６、ＭｏＣｌ６等のうち、いずれかを用いることができる。
ステップＳ３０４において、エネルギー供給装置３００で基板Ｗにエネルギーを加えて基板Ｗを加熱する。これにより、金属塩６５１の金属（金属イオン）を還元剤６３０で還元して、導電体表面６１０ｓに金属層６９０を析出させる。ここで、図１１（ｃ）は、ステップＳ３０４における基板Ｗの状態を示す。なお、図１１（ｃ）では、反応副生物６５３の図示を省略している。
ここで、第３実施形態に係る基板処理方法において、エネルギー供給装置３００として基板加熱装置３００Ａを用い、基板Ｗに加えるエネルギーとして熱を供給する。即ち、第３実施形態に係る基板処理方法において、基板Ｗの全体を外部から加熱する。なお、基板Ｗの温度を好ましくは１５０℃～４００℃、より好ましくは２００℃～３５０℃の範囲内に加熱することが好ましい。
基板Ｗを加熱することで金属塩６５１と還元剤６３０とが反応することにより、還元剤６３０が溶解する。ここで、還元剤６３０と基板表面（導電体表面６１０ｓ、絶縁体表面６２０ｓ）との密着性の差によって、絶縁体表面６２０ｓに配置された還元剤６３０は、基板表面から剥離して還元剤６３１となる。また、導電体表面６１０ｓの還元剤６３０がイオン液体６５０中の金属塩６５１と反応して金属塩６５１の金属と置き換わることで、導電体表面６１０ｓに金属塩６５１の金属が析出する。これにより、絶縁体表面６２０ｓに対して導電体表面６１０ｓに選択的に金属塩６５１の金属を析出させ、導電体６１０の上に金属層６９０を形成することができる。
これにより、基板Ｗの基板表面に、導電体６１０のパターンに併せて金属層６９０の金属パターンを形成することができる。また、イオン液体６５０の液中における金属の析出を抑制することができる。
＜第４実施形態＞
次に、基板処理システム１００を用いて基板Ｗの基板表面に金属層６９０の金属パターンを形成する第４実施形態に係る基板処理方法について、引き続き図１０及び図１１を用いて説明する。第４実施形態に係る基板処理方法は、第３実施形態に係る基板処理方法（図１０及び図１１参照）と比較して、ステップＳ３０４において用いるエネルギー供給装置３００が異なっている。その他のステップＳ３０１からステップＳ３０３は、第３実施形態に係る基板処理方法におけるステップＳ３０３からステップＳ３０３と同様であり、重複する説明を省略する。
ステップＳ３０４において、エネルギー供給装置３００で基板Ｗにエネルギーを加えて基板Ｗを加熱する。これにより、金属塩６５１の金属（金属イオン）を還元剤６３０で還元して、導電体表面６１０ｓに金属層６９０を析出させる。
ここで、第４実施形態に係る基板処理方法において、エネルギー供給装置３００としてマイクロ波照射装置３００Ｂを用い、基板Ｗに加えるエネルギーとしてマイクロ波を供給する。ここで、マイクロ波照射装置３００Ｂから基板Ｗに照射されるマイクロ波は、絶縁体６２０を透過し、導電体６１０で吸収される周波数を有する。これにより、マイクロ波照射装置３００Ｂは、基板Ｗにマイクロ波を照射することにより、絶縁体６２０に対し導電体６１０を選択的に加熱することができる。即ち、第４実施形態に係る基板処理方法において、基板Ｗの導電体６１０を内部から加熱する。
これにより、導電体表面６１０ｓの近傍における金属の析出反応を促進させ、絶縁体表面６２０ｓに対して導電体表面６１０ｓに選択的に金属塩６５１の金属を析出させ、導電体６１０の上に金属層６９０を形成することができる。また、イオン液体６５０の液中における金属の析出を抑制することができる。
また、マイクロ波照射装置３００Ｂは、冷却器４３８によって基板Ｗ全体を冷却してもよい。これにより、導電体６１０と絶縁体６２０との温度差を大きくすることができる。よって、絶縁体表面６２０ｓに対して導電体表面６１０ｓに選択的に金属塩６５１の金属を析出させ、導電体６１０の上に金属層６９０を形成することができる。また、導電体６１０及び絶縁体６２０は、例えばシリコン基板６００（後述する図１７参照）の上に形成されている。シリコン基板６００を冷却することにより、シリコン基板６００中のキャリア濃度を抑制し、シリコン基板６００の誘導加熱を抑制することができる。これにより、導電体６１０を選択的に加熱することができる。
＜第５実施形態＞
次に、基板処理システム１００を用いて基板Ｗの基板表面に金属層６９０の金属パターンを形成する第５実施形態に係る基板処理方法について、図１２及び図１３を用いて説明する。図１２は、第５実施形態（及び後述する第６実施形態）に係る基板処理を示すフローチャットの一例である。図１３は、第５実施形態（及び後述する第６実施形態）に係る基板処理の各工程における基板Ｗの断面模式図の一例である。
ステップＳ５０１において、基板Ｗを準備する。ここで、ステップＳ５０１において準備される基板Ｗは、図６（ａ）に示す基板Ｗと同様である。
ステップＳ５０２において、導電体表面６１０ｓに還元剤としての有機化合物６４０を配置する。ここで、図１３（ａ）は、ステップＳ５０２において基板Ｗの基板表面に有機化合物６４０が配置された基板Ｗを示す。有機化合物６４０は、主鎖（鎖部）６４１と、主鎖６４１の一端に形成される第１機能基６４２と、主鎖６４１の他端に形成される第２機能基６４３と、を有する。
主鎖６４１は、炭素（Ｃ）が連なって形成される。主鎖６４１は、例えば、アルキル鎖で形成される。
第１機能基６４２は、導電体６１０に対して選択的に吸着（結合）する官能基である。第１機能基６４２は、例えば、チオール、カルボン酸、スルホン酸、リン酸、オレフィン等のうち少なくとも一つを含む。
第２機能基６４３は、金属塩６５１の金属（金属イオン）を還元する官能基である。第２機能基６４３は、例えば、アミノ基を用いることができる。
また、有機化合物６４０としては、3-Aminopropyltriethoxysilane、3-(Dimethoxymethylsilyl)propylamine等のうちいずれかを用いることができる。
例えば、処理容器（図示せず）内に有機化合物６４０のガスを供給して基板Ｗの基板表面を有機化合物６４０のさらす。これにより、第１機能基６４２が導電体６１０に対して選択的に吸着し、絶縁体表面６２０ｓに対し導電体表面６１０ｓに選択的に有機化合物６４０が配置される。導電体表面６１０ｓに吸着された有機化合物６４０は、自己組織化単分子膜（ＳＡＭ：Self Assembled Monolayer）を形成する。
ステップＳ５０３において、塗布装置２００で基板Ｗの基板表面にイオン液体６５０を塗布する。ここで、図１３（ｂ）は、ステップＳ５０３において基板Ｗの基板表面にイオン液体６５０が塗布された基板Ｗを示す。イオン液体６５０には、析出させる金属を含む金属塩６５１が添加されている。
イオン液体６５０は、金属塩６５１の溶媒として用いられる。イオン液体６５０は、Ｅｍｉｍ－Ａｌ２Ｃｌ７、Ｅｍｉｍ－ＡｌＣｌ４、Ｂｍｉｍ－ＰＦ６、Ｂｍｉｍ－ＢＦ４等のうち、いずれかを用いることができる。
イオン液体６５０に添加される金属塩６５１は、析出させる金属を含む塩である。金属塩６５１は、イオン液体６５０の液中において、金属イオン（陽イオン）と、陰イオンと、に電離する。金属塩６５１は、例えば、ＲｕＣｌ３、ＮｂＣｌ５、ＴａＣｌ５、ＴｉＩ４、ＴｉＣｌ４、ＺｒＩ４、ＺｒＣｌ４、ＨｆＩ４、ＨｆＣｌ４、ＷＣｌ６、ＭｏＣｌ６等のうち、いずれかを用いることができる。
ステップＳ５０４において、エネルギー供給装置３００で基板Ｗにエネルギーを加えて基板Ｗを加熱する。これにより、金属塩６５１の金属（金属イオン）を第２機能基６４３（アミノ基）で還元して、導電体表面６１０ｓに金属層６９０を析出させる。ここで、図１３（ｃ）は、ステップＳ５０４における基板Ｗの状態を示す。なお、図１３（ｃ）では、反応副生物６５３の図示を省略している。
ここで、第５実施形態に係る基板処理方法において、エネルギー供給装置３００として基板加熱装置３００Ａを用い、基板Ｗに加えるエネルギーとして熱を供給する。即ち、第５実施形態に係る基板処理方法において、基板Ｗの全体を外部から加熱する。なお、基板Ｗの温度を好ましくは１５０℃～４００℃、より好ましくは２００℃～３５０℃の範囲内に加熱することが好ましい。
金属塩６５１と還元剤として機能する第２機能基６４３（アミノ基）とが反応することにより、導電体表面６１０ｓに金属塩６５１の金属が析出する。これにより、絶縁体表面６２０ｓに対して導電体表面６１０ｓに選択的に金属塩６５１の金属を析出させ、導電体６１０の上に金属層６９０を形成することができる。
これにより、基板Ｗの基板表面に、導電体６１０のパターンに併せて金属層６９０の金属パターンを形成することができる。また、イオン液体６５０の液中における金属の析出を抑制することができる。
＜第６実施形態＞
次に、基板処理システム１００を用いて基板Ｗの基板表面に金属層６９０の金属パターンを形成する第６実施形態に係る基板処理方法について引き続き図１２及び図１３を用いて説明する。第６実施形態に係る基板処理方法は、第５実施形態に係る基板処理方法（図１２及び図１３参照）と比較して、ステップＳ５０４において用いるエネルギー供給装置３００が異なっている。その他のステップＳ５０１からステップＳ５０３は、第５実施形態に係る基板処理方法におけるステップＳ５０３からステップＳ５０３と同様であり、重複する説明を省略する。
ステップＳ５０４において、エネルギー供給装置３００で基板Ｗにエネルギーを加えて基板Ｗを加熱する。これにより、金属塩６５１の金属（金属イオン）を第２機能基６４３（アミノ基）で還元して、導電体表面６１０ｓに金属層６９０を析出させる。
ここで、第６実施形態に係る基板処理方法において、エネルギー供給装置３００としてマイクロ波照射装置３００Ｂを用い、基板Ｗに加えるエネルギーとしてマイクロ波を供給する。ここで、マイクロ波照射装置３００Ｂから基板Ｗに照射されるマイクロ波は、絶縁体６２０を透過し、導電体６１０で吸収される周波数を有する。これにより、マイクロ波照射装置３００Ｂは、基板Ｗにマイクロ波を照射することにより、絶縁体６２０に対し導電体６１０を選択的に加熱することができる。即ち、第６実施形態に係る基板処理方法において、基板Ｗの導電体６１０を内部から加熱する。
これにより、導電体表面６１０ｓの近傍における金属の析出反応を促進させ、絶縁体表面６２０ｓに対して導電体表面６１０ｓに選択的に金属塩６５１の金属を析出させ、導電体６１０の上に金属層６９０を形成することができる。また、イオン液体６５０の液中における金属の析出を抑制することができる。
また、マイクロ波照射装置３００Ｂは、冷却器４３８によって基板Ｗ全体を冷却してもよい。これにより、導電体６１０と絶縁体６２０との温度差を大きくすることができる。よって、絶縁体表面６２０ｓに対して導電体表面６１０ｓに選択的に金属塩６５１の金属を析出させ、導電体６１０の上に金属層６９０を形成することができる。また、導電体６１０及び絶縁体６２０は、例えばシリコン基板６００（後述する図１７参照）の上に形成されている。シリコン基板６００を冷却することにより、シリコン基板６００中のキャリア濃度を抑制し、シリコン基板６００の誘導加熱を抑制することができる。これにより、導電体６１０を選択的に加熱することができる。
次に、本実施形態（第１～第６実施形態）に係る基板処理が用いられる例について、図１４から図１７を用いて説明する。
図１４は、基板Ｗに形成される構造の一例を示す断面模式図である。基板Ｗは、導電体６１０及び絶縁体６２０を有する。絶縁体６２０は、水平方向に形成された凹部を有し、凹部の奥に導電体６１０が形成されている。導電体６１０は例えばＳｉであり、絶縁体６２０は例えばＳｉＯ２である。このような構造において、第１実施形態から第６実施形態に係る基板処理方法を用いて、導電体６１０の表面に金属層６９０を形成することができる。
図１５は、基板Ｗに形成される構造の他の一例を示す斜視図である。図１５（ａ）に示すように、基板Ｗは、導電体６１０及び絶縁体６２０を有する第１層と、第１層の上に形成される第２層６６０と、を有する。第２層６６０は、絶縁体で形成され、第１層の導電体６１０まで貫通する孔６６１が形成されている。図１５（ｂ）に示すように、孔６６１に金属層６９０を埋め込む。このような構造において、第１実施形態から第６実施形態に係る基板処理方法を用いて、孔６６１の内部に金属層６９０を埋め込むことができる。
図１６は、基板Ｗに形成される金属配線の構造の一例を示す斜視図である。導電体６１０Ａの上に導電体７１０Ａ及び導電体７１０Ｂが配置されている。金属層６９０Ａは、導電体６１０Ａと導電体７１０Ａとを電気的に接続する。なお、導電体６１０Ａと導電体７１０Ｂとの間の位置（図１６において二点鎖線で図示する。）には、金属層が設けられていない。
次に、基板Ｗに図１６に示す金属配線の構造を形成する処理について、図１７を用いて説明する。図１７は、各工程における基板Ｗの斜視図の一例である。
まず、基板Ｗを準備する（ステップＳ３０１参照）。ここで、図１７（ａ）に示すように、準備される基板Ｗは、シリコン基板６００の上に絶縁体６２０及び平行に形成された導電体６１０Ａ，６１０Ｂが形成されている。
次に、基板Ｗの基板表面に還元剤６３０を配置する（ステップＳ３０２参照）。ここで、図１７（ａ）に示すように、基板Ｗの基板表面に還元剤６３０のパターンを形成する。還元剤６３０は、金属塩６５１の金属よりもイオン化しやすい（イオン化傾向が大きい）金属を含む。還元剤６３０は、導電体６１０Ａ，６１０Ｂと交差するように、形成される。
次に、塗布装置２００で基板Ｗの基板表面にイオン液体６５０を塗布する（ステップＳ３０３参照）。次に、エネルギー供給装置３００で基板Ｗにエネルギーを加えて基板Ｗを加熱する（ステップＳ３０４参照）。基板Ｗを加熱することで還元剤６３０が溶解する。ここで、還元剤６３０と導電体６１０Ａ，６１０Ｂとの密着性と、還元剤６３０と絶縁体６２０との密着性と、の密着性の差によって、絶縁体６２０の表面に配置された還元剤６３０は基板表面から剥離する。また、導電体６１０Ａ，６１０Ｂの表面に配置された還元剤６３０がイオン液体６５０中の金属塩６５１と反応して金属塩６５１の金属と置き換わることで、導電体表面６１０ｓに金属塩６５１の金属が析出する。これにより、導電体６１０Ａ，６１０Ｂと還元剤６３０とが交差する位置に金属層６９０Ａ，６９０Ｂが形成される。
次に、基板Ｗの基板表面に絶縁体７００を形成する。そして、ＣＭＰ処理によって基板Ｗの基板表面を研磨することにより、金属層６９０Ａ，６９０Ｂの上面を露出させる。これにより、図１７（ｃ）に示すように、金属層６９０Ａ，６９０Ｂ及び絶縁体７００が形成される。
次に、基板Ｗの基板表面に導電体７１０Ａ，７２０Ｂのパターンを形成する。これにより、図１７（ｄ）に示すように、基板Ｗの基板表面に導電体７１０Ａ，７１０Ｂのパターンが形成される。これにより、導電体６１０Ａと導電体７１０Ａとが金属層６９０Ａを介して電気的に接続する配線構造（図１６参照）が基板Ｗに形成される。また、導電体６１０Ｂと導電体７１０Ｂとが金属層６９０Ｂを介して電気的に接続する配線構造が基板Ｗに形成される。
以上のように、図１７（ａ）から図１７（ｄ）に示す工程によって、図１６に示す金属配線の構造を基板Ｗに形成することができる。
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
６００ シリコン基板
６１０ 導電体
６２０ 絶縁体
６１０ｓ 導電体表面
６２０ｓ 絶縁体表面
６３０ 還元剤
６４０ 有機化合物
６４１ 主鎖
６４２ 第１機能基
６４３ 第２機能基
６５０ イオン液体
６５１ 金属塩
６５２ 還元剤
６９０ 金属層
Ｗ 基板
１００ 基板処理システム
２００ 塗布装置
３００ エネルギー供給装置
３００Ａ 基板加熱装置（エネルギー供給装置）
３００Ｂ マイクロ波照射装置（エネルギー供給装置）
４３８ 冷却器

Claims (16)

  1. 基板表面に導電体と絶縁体のパターンが形成された基板を準備する工程と、
    前記基板の前記基板表面に、金属塩を含むイオン液体を塗布する工程と、
    前記イオン液体が塗布された前記基板にエネルギーを加える工程と、を有し、
    前記基板にエネルギーを加える工程は、
    前記金属塩の還元反応により前記導電体の表面に前記金属塩の金属を析出させ、前記導電体の表面に金属層を形成する、
    基板処理方法。
  2. 前記イオン液体を塗布する工程において前記基板に塗布される前記イオン液体は、
    前記金属塩と還元反応する還元剤を含む、
    請求項１に記載の基板処理方法。
  3. 前記基板を準備する工程の後、前記イオン液体を塗布する工程の前に、前記基板表面に還元剤を配置する工程を含む、
    請求項１に記載の基板処理方法。
  4. 前記還元剤は、前記金属塩の金属よりもイオン化傾向の大きい金属を含む、
    請求項３に記載の基板処理方法。
  5. 前記還元剤は、
    主鎖と、
    前記主鎖の一端に形成され前記導電体に対して選択的に吸着する第１機能基と、
    前記主鎖の他端に形成され前記金属塩の金属を還元する第２機能基と、を含む、
    請求項３に記載の基板処理方法。
  6. 前記基板にエネルギーを加える工程は、
    前記基板の温度を１５０℃～４００℃の範囲内に加熱する、
    請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の基板処理方法。
  7. 前記基板にエネルギーを加える工程は、
    前記基板にマイクロ波を照射して、前記絶縁体に対し前記導電体を選択的に加熱する、
    請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の基板処理方法。
  8. 前記基板にエネルギーを加える工程において、前記基板が載置される載置台は冷却される、
    請求項７に記載の基板処理方法。
  9. 前記導電体は、金属または半導体である、
    請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の基板処理方法。
  10. 前記金属塩は、ＲｕＣｌ３、ＮｂＣｌ５、ＴａＣｌ５、ＴｉＩ４、ＴｉＣｌ４、ＺｒＩ４、ＺｒＣｌ４、ＨｆＩ４、ＨｆＣｌ４、ＷＣｌ６、ＭｏＣｌ６のいずれかである、
    請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の基板処理方法。
  11. 前記還元剤は、ＳｎＣｌ２、ＷＣｌ５、ＶＣｌ２、ＴｉＣｌ２、ＧｅＣｌ２のいずれかである、
    請求項２に記載の基板処理方法。
  12. 前記還元剤は、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｒ、Ｌｉ、Ｔｉのいずれかを含む、
    請求項４に記載の基板処理方法。
  13. 第２機能基は、アミノ基である、
    請求項５に記載の基板処理方法。
  14. 基板表面に導電体と絶縁体のパターンが形成された基板の前記基板表面に、金属塩を含むイオン液体を塗布する塗布装置と、
    前記イオン液体が塗布された前記基板にエネルギーを加えるエネルギー供給装置と、を有する、
    基板処理システム。
  15. 前記エネルギー供給装置は、
    前記基板を加熱する加熱装置である、
    請求項１４に記載の基板処理システム。
  16. 前記エネルギー供給装置は、
    前記基板にマイクロ波を照射して、前記基板の導電体を加熱するマイクロ波照射装置である、
    請求項１４に記載の基板処理システム。
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