JP2024058052A - 気化装置、半導体製造システム及び固体原料の気化方法 - Google Patents

気化装置、半導体製造システム及び固体原料の気化方法 Download PDF

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Abstract

【課題】固体原料の熱分解を用いて形成される層の形成効率の途中からの低下を抑制する。【解決手段】気化装置は、固体原料の表面を覆う気化量調整板と、前記気化量調整板に面して流れるキャリアガスを排出する排出流路と、を備え、前記気化量調整板は複数の貫通穴を有し、前記気化量調整板における単位面積当たりの開口率は前記キャリアガスの流れ方向に沿って変化し、前記キャリアガスは前記固体原料から気化して前記複数の貫通穴を通過した所定の原料を運搬する。【選択図】図６

Description

本開示は、気化装置、半導体製造システム及び固体原料の気化方法に関する。
半導体デバイスの多層構造において、低誘電率の層間絶縁膜（Ｌｏｗ－ｋ絶縁膜）と、例えば、銅（Ｃｕ）からなる導電膜が積層されることがある。このとき、Ｌｏｗ－ｋ絶縁膜へＣｕが拡散するのを防止するために、Ｌｏｗ－ｋ絶縁膜と導電膜の間にバリア層が設けられる。バリア層を形成する材料として、従前はタンタル（Ｔａ）が用いられていたが、近年ではＣｕへの密着性がよいことからルテニウム（Ｒｕ）が用いられる。
Ｒｕからなるバリア層は、例えば、熱化学気相成長法（ＴＣＶＤ）において、Ｒｕを含む固体原料、例えば、ドデカカルボニルトリルテニウム（ＤＣＲ）を熱分解し、熱分解されたＤＣＲ中のＲｕをウエハに堆積させることにより形成される。このＤＣＲの熱分解にはマルチトレイ式の気化装置を用いる。
マルチトレイ式の気化装置は、円筒状の本体と、該本体の内部に収容されて、中心軸方向に積み重ねられたリング状の容器である複数のトレイと、中心軸に沿って形成される排出流路と、を備え、各トレイには固体原料としてＤＣＲが充填される。ＤＣＲを熱分解する際には、各トレイが加熱されるとともに、本体の外周側から中央部の排出流路側へ向けてキャリアガスが流れる。キャリアガスは各トレイに充填されたＤＣＲの上方を流れる際に、気化したＤＣＲを巻き込み、排出流路を通過してウエハを収容する処理容器へ流入する（例えば、特許文献１参照）。
特表２００８－５２２０２９号公報
本開示に係る技術は、固体原料の熱分解を用いて形成される層の形成効率の途中からの低下を抑制する。
本開示に係る技術の一態様は、固体原料の表面を覆う気化量調整板と、前記気化量調整板に面して流れるキャリアガスを排出する排出流路と、を備える気化装置であって、前記気化量調整板は複数の貫通穴を有し、前記気化量調整板における単位面積当たりの開口率は前記キャリアガスの流れ方向に沿って変化し、前記キャリアガスは前記固体原料から気化して前記複数の貫通穴を通過した所定の原料を運搬する。
本開示に係る技術によれば、固体原料の熱分解を用いて形成される層の形成効率の途中からの低下を抑制することができる。
本開示に係る技術の一実施の形態としての半導体製造システムの構成を概略的に示す図である。 図１における気化装置の構成を説明するための図である。 従来の気化装置の各トレイにおけるＤＣＲの残存形態を示す図である。 従来の気化装置において各トレイの外壁側のＤＣＲから気化が進む理由を説明するための図である。 従来のキャリアガスのＤＣＲの濃度の変化の算出結果を示すグラフをトレイの断面と対比する図である。 本開示に係る技術の一実施の形態としての気化装置の各トレイで用いられる気化量調整板の構成を示す斜視図である。 気化量調整板を用いたときのキャリアガスのＤＣＲの濃度の変化の算出結果を示すグラフをトレイの断面と対比する図である。 ＤＣＲの気化の進行に伴う気化量調整板の下降の様子を示す工程図である。 気化量調整板の第１の変形例を示す斜視図である。 気化量調整板の第２の変形例の構成を示す平面図である。
ところで、特許文献１に記載のマルチトレイ式の気化装置では、ＤＣＲの熱分解において、各トレイのＤＣＲが本体の外周側から減少し、Ｒｕからなるバリア層の形成の途中で各トレイの外周側のＤＣＲが全て気化して底部が露出する傾向にある。この場合、各トレイにおいてＤＣＲが排出流路側に偏って残存し、キャリアガスに晒されるＤＣＲの表面積が結果的に減少する。したがって、キャリアガスが巻き込む気化したＤＣＲが減少し、キャリアガスにおけるＤＣＲの分圧が低下するため、バリア層の形成の効率が途中から低下する。
これに対応して、本開示に係る技術は、各トレイにおいてＤＣＲを外周側から排出流路側にかけて略均等に減少させ、ＤＣＲの偏りの発生を抑制してキャリアガスに晒されるＤＣＲの表面積を維持する。これにより、キャリアガスにおけるＤＣＲの分圧の低下を防止してバリア層の形成の効率が途中から低下するのを抑制する。
以下、図面を参照して本開示に係る技術の一実施の形態を説明する。図１は、本開示に係る技術の一実施の形態としての半導体製造システムの構成を概略的に示す図である。なお、図１では、理解を容易にするために成膜装置は断面図として描画される。
図１において、半導体製造システム１０は、気化装置１１と、成膜装置１２と、キャリアガス供給装置１３と、排気装置１４と、温度制御部１５と、制御部１６と、を備える。気化装置１１はガス供給経路１７を介して成膜装置１２に接続され、所定の原料を含むキャリアガスを成膜装置１２に供給する。成膜装置１２はウエハＷ（基板）に所定の原料を堆積させて所定の薄膜を形成する。なお、気化装置１１の詳細な構成については後述する。
成膜装置１２は、ウエハＷを収容する処理容器１８と、該処理容器１８の底部に配置された載置台１９と、複数の貫通穴２０を有する気化原料拡散板２１とを有する。載置台１９はウエハＷを載置する。気化原料拡散板２１は、処理容器１８の内部を載置台１９が存在する処理室２２と拡散室２３に仕切る。拡散室２３にはガス供給経路１７が接続され、気化装置１１からキャリアガスが導入される。
導入されたキャリアガスは拡散室２３において拡散し、気化原料拡散板２１の各貫通穴２０を通過して処理室２２に進入する。処理室２２へ進入したキャリアガスに含まれる所定の原料は載置台１９のウエハＷの表面に吸着される。載置台１９には温調装置（不図示）が内蔵され、温調装置は載置されたウエハＷの温度を調整する。具体的に、温調装置はウエハＷの温度を上昇させて表面に吸着された所定の原料を熱分解する。このとき、所定の原料を主成分とする薄膜、例えば、バリア層がウエハＷの表面に形成される。
キャリアガス供給装置１３は、キャリアガスとして、例えば、一酸化炭素（ＣＯ）ガスを気化装置１１へ供給する。排気装置１４は、例えば、ターボ分子ポンプからなり、処理容器１８の内部をバリア層の成膜処理に適した圧力まで減圧する。温度制御部１５は気化装置１１を全体的に加熱し、所定の原料の気化を促進する。制御部１６は、気化装置１１、成膜装置１２、キャリアガス供給装置１３、排気装置１４及び温度制御部１５の動作を制御して成膜処理を実行する。
図２は、気化装置１１の構成を説明するための図であり、図２（Ａ）は気化装置１１の断面図であり、図２（Ｂ）は一部がカットされた気化装置１１を示す斜視図である。
図２において、気化装置１１は、円筒状の本体２４と、上蓋２８と、下蓋２９とを有する。また、気化装置１１は、所定の原料としてのＲｕを含む固体原料、例えば、ＤＣＲ２５が充填されたリング状の容器である複数のトレイ２６をさらに有する。なお、各トレイ２６に充填される固体原料はＤＣＲに限られず、成膜処理で形成される薄膜の主成分の前駆体であればよい。
各トレイ２６は本体２４の内部に収容され、各トレイ２６はそれぞれの中心軸が本体２４の中心軸Ｃと一致するように、本体２４の中心軸Ｃの方向に積み重ねられる。また、各トレイ２６の中心の開口２６ｃは上面視において重なり合い、本体２４の内部を下方から上方まで貫通する排出流路３０を形成する。各トレイ２６の開口２６ｃは本体２４の中心軸Ｃ上に位置するため、排出流路３０は中心軸Ｃに沿うように形成される。なお、結果として、各トレイ２６は排出流路３０を囲むように配置される。また、上蓋２８は本体２４の上方の開口を塞ぎ、下蓋２９は本体２４の下方の開口を塞ぐ。
本体２４の側壁２４ａ、上蓋２８や下蓋２９にはヒータ（不図示）（加熱手段）が内蔵され、制御部１６が各ヒータを制御して各トレイ２６に充填されたＤＣＲ２５を加熱して気化を促進する。
また、上蓋２８、本体２４の側壁２４ａや下蓋２９の内部にはキャリアガス流路３１が形成され、キャリアガス流路３１は配管（不図示）を介してキャリアガス供給装置１３に接続される。キャリアガス供給装置１３から供給されるキャリアガスはキャリアガス流路３１を通過して本体２４の内部へ導入される。
各トレイ２６の外径は、本体２４の内径より小さく設定される。これにより、本体２４の側壁２４ａと各トレイ２６の外壁２６ａの間にはリング状空間３２が形成される。また、各トレイ２６の外壁２６ａには複数の流入口２６ｂが開口する。
本体２４の内部へ導入されたキャリアガスはリング状空間３２を流れ、各トレイ２６の各流入口２６ｂを通過して排出流路３０へ向けて流れる。すなわち、キャリアガスは本体２４の側方から本体２４の内部の排出流路３０へ向けて導入される。
キャリアガスは、各流入口２６ｂから排出流路３０へ向けて流れる際にはトレイ２６に充填されたＤＣＲ２５の上方を流れる。このとき、キャリアガスは気化したＤＣＲを巻き込む。気化したＤＣＲを巻き込んだキャリアガスは排出流路３０へ到ると、排出流路３０に沿って上方へ流れ、排出口３３を介して気化装置１１から排出されてガス供給経路１７へ流入する。なお、図２（Ａ）では、キャリアガスの流れが矢印で示される。
ところで、後述する気化量調整板３５以外は気化装置１１と同様の構成を有する従来の気化装置において、成膜処理で形成されるバリア層の形成効率が途中から低下する傾向が確認された。
そこで、本発明者が、バリア層の形成効率が低下した後の各トレイ２６におけるＤＣＲ２５の残存形態を確認したところ、図３に示すように、ＤＣＲ２５が排出流路３０側に偏って残存していることを確認した。なお、図３では、図３（Ａ）が最上段のトレイ２６におけるＤＣＲ２５の残存形態を示し、図３（Ｂ）が上方から２段目のトレイ２６におけるＤＣＲ２５の残存形態を示す。また、図３（Ｃ）が上方から３段目のトレイ２６におけるＤＣＲ２５の残存形態を示し、図３（Ｄ）が上方から４段目のトレイ２６におけるＤＣＲ２５の残存形態を示し、図３（Ｅ）が最下段のトレイ２６におけるＤＣＲ２５の残存形態を示す。
図３に示すＤＣＲ２５の残存形態から、成膜処理において、例えば、各トレイ２６では、外壁２６ａ側のＤＣＲ２５から気化が進み、成膜処理の途中で外壁２６ａ側のＤＣＲ２５が全て気化したことが分かった。換言すれば、各トレイ２６の外壁２６ａ側の底部が排出流路３０側の底部よりも先に露出したことが分かった。
これにより、成膜処理の途中から各トレイ２６において、キャリアガスに晒されるＤＣＲ２５の表面積が減少し、キャリアガスが巻き込む気化したＤＣＲが減少し、キャリアガスにおけるＤＣＲの分圧が低下する。その結果、成膜装置１２においてウエハＷに吸着されるＤＣＲの量が減少してバリア層の形成の効率が低下したと推察された。
したがって、成膜処理の途中からバリア層の形成の効率が低下するのを抑制するには、各トレイ２６において、外壁２６ａ側のＤＣＲ２５から気化が進むのを抑制する必要がある。
ここで、本発明者は、外壁２６ａ側のＤＣＲ２５から気化が進む理由を図４に示すように考察した。なお、本実施の形態では、以降、キャリアガス３４の流れが矢印で表され、矢印の明暗がＤＣＲの分圧を表現し、矢印が暗いほどキャリアガス３４のＤＣＲの分圧が高いことを示す。
すなわち、気化装置１１では、各トレイ２６において、キャリアガス３４が外壁２６ａの各流入口２６ｂから排出流路３０へ向けて流れる際に気化したＤＣＲ２５を巻き込んでいくと、キャリアガス３４のＤＣＲの分圧（以下、「濃度」ともいう）が高くなる。そして、キャリアガス３４が排出流路３０の近傍に到達する頃には、キャリアガス３４のＤＣＲの分圧がＤＣＲの飽和蒸気圧に近付き、排出流路３０の近傍のＤＣＲ２５の気化が抑制される（図４（Ａ））。
その結果、排出流路３０の近傍のＤＣＲ２５よりも外壁２６ａ側のＤＣＲ２５の気化が相対的に進み、トレイ２６の外壁２６ａ側の底部が露出しても、排出流路３０の近傍にはＤＣＲ２５が残存する（図４（Ｂ））。
さらに、本発明者は、気化装置１１を模したシミュレーションモデルを使用して、キャリアガス３４のＤＣＲの濃度の変化を算出した。図５は、キャリアガス３４のＤＣＲの濃度の変化の算出結果を示すグラフをトレイ２６の断面と対比する図であるが、図中のグラフに示すように、キャリアガス３４が外壁２６ａから排出流路３０に到る途中でキャリアガス３４のＤＣＲの濃度が飽和蒸気圧に達してしまうことも確認した。
なお、排出流路３０を流れるキャリアガス３４のＤＣＲの濃度も下流に行くほど高くなると考えられる。そして、図３（Ａ）～図３（Ｄ）に示すように、積み重ねられた各トレイ２６の上段に行くほど、すなわち、キャリアガス３４の下流に行くほど、ＤＣＲ２５の残存量も多くなる。ここからも、キャリアガス３４のＤＣＲの濃度が高くなると、ＤＣＲ２５の気化が抑制されることが確認できた。
そこで、本実施の形態では、各トレイ２６において、外壁２６ａ側のＤＣＲ２５から気化が進むのを抑制するために、キャリアガス３４が外壁２６ａから排出流路３０に到る途中でキャリアガス３４のＤＣＲの濃度が飽和蒸気圧に達するのを防止する。
図６は、気化装置１１の各トレイ２６で用いられる気化量調整板３５の構成を示す斜視図である。
気化量調整板３５は、中心に排出流路３０に対応する円形の開口部３５ａを有する円板状部材からなり、ステンレス又はアルミニウムによって構成される。また、気化量調整板３５は、形態が一様では無く、その表面が外周側の外側領域３５ｂと中心側の内側領域３５ｃに分けられる。内側領域３５ｃは開口部３５ａを囲み、且つは外側領域３５ｂよりも排出流路３０の近くに位置するように設定される。また、外側領域３５ｂは内側領域３５ｃよりも本体２４の側壁２４ａの近くに位置するように設定される。
気化量調整板３５において、内側領域３５ｃには、開口部３５ａを取り囲むように、比較的大きな複数の貫通穴である内側通気口３５ｄが形成され、各内側通気口３５ｄは平面視において扇形状を呈する。さらに、外側領域３５ｂには多数の円形の貫通穴である外側通気口３５ｅが全面に形成される。
各内側通気口３５ｄや各外側通気口３５ｅの数や大きさは、内側領域３５ｃにおける単位面積当たりの開口率が外側領域３５ｂにおける単位面積当たりの開口率よりも大きくなるように設定される。換言すれば、気化量調整板３５における単位面積当たりの開口率は、排出流路３０に近付くほど大きくなる。なお、ここでの開口率とは、気化量調整板３５の表面積のうち、各内側通気口３５ｄや各外側通気口３５ｅが占める面積の割合である。また、各内側通気口３５ｄの形状は平面視において扇形状に限られず、他の形状を呈してもよく、各外側通気口３５ｅの形状は円形に限られず、他の形状であってもよい。
気化量調整板３５は、各トレイ２６の上方から嵌め込むように配置され、ＤＣＲ２５の表面を覆うようにＤＣＲ２５に直接載置される。このとき、例えば、トレイ２６では、キャリアガス３４が気化量調整板３５の上方を当該気化量調整板３５に面して外壁２６ａから排出流路３０へ向けて流れる（図６中の矢印参照）。したがって、気化量調整板３５における単位面積当たりの開口率は、キャリアガス３４の流れの下流に行くほど大きくなる。このキャリアガス３４は、気化して各外側通気口３５ｅや各内側通気口３５ｄを通過したＤＣＲ２５を巻き込んで運搬する。
ここで、外側領域３５ｂにおける単位面積当たりの開口率は内側領域３５ｃにおける単位面積当たりの開口率よりも小さいため、各外側通気口３５ｅを気化して通過するＤＣＲ２５の量は、各内側通気口３５ｄを気化して通過するＤＣＲ２５の量よりも少なくなる。したがって、キャリアガス３４が気化量調整板３５の上方を通過する際に巻き込むＤＣＲの量も減少し、キャリアガス３４が外壁２６ａから排出流路３０に到る途中でＤＣＲの濃度が飽和蒸気圧に達するのを防止することができる。
また、本発明者は、気化装置１１を模したシミュレーションモデルを使用して、気化量調整板３５をＤＣＲ２５に直接載置した際のキャリアガス３４のＤＣＲの濃度の変化を算出した。図７は、気化量調整板３５を用いたときのキャリアガス３４のＤＣＲの濃度の変化の算出結果を示すグラフをトレイ２６の断面と対比する図である。図中のグラフに示すように、キャリアガス３４のＤＣＲ濃度は、外壁２６ａから排出流路３０に到る途中で飽和蒸気圧に達してしまうことがなく、キャリアガス３４が排出流路３０に到達した辺りでやっと飽和蒸気圧の近くまで上昇することが分かった。
すなわち、本実施の形態では、気化量調整板３５を用いることにより、キャリアガス３４が外壁２６ａから排出流路３０に到る途中でＤＣＲの濃度が飽和蒸気圧に達するのを防止することができる。その結果、排出流路３０側のＤＣＲ２５の気化が抑制されることが無く、外壁２６ａ側のＤＣＲ２５から相対的に気化が進むのを抑制することができる。
すなわち、気化量調整板３５を用いると、成膜処理の途中で各トレイ２６の外壁２６ａ側の底部が排出流路３０側の底部よりも先に露出することがなく、ＤＣＲ２５の表面積が減少して気化するＤＣＲ２５の量が減少するのを抑制することができる。これにより、成膜処理で形成されるバリア層の形成効率が途中から低下するのを抑制することができる。
そして、本実施の形態では、上述したように、外壁２６ａ側のＤＣＲ２５から気化が進むことがないため、ＤＣＲ２５は外壁２６ａ側から排出流路３０側にかけてほぼ均等に減少する。また、気化量調整板３５がＤＣＲ２５に直接載置される。したがって、気化量調整板３５はＤＣＲ２５の気化の進行に応じて、各トレイ２６の底部と平行を維持したまま、ＤＣＲ２５に接触しながら下降する（図８（Ａ）～図８（Ｃ））。
このとき、例え、ＤＣＲ２５の気化によって残存するＤＣＲ２５の偏りが生じても、気化量調整板３５が自重によってＤＣＲ２５を上方から押さえるため、ＤＣＲ２５が均されてＤＣＲ２５の偏りを解消することができる。また、気化量調整板３５は気化装置１１のヒータによって間接的に加熱されるが、気化量調整板３５はＤＣＲ２５に接触するため、ＤＣＲ２５の加熱を補助し、ＤＣＲ２５の気化をより促進することができる。
以上、本開示の好ましい実施の形態について説明したが、本開示は上述した実施の形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。
例えば、気化量調整板３５は、単位面積当たりの開口率が異なる２つの領域（内側領域３５ｃ、外側領域３５ｂ）に分けられたが、単位面積当たりの開口率が異なる３つ以上の領域に分けられてもよい。但し、この場合、各領域の単位面積当たりの開口率は外壁２６ａから排出流路３０へ近付くほど大きくなるように設定される。または、気化量調整板３５が複数の領域に明確に分けられること無く、単位面積当たりの開口率の変化が排出流路３０へ近付くほど大きくなるように、気化量調整板３５に複数の通気口（貫通穴）を設けてもよい。
また、気化量調整板を単位面積当たりの開口率が異なる２つの領域に分ける場合においても、外側領域と内側領域の比率は図６に示す気化量調整板３５の事例に限られない。例えば、ＤＣＲ２５の残存形態に応じて、外側領域３６ｂが気化量調整板３５の外側領域３５ｂよりも小さく、内側領域３６ｃが気化量調整板３５の内側領域３５ｃよりも大きい気化量調整板３６を用いてもよい（図９（Ａ））。また、外側領域３７ｂが気化量調整板３５の外側領域３５ｂよりも大きく、内側領域３７ｃが気化量調整板３５の内側領域３５ｃよりも小さい気化量調整板３７を用いてもよい（図９（Ｂ））。
さらに、各トレイ２６において、全体の開口率が互いに異なる気化量調整板を用いてもよい。例えば、上述したように、気化装置１１では、積み重ねられた各トレイ２６の上段に行くほど、すなわち、キャリアガス３４の下流に行くほど、ＤＣＲ２５の残存量も多くなる。これに対応して、各気化量調整板の全体の開口率を、キャリアガス３４の上流に対応する各トレイ２６の下段に行くほど小さくなるように設定してもよい。
これにより、キャリアガス３４の上流で巻き込むＤＣＲの量を減少させてＤＣＲの濃度が排出流路３０の途中で飽和蒸気圧に達するのを抑制することができる。その結果、キャリアガス３４の下流に対応する上段のトレイ２６においてＤＣＲ２５の気化が抑制されるのを防ぎ、各トレイ２６におけるＤＣＲ２５の残存量に差異が生じるのを防止することができる。
なお、図９に示す、気化量調整板３６の全体の開口率は気化量調整板３５の全体の開口率よりも大きく、気化量調整板３７の全体の開口率は気化量調整板３５の全体の開口率よりも小さい。したがって、成膜処理では、例えば、下段のトレイ２６には気化量調整板３７（図９（Ｂ））を用い、中段のトレイ２６には気化量調整板３５（図６）を用い、上段のトレイ２６には気化量調整板３６（図９（Ａ））を用いる。
いずれにせよ、キャリアガス３４の下流に行くほど、単位面積当たりの開口率が大きく設定される気化量調整板であれば、本開示に係る技術の一実施の形態に該当する。
また、図３（Ａ）～図３（Ｅ）に示すように、各トレイ２６では、周方向に関してもＤＣＲ２５の残存の形態は一様ではなく、ＤＣＲ２５の偏りが生じている。そこで、気化量調整板の開口率を周方向に関して変化させてもよい。例えば、図１０に示す気化量調整板３８のように、内側領域３８ｃにおいて、周方向に関し、ＤＣＲ２５の残存量が多い箇所では、内側通気口３８ｄを大きくし、ＤＣＲ２５の残存量の少ない箇所では、内側通気口３８ｄを小さくする。また、外側領域３８ｂにおいて、周方向に関し、ＤＣＲ２５の残存量が多い箇所では、外側通気口３８ｅの数を多くし、ＤＣＲ２５の残存量の少ない箇所では、外側通気口３８ｅの数を少なくする。
上述した実施の形態では、成膜処理を行う際に、各トレイ２６において、気化量調整板３５をＤＣＲ２５に直接載置した。しかしながら、外壁２６ａに張り出しを設けて当該張り出しに気化量調整板３５を係合させることにより、気化量調整板３５とＤＣＲ２５を離間させたまま、成膜処理を行ってもよい。
１０ 半導体製造システム
１１ 気化装置
１２ 成膜装置
２５ ＤＣＲ
２６ トレイ
３０ 排出流路
３４ キャリアガス
３５ 気化量調整板
３５ｄ 内側通気口
３５ｅ 外側通気口

Claims (15)

  1. 固体原料の表面を覆う気化量調整板と、
    前記気化量調整板に面して流れるキャリアガスを排出する排出流路と、を備え、
    前記気化量調整板は複数の貫通穴を有し、
    前記気化量調整板における単位面積当たりの開口率は前記キャリアガスの流れ方向に沿って変化し、
    前記キャリアガスは前記固体原料から気化して前記複数の貫通穴を通過した所定の原料を運搬する、気化装置。
  2. 前記気化量調整板における単位面積当たりの開口率は、前記キャリアガスの流れの下流に行くほど大きくなる、請求項１に記載の気化装置。
  3. 前記気化量調整板における単位面積当たりの開口率は、前記排出流路に近付くほど大きくなる、請求項１に記載の気化装置。
  4. 筒状の本体と、前記固体原料が充填されるトレイとをさらに備え、
    前記トレイは前記本体の内部に収容され、
    前記トレイにおいて前記気化量調整板が前記固体原料の表面を覆うように配置され、
    前記排出流路は、前記本体の中心軸に沿うように形成され、
    前記キャリアガスは前記本体の側方から前記本体の内部へ向けて導入される、請求項３に記載の気化装置。
  5. 前記気化量調整板は、前記本体の外壁に近い外側領域と、該外側領域よりも前記排出流路に近い内側領域とを少なくとも有し、
    前記外側領域における単位面積当たりの開口率よりも、前記内側領域における単位面積当たりの開口率が大きい、請求項４に記載の気化装置。
  6. 前記本体は円筒状を呈し、
    前記トレイは前記排出流路を囲むリング状の容器からなり、
    前記内側領域における前記貫通穴は平面視で扇形状を呈する、請求項５に記載の気化装置。
  7. 前記本体は円筒状を呈し、
    前記トレイは前記排出流路を囲むリング状の容器からなり、
    前記気化量調整板における単位面積当たりの開口率は、前記トレイの周方向に関しても変化する、請求項５に記載の気化装置。
  8. 前記の本体の内部には、複数の前記トレイが前記本体の中心軸の方向に積み重ねられるように配置され、
    各前記トレイに配置された各前記気化量調整板の開口率は、前記排出流路の下流に行くほど大きくなる、請求項４に記載の気化装置。
  9. 前記気化量調整板は、ステンレス又はアルミニウムからなる、請求項１に記載の気化装置。
  10. 前記気化量調整板は前記固体原料に直接載置される、請求項１に記載の気化装置。
  11. 前記固体原料を加熱する加熱手段をさらに備える、請求項１に記載の気化装置。
  12. 固体原料から所定の原料を気化させる気化装置と、
    前記気化した所定の原料を基板に堆積させて膜を形成する成膜装置と、を備え、
    前記気化装置は、固体原料の表面を覆う気化量調整板と、前記気化量調整板に面して流れるキャリアガスを排出する排出流路と、を有し、
    前記気化量調整板は複数の貫通穴を有し、前記気化量調整板における単位面積当たりの開口率は前記キャリアガスの流れ方向に沿って変化し、
    前記気化装置において、前記キャリアガスは前記固体原料から気化して前記複数の貫通穴を通過した前記所定の原料を運搬する、半導体製造システム。
  13. 固体原料の表面を覆う気化量調整板を備え、前記気化量調整板は複数の貫通穴を有し、前記気化量調整板における単位面積当たりの開口率は、前記固体原料から気化した所定の原料を運搬するキャリアガスの流れ方向に沿って変化する気化装置における固体原料の気化方法であって、
    前記気化量調整板によって前記固体原料の表面を覆う工程と、
    前記キャリアガスを前記気化量調整板に面して流す工程と、
    前記キャリアガスは前記固体原料から気化して前記複数の貫通穴を通過した前記所定の原料を運搬する工程と、を有する固体原料の気化方法。
  14. 前記気化量調整板は前記固体原料に直接載置され、
    前記固体原料の気化の進行に応じて前記気化量調整板が下降する、請求項１３に記載の固体原料の気化方法。
  15. 前記固体原料を加熱する、請求項１３に記載の固体原料の気化方法。
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