JP2024087682A - Semiconductor manufacturing device, pickup device, and method for manufacturing semiconductor device - Google Patents

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Abstract

To provide technology with which it is possible to reduce die crack defects and chipping defects.SOLUTION: A semiconductor manufacturing device comprises: a push-up unit having a wafer holding table that holds die-pasted dicing tape, a plurality of blocks that come into contact with the dicing tape, a plurality of drive shafts that convey vertical movement to the plurality of blocks independently of each other, a plurality of plunger mechanisms that convey vertical movement to the plurality of drive shafts independently of each other, and a plurality of displacement meters for measuring the respective heights of the plurality of blocks; and a control part that controls the push-up unit. The plurality of displacement meters are disposed to the plurality of blocks or the plurality of drive shafts or the plurality of plunger mechanisms.SELECTED DRAWING: Figure 6

Description

本開示は半導体製造装置に関し、例えば突き上げユニットを有するダイボンダに適用可能である。 This disclosure relates to semiconductor manufacturing equipment and is applicable, for example, to a die bonder having a push-up unit.

ダイボンダ等の半導体製造装置は、接合材料を用いて、例えば、素子を基板または素子の上にボンド(載置して接着)する装置である。接合材料は、例えば、液状またはフィルム状の樹脂やはんだ等である。素子は、例えば、半導体チップ、MEMS(Micro Electro Mechanical System)およびガラスチップ等のダイや電子部品である。基板は、例えば、配線基板や金属薄板で形成されるリードフレーム、ガラス基板等である。 Semiconductor manufacturing equipment such as die bonders is equipment that uses a bonding material to bond (place and adhere) an element onto a substrate or other elements. The bonding material is, for example, liquid or film-like resin or solder. The element is, for example, a die or electronic component such as a semiconductor chip, a MEMS (Micro Electro Mechanical System), or a glass chip. The substrate is, for example, a wiring board, a lead frame formed from a thin metal plate, a glass substrate, etc.

例えば、ダイボンダによるダイボンディング工程の中には、半導体ウエハ(以下、単に、ウエハという。)から分割されたダイをダイシングテープから剥離する剥離工程がある。剥離工程では、例えば、ダイシングテープ裏面から突上げユニットによってダイを突き上げて、ウエハ供給部に保持されたダイシングテープから、1個ずつ剥離し、ピックアップヘッドまたはボンドヘッドに設けられたコレット等の吸着ノズルを使ってダイがピックアップされる。 For example, the die bonding process using a die bonder includes a peeling process in which dies separated from a semiconductor wafer (hereinafter simply referred to as a wafer) are peeled off from the dicing tape. In the peeling process, for example, the dies are pushed up from the back surface of the dicing tape by a push-up unit, peeled off one by one from the dicing tape held in the wafer supply unit, and the dies are picked up using a suction nozzle such as a collet provided on the pickup head or bond head.

例えば、特開2017-224640号公報(特許文献1)によれば、ダイシングテープに貼り付けられた複数のダイのうち剥離対象のダイを突き上げてダイシングテープから剥離する際に、突上げユニットは、複数の駆動軸によって複数のブロックを上下動させることでダイの周辺からダイシングテープを剥離している。 For example, according to JP 2017-224640 A (Patent Document 1), when a die to be peeled out of multiple dies attached to a dicing tape is pushed up and peeled off from the dicing tape, the push-up unit uses multiple drive shafts to move multiple blocks up and down to peel off the dicing tape from around the die.

特開2017-224640号公報JP 2017-224640 A

複数の駆動軸は複数の駆動部(例えば、プランジャ機構)によって上下動させられるので、駆動部の剛性が低い場合、負荷量によっては複数のブロックの高さ(位置)が変動することがある。あるいは、複数のブロック間の高さ(位置)にズレが生じることがある。これらのいずれかによって、ダイの割れ不良や欠け不良が発生することがある。 Since the multiple drive shafts are moved up and down by multiple drive units (e.g., plunger mechanisms), if the drive units have low rigidity, the height (position) of the multiple blocks may fluctuate depending on the load. Alternatively, there may be a misalignment in the height (position) between the multiple blocks. Any of these can cause the die to crack or chip.

本開示の課題は、ダイの割れ不良や欠け不良を低減することが可能な技術を提供することにある。その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。 The objective of the present disclosure is to provide a technology that can reduce die cracking and chipping defects. Other objectives and novel features will become apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

本開示のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記の通りである。
すなわち、半導体製造装置は、ダイが貼付されたダイシングテープを保持するウエハ保持台と、前記ダイシングテープと接触する複数のブロックと、前記複数のブロックに独立して上下動を伝える複数の駆動軸と、前記複数の駆動軸に独立して上下動を伝える複数のプランジャ機構と、前記複数のブロックのそれぞれの高さを測定するための複数の変位計と、を有する突上げユニットと、前記突上げユニットを制御する制御部と、を備える。前記複数の変位計は、前記複数のブロックまたは前記複数の駆動軸または前記複数のプランジャ機構に設けられる。
A brief summary of representative aspects of this disclosure is given below.
That is, the semiconductor manufacturing apparatus includes a wafer holder that holds a dicing tape having a die attached thereto, a plurality of blocks that come into contact with the dicing tape, a plurality of drive shafts that transmit vertical motions independently to the plurality of blocks, a plurality of plunger mechanisms that transmit vertical motions independently to the plurality of drive shafts, and a plurality of displacement gauges for measuring the heights of the plurality of blocks, and a control unit that controls the thrust unit. The plurality of displacement gauges are provided on the plurality of blocks, the plurality of drive shafts, or the plurality of plunger mechanisms.

本開示によれば、ダイの割れ不良や欠け不良を低減することが可能である。 This disclosure makes it possible to reduce die cracking and chipping defects.

図1は実施形態におけるダイボンダの構成例を示す概略上面図である。FIG. 1 is a schematic top view showing an example of the configuration of a die bonder according to an embodiment. 図2は図1において矢印A方向から見たときの概略構成を説明する図である。FIG. 2 is a diagram for explaining the schematic configuration when viewed in the direction of the arrow A in FIG. 図3は図1に示すウエハ供給部の主要部を示す概略断面図である。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing a main part of the wafer supply unit shown in FIG. 図4は図1に示すダイボンダの制御系の概略構成を示すブロック図である。FIG. 4 is a block diagram showing a schematic configuration of a control system of the die bonder shown in FIG. 図5は図1に示すダイボンダを用いた半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。FIG. 5 is a flow chart showing a method for manufacturing a semiconductor device using the die bonder shown in FIG. 図6は実施形態における突上げユニットの縦断面を示す図である。FIG. 6 is a vertical cross-sectional view of the push-up unit in the embodiment. 図7は図6に示す突上げユニットの別の縦断面を示す図である。FIG. 7 is a vertical sectional view of another thrust-up unit shown in FIG. 図8は図6に示す第1ユニットの一部の上面図である。FIG. 8 is a top view of a portion of the first unit shown in FIG. 図9は図7に示すE-E線における第2ユニットの一部の断面を示す図である。FIG. 9 is a cross-sectional view of a portion of the second unit taken along line EE shown in FIG. 図10は図6に示す第3ユニットの一部の上面図である。FIG. 10 is a top view of a portion of the third unit shown in FIG. 図11は突上げユニットのモータとモータ制御装置を示すブロック図である。FIG. 11 is a block diagram showing the motor and the motor control device of the thrust-up unit. 図12(a)~図12(d)はRMSの突上げシーケンスの一例を示す突上げユニットの断面図である。図12(a)は第一状態を示す図であり、図12(b)は第二状態を示す図であり、図12(c)は第三状態を示す図であり、図12(d)は第四状態を示す図である。12(a) to 12(d) are cross-sectional views of a thrust-up unit showing an example of a thrust-up sequence of an RMS, where Fig. 12(a) is a diagram showing a first state, Fig. 12(b) is a diagram showing a second state, Fig. 12(c) is a diagram showing a third state, and Fig. 12(d) is a diagram showing a fourth state. 図13は図12(a)~図12(d)のシーケンスのブロック動作タイミングの一例を示す図である。FIG. 13 is a diagram showing an example of the block operation timing of the sequence of FIGS. 12(a) to 12(d). 図14は図13のブロック動作タイミングに対応する高さ位置制御の場合のタイムチャートレシピの一例を示す図である。FIG. 14 is a diagram showing an example of a time chart recipe in the case of height position control corresponding to the block operation timing of FIG. 図15は図13のブロック動作タイミングに対応する第一変形例におけるタイムチャートレシピを示す図である。FIG. 15 is a diagram showing a time chart recipe in the first modified example corresponding to the block operation timing of FIG. 図16は第二変形例におけるブロック高さの制御方法を示すフローチャートである。FIG. 16 is a flowchart showing a method for controlling the block height in the second modified example. 図17は第三変形例におけるブロック高さの制御方法を示すフローチャートである。FIG. 17 is a flowchart showing a method for controlling the block height in the third modified example.

以下、実施形態および変形例について、図面を用いて説明する。ただし、以下の説明において、同一構成要素には同一符号を付し繰り返しの説明を省略することがある。なお、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合がある。また、複数の図面の相互間においても、各要素の寸法の関係、各要素の比率等は必ずしも一致していない。 The following describes the embodiments and modifications with reference to the drawings. However, in the following description, the same components are given the same reference numerals and repeated description may be omitted. Note that in the drawings, the width, thickness, shape, etc. of each part may be shown diagrammatically compared to the actual embodiment in order to make the description clearer. Furthermore, the dimensional relationships between elements, the ratios of elements, etc. do not necessarily match between multiple drawings.

半導体製造装置の一実施形態であるダイボンダの構成について図1から図3を用いて説明する。図1は実施形態におけるダイボンダの構成例を示す概略上面図である。図2は図1において矢印A方向から見たときの概略構成を説明する図である。図3は図1に示すウエハ供給部の主要部を示す概略断面図である。 The configuration of a die bonder, which is one embodiment of a semiconductor manufacturing device, will be described with reference to Figures 1 to 3. Figure 1 is a schematic top view showing an example of the configuration of a die bonder in an embodiment. Figure 2 is a diagram explaining the schematic configuration as viewed from the direction of arrow A in Figure 1. Figure 3 is a schematic cross-sectional view showing the main parts of the wafer supply unit shown in Figure 1.

ダイボンダ1は、大別して、ウエハ供給部10と、ピックアップ部20、中間ステージ部30と、ボンディング部40と、搬送部50、基板供給部60と、基板搬出部70と、制御部(制御装置)80と、を有する。Y方向がダイボンダ1の前後方向であり、X方向が左右方向であり、Z方向が上下方向である。ウエハ供給部10がダイボンダ1の前側に配置され、ボンディング部40が後側に配置される。 The die bonder 1 broadly comprises a wafer supply unit 10, a pickup unit 20, an intermediate stage unit 30, a bonding unit 40, a transport unit 50, a substrate supply unit 60, a substrate unloading unit 70, and a control unit (control device) 80. The Y direction is the front-to-rear direction of the die bonder 1, the X direction is the left-to-right direction, and the Z direction is the up-to-down direction. The wafer supply unit 10 is located at the front of the die bonder 1, and the bonding unit 40 is located at the rear.

ウエハ供給部10は、ウエハカセットリフタ11と、ウエハ保持台12と、突上げユニット13と、ウエハ認識カメラ14とを有する。 The wafer supply section 10 has a wafer cassette lifter 11, a wafer holder 12, a push-up unit 13, and a wafer recognition camera 14.

ウエハカセットリフタ11は複数のウエハリングWRが格納されるウエハカセット(不図示)をウエハ搬送高さまで上下動させる。ウエハ修正シュート(不図示)はウエハカセットリフタ11から供給されるウエハリングWRのアライメントを行う。ウエハエキストラクタ(不図示)はウエハリングWRをウエハカセットから取出してウエハ保持台12に供給したり、ウエハ保持台12から取り出してウエハカセットに収納したりする。 The wafer cassette lifter 11 moves a wafer cassette (not shown), which stores multiple wafer rings WR, up and down to the wafer transport height. The wafer correction chute (not shown) aligns the wafer rings WR supplied from the wafer cassette lifter 11. The wafer extractor (not shown) removes the wafer rings WR from the wafer cassette and supplies them to the wafer holder 12, or removes them from the wafer holder 12 and stores them in the wafer cassette.

ウエハ保持台12は、ウエハリングWRを保持するエキスパンドリング121と、ウエハリングWRに保持されダイシングテープDTを水平に位置決めする支持リング122と、を有する。突上げユニット13は支持リング122の内側に配置される。 The wafer holder 12 has an expand ring 121 that holds the wafer ring WR, and a support ring 122 that is held by the wafer ring WR and horizontally positions the dicing tape DT. The push-up unit 13 is disposed inside the support ring 122.

ダイシングテープDT上にウエハWが接着(貼付)されており、そのウエハWは複数のダイDに分割されている。ダイシングテープDTは可視光に対して透明である。ウエハWとダイシングテープDTとの間にダイアタッチフィルム(DAF)と呼ばれるフィルム状の接着材料DFを貼り付けている。接着材料DFは加熱することで硬化する。 A wafer W is attached (pasted) onto a dicing tape DT, and the wafer W is divided into multiple dies D. The dicing tape DT is transparent to visible light. A film-like adhesive material DF called a die attach film (DAF) is attached between the wafer W and the dicing tape DT. The adhesive material DF hardens when heated.

ウエハ保持台12は図示しない駆動部によってXY方向に移動し、ピックアップするダイDを突上げユニット13の位置に移動させる。また、ウエハ保持台12は図示しない駆動部によってXY平面内においてウエハリングWRを回転またはXY移動させる。突上げユニット13は図示しない駆動部によって上下方向に移動する。突上げユニット13はダイシングテープDTからダイDを剥離する。ウエハ保持台12および突上げユニット13はピックアップ装置を構成する。ピックアップ装置にピックアップ部20を含めてもよい。 The wafer holder 12 is moved in the XY direction by a drive unit (not shown), and moves the die D to be picked up to the position of the push-up unit 13. The wafer holder 12 also rotates or moves the wafer ring WR in the XY plane by a drive unit (not shown). The push-up unit 13 moves in the vertical direction by a drive unit (not shown). The push-up unit 13 peels the die D from the dicing tape DT. The wafer holder 12 and the push-up unit 13 constitute a pickup device. The pickup device may include a pickup unit 20.

ウエハ認識カメラ14はウエハWからピックアップするダイDのピックアップ位置を把握したり、ダイDの表面検査をしたりする。 The wafer recognition camera 14 determines the pick-up position of the die D to be picked up from the wafer W and inspects the surface of the die D.

ピックアップ部20は、ピックアップヘッド21と、Y駆動部23と、を有する。ピックアップヘッド21には、剥離されたダイDを先端に吸着保持するコレット22が設けられる。ピックアップヘッド21はウエハ供給部10からダイDをピックアップし、中間ステージ31に載置する。Y駆動部23はピックアップヘッド21をY軸方向に移動させる。ピックアップ部20は、ピックアップヘッド21を昇降、回転及びX方向移動させる各駆動部(不図示)を有する。 The pickup unit 20 has a pickup head 21 and a Y drive unit 23. The pickup head 21 is provided with a collet 22 that suction-holds the peeled die D at its tip. The pickup head 21 picks up the die D from the wafer supply unit 10 and places it on the intermediate stage 31. The Y drive unit 23 moves the pickup head 21 in the Y-axis direction. The pickup unit 20 has various drive units (not shown) that raise and lower, rotate, and move the pickup head 21 in the X direction.

中間ステージ部30は、ダイDが載置される中間ステージ31と、中間ステージ31上のダイDを認識するためのステージ認識カメラ34と、を有する。中間ステージ31は載置されたダイDを吸着する吸引孔を備える。載置されたダイDは中間ステージ31に一時的に保持される。中間ステージ31はダイDが載置される載置ステージであると共に、ダイDがピックアップされるピックアップステージでもある。 The intermediate stage section 30 has an intermediate stage 31 on which the die D is placed, and a stage recognition camera 34 for recognizing the die D on the intermediate stage 31. The intermediate stage 31 has a suction hole that adsorbs the placed die D. The placed die D is temporarily held on the intermediate stage 31. The intermediate stage 31 is both a placement stage on which the die D is placed, and a pick-up stage on which the die D is picked up.

ボンディング部40は、ボンドヘッド41と、Y駆動部43と、基板認識カメラ44と、ボンドステージ46と、を有する。ボンドヘッド41にはダイDを先端に吸着保持するコレット42が設けられる。Y駆動部43はボンドヘッド41をY軸方向に移動させる。基板認識カメラ44は基板Sの位置認識マーク(図示せず)を撮像し、ボンド位置を認識する。ここで、基板Sには、最終的に一つのパッケージとなる、複数の製品エリア(以下、パッケージエリアPという。)が形成されている。位置認識マークはパッケージエリアPごとに設けられる。ボンドステージ46は、基板SにダイDが載置される際、上昇させられ、基板Sを下方から支える。ボンドステージ46は基板Sを真空吸着するための吸引口(不図示)を有し、基板Sを固定することが可能である。ボンドステージ46は基板Sを加熱する加熱部(不図示)を有する。ボンディング部40は、ボンドヘッド41を昇降、回転及びX方向移動させる各駆動部(不図示)を有する。 The bonding section 40 has a bond head 41, a Y drive section 43, a substrate recognition camera 44, and a bond stage 46. The bond head 41 is provided with a collet 42 that adsorbs and holds the die D at its tip. The Y drive section 43 moves the bond head 41 in the Y-axis direction. The substrate recognition camera 44 captures an image of a position recognition mark (not shown) on the substrate S and recognizes the bond position. Here, the substrate S has a plurality of product areas (hereinafter referred to as package areas P) that will eventually become one package. A position recognition mark is provided for each package area P. When the die D is placed on the substrate S, the bond stage 46 is raised and supports the substrate S from below. The bond stage 46 has a suction port (not shown) for vacuum adsorbing the substrate S, and can fix the substrate S. The bond stage 46 has a heating section (not shown) for heating the substrate S. The bonding section 40 has various drive units (not shown) that raise and lower, rotate, and move the bond head 41 in the X direction.

このような構成によって、ボンドヘッド41は、ステージ認識カメラ34の撮像データに基づいてピックアップ位置や姿勢を補正し、中間ステージ31からダイDをピックアップする。そして、ボンドヘッド41は、基板認識カメラ44の撮像データに基づいて基板SのパッケージエリアP上にボンドし、または既に基板SのパッケージエリアPの上にボンドされたダイの上に積層する形でボンドする。 With this configuration, the bond head 41 corrects the pick-up position and posture based on the imaging data of the stage recognition camera 34, and picks up the die D from the intermediate stage 31. Then, the bond head 41 bonds the die D onto the package area P of the substrate S based on the imaging data of the substrate recognition camera 44, or bonds the die D by stacking it on top of a die that has already been bonded onto the package area P of the substrate S.

搬送部50は、基板Sを掴み搬送する搬送爪51と、基板Sが移動する搬送レーン52と、を有する。基板Sは、搬送レーン52に設けられた搬送爪51の図示しないナットを搬送レーン52に沿って設けられた図示しないボールネジで駆動することによってX方向に移動する。このような構成によって、基板Sは、基板供給部60から搬送レーン52に沿ってボンド位置まで移動し、ボンド後、基板搬出部70まで移動して、基板搬出部70に基板Sを渡す。 The transport section 50 has a transport claw 51 that grips and transports the substrate S, and a transport lane 52 along which the substrate S moves. The substrate S moves in the X direction by driving a nut (not shown) of the transport claw 51 provided on the transport lane 52 with a ball screw (not shown) provided along the transport lane 52. With this configuration, the substrate S moves from the substrate supply section 60 along the transport lane 52 to the bonding position, and after bonding, moves to the substrate unloading section 70 and hands the substrate S over to the substrate unloading section 70.

基板供給部60は、搬送治具に格納されて搬入された基板Sを搬送治具から取り出して搬送部50に供給する。基板搬出部70は、搬送部50により搬送された基板Sを搬送治具に格納する。 The substrate supply unit 60 removes the substrate S that was stored in the transport jig and transported in from the transport jig and supplies it to the transport unit 50. The substrate unloading unit 70 stores the substrate S transported by the transport unit 50 in the transport jig.

次に、制御部80について図4を用いて説明する。図4は図1に示すダイボンダの制御系の概略構成を示すブロック図である。 Next, the control unit 80 will be described with reference to FIG. 4. FIG. 4 is a block diagram showing the schematic configuration of the control system of the die bonder shown in FIG. 1.

制御系8は、制御部(制御装置)80、駆動部86、信号部87、光学系88等を備える。制御部80は、大別して、主としてCPU(Central Processing Unit)で構成される制御・演算装置81と、記憶装置82と、入出力装置83と、バスライン84と、電源部85とを有する。記憶装置82は、主記憶装置82aと補助記憶装置82bとを有する。主記憶装置82aは、処理プログラムなどを記憶しているRAM(Random Access Memory)で構成されている。補助記憶装置82bは、制御に必要な制御データや画像データ等を記憶しているHDD(Hard Disk Drive)やSSD(Solid State Drive)等で構成されている。 The control system 8 includes a control unit (control device) 80, a drive unit 86, a signal unit 87, an optical system 88, etc. The control unit 80 is broadly divided into a control/arithmetic unit 81 mainly composed of a CPU (Central Processing Unit), a storage unit 82, an input/output unit 83, a bus line 84, and a power supply unit 85. The storage unit 82 includes a main storage unit 82a and an auxiliary storage unit 82b. The main storage unit 82a is composed of a RAM (Random Access Memory) that stores processing programs, etc. The auxiliary storage unit 82b is composed of a HDD (Hard Disk Drive) or SSD (Solid State Drive) that stores control data and image data necessary for control, etc.

入出力装置83は、装置状態や情報等を表示するモニタ83aと、オペレータの指示を入力するタッチパネル83bと、モニタ83aを操作するマウス83cと、光学系88からの画像データを取り込む画像取込装置83dと、を有する。入出力装置83は、さらに、モータ制御装置83eと、I/O信号制御装置83fと、を有する。モータ制御装置83eは、ウエハ供給部10のXYテーブル(図示せず)やボンドヘッドテーブルのZY駆動軸、突上げユニット13の駆動部等を制御する。I/O信号制御装置83fは、後述する変位計等の種々のセンサや照明装置などの明るさを制御するスイッチやボリューム等を含む信号部87から信号を取り込み又は制御する。光学系88には、ウエハ認識カメラ14、ステージ認識カメラ34、基板認識カメラ44が含まれる。制御・演算装置81はバスライン84を介して必要なデータを取込み、演算し、ピックアップヘッド21等の制御や、モニタ83a等に情報を送る。 The input/output device 83 includes a monitor 83a for displaying the device status and information, a touch panel 83b for inputting the operator's instructions, a mouse 83c for operating the monitor 83a, and an image capture device 83d for capturing image data from the optical system 88. The input/output device 83 further includes a motor control device 83e and an I/O signal control device 83f. The motor control device 83e controls the XY table (not shown) of the wafer supply unit 10, the ZY drive shaft of the bond head table, the drive unit of the thrust-up unit 13, and the like. The I/O signal control device 83f captures or controls signals from a signal unit 87 including various sensors such as a displacement meter described below and switches and volumes for controlling the brightness of lighting devices, and the like. The optical system 88 includes a wafer recognition camera 14, a stage recognition camera 34, and a substrate recognition camera 44. The control/arithmetic device 81 captures and calculates the necessary data via the bus line 84, controls the pickup head 21, and sends information to the monitor 83a, etc.

ダイボンダ1を用いた半導体装置の製造工程の一部(半導体装置の製造方法)について図5を用いて説明する。図5は図1に示すダイボンダを用いた半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。以下の説明において、ダイボンダ1を構成する各部の動作は制御部80により制御される。 A part of the manufacturing process of a semiconductor device using the die bonder 1 (a method for manufacturing a semiconductor device) will be described with reference to FIG. 5. FIG. 5 is a flowchart showing a method for manufacturing a semiconductor device using the die bonder shown in FIG. 1. In the following description, the operation of each part constituting the die bonder 1 is controlled by the control unit 80.

(ウエハ搬入工程:工程S1)
ウエハリングWRがウエハカセットリフタ11のウエハカセットに供給される。供給されたウエハリングWRがウエハ保持台12に供給される。なお、ウエハWは、予めプローバ等の検査装置により、ダイ毎に検査され、ダイの良、不良を示すウエハマップデータが生成されている。このウエハマップデータは制御部80の記憶装置に記憶される。
(Wafer loading process: process S1)
The wafer ring WR is supplied to the wafer cassette of the wafer cassette lifter 11. The supplied wafer ring WR is then supplied to the wafer holder 12. The wafer W is previously inspected for each die by an inspection device such as a prober, and wafer map data indicating whether the die is good or bad is generated. This wafer map data is stored in a storage device of the control unit 80.

(基板搬入工程:工程S2)
基板Sが格納された搬送治具が基板供給部60に供給される。基板供給部60で搬送治具から基板Sが取り出され、基板Sが搬送爪51に固定される。
(Substrate loading process: process S2)
The transport jig storing the substrate S is supplied to the substrate supply section 60. In the substrate supply section 60, the substrate S is removed from the transport jig and fixed to the transport claws 51.

(ピックアップ工程:工程S3)
工程S1後、所望するダイDをダイシングテープDTからピックアップできるようにウエハ保持台12が動かされる。ウエハ認識カメラ14によりダイDが撮影され、撮影により取得された画像データに基づいてダイDの位置決めおよび表面検査が行われる。画像データを画像処理することによって、ダイボンダのダイ位置基準点からのウエハ保持台12上のダイDのずれ量(X、Y、θ方向)が算出されて位置決めが行われる。なお、ダイ位置基準点は、予め、ウエハ保持台12の所定の位置を装置の初期設定として保持されている。画像データを画像処理することによって、ダイDの表面検査が行われる。
(Pickup process: process S3)
After step S1, the wafer holder 12 is moved so that the desired die D can be picked up from the dicing tape DT. The die D is photographed by the wafer recognition camera 14, and the die D is positioned and its surface inspected based on the image data acquired by photographing. The image data is processed to calculate the amount of deviation (X, Y, and θ directions) of the die D on the wafer holder 12 from the die position reference point of the die bonder, and the die D is positioned. Note that the die position reference point is previously held at a predetermined position of the wafer holder 12 as the initial setting of the device. The image data is processed to inspect the surface of the die D.

位置決めされたダイDは突上げユニット13およびピックアップヘッド21によりダイシングテープDTから剥離される。ダイシングテープDTから剥離されたダイDは、ピックアップヘッド21に設けられたコレット22に吸着、保持されて、中間ステージ31に搬送されて載置される。 The positioned die D is peeled off from the dicing tape DT by the push-up unit 13 and the pick-up head 21. The die D peeled off from the dicing tape DT is attracted to and held by the collet 22 provided on the pick-up head 21, and is transported to and placed on the intermediate stage 31.

ステージ認識カメラ34により中間ステージ31の上のダイDが撮影され、撮影により取得された画像データに基づいてダイDの位置決めおよび表面検査が行われる。画像データを画像処理することによって、ダイボンダのダイ位置基準点からの中間ステージ31上のダイDのずれ量(X、Y、θ方向)が算出されて位置決めが行われる。なお、ダイ位置基準点は、予め、中間ステージ31の所定の位置を装置の初期設定として保持されている。画像データを画像処理することによって、ダイDの表面検査が行われる。 The die D on the intermediate stage 31 is photographed by the stage recognition camera 34, and the die D is positioned and its surface inspected based on the image data acquired by photographing. The image data is processed to calculate the amount of deviation (X, Y, and θ directions) of the die D on the intermediate stage 31 from the die position reference point of the die bonder, and positioning is performed. Note that the die position reference point is previously held at a predetermined position on the intermediate stage 31 as the initial setting of the device. The image data is processed to perform a surface inspection of the die D.

ダイDを中間ステージ31に搬送したピックアップヘッド21はウエハ供給部10に戻される。上述した手順に従って、次のダイDがダイシングテープDTから剥離され、以後同様の手順に従ってダイシングテープDTから1個ずつダイDが剥離される。 The pickup head 21 that transports the die D to the intermediate stage 31 is returned to the wafer supply section 10. The next die D is peeled off from the dicing tape DT according to the procedure described above, and thereafter, the dies D are peeled off one by one from the dicing tape DT according to the same procedure.

(ボンド工程:工程S4)
搬送部50により基板Sがボンドステージ46に搬送される。ボンドステージ46上に載置された基板Sが基板認識カメラ44により撮像され、撮影によって取得された画像データに基づいて基板Sの位置決めおよび表面検査が行われる。画像データが画像処理されることによって、ダイボンダ1の基板位置基準点からの基板Sのずれ量(X、Y、θ方向)が算出される。なお、基板位置基準点は、予め、ボンディング部40の所定の位置を装置の初期設定として保持されている。画像データが画像処理されることによって、基板Sの表面検査が行われる。
(Bonding process: process S4)
The substrate S is transported to the bond stage 46 by the transport unit 50. The substrate S placed on the bond stage 46 is imaged by the substrate recognition camera 44, and the substrate S is positioned and its surface is inspected based on the image data acquired by the image capture. The image data is processed to calculate the amount of deviation (X, Y, and θ directions) of the substrate S from the substrate position reference point of the die bonder 1. Note that the substrate position reference point is previously held at a predetermined position of the bonding unit 40 as the initial setting of the device. The image data is processed to inspect the surface of the substrate S.

工程S3において算出された中間ステージ31上のダイDのずれ量からボンドヘッド41の吸着位置が補正されてダイDがコレット42により吸着される。中間ステージ31からダイDを吸着したボンドヘッド41によりボンドステージ46に支持された基板Sの所定箇所にダイDがボンドされる。ここで、基板Sの所定箇所は、基板SのパッケージエリアP、または、すでに素子が載置されており、それに加える形で素子をボンドする際の領域、または、積層ボンドする素子のボンド領域である。基板認識カメラ44により基板SにボンドされたダイDが撮影され、撮影により取得された画像データに基づいてダイDが所望の位置にボンドされたかどうか等の検査が行われる。 The suction position of the bond head 41 is corrected based on the deviation of the die D on the intermediate stage 31 calculated in step S3, and the die D is suctioned by the collet 42. The bond head 41, which has suctioned the die D from the intermediate stage 31, bonds the die D to a predetermined location on the substrate S supported by the bond stage 46. Here, the predetermined location on the substrate S is the package area P of the substrate S, or an area where an element is already placed and an element is to be bonded in addition to that, or a bonding area of an element to be stacked and bonded. The substrate recognition camera 44 photographs the die D bonded to the substrate S, and an inspection is performed based on the image data acquired by photographing to determine whether the die D has been bonded to the desired location, etc.

ダイDを基板Sにボンドしたボンドヘッド41は中間ステージ31に戻される。上述した手順に従って、次のダイDが中間ステージ31からピックアップされ、基板Sにボンドされる。これが繰り返されて基板SのすべてのパッケージエリアPにダイDがボンドされる。 The bond head 41 that has bonded the die D to the substrate S is returned to the intermediate stage 31. Following the procedure described above, the next die D is picked up from the intermediate stage 31 and bonded to the substrate S. This is repeated until a die D is bonded to all package areas P of the substrate S.

(基板搬出工程:工程S5)
ダイDがボンドされた基板Sが基板搬出部70に搬送される。基板搬出部70で搬送爪51から基板Sが取り出されて搬送治具に格納される。ダイボンダ1から基板Sが格納されている搬送治具が搬出される。
(Substrate removal process: process S5)
The substrate S with the die D bonded thereto is transported to the substrate unloading section 70. In the substrate unloading section 70, the substrate S is removed from the transport claws 51 and stored in a transport jig. The transport jig storing the substrate S is unloaded from the die bonder 1.

上述したように、ダイDは、基板S上に実装され、ダイボンダ1から搬出される。その後、例えば、ダイDが実装された基板Sが格納された搬送治具がワイヤボンディング工程に搬送され、ダイDの電極はAuワイヤ等を介して基板Sの電極と電気的に接続される。そして、基板Sがモールド工程に搬送され、ダイDとAuワイヤとをモールド樹脂(図示せず)で封止することによって、半導体パッケージが完成する。 As described above, the die D is mounted on the substrate S and is removed from the die bonder 1. Thereafter, for example, the transport jig storing the substrate S on which the die D is mounted is transported to a wire bonding process, where the electrodes of the die D are electrically connected to the electrodes of the substrate S via Au wires or the like. The substrate S is then transported to a molding process, where the die D and the Au wires are sealed with molding resin (not shown) to complete the semiconductor package.

積層ボンドする場合は、ワイヤボンディング工程に続いて、ダイDが実装された基板Sが載置格納された搬送治具がダイボンダに搬入されて基板S上に実装されたダイDの上にダイDが積層される。そして、ダイボンダから搬出された後、ワイヤボンディング工程でAuワイヤを介して基板Sの電極と電気的に接続される。第二段目より上のダイDは、上述した方法でダイシングテープDTから剥離された後、ボンディング部に搬送されてダイDの上に積層される。上記工程が所定回数繰り返された後、基板Sがモールド工程に搬送され、複数個のダイDとAuワイヤとをモールド樹脂(図示せず)で封止することによって、積層パッケージが完成する。 In the case of stacked bonding, following the wire bonding process, a transport jig on which a substrate S on which a die D is mounted is loaded and stored is transported into a die bonder, and the die D is stacked on top of the die D mounted on the substrate S. Then, after being transported out of the die bonder, the die D is electrically connected to the electrodes of the substrate S via Au wires in a wire bonding process. The dies D above the second level are peeled off from the dicing tape DT by the method described above, then transported to the bonding section and stacked on top of the die D. After the above process is repeated a predetermined number of times, the substrate S is transported to a molding process, and the multiple dies D and Au wires are sealed with molding resin (not shown) to complete the stacked package.

次に、突上げユニット13について図6~図10を用いて説明する。図6は実施形態における突上げユニットの縦断面を示す図である。図7は図6に示す突上げユニットの別の縦断面を示す図である。図8は図6に示す第1ユニットの一部の上面図である。図9は図7に示すE-E線における第2ユニットの一部の断面を示す図である。図10は図6に示す第3ユニットの一部の上面図である。 Next, the push-up unit 13 will be described with reference to Figures 6 to 10. Figure 6 is a diagram showing a vertical cross section of the push-up unit in the embodiment. Figure 7 is a diagram showing another vertical cross section of the push-up unit shown in Figure 6. Figure 8 is a top view of a portion of the first unit shown in Figure 6. Figure 9 is a diagram showing a cross section of a portion of the second unit taken along line E-E shown in Figure 7. Figure 10 is a top view of a portion of the third unit shown in Figure 6.

図6に示すように、突上げユニット13は、第1ユニット131と、第1ユニット131が装着される第2ユニット132と、第2ユニット132が装着される第3ユニット133と、を備える。第2ユニット132および第3ユニット133は品種に関係なく共通な部分で、第1ユニット131は品種ごとに取替可能な部分である。第1ユニット131は治工具とも称する。 As shown in FIG. 6, the push-up unit 13 includes a first unit 131, a second unit 132 to which the first unit 131 is attached, and a third unit 133 to which the second unit 132 is attached. The second unit 132 and the third unit 133 are common parts regardless of the type, and the first unit 131 is a part that can be replaced for each type. The first unit 131 is also referred to as a tool.

図6から図8に示すように、第1ユニット131は、四つのブロックA1~A4を有するブロック部1311と、ドーム1312と、変換機構1313と、周辺ダイの吸引機構1314と、ドームの吸引機構1315と、を有する。ドーム1312は上部に開口を有し、ブロックA1~A4はその開口を通して上下運動する。なお、第1ユニット131が四つのブロックA1~A4で構成される場合を説明するが、本実施形態では六つまでのブロックで構成することが可能である。 As shown in Figures 6 to 8, the first unit 131 has a block portion 1311 having four blocks A1 to A4, a dome 1312, a conversion mechanism 1313, a peripheral die suction mechanism 1314, and a dome suction mechanism 1315. The dome 1312 has an opening at the top, and the blocks A1 to A4 move up and down through the opening. Note that while the first unit 131 will be described as being composed of four blocks A1 to A4, it can be composed of up to six blocks in this embodiment.

変換機構1313は、第2ユニット132の同心円状の四つのブロックB1~B4の上下運動を同心四角状の四つのブロックA1~A4の上下運動に変換する。四つのブロックA1~A4は独立に上下運動が可能である。同心四角状のブロックA1~A4の平面形状はダイDの形状に合うように構成される。ダイサイズが大きい場合や剥離制御を細かくしたい場合は、同心四角状のブロックの数は4つよりも多く構成される。これは、第3ユニット133の複数の出力部および第2ユニット132の同心円状のブロックが互いに独立に上下動する(上下動しない)ことにより可能となっている。四つのブロックA1~A4の突上げ速度、突上げ量をプログラマブルに設定可能である。 The conversion mechanism 1313 converts the up and down movement of the four concentric blocks B1 to B4 of the second unit 132 into the up and down movement of the four concentric square blocks A1 to A4. The four blocks A1 to A4 can move up and down independently. The planar shape of the concentric square blocks A1 to A4 is configured to match the shape of the die D. If the die size is large or finer peeling control is required, the number of concentric square blocks is configured to be more than four. This is possible because the multiple output sections of the third unit 133 and the concentric blocks of the second unit 132 move up and down independently of each other (do not move up and down). The thrust speed and thrust amount of the four blocks A1 to A4 can be set programmably.

吸引機構1314はドーム1312の上面に設けられる吸引孔と連通し真空ポンプに接続される。吸引機構1314はブロックA1~A4の間隙と連通し真空ポンプに接続される。 The suction mechanism 1314 communicates with a suction hole provided on the upper surface of the dome 1312 and is connected to a vacuum pump. The suction mechanism 1314 communicates with the gaps between the blocks A1 to A4 and is connected to a vacuum pump.

図6、図7および図9に示すように、第2ユニット132は、円管状のブロックB1~B6と、変換機構1323と、マグネットMG1~MG6と、それらを覆う外周部(ドーム)1322と、外周部1322の外面側に設けられる検知部KC1~KC6と、を有する。外周部1322は透磁素材で構成される。この構成により、ブロックB1~B6の高さを測定することが可能である。ブロックB1~B6または変換機構1323とブロックA1~A6との相対的な高さおよび測定したブロックB1~B6または変換機構1323の高さに基づいてブロックA1~A6の高さを求める(測定する)ことが可能になる。マグネットMG1~MG6および検知部KC1~KC6によって六つのマグネットセンサ(変位計)が構成される。なお、変位計は、各ブロックの平坦度を測定するものではなく、ブロックの相対的位置関係を把握できればよいので、変位計としてマグネットセンサ等のそれほど高くない精度のセンサであればよい。 As shown in Figures 6, 7 and 9, the second unit 132 has cylindrical blocks B1 to B6, a conversion mechanism 1323, magnets MG1 to MG6, an outer periphery (dome) 1322 that covers them, and detection units KC1 to KC6 provided on the outer surface side of the outer periphery 1322. The outer periphery 1322 is made of a magnetically permeable material. This configuration makes it possible to measure the height of blocks B1 to B6. It becomes possible to determine (measure) the height of blocks A1 to A6 based on the relative heights of blocks B1 to B6 or conversion mechanism 1323 and blocks A1 to A6, and the measured height of blocks B1 to B6 or conversion mechanism 1323. The magnets MG1 to MG6 and detection units KC1 to KC6 form six magnet sensors (displacement gauges). Note that the displacement gauge does not measure the flatness of each block, but only needs to grasp the relative positional relationship of the blocks, so a sensor with low accuracy such as a magnet sensor will suffice as the displacement gauge.

変換機構1323は、第3ユニット133の円周上に配置されるピンC1~C6の上下運動を同心円状の六つのブロックB1~B6の上下運動に変換する。変換機構1323の下部においては、各ブロックB1~B6は外周部1322に隣接する部分を有する。各ブロックB1~B6の外周部1322に隣接する部分にマグネットMG1~MG6が取り付けられる。変換機構1323の上部においては、ブロックB6は最外周に位置し、ブロックB5はブロックB6に隣接して内側に位置し、ブロックB4はブロックB5に隣接して内側に位置し、ブロックB3はブロックB4に隣接して内側に位置し、ブロックB2はブロックB3に隣接して内側に位置し、ブロックB1はブロックB2に隣接して最内側に位置する。六つのブロックB1~B6は独立に上下運動が可能である。ブロックB1~B6または変換機構1323を駆動軸という。なお、ブロックB1~B6と変換機構1323は一体的に形成されているが、これに限定されるものではない。 The conversion mechanism 1323 converts the up and down movement of the pins C1 to C6 arranged on the circumference of the third unit 133 into the up and down movement of the six concentric blocks B1 to B6. At the bottom of the conversion mechanism 1323, each of the blocks B1 to B6 has a portion adjacent to the outer periphery 1322. Magnets MG1 to MG6 are attached to the portion adjacent to the outer periphery 1322 of each of the blocks B1 to B6. At the top of the conversion mechanism 1323, block B6 is located on the outermost periphery, block B5 is located on the inside adjacent to block B6, block B4 is located on the inside adjacent to block B5, block B3 is located on the inside adjacent to block B4, block B2 is located on the inside adjacent to block B3, and block B1 is located on the innermost side adjacent to block B2. The six blocks B1 to B6 can move up and down independently. Blocks B1 to B6 or the conversion mechanism 1323 are called the drive shaft. Note that blocks B1 to B6 and the conversion mechanism 1323 are formed integrally, but this is not limited to this.

図6、図7および図10に示すように、第3ユニット133は中央部1330と6つの周辺部1331~1336とを備える。中央部1330の上部に円筒状の出力部1330aを備える。出力部1330aは上面の円周上に等間隔に配置され独立して上下する六つのピンC1~C6を有する。周辺部1331~1336はそれぞれピンC1~C6を互いに独立に駆動可能である。周辺部1331~1336はそれぞれモータM1~M6を備え、中央部1330にはモータの回転をカムまたはリンクによって上下動に変換するプランジャ機構P1~P6を備える。プランジャ機構P1~P6はピンC1~C6に上下動を与える。なお、モータM2、M5およびプランジャ機構P2、P5は図示されていない。 As shown in Figures 6, 7 and 10, the third unit 133 has a central portion 1330 and six peripheral portions 1331-1336. A cylindrical output portion 1330a is provided on the upper portion of the central portion 1330. The output portion 1330a has six pins C1-C6 that are arranged at equal intervals on the circumference of the upper surface and move up and down independently. The peripheral portions 1331-1336 can drive the pins C1-C6 independently of each other. The peripheral portions 1331-1336 have motors M1-M6, respectively, and the central portion 1330 has plunger mechanisms P1-P6 that convert the rotation of the motor into up and down movement by a cam or link. The plunger mechanisms P1-P6 provide up and down movement to the pins C1-C6. Motors M2, M5 and plunger mechanisms P2, P5 are not shown.

ピンC1~C6にマグネットMG1~MG6を設け、出力部1330aまたは第2ユニット132の外周部1322の外面側に検知部KC1~KC6を設けてもよい。この場合、ピンC1~C6を駆動軸という。これにより、ピンC1~C6の高さを測定することが可能である。ピンC1~C6とブロックA1~A6との相対的な高さおよび測定したピンC1~C6の高さに基づいてブロックA1~A6の高さを求める(測定する)ことが可能になる。 Magnets MG1 to MG6 may be provided on pins C1 to C6, and detectors KC1 to KC6 may be provided on the outer surface of output section 1330a or outer periphery 1322 of second unit 132. In this case, pins C1 to C6 are called drive shafts. This makes it possible to measure the height of pins C1 to C6. It becomes possible to determine (measure) the height of blocks A1 to A6 based on the relative heights of pins C1 to C6 and blocks A1 to A6 and the measured heights of pins C1 to C6.

モータM1~M6の構成例について図11を用いて説明する。図11は突上げユニットのモータとモータ制御装置を示すブロック図である。 An example of the configuration of motors M1 to M6 will be described with reference to Figure 11. Figure 11 is a block diagram showing the motors and motor control devices of the thrust-up unit.

モータM1~M6には、例えばACサーボモータまたはαステップのパルスモータ(通常時はオープンループ制御を行い、過負荷時はクローズドループ制御を行うハイブリッド制御のステッピングモータ)が使用される。モータM1~M6は、それぞれ回転角速度を検出するエンコーダ(ENC)Maおよびモータ電流を得る電流センサ(CS)Mbを備える。 Motors M1 to M6 are, for example, AC servo motors or α-step pulse motors (hybrid control stepping motors that normally perform open-loop control and perform closed-loop control when overloaded). Each of motors M1 to M6 is equipped with an encoder (ENC) Ma that detects the rotational angular velocity and a current sensor (CS) Mb that obtains the motor current.

ここで、第1ユニット131は四つのブロックA1~A4しか有さないので、第2ユニット132のブロックB5,B6、第3ユニット133のピンC5,C6、プランジャ機構P5,P6、モータM5,M6、マグネットMG5,MG6および検知部KC5,KC6は使用されない。 Here, since the first unit 131 has only four blocks A1 to A4, blocks B5 and B6 of the second unit 132, pins C5 and C6 of the third unit 133, plunger mechanisms P5 and P6, motors M5 and M6, magnets MG5 and MG6, and detectors KC5 and KC6 are not used.

突上げユニット13は、例えば、ブロックA1~A4を同時に突上げ、その後さらに、ブロックA1~A3を同時に突上げ、その後さらに、ブロックA1,A2を同時に突上げ、その後さらに、ブロックA1を突上げてピラミッド状にする動作を行うことが可能である。突上げユニット13は、ブロックA1~A4を同時に突上げてからブロックA4、ブロックA3、ブロックA2の順に下げる動作を行うことが可能である。本開示では、前者をMS(Multi Step)動作、後者をRMS(Reverse Multi Step)動作という。 The thrust unit 13 can, for example, thrust up blocks A1 to A4 simultaneously, then further thrust up blocks A1 to A3 simultaneously, then further thrust up blocks A1 and A2 simultaneously, and then further thrust up block A1 to form a pyramid shape. The thrust unit 13 can thrust up blocks A1 to A4 simultaneously, and then lower blocks A4, A3, and A2 in that order. In this disclosure, the former is referred to as MS (Multi Step) operation, and the latter as RMS (Reverse Multi Step) operation.

RMS動作について図12(a)~図12(d)を用いて説明する。図12(a)~図12(d)はRMSの突上げシーケンスの一例を示す突上げユニットの断面図であり、図12(a)は第一状態を示す図であり、図12(b)は第二状態を示す図であり、図12(c)は第三状態を示す図であり、図12(d)は第四状態を示す図である。 The RMS operation will be explained using Figures 12(a) to 12(d). Figures 12(a) to 12(d) are cross-sectional views of a thrust unit showing an example of an RMS thrust sequence, where Figure 12(a) shows the first state, Figure 12(b) shows the second state, Figure 12(c) shows the third state, and Figure 12(d) shows the fourth state.

ピックアップ動作はダイシングテープDT上の目的とするダイDが突上げユニット13とコレット22に位置決めされるところから開始する。位置決めが完了すると突上げユニット13の図示していない吸引孔および間隙を介して真空引きすることによって、ダイシングテープDTが突上げユニット13の上面に吸着される。このとき、ブロックA1~A4の上面はドーム1312の上面と同一の高さ(初期位置)にある。その状態で真空供給源から真空が供給され、コレット22がダイDのデバイス面に向けて真空引きしながら降下し、着地する。 The pickup operation begins with the target die D on the dicing tape DT being positioned by the push-up unit 13 and collet 22. Once positioning is complete, the dicing tape DT is adsorbed to the upper surface of the push-up unit 13 by drawing a vacuum through suction holes and gaps (not shown) in the push-up unit 13. At this time, the upper surfaces of blocks A1 to A4 are at the same height (initial position) as the upper surface of the dome 1312. In this state, a vacuum is supplied from the vacuum supply source, and the collet 22 descends while drawing a vacuum toward the device surface of the die D, until it lands.

その後、図12(a)に示すように、ブロックA1~A4が同時に所定の高さまで一定の速度で上昇して第一状態になる。コレット22はブロックA1~A4に連動して(高さに同期して)上昇するよう制御される。よって、ダイDはコレット22とブロックA1~A4に挟まれたまま上昇する。ダイシングテープDTの周辺部は突上げユニット13の周辺であるドーム1312に真空吸着されたままなので、ダイDの周辺で張力が生じる。その結果、ダイD周辺でダイシングテープDTの剥離が開始されることになる。 After that, as shown in FIG. 12(a), blocks A1 to A4 simultaneously rise to a predetermined height at a constant speed and enter the first state. Collet 22 is controlled to rise in conjunction with blocks A1 to A4 (synchronized with their height). Thus, die D rises while being sandwiched between collet 22 and blocks A1 to A4. As the peripheral portion of dicing tape DT remains vacuum-adsorbed to dome 1312, which is the periphery of push-up unit 13, tension is generated around die D. As a result, peeling of dicing tape DT begins around die D.

続いて、図12(b)に示すように、ブロックA4がドーム1312の上面よりも下の所定の高さに一定の速度で下降して第二状態になる。ブロックA4がドーム1312の上面よりも下がることにより、ダイシングテープDTの支えがなくなり、ダイシングテープDTの張力によりダイシングテープDTの剥離が進行する。 Next, as shown in FIG. 12(b), block A4 descends at a constant speed to a predetermined height below the upper surface of dome 1312, entering the second state. As block A4 descends below the upper surface of dome 1312, it is no longer supported by dicing tape DT, and the tension of dicing tape DT causes the dicing tape DT to peel off.

続いて、図12(c)に示すように、ブロックA3がドーム1312の上面よりも下の所定の高さに一定の速度で下降して第三状態になる。ブロックA3がドーム1312の上面よりも下がることにより、ダイシングテープDTの支えがなくなり、ダイシングテープDTの張力によりダイシングテープDTの剥離がさらに進行する。 Next, as shown in FIG. 12(c), block A3 descends at a constant speed to a predetermined height below the upper surface of dome 1312, entering the third state. As block A3 descends below the upper surface of dome 1312, the support of dicing tape DT is lost, and the tension of dicing tape DT causes further peeling of dicing tape DT.

続いて、図12(d)に示すように、ブロックA2がドーム1312の上面よりも下の所定の高さに一定の速度で下降して第四状態になる。ブロックA2がドーム1312の上面よりも下がることにより、ダイシングテープDTの支えがなくなり、ダイシングテープDTの張力によりダイシングテープDTの剥離がさらに進行する。 Next, as shown in FIG. 12(d), block A2 descends at a constant speed to a predetermined height below the upper surface of dome 1312, entering the fourth state. As block A2 descends below the upper surface of dome 1312, the support of dicing tape DT is lost, and the tension of dicing tape DT causes further peeling of dicing tape DT.

その後、コレット22を上方に引き上げる。また、第四状態から所定時間後ブロックA2~A4が一定の速度で上昇し、ブロックA1が一定の速度で下降し初期位置に戻る。これにより、ダイDをダイシングテープDTから剥がす作業が完了する。 Then, the collet 22 is pulled upward. After a predetermined time from the fourth state, blocks A2 to A4 rise at a constant speed, and block A1 descends at a constant speed and returns to the initial position. This completes the operation of peeling the die D from the dicing tape DT.

次に、RMSの動作の設定方法および制御について説明する。タイムチャートレシピには、例えば、突上げユニット13の各ブロックA1,A2,A3,A4の動作をブロック毎およびステップ毎にステップの時間、ブロックの上昇または下降の速度、ブロックの高さ(位置)が設定される。時間制御の場合はステップの時間が設定され、位置制御の場合はブロックの高さが設定される。制御部80は、タイムチャートレシピに基づいてピンC1~C4およびブロックB1~B4を介して各ブロックA1~A4をそれぞれ駆動するモータM1~M4を制御する。 Next, the method of setting and controlling the operation of the RMS will be described. In the time chart recipe, for example, the step time, the speed of the block rising or falling, and the block height (position) are set for each block and each step of the operation of each block A1, A2, A3, A4 of the thrust-up unit 13. In the case of time control, the step time is set, and in the case of position control, the block height is set. The control unit 80 controls the motors M1 to M4 that drive each of the blocks A1 to A4 via the pins C1 to C4 and the blocks B1 to B4, respectively, based on the time chart recipe.

設定項目の異なる複数のタイムチャートレシピを用意しておき、オペレータは、GUI(Graphical User Interface)によって複数のタイムチャートレシピから一つのタイムチャートレシピを選択し、選択したタイムチャートレシピの項目に設定値を入力する。または、オペレータは、予め設定値が入力されたタイムチャートレシピを外部機器からダイボンダ等の半導体製造装置にデータ通信したり、外部記憶装置から半導体製造装置にインストールしたりする。ここで、外部記憶装置は、例えば、磁気テープ、フレキシブルディスクやハードディスク等の磁気ディスク、CDやDVD等の光ディスク、MO等の光磁気ディスク、USBメモリやメモリカード等の半導体メモリである。また、制御部80は検知部KC1~KC4により検知したブロックA1~A4のそれぞれの高さに基づいてリアルタイムにタイムチャートレシピを書換えて突上げユニット13に指示して突上げ動作の変更が可能である。 A number of time chart recipes with different setting items are prepared, and the operator selects one of the time chart recipes using a GUI (Graphical User Interface) and inputs setting values to the items of the selected time chart recipe. Alternatively, the operator transmits data of the time chart recipe with the setting values input in advance from an external device to a semiconductor manufacturing device such as a die bonder, or installs the time chart recipe from an external storage device to the semiconductor manufacturing device. Here, the external storage device is, for example, a magnetic tape, a magnetic disk such as a flexible disk or a hard disk, an optical disk such as a CD or a DVD, a magneto-optical disk such as an MO, or a semiconductor memory such as a USB memory or a memory card. In addition, the control unit 80 can rewrite the time chart recipe in real time based on the heights of the blocks A1 to A4 detected by the detection units KC1 to KC4, and instruct the push-up unit 13 to change the push-up operation.

タイムチャートレシピの一例について図13および図14を用いて説明する。図13はRMS動作におけるブロック動作タイミング例を示す図である。図14は図13のブロック動作タイミングに対応する高さ位置制御の場合のタイムチャートレシピの一例を示す図である。図13の横軸は時間(t)であり、縦軸は突上げ高さ(h)である。 An example of a time chart recipe will be described with reference to Figures 13 and 14. Figure 13 is a diagram showing an example of block operation timing in RMS operation. Figure 14 is a diagram showing an example of a time chart recipe in the case of height position control corresponding to the block operation timing of Figure 13. The horizontal axis of Figure 13 is time (t), and the vertical axis is thrust height (h).

図14に示すタイムチャートレシピは、各ブロックの動作を指示したブロック位置(高さ)に到達したことを優先として各ステップを終了し、各ブロック間の処理時間の調整に動作時間差(時間差またはインターバル時間)を入力して各ブロック動作を実行する。言い換えると、時間差は各ブロックの上昇または下降が終了してから次のステップの開始する時間である。ブロックの上昇または下降の終了は変位計の測定値とタイムチャートレシピで設定されたブロックの位置(高さ)との比較によって判断される。これにより、各ブロックの動作をステップ毎に確実に実施した上で、他のブロックとの動作の同期も取って動作させることができる。 The time chart recipe shown in Figure 14 ends each step by giving priority to the arrival of the specified block position (height) for the operation of each block, and executes each block operation by inputting an operation time difference (time difference or interval time) to adjust the processing time between each block. In other words, the time difference is the time from when the rise or fall of each block ends to when the next step begins. The end of the rise or fall of the block is determined by comparing the measurement value of the displacement meter with the block position (height) set in the time chart recipe. This allows the operation of each block to be performed reliably at each step, and also allows the operation to be synchronized with the operations of other blocks.

(1)ブロックA4
制御部80はブロックA4を第一ステップの始まりからs1の速度でh1の高さまで上昇させ、h1の高さで状態を維持する。ここで、図13に示すように、ブロックA4がh1に到達する時間をt1とすると、t1=h1/s1である。ブロックA1の第一ステップ(STEP1)は図12(a)の第一状態に対応する。第一ステップ(STEP1)における時間差、すなわち、ブロックA4の上昇終了後、第二ステップ(STEP2)を開始するまでの時間(待機時間)はt2である。
(1) Block A4
The control unit 80 raises the block A4 to a height of h1 at a speed of s1 from the beginning of the first step, and maintains the state at the height of h1. Here, as shown in Fig. 13, if the time it takes for the block A4 to reach h1 is t1, then t1 = h1/s1. The first step (STEP 1) of the block A1 corresponds to the first state in Fig. 12(a). The time difference in the first step (STEP 1), i.e., the time (standby time) from the end of the rise of the block A4 until the start of the second step (STEP 2) is t2.

制御部80はブロックA4を第二ステップ(STEP2)の始まりからs2の速度で-h2の高さまで下降させ、-h2の高さで状態を維持する。ここで、図13に示すように、ブロックA1が所定の高さ(-h2)に到達する時間をt3とすると、t3=(h1+h2)/s2である。ブロックA1の第二ステップ(STEP2)は図12(b)の第二状態から第四状態に対応する。第二ステップ(STEP2)における時間差は、すなわち、ブロックA1の下降終了後、第三ステップ(STEP3)を開始するまでの時間は(t4+t5+t6)である。 The control unit 80 lowers block A4 to a height of -h2 at a speed of s2 from the start of the second step (STEP 2), and maintains the state at the height of -h2. Here, as shown in FIG. 13, if the time it takes for block A1 to reach a predetermined height (-h2) is t3, then t3 = (h1 + h2) / s2. The second step (STEP 2) of block A1 corresponds to the second state to the fourth state in FIG. 12(b). The time difference in the second step (STEP 2), that is, the time from the end of the descent of block A1 to the start of the third step (STEP 3), is (t4 + t5 + t6).

制御部80はブロックA4を第三ステップ(STEP3)の始まりからs3の速度で初期位置(高さが0)まで上昇させる。ここで、ブロックA1が初期位置に到達する時間をt8とすると、t8=h2/s3である。第三ステップ(STEP3)における時間差は、すなわち、ブロックA4の上昇終了後、第四ステップ(STEP4)を開始するまでの時間はt9である。 The control unit 80 raises block A4 to the initial position (height is 0) at a speed of s3 from the start of the third step (STEP 3). If the time it takes for block A1 to reach the initial position is t8, then t8 = h2/s3. The time difference in the third step (STEP 3), that is, the time from when block A4 finishes rising to when the fourth step (STEP 4) begins, is t9.

(2)ブロックA3
制御部80はブロックA3を第一ステップ(STEP1)の始まりからs1の速度でh1の高さまで上昇させ、h1の高さで状態を維持する。ブロックA2の第一ステップ(STEP1)は図12(a)の第一状態および図12(b)の第二状態に対応する。第一ステップ(STEP1)における時間差、すなわち、ブロックA3の上昇終了後、第二ステップ(STEP2)を開始するまでの時間は(t2+t10)である。
(2) Block A3
The control unit 80 raises the block A3 to a height of h1 at a speed of s1 from the beginning of the first step (STEP 1) and maintains the state at the height of h1. The first step (STEP 1) of the block A2 corresponds to the first state in Fig. 12(a) and the second state in Fig. 12(b). The time difference in the first step (STEP 1), that is, the time from the end of the rise of the block A3 to the start of the second step (STEP 2), is (t2 + t10).

制御部80はブロックA3を第二ステップの始まりからs2の速度で-h2の高さまで下降させ、-h2の高さで状態を維持する。ブロックA3の第二ステップ(STEP2)は図12(c)の第三状態および図12(d)の第四状態に対応する。第二ステップ(STEP2)における時間差は、すなわち、ブロックA3の下降終了後、第三ステップ(STEP3)を開始するまでの時間は(t5+t6)である。 The control unit 80 lowers block A3 from the start of the second step at a speed of s2 to a height of -h2, and maintains the state at the height of -h2. The second step (STEP 2) of block A3 corresponds to the third state in FIG. 12(c) and the fourth state in FIG. 12(d). The time difference in the second step (STEP 2), that is, the time from the end of the descent of block A3 to the start of the third step (STEP 3), is (t5 + t6).

制御部80はブロックA3を第三ステップ(STEP3)の始まりからs3の速度で初期位置(高さが0)まで上昇させる。第三ステップ(STEP3)における時間差は、すなわち、ブロックA3の上昇終了後、第四ステップ(STEP4)を開始するまでの時間はt9である。 The control unit 80 raises block A3 to the initial position (height is 0) at a speed of s3 from the start of the third step (STEP 3). The time difference in the third step (STEP 3), that is, the time from when block A3 finishes rising to when the fourth step (STEP 4) starts, is t9.

(3)ブロックA2
制御部80はブロックA2を第一ステップの始まりからs1の速度でh1の高さまで上昇させ、h1の高さで状態を維持する。ブロックA3の第一ステップ(STEP1)は図12(a)の第一状態、図12(b)の第二状態および図12(c)の第三状態に対応する。第一ステップ(STEP1)における時間差、すなわち、ブロックA2の上昇終了後、第二ステップ(STEP2)を開始するまでの時間は(t2+t10+t11)である。
(3) Block A2
The control unit 80 raises the block A2 from the beginning of the first step at a speed of s1 to a height of h1 and maintains the state at the height of h1. The first step (STEP 1) of the block A3 corresponds to the first state in Fig. 12(a), the second state in Fig. 12(b), and the third state in Fig. 12(c). The time difference in the first step (STEP 1), that is, the time from the end of the rise of the block A2 to the start of the second step (STEP 2), is (t2+t10+t11).

制御部80はブロックA2を第二ステップの始まりからs2の速度で-h2の高さまで下降させ、-h2の高さで状態を維持する。ブロックA2の第二ステップ(STEP2)は図12(d)の第四状態に対応する。第二ステップ(STEP2)における時間差は、すなわち、ブロックA2の下降終了後、第三ステップ(STEP3)を開始するまでの時間はt6である。 The control unit 80 lowers block A2 from the start of the second step at a speed of s2 to a height of -h2, and maintains the state at the height of -h2. The second step (STEP 2) of block A2 corresponds to the fourth state in FIG. 12(d). The time difference in the second step (STEP 2), that is, the time from the end of the descent of block A2 to the start of the third step (STEP 3), is t6.

制御部80はブロックA2を第三ステップ(STEP3)の始まりからs3の速度で初期位置(高さが0)まで上昇させる。第三ステップ(STEP3)における時間差は、すなわち、ブロックA2の上昇終了後、第四ステップ(STEP4)を開始するまでの時間はt9である。 The control unit 80 raises block A2 to the initial position (height is 0) at a speed of s3 from the start of the third step (STEP 3). The time difference in the third step (STEP 3), that is, the time from when block A2 finishes rising to when the fourth step (STEP 4) starts, is t9.

(4)ブロックA1
制御部80はブロックA1を第一ステップの始まりからs1の速度でh1の高さまで上昇させ、h1の高さで状態を維持する。ブロックA1の第一ステップ(STEP1)は図12(a)の第一状態、図12(b)の第二状態、図12(c)の第三状態および図12(d)の第四状態に対応する。第一ステップ(STEP1)における時間差、すなわち、ブロックA1の上昇終了後、第二ステップ(STEP2)を開始するまでの時間は(t2+t10+t11+t12)である。
(4) Block A1
The control unit 80 raises the block A1 from the beginning of the first step at a speed of s1 to a height of h1 and maintains the state at the height of h1. The first step (STEP 1) of the block A1 corresponds to the first state in Fig. 12(a), the second state in Fig. 12(b), the third state in Fig. 12(c), and the fourth state in Fig. 12(d). The time difference in the first step (STEP 1), that is, the time from the end of the rise of the block A1 to the start of the second step (STEP 2), is (t2+t10+t11+t12).

制御部80はブロックA1を第二ステップの始まりからs4の速度で初期位置(高さが0)まで下降させる。ここで、ブロックA1が初期位置に到達する時間をt9とすると、t9=h1/s4である。第二ステップ(STEP2)における時間差は、すなわち、ブロックA4の下降終了後、第三ステップ(STEP3)を開始するまでの時間は0である。 The control unit 80 lowers block A1 from the start of the second step to the initial position (height is 0) at a speed of s4. Here, if the time it takes block A1 to reach the initial position is t9, then t9 = h1/s4. The time difference in the second step (STEP 2), that is, the time from when block A4 finishes descending to when the third step (STEP 3) begins, is 0.

上述したタイムチャートレシピは、各ブロックの動作を指示したブロック位置(高さ)に到達したことを優先として各ステップを終了する。変位計によって各ブロックの高さを個別に測定し、変位計の測定結果(ブロック位置)に基づいて各ブロックの高さ制御を行う。これにより、負荷等の影響でモータ動作に遅延等が発生した場合でも、少なくともブロックの位置(高さ)、動作順序は必ず再現させることが可能となる。 The above-mentioned time chart recipe ends each step by giving priority to the block reaching the specified block position (height) for the operation of each block. The height of each block is measured individually using a displacement meter, and the height of each block is controlled based on the measurement results (block position) of the displacement meter. This makes it possible to reproduce at least the block position (height) and operation sequence, even if a delay occurs in the motor operation due to the influence of load, etc.

実施形態によれば、下記の少なくとも一つの効果を得る。 According to the embodiment, at least one of the following effects is obtained:

(a)機構剛性が低い場合、ダイシングテープ、ダイシングテープ上のダイの数やダイサイズ、使用治工具(第1ユニット131)の種類等によってプランジャ機構に加わる荷重が変化することでプランジャ機構に撓みが発生する。撓みにより駆動軸の高さ変動や複数の駆動軸間の高さ変動(位置ズレ)が生じることがある。しかし、変位計で駆動軸の高さを測定してブロックの位置ズレを補正することにより、機構剛性をある程度低くしながら突上げ高さ精度を確保することが可能となる。 (a) When the mechanical rigidity is low, the load applied to the plunger mechanism changes depending on the dicing tape, the number and size of dies on the dicing tape, the type of tool used (first unit 131), etc., causing the plunger mechanism to deflect. Deflection can cause fluctuations in the height of the drive shaft and height fluctuations (positional misalignment) between multiple drive shafts. However, by measuring the height of the drive shafts with a displacement meter and correcting the positional misalignment of the blocks, it is possible to ensure thrust height accuracy while lowering the mechanical rigidity to a certain extent.

(b)機構剛性を低くすることが可能であるので、突上げユニットの小型化または軽量化が可能となる。 (b) It is possible to reduce the rigidity of the mechanism, making it possible to make the thrust unit smaller and lighter.

(c)変位計により各ブロックの高さを個別に測定することが可能であるので、複数の駆動軸による複数のブロック間の相対動作の再現性を確保することが可能になる。 (c) The height of each block can be measured individually using a displacement meter, ensuring repeatability of the relative movement between multiple blocks using multiple drive axes.

(d)変位計により突き上げ動作の異常を装置稼働中に常時監視することが可能であるので、不具合を未然に防止することが可能になる。 (d) The displacement meter makes it possible to constantly monitor the thrust-up operation for abnormalities while the device is in operation, making it possible to prevent malfunctions before they occur.

(e)上記(a)~(d)により、ピックアップ精度、信頼度が向上し、ダイの割れ、欠け不良を低減することが可能になる。 (e) The above (a) to (d) improve pickup accuracy and reliability, and reduce die cracks and chipping defects.

<変形例>
以下、実施形態の代表的な変形例について、幾つか例示する。以下の変形例の説明において、上述の実施形態にて説明されているものと同様の構成および機能を有する部分に対しては、上述の実施形態と同様の符号が用いられ得るものとする。そして、かかる部分の説明については、技術的に矛盾しない範囲内において、上述の実施形態における説明が適宜援用され得るものとする。また、上述の実施例の一部、および、複数の変形例の全部または一部が、技術的に矛盾しない範囲内において、適宜、複合的に適用され得る。
<Modification>
Below, some representative modified examples of the embodiment are exemplified. In the following description of the modified examples, the same reference numerals as those in the above-mentioned embodiment may be used for parts having the same configuration and function as those described in the above-mentioned embodiment. The description of such parts may be appropriately cited within the scope of technical inconsistency. Furthermore, a part of the above-mentioned example and all or a part of the multiple modified examples may be appropriately applied in a composite manner within the scope of technical inconsistency.

(第一変形例)
第一変形例におけるタイムチャートレシピについて図13および図15を用いて説明する。図15は図13のブロック動作タイミングに対応する第一変形例におけるタイムチャートレシピを示す図である。
(First Modification)
The time chart recipe in the first modified example will be described with reference to Fig. 13 and Fig. 15. Fig. 15 is a diagram showing the time chart recipe in the first modified example corresponding to the block operation timing in Fig. 13.

実施形態におけるタイムチャートレシピでは、次のステップの開始は各ステップにおけるブロックの高さで設定しているが、第一変形例におけるタイムチャートレシピでは各ステップの長さを時間で設定する。実施形態におけるタイムチャートレシピは、各ブロックの動作を指示したブロック位置(高さ)に到達したことを優先として各ステップを終了する。しかし、第一変形例におけるタイムチャートレシピでは各ブロックの動作を指示した時間になったことを優先してステップを終了する。第一変形例におけるタイムチャートレシピの「速度」および「高さ(位置)」は実施形態におけるタイムチャートレシピと同様である。 In the time chart recipe in the embodiment, the start of the next step is set by the height of the block in each step, but in the time chart recipe in the first modified example, the length of each step is set by time. In the time chart recipe in the embodiment, each step ends with the priority being reached when the block position (height) instructed to operate each block is reached. However, in the time chart recipe in the first modified example, a step ends with the priority being reached when the time instructed to operate each block is reached. The "speed" and "height (position)" of the time chart recipe in the first modified example are the same as those in the time chart recipe in the embodiment.

図15に示すタイムチャートレシピに設定する「時間」について説明する。 The following explains the "time" that is set in the time chart recipe shown in Figure 15.

(1)ブロックA4
第一ステップ(STEP1)の時間は(t1+t2)である。第二ステップ(STEP2)の時間は(t3+t4+t5+t6)である。第三ステップ(STEP3)の時間は(t8+t9)である。
(1) Block A4
The time of the first step (STEP 1) is (t1+t2), the time of the second step (STEP 2) is (t3+t4+t5+t6), and the time of the third step (STEP 3) is (t8+t9).

(2)ブロックA3
第一ステップ(STEP1)の時間は(t1+t2+t10)である。第二ステップ(STEP2)の時間は(t3-t10+t4+t5+t6)である。第三ステップ(STEP3)の時間は(t8+t9)である。
(2) Block A3
The time for the first step (STEP 1) is (t1+t2+t10), the time for the second step (STEP 2) is (t3-t10+t4+t5+t6), and the time for the third step (STEP 3) is (t8+t9).

(3)ブロックA2
第一ステップ(STEP1)の時間は(t1+t2+t10+t11)である。第二ステップ(STEP2)の時間は(t3+t4+t5-t10-t11+t6)である。第三ステップ(STEP3)の時間は(t8+t9)である。
(3) Block A2
The time for the first step (STEP 1) is (t1+t2+t10+t11), the time for the second step (STEP 2) is (t3+t4+t5-t10-t11+t6), and the time for the third step (STEP 3) is (t8+t9).

(4)ブロックA1
第一ステップ(STEP1)の時間は、(t1+t2+t10+t11+t12)である。第二ステップ(STEP2)の時間はt7である。
(4) Block A1
The time for the first step (STEP 1) is (t1+t2+t10+t11+t12), and the time for the second step (STEP 2) is t7.

第一変形例におけるタイムチャートレシピでは各ブロックの動作を指示した時間になったことを優先してステップを終了する。各ブロックの実際の高さがタイムチャートレシピで設定された高さと異なることがある。そこで、変位計によって各ブロックの高さを個別に測定しその測定値を記録する。変位計によりブロックの高さを測定するので、突き上げ動作の異常を装置稼働中に常時監視することが可能である。これにより、不具合を未然に防止することが可能になる。 In the time chart recipe of the first variant, the step ends when the time specified for the operation of each block has arrived. The actual height of each block may differ from the height set in the time chart recipe. Therefore, the height of each block is measured individually using a displacement meter and the measured value is recorded. As the height of the blocks is measured using a displacement meter, it is possible to constantly monitor for abnormalities in the push-up operation while the device is in operation. This makes it possible to prevent malfunctions before they occur.

(第二変形例)
第二変形例におけるブロック高さの制御方法について図16を用いて説明する。図16は第二変形例におけるブロック高さの制御方法を示すフローチャートである。
(Second Modification)
The method of controlling the block height in the second modified example will be described with reference to Fig. 16. Fig. 16 is a flow chart showing the method of controlling the block height in the second modified example.

(ステップS11)
生産前に、制御部80は、ブロックA1~A4をダイシングテープDTに接触させないで、生産時と同じタイムチャートレシピ、例えば、図14に示すタイムチャートレシピで規定される動作シーケンスを行う。これを空動作時の所定動作シーケンスという。制御部80は、所定動作シーケンスの各ステップにおいてブロックA1~A4の高さを測定し、その測定値を記録する。
(Step S11)
Before production, the control unit 80 performs the operation sequence defined by the same time chart recipe as that used during production, for example, the time chart recipe shown in Fig. 14, without bringing the blocks A1 to A4 into contact with the dicing tape DT. This is called the predetermined operation sequence during idle operation. The control unit 80 measures the heights of the blocks A1 to A4 at each step of the predetermined operation sequence and records the measured values.

(ステップS12)
生産時に、制御部80は、図12(a)~図12(d)に示すようにブロックA1~A4をダイシングテープDTに接触さて、例えば図14に示すタイムチャートレシピで規定される動作シーケンスを行う。これを生産時の所定動作シーケンスという。制御部80は、所定動作シーケンスの各ステップにおいてブロックA1~A4の高さを測定する。
(Step S12)
During production, the control unit 80 brings the blocks A1 to A4 into contact with the dicing tape DT as shown in Figures 12(a) to 12(d), and performs an operation sequence defined by the time chart recipe shown in Figure 14, for example. This is called a predetermined operation sequence during production. The control unit 80 measures the heights of the blocks A1 to A4 at each step of the predetermined operation sequence.

(ステップS13)
制御部80は、空動作時のブロックA1~A4の高さの測定値と生産時のブロックA1~A4の測定値との変化量を算出する。
(Step S13)
The control unit 80 calculates the amount of change between the measured heights of the blocks A1 to A4 during idle operation and the measured heights of the blocks A1 to A4 during production.

(ステップS14)
制御部80は、変化量をフィードバックしてブロックA1~A4の高さの制御を行う。これにより、生産時のブロックA1~A4の高さを空動作時のブロックA1~A4の高さと同様の高さにすることが可能である。
(Step S14)
The control unit 80 controls the height of the blocks A1 to A4 by feeding back the amount of change, thereby making it possible to make the height of the blocks A1 to A4 during production the same as the height of the blocks A1 to A4 during idle operation.

(第三変形例)
第三変形例におけるモータの負荷量に基づく制御について図17を用いて説明する。図17は第三変形例におけるブロック高さの制御方法を示すフローチャートである。
(Third Modification)
The control based on the load of the motor in the third modified example will be described with reference to Fig. 17. Fig. 17 is a flow chart showing a method of controlling the block height in the third modified example.

モータ制御装置(MC)83eは、変位計による測定値、モータM1~M4の指令値(CV)、モータM1~M4のそれぞれに設けられるエンコーダMaにより検出されるモータM1~M4毎の回転角度に基づいてモータM1~M4の指令値(CV)を補正(例えば、加算)する。 The motor control device (MC) 83e corrects (e.g., adds) the command values (CV) of the motors M1 to M4 based on the measured values from the displacement meter, the command values (CV) of the motors M1 to M4, and the rotation angles of the motors M1 to M4 detected by the encoders Ma provided on each of the motors M1 to M4.

言い換えると、複数の変位計によって測定された複数のブロックA1~A4のそれぞれの高さと複数のエンコーダMaによって検出されたモータM1~M4の回転位置とを比較して、複数のブロックA1~A4が作動される。なお、複数の変位計によって測定された複数のブロックA1~A4のそれぞれの高さと複数のエンコーダMaによって検出されたモータM1~M4の回転位置とを比較して、複数のブロックA1~A4の作動異常の判断が行われるようにしてもよい。 In other words, the heights of the blocks A1 to A4 measured by the displacement gauges are compared with the rotational positions of the motors M1 to M4 detected by the encoders Ma, and the blocks A1 to A4 are operated. The heights of the blocks A1 to A4 measured by the displacement gauges are compared with the rotational positions of the motors M1 to M4 detected by the encoders Ma, and a determination may be made as to whether the blocks A1 to A4 are malfunctioning.

変位計によってブロックの高さを測定し、変位計の測定結果に基づいてブロックの高さを制御(フィードバック制御)する例を説明したが、負荷量に応じて最適なフィードバックゲインが異なることがある。例えば、ダイシングテープに貼付されているダイの数(ピックアップされずダイシングテープに残っている数)によって、モータの負荷量が変化する。よって、さらに、モータの負荷量を測定するようにしてもよい。 An example has been described in which the height of the block is measured using a displacement meter, and the height of the block is controlled (feedback controlled) based on the measurement results of the displacement meter, but the optimal feedback gain may differ depending on the load amount. For example, the load amount on the motor changes depending on the number of dies attached to the dicing tape (the number that have not been picked up and remain on the dicing tape). Therefore, the load amount on the motor may also be measured.

(ステップS21)
生産前において、モータ制御装置83eは、生産時と同じタイムチャートレシピ、例えば、図14に示すタイムチャートレシピで規定される所定動作シーケンスに従って突上げユニット13のブロックA1~A4をモータM1~M4により作動させる。
(Step S21)
Before production, the motor control device 83e operates the blocks A1 to A4 of the push-up unit 13 by the motors M1 to M4 according to a predetermined operation sequence defined by the same time chart recipe as during production, for example, the time chart recipe shown in FIG.

そして、モータM1~M4に設けられたエンコーダMaにより検出されるモータM1~M4の回転角度毎に、電流センサMbにより検出される電流(モータM1~M4が受ける負荷に基づくモータ電流)から、モータ制御装置83eによりトルク値(負荷量)を測定する。測定した負荷量とこの負荷量に対応するフィードバックゲインを記憶装置に格納しておく。負荷を変えて、上記の処理を繰り返し、負荷量とフィードバックゲインの関係のテーブルを作成する。 Then, for each rotation angle of the motors M1 to M4 detected by the encoder Ma provided on the motors M1 to M4, the motor control device 83e measures the torque value (load amount) from the current detected by the current sensor Mb (motor current based on the load received by the motors M1 to M4). The measured load amount and the feedback gain corresponding to this load amount are stored in a storage device. The above process is repeated by changing the load, and a table of the relationship between the load amount and the feedback gain is created.

(ステップS22)
生産時において、モータ制御装置83eは、所定動作シーケンスに従って突上げユニット13のブロックA1~A4をモータM1~M4により作動させる。
(Step S22)
During production, the motor control device 83e operates the blocks A1 to A4 of the push-up unit 13 by the motors M1 to M4 in accordance with a predetermined operation sequence.

そして、モータM1~M4に設けられたエンコーダMaにより検出されるモータM1~M4の回転角度毎に、電流センサMbにより検出される電流(モータM1~M4が受ける負荷に基づくモータ電流)から、モータ制御装置83eによりトルク値(負荷量)を測定する。 Then, for each rotation angle of the motors M1 to M4 detected by the encoder Ma provided on the motors M1 to M4, the motor control device 83e measures the torque value (load amount) from the current detected by the current sensor Mb (motor current based on the load received by the motors M1 to M4).

(ステップS23)
制御部80は、測定した負荷量に対するフィードバックゲインをテーブルから取得してブロックA1~A4の高さを制御する。これにより、負荷量に応じた最適なフィードバックゲインで制御することが可能である。
(Step S23)
The control unit 80 obtains the feedback gain for the measured load from the table and controls the heights of the blocks A1 to A4, thereby enabling control with an optimal feedback gain according to the load.

また、変位計の値、モータの負荷量、モータの指令値を生産中に常時監視するようにしてもよい。これにより、機構の不具合やダイシングテープの粘度などの特性変化を早期に発見することが可能であり、アラートを表示したり突上げ量の指令値を修正したりする。 In addition, the displacement meter value, motor load, and motor command value can be constantly monitored during production. This makes it possible to detect mechanical malfunctions and changes in characteristics such as the viscosity of the dicing tape at an early stage, and to display an alert or correct the command value for the thrust amount.

以上、本開示者らによってなされた開示を実施形態および変形例に基づき具体的に説明したが、本開示は、上記実施形態および変形例に限定されるものではなく、種々変更可能であることはいうまでもない。 The disclosure made by the present inventors has been specifically described above based on the embodiments and modifications, but it goes without saying that the present disclosure is not limited to the above embodiments and modifications, and various modifications are possible.

例えば、実施形態では、変位計としてマグネットセンサを例に説明したが、これに限定されるものではなく、高精度を要求する場合、レーザ変位センサや分光干渉式センサ、コストを優先し、精度が比較的低くてよい場合は、渦電流センサを用いてもよい。 For example, in the embodiment, a magnet sensor has been described as an example of a displacement meter, but this is not limited to this. If high accuracy is required, a laser displacement sensor or a spectroscopic interference sensor may be used, and if cost is prioritized and relatively low accuracy is acceptable, an eddy current sensor may be used.

また、実施形態では、変位計を駆動軸としてのブロックB1~B6、変換機構1323またはピンC1~C6に設けてブロック高さを測定する例を説明したが、変位計をブロックA1~A6またはプランジャ機構P1~P6に設けてもよい。 In the embodiment, an example was described in which a displacement gauge was provided on blocks B1 to B6 as the drive shaft, conversion mechanism 1323, or pins C1 to C6 to measure the block height, but the displacement gauge may also be provided on blocks A1 to A6 or plunger mechanisms P1 to P6.

また、実施形態では、ブロック数は四個の例を説明したが、ダイサイズに応じてブロック数が三個以下や五個以上であってもよい。 In addition, in the embodiment, an example in which the number of blocks is four has been described, but the number of blocks may be three or less or five or more depending on the die size.

また、実施形態では、突上げユニットの複数のブロックは同心四角状のものについて説明したが、同心円形状や同心楕円形状のものであってもよいし、四角状ブロックを平行に並べて構成してもよい。 In the embodiment, the multiple blocks of the thrust unit are described as being concentric rectangular, but they may be concentric circular or elliptical, or may be configured by arranging rectangular blocks in parallel.

また、実施形態では、ダイアタッチフィルムを用いる例を説明したが、基板に接着剤を塗布するプリフォーム部を設けてダイアタッチフィルムを用いなくてもよい。 In addition, in the embodiment, an example in which a die attachment film is used has been described, but it is also possible to provide a preform portion for applying adhesive to the substrate, without using a die attachment film.

また、実施形態では、ウエハ供給部からダイをピックアップヘッドでピックアップして中間ステージに載置し、中間ステージに載置されたダイをボンディングヘッドで基板にボンディングするダイボンダについて説明した。しかし、これに限定されるものではなく、ダイ供給部からダイをピックアップするダイボンディング装置に適用可能である。 In the embodiment, a die bonder has been described in which a pick-up head picks up a die from a wafer supply unit and places it on an intermediate stage, and a bonding head bonds the die placed on the intermediate stage to a substrate. However, this is not limited to this, and the present invention can be applied to any die bonding device that picks up a die from a die supply unit.

例えば、中間ステージとピックアップヘッドがなく、ウエハ供給部のダイをボンディングヘッドで基板にボンディングするダイボンダにも適用可能である。 For example, it can also be applied to a die bonder that does not have an intermediate stage and a pickup head, and bonds the die from the wafer supply section to the substrate with the bonding head.

また、中間ステージがなく、ウエハ供給部からダイをピックアップしダイピックアップヘッドを上に回転してダイをボンディングヘッドに受け渡しボンディングヘッドで基板にボンディングするフリップチップボンダに適用可能である。 It can also be applied to flip chip bonders that do not have an intermediate stage and pick up a die from a wafer supply unit, rotate the die pickup head upwards to hand the die over to the bonding head, which then bonds the die to a substrate.

実施形態では、ダイボンダを例に説明したが、ピックアップしたダイをトレイに載置する半導体製造装置にも適用できる。 In the embodiment, a die bonder has been used as an example, but the invention can also be applied to semiconductor manufacturing equipment that places picked-up dies on a tray.

1・・・ダイボンダ(半導体製造装置)
12・・・ウエハ保持台
13・・・突上げユニット
A1~A4・・・ブロック
B1~B4・・・ブロック(駆動軸)
1323・・・変換機構(駆動軸)
C1~C4・・・ピン(駆動軸)
P1~P4・・・プランジャ機構
80・・・制御部
1...Die bonder (semiconductor manufacturing equipment)
12: Wafer holder 13: Thrust-up unit A1 to A4: Blocks B1 to B4: Blocks (drive shaft)
1323...Conversion mechanism (drive shaft)
C1 to C4: Pins (drive shafts)
P1 to P4: Plunger mechanism 80: Control unit

Claims (15)

ダイが貼付されたダイシングテープを保持するウエハ保持台と、
前記ダイシングテープと接触する複数のブロックと、前記複数のブロックに独立して上下動を伝える複数の駆動軸と、前記複数の駆動軸に独立して上下動を伝える複数のプランジャ機構と、前記複数のブロックのそれぞれの高さを測定するための複数の変位計と、を有する突上げユニットと、
前記突上げユニットを制御する制御部と、
を備え、
前記複数の変位計は、前記複数のブロックまたは前記複数の駆動軸または前記複数のプランジャ機構に設けられる半導体製造装置。
a wafer holder that holds a dicing tape having a die attached thereto;
a push-up unit including a plurality of blocks that come into contact with the dicing tape, a plurality of drive shafts that transmit vertical motions to the plurality of blocks independently, a plurality of plunger mechanisms that transmit vertical motions to the plurality of drive shafts independently, and a plurality of displacement gauges that measure the heights of the plurality of blocks;
A control unit for controlling the push-up unit;
Equipped with
The semiconductor manufacturing apparatus, wherein the plurality of displacement gauges are provided on the plurality of blocks, the plurality of drive shafts, or the plurality of plunger mechanisms.
請求項1に記載の半導体製造装置において、
前記突上げユニットは、前記複数のプランジャ機構のそれぞれを作動させる複数のモータと、前記複数のモータのそれぞれの回転位置を検出する複数のエンコーダと、を備える半導体製造装置。
2. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1,
The thrust-up unit of the semiconductor manufacturing apparatus includes a plurality of motors that actuate the respective plunger mechanisms, and a plurality of encoders that detect the rotational positions of the respective motors.
請求項2に記載の半導体製造装置において、
前記制御部は、前記複数の変位計によって測定された前記複数のブロックのそれぞれの高さと、前記複数のエンコーダによって検出された前記複数のモータのそれぞれの回転位置とを比較して、前記複数のブロックを作動させるよう構成される半導体製造装置。
3. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 2,
The control unit of the semiconductor manufacturing apparatus is configured to operate the multiple blocks by comparing the heights of each of the multiple blocks measured by the multiple displacement meters with the rotational positions of each of the multiple motors detected by the multiple encoders.
請求項2に記載の半導体製造装置において、
前記制御部は、前記複数の変位計によって測定された前記複数のブロックのそれぞれの高さと、前記複数のエンコーダによって検出された前記複数のモータのそれぞれの回転位置を比較して、前記複数のブロックの作動異常の判断を行うよう構成される半導体製造装置。
3. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 2,
The control unit of the semiconductor manufacturing apparatus is configured to compare the heights of each of the multiple blocks measured by the multiple displacement meters with the rotational positions of each of the multiple motors detected by the multiple encoders to determine whether or not the multiple blocks are operating abnormally.
請求項1から4の何れか1項の半導体製造装置において、
前記突上げユニットは、さらに、前記駆動軸を収納し、透磁素材で構成れる外周部を有し、
前記変位計は、前記駆動軸に設けられたマグネットと、前記外周部の外側面に設けられた検知部と、を備える半導体製造装置。
5. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1,
The push-up unit further includes an outer periphery that houses the drive shaft and is made of a magnetic permeable material,
The displacement meter of the semiconductor manufacturing equipment includes a magnet provided on the drive shaft and a detection unit provided on the outer surface of the outer periphery.
請求項1から4の何れか1項の半導体製造装置において、
前記変位計は、レーザ変位センサ、分光干渉式センサまたは渦電流センサである半導体製造装置。
5. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1,
The semiconductor manufacturing equipment, wherein the displacement meter is a laser displacement sensor, a spectroscopic interference sensor, or an eddy current sensor.
請求項2の半導体製造装置において、
前記突上げユニットは、前記複数のブロックを有する第一ユニットと、前記駆動軸を有する第二ユニットと、前記複数のプランジャ機構を有する第三ユニットと、を備える半導体製造装置。
3. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 2,
The push-up unit of the semiconductor manufacturing apparatus includes a first unit having the plurality of blocks, a second unit having the drive shaft, and a third unit having the plurality of plunger mechanisms.
請求項2の半導体製造装置において、
前記突上げユニットは、前記複数のブロックを有する第一ユニットと、前記駆動軸の上下動を前記複数のブロックに伝える第二ユニットと、前記駆動軸および前記複数のプランジャ機構を有する第三ユニットと、を備える半導体製造装置。
3. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 2,
The thrust-up unit of the semiconductor manufacturing apparatus comprises: a first unit having the plurality of blocks; a second unit transmitting the up and down movement of the drive shaft to the plurality of blocks; and a third unit having the drive shaft and the plurality of plunger mechanisms.
請求項1から4の何れか1項の半導体製造装置において、
さらに、前記複数のブロックの所定動作シーケンスにおいて、前記複数の変位計の測定結果に基づいて前記複数のブロックのそれぞれの高さの制御を行うよう構成される制御部を備え、
前記所定動作シーケンスは、前記複数のブロックのブロック毎に複数のステップで構成され、前記複数のステップの各ステップの長さはブロックの上昇または下降が終了してから次のステップにおけるブロックの上昇または下降が始まるまでの時間で設定される半導体製造装置。
5. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1,
Further, a control unit configured to control heights of the plurality of blocks based on measurement results of the plurality of displacement meters in a predetermined operation sequence of the plurality of blocks,
The specified operation sequence is composed of a plurality of steps for each of the plurality of blocks, and the length of each of the plurality of steps is set as the time from the end of raising or lowering of a block to the start of raising or lowering of the block in the next step.
請求項1から4の何れか1項の半導体製造装置において、
前記制御部は、前記複数のブロックの所定動作シーケンスにおいて、前記複数のブロックの各ブロックの高さを測定し、その測定値を記録するよう構成され、
前記所定動作シーケンスは、複数のブロックのブロック毎に複数のステップで構成され、前記複数のステップの各ステップの長さは時間で設定される半導体製造装置。
5. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1,
the control unit is configured to measure a height of each block of the plurality of blocks in a predetermined movement sequence of the plurality of blocks and record the measurements;
The predetermined operation sequence is composed of a plurality of steps for each of a plurality of blocks, and the length of each of the plurality of steps is set in terms of time.
請求項1から4の何れか1項の半導体製造装置において、
前記制御部は、
前記複数のブロックを前記ダイシングテープに接触させないで所定動作シーケンスを行う空動作時の前記複数のブロックの高さを測定して、その測定値を記録し、
前記複数のブロックを前記ダイシングテープに接触さて前記所定動作シーケンスを行う生産時の前記複数のブロックの高さを測定し、記録した前記測定値と前記生産時の測定値との変化量を算出し、前記変化量をフィードバックして前記空動作時と同様の高さを保つように前記複数のブロックの高さの制御を行うよう構成される半導体製造装置。
5. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1,
The control unit is
measuring heights of the plurality of blocks during an idle operation in which a predetermined operation sequence is performed without the plurality of blocks being in contact with the dicing tape, and recording the measured values;
The semiconductor manufacturing apparatus is configured to measure heights of the multiple blocks during production when the multiple blocks are brought into contact with the dicing tape and the specified operation sequence is performed, calculate the amount of change between the recorded measurement value and the measurement value during production, and control the heights of the multiple blocks by feeding back the amount of change so as to maintain the heights of the multiple blocks at the same level as during the idle operation.
請求項2から4の何れか1項の半導体製造装置において、
前記モータは、さらに、当該モータの電流を得る電流センサを備え、
前記制御部は、
生産前に、負荷ごとに、前記複数のブロックを所定動作シーケンスで動かす時の前記電流センサにより検出される電流に基づいて前記複数のブロックの作動における負荷量を測定すると共に、測定した当該負荷量に対するフィードバックゲインを求め、負荷量とフィードバックゲインとの関係のテーブルを作成し、
生産時に、前記複数のブロックを所定動作シーケンスで動かす時の前記電流センサにより検出される電流に基づいて前記複数のブロックの作動における負荷量を測定し、測定した当該負荷量に対するフィードバックゲインを前記テーブルから求めて前記複数のブロックの高さの制御を行うよう構成される半導体製造装置。
5. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 2,
The motor further includes a current sensor for obtaining a current of the motor;
The control unit is
Before production, for each load, a load amount in operation of the plurality of blocks is measured based on a current detected by the current sensor when the plurality of blocks are operated in a predetermined operation sequence, and a feedback gain for the measured load amount is calculated, and a table of the relationship between the load amount and the feedback gain is created;
The semiconductor manufacturing apparatus is configured to measure a load amount during operation of the plurality of blocks based on a current detected by the current sensor when the plurality of blocks are moved in a predetermined operation sequence during production, and to obtain a feedback gain for the measured load amount from the table to control the heights of the plurality of blocks.
請求項1から4の何れか1項の半導体製造装置において、
さらに、前記ダイを吸着するコレットを有するヘッドと、
前記制御部は、前記複数のブロックの高さの測定値に基づいて前記コレットの高さの制御を行うよう構成される半導体製造装置。
5. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1,
a head having a collet for adsorbing the die;
The control unit is configured to control the height of the collet based on the measured heights of the multiple blocks.
ダイが貼付されたダイシングテープを保持するウエハ保持台と、
前記ダイシングテープと接触する複数のブロックと、前記複数のブロックに独立して上下動を伝える複数の駆動軸と、前記複数の駆動軸に独立して上下動を伝える複数のプランジャ機構と、前記複数のブロックのそれぞれの高さを測定する複数の変位計と、を有する突上げユニットと、
を備えるピックアップ装置。
a wafer holder that holds a dicing tape having a die attached thereto;
a push-up unit including a plurality of blocks that come into contact with the dicing tape, a plurality of drive shafts that transmit vertical movements to the plurality of blocks independently, a plurality of plunger mechanisms that transmit vertical movements to the plurality of drive shafts independently, and a plurality of displacement gauges that measure the heights of the plurality of blocks;
A pickup device comprising:
ダイが貼付されたダイシングテープを保持するウエハ保持台と、前記ダイシングテープと接触する複数のブロックと前記複数のブロックに独立して上下動を伝える複数の駆動軸と前記複数の駆動軸に独立して上下動を伝える複数のプランジャ機構と前記複数のブロックのそれぞれの高さを測定する複数の変位計とを有する突上げユニットと、を備える半導体製造装置にウエハリングを搬入する工程と、
前記ウエハリングが保持するダイシングテープからダイをピックアップする工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
carrying a wafer ring into a semiconductor manufacturing device including a wafer holder that holds a dicing tape having a die attached thereto, and a push-up unit having a plurality of blocks that come into contact with the dicing tape, a plurality of drive shafts that transmit vertical movements independently to the plurality of blocks, a plurality of plunger mechanisms that transmit vertical movements independently to the plurality of drive shafts, and a plurality of displacement gauges that measure the heights of the plurality of blocks;
picking up a die from a dicing tape held by the wafer ring;
A method for manufacturing a semiconductor device having the above structure.
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