JP2024057117A - 有機エレクトロルミネッセンス素子及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】発光効率が高く、長寿命の有機ＥＬ素子を提供する。【解決手段】第一の陽極側有機層６１、第一の発光層５１、第二の発光層５２及び第一の陰極側有機層７１がこの順で配置され、第一の発光層５１は一般式（１）で表される第一のホスト材料及び第一の発光性化合物を含み、第二の発光層５２は第二のホスト材料及び第二の発光性化合物を含み、第一のホスト材料、第二のホスト材料及び第二の発光性化合物のそれぞれの三重項エネルギーＴ１（Ｈ１）、Ｔ１（Ｈ２）及びＴ１（Ｄ２）が数式（数１）の関係を満たす有機ＥＬ素子１。Ｔ１（Ｈ１）＜Ｔ１（Ｈ２）＜Ｔ１（Ｄ２）…（数１）Ａ－Ｌ－Ｂ…（１）（一般式（１）中、Ａはトリプレット構造部位であり、Ｂは正孔注入構造部位であり、Ｌは、単結合又は連結基であり、Ｂの最高被占軌道のエネルギー準位のＨＯＭＯ（Ｂ）の計算値は－５．７０ｅＶ以上である。）【選択図】図１

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子及び電子機器に関する。

有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」という場合がある。）は、携帯電話及びテレビ等のフルカラーディスプレイへ応用されている。有機ＥＬ素子に電圧を印加すると、陽極から正孔が発光層に注入され、また陰極から電子が発光層に注入される。そして、発光層において、注入された正孔と電子とが再結合し、励起子が形成される。このとき、電子スピンの統計則により、一重項励起子が２５％の割合で生成し、及び三重項励起子が７５％の割合で生成する。
有機ＥＬ素子の性能向上を図るため、例えば、特許文献１においては、複数の発光層を積層させる技術について検討がなされている。また、特許文献２には、有機ＥＬ素子の性能向上を図るため、２つの三重項励起子の衝突融合により一重項励起子が生成する現象（以下、Ｔｒｉｐｌｅｔ－Ｔｒｉｐｌｅｔ Ｆｕｓｉｏｎ＝ＴＴＦ現象と称する場合がある。）が記載されている。
有機ＥＬ素子の性能としては、例えば、輝度、発光波長、色度、発光効率、駆動電圧、及び寿命が挙げられる。

特開２０１３－１５７５５２号公報 国際公開第２０１０／１３４３５０号

本発明の目的は、発光効率が高く、長寿命の有機エレクトロルミネッセンス素子を提供すること、及び当該有機エレクトロルミネッセンス素子を搭載した電子機器を提供することである。

本発明の一態様によれば、有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
陽極と、陰極と、第一の陽極側有機層と、第一の発光層と、第二の発光層と、第一の陰極側有機層と、を有し、
前記陽極及び前記陰極の間において、前記第一の陽極側有機層、前記第一の発光層、前記第二の発光層及び前記第一の陰極側有機層が、この順で配置され、
前記第一の陽極側有機層は、第一の陽極側有機材料を含み、
前記第一の発光層は、下記一般式（１Ｈ）で表される第一のホスト材料を含み、
前記第二の発光層は、第二のホスト材料を含み、
前記第一の陰極側有機層は、第一の陰極側有機材料を含み、
前記第一のホスト材料と前記第二のホスト材料とは互いに異なり、
前記第一の発光層は、第一の発光性化合物を少なくとも含み、
前記第二の発光層は、第二の発光性化合物を少なくとも含み、
前記第一の発光性化合物と前記第二の発光性化合物とが、互いに同一であるか、又は異なり、
前記第一のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ１）、前記第二のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ２）及び前記第二の発光性化合物の三重項エネルギーＴ_１（Ｄ２）が、下記数式（数１）の関係を満たす、
有機エレクトロルミネッセンス素子が提供される。
Ｔ_１（Ｈ１）＜Ｔ_１（Ｈ２）＜Ｔ_１（Ｄ２） …（数１）
Ａ－Ｌ－Ｂ …（１Ｈ）
（前記一般式（１Ｈ）において、
Ａは、トリプレット構造部位であり、
Ｂは、正孔注入構造部位であり、
Ｌは、単結合又は連結基であり、
前記正孔注入構造部位Ｂの最高被占軌道のエネルギー準位のＨＯＭＯ（Ｂ）の計算値は、－５．７０ｅＶ以上である。）

本発明の一態様によれば、本発明の一態様に係る有機エレクトロルミネッセンス素子を搭載した電子機器が提供される。

本発明の一態様によれば、発光効率が高く、長寿命の有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することができる。本発明の一態様によれば、当該有機エレクトロルミネッセンス素子を搭載した電子機器を提供することができる。

本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子の一例の概略構成を示す図である。

［定義］
本明細書において、水素原子とは、中性子数が異なる同位体、即ち、軽水素（protium）、重水素（deuterium）、及び三重水素（tritium）を包含する。

本明細書において、化学構造式中、「Ｒ」等の記号や重水素原子を表す「Ｄ」が明示されていない結合可能位置には、水素原子、即ち、軽水素原子、重水素原子、又は三重水素原子が結合しているものとする。

本明細書において、環形成炭素数とは、原子が環状に結合した構造の化合物（例えば、単環化合物、縮合環化合物、架橋化合物、炭素環化合物、及び複素環化合物）の当該環自体を構成する原子のうちの炭素原子の数を表す。当該環が置換基によって置換される場合、置換基に含まれる炭素は環形成炭素数には含まない。以下で記される「環形成炭素数」については、別途記載のない限り同様とする。例えば、ベンゼン環は環形成炭素数が６であり、ナフタレン環は環形成炭素数が１０であり、ピリジン環は環形成炭素数５であり、フラン環は環形成炭素数４である。また、例えば、９，９－ジフェニルフルオレニル基の環形成炭素数は１３であり、９，９’－スピロビフルオレニル基の環形成炭素数は２５である。
また、ベンゼン環に置換基として、例えば、アルキル基が置換している場合、当該アルキル基の炭素数は、ベンゼン環の環形成炭素数に含めない。そのため、アルキル基が置換しているベンゼン環の環形成炭素数は、６である。また、ナフタレン環に置換基として、例えば、アルキル基が置換している場合、当該アルキル基の炭素数は、ナフタレン環の環形成炭素数に含めない。そのため、アルキル基が置換しているナフタレン環の環形成炭素数は、１０である。

本明細書において、環形成原子数とは、原子が環状に結合した構造（例えば、単環、縮合環、及び環集合）の化合物（例えば、単環化合物、縮合環化合物、架橋化合物、炭素環化合物、及び複素環化合物）の当該環自体を構成する原子の数を表す。環を構成しない原子（例えば、環を構成する原子の結合を終端する水素原子）や、当該環が置換基によって置換される場合の置換基に含まれる原子は環形成原子数には含まない。以下で記される「環形成原子数」については、別途記載のない限り同様とする。例えば、ピリジン環の環形成原子数は６であり、キナゾリン環の環形成原子数は１０であり、フラン環の環形成原子数は５である。例えば、ピリジン環に結合している水素原子、又は置換基を構成する原子の数は、ピリジン環形成原子数の数に含めない。そのため、水素原子、又は置換基が結合しているピリジン環の環形成原子数は、６である。また、例えば、キナゾリン環の炭素原子に結合している水素原子、又は置換基を構成する原子については、キナゾリン環の環形成原子数の数に含めない。そのため、水素原子、又は置換基が結合しているキナゾリン環の環形成原子数は１０である。

本明細書において、「置換もしくは無置換の炭素数ＸＸ～ＹＹのＺＺ基」という表現における「炭素数ＸＸ～ＹＹ」は、ＺＺ基が無置換である場合の炭素数を表し、置換されている場合の置換基の炭素数を含めない。ここで、「ＹＹ」は、「ＸＸ」よりも大きく、「ＸＸ」は、１以上の整数を意味し、「ＹＹ」は、２以上の整数を意味する。

本明細書において、「置換もしくは無置換の原子数ＸＸ～ＹＹのＺＺ基」という表現における「原子数ＸＸ～ＹＹ」は、ＺＺ基が無置換である場合の原子数を表し、置換されている場合の置換基の原子数を含めない。ここで、「ＹＹ」は、「ＸＸ」よりも大きく、「ＸＸ」は、１以上の整数を意味し、「ＹＹ」は、２以上の整数を意味する。

本明細書において、無置換のＺＺ基とは「置換もしくは無置換のＺＺ基」が「無置換のＺＺ基」である場合を表し、置換のＺＺ基とは「置換もしくは無置換のＺＺ基」が「置換のＺＺ基」である場合を表す。
本明細書において、「置換もしくは無置換のＺＺ基」という場合における「無置換」とは、ＺＺ基における水素原子が置換基と置き換わっていないことを意味する。「無置換のＺＺ基」における水素原子は、軽水素原子、重水素原子、又は三重水素原子である。
また、本明細書において、「置換もしくは無置換のＺＺ基」という場合における「置換」とは、ＺＺ基における１つ以上の水素原子が、置換基と置き換わっていることを意味する。「ＡＡ基で置換されたＢＢ基」という場合における「置換」も同様に、ＢＢ基における１つ以上の水素原子が、ＡＡ基と置き換わっていることを意味する。

「本明細書に記載の置換基」
以下、本明細書に記載の置換基について説明する。

本明細書に記載の「無置換のアリール基」の環形成炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、６～５０であり、好ましくは６～３０、より好ましくは６～１８である。
本明細書に記載の「無置換の複素環基」の環形成原子数は、本明細書に別途記載のない限り、５～５０であり、好ましくは５～３０、より好ましくは５～１８である。
本明細書に記載の「無置換のアルキル基」の炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、１～５０であり、好ましくは１～２０、より好ましくは１～６である。
本明細書に記載の「無置換のアルケニル基」の炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、２～５０であり、好ましくは２～２０、より好ましくは２～６である。
本明細書に記載の「無置換のアルキニル基」の炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、２～５０であり、好ましくは２～２０、より好ましくは２～６である。
本明細書に記載の「無置換のシクロアルキル基」の環形成炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、３～５０であり、好ましくは３～２０、より好ましくは３～６である。
本明細書に記載の「無置換のアリーレン基」の環形成炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、６～５０であり、好ましくは６～３０、より好ましくは６～１８である。
本明細書に記載の「無置換の２価の複素環基」の環形成原子数は、本明細書に別途記載のない限り、５～５０であり、好ましくは５～３０、より好ましくは５～１８である。
本明細書に記載の「無置換のアルキレン基」の炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、１～５０であり、好ましくは１～２０、より好ましくは１～６である。

・「置換もしくは無置換のアリール基」
本明細書に記載の「置換もしくは無置換のアリール基」の具体例（具体例群Ｇ１）としては、以下の無置換のアリール基（具体例群Ｇ１Ａ）及び置換のアリール基（具体例群Ｇ１Ｂ）等が挙げられる。（ここで、無置換のアリール基とは「置換もしくは無置換のアリール基」が「無置換のアリール基」である場合を指し、置換のアリール基とは「置換もしくは無置換のアリール基」が「置換のアリール基」である場合を指す。）本明細書において、単に「アリール基」という場合は、「無置換のアリール基」と「置換のアリール基」の両方を含む。
「置換のアリール基」は、「無置換のアリール基」の１つ以上の水素原子が置換基と置き換わった基を意味する。「置換のアリール基」としては、例えば、下記具体例群Ｇ１Ａの「無置換のアリール基」の１つ以上の水素原子が置換基と置き換わった基、及び下記具体例群Ｇ１Ｂの置換のアリール基の例等が挙げられる。尚、ここに列挙した「無置換のアリール基」の例、及び「置換のアリール基」の例は、一例に過ぎず、本明細書に記載の「置換のアリール基」には、下記具体例群Ｇ１Ｂの「置換のアリール基」におけるアリール基自体の炭素原子に結合する水素原子がさらに置換基と置き換わった基、及び下記具体例群Ｇ１Ｂの「置換のアリール基」における置換基の水素原子がさらに置換基と置き換わった基も含まれる。

・無置換のアリール基（具体例群Ｇ１Ａ）：
フェニル基、
ｐ－ビフェニル基、
ｍ－ビフェニル基、
ｏ－ビフェニル基、
ｐ－ターフェニル－４－イル基、
ｐ－ターフェニル－３－イル基、
ｐ－ターフェニル－２－イル基、
ｍ－ターフェニル－４－イル基、
ｍ－ターフェニル－３－イル基、
ｍ－ターフェニル－２－イル基、
ｏ－ターフェニル－４－イル基、
ｏ－ターフェニル－３－イル基、
ｏ－ターフェニル－２－イル基、
１－ナフチル基、
２－ナフチル基、
アントリル基、
ベンゾアントリル基、
フェナントリル基、
ベンゾフェナントリル基、
フェナレニル基、
ピレニル基、
クリセニル基、
ベンゾクリセニル基、
トリフェニレニル基、
ベンゾトリフェニレニル基、
テトラセニル基、
ペンタセニル基、
フルオレニル基、
９，９’－スピロビフルオレニル基、
ベンゾフルオレニル基、
ジベンゾフルオレニル基、
フルオランテニル基、
ベンゾフルオランテニル基、
ペリレニル基、及び
下記一般式（ＴＥＭＰ－１）～（ＴＥＭＰ－１５）で表される環構造から１つの水素原子を除くことにより誘導される１価のアリール基。

・置換のアリール基（具体例群Ｇ１Ｂ）：ｏ－トリル基、
ｍ－トリル基、
ｐ－トリル基、
パラ－キシリル基、
メタ－キシリル基、
オルト－キシリル基、
パラ－イソプロピルフェニル基、
メタ－イソプロピルフェニル基、
オルト－イソプロピルフェニル基、
パラ－ｔ－ブチルフェニル基、
メタ－ｔ－ブチルフェニル基、
オルト－ｔ－ブチルフェニル基、
３，４，５－トリメチルフェニル基、
９，９－ジメチルフルオレニル基、
９，９－ジフェニルフルオレニル基、
９，９－ビス（４－メチルフェニル）フルオレニル基、
９，９－ビス（４－イソプロピルフェニル）フルオレニル基、
９，９－ビス（４－ｔ－ブチルフェニル）フルオレニル基、
シアノフェニル基、
トリフェニルシリルフェニル基、
トリメチルシリルフェニル基、
フェニルナフチル基、
ナフチルフェニル基、及び
前記一般式（ＴＥＭＰ－１）～（ＴＥＭＰ－１５）で表される環構造から誘導される１価の基の１つ以上の水素原子が置換基と置き換わった基。

・「置換もしくは無置換の複素環基」
本明細書に記載の「複素環基」は、環形成原子にヘテロ原子を少なくとも１つ含む環状の基である。ヘテロ原子の具体例としては、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ケイ素原子、リン原子、及びホウ素原子が挙げられる。
本明細書に記載の「複素環基」は、単環の基であるか、又は縮合環の基である。
本明細書に記載の「複素環基」は、芳香族複素環基であるか、又は非芳香族複素環基である。
本明細書に記載の「置換もしくは無置換の複素環基」の具体例（具体例群Ｇ２）としては、以下の無置換の複素環基（具体例群Ｇ２Ａ）、及び置換の複素環基（具体例群Ｇ２Ｂ）等が挙げられる。（ここで、無置換の複素環基とは「置換もしくは無置換の複素環基」が「無置換の複素環基」である場合を指し、置換の複素環基とは「置換もしくは無置換の複素環基」が「置換の複素環基」である場合を指す。）本明細書において、単に「複素環基」という場合は、「無置換の複素環基」と「置換の複素環基」の両方を含む。
「置換の複素環基」は、「無置換の複素環基」の１つ以上の水素原子が置換基と置き換わった基を意味する。「置換の複素環基」の具体例は、下記具体例群Ｇ２Ａの「無置換の複素環基」の水素原子が置き換わった基、及び下記具体例群Ｇ２Ｂの置換の複素環基の例等が挙げられる。尚、ここに列挙した「無置換の複素環基」の例や「置換の複素環基」の例は、一例に過ぎず、本明細書に記載の「置換の複素環基」には、具体例群Ｇ２Ｂの「置換の複素環基」における複素環基自体の環形成原子に結合する水素原子がさらに置換基と置き換わった基、及び具体例群Ｇ２Ｂの「置換の複素環基」における置換基の水素原子がさらに置換基と置き換わった基も含まれる。

具体例群Ｇ２Ａは、例えば、以下の窒素原子を含む無置換の複素環基（具体例群Ｇ２Ａ１）、酸素原子を含む無置換の複素環基（具体例群Ｇ２Ａ２）、硫黄原子を含む無置換の複素環基（具体例群Ｇ２Ａ３）、及び下記一般式（ＴＥＭＰ－１６）～（ＴＥＭＰ－３３）で表される環構造から１つの水素原子を除くことにより誘導される１価の複素環基（具体例群Ｇ２Ａ４）を含む。

具体例群Ｇ２Ｂは、例えば、以下の窒素原子を含む置換の複素環基（具体例群Ｇ２Ｂ１）、酸素原子を含む置換の複素環基（具体例群Ｇ２Ｂ２）、硫黄原子を含む置換の複素環基（具体例群Ｇ２Ｂ３）、及び下記一般式（ＴＥＭＰ－１６）～（ＴＥＭＰ－３３）で表される環構造から誘導される１価の複素環基の１つ以上の水素原子が置換基と置き換わった基（具体例群Ｇ２Ｂ４）を含む。

・窒素原子を含む無置換の複素環基（具体例群Ｇ２Ａ１）：
ピロリル基、
イミダゾリル基、
ピラゾリル基、
トリアゾリル基、
テトラゾリル基、
オキサゾリル基、
イソオキサゾリル基、
オキサジアゾリル基、
チアゾリル基、
イソチアゾリル基、
チアジアゾリル基、
ピリジル基、
ピリダジニル基、
ピリミジニル基、
ピラジニル基、
トリアジニル基、
インドリル基、
イソインドリル基、
インドリジニル基、
キノリジニル基、
キノリル基、
イソキノリル基、
シンノリル基、
フタラジニル基、
キナゾリニル基、
キノキサリニル基、
ベンゾイミダゾリル基、
インダゾリル基、
フェナントロリニル基、
フェナントリジニル基、
アクリジニル基、
フェナジニル基、
カルバゾリル基、
ベンゾカルバゾリル基、
モルホリノ基、
フェノキサジニル基、
フェノチアジニル基、
アザカルバゾリル基、及びジアザカルバゾリル基。

・酸素原子を含む無置換の複素環基（具体例群Ｇ２Ａ２）：
フリル基、
オキサゾリル基、
イソオキサゾリル基、
オキサジアゾリル基、
キサンテニル基、
ベンゾフラニル基、
イソベンゾフラニル基、
ジベンゾフラニル基、
ナフトベンゾフラニル基、
ベンゾオキサゾリル基、
ベンゾイソキサゾリル基、
フェノキサジニル基、
モルホリノ基、
ジナフトフラニル基、
アザジベンゾフラニル基、
ジアザジベンゾフラニル基、
アザナフトベンゾフラニル基、及び
ジアザナフトベンゾフラニル基。

・硫黄原子を含む無置換の複素環基（具体例群Ｇ２Ａ３）：
チエニル基、
チアゾリル基、
イソチアゾリル基、
チアジアゾリル基、
ベンゾチオフェニル基（ベンゾチエニル基）、
イソベンゾチオフェニル基（イソベンゾチエニル基）、
ジベンゾチオフェニル基（ジベンゾチエニル基）、
ナフトベンゾチオフェニル基（ナフトベンゾチエニル基）、
ベンゾチアゾリル基、
ベンゾイソチアゾリル基、
フェノチアジニル基、
ジナフトチオフェニル基（ジナフトチエニル基）、
アザジベンゾチオフェニル基（アザジベンゾチエニル基）、
ジアザジベンゾチオフェニル基（ジアザジベンゾチエニル基）、
アザナフトベンゾチオフェニル基（アザナフトベンゾチエニル基）、及び
ジアザナフトベンゾチオフェニル基（ジアザナフトベンゾチエニル基）。

・下記一般式（ＴＥＭＰ－１６）～（ＴＥＭＰ－３３）で表される環構造から１つの水素原子を除くことにより誘導される１価の複素環基（具体例群Ｇ２Ａ４）：

前記一般式（ＴＥＭＰ－１６）～（ＴＥＭＰ－３３）において、Ｘ_Ａ及びＹ_Ａは、それぞれ独立に、酸素原子、硫黄原子、ＮＨ、又はＣＨ_２である。ただし、Ｘ_Ａ及びＹ_Ａのうち少なくとも１つは、酸素原子、硫黄原子、又はＮＨである。
前記一般式（ＴＥＭＰ－１６）～（ＴＥＭＰ－３３）において、Ｘ_Ａ及びＹ_Ａの少なくともいずれかがＮＨ、又はＣＨ_２である場合、前記一般式（ＴＥＭＰ－１６）～（ＴＥＭＰ－３３）で表される環構造から誘導される１価の複素環基には、これらＮＨ、又はＣＨ_２から１つの水素原子を除いて得られる１価の基が含まれる。

・窒素原子を含む置換の複素環基（具体例群Ｇ２Ｂ１）：
（９－フェニル）カルバゾリル基、
（９－ビフェニリル）カルバゾリル基、
（９－フェニル）フェニルカルバゾリル基、
（９－ナフチル）カルバゾリル基、
ジフェニルカルバゾール－９－イル基、
フェニルカルバゾール－９－イル基、
メチルベンゾイミダゾリル基、
エチルベンゾイミダゾリル基、
フェニルトリアジニル基、
ビフェニリルトリアジニル基、
ジフェニルトリアジニル基、
フェニルキナゾリニル基、及びビフェニリルキナゾリニル基。

・酸素原子を含む置換の複素環基（具体例群Ｇ２Ｂ２）：
フェニルジベンゾフラニル基、
メチルジベンゾフラニル基、
ｔ－ブチルジベンゾフラニル基、及び
スピロ［９Ｈ－キサンテン－９，９’－［９Ｈ］フルオレン］の１価の残基。

・硫黄原子を含む置換の複素環基（具体例群Ｇ２Ｂ３）：
フェニルジベンゾチオフェニル基、
メチルジベンゾチオフェニル基、
ｔ－ブチルジベンゾチオフェニル基、及び
スピロ［９Ｈ－チオキサンテン－９，９’－［９Ｈ］フルオレン］の１価の残基。

・前記一般式（ＴＥＭＰ－１６）～（ＴＥＭＰ－３３）で表される環構造から誘導される１価の複素環基の１つ以上の水素原子が置換基と置き換わった基（具体例群Ｇ２Ｂ４）：

前記「１価の複素環基の１つ以上の水素原子」とは、該１価の複素環基の環形成炭素原子に結合している水素原子、Ｘ_Ａ及びＹ_Ａの少なくともいずれかがＮＨである場合の窒素原子に結合している水素原子、及びＸ_Ａ及びＹ_Ａの一方がＣＨ_２である場合のメチレン基の水素原子から選ばれる１つ以上の水素原子を意味する。

・「置換もしくは無置換のアルキル基」
本明細書に記載の「置換もしくは無置換のアルキル基」の具体例（具体例群Ｇ３）としては、以下の無置換のアルキル基（具体例群Ｇ３Ａ）及び置換のアルキル基（具体例群Ｇ３Ｂ）が挙げられる。（ここで、無置換のアルキル基とは「置換もしくは無置換のアルキル基」が「無置換のアルキル基」である場合を指し、置換のアルキル基とは「置換もしくは無置換のアルキル基」が「置換のアルキル基」である場合を指す。）以下、単に「アルキル基」という場合は、「無置換のアルキル基」と「置換のアルキル基」の両方を含む。
「置換のアルキル基」は、「無置換のアルキル基」における１つ以上の水素原子が置換基と置き換わった基を意味する。「置換のアルキル基」の具体例としては、下記の「無置換のアルキル基」（具体例群Ｇ３Ａ）における１つ以上の水素原子が置換基と置き換わった基、及び置換のアルキル基（具体例群Ｇ３Ｂ）の例等が挙げられる。本明細書において、「無置換のアルキル基」におけるアルキル基は、鎖状のアルキル基を意味する。そのため、「無置換のアルキル基」は、直鎖である「無置換のアルキル基」、及び分岐状である「無置換のアルキル基」が含まれる。尚、ここに列挙した「無置換のアルキル基」の例や「置換のアルキル基」の例は、一例に過ぎず、本明細書に記載の「置換のアルキル基」には、具体例群Ｇ３Ｂの「置換のアルキル基」におけるアルキル基自体の水素原子がさらに置換基と置き換わった基、及び具体例群Ｇ３Ｂの「置換のアルキル基」における置換基の水素原子がさらに置換基と置き換わった基も含まれる。

・無置換のアルキル基（具体例群Ｇ３Ａ）：
メチル基、
エチル基、
ｎ－プロピル基、
イソプロピル基、
ｎ－ブチル基、
イソブチル基、
ｓ－ブチル基、及びｔ－ブチル基。

・置換のアルキル基（具体例群Ｇ３Ｂ）：
ヘプタフルオロプロピル基（異性体を含む）、
ペンタフルオロエチル基、
２，２，２－トリフルオロエチル基、及び
トリフルオロメチル基。

・「置換もしくは無置換のアルケニル基」
本明細書に記載の「置換もしくは無置換のアルケニル基」の具体例（具体例群Ｇ４）としては、以下の無置換のアルケニル基（具体例群Ｇ４Ａ）、及び置換のアルケニル基（具体例群Ｇ４Ｂ）等が挙げられる。（ここで、無置換のアルケニル基とは「置換もしくは無置換のアルケニル基」が「無置換のアルケニル基」である場合を指し、「置換のアルケニル基」とは「置換もしくは無置換のアルケニル基」が「置換のアルケニル基」である場合を指す。）本明細書において、単に「アルケニル基」という場合は、「無置換のアルケニル基」と「置換のアルケニル基」の両方を含む。
「置換のアルケニル基」は、「無置換のアルケニル基」における１つ以上の水素原子が置換基と置き換わった基を意味する。「置換のアルケニル基」の具体例としては、下記の「無置換のアルケニル基」（具体例群Ｇ４Ａ）が置換基を有する基、及び置換のアルケニル基（具体例群Ｇ４Ｂ）の例等が挙げられる。尚、ここに列挙した「無置換のアルケニル基」の例や「置換のアルケニル基」の例は、一例に過ぎず、本明細書に記載の「置換のアルケニル基」には、具体例群Ｇ４Ｂの「置換のアルケニル基」におけるアルケニル基自体の水素原子がさらに置換基と置き換わった基、及び具体例群Ｇ４Ｂの「置換のアルケニル基」における置換基の水素原子がさらに置換基と置き換わった基も含まれる。

・無置換のアルケニル基（具体例群Ｇ４Ａ）：
ビニル基、
アリル基、
１－ブテニル基、
２－ブテニル基、及び
３－ブテニル基。

・置換のアルケニル基（具体例群Ｇ４Ｂ）：
１，３－ブタンジエニル基、
１－メチルビニル基、
１－メチルアリル基、
１，１－ジメチルアリル基、
２－メチルアリル基、及び
１，２－ジメチルアリル基。

・「置換もしくは無置換のアルキニル基」
本明細書に記載の「置換もしくは無置換のアルキニル基」の具体例（具体例群Ｇ５）としては、以下の無置換のアルキニル基（具体例群Ｇ５Ａ）等が挙げられる。（ここで、無置換のアルキニル基とは、「置換もしくは無置換のアルキニル基」が「無置換のアルキニル基」である場合を指す。）以下、単に「アルキニル基」という場合は、「無置換のアルキニル基」と「置換のアルキニル基」の両方を含む。
「置換のアルキニル基」は、「無置換のアルキニル基」における１つ以上の水素原子が置換基と置き換わった基を意味する。「置換のアルキニル基」の具体例としては、下記の「無置換のアルキニル基」（具体例群Ｇ５Ａ）における１つ以上の水素原子が置換基と置き換わった基等が挙げられる。

・無置換のアルキニル基（具体例群Ｇ５Ａ）：
エチニル基。

・「置換もしくは無置換のシクロアルキル基」
本明細書に記載の「置換もしくは無置換のシクロアルキル基」の具体例（具体例群Ｇ６）としては、以下の無置換のシクロアルキル基（具体例群Ｇ６Ａ）、及び置換のシクロアルキル基（具体例群Ｇ６Ｂ）等が挙げられる。（ここで、無置換のシクロアルキル基とは「置換もしくは無置換のシクロアルキル基」が「無置換のシクロアルキル基」である場合を指し、置換のシクロアルキル基とは「置換もしくは無置換のシクロアルキル基」が「置換のシクロアルキル基」である場合を指す。）本明細書において、単に「シクロアルキル基」という場合は、「無置換のシクロアルキル基」と「置換のシクロアルキル基」の両方を含む。
「置換のシクロアルキル基」は、「無置換のシクロアルキル基」における１つ以上の水素原子が置換基と置き換わった基を意味する。「置換のシクロアルキル基」の具体例としては、下記の「無置換のシクロアルキル基」（具体例群Ｇ６Ａ）における１つ以上の水素原子が置換基と置き換わった基、及び置換のシクロアルキル基（具体例群Ｇ６Ｂ）の例等が挙げられる。尚、ここに列挙した「無置換のシクロアルキル基」の例や「置換のシクロアルキル基」の例は、一例に過ぎず、本明細書に記載の「置換のシクロアルキル基」には、具体例群Ｇ６Ｂの「置換のシクロアルキル基」におけるシクロアルキル基自体の炭素原子に結合する１つ以上の水素原子が置換基と置き換わった基、及び具体例群Ｇ６Ｂの「置換のシクロアルキル基」における置換基の水素原子がさらに置換基と置き換わった基も含まれる。

・無置換のシクロアルキル基（具体例群Ｇ６Ａ）：
シクロプロピル基、
シクロブチル基、
シクロペンチル基、
シクロヘキシル基、
１－アダマンチル基、
２－アダマンチル基、
１－ノルボルニル基、及び
２－ノルボルニル基。

・置換のシクロアルキル基（具体例群Ｇ６Ｂ）：
４－メチルシクロヘキシル基。

・「－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基」
本明細書に記載の－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基の具体例（具体例群Ｇ７）としては、
－Ｓｉ（Ｇ１）（Ｇ１）（Ｇ１）、
－Ｓｉ（Ｇ１）（Ｇ２）（Ｇ２）、
－Ｓｉ（Ｇ１）（Ｇ１）（Ｇ２）、
－Ｓｉ（Ｇ２）（Ｇ２）（Ｇ２）、
－Ｓｉ（Ｇ３）（Ｇ３）（Ｇ３）、及び
－Ｓｉ（Ｇ６）（Ｇ６）（Ｇ６）
が挙げられる。ここで、
Ｇ１は、具体例群Ｇ１に記載の「置換もしくは無置換のアリール基」である。
Ｇ２は、具体例群Ｇ２に記載の「置換もしくは無置換の複素環基」である。
Ｇ３は、具体例群Ｇ３に記載の「置換もしくは無置換のアルキル基」である。
Ｇ６は、具体例群Ｇ６に記載の「置換もしくは無置換のシクロアルキル基」である。
－Ｓｉ（Ｇ１）（Ｇ１）（Ｇ１）における複数のＧ１は、互いに同一であるか、又は異なる。
－Ｓｉ（Ｇ１）（Ｇ２）（Ｇ２）における複数のＧ２は、互いに同一であるか、又は異なる。
－Ｓｉ（Ｇ１）（Ｇ１）（Ｇ２）における複数のＧ１は、互いに同一であるか、又は異なる。
－Ｓｉ（Ｇ２）（Ｇ２）（Ｇ２）における複数のＧ２は、互いに同一であるか、又は異なる。
－Ｓｉ（Ｇ３）（Ｇ３）（Ｇ３）における複数のＧ３は、互いに同一であるか、又は異なる。
－Ｓｉ（Ｇ６）（Ｇ６）（Ｇ６）における複数のＧ６は、互いに同一であるか、又は異なる。

・「－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基」
本明細書に記載の－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基の具体例（具体例群Ｇ８）としては、
－Ｏ（Ｇ１）、
－Ｏ（Ｇ２）、
－Ｏ（Ｇ３）、及び
－Ｏ（Ｇ６）
が挙げられる。
ここで、
Ｇ１は、具体例群Ｇ１に記載の「置換もしくは無置換のアリール基」である。
Ｇ２は、具体例群Ｇ２に記載の「置換もしくは無置換の複素環基」である。
Ｇ３は、具体例群Ｇ３に記載の「置換もしくは無置換のアルキル基」である。
Ｇ６は、具体例群Ｇ６に記載の「置換もしくは無置換のシクロアルキル基」である。

・「－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基」
本明細書に記載の－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基の具体例（具体例群Ｇ９）としては、
－Ｓ（Ｇ１）、
－Ｓ（Ｇ２）、
－Ｓ（Ｇ３）、及び
－Ｓ（Ｇ６）
が挙げられる。
ここで、
Ｇ１は、具体例群Ｇ１に記載の「置換もしくは無置換のアリール基」である。
Ｇ２は、具体例群Ｇ２に記載の「置換もしくは無置換の複素環基」である。
Ｇ３は、具体例群Ｇ３に記載の「置換もしくは無置換のアルキル基」である。
Ｇ６は、具体例群Ｇ６に記載の「置換もしくは無置換のシクロアルキル基」である。

・「－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）で表される基」
本明細書に記載の－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）で表される基の具体例（具体例群Ｇ１０）としては、
－Ｎ（Ｇ１）（Ｇ１）、
－Ｎ（Ｇ２）（Ｇ２）、
－Ｎ（Ｇ１）（Ｇ２）、
－Ｎ（Ｇ３）（Ｇ３）、及び
－Ｎ（Ｇ６）（Ｇ６）が挙げられる。
ここで、
Ｇ１は、具体例群Ｇ１に記載の「置換もしくは無置換のアリール基」である。
Ｇ２は、具体例群Ｇ２に記載の「置換もしくは無置換の複素環基」である。
Ｇ３は、具体例群Ｇ３に記載の「置換もしくは無置換のアルキル基」である。
Ｇ６は、具体例群Ｇ６に記載の「置換もしくは無置換のシクロアルキル基」である。
－Ｎ（Ｇ１）（Ｇ１）における複数のＧ１は、互いに同一であるか、又は異なる。
－Ｎ（Ｇ２）（Ｇ２）における複数のＧ２は、互いに同一であるか、又は異なる。
－Ｎ（Ｇ３）（Ｇ３）における複数のＧ３は、互いに同一であるか、又は異なる。
－Ｎ（Ｇ６）（Ｇ６）における複数のＧ６は、互いに同一であるか、又は異なる。

・「ハロゲン原子」
本明細書に記載の「ハロゲン原子」の具体例（具体例群Ｇ１１）としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、及びヨウ素原子等が挙げられる。

・「置換もしくは無置換のフルオロアルキル基」
本明細書に記載の「置換もしくは無置換のフルオロアルキル基」は、「置換もしくは無置換のアルキル基」におけるアルキル基を構成する炭素原子に結合している少なくとも１つの水素原子がフッ素原子と置き換わった基を意味し、「置換もしくは無置換のアルキル基」におけるアルキル基を構成する炭素原子に結合している全ての水素原子がフッ素原子で置き換わった基（パーフルオロ基）も含む。「無置換のフルオロアルキル基」の炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、１～５０であり、好ましくは１～３０であり、より好ましくは１～１８である。「置換のフルオロアルキル基」は、「フルオロアルキル基」の１つ以上の水素原子が置換基と置き換わった基を意味する。尚、本明細書に記載の「置換のフルオロアルキル基」には、「置換のフルオロアルキル基」におけるアルキル鎖の炭素原子に結合する１つ以上の水素原子がさらに置換基と置き換わった基、及び「置換のフルオロアルキル基」における置換基の１つ以上の水素原子がさらに置換基と置き換わった基も含まれる。「無置換のフルオロアルキル基」の具体例としては、前記「アルキル基」（具体例群Ｇ３）における１つ以上の水素原子がフッ素原子と置き換わった基の例等が挙げられる。

・「置換もしくは無置換のハロアルキル基」
本明細書に記載の「置換もしくは無置換のハロアルキル基」は、「置換もしくは無置換のアルキル基」におけるアルキル基を構成する炭素原子に結合している少なくとも１つの水素原子がハロゲン原子と置き換わった基を意味し、「置換もしくは無置換のアルキル基」におけるアルキル基を構成する炭素原子に結合している全ての水素原子がハロゲン原子で置き換わった基も含む。「無置換のハロアルキル基」の炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、１～５０であり、好ましくは１～３０であり、より好ましくは１～１８である。「置換のハロアルキル基」は、「ハロアルキル基」の１つ以上の水素原子が置換基と置き換わった基を意味する。尚、本明細書に記載の「置換のハロアルキル基」には、「置換のハロアルキル基」におけるアルキル鎖の炭素原子に結合する１つ以上の水素原子がさらに置換基と置き換わった基、及び「置換のハロアルキル基」における置換基の１つ以上の水素原子がさらに置換基と置き換わった基も含まれる。「無置換のハロアルキル基」の具体例としては、前記「アルキル基」（具体例群Ｇ３）における１つ以上の水素原子がハロゲン原子と置き換わった基の例等が挙げられる。ハロアルキル基をハロゲン化アルキル基と称する場合がある。

・「置換もしくは無置換のアルコキシ基」
本明細書に記載の「置換もしくは無置換のアルコキシ基」の具体例としては、－Ｏ（Ｇ３）で表される基であり、ここで、Ｇ３は、具体例群Ｇ３に記載の「置換もしくは無置換のアルキル基」である。「無置換のアルコキシ基」の炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、１～５０であり、好ましくは１～３０であり、より好ましくは１～１８である。

・「置換もしくは無置換のアルキルチオ基」
本明細書に記載の「置換もしくは無置換のアルキルチオ基」の具体例としては、－Ｓ（Ｇ３）で表される基であり、ここで、Ｇ３は、具体例群Ｇ３に記載の「置換もしくは無置換のアルキル基」である。「無置換のアルキルチオ基」の炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、１～５０であり、好ましくは１～３０であり、より好ましくは１～１８である。

・「置換もしくは無置換のアリールオキシ基」
本明細書に記載の「置換もしくは無置換のアリールオキシ基」の具体例としては、－Ｏ（Ｇ１）で表される基であり、ここで、Ｇ１は、具体例群Ｇ１に記載の「置換もしくは無置換のアリール基」である。「無置換のアリールオキシ基」の環形成炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、６～５０であり、好ましくは６～３０であり、より好ましくは６～１８である。

・「置換もしくは無置換のアリールチオ基」
本明細書に記載の「置換もしくは無置換のアリールチオ基」の具体例としては、－Ｓ（Ｇ１）で表される基であり、ここで、Ｇ１は、具体例群Ｇ１に記載の「置換もしくは無置換のアリール基」である。「無置換のアリールチオ基」の環形成炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、６～５０であり、好ましくは６～３０であり、より好ましくは６～１８である。

・「置換もしくは無置換のトリアルキルシリル基」
本明細書に記載の「トリアルキルシリル基」の具体例としては、－Ｓｉ（Ｇ３）（Ｇ３）（Ｇ３）で表される基であり、ここで、Ｇ３は、具体例群Ｇ３に記載の「置換もしくは無置換のアルキル基」である。－Ｓｉ（Ｇ３）（Ｇ３）（Ｇ３）における複数のＧ３は、互いに同一であるか、又は異なる。「トリアルキルシリル基」の各アルキル基の炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、１～５０であり、好ましくは１～２０であり、より好ましくは１～６である。

・「置換もしくは無置換のアラルキル基」
本明細書に記載の「置換もしくは無置換のアラルキル基」の具体例としては、－（Ｇ３）－（Ｇ１）で表される基であり、ここで、Ｇ３は、具体例群Ｇ３に記載の「置換もしくは無置換のアルキル基」であり、Ｇ１は、具体例群Ｇ１に記載の「置換もしくは無置換のアリール基」である。従って、「アラルキル基」は、「アルキル基」の水素原子が置換基としての「アリール基」と置き換わった基であり、「置換のアルキル基」の一態様である。「無置換のアラルキル基」は、「無置換のアリール基」が置換した「無置換のアルキル基」であり、「無置換のアラルキル基」の炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、７～５０であり、好ましくは７～３０であり、より好ましくは７～１８である。
「置換もしくは無置換のアラルキル基」の具体例としては、ベンジル基、１－フェニルエチル基、２－フェニルエチル基、１－フェニルイソプロピル基、２－フェニルイソプロピル基、フェニル－ｔ－ブチル基、α－ナフチルメチル基、１－α－ナフチルエチル基、２－α－ナフチルエチル基、１－α－ナフチルイソプロピル基、２－α－ナフチルイソプロピル基、β－ナフチルメチル基、１－β－ナフチルエチル基、２－β－ナフチルエチル基、１－β－ナフチルイソプロピル基、及び２－β－ナフチルイソプロピル基等が挙げられる。

本明細書に記載の置換もしくは無置換のアリール基は、本明細書に別途記載のない限り、好ましくはフェニル基、ｐ－ビフェニル基、ｍ－ビフェニル基、ｏ－ビフェニル基、ｐ－ターフェニル－４－イル基、ｐ－ターフェニル－３－イル基、ｐ－ターフェニル－２－イル基、ｍ－ターフェニル－４－イル基、ｍ－ターフェニル－３－イル基、ｍ－ターフェニル－２－イル基、ｏ－ターフェニル－４－イル基、ｏ－ターフェニル－３－イル基、ｏ－ターフェニル－２－イル基、１－ナフチル基、２－ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、ピレニル基、クリセニル基、トリフェニレニル基、フルオレニル基、９，９’－スピロビフルオレニル基、９，９－ジメチルフルオレニル基、及び９，９－ジフェニルフルオレニル基等である。

本明細書に記載の置換もしくは無置換の複素環基は、本明細書に別途記載のない限り、好ましくはピリジル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、キノリル基、イソキノリル基、キナゾリニル基、ベンゾイミダゾリル基、フェナントロリニル基、カルバゾリル基（１－カルバゾリル基、２－カルバゾリル基、３－カルバゾリル基、４－カルバゾリル基、又は９－カルバゾリル基）、ベンゾカルバゾリル基、アザカルバゾリル基、ジアザカルバゾリル基、ジベンゾフラニル基、ナフトベンゾフラニル基、アザジベンゾフラニル基、ジアザジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、ナフトベンゾチオフェニル基、アザジベンゾチオフェニル基、ジアザジベンゾチオフェニル基、（９－フェニル）カルバゾリル基（（９－フェニル）カルバゾール－１－イル基、（９－フェニル）カルバゾール－２－イル基、（９－フェニル）カルバゾール－３－イル基、又は（９－フェニル）カルバゾール－４－イル基）、（９－ビフェニリル）カルバゾリル基、（９－フェニル）フェニルカルバゾリル基、ジフェニルカルバゾール－９－イル基、フェニルカルバゾール－９－イル基、フェニルトリアジニル基、ビフェニリルトリアジニル基、ジフェニルトリアジニル基、フェニルジベンゾフラニル基、及びフェニルジベンゾチオフェニル基等である。

本明細書において、カルバゾリル基は、本明細書に別途記載のない限り、具体的には以下のいずれかの基である。

本明細書において、（９－フェニル）カルバゾリル基は、本明細書に別途記載のない限り、具体的には以下のいずれかの基である。

前記一般式（ＴＥＭＰ－Ｃｚ１）～（ＴＥＭＰ－Ｃｚ９）中、＊は、結合位置を表す。

本明細書において、ジベンゾフラニル基、及びジベンゾチオフェニル基は、本明細書に別途記載のない限り、具体的には以下のいずれかの基である。

前記一般式（ＴＥＭＰ－３４）～（ＴＥＭＰ－４１）中、＊は、結合位置を表す。

本明細書に記載の置換もしくは無置換のアルキル基は、本明細書に別途記載のない限り、好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、及びｔ－ブチル基等である。

・「置換もしくは無置換のアリーレン基」
本明細書に記載の「置換もしくは無置換のアリーレン基」は、別途記載のない限り、上記「置換もしくは無置換のアリール基」からアリール環上の１つの水素原子を除くことにより誘導される２価の基である。「置換もしくは無置換のアリーレン基」の具体例（具体例群Ｇ１２）としては、具体例群Ｇ１に記載の「置換もしくは無置換のアリール基」からアリール環上の１つの水素原子を除くことにより誘導される２価の基等が挙げられる。

・「置換もしくは無置換の２価の複素環基」
本明細書に記載の「置換もしくは無置換の２価の複素環基」は、別途記載のない限り、上記「置換もしくは無置換の複素環基」から複素環上の１つの水素原子を除くことにより誘導される２価の基である。「置換もしくは無置換の２価の複素環基」の具体例（具体例群Ｇ１３）としては、具体例群Ｇ２に記載の「置換もしくは無置換の複素環基」から複素環上の１つの水素原子を除くことにより誘導される２価の基等が挙げられる。

・「置換もしくは無置換のアルキレン基」
本明細書に記載の「置換もしくは無置換のアルキレン基」は、別途記載のない限り、上記「置換もしくは無置換のアルキル基」からアルキル鎖上の１つの水素原子を除くことにより誘導される２価の基である。「置換もしくは無置換のアルキレン基」の具体例（具体例群Ｇ１４）としては、具体例群Ｇ３に記載の「置換もしくは無置換のアルキル基」からアルキル鎖上の１つの水素原子を除くことにより誘導される２価の基等が挙げられる。

本明細書に記載の置換もしくは無置換のアリーレン基は、本明細書に別途記載のない限り、好ましくは下記一般式（ＴＥＭＰ－４２）～（ＴＥＭＰ－６８）のいずれかの基である。

前記一般式（ＴＥＭＰ－４２）～（ＴＥＭＰ－５２）中、Ｑ_１～Ｑ_１０は、それぞれ独立に、水素原子、又は置換基である。
前記一般式（ＴＥＭＰ－４２）～（ＴＥＭＰ－５２）中、＊は、結合位置を表す。

前記一般式（ＴＥＭＰ－５３）～（ＴＥＭＰ－６２）中、Ｑ_１～Ｑ_１０は、それぞれ独立に、水素原子、又は置換基である。
式Ｑ_９及びＱ_１０は、単結合を介して互いに結合して環を形成してもよい。
前記一般式（ＴＥＭＰ－５３）～（ＴＥＭＰ－６２）中、＊は、結合位置を表す。

前記一般式（ＴＥＭＰ－６３）～（ＴＥＭＰ－６８）中、Ｑ_１～Ｑ_８は、それぞれ独立に、水素原子、又は置換基である。
前記一般式（ＴＥＭＰ－６３）～（ＴＥＭＰ－６８）中、＊は、結合位置を表す。

本明細書に記載の置換もしくは無置換の２価の複素環基は、本明細書に別途記載のない限り、好ましくは下記一般式（ＴＥＭＰ－６９）～（ＴＥＭＰ－１０２）のいずれかの基である。

前記一般式（ＴＥＭＰ－６９）～（ＴＥＭＰ－８２）中、Ｑ_１～Ｑ_９は、それぞれ独立に、水素原子、又は置換基である。

前記一般式（ＴＥＭＰ－８３）～（ＴＥＭＰ－１０２）中、Ｑ_１～Ｑ_８は、それぞれ独立に、水素原子、又は置換基である。

以上が、「本明細書に記載の置換基」についての説明である。

・「結合して環を形成する場合」
本明細書において、「隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は互いに結合せず」という場合は、「隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成する」場合と、「隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成する」場合と、「隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、互いに結合しない」場合と、を意味する。
本明細書における、「隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成する」場合、及び「隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成する」場合（以下、これらの場合をまとめて「結合して環を形成する場合」と称する場合がある。）について、以下、説明する。母骨格がアントラセン環である下記一般式（ＴＥＭＰ－１０３）で表されるアントラセン化合物の場合を例として説明する。

例えば、Ｒ_９２１～Ｒ_９３０のうちの「隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、互いに結合して、環を形成する」場合において、１組となる隣接する２つからなる組とは、Ｒ_９２１とＲ_９２２との組、Ｒ_９２２とＲ_９２３との組、Ｒ_９２３とＲ_９２４との組、Ｒ_９２４とＲ_９３０との組、Ｒ_９３０とＲ_９２５との組、Ｒ_９２５とＲ_９２６との組、Ｒ_９２６とＲ_９２７との組、Ｒ_９２７とＲ_９２８との組、Ｒ_９２８とＲ_９２９との組、並びにＲ_９２９とＲ_９２１との組である。

上記「１組以上」とは、上記隣接する２つ以上からなる組の２組以上が同時に環を形成してもよいことを意味する。例えば、Ｒ_９２１とＲ_９２２とが互いに結合して環Ｑ_Ａを形成し、同時にＲ_９２５とＲ_９２６とが互いに結合して環Ｑ_Ｂを形成した場合は、前記一般式（ＴＥＭＰ－１０３）で表されるアントラセン化合物は、下記一般式（ＴＥＭＰ－１０４）で表される。

「隣接する２つ以上からなる組」が環を形成する場合とは、前述の例のように隣接する「２つ」からなる組が結合する場合だけではなく、隣接する「３つ以上」からなる組が結合する場合も含む。例えば、Ｒ_９２１とＲ_９２２とが互いに結合して環Ｑ_Ａを形成し、かつ、Ｒ_９２２とＲ_９２３とが互いに結合して環Ｑ_Ｃを形成し、互いに隣接する３つ（Ｒ_９２１、Ｒ_９２２及びＲ_９２３）からなる組が互いに結合して環を形成して、アントラセン母骨格に縮合する場合を意味し、この場合、前記一般式（ＴＥＭＰ－１０３）で表されるアントラセン化合物は、下記一般式（ＴＥＭＰ－１０５）で表される。下記一般式（ＴＥＭＰ－１０５）において、環Ｑ_Ａ及び環Ｑ_Ｃは、Ｒ_９２２を共有する。

形成される「単環」、又は「縮合環」は、形成された環のみの構造として、飽和の環であっても不飽和の環であってもよい。「隣接する２つからなる組の１組」が「単環」、又は「縮合環」を形成する場合であっても、当該「単環」、又は「縮合環」は、飽和の環、又は不飽和の環を形成することができる。例えば、前記一般式（ＴＥＭＰ－１０４）において形成された環Ｑ_Ａ及び環Ｑ_Ｂは、それぞれ、「単環」又は「縮合環」である。また、前記一般式（ＴＥＭＰ－１０５）において形成された環Ｑ_Ａ、及び環Ｑ_Ｃは、「縮合環」である。前記一般式（ＴＥＭＰ－１０５）の環Ｑ_Ａと環Ｑ_Ｃとは、環Ｑ_Ａと環Ｑ_Ｃとが縮合することによって縮合環となっている。前記一般式（ＴＭＥＰ－１０４）の環Ｑ_Ａがベンゼン環であれば、環Ｑ_Ａは、単環である。前記一般式（ＴＭＥＰ－１０４）の環Ｑ_Ａがナフタレン環であれば、環Ｑ_Ａは、縮合環である。

「不飽和の環」とは、芳香族炭化水素環、又は芳香族複素環を意味する。「飽和の環」とは、脂肪族炭化水素環、又は非芳香族複素環を意味する。
芳香族炭化水素環の具体例としては、具体例群Ｇ１において具体例として挙げられた基が水素原子によって終端された構造が挙げられる。
芳香族複素環の具体例としては、具体例群Ｇ２において具体例として挙げられた芳香族複素環基が水素原子によって終端された構造が挙げられる。
脂肪族炭化水素環の具体例としては、具体例群Ｇ６において具体例として挙げられた基が水素原子によって終端された構造が挙げられる。
「環を形成する」とは、母骨格の複数の原子のみ、あるいは母骨格の複数の原子とさらに１以上の任意の元素で環を形成することを意味する。例えば、前記一般式（ＴＥＭＰ－１０４）に示す、Ｒ_９２１とＲ_９２２とが互いに結合して形成された環Ｑ_Ａは、Ｒ_９２１が結合するアントラセン骨格の炭素原子と、Ｒ_９２２が結合するアントラセン骨格の炭素原子と、１以上の任意の元素とで形成する環を意味する。具体例としては、Ｒ_９２１とＲ_９２２とで環Ｑ_Ａを形成する場合において、Ｒ_９２１が結合するアントラセン骨格の炭素原子と、Ｒ_９２２とが結合するアントラセン骨格の炭素原子と、４つの炭素原子とで単環の不飽和の環を形成する場合、Ｒ_９２１とＲ_９２２とで形成する環は、ベンゼン環である。

ここで、「任意の元素」は、本明細書に別途記載のない限り、好ましくは、炭素元素、窒素元素、酸素元素、及び硫黄元素からなる群から選択される少なくとも１種の元素である。任意の元素において（例えば、炭素元素、又は窒素元素の場合）、環を形成しない結合は、水素原子等で終端されてもよいし、後述する「任意の置換基」で置換されてもよい。炭素元素以外の任意の元素を含む場合、形成される環は複素環である。
単環または縮合環を構成する「１以上の任意の元素」は、本明細書に別途記載のない限り、好ましくは２個以上１５個以下であり、より好ましくは３個以上１２個以下であり、さらに好ましくは３個以上５個以下である。
本明細書に別途記載のない限り、「単環」、及び「縮合環」のうち、好ましくは「単環」である。
本明細書に別途記載のない限り、「飽和の環」、及び「不飽和の環」のうち、好ましくは「不飽和の環」である。
本明細書に別途記載のない限り、「単環」は、好ましくはベンゼン環である。
本明細書に別途記載のない限り、「不飽和の環」は、好ましくはベンゼン環である。
「隣接する２つ以上からなる組の１組以上」が、「互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成する」場合、又は「互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成する」場合、本明細書に別途記載のない限り、好ましくは、隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、互いに結合して、母骨格の複数の原子と、１個以上１５個以下の炭素元素、窒素元素、酸素元素、及び硫黄元素からなる群から選択される少なくとも１種の元素とからなる置換もしくは無置換の「不飽和の環」を形成する。

上記の「単環」、又は「縮合環」が置換基を有する場合の置換基は、例えば後述する「任意の置換基」である。上記の「単環」、又は「縮合環」が置換基を有する場合の置換基の具体例は、上述した「本明細書に記載の置換基」の項で説明した置換基である。
上記の「飽和の環」、又は「不飽和の環」が置換基を有する場合の置換基は、例えば後述する「任意の置換基」である。上記の「単環」、又は「縮合環」が置換基を有する場合の置換基の具体例は、上述した「本明細書に記載の置換基」の項で説明した置換基である。
以上が、「隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成する」場合、及び「隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成する」場合（「結合して環を形成する場合」）についての説明である。

・「置換もしくは無置換の」という場合の置換基
本明細書における一実施形態においては、前記「置換もしくは無置換の」という場合の置換基（本明細書において、「任意の置換基」と呼ぶことがある。）は、例えば、
無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）、
－Ｏ－（Ｒ_９０４）、
－Ｓ－（Ｒ_９０５）、
－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）、
ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、
無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、及び
無置換の環形成原子数５～５０の複素環基
からなる群から選択される基等であり、
ここで、Ｒ_９０１～Ｒ_９０７は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。
Ｒ_９０１が２個以上存在する場合、２個以上のＲ_９０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
Ｒ_９０２が２個以上存在する場合、２個以上のＲ_９０２は、互いに同一であるか、又は異なり、
Ｒ_９０３が２個以上存在する場合、２個以上のＲ_９０３は、互いに同一であるか、又は異なり、
Ｒ_９０４が２個以上存在する場合、２個以上のＲ_９０４は、互いに同一であるか、又は異なり、
Ｒ_９０５が２個以上存在する場合、２個以上のＲ_９０５は、互いに同一であるか、又は異なり、
Ｒ_９０６が２個以上存在する場合、２個以上のＲ_９０６は、互いに同一であるか、又は異なり、
Ｒ_９０７が２個以上存在する場合、２個以上のＲ_９０７は、互いに同一であるか又は異なる。

一実施形態においては、前記「置換もしくは無置換の」という場合の置換基は、
炭素数１～５０のアルキル基、
環形成炭素数６～５０のアリール基、及び
環形成原子数５～５０の複素環基
からなる群から選択される基である。

一実施形態においては、前記「置換もしくは無置換の」という場合の置換基は、
炭素数１～１８のアルキル基、
環形成炭素数６～１８のアリール基、及び
環形成原子数５～１８の複素環基
からなる群から選択される基である。

上記任意の置換基の各基の具体例は、上述した「本明細書に記載の置換基」の項で説明した置換基の具体例である。

本明細書において別途記載のない限り、隣接する任意の置換基同士で、「飽和の環」、又は「不飽和の環」を形成してもよく、好ましくは、置換もしくは無置換の飽和の５員環、置換もしくは無置換の飽和の６員環、置換もしくは無置換の不飽和の５員環、又は置換もしくは無置換の不飽和の６員環を形成し、より好ましくは、ベンゼン環を形成する。
本明細書において別途記載のない限り、任意の置換基は、さらに置換基を有してもよい。任意の置換基がさらに有する置換基としては、上記任意の置換基と同様である。

本明細書において、「ＡＡ～ＢＢ」を用いて表される数値範囲は、「ＡＡ～ＢＢ」の前に記載される数値ＡＡを下限値とし、「ＡＡ～ＢＢ」の後に記載される数値ＢＢを上限値として含む範囲を意味する。

〔第一実施形態〕
（有機エレクトロルミネッセンス素子）
本実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子は、陽極と、陰極と、第一の陽極側有機層と、第一の発光層と、第二の発光層と、第一の陰極側有機層と、を有し、前記陽極及び前記陰極の間において、前記第一の陽極側有機層、前記第一の発光層、前記第二の発光層及び前記第一の陰極側有機層が、この順で配置され、前記第一の陽極側有機層は、第一の陽極側有機材料を含み、前記第一の発光層は、下記一般式（１Ｈ）で表される第一のホスト材料を含み、前記第二の発光層は、第二のホスト材料を含み、前記第一の陰極側有機層は、第一の陰極側有機材料を含み、前記第一のホスト材料と前記第二のホスト材料とは互いに異なり、前記第一の発光層は、第一の発光性化合物を少なくとも含み、前記第二の発光層は、第二の発光性化合物を少なくとも含み、前記第一の発光を示す化合物と前記第二の発光を示す化合物とが、互いに同一であるか、又は異なり、前記第一のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ１）、前記第二のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ２）及び前記第二の発光性化合物の三重項エネルギーＴ_１（Ｄ２）が、下記数式（数１）の関係を満たす。
Ｔ_１（Ｈ１）＜Ｔ_１（Ｈ２）＜Ｔ_１（Ｄ２） …（数１）
Ａ－Ｌ－Ｂ …（１Ｈ）
（前記一般式（１Ｈ）において、
Ａは、トリプレット構造部位であり、
Ｂは、正孔注入構造部位であり、
Ｌは、単結合又は連結基であり、
前記正孔注入構造部位Ｂの最高被占軌道のエネルギー準位のＨＯＭＯ（Ｂ）の計算値は、－５．７０ｅＶ以上である。）

従来、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光効率を向上させるための技術として、Ｔｒｉｐｒｅｔ－Ｔｒｉｐｒｅｔ－Ａｎｎｈｉｌａｔｉｏｎ（ＴＴＡと称する場合がある。）が知られている。ＴＴＡは、三重項励起子と三重項励起子とが衝突して、一重項励起子を生成するという機構（メカニズム）である。なお、ＴＴＡメカニズムは、特許文献２に記載のようにＴＴＦメカニズムと称する場合もある。

ＴＴＦ現象を説明する。陽極から注入された正孔と、陰極から注入された電子とは、発光層内で再結合し励起子を生成する。そのスピン状態は、従来から知られているように、一重項励起子が２５％、三重項励起子が７５％の比率である。従来知られている蛍光素子においては、２５％の一重項励起子が基底状態に緩和するときに光を発するが、残りの７５％の三重項励起子については光を発することなく熱的失活過程を経て基底状態に戻る。従って、従来の蛍光素子の内部量子効率の理論限界値は２５％といわれていた。
一方、有機物内部で生成した三重項励起子の挙動が理論的に調べられている。Ｓ．Ｍ．Ｂａｃｈｉｌｏらによれば（Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｃｈｅｍ．Ａ，１０４，７７１１（２０００））、五重項等の高次の励起子がすぐに三重項に戻ると仮定すると、三重項励起子（以下、^３Ａ^＊と記載する）の密度が上がってきたとき、三重項励起子同士が衝突し下記式のような反応が起きる。ここで、^１Ａは、基底状態を表し、^１Ａ^＊は、最低励起一重項励起子を表す。
^３Ａ^＊＋^３Ａ^＊→（４／９）^１Ａ＋（１／９）^１Ａ^＊＋（１３／９）^３Ａ^＊
即ち、５^３Ａ^＊→４^１Ａ＋１Ａ^＊となり、当初生成した７５％の三重項励起子のうち、１／５即ち２０％が一重項励起子に変化することが予測されている。従って、光として寄与する一重項励起子は、当初生成する２５％分に７５％×（１／５）＝１５％を加えた４０％ということになる。このとき、全発光強度中に占めるＴＴＦ由来の発光比率（ＴＴＦ比率）は、１５／４０、すなわち３７．５％となる。また、当初生成した７５％の三重項励起子のお互いが衝突して一重項励起子が生成した（２つの三重項励起子から１つの一重項励起子が生成した）とすると、当初生成する一重項励起子２５％分に７５％×（１／２）＝３７．５％を加えた６２．５％という非常に高い内部量子効率が得られる。このとき、ＴＴＦ比率は、３７．５／６２．５＝６０％である。

本実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子によれば、第二の発光層で正孔と電子との再結合によって生成した三重項励起子は、当該第二の発光層と直接に接する有機層との界面にキャリアが過剰に存在していても、第二の発光層と当該有機層との界面に存在する三重項励起子がクエンチされ難くなると考えられる。例えば、再結合領域が、第二の発光層と正孔輸送層又は電子障壁層との界面に局所的に存在する場合には、過剰な電子によるクエンチが考えられる。一方、再結合領域が、第二の発光層と電子輸送層又は正孔障壁層との界面に局所的に存在する場合には、過剰な正孔によるクエンチが考えられる。
本実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子は、所定の関係を満たす、少なくとも２つの発光層（すなわち、第一の発光層及び第二の発光層）を備え、第一の発光層中の第一のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ１）と、第二の発光層中の第二のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ２）とが、前記数式（数１）の関係を満たす。
前記数式（数１）の関係を満たすように第一の発光層及び第二の発光層を備えることで、第二の発光層で生成した三重項励起子は、過剰キャリアによってクエンチされずに第一の発光層へと移動し、また、第一の発光層から第二の発光層へ逆移動することを抑制できる。その結果、第一の発光層において、ＴＴＦメカニズムが発現して、一重項励起子が効率良く生成され、発光効率が向上する。
さらに、本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第二の発光性化合物の三重項エネルギーＴ_１（Ｄ２）と、第二のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ２）とが、Ｔ_１（Ｈ２）＜Ｔ_１（Ｄ２）の関係を満たす。第二のホスト材料と第二の発光性化合物とが、Ｔ_１（Ｈ２）＜Ｔ_１（Ｄ２）の関係を満たすことにより、第二の発光層内で生成した三重項励起子は、より高い三重項エネルギーを有する第二の発光性化合物ではなく、第二のホスト材料上を移動するため、第一の発光層へ移動し易くなる。
このように、有機エレクトロルミネッセンス素子が、三重項励起子を主に生成させる第二の発光層と、第二の発光層から移動してきた三重項励起子を活用してＴＴＦメカニズムを主に発現させる第一の発光層と、を異なる領域として備え、第一の発光層中の第一のホスト材料として、第二の発光層中の第二のホスト材料よりも小さな三重項エネルギーを有する化合物を用いて、三重項エネルギーの差を設けることで、発光効率が向上する。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一のホスト材料が、一般式（１）で表される構造を有するので、第一の陽極側有機層からの正孔の注入が促進され、また第二の発光層への正孔注入も促進されることで、第一の発光層での電荷の蓄積及び再結合を回避するとともに、第二の発光層での電荷再結合が促進され、有機ＥＬ素子は長寿命化する。

本明細書において、「ホスト材料」とは、例えば「層の５０質量％以上」含まれる材料である。したがって、第一の発光層は、例えば、第一のホスト材料を、第一の発光層の全質量の５０質量％以上、含有する。第二の発光層は、例えば、第二のホスト材料を、第二の発光層の全質量の５０質量％以上、含有する。

（第一のホスト材料）
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一のホスト材料は、第二のホスト材料とは、異なる化合物であって、一般式（１Ｈ）で表される化合物である。
Ａ－Ｌ－Ｂ …（１Ｈ）
（前記一般式（１Ｈ）において、Ａは、トリプレット構造部位であり、Ｂは、正孔注入構造部位であり、Ｌは、単結合又は連結基である。）

トリプレット構造部位とは、化合物全体として低い三重項エネルギーを実現するための化合物中の構造部位である。第一のホスト材料は、少なくとも１つのトリプレット構造部位を有する。

第一のホスト材料のトリプレット構造部位Ａの三重項エネルギーの計算値Ｔ_１Ｃ（Ａ）及び第一のホスト材料の正孔注入構造部位の三重項エネルギーの計算値Ｔ_１Ｃ（Ｂ）は、下記数式（数２Ｂ）の関係を満たすことも好ましい。
Ｔ_１Ｃ（Ａ）＜Ｔ_１Ｃ（Ｂ）…（数２Ｂ）

第一のホスト材料のトリプレット構造部位Ａの三重項エネルギーの計算値Ｔ_１Ｃ（Ａ）及び第二のホスト材料の三重項エネルギーの計算値Ｔ_１Ｃ（Ｈ２）は、下記数式（数２）の関係を満たすことが好ましい。
Ｔ_１Ｃ（Ａ）＜Ｔ_１Ｃ（Ｈ２） …（数２）

第一のホスト材料が、前記数式（数２）の関係を満たすトリプレット構造部位Ａを有することにより、第一の発光層でＴＴＦが効率的に起こり易くなる。

第一のホスト材料のトリプレット構造部位Ａの三重項エネルギーの計算値Ｔ_１Ｃ（Ａ）は、トリプレット構造部位Ａの末端を水素で置換した構造、及びトリプレット構造部位Ａの末端をフェニル基で置換した構造の双方の構造について三重項エネルギーを計算し、双方の構造の計算値の内、小さい方の計算値である。トリプレット構造部位Ａの末端とは、第一のホスト材料のトリプレット構造部位の連結基と単結合を形成していた部分、あるいは正孔注入部位と単結合を形成していた部分である。

第一のホスト材料のトリプレット構造部位Ａの三重項エネルギーの計算値Ｔ_１Ｃ（Ａ）は、２．００ｅＶ未満であることが好ましく、１．９０ｅＶ未満であることがより好ましい。

第一のホスト材料のトリプレット構造部位Ａの三重項エネルギーの計算値Ｔ_１Ｃ（Ａ）と、第一のホスト材料の正孔注入構造部位Ｂの三重項エネルギーの計算値Ｔ_１Ｃ（Ｂ）とが、下記数式（数２Ａ）の関係を満たすことが好ましい。
Ｔ_１Ｃ（Ａ）＜Ｔ_１Ｃ（Ｂ） …（数２Ａ）

第一のホスト材料のトリプレット構造部位Ａは、置換もしくは無置換のアントラセンであることが好ましい。

トリプレット構造部位Ａとしての置換もしくは無置換のアントラセンの９位炭素原子又は１０位炭素原子が、Ｌに結合することも好ましい。

トリプレット構造部位Ａは、例えば、次に示す構造である。

上記トリプレット構造部位Ａの＊は、Ｌとの結合位置である。
上記トリプレット構造部位Ａの末端を水素で置換した構造の例は、次に示す構造である。

上記トリプレット構造部位Ａの末端をフェニル基で置換した構造の例は、次に示す構造である。

正孔注入構造部位とは、化合物中に含まれ、トリプレット構造部位Ａ及びＬを除いた部位であって、化合物全体として注入に寄与するための化合物中の構造部位である。

正孔注入構造部位Ｂの最高被占軌道のエネルギー準位のＨＯＭＯ（Ｂ）の計算値は、－５．７０ｅＶ以上である。第一のホスト材料が、このようなＨＯＭＯ（Ｂ）の計算値である正孔注入構造部位Ｂを有することで、第一の陽極側有機層から第一の発光層への正孔注入性が向上する。正孔注入構造部位Ｂの最高被占軌道のエネルギー準位のＨＯＭＯ（Ｂ）の計算値は、－５．６０ｅＶ以上であることがより好ましく、－５．３０ｅＶ以上であることがより好ましい。

正孔注入構造部位Ｂの最高被占軌道のエネルギー準位のＨＯＭＯ（Ｂ）の計算値は、部位の計算において末端を水素で置換した構造を用いて計算して得られる値である。

正孔注入構造部位Ｂは、置換もしくは無置換のカルバゾールであることが好ましい。
正孔注入構造部位Ｂとしての置換もしくは無置換のカルバゾールの９位窒素原子が、Ｌに結合することも好ましい。

正孔注入構造部位Ｂは、例えば、次に示す構造である。

上記正孔注入構造部位Ｂにおける＊は、Ｌとの結合位置である。
上記正孔注入構造部位Ｂの末端を水素で置換した構造の例は、次に示す構造である。

第一のホスト材料は、下記一般式（１１Ｈ）で表される化合物であることも好ましい。

（前記一般式（１１Ｈ）において、
Ｒ_２１１～Ｒ_２１８のうち隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は互いに結合せず、
Ｒ_２０１～Ｒ_２０９、並びに前記置換もしくは無置換の単環を形成せず、かつ前記置換もしくは無置換の縮合環を形成しないＲ_２１１～Ｒ_２１８は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）で表される基、
置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ_８０１で表される基、
－ＣＯＯＲ_８０２で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
Ｌは、単結合
単結合、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の２価の複素環基であり、
Ｒ_９０１、Ｒ_９０２、Ｒ_９０３、Ｒ_９０４、Ｒ_９０５、Ｒ_９０６、Ｒ_９０７、Ｒ_８０１及びＲ_８０２は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、又は
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基であり、
Ｒ_９０１が複数存在する場合、複数のＲ_９０１は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_９０２が複数存在する場合、複数のＲ_９０２は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_９０３が複数存在する場合、複数のＲ_９０３は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_９０４が複数存在する場合、複数のＲ_９０４は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_９０５が複数存在する場合、複数のＲ_９０５は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_９０６が複数存在する場合、複数のＲ_９０６は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_９０７が複数存在する場合、複数のＲ_９０７は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_８０１が複数存在する場合、複数のＲ_８０１は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_８０２が複数存在する場合、複数のＲ_８０２は、互いに同一であるか又は異なる。）

＜化合物の正孔注入構造部位及びトリプレット構造部位のＨＯＭＯ及びＴ_１の計算値＞
化合物の正孔注入構造部位及びトリプレット構造部位のＨＯＭＯの計算値及びＴ_１の計算値は、量子化学計算プログラム（Ｇａｕｓｓｉａｎ １６， Ｒｅｖｉｓｉｏｎ Ｂ （Ｇａｕｓｓｉａｎ Ｉｎｃ．）；計算手法：Ｂ３ＬＹＰ／６－３１Ｇ^＊（理論にはＢ３ＬＹＰを使用し、基底関数に６－３１Ｇ^＊を使用することを意味する））を用いて、算出する。

第一のホスト材料のＬは、置換もしくは無置換のフェニレン基又は置換もしくは無置換のビフェニレン基であることも好ましい。

第一のホスト材料のトリプレット構造部位Ａは、置換もしくは無置換の９，１０－ジフェニルアントラセンであり、Ｌは、単結合であることも好ましい。
トリプレット構造部位Ａとしての置換もしくは無置換の９，１０－ジフェニルアントラセンの９位炭素原子及び１０位炭素原子に、それぞれ独立に、置換もしくは無置換のフェニル基が結合しており、いずれかの置換もしくは無置換のフェニル基に正孔注入構造部位Ｂが結合していることも好ましい。

第一のホスト材料のイオン化ポテンシャルは、５．９０ｅＶ以下であることが好ましく、５．８０ｅＶ以下であることがより好ましい。

（第一のホスト材料の製造方法）
第一のホスト材料としての化合物は、公知の方法により製造できる。また、第一のホスト材料としての化合物は、公知の方法に倣い、目的物に合わせた既知の代替反応及び原料を用いることによっても、製造できる。

（第一のホスト材料としての化合物の具体例）
第一のホスト材料としての化合物の具体例としては、例えば、以下の化合物挙げられる。ただし、本発明は、これら化合物の具体例に限定されない。

（第二の発光層）
第二の発光層は、第二のホスト材料を含む。第二のホスト材料は、第一の発光層が含有する第一のホスト材料とは、異なる化合物である。

第二の発光層は、第二の発光性化合物を少なくとも含む。第二の発光性化合物と第一の発光性化合物とは、互いに同一でも異なっていてもよいが、互いに同一であることが好ましい。
第二の発光性化合物は、蛍光発光性化合物であることが好ましい。

第二の発光性化合物の最大ピーク波長が５００ｎｍ以下であることが好ましい。第二の発光性化合物は、最大ピーク波長が５００ｎｍ以下の蛍光発光を示す化合物であることが好ましい。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第二の発光性化合物は、分子中にアジン環構造を含まない化合物であることが好ましい。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第二の発光性化合物は、ホウ素含有錯体ではないことが好ましく、第二の発光性化合物は、錯体ではないことがより好ましい。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第二の発光層は、金属錯体を含有しないことが好ましい。また、本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第二の発光層は、ホウ素含有錯体を含有しないことも好ましい。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第二の発光層は、燐光発光性材料（ドーパント材料）を含まないことが好ましい。
また、第二の発光層は、重金属錯体及び燐光発光性の希土類金属錯体を含まないことが好ましい。ここで、重金属錯体としては、例えば、イリジウム錯体、オスミウム錯体、及び白金錯体等が挙げられる。

化合物の最大ピーク波長の測定方法は、次の通りである。測定対象となる化合物の５μｍｏｌ／Ｌトルエン溶液を調製して石英セルに入れ、常温（３００Ｋ）でこの試料の発光スペクトル（縦軸：発光強度、横軸：波長とする。）を測定する。発光スペクトルは、株式会社日立ハイテクサイエンス製の分光蛍光光度計（装置名：Ｆ－７０００）により測定できる。なお、発光スペクトル測定装置は、ここで用いた装置に限定されない。
発光スペクトルにおいて、発光強度が最大となる発光スペクトルのピーク波長を最大ピーク波長とする。なお、本明細書において、最大ピーク波長を蛍光発光最大ピーク波長（ＦＬ－ｐｅａｋ）と称する場合がある。また、測定した発光スペクトルから、化合物の最大ピークの半値幅ＦＷＨＭ（単位：ｎｍ）を測定することができる。

第二の発光性化合物の発光スペクトルにおいて、発光強度が最大となるピークを最大ピークとし、当該最大ピークの高さを１としたとき、当該発光スペクトルに現れる他のピークの高さは、０．６未満であることが好ましい。なお、発光スペクトルにおけるピークは、極大値とする。
また、第二の発光性化合物の発光スペクトルにおいて、ピークの数が３つ未満であることが好ましい。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第二の発光層は、素子駆動時に最大ピーク波長が５００ｎｍ以下の光を放射することが好ましい。
素子駆動時に発光層が放射する光の最大ピーク波長の測定は、次に記載の方法で行うことができる。

・素子駆動時に発光層から放射される光の最大ピーク波長λ_ＥＭＬ
素子駆動時に第一の発光層から放射される光の最大ピーク波長λ_ＥＭＬ１は、第二の発光層を第一の発光層と同じ材料を用いて有機ＥＬ素子を作製し、有機ＥＬ素子の電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ^２となるように素子に電圧を印加した時の分光放射輝度スペクトルを分光放射輝度計ＣＳ－２０００（コニカミノルタ株式会社製）で計測する。得られた分光放射輝度スペクトルから、最大ピーク波長λ_ＥＭＬ１（単位：ｎｍ）を算出する。
素子駆動時に第二の発光層から放射される光の最大ピーク波長λ_ＥＭＬ２は、第一の発光層を第二の発光層と同じ材料を用いて有機ＥＬ素子を作製し、有機ＥＬ素子の電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ^２となるように素子に電圧を印加した時の分光放射輝度スペクトルを分光放射輝度計ＣＳ－２０００（コニカミノルタ株式会社製）で計測する。得られた分光放射輝度スペクトルから、最大ピーク波長λ_ＥＭＬ２（単位：ｎｍ）を算出する。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第二のホスト材料の一重項エネルギーＳ_１（Ｈ２）と第二の発光性化合物の一重項エネルギーＳ_１（Ｄ２）とが、下記数式（数７）の関係を満たすことが好ましい。一重項エネルギーＳ_１とは、最低励起一重項状態と基底状態とのエネルギー差を意味する。
Ｓ_１（Ｈ２）＞Ｓ_１（Ｄ２） …（数７）

第二のホスト材料と第二の発光性化合物とが、前記数式（数７）の関係を満たすことにより、第二のホスト材料上で生成された一重項励起子は、第二のホスト材料から第二の発光性化合物へエネルギー移動し易くなり、第二の発光性化合物の蛍光性発光に寄与する。

（三重項エネルギーＴ_１）
三重項エネルギーＴ_１の測定方法としては、下記の方法が挙げられる。
測定対象となる化合物をＥＰＡ（ジエチルエーテル：イソペンタン：エタノール＝５：５：２（容積比））中に、１０^－５ｍｏｌ／Ｌ以上１０^－４ｍｏｌ／Ｌ以下となるように溶解し、この溶液を石英セル中に入れて測定試料とする。この測定試料について、低温（７７［Ｋ］）で燐光スペクトル（縦軸：燐光発光強度、横軸：波長とする。）を測定し、この燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対して接線を引き、その接線と横軸との交点の波長値λ_ｅｄｇｅ［ｎｍ］に基づいて、次の換算式（Ｆ１）から算出されるエネルギー量を三重項エネルギーＴ_１とする。
換算式（Ｆ１）：Ｔ_１［ｅＶ］＝１２３９．８５／λ_ｅｄｇｅ

燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対する接線は以下のように引く。燐光スペクトルの短波長側から、スペクトルの極大値のうち、最も短波長側の極大値までスペクトル曲線上を移動する際に、長波長側に向けて曲線上の各点における接線を考える。この接線は、曲線が立ち上がるにつれ（つまり縦軸が増加するにつれ）、傾きが増加する。この傾きの値が極大値をとる点において引いた接線（すなわち変曲点における接線）が、当該燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対する接線とする。
なお、スペクトルの最大ピーク強度の１５％以下のピーク強度をもつ極大点は、上述の最も短波長側の極大値には含めず、最も短波長側の極大値に最も近い、傾きの値が極大値をとる点において引いた接線を当該燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対する接線とする。
燐光の測定には、（株）日立ハイテクノロジー製のＦ－４５００形分光蛍光光度計本体を用いることができる。なお、測定装置はこの限りではなく、冷却装置、及び低温用容器と、励起光源と、受光装置とを組み合わせることにより、測定してもよい。

（一重項エネルギーＳ_１）
溶液を用いた一重項エネルギーＳ_１の測定方法（溶液法と称する場合がある。）としては、下記の方法が挙げられる。
測定対象となる化合物の１０^－５ｍｏｌ／Ｌ以上１０^－４ｍｏｌ／Ｌ以下のトルエン溶液を調製して石英セルに入れ、常温（３００Ｋ）でこの試料の吸収スペクトル（縦軸：吸収強度、横軸：波長とする。）を測定する。この吸収スペクトルの長波長側の立ち下がりに対して接線を引き、その接線と横軸との交点の波長値λｅｄｇｅ［ｎｍ］を次に示す換算式（Ｆ２）に代入して一重項エネルギーを算出する。
換算式（Ｆ２）：Ｓ_１［ｅＶ］＝１２３９．８５／λｅｄｇｅ
吸収スペクトル測定装置としては、例えば、日立社製の分光光度計（装置名：Ｕ３３１０）が挙げられるが、これに限定されない。

吸収スペクトルの長波長側の立ち下がりに対する接線は以下のように引く。吸収スペクトルの極大値のうち、最も長波長側の極大値から長波長方向にスペクトル曲線上を移動する際に、曲線上の各点における接線を考える。この接線は、曲線が立ち下がるにつれ（つまり縦軸の値が減少するにつれ）、傾きが減少しその後増加することを繰り返す。傾きの値が最も長波長側（ただし、吸光度が０．１以下となる場合は除く）で極小値をとる点において引いた接線を当該吸収スペクトルの長波長側の立ち下がりに対する接線とする。
なお、吸光度の値が０．２以下の極大点は、上記最も長波長側の極大値には含めない。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第二の発光層は、第二の発光性化合物を、第二の発光層の全質量の０．５質量％以上、含有することが好ましい。第二の発光層は、第二の発光性化合物を、第二の発光層の全質量の１０質量％以下、含有することが好ましく、第二の発光層の全質量の７質量％以下、含有することがより好ましく、第二の発光層の全質量の５質量％以下、含有することがさらに好ましい。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第二の発光層は、第二のホスト材料を、第二の発光層の全質量の６０質量％以上、含有することが好ましく、第二の発光層の全質量の７０質量％以上、含有することがより好ましく、第二の発光層の全質量の８０質量％以上、含有することがさらに好ましく、第二の発光層の全質量の９０質量％以上、含有することがよりさらに好ましく、第二の発光層の全質量の９５質量％以上、含有することがさらになお好ましい。
第二の発光層は、第二のホスト材料を、第二の発光層の全質量の９９．５質量％以下、含有することが好ましい。
ただし、第二の発光層が第二のホスト材料と第二の発光性化合物とを含有する場合、第二のホスト材料及び第二の発光性化合物の合計含有率の上限は、１００質量％である。

なお、本実施形態は、第二の発光層に、第二のホスト材料と第二の発光性化合物以外の材料が含まれることを除外しない。
第二の発光層は、第二のホスト材料を１種のみ含んでもよいし、２種以上含んでもよい。第二の発光層は、第二の発光性化合物を１種のみ含んでもよいし、２種以上含んでもよい。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第二の発光層の膜厚は、３ｎｍ以上であることが好ましい。第二の発光層の膜厚が３ｎｍ以上であれば、第二の発光層において、正孔と電子との再結合を起こすのに充分な膜厚である。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第二の発光層の膜厚は、１５ｎｍ以下であることが好ましく、１０ｎｍ以下であることがより好ましい。第二の発光層の膜厚が１５ｎｍ以下であれば、第一の発光層へ三重項励起子が移動するのに充分に薄い膜厚である。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第二の発光層の膜厚は、３ｎｍ以上、１５ｎｍ以下であることがより好ましい。

（第一の発光層）
第一の発光層は、第一のホスト材料を含む。第一のホスト材料は、第二の発光層が含有する第二のホスト材料とは、異なる化合物である。

第一の発光層は、第一の発光性化合物を少なくとも含む。第一の発光性化合物は、蛍光発光性化合物であることが好ましい。

第一の発光性化合物の最大ピーク波長が５００ｎｍ以下であることが好ましい。第一の発光性化合物は、最大ピーク波長が５００ｎｍ以下の蛍光発光を示す化合物であることが好ましい。化合物の最大ピーク波長の測定方法は、前述の通りである。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の発光層は、素子駆動時に最大ピーク波長が５００ｎｍ以下の光を放射することが好ましい。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の発光性化合物の最大ピークの半値幅ＦＷＨＭが、１ｎｍ以上、３０ｎｍ以下であることが好ましい。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の発光性化合物のストークスシフトは、７ｎｍを超えることが好ましい。
第一の発光性化合物のストークスシフトが７ｎｍを越えていれば、自己吸収による発光効率の低下を防止し易くなる。
自己吸収とは、放出した光を同一化合物が吸収する現象であり、発光効率の低下を引き起こす現象である。自己吸収は、ストークスシフトの小さい（すなわち、吸収スペクトルと蛍光スペクトルの重なりが大きい）化合物で顕著に観測されるため、自己吸収を抑制するには、ストークスシフトの大きい（吸収スペクトルと蛍光スペクトルの重なりが小さい）化合物を用いることが好ましい。
ストークスシフトは、次に記載する方法で測定できる。測定対象となる化合物を２．０×１０^－５ｍｏｌ／Ｌの濃度でトルエンに溶解し、測定用試料を調製する。石英セルへ入れた測定用試料に室温（３００Ｋ）で紫外－可視領域の連続光を照射し、吸収スペクトル（縦軸：吸光度、横軸：波長）を測定する。吸収スペクトル測定には、分光光度計を用いることができ、例えば、日立ハイテクサイエンス社の分光光度計Ｕ－３９００／３９００Ｈ形を用いることができる。また、測定対象となる化合物を４．９×１０^－６ｍｏｌ／Ｌの濃度でトルエンに溶解し、測定用試料を調製する。石英セルへ入れた測定用試料に室温（３００Ｋ）で励起光を照射し、蛍光スペクトル（縦軸：蛍光強度、横軸：波長）を測定した。蛍光スペクトル測定には、分光光度計を用いることができ、例えば、日立ハイテクサイエンス社の分光蛍光光度計Ｆ－７０００形を用いることができる。
これらの吸収スペクトルと蛍光スペクトルから、吸収極大波長と蛍光極大波長の差を算出し、ストークスシフト（ＳＳ）を求める。ストークスシフトＳＳの単位は、ｎｍである。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ１）と、第一の発光性化合物の三重項エネルギーＴ_１（Ｄ１）とが下記数式（数６）の関係を満たすことが好ましい。
Ｔ_１（Ｄ１）＞Ｔ_１（Ｈ１） …（数６）

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の発光性化合物と、第一のホスト材料とが、前記数式（数６）の関係を満たすことにより、第二の発光層で生成した三重項励起子は、第一の発光層に移動する際、より高い三重項エネルギーを有する第一の発光性化合物ではなく、第一のホスト材料の分子にエネルギー移動する。また、第一のホスト材料上で正孔及び電子が再結合して発生した三重項励起子は、より高い三重項エネルギーを持つ第一の発光性化合物には移動しない。第一の発光性化合物の分子上で再結合し発生した三重項励起子は、速やかに第一のホスト材料の分子にエネルギー移動する。
第一のホスト材料の三重項励起子が第一の発光性化合物に移動することなく、ＴＴＦ現象によって第一のホスト材料上で三重項励起子同士が効率的に衝突することで、一重項励起子が生成される。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一のホスト材料の一重項エネルギーＳ_１（Ｈ１）と、第一の発光性化合物の一重項エネルギーＳ_１（Ｄ１）とが下記数式（数５）の関係を満たすことが好ましい。
Ｓ_１（Ｈ１）＞Ｓ_１（Ｄ１） …（数５）

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の発光性化合物と、第一のホスト材料とが、前記数式（数５）の関係を満たすことにより、第一の発光性化合物の一重項エネルギーは、第一のホスト材料の一重項エネルギーより小さいため、ＴＴＦ現象によって生成された一重項励起子は、第一のホスト材料から第一の発光性化合物へエネルギー移動し、第一の発光性化合物の蛍光性発光に寄与する。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の発光性化合物は、分子中にアジン環構造を含まない化合物であることが好ましい。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の発光性化合物は、ホウ素含有錯体ではないことが好ましく、第一の発光性化合物は、錯体ではないことがより好ましい。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の発光層は、金属錯体を含有しないことが好ましい。また、本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の発光層は、ホウ素含有錯体を含有しないことも好ましい。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の発光層は、燐光発光性材料（ドーパント材料）を含まないことが好ましい。
また、第一の発光層は、重金属錯体及び燐光発光性の希土類金属錯体を含まないことが好ましい。ここで、重金属錯体としては、例えば、イリジウム錯体、オスミウム錯体、及び白金錯体等が挙げられる。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の発光層は、第一の発光性化合物を、第一の発光層の全質量の０．５質量％以上、含有することが好ましい。第一の発光層は、第一の発光性化合物を、第一の発光層の全質量の１０質量％以下、含有することが好ましく、第一の発光層の全質量の７質量％以下、含有することがより好ましく、第一の発光層の全質量の５質量％以下、含有することがさらに好ましい。

第一の発光層は、第一のホスト材料を、第一の発光層の全質量の６０質量％以上、含有することが好ましく、第一の発光層の全質量の７０質量％以上、含有することがより好ましく、第一の発光層の全質量の８０質量％以上、含有することがさらに好ましく、第一の発光層の全質量の９０質量％以上、含有することがよりさらに好ましく、第一の発光層の全質量の９５質量％以上、含有することがさらになお好ましい。
第一の発光層は、第一のホスト材料を、第一の発光層の全質量の９９質量％以下、含有することが好ましい。
第一の発光層が第一のホスト材料と第一の発光性化合物とを含有する場合、第一のホスト材料及び第一の発光性化合物の合計含有率の上限は、１００質量％である。

なお、本実施形態は、第一の発光層に、第一のホスト材料と第一の発光性化合物以外の材料が含まれることを除外しない。
第一の発光層は、第一のホスト材料を１種のみ含んでもよいし、２種以上含んでもよい。第一の発光層は、第一の発光性化合物を１種のみ含んでもよいし、２種以上含んでもよい。

第一の発光層の膜厚は、第二の発光層の膜厚よりも厚いことが好ましい。
第二の発光層の膜厚が、第一の発光層の膜厚より薄い方が、第二の発光層で発生した三重項励起子は、第二の発光層中に留まらず、第一の発光層へ効率的に拡散することができる。そのため、第二の発光層の膜厚は、第一の発光層の膜厚よりも薄いことが好ましい。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の発光層の膜厚は、５ｎｍ以上であることが好ましく、１５ｎｍ以上であることがより好ましい。第一の発光層の膜厚が５ｎｍ以上であれば、第二の発光層から第一の発光層へ移動してきた三重項励起子が、再び第二の発光層に戻ることを抑制し易い。また、第一の発光層の膜厚が５ｎｍ以上であれば、第二の発光層における再結合部分から三重項励起子を充分離すことができる。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の発光層の膜厚は、２５ｎｍ以下であることが好ましく、２０ｎｍ以下であることがより好ましい。第一の発光層の膜厚が２５ｎｍ以下であれば、第一の発光層中の三重項励起子の密度を向上させて、ＴＴＦ現象をさらに起こり易くすることができる。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の発光層の膜厚は、５ｎｍ以上、２５ｎｍ以下であることが好ましい。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ１）と第二のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ２）とが、下記数式（数９）の関係を満たすことが好ましい。
Ｔ_１（Ｈ２）－Ｔ_１（Ｈ１）＞０．０３ｅＶ …（数９）

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の発光性化合物又は第二の発光性化合物の三重項エネルギーＴ_１（ＤＸ）と、第一のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ１）と第二のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ２）とが、下記数式（数１０）の関係を満たすことが好ましい。
２．６ｅＶ＞Ｔ_１（ＤＸ）＞Ｔ_１（Ｈ２）＞Ｔ_１（Ｈ１） …（数１０）

第一の発光層が第一の発光性化合物を含有する場合、第一の発光性化合物の三重項エネルギーＴ_１（Ｄ１）は、下記数式（数１０Ａ）の関係を満たすことが好ましい。
２．６ｅＶ＞Ｔ_１（Ｄ１）＞Ｔ_１（Ｈ２）＞Ｔ_１（Ｈ１） …（数１０Ａ）

第二の発光層が第二の発光性化合物を含有する場合、第二の発光性化合物の三重項エネルギーＴ_１（Ｄ２）は、下記数式（数１０Ｂ）の関係を満たすことが好ましい。
２．６ｅＶ＞Ｔ_１（Ｄ２）＞Ｔ_１（Ｈ２）＞Ｔ_１（Ｈ１） …（数１０Ｂ）

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の発光性化合物又は第二の発光性化合物の三重項エネルギーＴ_１（ＤＸ）と、第二のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ２）とが、下記数式（数１１）の関係を満たすことが好ましい。
０ｅＶ＜Ｔ_１（ＤＸ）－Ｔ_１（Ｈ２）＜０．６ｅＶ …（数１１）

第二の発光層が第二の発光性化合物を含有する場合、第二の発光性化合物の三重項エネルギーＴ_１（Ｄ２）は、下記数式（数１１Ａ）の関係を満たすことが好ましい。
０ｅＶ＜Ｔ_１（Ｄ２）－Ｔ_１（Ｈ２）＜０．６ｅＶ …（数１１Ａ）

第一の発光層が第一の発光性化合物を含有する場合、第一の発光性化合物の三重項エネルギーＴ_１（Ｄ１）は、下記数式（数１１Ｂ）の関係を満たすことが好ましい。
０ｅＶ＜Ｔ_１（Ｄ１）－Ｔ_１（Ｈ１）＜０．８ｅＶ …（数１１Ｂ）

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第二のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ２）が、下記数式（数１２）の関係を満たすことが好ましい。
Ｔ_１（Ｈ２）＞２．０ｅＶ …（数１２）

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第二のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ２）が、下記数式（数１２Ａ）の関係を満たすことも好ましく、下記数式（数１２Ｂ）の関係を満たすことも好ましい。
Ｔ_１（Ｈ２）＞２．１０ｅＶ …（数１２Ａ）
Ｔ_１（Ｈ２）＞２．１５ｅＶ …（数１２Ｂ）

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第二のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ２）が、前記数式（数１２Ａ）又は前記数式（数１２Ｂ）の関係を満たすことにより、第二の発光層で生成した三重項励起子は、第一の発光層へと移動し易くなり、また、第一の発光層から第二の発光層へ逆移動することを抑制し易くなる。その結果、第一の発光層において、一重項励起子が効率良く生成され、発光効率が向上する。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第二のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ２）が、下記数式（数１２Ｃ）の関係を満たすことも好ましく、下記数式（数１２Ｄ）の関係を満たすことも好ましい。
２．０８ｅＶ＞Ｔ_１（Ｈ２）＞１．８７ｅＶ …（数１２Ｃ）
２．０５ｅＶ＞Ｔ_１（Ｈ２）＞１．９０ｅＶ …（数１２Ｄ）

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第二のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ２）が、前記数式（数１２Ｃ）又は前記数式（数１２Ｄ）の関係を満たすことにより、第二の発光層で生成した三重項励起子のエネルギーが小さくなり、有機ＥＬ素子の長寿命化が期待できる。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第二の発光性化合物の三重項エネルギーＴ_１（Ｄ２）が、下記数式（数１４Ｃ）の関係を満たすことも好ましく、下記数式（数１４Ｄ）の関係を満たすことも好ましい。
２．６０ｅＶ＞Ｔ_１（Ｄ２） …（数１４Ｃ）
２．５０ｅＶ＞Ｔ_１（Ｄ２） …（数１４Ｄ）
第二の発光層が、前記数式（数１４Ｃ）又は（数１４Ｄ）の関係を満たす化合物を含有することにより、有機ＥＬ素子が長寿命化する。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の発光性化合物の三重項エネルギーＴ_１（Ｄ１）が、下記数式（数１４Ａ）の関係を満たすことも好ましく、下記数式（数１４Ｂ）の関係を満たすことも好ましい。
２．６０ｅＶ＞Ｔ_１（Ｄ１） …（数１４Ａ）
２．５０ｅＶ＞Ｔ_１（Ｄ１） …（数１４Ｂ）
第一の発光層が、前記数式（数１４Ａ）又は（数１４Ｂ）の関係を満たす化合物を含有することにより、有機ＥＬ素子が長寿命化する。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ１）が、下記数式（数１３）の関係を満たすことも好ましい。
Ｔ_１（Ｈ１）≧１．９ｅＶ …（数１３）

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ２）が、下記数式（数１３Ａ）の関係を満たすことも好ましい。
１．９ｅＶ＞Ｔ_１（Ｈ１）≧１．８ｅＶ …（数１３Ａ）

（第一の陽極側有機層）
第一の陽極側有機層は、第一の陽極側有機材料を含む。

第一の陽極側有機材料の三重項エネルギーＴ_１（ＥＢＬ）及び第一のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ１）が、下記数式（数１Ｂ）の関係を満たすことが好ましい。
Ｔ_１（ＥＢＬ）＞Ｔ_１（Ｈ１） …（数１Ｂ）

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の陽極側有機材料が、前記数式（数１Ｂ）の関係を満たすことにより、第一の発光層へ移動した三重項励起子は、より高い三重項エネルギーを有する第一の陽極側有機層の第一の陽極側有機材料へ移動し難くなり、第一の発光層において、より効率的にＴＴＦメカニズムが発現し、一重項励起子が効率良く生成され、発光効率が向上し易くなる。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の陽極側有機材料の最高被占軌道のエネルギー準位のＨＯＭＯ（ＥＢＬ）の計算値ＨＯＭＯｃ（ＥＢＬ）及び正孔注入構造部位Ｂの最高被占軌道のエネルギー準位のＨＯＭＯ（Ｂ）の計算値ＨＯＭＯｃ（Ｂ）が、下記数式（数１Ｃ）の関係を満たすことも好ましい。
｜ＨＯＭＯ_Ｃ（ＥＢＬ）｜＜｜ＨＯＭＯ_Ｃ（Ｂ）｜ …（数１Ｃ）

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の発光層と第一の陽極側有機層とが、直接、接していることも好ましい。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の陽極側有機層は、電子障壁層又は正孔輸送層であることが好ましく、電子障壁層であることがより好ましい。電子障壁層は、例えば、正孔を輸送し、かつ電子が当該障壁層よりも陽極側の層（例えば、正孔輸送層又は正孔注入層）に到達することを阻止する層である。また、電子障壁層は、励起エネルギーが発光層からその周辺層に漏れ出すのを阻止する層であってもよい。この場合、電子障壁層は、発光層で生成した励起子が、当該障壁層よりも陽極側の層（例えば、正孔輸送層又は正孔注入層）に移動することを阻止する。

（第一の陰極側有機層）
第一の陰極側有機層は、第一の陰極側有機材料を含む。

第一の陰極側有機材料の三重項エネルギーＴ_１（ＨＢＬ）、第一のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ１）、第二のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ２）及び第二の発光性化合物の三重項エネルギーＴ_１（Ｄ２）が、下記数式（数１Ａ）の関係を満たすことが好ましい。
Ｔ_１（Ｈ１）＜Ｔ_１（Ｈ２）＜Ｔ_１（Ｄ２）＜Ｔ_１（ＨＢＬ） …（数１Ａ）

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の陰極側有機材料が、前記数式（数１Ａ）の関係を満たすことにより、第二の発光層内で生成した三重項励起子は、より高い三重項エネルギーを有する第一の陰極側有機層の第一の陰極側有機材料ではなく、第二のホスト材料上を移動するため、第一の発光層へ移動し易くなる。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第二の発光層と第一の陰極側有機層とが、直接、接していることも好ましい。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の陰極側有機層は、正孔障壁層又は電子輸送層であることが好ましく、正孔障壁層であることがより好ましい。正孔障壁層は、例えば、電子を輸送し、かつ正孔が当該障壁層よりも陰極側の層（例えば、電子輸送層又は電子注入層）に到達することを阻止する層である。また、正孔障壁層は、励起エネルギーが発光層からその周辺層に漏れ出すのを阻止する層であってもよい。この場合、正孔障壁層は、発光層で生成した励起子が、当該障壁層よりも陰極側の層（例えば、電子輸送層又は電子注入層）に移動することを阻止する。

（有機ＥＬ素子のその他の層）
本実施形態に係る有機ＥＬ素子は、第一の発光層及び第二の発光層以外に、１以上の有機層を有していてもよい。有機層としては、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子注入層、電子輸送層、正孔障壁層及び電子障壁層からなる群から選択される少なくともいずれかの層が挙げられる。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の発光層及び第二の発光層だけで構成されていてもよいが、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層、正孔障壁層、及び電子障壁層等からなる群から選択される少なくともいずれかの層をさらに有していてもよい。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、陽極と第一の発光層との間に正孔輸送層を含むことが好ましい。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第二の発光層と陰極との間に電子輸送層を含むことが好ましい。

図１に、本実施形態に係る有機ＥＬ素子の一例の概略構成を示す。
有機ＥＬ素子１は、透光性の基板２と、陽極３と、陰極４と、陽極３と陰極４との間に配置された有機層１０と、を含む。有機層１０は、陽極３側から順に、正孔注入層６３、正孔輸送層６２、第一の陽極側有機層６１、第一の発光層５１、第二の発光層５２、第一の陰極側有機層７１、電子輸送層７２、及び電子注入層７３が、この順番で積層されて構成される。
本発明は、図１に示す有機ＥＬ素子の構成に限定されない。別の構成の有機ＥＬ素子としては、例えば、有機層が、陽極側から順に、正孔注入層、第一の陽極側有機層、第一の発光層、第二の発光層、第一の陰極側有機層、電子輸送層、及び電子注入層が、この順番で積層されて構成される態様が挙げられる。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子は、第三の発光層をさらに含んでいてもよい。
第三の発光層は、第三のホスト材料を含み、第一のホスト材料と第二のホスト材料と第三のホスト材料とは、互いに異なり、第三の発光層は、第三の発光性化合物を少なくとも含み、第一の発光性化合物と、第二の発光性化合物と、第三の発光性化合物とが、互いに同一であるか、又は異なり、第二のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ２）と第三のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ３）とが、下記数式（数４０）の関係を満たすことが好ましい。
Ｔ_１（Ｈ２）＞Ｔ_１（Ｈ３） …（数４０）

第三の発光性化合物は、最大ピーク波長が５００ｎｍ以下の発光を示す化合物であることが好ましく、最大ピーク波長が５００ｎｍ以下の蛍光発光を示す化合物であることがより好ましい。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子が第三の発光層を含んでいる場合、第一のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ１）と第三のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ３）とが、下記数式（数４１）の関係を満たすことが好ましい。
Ｔ_１（Ｈ１）＞Ｔ_１（Ｈ３） …（数４１）

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の発光層と第二の発光層とが、直接、接していることが好ましい。

本明細書において、「第一の発光層と第二の発光層とが、直接、接している」層構造は、例えば、以下の態様（ＬＳ１）、（ＬＳ２）及び（ＬＳ３）のいずれかの態様も含み得る。
（ＬＳ１）第一の発光層に係る化合物の蒸着の工程と第二の発光層に係る化合物の蒸着の工程を経る過程で第一のホスト材料及び第二のホスト材料の両方が混在する領域が生じ、当該領域が第一の発光層と第二の発光層との界面に存在する態様。
（ＬＳ２）第一の発光層及び第二の発光層が発光性の化合物を含む場合に、第一の発光層に係る化合物の蒸着の工程と第二の発光層に係る化合物の蒸着の工程を経る過程で第一のホスト材料、第二のホスト材料及び発光性の化合物が混在する領域が生じ、当該領域が第一の発光層と第二の発光層との界面に存在する態様。
（ＬＳ３）第一の発光層及び第二の発光層が発光性の化合物を含む場合に、第一の発光層に係る化合物の蒸着の工程と第二の発光層に係る化合物の蒸着の工程を経る過程で当該発光性の化合物からなる領域、第一のホスト材料からなる領域、又は第二のホスト材料からなる領域が生じ、当該領域が第一の発光層と第二の発光層との界面に存在する態様。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子が第三の発光層を含んでいる場合、第一の発光層と第二の発光層とが、直接、接しており、第二の発光層と第三の発光層とが、直接、接していることが好ましい。

本明細書において、「第二の発光層と第三の発光層とが、直接、接している」層構造は、例えば、以下の態様（ＬＳ４）、（ＬＳ５）及び（ＬＳ６）のいずれかの態様も含み得る。
（ＬＳ４）第二の発光層に係る化合物の蒸着の工程と第三の発光層に係る化合物の蒸着の工程を経る過程で第二のホスト材料及び第三のホスト材料の両方が混在する領域が生じ、当該領域が第二の発光層と第三の発光層との界面に存在する態様。
（ＬＳ５）第二の発光層及び第三の発光層が発光性の化合物を含む場合に、第二の発光層に係る化合物の蒸着の工程と第三の発光層に係る化合物の蒸着の工程を経る過程で第二のホスト材料、第三のホスト材料及び発光性の化合物が混在する領域が生じ、当該領域が第二の発光層と第三の発光層との界面に存在する態様。
（ＬＳ６）第二の発光層及び第三の発光層が発光性の化合物を含む場合に、第二の発光層に係る化合物の蒸着の工程と第三の発光層に係る化合物の蒸着の工程を経る過程で当該発光性の化合物からなる領域、第二のホスト材料からなる領域、又は第三のホスト材料からなる領域が生じ、当該領域が第二の発光層と第三の発光層との界面に存在する態様。

（介在層）
本実施形態に係る有機ＥＬ素子は、第一の発光層と第二の発光層との間に配置される有機層として、介在層を有することもできる。
本実施形態において、Ｓｉｎｇｌｅｔ発光領域とＴＴＦ発光領域とが重ならない様にする為、それを実現できる程度に介在層は発光性化合物を含まない。
例えば、発光性化合物の介在層における含有率が、０質量％だけでなく、例えば、製造の工程で意図せずに混入した成分、又は原材料に不純物として含まれる成分が発光性化合物である場合、介在層がこれらの成分を含むことは、許容される。
例えば、介在層を構成する全ての材料が、材料Ａ、材料Ｂ及び材料Ｃである場合、材料Ａ、材料Ｂ及び材料Ｃの介在層における各々の含有率は、いずれも１０質量％以上であり、材料Ａ、材料Ｂ及び材料Ｃの合計含有率は１００質量％である。
以下では、介在層を「ノンドープ層」と称することがある。また、発光性化合物を含む層を「ドープ層」と称することがある。

一般的に、発光層を積層構成とした場合、Ｓｉｎｇｌｅｔ発光領域とＴＴＦ発光領域とが分離され易くなるため、発光効率を改善できるとされている。
本実施形態の有機ＥＬ素子において、発光領域中の第一の発光層と第二の発光層との間に介在層（ノンドープ層）が配置されている場合、Ｓｉｎｇｌｅｔ発光領域とＴＴＦ発光領域とが重なる領域が低減し、三重項励起子とキャリアとの衝突に起因するＴＴＦ効率の低下が抑制されることが期待される。つまり、発光層間への介在層（ノンドープ層）の挿入は、ＴＴＦ発光の効率向上に寄与すると考えられる。

介在層は、ノンドープ層である。
介在層は、金属原子を含まない。そのため、介在層は、金属錯体を含有しない。
介在層は、介在層材料を含む。介在層材料は、発光性化合物ではない。
介在層材料としては、発光性化合物以外の材料であれば、特に限定されない。
介在層材料としては、例えば、１）オキサジアゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、若しくはフェナントロリン誘導体等の複素環化合物、２）カルバゾール誘導体、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、ピレン誘導体、若しくはクリセン誘導体等の縮合芳香族化合物、３）トリアリールアミン誘導体、若しくは縮合多環芳香族アミン誘導体等の芳香族アミン化合物が挙げられる。

介在層材料は、第一のホスト材料及び第二のホスト材料の一方、又は両方のホスト材料を用いる事もできるが、Ｓｉｎｇｌｅｔ発光領域とＴＴＦ発光領域とを離間させ、Ｓｉｎｇｌｅｔ発光とＴＴＦ発光とを阻害しない材料であれば、特に制限されない。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、介在層は、当該介在層を構成する全ての材料の前記介在層における各々の含有率が、いずれも１０質量％以上である。
介在層は、当該介在層を構成する材料として前記介在層材料を含む。
介在層は、前記介在層材料を、介在層の全質量の６０質量％以上、含有することが好ましく、介在層の全質量の７０質量％以上、含有することがより好ましく、介在層の全質量の８０質量％以上、含有することがさらに好ましく、介在層の全質量の９０質量％以上、含有することがよりさらに好ましく、介在層の全質量の９５質量％以上、含有することがさらになお好ましい。
介在層は、介在層材料を１種のみ含んでもよいし、２種以上含んでもよい。
介在層が介在層材料を２種以上含有する場合、２種以上の介在層材料の合計含有率の上限は、１００質量％である。
なお、本実施形態は、介在層に、介在層材料以外の材料が含まれることを除外しない。

介在層は単層で構成されていてもよいし、二層以上積層されて構成されていてもよい。

介在層の膜厚は、Ｓｉｎｇｌｅｔ発光領域とＴＴＦ発光領域とが重なることを抑制できる形態であれば特に制限は無いが、１層あたり、３ｎｍ以上１５ｎｍ以下であることが好ましく、５ｎｍ以上１０ｎｍ以下であることがより好ましい。
介在層の膜厚が３ｎｍ以上であれば、Ｓｉｎｇｌｅｔ発光領域とＴＴＦ由来の発光領域とを分離しやすくなる。
介在層の膜厚が１５ｎｍ以下であれば、介在層のホスト材料が発光してしまう現象を抑制しやすくなる。

介在層は、当該介在層を構成する材料として介在層材料を含み、第一のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ１）と、第二のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ２）と、少なくとも１つの介在層材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｍ_ｍｉｄ）が、下記数式（数２１）の関係を満たすことが好ましい。
Ｔ_１（Ｈ２）≧Ｔ_１（Ｍ_ｍｉｄ）≧Ｔ_１（Ｈ１） …（数２１）

介在層が、当該介在層を構成する材料として介在層材料を２以上含む場合、第一のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ１）と、第二のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ２）と、各々の介在層材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｍ_ＥＡ）とが、下記数式（数２１Ａ）の関係を満たすことがより好ましい。
Ｔ_１（Ｈ２）≧Ｔ_１（Ｍ_ＥＡ）≧Ｔ_１（Ｈ１） …（数２１Ａ）

有機ＥＬ素子の構成についてさらに説明する。以下、符号の記載は省略することがある。

（基板）
基板は、有機ＥＬ素子の支持体として用いられる。基板としては、例えば、ガラス、石英、及びプラスチック等を用いることができる。また、可撓性基板を用いてもよい。可撓性基板とは、折り曲げることができる（フレキシブル）基板のことであり、例えば、プラスチック基板等が挙げられる。プラスチック基板を形成する材料としては、例えば、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルスルフォン、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリフッ化ビニル、ポリ塩化ビニル、ポリイミド、及びポリエチレンナフタレート等が挙げられる。また、無機蒸着フィルムを用いることもできる。

（陽極）
基板上に形成される陽極には、仕事関数の大きい（具体的には４．０ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。具体的には、例えば、酸化インジウム－酸化スズ（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、珪素もしくは酸化珪素を含有した酸化インジウム－酸化スズ、酸化インジウム－酸化亜鉛、酸化タングステン、および酸化亜鉛を含有した酸化インジウム、グラフェン等が挙げられる。この他、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、チタン（Ｔｉ）、または金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等が挙げられる。

これらの材料は、通常、スパッタリング法により成膜される。例えば、酸化インジウム－酸化亜鉛は、酸化インジウムに対し１質量％以上１０質量％以下の酸化亜鉛を加えたターゲットを用いることにより、スパッタリング法で形成することができる。また、例えば、酸化タングステン、および酸化亜鉛を含有した酸化インジウムは、酸化インジウムに対し酸化タングステンを０．５質量％以上５質量％以下、酸化亜鉛を０．１質量％以上１質量％以下含有したターゲットを用いることにより、スパッタリング法で形成することができる。その他、真空蒸着法、塗布法、インクジェット法、スピンコート法などにより作製してもよい。

陽極上に形成されるＥＬ層のうち、陽極に接して形成される正孔注入層は、陽極の仕事関数に関係なく正孔（ホール）注入が容易である複合材料を用いて形成されるため、電極材料として可能な材料（例えば、金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物、その他、元素周期表の第１族または第２族に属する元素も含む）を用いることができる。

仕事関数の小さい材料である、元素周期表の第１族または第２族に属する元素、すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、およびマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金（例えば、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属およびこれらを含む合金等を用いることもできる。なお、アルカリ金属、アルカリ土類金属、およびこれらを含む合金を用いて陽極を形成する場合には、真空蒸着法やスパッタリング法を用いることができる。さらに、銀ペーストなどを用いる場合には、塗布法やインクジェット法などを用いることができる。

（陰極）
陰極には、仕事関数の小さい（具体的には３．８ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。このような陰極材料の具体例としては、元素周期表の第１族または第２族に属する元素、すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、およびマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金（例えば、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属およびこれらを含む合金等が挙げられる。

なお、アルカリ金属、アルカリ土類金属、これらを含む合金を用いて陰極を形成する場合には、真空蒸着法やスパッタリング法を用いることができる。また、銀ペーストなどを用いる場合には、塗布法やインクジェット法などを用いることができる。

なお、電子注入層を設けることにより、仕事関数の大小に関わらず、Ａｌ、Ａｇ、ＩＴＯ、グラフェン、珪素もしくは酸化珪素を含有した酸化インジウム－酸化スズ等様々な導電性材料を用いて陰極を形成することができる。これらの導電性材料は、スパッタリング法やインクジェット法、スピンコート法等を用いて成膜することができる。

（正孔注入層）
正孔注入層は、正孔注入性の高い物質を含む層である。正孔注入性の高い物質としては、モリブデン酸化物、チタン酸化物、バナジウム酸化物、レニウム酸化物、ルテニウム酸化物、クロム酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフニウム酸化物、タンタル酸化物、銀酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等を用いることができる。

また、正孔注入性の高い物質としては、低分子の有機化合物である４，４’，４’’－トリス（Ｎ，Ｎ－ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’－トリス［Ｎ－（３－メチルフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’－ビス［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、４，４’－ビス（Ｎ－｛４－［Ｎ’－（３－メチルフェニル）－Ｎ’－フェニルアミノ］フェニル｝－Ｎ－フェニルアミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）、１，３，５－トリス［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］ベンゼン（略称：ＤＰＡ３Ｂ）、３－［Ｎ－（９－フェニルカルバゾール－３－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６－ビス［Ｎ－（９－フェニルカルバゾール－３－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３－［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－（９－フェニルカルバゾール－３－イル）アミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）等の芳香族アミン化合物等やジピラジノ［２，３－ｆ：２０，３０－ｈ］キノキサリン－２，３，６，７，１０，１１－ヘキサカルボニトリル（ＨＡＴ－ＣＮ）も挙げられる。

また、正孔注入性の高い物質としては、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）を用いることもできる。例えば、ポリ（Ｎ－ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）、ポリ（４－ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ－（４－｛Ｎ’－［４－（４－ジフェニルアミノ）フェニル］フェニル－Ｎ’－フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］（略称：ＰＴＰＤＭＡ）、ポリ［Ｎ，Ｎ’－ビス（４－ブチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ビス（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ－ＴＰＤ）などの高分子化合物が挙げられる。また、ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリアニリン／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＡｎｉ／ＰＳＳ）等の酸を添加した高分子化合物を用いることもできる。

（正孔輸送層）
正孔輸送層は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。正孔輸送層には、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、アントラセン誘導体等を使用する事ができる。具体的には、４，４’－ビス［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）やＮ，Ｎ’－ビス（３－メチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－［１，１’－ビフェニル］－４，４’－ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４－フェニル－４’－（９－フェニルフルオレン－９－イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＡＦＬＰ）、４，４’－ビス［Ｎ－（９，９－ジメチルフルオレン－２－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＦＬＤＰＢｉ）、４，４’，４’’－トリス（Ｎ，Ｎ－ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’－トリス［Ｎ－（３－メチルフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’－ビス［Ｎ－（スピロ－９，９’－ビフルオレン－２－イル）－Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）などの芳香族アミン化合物等を用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０^－６ｃｍ^２／（Ｖ・ｓ）以上の正孔移動度を有する物質である。

正孔輸送層には、ＣＢＰ、９－［４－（Ｎ－カルバゾリル）］フェニル－１０－フェニルアントラセン（ＣｚＰＡ）、９－フェニル－３－［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール（ＰＣｚＰＡ）のようなカルバゾール誘導体や、ｔ－ＢｕＤＮＡ、ＤＮＡ、ＤＰＡｎｔｈのようなアントラセン誘導体を用いても良い。ポリ（Ｎ－ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）やポリ（４－ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）等の高分子化合物を用いることもできる。

但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。なお、正孔輸送性の高い物質を含む層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。

（電子輸送層）
電子輸送層は、電子輸送性の高い物質を含む層である。電子輸送層には、１）アルミニウム錯体、ベリリウム錯体、亜鉛錯体等の金属錯体、２）イミダゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、アジン誘導体、カルバゾール誘導体、フェナントロリン誘導体等の複素芳香族化合物、３）高分子化合物を使用することができる。具体的には低分子の有機化合物として、Ａｌｑ、トリス（４－メチル－８－キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ_３）、ビス（１０－ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ_２）、ＢＡｌｑ、Ｚｎｑ、ＺｎＰＢＯ、ＺｎＢＴＺなどの金属錯体等を用いることができる。また、金属錯体以外にも、２－（４－ビフェニリル）－５－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３－ビス［５－（ｐｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール－２－イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ－７）、３－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－４－フェニル－５－（４－ビフェニリル）－１，２，４－トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、３－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－４－（４－エチルフェニル）－５－（４－ビフェニリル）－１，２，４－トリアゾール（略称：ｐ－ＥｔＴＡＺ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）、４，４’－ビス（５－メチルベンゾオキサゾール－２－イル）スチルベン（略称：ＢｚＯｓ）などの複素芳香族化合物も用いることができる。本実施態様においては、ベンゾイミダゾール化合物を好適に用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０^－６ｃｍ^２／（Ｖ・ｓ）以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔輸送性よりも電子輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を電子輸送層として用いてもよい。また、電子輸送層は、単層で構成されていてもよいし、上記物質からなる層が二層以上積層されて構成されていてもよい。

また、電子輸送層には、高分子化合物を用いることもできる。例えば、ポリ［（９，９－ジヘキシルフルオレン－２，７－ジイル）－ｃｏ－（ピリジン－３，５－ジイル）］（略称：ＰＦ－Ｐｙ）、ポリ［（９，９－ジオクチルフルオレン－２，７－ジイル）－ｃｏ－（２，２’－ビピリジン－６，６’－ジイル）］（略称：ＰＦ－ＢＰｙ）などを用いることができる。

（電子注入層）
電子注入層は、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入層には、リチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）、カルシウム（Ｃａ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ_２）、リチウム酸化物（ＬｉＯｘ）等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を用いることができる。その他、電子輸送性を有する物質にアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を含有させたもの、具体的にはＡｌｑ中にマグネシウム（Ｍｇ）を含有させたもの等を用いてもよい。なお、この場合には、陰極からの電子注入をより効率良く行うことができる。

あるいは、電子注入層に、有機化合物と電子供与体（ドナー）とを混合してなる複合材料を用いてもよい。このような複合材料は、電子供与体によって有機化合物に電子が発生するため、電子注入性および電子輸送性に優れている。この場合、有機化合物としては、発生した電子の輸送に優れた材料であることが好ましく、具体的には、例えば上述した電子輸送層を構成する物質（金属錯体や複素芳香族化合物等）を用いることができる。電子供与体としては、有機化合物に対し電子供与性を示す物質であればよい。具体的には、アルカリ金属やアルカリ土類金属や希土類金属が好ましく、リチウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、エルビウム、イッテルビウム等が挙げられる。また、アルカリ金属酸化物やアルカリ土類金属酸化物が好ましく、リチウム酸化物、カルシウム酸化物、バリウム酸化物等が挙げられる。また、酸化マグネシウムのようなルイス塩基を用いることもできる。また、テトラチアフルバレン（略称：ＴＴＦ）等の有機化合物を用いることもできる。

（層形成方法）
本実施形態の有機ＥＬ素子の各層の形成方法としては、上記で特に言及した以外には制限されないが、真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマ法、イオンプレーティング法などの乾式成膜法や、スピンコーティング法、ディッピング法、フローコーティング法、インクジェット法などの湿式成膜法などの公知の方法を採用することができる。

（膜厚）
本実施形態の有機ＥＬ素子の各有機層の膜厚は、上記で特に言及した場合を除いて限定されない。一般に、膜厚が薄すぎるとピンホール等の欠陥が生じやすく、膜厚が厚すぎると高い印加電圧が必要となり効率が悪くなるため、通常、有機ＥＬ素子の各有機層の膜厚は、数ｎｍから１μｍの範囲が好ましい。

（有機ＥＬ素子の発光波長）
本実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子は、素子駆動時に最大ピーク波長が５００ｎｍ以下の光を放射することが好ましい。
本実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子は、素子駆動時に最大ピーク波長が、４３０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の光を放射することがより好ましい。
素子駆動時に有機ＥＬ素子が放射する光の最大ピーク波長の測定は、以下のようにして行う。電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ^２となるように有機ＥＬ素子に電圧を印加した時の分光放射輝度スペクトルを分光放射輝度計ＣＳ－２０００（コニカミノルタ社製）で計測する。得られた分光放射輝度スペクトルにおいて、発光強度が最大となる発光スペクトルのピーク波長を測定し、これを最大ピーク波長（単位：ｎｍ）とする。

（第二のホスト材料及び第三のホスト材料）
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第二のホスト材料は、第一のホスト材料とは、異なる化合物であって、前記数式（数１）の関係を満たす化合物であれば特に限定されない。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第三のホスト材料は、前記数式（数４０）の関係を満たす化合物であれば特に限定されない。
第二のホスト材料及び第三のホスト材料は、それぞれ独立に、例えば、下記一般式（１）、一般式（１Ｘ）、一般式（１２Ｘ）、一般式（１３Ｘ）、一般式（１４Ｘ）、一般式（１５Ｘ）及び一般式（１６Ｘ）で表される化合物からなる群から選択されるいずれかの化合物であることも好ましい。

（一般式（１）で表される化合物）
本実施形態において、第二のホスト材料は、例えば、下記一般式（１）で表される化合物であることも好ましい。

（前記一般式（１）において、
Ｒ_１０１～Ｒ_１１０は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ_８０１で表される基、
－ＣＯＯＲ_８０２で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基、又は
前記一般式（１１）で表される基であり、
ただし、Ｒ_１０１～Ｒ_１１０の少なくとも１つは、前記一般式（１１）で表される基であり、
前記一般式（１１）で表される基が複数存在する場合、複数の前記一般式（１１）で表される基は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｌ_１０１は、
単結合、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の２価の複素環基であり、
Ａｒ_１０１は、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
ｍｘは、０、１、２、３、４又は５であり、
Ｌ_１０１が２以上存在する場合、２以上のＬ_１０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
Ａｒ_１０１が２以上存在する場合、２以上のＡｒ_１０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
前記一般式（１１）中の＊は、前記一般式（１）中のピレン環との結合位置を示す。）

（第一のホスト材料に係る化合物中、Ｒ_９０１、Ｒ_９０２、Ｒ_９０３、Ｒ_９０４、Ｒ_９０５、Ｒ_９０６、Ｒ_９０７、Ｒ_８０１及びＲ_８０２は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
Ｒ_９０１が複数存在する場合、複数のＲ_９０１は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_９０２が複数存在する場合、複数のＲ_９０２は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_９０３が複数存在する場合、複数のＲ_９０３は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_９０４が複数存在する場合、複数のＲ_９０４は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_９０５が複数存在する場合、複数のＲ_９０５は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_９０６が複数存在する場合、複数のＲ_９０６は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_９０７が複数存在する場合、複数のＲ_９０７は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_８０１が複数存在する場合、複数のＲ_８０１は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_８０２が複数存在する場合、複数のＲ_８０２は、互いに同一であるか又は異なる。）

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記一般式（１１）で表される基は、下記一般式（１１１）で表される基であることが好ましい。

（前記一般式（１１１）において、
Ｘ_１は、ＣＲ_１２３Ｒ_１２４、酸素原子、硫黄原子、又はＮＲ_１２５であり、
Ｌ_１１１及びＬ_１１２は、それぞれ独立に、
単結合、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の２価の複素環基であり、
ｍａは、０、１、２、３又は４であり、
ｍｂは、０、１、２、３又は４であり、
ｍａ＋ｍｂは、０、１、２、３又は４であり、
Ａｒ_１０１は、前記一般式（１１）におけるＡｒ_１０１と同義であり、
Ｒ_１２１、Ｒ_１２２、Ｒ_１２３、Ｒ_１２４及びＲ_１２５は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ_８０１で表される基、
－ＣＯＯＲ_８０２で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
ｍｃは、３であり、
３つのＲ_１２１は、互いに同一であるか、又は異なり、
ｍｄは、３であり、
３つのＲ_１２２は、互いに同一であるか、又は異なる。）

前記一般式（１１１）で表される基における下記一般式（１１１ａ）で表される環構造中の炭素原子＊１～＊８の位置のうち、＊１～＊４のいずれか１つの位置にＬ_１１１が結合し、＊１～＊４の残りの３つの位置にＲ_１２１が結合し、＊５～＊８のいずれか１つの位置にＬ_１１２が結合し、＊５～＊８の残りの３つの位置にＲ_１２２が結合する。

例えば、前記一般式（１１１）で表される基において、Ｌ_１１１が前記一般式（１１１ａ）で表される環構造中の＊２の炭素原子の位置に結合し、Ｌ_１１２が前記一般式（１１１ａ）で表される環構造中の＊７の炭素原子の位置に結合する場合、前記一般式（１１１）で表される基は、下記一般式（１１１ｂ）で表される。

（前記一般式（１１１ｂ）において、
Ｘ_１、Ｌ_１１１、Ｌ_１１２、ｍａ、ｍｂ、Ａｒ_１０１、Ｒ_１２１、Ｒ_１２２、Ｒ_１２３、Ｒ_１２４及びＲ_１２５は、それぞれ独立に、前記一般式（１１１）におけるＸ_１、Ｌ_１１１、Ｌ_１１２、ｍａ、ｍｂ、Ａｒ_１０１、Ｒ_１２１、Ｒ_１２２、Ｒ_１２３、Ｒ_１２４及びＲ_１２５と同義であり、
複数のＲ_１２１は、互いに同一であるか、又は異なり、
複数のＲ_１２２は、互いに同一であるか、又は異なる。）

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記一般式（１１１）で表される基は、前記一般式（１１１ｂ）で表される基であることが好ましい。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、ｍａは、０、１又は２であり、ｍｂは、０、１又は２である、ことが好ましい。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、ｍａは、０又は１であり、ｍｂは、０又は１であることが好ましい。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、Ａｒ_１０１は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基であることが好ましい。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、Ａｒ_１０１は、置換もしくは無置換のフェニル基、置換もしくは無置換のナフチル基、置換もしくは無置換のビフェニル基、置換もしくは無置換のターフェニル基、置換もしくは無置換のピレニル基、置換もしくは無置換のフェナントリル基、又は置換もしくは無置換のフルオレニル基であることが好ましい。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、Ａｒ_１０１は、下記一般式（１２）、一般式（１３）又は一般式（１４）で表される基であることも好ましい。

（前記一般式（１２）、一般式（１３）及び一般式（１４）において、
Ｒ_１１１～Ｒ_１２０は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）で表される基、
置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ_１２４で表される基、
－ＣＯＯＲ_１２５で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
前記一般式（１２）、一般式（１３）及び一般式（１４）中の＊は、前記一般式（１１）中のＬ_１０１との結合位置、又は前記一般式（１１１）もしくは一般式（１１１ｂ）中のＬ_１１２との結合位置を示す。）

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記一般式（１）で表される化合物は、下記一般式（１０１）で表されることが好ましい。

（前記一般式（１０１）において、
Ｒ_１０１～Ｒ_１２０は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ_８０１で表される基、
－ＣＯＯＲ_８０２で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
ただし、Ｒ_１０１～Ｒ_１１０のうち１つがＬ_１０１との結合位置を示し、Ｒ_１１１～Ｒ_１２０のうち１つがＬ_１０１との結合位置を示し、
Ｌ_１０１は、
単結合、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の２価の複素環基であり、
ｍｘは、０、１、２、３、４又は５であり、
Ｌ_１０１が２以上存在する場合、２以上のＬ_１０１は、互いに同一であるか、又は異なる。）

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、Ｌ_１０１は、単結合、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基であることが好ましい。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記第一の化合物は、下記一般式（１０２）で表されることが好ましい。

（前記一般式（１０２）において、
Ｒ_１０１～Ｒ_１２０は、それぞれ独立に、前記一般式（１０１）におけるＲ_１０１～Ｒ_１２０と同義であり、
ただし、Ｒ_１０１～Ｒ_１１０のうち１つがＬ_１１１との結合位置を示し、Ｒ_１１１～Ｒ_１２０のうち１つがＬ_１１２との結合位置を示し、
Ｘ_１は、ＣＲ_１２３Ｒ_１２４、酸素原子、硫黄原子、又はＮＲ_１２５であり、
Ｌ_１１１及びＬ_１１２は、それぞれ独立に、
単結合、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の２価の複素環基であり、
ｍａは、０、１、２、３又は４であり、
ｍｂは、０、１、２、３又は４であり、
ｍａ＋ｍｂは、０、１、２、３又は４であり、
Ｒ_１２１、Ｒ_１２２、Ｒ_１２３、Ｒ_１２４及びＲ_１２５は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ_８０１で表される基、
－ＣＯＯＲ_８０２で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
ｍｃは、３であり、
３つのＲ_１２１は、互いに同一であるか、又は異なり、
ｍｄは、３であり、
３つのＲ_１２２は、互いに同一であるか、又は異なる。）

前記一般式（１０２）で表される化合物において、ｍａは、０、１又は２であり、
ｍｂは、０、１又は２であることが好ましい。

前記一般式（１０２）で表される化合物において、ｍａは、０又は１であり、ｍｂは、０又は１であることが好ましい。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、Ｒ_１０１～Ｒ_１１０のうち２つ以上が、前記一般式（１１）で表される基であることが好ましい。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、Ｒ_１０１～Ｒ_１１０のうち２つ以上が、前記一般式（１１）で表される基であり、かつ、Ａｒ_１０１は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基であることが好ましい。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、Ａｒ_１０１は、置換もしくは無置換のピレニル基ではなく、Ｌ_１０１は、置換もしくは無置換のピレニレン基ではなく、前記一般式（１１）で表される基ではないＲ_１０１～Ｒ_１１０としての置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基は、置換もしくは無置換のピレニル基ではないことが好ましい。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、
前記一般式（１１）で表される基ではないＲ_１０１～Ｒ_１１０は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であることが好ましい。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記一般式（１１）で表される基ではないＲ_１０１～Ｒ_１１０は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基であることが好ましい。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記一般式（１１）で表される基ではないＲ_１０１～Ｒ_１１０は、水素原子であることが好ましい。

（一般式（１Ｘ）で表される化合物）
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第二のホスト材料は、下記一般式（１Ｘ）で表される化合物であることも好ましい。

（前記一般式（１Ｘ）において、
Ｒ_１０１～Ｒ_１１２は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ_８０１で表される基、
－ＣＯＯＲ_８０２で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基、又は
前記一般式（１１Ｘ）で表される基であり、
ただし、Ｒ_１０１～Ｒ_１１２の少なくとも１つは、前記一般式（１１Ｘ）で表される基であり、
前記一般式（１１Ｘ）で表される基が複数存在する場合、複数の前記一般式（１１Ｘ）で表される基は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｌ_１０１は、
単結合、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の２価の複素環基であり、
Ａｒ_１０１は、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
ｍｘは、１、２、３、４又は５であり、
Ｌ_１０１が２以上存在する場合、２以上のＬ_１０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
Ａｒ_１０１が２以上存在する場合、２以上のＡｒ_１０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
前記一般式（１１Ｘ）中の＊は、前記一般式（１Ｘ）中のベンズ［ａ］アントラセン環との結合位置を示す。）

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記一般式（１１Ｘ）で表される基は、下記一般式（１１１Ｘ）で表される基であることが好ましい。

（前記一般式（１１１Ｘ）において、
Ｘ_１は、ＣＲ_１４３Ｒ_１４４、酸素原子、硫黄原子、又はＮＲ_１４５であり、
Ｌ_１１１及びＬ_１１２は、それぞれ独立に、
単結合、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の２価の複素環基であり、
ｍａは、１、２、３又は４であり、
ｍｂは、１、２、３又は４であり、
ｍａ＋ｍｂは、２、３又は４であり、
Ａｒ_１０１は、前記一般式（１１Ｘ）におけるＡｒ_１０１と同義であり、
Ｒ_１４１、Ｒ_１４２、Ｒ_１４３、Ｒ_１４４及びＲ_１４５は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ_８０１で表される基、
－ＣＯＯＲ_８０２で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
ｍｃは、３であり、
３つのＲ_１４１は、互いに同一であるか、又は異なり、
ｍｄは、３であり、
３つのＲ_１４２は、互いに同一であるか、又は異なる。）

前記一般式（１１１Ｘ）で表される基における下記一般式（１１１ａＸ）で表される環構造中の炭素原子＊１～＊８の位置のうち、＊１～＊４のいずれか１つの位置にＬ_１１１が結合し、＊１～＊４の残りの３つの位置にＲ_１４１が結合し、＊５～＊８のいずれか１つの位置にＬ_１１２が結合し、＊５～＊８の残りの３つの位置にＲ_１４２が結合する。

例えば、前記一般式（１１１Ｘ）で表される基において、Ｌ_１１１が前記一般式（１１１ａＸ）で表される環構造中の＊２の炭素原子の位置に結合し、Ｌ_１１２が前記一般式（１１１ａＸ）で表される環構造中の＊７の炭素原子の位置に結合する場合、前記一般式（１１１Ｘ）で表される基は、下記一般式（１１１ｂＸ）で表される。

（前記一般式（１１１ｂＸ）において、
Ｘ_１、Ｌ_１１１、Ｌ_１１２、ｍａ、ｍｂ、Ａｒ_１０１、Ｒ_１４１、Ｒ_１４２、Ｒ_１４３、Ｒ_１４４及びＲ_１４５は、それぞれ独立に、前記一般式（１１１Ｘ）におけるＸ_１、Ｌ_１１１、Ｌ_１１２、ｍａ、ｍｂ、Ａｒ_１０１、Ｒ_１４１、Ｒ_１４２、Ｒ_１４３、Ｒ_１４４及びＲ_１４５と同義であり、
複数のＲ_１４１は、互いに同一であるか、又は異なり、
複数のＲ_１４２は、互いに同一であるか、又は異なる。）

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記一般式（１１１Ｘ）で表される基は、前記一般式（１１１ｂＸ）で表される基であることが好ましい。

前記一般式（１Ｘ）で表される化合物において、ｍａは、１又は２であり、ｍｂは、１又は２であることが好ましい。

前記一般式（１Ｘ）で表される化合物において、ｍａは、１であり、ｍｂは、１であることが好ましい。

前記一般式（１Ｘ）で表される化合物において、Ａｒ_１０１は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基であることが好ましい。

前記一般式（１Ｘ）で表される化合物において、Ａｒ_１０１は、
置換もしくは無置換のフェニル基、
置換もしくは無置換のナフチル基、
置換もしくは無置換のビフェニル基、
置換もしくは無置換のターフェニル基、
置換もしくは無置換のベンズ［ａ］アントリル基、
置換もしくは無置換のピレニル基、
置換もしくは無置換のフェナントリル基、又は
置換もしくは無置換のフルオレニル基であることが好ましい。

前記一般式（１Ｘ）で表される化合物は、下記一般式（１０１Ｘ）で表されることも好ましい。

（前記一般式（１０１Ｘ）において、
Ｒ_１１１及びＲ_１１２のうち１つがＬ_１０１との結合位置を示し、Ｒ_１３３及びＲ_１３４のうち１つがＬ_１０１との結合位置を示し、
Ｒ_１０１～Ｒ_１１０、Ｒ_１２１～Ｒ_１３０、Ｌ_１０１との結合位置ではないＲ_１１１又はＲ_１１２、並びにＬ_１０１との結合位置ではないＲ_１３３又はＲ_１３４は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ_８０１で表される基、
－ＣＯＯＲ_８０２で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
Ｌ_１０１は、
単結合、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の２価の複素環基であり、
ｍｘは、１、２、３、４又は５であり、
Ｌ_１０１が２以上存在する場合、２以上のＬ_１０１は、互いに同一であるか、又は異なる。）

前記一般式（１Ｘ）で表される化合物において、Ｌ_１０１は、単結合、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基であることが好ましい。

前記一般式（１Ｘ）で表される化合物は、下記一般式（１０２Ｘ）で表されることも好ましい。

（前記一般式（１０２Ｘ）において、
Ｒ_１１１及びＲ_１１２のうち１つがＬ_１１１との結合位置を示し、Ｒ_１３３及びＲ_１３４のうち１つがＬ_１１２との結合位置を示し、
Ｒ_１０１～Ｒ_１１０、Ｒ_１２１～Ｒ_１３０、Ｌ_１１１との結合位置ではないＲ_１１１又はＲ_１１２並びにＬ_１１２との結合位置ではないＲ_１３３又はＲ_１３４は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ_８０１で表される基、
－ＣＯＯＲ_８０２で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
Ｘ_１は、ＣＲ_１４３Ｒ_１４４、酸素原子、硫黄原子、又はＮＲ_１４５であり、
Ｌ_１１１及びＬ_１１２は、それぞれ独立に、
単結合、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の２価の複素環基であり、
ｍａは、１、２、３又は４であり、
ｍｂは、１、２、３又は４であり、
ｍａ＋ｍｂは、２、３、４又は５であり、
Ｒ_１４１、Ｒ_１４２、Ｒ_１４３、Ｒ_１４４及びＲ_１４５は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ_８０１で表される基、
－ＣＯＯＲ_８０２で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
ｍｃは、３であり、
３つのＲ_１４１は、互いに同一であるか、又は異なり、
ｍｄは、３であり、
３つのＲ_１４２は、互いに同一であるか、又は異なる。）

前記一般式（１Ｘ）で表される化合物において、前記一般式（１０２Ｘ）中のｍａは、１又は２であり、ｍｂは、１又は２であることが好ましい。

前記一般式（１Ｘ）で表される化合物において、前記一般式（１０２Ｘ）中のｍａは、１であり、ｍｂは、１であることが好ましい。

前記一般式（１Ｘ）で表される化合物において、前記一般式（１１Ｘ）で表される基は、下記一般式（１１ＡＸ）で表される基、又は下記一般式（１１ＢＸ）で表される基であることも好ましい。

（前記一般式（１１ＡＸ）及び前記一般式（１１ＢＸ）において、
Ｒ_１２１～Ｒ_１３１は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ_８０１で表される基、
－ＣＯＯＲ_８０２で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
前記一般式（１１ＡＸ）で表される基が複数存在する場合、複数の前記一般式（１１ＡＸ）で表される基は、互いに同一であるか又は異なり、
前記一般式（１１ＢＸ）で表される基が複数存在する場合、複数の前記一般式（１１ＢＸ）で表される基は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｌ_１３１及びＬ_１３２は、それぞれ独立に、
単結合、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の２価の複素環基であり、
前記一般式（１１ＡＸ）及び前記一般式（１１ＢＸ）中の＊は、それぞれ、前記一般式（１Ｘ）中のベンズ［ａ］アントラセン環との結合位置を示す。）

前記一般式（１Ｘ）で表される化合物は、下記一般式（１０３Ｘ）で表されることも好ましい。

（前記一般式（１０３Ｘ）において、
Ｒ_１０１～Ｒ_１１０並びにＲ_１１２は、それぞれ、前記一般式（１Ｘ）におけるＲ_１０１～Ｒ_１１０並びにＲ_１１２と同義であり、
Ｒ_１２１～Ｒ_１３１、Ｌ_１３１及びＬ_１３２は、それぞれ、前記一般式（１１ＢＸ）におけるＲ_１２１～Ｒ_１３１、Ｌ_１３１及びＬ_１３２と同義である。）

前記一般式（１Ｘ）で表される化合物において、Ｌ_１３１は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基であることも好ましい。

前記一般式（１Ｘ）で表される化合物において、Ｌ_１３２は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基であることも好ましい。

前記一般式（１Ｘ）で表される化合物において、Ｒ_１０１～Ｒ_１１２のうち２つ以上が、前記一般式（１１）で表される基であることも好ましい。

本前記一般式（１Ｘ）で表される化合物において、Ｒ_１０１～Ｒ_１１２のうち２つ以上が、前記一般式（１１Ｘ）で表される基であり、一般式（１１Ｘ）中のＡｒ_１０１は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基であることが好ましい。

前記一般式（１Ｘ）で表される化合物において、
Ａｒ_１０１は、置換もしくは無置換のベンズ［ａ］アントリル基ではなく、
Ｌ_１０１は、置換もしくは無置換のベンズ［ａ］アントリレン基ではなく、
前記一般式（１１Ｘ）で表される基ではないＲ_１０１～Ｒ_１１０としての置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基は、置換もしくは無置換のベンズ［ａ］アントリル基ではないことも好ましい。

前記一般式（１Ｘ）で表される化合物において、前記一般式（１１Ｘ）で表される基ではないＲ_１０１～Ｒ_１１２は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であることが好ましい。

前記一般式（１Ｘ）で表される化合物において、前記一般式（１１Ｘ）で表される基ではないＲ_１０１～Ｒ_１１２は、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基であることが好ましい。

前記一般式（１Ｘ）で表される化合物において、前記一般式（１１Ｘ）で表される基ではないＲ_１０１～Ｒ_１１２は、水素原子であることが好ましい。

（一般式（１２Ｘ）で表される化合物）
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第二のホスト材料は、下記一般式（１２Ｘ）で表される化合物であることも好ましい。

（前記一般式（１２Ｘ）において、
Ｒ_１２０１～Ｒ_１２１０のうちの隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、
互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、又は
互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成し、
前記置換もしくは無置換の単環を形成せず、かつ及び前記置換もしくは無置換の縮合環を形成しないＲ_１２０１～Ｒ_１２１０は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ_８０１で表される基、
－ＣＯＯＲ_８０２で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基、又は
前記一般式（１２１）で表される基であり、
ただし、前記置換もしくは無置換の単環が置換基を有する場合の当該置換基、前記置換もしくは無置換の縮合環が置換基を有する場合の当該置換基、並びにＲ_１２０１～Ｒ_１２１０の少なくとも１つが、前記一般式（１２１）で表される基であり、
前記一般式（１２１）で表される基が複数存在する場合、複数の前記一般式（１２１）で表される基は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｌ_１２０１は、
単結合、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の２価の複素環基であり、
Ａｒ_１２０１は、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
ｍｘ２は、０、１、２、３、４又は５であり、
Ｌ_１２０１が２以上存在する場合、２以上のＬ_１２０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
Ａｒ_１２０１が２以上存在する場合、２以上のＡｒ_１２０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
前記一般式（１２１）中の＊は、前記一般式（１２Ｘ）で表される環との結合位置を示す。）

前記一般式（１２Ｘ）において、Ｒ_１２０１～Ｒ_１２１０のうちの隣接する２つからなる組とは、Ｒ_１２０１とＲ_１２０２との組、Ｒ_１２０２とＲ_１２０３との組、Ｒ_１２０３とＲ_１２０４との組、Ｒ_１２０４とＲ_１２０５との組、Ｒ_１２０５とＲ_１２０６との組、Ｒ_１２０７とＲ_１２０８との組、Ｒ_１２０８とＲ_１２０９との組、並びにＲ_１２０９とＲ_１２１０との組である。

（一般式（１３Ｘ）で表される化合物）
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第二のホスト材料は、下記一般式（１３Ｘ）で表される化合物であることも好ましい。

（前記一般式（１３Ｘ）において、
Ｒ_１３０１～Ｒ_１３１０は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ_８０１で表される基、
－ＣＯＯＲ_８０２で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基、又は
前記一般式（１３１）で表される基であり、
ただし、Ｒ_１３０１～Ｒ_１３１０の少なくとも１つは、前記一般式（１３１）で表される基であり、
前記一般式（１３１）で表される基が複数存在する場合、複数の前記一般式（１３１）で表される基は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｌ_１３０１は、
単結合、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の２価の複素環基であり、
Ａｒ_１３０１は、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
ｍｘ３は、０、１、２、３、４又は５であり、
Ｌ_１３０１が２以上存在する場合、２以上のＬ_１３０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
Ａｒ_１３０１が２以上存在する場合、２以上のＡｒ_１３０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
前記一般式（１３１）中の＊は、前記一般式（１３Ｘ）中のフルオランテン環との結合位置を示す。）

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記一般式（１３１）で表される基ではないＲ_１３０１～Ｒ_１３１０のうち隣接する２つ以上からなる組は、いずれも、互いに結合しない。前記一般式（１３Ｘ）において隣接する２つからなる組とは、Ｒ_１３０１とＲ_１３０２との組、Ｒ_１３０２とＲ_１３０３との組、Ｒ_１３０３とＲ_１３０４との組、Ｒ_１３０４とＲ_１３０５との組、Ｒ_１３０５とＲ_１３０６との組、Ｒ_１３０７とＲ_１３０８との組、Ｒ_１３０８とＲ_１３０９との組、並びにＲ_１３０９とＲ_１３１０との組である。

（一般式（１４Ｘ）で表される化合物）
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第二のホスト材料は、下記一般式（１４Ｘ）で表される化合物であることも好ましい。

（前記一般式（１４Ｘ）において、
Ｒ_１４０１～Ｒ_１４１０は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ_８０１で表される基、
－ＣＯＯＲ_８０２で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基、又は
前記一般式（１４１）で表される基であり、
ただし、Ｒ_１４０１～Ｒ_１４１０の少なくとも１つは、前記一般式（１４１）で表される基であり、
前記一般式（１４１）で表される基が複数存在する場合、複数の前記一般式（１４１）で表される基は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｌ_１４０１は、
単結合、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の２価の複素環基であり、
Ａｒ_１４０１は、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
ｍｘ４は、０、１、２、３、４又は５であり、
Ｌ_１４０１が２以上存在する場合、２以上のＬ_１４０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
Ａｒ_１４０１が２以上存在する場合、２以上のＡｒ_１４０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
前記一般式（１４１）中の＊は、前記一般式（１４Ｘ）で表される環との結合位置を示す。）

（一般式（１５Ｘ）で表される化合物）
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第二のホスト材料は、下記一般式（１５Ｘ）で表される化合物であることも好ましい。

（前記一般式（１５Ｘ）において、
Ｒ_１５０１～Ｒ_１５１４は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ_８０１で表される基、
－ＣＯＯＲ_８０２で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基、又は
前記一般式（１５１）で表される基であり、
ただし、Ｒ_１５０１～Ｒ_１５１４の少なくとも１つは、前記一般式（１５１）で表される基であり、
前記一般式（１５１）で表される基が複数存在する場合、複数の前記一般式（１５１）で表される基は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｌ_１５０１は、
単結合、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の２価の複素環基であり、
Ａｒ_１５０１は、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
ｍｘ５は、０、１、２、３、４又は５であり、
Ｌ_１５０１が２以上存在する場合、２以上のＬ_１５０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
Ａｒ_１５０１が２以上存在する場合、２以上のＡｒ_１５０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
前記一般式（１５１）中の＊は、前記一般式（１５Ｘ）で表される環との結合位置を示す。）

（一般式（１６Ｘ）で表される化合物）
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第二のホスト材料は、下記一般式（１６Ｘ）で表される化合物であることも好ましい。

（前記一般式（１６Ｘ）において、
Ｒ_１６０１～Ｒ_１６１４は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ_８０１で表される基、
－ＣＯＯＲ_８０２で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基、又は
前記一般式（１６１）で表される基であり、
ただし、Ｒ_１６０１～Ｒ_１６１４の少なくとも１つは、前記一般式（１６１）で表される基であり、
前記一般式（１６１）で表される基が複数存在する場合、複数の前記一般式（１６１）で表される基は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｌ_１６０１は、
単結合、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の２価の複素環基であり、
Ａｒ_１６０１は、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
ｍｘ６は、０、１、２、３、４又は５であり、
Ｌ_１６０１が２以上存在する場合、２以上のＬ_１６０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
Ａｒ_１６０１が２以上存在する場合、２以上のＡｒ_１６０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
前記一般式（１６１）中の＊は、前記一般式（１６Ｘ）で表される環との結合位置を示す。）

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第二のホスト材料は、分子中に、単結合で連結されたベンゼン環とナフタレン環とを含む連結構造を有し、当該連結構造中のベンゼン環及びナフタレン環には、それぞれ独立に、さらに単環又は縮合環が縮合しているか又は縮合しておらず、当該連結構造中のベンゼン環とナフタレン環とが、当該単結合以外の少なくとも１つの部分において架橋によりさらに連結していることも好ましい。
第二のホスト材料が、このような架橋を含んだ連結構造を有していることにより、有機ＥＬ素子の色度悪化の抑制が期待できる。
この場合の第二のホスト材料は、分子中に、下記式（Ｘ１）又は式（Ｘ２）で表されるような、単結合で連結されたベンゼン環とナフタレン環とを含む連結構造（ベンゼン－ナフタレン連結構造と称する場合がある。）を最小単位として有していればよく、当該ベンゼン環にさらに単環又は縮合環が縮合していてもよいし、当該ナフタレン環にさらに単環又は縮合環が縮合していてもよい。例えば、第二のホスト材料が、分子中に、下記式（Ｘ３）、式（Ｘ４）、又は式（Ｘ５）で表されるような、単結合で連結されたナフタレン環とナフタレン環とを含む連結構造（ナフタレン－ナフタレン連結構造と称する場合がある。）においても、一方のナフタレン環は、ベンゼン環を含んでいるため、ベンゼン－ナフタレン連結構造を含んでいることになる。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記架橋が二重結合を含むことも好ましい。すなわち、前記ベンゼン環と前記ナフタレン環とが、単結合以外の部分において二重結合を含む架橋構造によりさらに連結した構造を有することも好ましい。

ベンゼン－ナフタレン連結構造中のベンゼン環とナフタレン環とが、単結合以外の少なくとも１つの部分において架橋によりさらに連結すると、例えば、前記式（Ｘ１）の場合、下記式（Ｘ１１）で表される連結構造（縮合環）になり、前記式（Ｘ３）の場合、下記式（Ｘ３１）で表される連結構造（縮合環）になる。
ベンゼン－ナフタレン連結構造中のベンゼン環とナフタレン環とが、単結合以外の部分において二重結合を含む架橋によりさらに連結すると、例えば、前記式（Ｘ１）の場合、下記式（Ｘ１２）で表される連結構造（縮合環）になり、前記式（Ｘ２）の場合、下記式（Ｘ２１）又は式（Ｘ２２）で表される連結構造（縮合環）になり、前記式（Ｘ４）の場合、下記式（Ｘ４１）で表される連結構造（縮合環）になり、前記式（Ｘ５）の場合、下記式（Ｘ５１）で表される連結構造（縮合環）になる。
ベンゼン－ナフタレン連結構造中のベンゼン環とナフタレン環とが、単結合以外の少なくとも１つの部分においてヘテロ原子（例えば、酸素原子）を含む架橋によりさらに連結すると、例えば、前記式（Ｘ１）の場合、下記式（Ｘ１３）で表される連結構造（縮合環）になる。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第二のホスト材料は、分子中に、第一のベンゼン環と第二のベンゼン環とが単結合で連結されたビフェニル構造を有し、当該ビフェニル構造中の第一のベンゼン環と第二のベンゼン環とが、当該単結合以外の少なくとも１つの部分において架橋によりさらに連結していることも好ましい。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記ビフェニル構造中の第一のベンゼン環と第二のベンゼン環とが、前記単結合以外の１つの部分において前記架橋によりさらに連結していることも好ましい。第二のホスト材料が、このような架橋を含んだビフェニル構造を有していることにより、有機ＥＬ素子の色度悪化の抑制が期待できる。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記架橋が二重結合を含むことも好ましい。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記架橋が二重結合を含まないことも好ましい。

前記ビフェニル構造中の第一のベンゼン環と第二のベンゼン環とが、前記単結合以外の２つの部分において前記架橋によりさらに連結していることも好ましい。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記ビフェニル構造中の第一のベンゼン環と第二のベンゼン環とが、前記単結合以外の２つの部分において前記架橋によりさらに連結し、前記架橋が二重結合を含まないことも好ましい。第二のホスト材料が、このような架橋を含んだビフェニル構造を有していることにより、有機ＥＬ素子の色度悪化の抑制が期待できる。

例えば、下記式（ＢＰ１）で表される前記ビフェニル構造中の第一のベンゼン環と第二のベンゼン環とが、単結合以外の少なくとも１つの部分において架橋によりさらに連結すると、当該ビフェニル構造は、下記式（ＢＰ１１）～（ＢＰ１５）等の連結構造（縮合環）になる。

前記式（ＢＰ１１）は、前記単結合以外の１つの部分において二重結合を含まない架橋によって連結した構造である。
前記式（ＢＰ１２）は、前記単結合以外の１つの部分において二重結合を含む架橋によって連結した構造である。
前記式（ＢＰ１３）は、前記単結合以外の２つの部分において二重結合を含まない架橋によって連結した構造である。
前記式（ＢＰ１４）は、前記単結合以外の２つの部分の一方において二重結合を含まない架橋によって連結し、前記単結合以外の２つの部分の他方において二重結合を含む架橋によって連結した構造である。
前記式（ＢＰ１５）は、前記単結合以外の２つの部分において二重結合を含む架橋によって連結した構造である。

第一のホスト材料及び第二のホスト材料において、「置換もしくは無置換」と記載された基は、いずれも「無置換」の基であることが好ましい。

（第二のホスト材料及び第三のホスト材料の製造方法）
第二のホスト材料及び第三のホスト材料としての化合物は、公知の方法により製造できる。また、第二のホスト材料及び第三のホスト材料としての化合物は、公知の方法に倣い、目的物に合わせた既知の代替反応及び原料を用いることによっても、製造できる。

（第二のホスト材料及び第三のホスト材料としての化合物の具体例）
第二のホスト材料及び第三のホスト材料としての化合物の具体例としては、例えば、以下の化合物挙げられる。ただし、本発明は、これら化合物の具体例に限定されない。
本明細書において、化合物の具体例中、Ｄは、重水素原子を示し、Ｍｅは、メチル基を示し、ｔＢｕは、ｔｅｒｔ－ブチル基を示す。

（第一の発光性化合物、第二の発光性化合物、及び第三の発光性化合物）
第一の発光性化合物、第二の発光性化合物及び第三の発光性化合物としては、例えば、
下記一般式（３）で表される化合物、
下記一般式（４）で表される化合物、
下記一般式（５）で表される化合物、
下記一般式（６）で表される化合物、
下記一般式（７）で表される化合物、
下記一般式（８）で表される化合物、
下記一般式（９）で表される化合物、
下記一般式（１０）で表される化合物、並びに
下記一般式（５０）で表される化合物
からなる群から選択される１以上の化合物を好適に使用し得る。

（一般式（３）で表される化合物）
一般式（３）で表される化合物について説明する。

（前記一般式（３）において、
Ｒ_３０１～Ｒ_３１０のうちの隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、
互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
互いに結合せず、
Ｒ_３０１～Ｒ_３１０の少なくとも１つは下記一般式（３１）で表される１価の基であり、
前記単環を形成せず、前記縮合環を形成せず、かつ下記一般式（３１）で表される１価の基ではないＲ_３０１～Ｒ_３１０は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。

（前記一般式（３１）において、
Ａｒ_３０１及びＡｒ_３０２は、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
Ｌ_３０１～Ｌ_３０３は、それぞれ独立に、
単結合、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリーレン基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～３０の２価の複素環基であり、
＊は、前記一般式（３）中のピレン環における結合位置を示す。）

第一の発光性化合物、第二の発光性化合物及び第三の発光性化合物中、Ｒ_９０１、Ｒ_９０２、Ｒ_９０３、Ｒ_９０４、Ｒ_９０５、Ｒ_９０６及びＲ_９０７は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、又は
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基であり、
Ｒ_９０１が複数存在する場合、複数のＲ_９０１は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_９０２が複数存在する場合、複数のＲ_９０２は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_９０３が複数存在する場合、複数のＲ_９０３は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_９０４が複数存在する場合、複数のＲ_９０４は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_９０５が複数存在する場合、複数のＲ_９０５は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_９０６が複数存在する場合、複数のＲ_９０６は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_９０７が複数存在する場合、複数のＲ_９０７は、互いに同一であるか又は異なる。

前記一般式（３）において、Ｒ_３０１～Ｒ_３１０のうち２つが前記一般式（３１）で表される基であることが好ましい。

一実施形態において、前記一般式（３）で表される化合物は、下記一般式（３３）で表される化合物である。

（前記一般式（３３）において、
Ｒ_３１１～Ｒ_３１８は、それぞれ独立に、前記一般式（３）における、前記一般式（３１）で表される１価の基ではないＲ_３０１～Ｒ_３１０と同義であり、
Ｌ_３１１～Ｌ_３１６は、それぞれ独立に、
単結合、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリーレン基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～３０の２価の複素環基であり、
Ａｒ_３１２、Ａｒ_３１３、Ａｒ_３１５及びＡｒ_３１６は、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。）

前記一般式（３１）において、Ｌ_３０１は、単結合であることが好ましく、Ｌ_３０２及びＬ_３０３は単結合であることが好ましい。

一実施形態において、前記一般式（３）で表される化合物は、下記一般式（３４）又は一般式（３５）で表される。

（前記一般式（３４）において、
Ｒ_３１１～Ｒ_３１８は、それぞれ独立に、前記一般式（３）における、前記一般式（３１）で表される１価の基ではないＲ_３０１～Ｒ_３１０と同義であり、
Ｌ_３１２、Ｌ_３１３、Ｌ_３１５及びＬ_３１６は、それぞれ独立に、前記一般式（３３）におけるＬ_３１２、Ｌ_３１３、Ｌ_３１５及びＬ_３１６と同義であり、
Ａｒ_３１２、Ａｒ_３１３、Ａｒ_３１５及びＡｒ_３１６は、それぞれ独立に、前記一般式（３３）におけるＡｒ_３１２、Ａｒ_３１３、Ａｒ_３１５及びＡｒ_３１６と同義である。）

（前記一般式（３５）において、
Ｒ_３１１～Ｒ_３１８は、それぞれ独立に、前記一般式（３）における、前記一般式（３１）で表される１価の基ではないＲ_３０１～Ｒ_３１０と同義であり、
Ａｒ_３１２、Ａｒ_３１３、Ａｒ_３１５及びＡｒ_３１６は、それぞれ独立に、前記一般式（３３）におけるＡｒ_３１２、Ａｒ_３１３、Ａｒ_３１５及びＡｒ_３１６と同義である。）

前記一般式（３１）において、好ましくは、Ａｒ_３０１及びＡｒ_３０２のうち少なくとも１つが下記一般式（３６）で表される基である。
前記一般式（３３）～一般式（３５）において、好ましくは、Ａｒ_３１２及びＡｒ_３１３のうち少なくとも１つが下記一般式（３６）で表される基である。
前記一般式（３３）～一般式（３５）において、好ましくは、Ａｒ_３１５及びＡｒ_３１６のうち少なくとも１つが下記一般式（３６）で表される基である。

（前記一般式（３６）において、
Ｘ_３は、酸素原子又は硫黄原子を示し、
Ｒ_３２１～Ｒ_３２７のうち隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、
互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
互いに結合せず、
前記単環を形成せず、かつ前記縮合環を形成しないＲ_３２１～Ｒ_３２７は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
＊は、Ｌ_３０２、Ｌ_３０３、Ｌ_３１２、Ｌ_３１３、Ｌ_３１５又はＬ_３１６との結合位置を示す。）

Ｘ_３は、酸素原子であることが好ましい。

Ｒ_３２１～Ｒ_３２７のうち少なくとも１つは、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であることが好ましい。

前記一般式（３１）において、Ａｒ_３０１が前記一般式（３６）で表される基であり、Ａｒ_３０２が置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基であることが好ましい。
前記一般式（３３）～一般式（３５）において、Ａｒ_３１２が前記一般式（３６）で表される基であり、Ａｒ_３１３が置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基であることが好ましい。
前記一般式（３３）～一般式（３５）において、Ａｒ_３１５が前記一般式（３６）で表される基であり、Ａｒ_３１６が置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基であることが好ましい。

一実施形態において、前記一般式（３）で表される化合物は、下記一般式（３７）で表される。

（前記一般式（３７）において、
Ｒ_３１１～Ｒ_３１８は、それぞれ独立に、前記一般式（３）における、前記一般式（３１）で表される１価の基ではないＲ_３０１～Ｒ_３１０と同義であり、
Ｒ_３２１～Ｒ_３２７のうち隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、
互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
互いに結合せず、
Ｒ_３４１～Ｒ_３４７のうち隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、
互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
互いに結合せず、
前記単環を形成せず、かつ前記縮合環を形成しないＲ_３２１～Ｒ_３２７並びにＲ_３４１～Ｒ_３４７は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
Ｒ_３３１～Ｒ_３３５並びにＲ_３５１～Ｒ_３５５は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）で表される基、
ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。）

（一般式（３）で表される化合物の具体例）
前記一般式（３）で表される化合物としては、例えば、以下に示す化合物が具体例として挙げられる。

（一般式（４）で表される化合物）
一般式（４）で表される化合物について説明する。

（前記一般式（４）において、
Ｚは、それぞれ独立に、ＣＲａ又は窒素原子であり、
Ａ１環及びＡ２環は、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０の芳香族炭化水素環、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環であり、
Ｒａが複数存在する場合、複数のＲａのうちの隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、
互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
互いに結合せず、
ｎ２１及びｎ２２は、それぞれ独立に、０、１、２、３又は４であり、
Ｒｂが複数存在する場合、複数のＲｂのうちの隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、
互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
互いに結合せず、
Ｒｃが複数存在する場合、複数のＲｃのうちの隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、
互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
互いに結合せず、
前記単環を形成せず、かつ前記縮合環を形成しないＲａ、Ｒｂ及びＲｃは、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。）

Ａ１環及びＡ２環の「芳香族炭化水素環」は、上述した「アリール基」に水素原子を導入した化合物と同じ構造である。
Ａ１環及びＡ２環の「芳香族炭化水素環」は、前記一般式（４）中央の縮合２環構造上の炭素原子２つを環形成原子として含む。
「置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０の芳香族炭化水素環」の具体例としては、具体例群Ｇ１に記載の「アリール基」に水素原子を導入した化合物等が挙げられる。

Ａ１環及びＡ２環の「複素環」は、上述した「複素環基」に水素原子を導入した化合物と同じ構造である。
Ａ１環及びＡ２環の「複素環」は、前記一般式（４）中央の縮合２環構造上の炭素原子２つを環形成原子として含む。
「置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環」の具体例としては、具体例群Ｇ２に記載の「複素環基」に水素原子を導入した化合物等が挙げられる。

Ｒｂは、Ａ１環としての芳香族炭化水素環を形成する炭素原子のいずれか、又は、Ａ１環としての複素環を形成する原子のいずれかに結合する。

Ｒｃは、Ａ２環としての芳香族炭化水素環を形成する炭素原子のいずれか、又は、Ａ２環としての複素環を形成する原子のいずれかに結合する。

Ｒａ、Ｒｂ及びＲｃのうち、少なくとも１つが、下記一般式（４ａ）で表される基であることが好ましく、少なくとも２つが、下記一般式（４ａ）で表される基であることがより好ましい。

（前記一般式（４ａ）において、
Ｌ_４０１は、
単結合、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリーレン基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～３０の２価の複素環基であり、
Ａｒ_４０１は、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基、又は
下記一般式（４ｂ）で表される基である。）

（前記一般式（４ｂ）において、
Ｌ_４０２及びＬ_４０３は、それぞれ独立に、
単結合、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリーレン基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～３０の２価の複素環基であり、
Ａｒ_４０２及びＡｒ_４０３からなる組は、
互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
互いに結合せず、
前記単環を形成せず、かつ前記縮合環を形成しないＡｒ_４０２及びＡｒ_４０３は、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。）

一実施形態において、前記一般式（４）で表される化合物は下記一般式（４２）で表される。

（前記一般式（４２）において、
Ｒ_４０１～Ｒ_４１１のうちの隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、
互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
互いに結合せず、
前記単環を形成せず、かつ前記縮合環を形成しないＲ_４０１～Ｒ_４１１は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。）

Ｒ_４０１～Ｒ_４１１のうち、少なくとも１つが、前記一般式（４ａ）で表される基であることが好ましく、少なくとも２つ前記一般式（４ａ）で表される基であることがより好ましい。
Ｒ_４０４及びＲ_４１１が前記一般式（４ａ）で表される基であることが好ましい。

一実施形態において、前記一般式（４）で表される化合物は、Ａ１環に下記一般式（４－１）又は一般式（４－２）で表される構造が結合した化合物である。
また、一実施形態において、前記一般式（４２）で表される化合物は、Ｒ_４０４～Ｒ_４０７が結合する環に下記一般式（４－１）又は一般式（４－２）で表される構造が結合した化合物である。

（前記一般式（４－１）において、２つの＊は、それぞれ独立に、前記一般式（４）のＡ１環としての芳香族炭化水素環の環形成炭素原子もしくは複素環の環形成原子と結合するか、又は前記一般式（４２）のＲ_４０４～Ｒ_４０７のいずれかと結合し、
前記一般式（４－２）の３つの＊は、それぞれ独立に、前記一般式（４）のＡ１環としての芳香族炭化水素環の環形成炭素原子もしくは複素環の環形成原子と結合するか、又は前記一般式（４２）のＲ_４０４～Ｒ_４０７のいずれかと結合し、
Ｒ_４２１～Ｒ_４２７のうちの隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、
互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
互いに結合せず、
Ｒ_４３１～Ｒ_４３８のうちの隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、
互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
互いに結合せず、
前記単環を形成せず、かつ前記縮合環を形成しないＲ_４２１～Ｒ_４２７並びにＲ_４３１～Ｒ_４３８は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。）

一実施形態においては、前記一般式（４）で表される化合物は、下記一般式（４１－３）、一般式（４１－４）又は一般式（４１－５）で表される化合物である。

（前記一般式（４１－３）、式（４１－４）及び式（４１－５）中、
Ａ１環は、前記一般式（４）で定義した通りであり、
Ｒ_４２１～Ｒ_４２７は、それぞれ独立に、前記一般式（４－１）におけるＲ_４２１～Ｒ_４２７と同義であり、
Ｒ_４４０～Ｒ_４４８は、それぞれ独立に、前記一般式（４２）におけるＲ_４０１～Ｒ_４１１と同義である。）

一実施形態においては、前記一般式（４１－５）のＡ１環としての置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０の芳香族炭化水素環は、
置換もしくは無置換のナフタレン環、又は
置換もしくは無置換のフルオレン環である。

一実施形態においては、前記一般式（４１－５）のＡ１環としての置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環は、
置換もしくは無置換のジベンゾフラン環、
置換もしくは無置換のカルバゾール環、又は
置換もしくは無置換のジベンゾチオフェン環である。

一実施形態においては、前記一般式（４）又は前記一般式（４２）で表される化合物は、下記一般式（４６１）～一般式（４６７）で表される化合物からなる群から選択される。

（前記一般式（４６１）、一般式（４６２）、一般式（４６３）、一般式（４６４）、一般式（４６５）、一般式（４６６）及び一般式（４６７）中、
Ｒ_４２１～Ｒ_４２７は、それぞれ独立に、前記一般式（４－１）におけるＲ_４２１～Ｒ_４２７と同義であり、
Ｒ_４３１～Ｒ_４３８は、それぞれ独立に、前記一般式（４－２）におけるＲ_４３１～Ｒ_４３８と同義であり、
Ｒ_４４０～Ｒ_４４８並びにＲ_４５１～Ｒ_４５４は、それぞれ独立に、前記一般式（４２）におけるＲ_４０１～Ｒ_４１１と同義であり、
Ｘ_４は、酸素原子、ＮＲ_８０１、又はＣ（Ｒ_８０２）（Ｒ_８０３）であり、
Ｒ_８０１、Ｒ_８０２及びＲ_８０３は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、又は
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基であり、
Ｒ_８０１が複数存在する場合、複数のＲ_８０１は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_８０２が複数存在する場合、複数のＲ_８０２は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_８０３が複数存在する場合、複数のＲ_８０３は、互いに同一であるか又は異なる。）

一実施形態において、前記一般式（４２）で表される化合物は、Ｒ_４０１～Ｒ_４１１のうちの隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、又は互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成し、当該実施形態について、以下一般式（４５）で表される化合物として詳述する。

（一般式（４５）で表される化合物）
一般式（４５）で表される化合物について説明する。

（前記一般式（４５）において、
Ｒ_４６１とＲ_４６２とからなる組、Ｒ_４６２とＲ_４６３とからなる組、Ｒ_４６４とＲ_４６５とからなる組、Ｒ_４６５とＲ_４６６とからなる組、Ｒ_４６６とＲ_４６７とからなる組、Ｒ_４６８とＲ_４６９とからなる組、Ｒ_４６９とＲ_４７０とからなる組、及び、Ｒ_４７０とＲ_４７１とからなる組からなる群から選択される組のうち２以上は、互いに結合して、置換もしくは無置換の単環又は置換もしくは無置換の縮合環を形成し、
ただし、
Ｒ_４６１とＲ_４６２とからなる組及びＲ_４６２とＲ_４６３とからなる組；
Ｒ_４６４とＲ_４６５とからなる組及びＲ_４６５とＲ_４６６とからなる組；
Ｒ_４６５とＲ_４６６とからなる組及びＲ_４６６とＲ_４６７とからなる組；
Ｒ_４６８とＲ_４６９とからなる組及びＲ_４６９とＲ_４７０とからなる組；並びに
Ｒ_４６９とＲ_４７０とからなる組及びＲ_４７０とＲ_４７１とからなる組が、同時に環を形成することはなく、
Ｒ_４６１～Ｒ_４７１が形成する２つ以上の環は、互いに同一であるか、又は異なり、
前記単環を形成せず、かつ前記縮合環を形成しないＲ_４６１～Ｒ_４７１は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ_９０５）、－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。）

前記一般式（４５）において、Ｒ_ｎとＲ_ｎ＋１（ｎは４６１、４６２、４６４～４６６、及び４６８～４７０から選ばれる整数を表す）は互いに結合して、Ｒ_ｎとＲ_ｎ＋１が結合する２つの環形成炭素原子と共に、置換もしくは無置換の単環又は置換もしくは無置換の縮合環を形成する。当該環は、好ましくは、炭素原子、酸素原子、硫黄原子及び窒素原子からなる群から選択される原子で構成され、当該環の原子数は、好ましくは３～７であり、より好ましくは５又は６である。

前記一般式（４５）で表される化合物における上記の環構造の数は、例えば、２つ、３つ、又は４つである。２つ以上の環構造は、それぞれ前記一般式（４５）の母骨格上の同一のベンゼン環上に存在してもよいし、異なるベンゼン環上に存在してもよい。例えば、環構造を３つ有する場合、前記一般式（４５）の３つのベンゼン環のそれぞれに１つずつ環構造が存在してもよい。

前記一般式（４５）で表される化合物における上記の環構造としては、例えば、下記一般式（４５１）～（４６０）で表される構造等が挙げられる。

（前記一般式（４５１）～（４５７）において、
＊１と＊２、＊３と＊４、＊５と＊６、＊７と＊８、＊９と＊１０、＊１１と＊１２及び＊１３と＊１４のそれぞれは、Ｒ_ｎとＲ_ｎ＋１が結合する前記２つの環形成炭素原子を表し、
Ｒ_ｎが結合する環形成炭素原子は、＊１と＊２、＊３と＊４、＊５と＊６、＊７と＊８、＊９と＊１０、＊１１と＊１２及び＊１３と＊１４が表す２つの環形成炭素原子のどちらであってもよく、
Ｘ_４５は、Ｃ（Ｒ_４５１２）（Ｒ_４５１３）、ＮＲ_４５１４、酸素原子又は硫黄原子であり、
Ｒ_４５０１～Ｒ_４５０６及びＲ_４５１２～Ｒ_４５１３のうちの隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、
互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
互いに結合せず、
前記単環を形成せず、かつ前記縮合環を形成しないＲ_４５０１～Ｒ_４５１４は、それぞれ独立に、前記一般式（４５）におけるＲ_４６１～Ｒ_４７１と同義である。）

（前記一般式（４５８）～（４６０）において、
＊１と＊２、及び＊３と＊４のそれぞれは、Ｒ_ｎとＲ_ｎ＋１が結合する前記２つの環形成炭素原子を表し、
Ｒ_ｎが結合する環形成炭素原子は、＊１と＊２、又は＊３と＊４が表す２つの環形成炭素原子のどちらであってもよく、
Ｘ_４５は、Ｃ（Ｒ_４５１２）（Ｒ_４５１３）、ＮＲ_４５１４、酸素原子又は硫黄原子であり、
Ｒ_４５１２～Ｒ_４５１３及びＲ_４５１５～Ｒ_４５２５のうちの隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、
互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
互いに結合せず、
前記単環を形成せず、かつ前記縮合環を形成しないＲ_４５１２～Ｒ_４５１３、Ｒ_４５１５～Ｒ_４５２１及びＲ_４５２２～Ｒ_４５２５、並びにＲ_４５１４は、それぞれ独立に、前記一般式（４５）におけるＲ_４６１～Ｒ_４７１と同義である。）

前記一般式（４５）において、Ｒ_４６２、Ｒ_４６４、Ｒ_４６５、Ｒ_４７０及びＲ_４７１の少なくとも１つ（好ましくは、Ｒ_４６２、Ｒ_４６５及びＲ_４７０の少なくとも１つ、さらに好ましくはＲ_４６２）が、環構造を形成しない基であると好ましい。

（ｉ）前記一般式（４５）において、Ｒ_ｎとＲ_ｎ＋１により形成される環構造が置換基を有する場合の置換基、
（ｉｉ）前記一般式（４５）において、環構造を形成しないＲ_４６１～Ｒ_４７１、及び
（ｉｉｉ）式（４５１）～（４６０）におけるＲ_４５０１～Ｒ_４５１４、Ｒ_４５１５～Ｒ_４５２５は、好ましくは、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）で表される基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基、又は
下記一般式（４６１）～一般式（４６４）で表される基からなる群から選択される基のいずれかである。

（前記一般式（４６１）～（４６４）中、
Ｒ_ｄは、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
Ｘ_４６は、Ｃ（Ｒ_８０１）（Ｒ_８０２）、ＮＲ_８０３、酸素原子又は硫黄原子であり、
Ｒ_８０１、Ｒ_８０２及びＲ_８０３は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、又は
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基であり、
Ｒ_８０１が複数存在する場合、複数のＲ_８０１は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_８０２が複数存在する場合、複数のＲ_８０２は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_８０３が複数存在する場合、複数のＲ_８０３は、互いに同一であるか又は異なり、
ｐ１は、５であり、
ｐ２は、４であり、
ｐ３は、３であり、
ｐ４は、７であり、
前記一般式（４６１）～（４６４）中の＊は、それぞれ独立に、環構造との結合位置を示す。）
第一の発光性化合物、第二の発光性化合物及び第三の発光性化合物において、Ｒ_９０１～Ｒ_９０７は、前述のように定義した通りである。

一実施形態において、前記一般式（４５）で表される化合物は、下記一般式（４５－１）～（４５－６）のいずれかで表される。

（前記一般式（４５－１）～（４５－６）において、
環ｄ～ｉは、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の単環又は置換もしくは無置換の縮合環であり、
Ｒ_４６１～Ｒ_４７１は、それぞれ独立に、前記一般式（４５）におけるＲ_４６１～Ｒ_４７１と同義である。）

一実施形態において、前記一般式（４５）で表される化合物は、下記一般式（４５－７）～（４５－１２）のいずれかで表される。

（前記一般式（４５－７）～（４５－１２）において、
環ｄ～ｆ、ｋ、ｊは、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の単環又は置換もしくは無置換の縮合環であり、
Ｒ_４６１～Ｒ_４７１は、それぞれ独立に、前記一般式（４５）におけるＲ_４６１～Ｒ_４７１と同義である。）

一実施形態において、前記一般式（４５）で表される化合物は、下記一般式（４５－１３）～（４５－２１）のいずれかで表される。

（前記一般式（４５－１３）～（４５－２１）において、
環ｄ～ｋは、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の単環又は置換もしくは無置換の縮合環であり、
Ｒ_４６１～Ｒ_４７１は、それぞれ独立に、前記一般式（４５）におけるＲ_４６１～Ｒ_４７１と同義である。）

前記環ｇ又は前記環ｈがさらに置換基を有する場合の置換基としては、例えば、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、
前記一般式（４６１）で表される基、
前記一般式（４６３）で表される基、又は
前記一般式（４６４）で表される基が挙げられる。

一実施形態において、前記一般式（４５）で表される化合物は、下記一般式（４５－２２）～（４５－２５）のいずれかで表される。

（前記一般式（４５－２２）～（４５－２５）において、
Ｘ_４６及びＸ_４７は、それぞれ独立に、Ｃ（Ｒ_８０１）（Ｒ_８０２）、ＮＲ_８０３、酸素原子又は硫黄原子であり、
Ｒ_４６１～Ｒ_４７１並びにＲ_４８１～Ｒ_４８８は、それぞれ独立に、前記一般式（４５）におけるＲ_４６１～Ｒ_４７１と同義である。
Ｒ_８０１、Ｒ_８０２及びＲ_８０３は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、又は
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基であり、
Ｒ_８０１が複数存在する場合、複数のＲ_８０１は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_８０２が複数存在する場合、複数のＲ_８０２は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_８０３が複数存在する場合、複数のＲ_８０３は、互いに同一であるか又は異なる。）

一実施形態において、前記一般式（４５）で表される化合物は、下記一般式（４５－２６）で表される。

（前記一般式（４５－２６）において、
Ｘ_４６は、Ｃ（Ｒ_８０１）（Ｒ_８０２）、ＮＲ_８０３、酸素原子又は硫黄原子であり、
Ｒ_４６３、Ｒ_４６４、Ｒ_４６７、Ｒ_４６８、Ｒ_４７１、及びＲ_４８１～Ｒ_４９２は、それぞれ独立に、前記一般式（４５）におけるＲ_４６１～Ｒ_４７１と同義である。
Ｒ_８０１、Ｒ_８０２及びＲ_８０３は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、又は
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基であり、
Ｒ_８０１が複数存在する場合、複数のＲ_８０１は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_８０２が複数存在する場合、複数のＲ_８０２は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_８０３が複数存在する場合、複数のＲ_８０３は、互いに同一であるか又は異なる。）

（一般式（４）で表される化合物の具体例）
前記一般式（４）で表される化合物としては、例えば、以下に示す化合物が具体例として挙げられる。下記具体例中、Ｐｈは、フェニル基を示し、Ｄは、重水素原子を示す。

（一般式（５）で表される化合物）
一般式（５）で表される化合物について説明する。一般式（５）で表される化合物は、上述した一般式（４１－３）で表される化合物に対応する化合物である。

（前記一般式（５）において、
Ｒ_５０１～Ｒ_５０７及びＲ_５１１～Ｒ_５１７のうち隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、
互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
互いに結合せず、
前記単環を形成せず、かつ前記縮合環を形成しないＲ_５０１～Ｒ_５０７及びＲ_５１１～Ｒ_５１７は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。
Ｒ_５２１及びＲ_５２２は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。）

「Ｒ_５０１～Ｒ_５０７及びＲ_５１１～Ｒ_５１７のうちの隣接する２つ以上からなる組の１組」は、例えば、Ｒ_５０１とＲ_５０２からなる組、Ｒ_５０２とＲ_５０３からなる組、Ｒ_５０３とＲ_５０４からなる組、Ｒ_５０５とＲ_５０６からなる組、Ｒ_５０６とＲ_５０７からなる組、Ｒ_５０１とＲ_５０２とＲ_５０３からなる組等の組合せである。

一実施形態において、Ｒ_５０１～Ｒ_５０７及びＲ_５１１～Ｒ_５１７の少なくとも１つ、好ましくは２つが－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）で表される基である。

一実施形態においては、Ｒ_５０１～Ｒ_５０７及びＲ_５１１～Ｒ_５１７は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。

一実施形態においては、前記一般式（５）で表される化合物は、下記一般式（５２）で表される化合物である。

（前記一般式（５２）において、
Ｒ_５３１～Ｒ_５３４及びＲ_５４１～Ｒ_５４４のうちの隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、
互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
互いに結合せず、
前記単環を形成せず、かつ前記縮合環を形成しないＲ_５３１～Ｒ_５３４、Ｒ_５４１～Ｒ_５４４、並びにＲ_５５１及びＲ_５５２は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
Ｒ_５６１～Ｒ_５６４は、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。）

一実施形態においては、前記一般式（５）で表される化合物は、下記一般式（５３）で表される化合物である。

（前記一般式（５３）において、Ｒ_５５１、Ｒ_５５２及びＲ_５６１～Ｒ_５６４は、それぞれ独立に、前記一般式（５２）におけるＲ_５５１、Ｒ_５５２及びＲ_５６１～Ｒ_５６４と同義である。）

一実施形態においては、前記一般式（５２）及び一般式（５３）におけるＲ_５６１～Ｒ_５６４は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基（好ましくはフェニル基）である。

一実施形態においては、前記一般式（５）におけるＲ_５２１及びＲ_５２２、前記一般式（５２）及び一般式（５３）におけるＲ_５５１及びＲ_５５２は、水素原子である。

一実施形態においては、前記一般式（５）、一般式（５２）及び一般式（５３）における、「置換もしくは無置換の」という場合における置換基は、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。

（一般式（５）で表される化合物の具体例）
前記一般式（５）で表される化合物としては、例えば、以下に示す化合物が具体例として挙げられる。

（一般式（６）で表される化合物）
一般式（６）で表される化合物について説明する。

（前記一般式（６）において、
ａ環、ｂ環及びｃ環は、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０の芳香族炭化水素環、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環であり、
Ｒ_６０１及びＲ_６０２は、それぞれ独立に、前記ａ環、ｂ環又はｃ環と結合して、置換もしくは無置換の複素環を形成するか、あるいは置換もしくは無置換の複素環を形成せず、
前記置換もしくは無置換の複素環を形成しないＲ_６０１及びＲ_６０２は、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。）

ａ環、ｂ環及びｃ環は、ホウ素原子及び２つの窒素原子から構成される前記一般式（６）中央の縮合２環構造に縮合する環（置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０の芳香族炭化水素環、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環）である。

ａ環、ｂ環及びｃ環の「芳香族炭化水素環」は、上述した「アリール基」に水素原子を導入した化合物と同じ構造である。
ａ環の「芳香族炭化水素環」は、前記一般式（６）中央の縮合２環構造上の炭素原子３つを環形成原子として含む。
ｂ環及びｃ環の「芳香族炭化水素環」は、前記一般式（６）中央の縮合２環構造上の炭素原子２つを環形成原子として含む。

「置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０の芳香族炭化水素環」の具体例としては、具体例群Ｇ１に記載の「アリール基」に水素原子を導入した化合物等が挙げられる。
ａ環、ｂ環及びｃ環の「複素環」は、上述した「複素環基」に水素原子を導入した化合物と同じ構造である。
ａ環の「複素環」は、前記一般式（６）中央の縮合２環構造上の炭素原子３つを環形成原子として含む。ｂ環及びｃ環の「複素環」は、前記一般式（６）中央の縮合２環構造上の炭素原子２つを環形成原子として含む。「置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環」の具体例としては、具体例群Ｇ２に記載の「複素環基」に水素原子を導入した化合物等が挙げられる。

Ｒ_６０１及びＲ_６０２は、それぞれ独立に、ａ環、ｂ環又はｃ環と結合して、置換もしくは無置換の複素環を形成してもよい。この場合における複素環は、前記一般式（６）中央の縮合２環構造上の窒素原子を含む。この場合における複素環は、窒素原子以外のヘテロ原子を含んでいてもよい。Ｒ_６０１及びＲ_６０２がａ環、ｂ環又はｃ環と結合するとは、具体的には、ａ環、ｂ環又はｃ環を構成する原子とＲ_６０１及びＲ_６０２を構成する原子が結合することを意味する。例えば、Ｒ_６０１がａ環と結合して、Ｒ_６０１を含む環とａ環が縮合した２環縮合（又は３環縮合以上）の含窒素複素環を形成してもよい。当該含窒素複素環の具体例としては、具体例群Ｇ２のうち、窒素を含む２環縮合以上の複素環基に対応する化合物等が挙げられる。
Ｒ_６０１がｂ環と結合する場合、Ｒ_６０２がａ環と結合する場合、及びＲ_６０２がｃ環と結合する場合も上記と同じである。

一実施形態において、前記一般式（６）におけるａ環、ｂ環及びｃ環は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０の芳香族炭化水素環である。
一実施形態において、前記一般式（６）におけるａ環、ｂ環及びｃ環は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換のベンゼン環又はナフタレン環である。

一実施形態において、前記一般式（６）におけるＲ_６０１及びＲ_６０２は、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
好ましくは置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基である。

一実施形態において、前記一般式（６）で表される化合物は下記一般式（６２）で表される化合物である。

（前記一般式（６２）において、
Ｒ_６０１Ａは、Ｒ_６１１及びＲ_６２１からなる群から選択される１以上と結合して、置換もしくは無置換の複素環を形成するか、あるいは置換もしくは無置換の複素環を形成せず、
Ｒ_６０２Ａは、Ｒ_６１３及びＲ_６１４からなる群から選択される１以上と結合して、置換もしくは無置換の複素環を形成するか、あるいは置換もしくは無置換の複素環を形成せず、
前記置換もしくは無置換の複素環を形成しないＲ_６０１Ａ及びＲ_６０２Ａは、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
Ｒ_６１１～Ｒ_６２１のうちの隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、
互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
互いに結合せず、
前記置換もしくは無置換の複素環を形成せず、前記単環を形成せず、かつ前記縮合環を形成しないＲ_６１１～Ｒ_６２１は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。）

前記一般式（６２）のＲ_６０１Ａ及びＲ_６０２Ａは、それぞれ、前記一般式（６）のＲ_６０１及びＲ_６０２に対応する基である。
例えば、Ｒ_６０１ＡとＲ_６１１が結合して、これらを含む環とａ環に対応するベンゼン環が縮合した２環縮合（又は３環縮合以上）の含窒素複素環を形成してもよい。当該含窒素複素環の具体例としては、具体例群Ｇ２のうち、窒素を含む２環縮合以上の複素環基に対応する化合物等が挙げられる。Ｒ_６０１ＡとＲ_６２１が結合する場合、Ｒ_６０２ＡとＲ_６１３が結合する場合、及びＲ_６０２ＡとＲ_６１４が結合する場合も上記と同じである。

Ｒ_６１１～Ｒ_６２１のうちの隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、
互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、又は
互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成してもよい。
例えば、Ｒ_６１１とＲ_６１２が結合して、これらが結合する６員環に対して、ベンゼン環、インドール環、ピロール環、ベンゾフラン環又はベンゾチオフェン環等が縮合した構造を形成してもよく、形成された縮合環は、ナフタレン環、カルバゾール環、インドール環、ジベンゾフラン環又はジベンゾチオフェン環となる。

一実施形態において、環形成に寄与しないＲ_６１１～Ｒ_６２１は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。

一実施形態において、環形成に寄与しないＲ_６１１～Ｒ_６２１は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。

一実施形態において、環形成に寄与しないＲ_６１１～Ｒ_６２１は、それぞれ独立に、
水素原子、又は
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基である。

一実施形態において、環形成に寄与しないＲ_６１１～Ｒ_６２１は、それぞれ独立に、
水素原子、又は
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基であり、
Ｒ_６１１～Ｒ_６２１のうち少なくとも１つは、置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基である。

一実施形態において、前記一般式（６２）で表される化合物は、下記一般式（６３）で表される化合物である。

（前記一般式（６３）において、
Ｒ_６３１は、Ｒ_６４６と結合して、置換もしくは無置換の複素環を形成するか、あるいは置換もしくは無置換の複素環を形成せず、
Ｒ_６３３は、Ｒ_６４７と結合して、置換もしくは無置換の複素環を形成するか、あるいは置換もしくは無置換の複素環を形成せず、
Ｒ_６３４は、Ｒ_６５１と結合して、置換もしくは無置換の複素環を形成するか、あるいは置換もしくは無置換の複素環を形成せず、
Ｒ_６４１は、Ｒ_６４２と結合して、置換もしくは無置換の複素環を形成するか、あるいは置換もしくは無置換の複素環を形成せず、
Ｒ_６３１～Ｒ_６５１のうちの隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、
互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
互いに結合せず、
前記置換もしくは無置換の複素環を形成せず、前記単環を形成せず、かつ前記縮合環を形成しないＲ_６３１～Ｒ_６５１は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。）

Ｒ_６３１は、Ｒ_６４６と結合して、置換もしくは無置換の複素環を形成してもよい。例えば、Ｒ_６３１とＲ_６４６が結合して、Ｒ_６４６が結合するベンゼン環と、Ｎを含む環と、ａ環に対応するベンゼン環とが縮合した３環縮合以上の含窒素複素環を形成してもよい。当該含窒素複素環の具体例としては、具体例群Ｇ２のうち、窒素を含む３環縮合以上の複素環基に対応する化合物等が挙げられる。Ｒ_６３３とＲ_６４７が結合する場合、Ｒ_６３４とＲ_６５１が結合する場合、及びＲ_６４１とＲ_６４２が結合する場合も上記と同じである。

一実施形態において、環形成に寄与しないＲ_６３１～Ｒ_６５１は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。

一実施形態において、環形成に寄与しないＲ_６３１～Ｒ_６５１は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。

一実施形態において、環形成に寄与しないＲ_６３１～Ｒ_６５１は、それぞれ独立に、
水素原子、又は
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基である。

一実施形態において、環形成に寄与しないＲ_６３１～Ｒ_６５１は、それぞれ独立に、
水素原子、又は
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基であり、
Ｒ_６３１～Ｒ_６５１のうち少なくとも１つは置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基である。

一実施形態において、前記一般式（６３）で表される化合物は、下記一般式（６３Ａ）で表される化合物である。

（前記一般式（６３Ａ）において、
Ｒ_６６１は、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、又は
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基であり、
Ｒ_６６２～Ｒ_６６５は、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、又は
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基である。）

一実施形態において、Ｒ_６６１～Ｒ_６６５は、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、又は
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基である。

一実施形態において、Ｒ_６６１～Ｒ_６６５は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基である。

一実施形態において、前記一般式（６３）で表される化合物は、下記一般式（６３Ｂ）で表される化合物である。

（前記一般式（６３Ｂ）において、
Ｒ_６７１及びＲ_６７２は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）で表される基、又は
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基であり、
Ｒ_６７３～Ｒ_６７５は、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）で表される基、又は
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基である。）

一実施形態において、前記一般式（６３）で表される化合物は、下記一般式（６３Ｂ’）で表される化合物である。

（前記一般式（６３Ｂ’）において、Ｒ_６７２～Ｒ_６７５は、それぞれ独立に、前記一般式（６３Ｂ）におけるＲ_６７２～Ｒ_６７５と同義である。）

一実施形態において、Ｒ_６７１～Ｒ_６７５のうち少なくとも１つは、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）で表される基、又は
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基である。

一実施形態において、
Ｒ_６７２は、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）で表される基、又は
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基であり、
Ｒ_６７１及びＲ_６７３～Ｒ_６７５は、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）で表される基、又は
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基である。

一実施形態において、前記一般式（６３）で表される化合物は、下記一般式（６３Ｃ）で表される化合物である。

（前記一般式（６３Ｃ）において、
Ｒ_６８１及びＲ_６８２は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、又は
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基である。
Ｒ_６８３～Ｒ_６８６は、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、又は
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基である。）

一実施形態において、前記一般式（６３）で表される化合物は、下記一般式（６３Ｃ’）で表される化合物である。

（前記一般式（６３Ｃ’）において、Ｒ_６８３～Ｒ_６８６は、それぞれ独立に、前記一般式（６３Ｃ）におけるＲ_６８３～Ｒ_６８６と同義である。）

一実施形態において、Ｒ_６８１～Ｒ_６８６は、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、又は
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基である。

一実施形態において、Ｒ_６８１～Ｒ_６８６は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基である。

前記一般式（６）で表される化合物は、まずａ環、ｂ環及びｃ環を連結基（Ｎ－Ｒ_６０１を含む基及びＮ－Ｒ_６０２を含む基）で結合させることで中間体を製造し（第１反応）、ａ環、ｂ環及びｃ環を連結基（ホウ素原子を含む基）で結合させることで最終生成物を製造することができる（第２反応）。第１反応ではバッハブルト－ハートウィッグ反応等のアミノ化反応を適用できる。第２反応では、タンデムヘテロフリーデルクラフツ反応等を適用できる。

（一般式（６）で表される化合物の具体例）
以下に、前記一般式（６）で表される化合物の具体例を記載するが、これらは例示に過ぎず、前記一般式（６）で表される化合物は下記具体例に限定されない。

（一般式（７）で表される化合物）
一般式（７）で表される化合物について説明する。

（前記一般式（７）において、
ｒ環は、隣接環の任意の位置で縮合する前記一般式（７２）又は一般式（７３）で表される環であり、
ｑ環及びｓ環は、それぞれ独立に、隣接環の任意の位置で縮合する前記一般式（７４）で表される環であり、
ｐ環及びｔ環は、それぞれ独立に、隣接環の任意の位置で縮合する前記一般式（７５）又は一般式（７６）で表される構造であり、
Ｘ_７は、酸素原子、硫黄原子、又はＮＲ_７０２である。
Ｒ_７０１が複数存在する場合、隣接する複数のＲ_７０１は、
互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
互いに結合せず、
前記単環を形成せず、かつ前記縮合環を形成しないＲ_７０１及びＲ_７０２は、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
Ａｒ_７０１及びＡｒ_７０２は、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
Ｌ_７０１は、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキレン基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニレン基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニレン基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキレン基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の２価の複素環基であり、
ｍ１は、０、１又は２であり、
ｍ２は、０、１、２、３又は４であり、
ｍ３は、それぞれ独立に、０、１、２又は３であり、
ｍ４は、それぞれ独立に、０、１、２、３、４又は５であり、
Ｒ_７０１が複数存在する場合、複数のＲ_７０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
Ｘ_７が複数存在する場合、複数のＸ_７は、互いに同一であるか、又は異なり、
Ｒ_７０２が複数存在する場合、複数のＲ_７０２は、互いに同一であるか、又は異なり、
Ａｒ_７０１が複数存在する場合、複数のＡｒ_７０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
Ａｒ_７０２が複数存在する場合、複数のＡｒ_７０２は、互いに同一であるか、又は異なり、
Ｌ_７０１が複数存在する場合、複数のＬ_７０１は、互いに同一であるか、又は異なる。）

前記一般式（７）において、ｐ環、ｑ環、ｒ環、ｓ環及びｔ環の各環は、隣接環と炭素原子２つを共有して縮合する。縮合する位置及び向きは限定されず、任意の位置及び向きで縮合可能である。

一実施形態において、ｒ環としての前記一般式（７２）又は一般式（７３）において、ｍ１＝０又はｍ２＝０である。

一実施形態において、前記一般式（７）で表される化合物は、下記一般式（７１－１）～（７１－６）のいずれかで表される。

（前記一般式（７１－１）～一般式（７１－６）において、Ｒ_７０１、Ｘ_７、Ａｒ_７０１、Ａｒ_７０２、Ｌ_７０１、ｍ１及びｍ３は、それぞれ、前記一般式（７）におけるＲ_７０１、Ｘ_７、Ａｒ_７０１、Ａｒ_７０２、Ｌ_７０１、ｍ１及びｍ３と同義である。）

一実施形態において、前記一般式（７）で表される化合物は下記一般式（７１－１１）～一般式（７１－１３）のいずれかで表される。

（前記一般式（７１－１１）～一般式（７１－１３）において、Ｒ_７０１、Ｘ_７、Ａｒ_７０１、Ａｒ_７０２、Ｌ_７０１、ｍ１、ｍ３及びｍ４は、それぞれ、前記一般式（７）におけるＲ_７０１、Ｘ_７、Ａｒ_７０１、Ａｒ_７０２、Ｌ_７０１、ｍ１、ｍ３及びｍ４と同義である。）

一実施形態において、前記一般式（７）で表される化合物は下記一般式（７１－２１）～（７１－２５）のいずれかで表される。

（前記一般式（７１－２１）～一般式（７１－２５）において、Ｒ_７０１、Ｘ_７、Ａｒ_７０１、Ａｒ_７０２、Ｌ_７０１、ｍ１及びｍ４は、それぞれ、前記一般式（７）におけるＲ_７０１、Ｘ_７、Ａｒ_７０１、Ａｒ_７０２、Ｌ_７０１、ｍ１及びｍ４と同義である。）

一実施形態において、前記一般式（７）で表される化合物は下記一般式（７１－３１）～一般式（７１－３３）のいずれかで表される。

（前記一般式（７１－３１）～一般式（７１－３３）において、Ｒ_７０１、Ｘ_７、Ａｒ_７０１、Ａｒ_７０２、Ｌ_７０１、ｍ２～ｍ４は、それぞれ、前記一般式（７）におけるＲ_７０１、Ｘ_７、Ａｒ_７０１、Ａｒ_７０２、Ｌ_７０１、ｍ２～ｍ４と同義である。）

一実施形態においては、Ａｒ_７０１及びＡｒ_７０２が、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基である。

一実施形態においては、Ａｒ_７０１及びＡｒ_７０２の一方が置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基であり、Ａｒ_７０１及びＡｒ_７０２の他方が置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。

（一般式（７）で表される化合物の具体例）
前記一般式（７）で表される化合物としては、例えば、以下に示す化合物が具体例として挙げられる。

（一般式（８）で表される化合物）
一般式（８）で表される化合物について説明する。

（前記一般式（８）において、
Ｒ_８０１とＲ_８０２、Ｒ_８０２とＲ_８０３、及びＲ_８０３とＲ_８０４の少なくとも一組は、互いに結合して下記一般式（８２）で示される２価の基を形成し、
Ｒ_８０５とＲ_８０６、Ｒ_８０６とＲ_８０７、及びＲ_８０７とＲ_８０８の少なくとも一組は、互いに結合して下記一般式（８３）で示される２価の基を形成する。）

（前記一般式（８２）で示される２価の基を形成しないＲ_８０１～Ｒ_８０４、及びＲ_８１１～Ｒ_８１４の少なくとも１つは下記一般式（８４）で表される１価の基であり、
前記一般式（８３）で示される２価の基を形成しないＲ_８０５～Ｒ_８０８、及びＲ_８２１～Ｒ_８２４の少なくとも１つは下記一般式（８４）で表される１価の基であり、
Ｘ_８は、酸素原子、硫黄原子、又はＮＲ_８０９であり、
前記一般式（８２）及び一般式（８３）で表される２価の基を形成せず、かつ、前記一般式（８４）で表される１価の基ではないＲ_８０１～Ｒ_８０８、前記一般式（８４）で表される１価の基ではないＲ_８１１～Ｒ_８１４及びＲ_８２１～Ｒ_８２４、並びにＲ_８０９は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。）

（前記一般式（８４）において、
Ａｒ_８０１及びＡｒ_８０２は、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
Ｌ_８０１～Ｌ_８０３は、それぞれ独立に、
単結合、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリーレン基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５～３０の２価の複素環基、又は
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリーレン基及び置換もしくは無置換の環形成原子数５～３０の２価の複素環基からなる群から選択される２～４個の基が結合して形成される２価の連結基であり、
前記一般式（８４）中の＊は、前記一般式（８）で表される環構造、一般式（８２）又は一般式（８３）で表される基との結合位置を示す。）

前記一般式（８）において、前記一般式（８２）で示される２価の基及び一般式（８３）で示される２価の基が形成される位置は特に限定されず、Ｒ_８０１～Ｒ_８０８の可能な位置において当該基を形成し得る。

一実施形態において、前記一般式（８）で表される化合物は、下記一般式（８１－１）～（８１－６）のいずれかで表される。

（前記一般式（８１－１）～一般式（８１－６）において、
Ｘ_８は、前記一般式（８）におけるＸ_８と同義であり、
Ｒ_８０１～Ｒ_８２４のうち少なくとも２つは、前記一般式（８４）で表される１価の基であり、
前記一般式（８４）で表される１価の基ではないＲ_８０１～Ｒ_８２４は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。）

一実施形態において、前記一般式（８）で表される化合物は、下記一般式（８１－７）～（８１－１８）のいずれかで表される。

（前記一般式（８１－７）～一般式（８１－１８）において、
Ｘ_８は、前記一般式（８）におけるＸ_８と同義であり、
＊は、前記一般式（８４）で表される１価の基と結合する単結合であり、
Ｒ_８０１～Ｒ_８２４は、それぞれ独立に、前記一般式（８１－１）～一般式（８１－６）における前記一般式（８４）で表される１価の基ではないＲ_８０１～Ｒ_８２４と同義である。）

前記一般式（８２）及び一般式（８３）で表される２価の基を形成せず、かつ、前記一般式（８４）で表される１価の基ではないＲ_８０１～Ｒ_８０８、及び、前記一般式（８４）で表される１価の基ではないＲ_８１１～Ｒ_８１４及びＲ_８２１～Ｒ_８２４は、好ましくは、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。

前記一般式（８４）で表される１価の基は、好ましくは下記一般式（８５）又は一般式（８６）で表される。

（前記一般式（８５）において、
Ｒ_８３１～Ｒ_８４０は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
前記一般式（８５）中の＊は、前記一般式（８４）中の＊と同義である。）

（前記一般式（８６）において、
Ａｒ_８０１、Ｌ_８０１及びＬ_８０３は、前記一般式（８４）におけるＡｒ_８０１、Ｌ_８０１及びＬ_８０３と同義であり、
ＨＡｒ_８０１は、下記一般式（８７）で表される構造である。）

（前記一般式（８７）において、
Ｘ_８１は、酸素原子又は硫黄原子であり、
Ｒ_８４１～Ｒ_８４８のいずれか１つは、Ｌ_８０３に結合する単結合であり、
単結合ではないＲ_８４１～Ｒ_８４８は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。）

（一般式（８）で表される化合物の具体例）
前記一般式（８）で表される化合物としては、国際公開第２０１４／１０４１４４号に記載の化合物の他、例えば、以下に示す化合物が具体例として挙げられる。

（一般式（９）で表される化合物）
一般式（９）で表される化合物について説明する。

（前記一般式（９）において、
Ａ_９１環及びＡ_９２環は、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０の芳香族炭化水素環、又は、
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環であり、
Ａ_９１環及びＡ_９２環からなる群から選択される１以上の環は、
下記一般式（９２）で表される構造の＊と結合する。）

（前記一般式（９２）において、
Ａ_９３環は、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０の芳香族炭化水素環、又は、
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環であり、
Ｘ_９は、ＮＲ_９３、Ｃ（Ｒ_９４）（Ｒ_９５）、Ｓｉ（Ｒ_９６）（Ｒ_９７）、Ｇｅ（Ｒ_９８）（Ｒ_９９）、酸素原子、硫黄原子又はセレン原子であり、
Ｒ_９１及びＲ_９２は、
互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
互いに結合せず、
前記単環を形成せず、かつ前記縮合環を形成しないＲ_９１及びＲ_９２、並びにＲ_９３～Ｒ_９９は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。）

Ａ_９１環及びＡ_９２環からなる群から選択される１以上の環は、前記一般式（９２）で表される構造の＊と結合する。即ち、一実施形態において、Ａ_９１環の前記芳香族炭化水素環の環形成炭素原子、又は前記複素環の環形成原子は、前記一般式（９２）で表される構造の＊と結合する。また、一実施形態において、Ａ_９２環の前記芳香族炭化水素環の環形成炭素原子、又は前記複素環の環形成原子は、前記一般式（９２）で表される構造の＊と結合する。

一実施形態において、Ａ_９１環及びＡ_９２環のいずれか又は両方に下記一般式（９３）で表される基が結合する。

（前記一般式（９３）において、
Ａｒ_９１及びＡｒ_９２は、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
Ｌ_９１～Ｌ_９３は、それぞれ独立に、
単結合、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリーレン基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５～３０の２価の複素環基、又は
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリーレン基及び置換もしくは無置換の環形成原子数５～３０の２価の複素環基からなる群から選択される２～４個結合して形成される２価の連結基であり、
前記一般式（９３）中の＊は、Ａ_９１環及びＡ_９２環のいずれかとの結合位置を示す。）

一実施形態において、Ａ_９１環に加えて、Ａ_９２環の前記芳香族炭化水素環の環形成炭素原子、又は前記複素環の環形成原子は、前記一般式（９２）で表される構造の＊と結合する。この場合、前記一般式（９２）で表される構造は、互いに同一でもよいし異なってもよい。

一実施形態において、Ｒ_９１及びＲ_９２は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基である。
一実施形態において、Ｒ_９１及びＲ_９２は、互いに結合してフルオレン構造を形成する。

一実施形態において、環Ａ_９１及び環Ａ_９２は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０の芳香族炭化水素環であり、例えば、置換もしくは無置換のベンゼン環である。

一実施形態において、環Ａ_９３は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０の芳香族炭化水素環であり、例えば、置換もしくは無置換のベンゼン環である。
一実施形態において、Ｘ_９は、酸素原子又は硫黄原子である。

（一般式（９）で表される化合物の具体例）
前記一般式（９）で表される化合物としては、例えば、以下に示す化合物が具体例として挙げられる。

（一般式（１０）で表される化合物）
一般式（１０）で表される化合物について説明する。

（前記一般式（１０）において、
Ａｘ_１環は、隣接環の任意の位置で縮合する前記一般式（１０ａ）で表される環であり、
Ａｘ_２環は、隣接環の任意の位置で縮合する前記一般式（１０ｂ）で表される環であり、
前記一般式（１０ｂ）中の２つの＊は、Ａｘ_３環の任意の位置と結合し、
Ｘ_Ａ及びＸ_Ｂは、それぞれ独立に、Ｃ（Ｒ_１００３）（Ｒ_１００４）、Ｓｉ（Ｒ_１００５）（Ｒ_１００６）、酸素原子又は硫黄原子であり、
Ａｘ_３環は、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０の芳香族炭化水素環、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環であり、
Ａｒ_１００１は、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
Ｒ_１００１～Ｒ_１００６は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
ｍｘ１は、３であり、ｍｘ２は、２であり、
複数のＲ_１００１は、互いに同一であるか、又は異なり、
複数のＲ_１００２は、互いに同一であるか、又は異なり、
ａｘは、０、１又は２であり、
ａｘが０又は１の場合、「３－ａｘ」で示されるカッコ内の構造は、互いに同一であるか、又は異なり、
ａｘが２の場合、複数のＡｒ_１００１は、互いに同一であるか、又は異なる。）

一実施形態において、Ａｒ_１００１は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基である。

一実施形態において、Ａｘ_３環は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０の芳香族炭化水素環であり、例えば、置換もしくは無置換のベンゼン環、置換もしくは無置換のナフタレン環、又は置換もしくは無置換のアントラセン環である。

一実施形態において、Ｒ_１００３及びＲ_１００４は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基である。

一実施形態において、ａｘは１である。

（一般式（１０）で表される化合物の具体例）
前記一般式（１０）で表される化合物としては、例えば、以下に示す化合物が具体例として挙げられる。

一実施形態においては、前記発光層が、第一の発光性化合物、第二の発光性化合物及び第三の発光性化合物の少なくともいずれかの化合物として、
前記一般式（４）で表される化合物、
前記一般式（５）で表される化合物、
前記一般式（７）で表される化合物、
前記一般式（８）で表される化合物、
前記一般式（９）で表される化合物及び
下記一般式（６３ａ）で表される化合物からなる群から選択される１以上の化合物を含有する。

（前記一般式（６３ａ）において、
Ｒ_６３１は、Ｒ_６４６と結合して、置換もしくは無置換の複素環を形成するか、あるいは置換もしくは無置換の複素環を形成しない。
Ｒ_６３３は、Ｒ_６４７と結合して、置換もしくは無置換の複素環を形成するか、あるいは置換もしくは無置換の複素環を形成しない。
Ｒ_６３４は、Ｒ_６５１と結合して、置換もしくは無置換の複素環を形成するか、あるいは置換もしくは無置換の複素環を形成しない。
Ｒ_６４１は、Ｒ_６４２と結合して、置換もしくは無置換の複素環を形成するか、あるいは置換もしくは無置換の複素環を形成しない。
Ｒ_６３１～Ｒ_６５１のうちの隣接する２つ以上の１組以上は、
互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
互いに結合せず、
前記置換もしくは無置換の複素環を形成せず、前記単環を形成せず、かつ前記縮合環を形成しないＲ_６３１～Ｒ_６５１は、それぞれ独立に、
水素原子、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）で表される基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
但し、前記置換もしくは無置換の複素環を形成せず、前記単環を形成せず、かつ前記縮合環を形成しないＲ_６３１～Ｒ_６５１のうちの少なくとも１つは、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。）

一実施形態においては、前記一般式（４）で表される化合物が、前記一般式（４１－３）、一般式（４１－４）又は一般式（４１－５）で表される化合物であり、前記一般式（４１－５）中のＡ１環が、置換もしくは無置換の環形成炭素数１０～５０の縮合芳香族炭化水素環、又は置換もしくは無置換の環形成原子数８～５０の縮合複素環である。

一実施形態においては、前記一般式（４１－３）、一般式（４１－４）、及び一般式（４１－５）における、前記置換もしくは無置換の環形成炭素数１０～５０の縮合芳香族炭化水素環が、
置換もしくは無置換のナフタレン環、
置換もしくは無置換のアントラセン環、又は
置換もしくは無置換のフルオレン環であり、
前記置換もしくは無置換の環形成原子数８～５０の縮合複素環が、
置換もしくは無置換のジベンゾフラン環、
置換もしくは無置換のカルバゾール環、又は
置換もしくは無置換のジベンゾチオフェン環である。

一実施形態においては、前記一般式（４１－３）、一般式（４１－４）又は一般式（４１－５）における、前記置換もしくは無置換の環形成炭素数１０～５０の縮合芳香族炭化水素環が、
置換もしくは無置換のナフタレン環、又は
置換もしくは無置換のフルオレン環であり、
前記置換もしくは無置換の環形成原子数８～５０の縮合複素環が、
置換もしくは無置換のジベンゾフラン環、
置換もしくは無置換のカルバゾール環、又は
置換もしくは無置換のジベンゾチオフェン環である。

一実施形態においては、前記一般式（４）で表される化合物が、
下記一般式（４６１）で表される化合物、
下記一般式（４６２）で表される化合物、
下記一般式（４６３）で表される化合物、
下記一般式（４６４）で表される化合物、
下記一般式（４６５）で表される化合物、
下記一般式（４６６）で表される化合物、及び
下記一般式（４６７）で表される化合物からなる群から選択される。

（前記一般式（４６１）～（４６７）中、
Ｒ_４２１～Ｒ_４２７、Ｒ_４３１～Ｒ_４３６、Ｒ_４４０～Ｒ_４４８及びＲ_４５１～Ｒ_４５４のうちの隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、
互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
互いに結合せず、
Ｒ_４３７、Ｒ_４３８、並びに前記単環を形成せず、かつ前記縮合環を形成しないＲ_４２１～Ｒ_４２７、Ｒ_４３１～Ｒ_４３６、Ｒ_４４０～Ｒ_４４８及びＲ_４５１～Ｒ_４５４は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
Ｘ_４は、酸素原子、ＮＲ_８０１、又はＣ（Ｒ_８０２）（Ｒ_８０３）であり、
Ｒ_８０１、Ｒ_８０２及びＲ_８０３は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、又は
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基であり、
Ｒ_８０１が複数存在する場合、複数のＲ_８０１は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_８０２が複数存在する場合、複数のＲ_８０２は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_８０３が複数存在する場合、複数のＲ_８０３は、互いに同一であるか又は異なる。）

一実施形態においては、Ｒ_４２１～Ｒ_４２７及びＲ_４４０～Ｒ_４４８が、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。

一実施形態においては、Ｒ_４２１～Ｒ_４２７及びＲ_４４０～Ｒ_４４７が、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～１８のアリール基、及び
置換もしくは無置換の環形成原子数５～１８の複素環基からなる群から選択される。

一実施形態においては、前記一般式（４１－３）で表される化合物が、下記一般式（４１－３－１）で表される化合物である。

（前記一般式（４１－３－１）中、Ｒ_４２３、Ｒ_４２５、Ｒ_４２６、Ｒ_４４２、Ｒ_４４４及びＲ_４４５は、それぞれ独立に、前記一般式（４１－３）におけるＲ_４２３、Ｒ_４２５、Ｒ_４２６、Ｒ_４４２、Ｒ_４４４及びＲ_４４５と同義である。）

一実施形態においては、前記一般式（４１－３）で表される化合物が、下記一般式（４１－３－２）で表される化合物である。

（前記一般式（４１－３－２）中、Ｒ_４２１～Ｒ_４２７及びＲ_４４０～Ｒ_４４８は、それぞれ独立に、前記一般式（４１－３）におけるＲ_４２１～Ｒ_４２７及びＲ_４４０～Ｒ_４４８と同義であり、
但し、Ｒ_４２１～Ｒ_４２７及びＲ_４４０～Ｒ_４４６の少なくとも１つは、－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）で表される基である。）

一実施形態においては、前記式（４１－３－２）における、Ｒ_４２１～Ｒ_４２７及びＲ_４４０～Ｒ_４４６のいずれか２つが、－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）で表される基である。

一実施形態においては、前記式（４１－３－２）で表される化合物が、下記式（４１－３－３）で表される化合物である。

（前記一般式（４１－３－３）中、Ｒ_４２１～Ｒ_４２４、Ｒ_４４０～Ｒ_４４３、Ｒ_４４７及びＲ_４４８は、それぞれ独立に、前記一般式（４１－３）におけるＲ_４２１～Ｒ_４２４、Ｒ_４４０～Ｒ_４４３、Ｒ_４４７及びＲ_４４８と同義であり、
Ｒ_Ａ、Ｒ_Ｂ、Ｒ_Ｃ及びＲ_Ｄは、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～１８のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～１８の複素環基である。）

一実施形態においては、前記式（４１－３－３）で表される化合物が、下記式（４１－３－４）で表される化合物である。

（前記一般式（４１－３－４）中、Ｒ_４４７、Ｒ_４４８、Ｒ_Ａ、Ｒ_Ｂ、Ｒ_Ｃ及びＲ_Ｄは、それぞれ独立に、前記式（４１－３－３）におけるＲ_４４７、Ｒ_４４８、Ｒ_Ａ、Ｒ_Ｂ、Ｒ_Ｃ及びＲ_Ｄと同義である。）

一実施形態においては、Ｒ_Ａ、Ｒ_Ｂ、Ｒ_Ｃ及びＲ_Ｄが、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～１８のアリール基である。

一実施形態においては、Ｒ_Ａ、Ｒ_Ｂ、Ｒ_Ｃ及びＲ_Ｄが、それぞれ独立に、置換もしくは無置換のフェニル基である。

一実施形態においては、Ｒ_４４７及びＲ_４４８が、水素原子である。

一実施形態においては、前記各式中の「置換もしくは無置換の」という場合における置換基が、
無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ_９０１ａ）（Ｒ_９０２ａ）（Ｒ_９０３ａ）、
－Ｏ－（Ｒ_９０４ａ）、
－Ｓ－（Ｒ_９０５ａ）、
－Ｎ（Ｒ_９０６ａ）（Ｒ_９０７ａ）、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
Ｒ_９０１ａ～Ｒ_９０７ａは、それぞれ独立に、
水素原子、
無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
Ｒ_９０１ａが２以上存在する場合、２以上のＲ_９０１ａは、互いに同一であるか、又は異なり、
Ｒ_９０２ａが２以上存在する場合、２以上のＲ_９０２ａは、互いに同一であるか、又は異なり、
Ｒ_９０３ａが２以上存在する場合、２以上のＲ_９０３ａは、互いに同一であるか、又は異なり、
Ｒ_９０４ａが２以上存在する場合、２以上のＲ_９０４ａは、互いに同一であるか、又は異なり、
Ｒ_９０５ａが２以上存在する場合、２以上のＲ_９０５ａは、互いに同一であるか、又は異なり、
Ｒ_９０６ａが２以上存在する場合、２以上のＲ_９０６ａは、互いに同一であるか、又は異なり、
Ｒ_９０７ａが２以上存在する場合、２以上のＲ_９０７ａは、互いに同一であるか、又は異なる。

一実施形態においては、前記各式中の「置換もしくは無置換の」という場合における置換基が、
無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。

一実施形態においては、前記各式中の「置換もしくは無置換の」という場合における置換基が、
無置換の炭素数１～１８のアルキル基、
無置換の環形成炭素数６～１８のアリール基、又は
無置換の環形成原子数５～１８の複素環基である。

（一般式（５０）で表される化合物）
一般式（５０）で表される化合物について説明する。
第一の発光性化合物及び第二の発光性化合物は、下記一般式（５０）で表される化合物であることも好ましい。

（前記一般式（５０）において、
Ａｘ環、Ｄｘ環及びＥｘ環は、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０の芳香族炭化水素環、又は、
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環であり、
Ｘ_５は、ＣＲ_５５又は窒素原子であり、
Ｘ_５から延びる破線は、Ｚ_１と結合する単結合であるか、又はＺ_２と結合する単結合であり、
Ｚ_１は、
前記破線で示される単結合でＸ_５と結合している場合は炭素原子であり、
前記破線で示される単結合でＸ_５と結合していない場合は、ＣＲ_Ｘ９又は窒素原子であり、
Ｚ_２は、
前記破線で示される単結合でＸ_５と結合している場合は炭素原子であり、
前記破線で示される単結合でＸ_５と結合していない場合は、ＣＲ_Ｘ８又は窒素原子であり、
Ｒ_５４及びＲ_５５からなる組が、
互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
互いに結合せず、
前記置換もしくは無置換の単環を形成せず、かつ前記置換もしくは無置換の縮合環を形成しないＲ_５４及びＲ_５５は、それぞれ独立に、
水素原子、
ハロゲン原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のフルオロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ_５８１）（Ｒ_５８２）（Ｒ_５８３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ_５８４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ_５８５）で表される基、
－Ｎ（Ｒ_５８６）（Ｒ_５８７）で表される基、
－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ_５８８で表される基、
－ＣＯＯＲ_５８９で表される基、
－Ｃ（＝Ｏ）－Ｎ（Ｒ_５９０）（Ｒ_５９１）で表される基、
－Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ_５９２）（Ｒ_５９３）で表される基、
シアノ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
Ｙは、ＮＲ_５１、酸素原子、硫黄原子もしくはＣ（Ｒ_５２３）（Ｒ_５２４）であるか、又は前記一般式（５１Ａ）で表され、
Ｒ_５１は、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のフルオロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基、又は
前記一般式（５２Ａ）で表される基であり、
Ｒ_５１は、
Ａｘ環と結合するか、
Ｅｘ環と結合するか、又は
Ａｘ環及びＥｘ環とは結合せず、
前記一般式（５２Ａ）中の、Ｘ_５１は、ＣＲ_５７４又は窒素原子であり、
前記一般式（５２Ａ）中のＲ_５７３及びＲ_５７４からなる組が、
互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
互いに結合せず、
前記置換もしくは無置換の単環を形成せず、かつ前記置換もしくは無置換の縮合環を形成しないＲ_５７３及びＲ_５７４は、それぞれ独立に、前記置換もしくは無置換の単環を形成せず、かつ前記置換もしくは無置換の縮合環を形成しないＲ_５４及びＲ_５５と同義であり、
前記一般式（５２Ａ）中の２つの破線のうち、
Ｘ_５１から延びる破線は、Ｚ_３と結合する単結合であるか、又はＺ_４と結合する単結合であり、
他方の破線は、ＮＲ_５１で表される基の窒素原子との結合位置を示し、
Ｚ_３は、
前記破線で示される単結合でＸ_５１と結合している場合は炭素原子であり、
前記破線で示される単結合でＸ_５１と結合していない場合は、ＣＲ_Ｘ６Ａ又は窒素原子であり、
Ｚ_４は、
前記破線で示される単結合でＸ_５１と結合している場合は炭素原子であり、
前記破線で示される単結合でＸ_５１と結合していない場合は、ＣＲ_Ｘ８Ａ又は窒素原子であり、
Ｒ_５２３及びＲ_５２４からなる組が、
互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
互いに結合せず、
Ｒ_５７１、Ｒ_５７２、並びに前記置換もしくは無置換の単環を形成せず、かつ前記置換もしくは無置換の縮合環を形成しないＲ_５２３及びＲ_５２４は、それぞれ独立に、
水素原子、
ハロゲン原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のフルオロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ_５８１）（Ｒ_５８２）（Ｒ_５８３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ_５８４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ_５８５）で表される基、
－Ｎ（Ｒ_５８６）（Ｒ_５８７）で表される基、
－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ_５８８で表される基、
－ＣＯＯＲ_５８９で表される基、
－Ｃ（＝Ｏ）－Ｎ（Ｒ_５９０）（Ｒ_５９１）で表される基、
－Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ_５９２）（Ｒ_５９３）で表される基、
シアノ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
Ｒ_５７１及びＲ_５７２の一方が、Ａｘ環と結合するか、Ｅｘ環と結合するか、又は
Ｒ_５７１及びＲ_５７２の両方が、Ａｘ環及びＥｘ環とは結合せず、
ｑは、０又は１であり、
ｐ及びｒは、それぞれ独立に、０、１、２又は３であり、
複数のＲ_５６のうちの隣接する２つ以上からなる組、
複数のＲ_５８のうちの隣接する２つ以上からなる組、
複数のＲ_５９のうちの隣接する２つ以上からなる組、
Ｒ_Ｘ６Ａと、Ｒ_Ｘ６Ａに隣接するＲ_５６と、からなる組、
Ｒ_Ｘ９と、Ｒ_Ｘ９に隣接するＲ_５９と、からなる組、
Ｒ_Ｘ８と、Ｒ_Ｘ８に隣接するＲ_５８と、からなる組、並びに
Ｒ_Ｘ８Ａと、Ｒ_Ｘ８Ａに隣接するＲ_５８と、からなる組の１組以上が、
互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
互いに結合せず、
前記置換もしくは無置換の単環を形成せず、かつ前記置換もしくは無置換の縮合環を形成しないＲ_５６、Ｒ_５８、Ｒ_５９、Ｒ_Ｘ６Ａ、Ｒ_Ｘ８Ａ、Ｒ_Ｘ８及びＲ_Ｘ９は、それぞれ独立に、
水素原子、
ハロゲン原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のフルオロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ_５８１）（Ｒ_５８２）（Ｒ_５８３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ_５８４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ_５８５）で表される基、
－Ｎ（Ｒ_５８６）（Ｒ_５８７）で表される基、
－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ_５８８で表される基、
－ＣＯＯＲ_５８９で表される基、
－Ｃ（＝Ｏ）－Ｎ（Ｒ_５９０）（Ｒ_５９１）で表される基、
－Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ_５９２）（Ｒ_５９３）で表される基、
シアノ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。）

（前記一般式（５０）で表される化合物中、Ｒ_５８１～Ｒ_５９３は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
Ｒ_５８１が複数存在する場合、複数のＲ_５８１は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_５８２が複数存在する場合、複数のＲ_５８２は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_５８３が複数存在する場合、複数のＲ_５８３は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_５８４が複数存在する場合、複数のＲ_５８４は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_５８５が複数存在する場合、複数のＲ_５８５は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_５８６が複数存在する場合、複数のＲ_５８６は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_５８７が複数存在する場合、複数のＲ_５８７は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_５８８が複数存在する場合、複数のＲ_５８８は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_５８９が複数存在する場合、複数のＲ_５８９は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_５９０が複数存在する場合、複数のＲ_５９０は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_５９１が複数存在する場合、複数のＲ_５９１は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_５９２が複数存在する場合、複数のＲ_５９２は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_５９３が複数存在する場合、複数のＲ_５９３は、互いに同一であるか又は異なる。）

前記一般式（５０）において、Ａｘ環、Ｄｘ環及びＥｘ環は、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０の芳香族炭化水素環、又は、
置換もしくは無置換の環形成原子数５～３０の複素環であることも好ましい。

前記一般式（５０）において、Ｒ_５４及びＲ_５５からなる組が、置換もしくは無置換の脂肪族環を形成することも好ましい。

前記一般式（５０）で表される化合物は、下記一般式（５３）で表される化合物であることも好ましい。

（前記一般式（５３）において、
Ｒ_Ｘ１及びＲ_Ｘ８Ａからなる組、
Ｒ_Ｘ１及びＲ_Ｘ８からなる組、
Ｒ_Ｘ２及びＲ_Ｘ３からなる組、
Ｒ_Ｘ３及びＲ_Ｘ４からなる組、
Ｒ_Ｘ５及びＲ_Ｘ６からなる組、並びに
Ｒ_Ｘ６及びＲ_Ｘ７からなる組の１組以上が、
互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
互いに結合せず、
前記置換もしくは無置換の単環を形成せず、かつ前記置換もしくは無置換の縮合環を形成しないＲ_Ｘ１、Ｒ_Ｘ２、Ｒ_Ｘ３、Ｒ_Ｘ４、Ｒ_Ｘ５、Ｒ_Ｘ６、Ｒ_Ｘ７、Ｒ_Ｘ８Ａ及びＲ_Ｘ８は、それぞれ独立に、
水素原子、
ハロゲン原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のフルオロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ_５８１）（Ｒ_５８２）（Ｒ_５８３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ_５８４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ_５８５）で表される基、
－Ｎ（Ｒ_５８６）（Ｒ_５８７）で表される基、
－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ_５８８で表される基、
－ＣＯＯＲ_５８９で表される基、
－Ｃ（＝Ｏ）－Ｎ（Ｒ_５９０）（Ｒ_５９１）で表される基、
－Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ_５９２）（Ｒ_５９３）で表される基、
シアノ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
Ｘ_５は、前記一般式（５０）におけるＸ_５と同義であり、
Ｒ_５４は、前記一般式（５０）におけるＲ_５４と同義であり、
Ｘ_５１は、前記一般式（５２Ａ）におけるＸ_５１と同義であり、
Ｒ_５７３は、前記一般式（５２Ａ）におけるＲ_５７３と同義である。）

前記一般式（５０）で表される化合物は、下記一般式（５３１）で表される化合物であることも好ましい。

（前記一般式（５３１）において、
Ｒ_Ｘ１、Ｒ_Ｘ２、Ｒ_Ｘ３、Ｒ_Ｘ４、Ｒ_Ｘ５、Ｒ_Ｘ６、Ｒ_Ｘ７、Ｒ_Ｘ８Ａ及びＲ_Ｘ８は、それぞれ独立に、前記一般式（５３）におけるＲ_Ｘ１、Ｒ_Ｘ２、Ｒ_Ｘ３、Ｒ_Ｘ４、Ｒ_Ｘ５、Ｒ_Ｘ６、Ｒ_Ｘ７、Ｒ_Ｘ８Ａ及びＲ_Ｘ８と同義であり、
Ｒ_５４は、前記一般式（５０）におけるＲ_５４と同義であり、
Ｒ_５７３は、前記一般式（５２Ａ）におけるＲ_５７３と同義である。）

（前記一般式（５３１）において、
Ｒ_Ｘ１及びＲ_Ｘ８Ａからなる組、
Ｒ_Ｘ１及びＲ_Ｘ８からなる組、
Ｒ_Ｘ２及びＲ_Ｘ３からなる組、
Ｒ_Ｘ３及びＲ_Ｘ４からなる組、
Ｒ_Ｘ５及びＲ_Ｘ６からなる組、並びに
Ｒ_Ｘ６及びＲ_Ｘ７からなる組の１組以上が、下記一般式（５３２）で表される環構造又は下記一般式（５３３）で表される環構造を形成することも好ましい。

（前記一般式（５３２）及び（５３３）において、
Ｒ_Ｖ１～Ｒ_Ｖ８は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１～２５のアルキル基（好ましくは、置換もしくは無置換の炭素数１～８のアルキル基、より好ましくは、置換もしくは無置換の炭素数１～４のアルキル基）、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基（好ましくは、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～１０のアリール基、より好ましくは、置換もしくは無置換の環形成炭素数６のアリール基）であり、
Ｗは、Ｃ（Ｒ_Ｖ９）（Ｒ_Ｖ１０）、酸素原子、硫黄原子、又はＮＲ_Ｖ１１であり、
Ｒ_Ｖ９及びＲ_Ｖ１０は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数１～２５のアルキル基（好ましくは、置換もしくは無置換の炭素数１～８のアルキル基、より好ましくは、置換もしくは無置換の炭素数１～４のアルキル基）であり、
Ｒ_Ｖ１１は、置換もしくは無置換の炭素数１～２５のアルキル基（好ましくは、置換もしくは無置換の炭素数１～８のアルキル基であり、より好ましくは、置換もしくは無置換の炭素数１～４のアルキル基）、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基（好ましくは、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～１０のアリール基、より好ましくは、置換もしくは無置換の環形成炭素数６のアリール基）であり、
＊は、それぞれ、Ａｘ環、Ｄｘ環及びＥｘ環との結合位置を示す。）

前記一般式（５３１）において、Ｒ_５４及びＲ_５７３は、それぞれ独立に、メチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、－ＣＦ_３、無置換のフェニル基、ｐ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル基、キシリル基又はメシチル基であることが好ましい。

前記一般式（５３１）において、Ｒ_Ｘ２、Ｒ_Ｘ３、Ｒ_Ｘ６及びＲ_Ｘ７は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｓｅｃ－プロピル基、ｎ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、－Ｃ（Ｍｅ）_２Ｃ_２Ｈ_５、無置換のフェニル基、ｐ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル基、メシチル基、キシリル基、ｏ－メチルフェニル基又は置換もしくは無置換のビフェニル基（好ましくは、無置換のビフェニル基）であることが好ましい。

前記一般式（５３１）において、Ｒ_Ｘ１、Ｒ_Ｘ８Ａ及びＲ_Ｘ８は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基、エチル基、ｎ－ブチル基、無置換のフェニル基、－Ｏ－フェニル基、－ＮＰｈ_２、Ｎ－カルバゾリル基又は－Ｎ（Ｃ_６Ｈ_５ ^ｔＢｕ）_２であることが好ましい。Ｐｈは、無置換のフェニル基を示し、^ｔＢｕは、ｔｅｒｔ－ブチル基を示す。

前記一般式（５３１）において、Ｒ_Ｘ４及びＲ_Ｘ５は、水素原子であることが好ましい。

前記一般式（５３１）において、Ｒ_Ｘ４、Ｒ_Ｘ５、Ｒ_Ｘ８Ａ及びＲ_Ｘ８は、水素原子であることが好ましい。

前記一般式（５０）で表される化合物は、下記一般式（５３４）で表される化合物であることも好ましい。

（前記一般式（５３４）において、Ｒ_Ｘ１、Ｒ_Ｘ２、Ｒ_Ｘ３、Ｒ_Ｘ６及びＲ_Ｘ７は、それぞれ独立に、前記一般式（５３）におけるＲ_Ｘ１、Ｒ_Ｘ２、Ｒ_Ｘ３、Ｒ_Ｘ６及びＲ_Ｘ７と同義であり、Ｒ_５４は、前記一般式（５０）におけるＲ_５４と同義であり、Ｒ_５７３は、前記一般式（５２Ａ）におけるＲ_５７３と同義である。）

前記一般式（５０）で表される化合物中、Ｒ_５８１～Ｒ_５９３は、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であることが好ましい。

（一般式（５０）で表される化合物の具体例）
前記一般式（５０）で表される化合物としては、例えば、以下に示す化合物が具体例として挙げられる。

〔第二実施形態〕
（電子機器）
本実施形態に係る電子機器は、上述の実施形態のいずれかの有機ＥＬ素子を搭載している。電子機器としては、例えば、表示装置及び発光装置等が挙げられる。表示装置としては、例えば、表示部品（例えば、有機ＥＬパネルモジュール等）、テレビ、携帯電話、タブレット、及びパーソナルコンピュータ等が挙げられる。発光装置としては、例えば、照明及び車両用灯具等が挙げられる。

〔実施形態の変形〕
なお、本発明は、上述の実施形態に限定されず、本発明の目的を達成できる範囲での変更、改良等は、本発明に含まれる。

例えば、発光層は、２層に限られず、２を超える複数の発光層が積層されていてもよい。有機ＥＬ素子が２を超える複数の発光層を有する場合、少なくとも２つの発光層が上記実施形態で説明した条件を満たしていればよい。例えば、その他の発光層が、蛍光発光型の発光層であっても、三重項励起状態から直接基底状態への電子遷移による発光を利用した燐光発光型の発光層であってもよい。
また、有機ＥＬ素子が複数の発光層を有する場合、これらの発光層が互いに隣接して設けられていてもよいし、中間層を介して複数の発光ユニットが積層された、いわゆるタンデム型の有機ＥＬ素子であってもよい。

また、例えば、発光層の陽極側、及び陰極側の少なくとも一方に障壁層を隣接させて設けてもよい。障壁層は、発光層に接して配置され、正孔、電子、及び励起子の少なくともいずれかを阻止することが好ましい。
例えば、発光層の陰極側で接して障壁層が配置された場合、当該障壁層は、電子を輸送し、かつ正孔が当該障壁層よりも陰極側の層（例えば、電子輸送層）に到達することを阻止する。有機ＥＬ素子が、電子輸送層を含む場合は、発光層と電子輸送層との間に当該障壁層を含むことが好ましい。
また、発光層の陽極側で接して障壁層が配置された場合、当該障壁層は、正孔を輸送し、かつ電子が当該障壁層よりも陽極側の層（例えば、正孔輸送層）に到達することを阻止する。有機ＥＬ素子が、正孔輸送層を含む場合は、発光層と正孔輸送層との間に当該障壁層を含むことが好ましい。
また、励起エネルギーが発光層からその周辺層に漏れ出さないように、障壁層を発光層に隣接させて設けてもよい。発光層で生成した励起子が、当該障壁層よりも電極側の層（例えば、電子輸送層及び正孔輸送層等）に移動することを阻止する。
発光層と障壁層とは接合していることが好ましい。

その他、本発明の実施における具体的な構造、及び形状等は、本発明の目的を達成できる範囲で他の構造等としてもよい。

以下、実施例を挙げて本発明をさらに詳細に説明する。本発明は、これら実施例に何ら限定されない。

＜化合物＞
実施例１～４に係る有機ＥＬ素子の製造に用いた化合物の構造を以下に示す。

比較例１～３に係る有機ＥＬ素子の製造に用いた化合物の構造を以下に示す。

実施例１～４及び比較例１～３に係る有機ＥＬ素子の製造に用いたその他の化合物の構造を以下に示す。

＜有機ＥＬ素子の作製＞
（実施例１）
２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍ厚のＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）透明電極（陽極）付きガラス基板（ジオマテック株式会社製）をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行なった後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。ＩＴＯ透明電極の膜厚は、１３０ｎｍとした。
洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に透明電極を覆うようにして、化合物ＨＡを蒸着し、膜厚５ｎｍの正孔注入層を形成した。
正孔注入層の上に化合物ＨＴ－ａを蒸着し、膜厚１２０ｎｍの正孔輸送層を形成した。
正孔輸送層の上に化合物ＨＴ－ｂを蒸着し、膜厚５ｎｍの電子障壁層（ＥＢＬ）を形成した。
電子障壁層の上に化合物ＢＨ１－ａ（第一のホスト材料（ＢＨ））及び化合物ＢＤ１（第一の発光性化合物（ＢＤ））を、化合物ＢＤ１の割合が１質量％となるように共蒸着し、膜厚１２．５ｎｍの第一の発光層を形成した。
第一の発光層上に化合物ＢＨ２－ａ（第二のホスト材料（ＢＨ））及び化合物ＢＤ１（第二の発光性化合物（ＢＤ））を、化合物ＢＤ１の割合が１質量％となるように共蒸着し、膜厚１２．５ｎｍの第二の発光層を形成した。
第二の発光層の上に化合物ＨＢ－ａを蒸着し、膜厚５ｎｍの正孔障壁層（ＨＢＬ）を形成した。
正孔障壁層の上に化合物ＥＴ－ａを蒸着し、膜厚２０ｎｍの電子輸送層（ＥＴ）を形成した。
電子輸送層の上にフッ化リチウム（ＬｉＦ）を蒸着して膜厚１ｎｍの電子注入層を形成した。
電子注入層の上に金属Ａｌを蒸着して膜厚８０ｎｍの陰極を形成した。
実施例１の素子構成を略式的に示すと、次のとおりである。
ITO(130)/HA(5)/HT-a(120)/HT-b(5)/BH1-a:BD1(12.5,99%:1%)/BH2-a:BD1(12.5,99%:1%)/HB-a(5)/ET-a(20)/LiF(1)/Al(80)
なお、括弧内の数字は、膜厚（単位：ｎｍ）を示す。
同じく括弧内において、パーセント表示された数字（９９％：１％）は、第一の発光層又は第二の発光層におけるホスト材料（化合物ＢＨ１－ａ又はＢＨ２－ａ）及び発光性化合物（化合物ＢＤ１）の割合（質量％）を示す。

（実施例２）
実施例２の有機ＥＬ素子は、実施例１の第二の発光層で用いた化合物ＢＨ２－ａ（第二のホスト材料）を表１に示す化合物に変更した以外、実施例１と同様に作製した。

（実施例３）
実施例３の有機ＥＬ素子は、実施例１の第一の発光層で用いた化合物ＢＨ１－ａ（第一のホスト材料）を表１に示す化合物に変更した以外、実施例１と同様に作製した。

（実施例４）
実施例４の有機ＥＬ素子は、実施例１の電子障壁層で用いた化合物ＨＴ－ｂを表１に示す化合物に変更した以外、実施例１と同様に作製した。

（比較例１～３）
比較例１～３の有機ＥＬ素子は、それぞれ、実施例１の第一の発光層で用いた化合物ＢＨ１－ａ（第一のホスト材料）を表１に示す化合物に変更した以外、実施例１と同様に作製した。

＜有機ＥＬ素子の評価＞
作製した有機ＥＬ素子について、以下の評価を行った。評価結果を表１に示す。

・外部量子効率ＥＱＥ
電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ^２となるように素子に電圧を印加した時の分光放射輝度スペクトルを分光放射輝度計ＣＳ－２０００（コニカミノルタ株式会社製）で計測した。得られた分光放射輝度スペクトルから、ランバシアン放射を行ったと仮定し外部量子効率ＥＱＥ（単位：％）を算出した。
各例のＥＱＥの測定値、並びに下記数式（数１Ｘ）により、「ＥＱＥ（相対値）」（単位：％）を算出した。
ＥＱＥ（相対値）＝（各例のＥＱＥ／実施例１のＥＱＥ）×１００…（数１Ｘ）

・寿命ＬＴ９５
作製した有機ＥＬ素子に、電流密度が５０ｍＡ／ｃｍ^２となるように電圧を印加し、初期輝度に対して輝度が９５％となるまでの時間（ＬＴ９５（単位：時間））を測定した。輝度は、分光放射輝度計ＣＳ－２０００（コニカミノルタ株式会社製）を用いて測定した。
各例のＬＴ９５の測定値、並びに下記数式（数２Ｘ）により、「ＬＴ９５（相対値）」（単位：％）を算出した。
ＬＴ９５（相対値）＝（各例のＬＴ９５／実施例１のＬＴ９５）×１００…（数２Ｘ）

実施例１～４の有機ＥＬ素子は、発光効率が高く、長寿命であった。

＜化合物の評価方法＞
化合物の評価方法を以下に示す。化合物の評価結果は、表１～表４に示す。表１に示す三重項エネルギーＴ_１の値は、実測値である。

（三重項エネルギーＴ_１）
測定対象となる化合物をＥＰＡ（ジエチルエーテル：イソペンタン：エタノール＝５：５：２（容積比））中に、濃度が１０μｍｏｌ／Ｌとなるように溶解し、この溶液を石英セル中に入れて測定試料とした。この測定試料について、低温（７７［Ｋ］）で燐光スペクトル（縦軸：燐光発光強度、横軸：波長とする。）を測定し、この燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対して接線を引き、その接線と横軸との交点の波長値λ_ｅｄｇｅ［ｎｍ］に基づいて、次の換算式（Ｆ１）から算出されるエネルギー量を三重項エネルギーＴ_１とした。なお、三重項エネルギーＴ_１は、測定条件によっては上下０．０２ｅＶ程度の誤差が生じ得る。
換算式（Ｆ１）：Ｔ_１［ｅＶ］＝１２３９．８５／λ_ｅｄｇｅ

燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対する接線は以下のように引く。燐光スペクトルの短波長側から、スペクトルの極大値のうち、最も短波長側の極大値までスペクトル曲線上を移動する際に、長波長側に向けて曲線上の各点における接線を考える。この接線は、曲線が立ち上がるにつれ（つまり縦軸が増加するにつれ）、傾きが増加する。この傾きの値が極大値をとる点において引いた接線（すなわち変曲点における接線）が、当該燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対する接線とする。
なお、スペクトルの最大ピーク強度の１５％以下のピーク強度をもつ極大点は、上述の最も短波長側の極大値には含めず、最も短波長側の極大値に最も近い、傾きの値が極大値をとる点において引いた接線を当該燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対する接線とする。
燐光の測定には、（株）日立ハイテクノロジー製のＦ－４５００形分光蛍光光度計本体を用いた。

（一重項エネルギーＳ_１）
測定対象となる化合物の１０μｍｏｌ／Ｌトルエン溶液を調製して石英セルに入れ、常温（３００Ｋ）でこの試料の吸収スペクトル（縦軸：吸収強度、横軸：波長とする。）を測定した。この吸収スペクトルの長波長側の立ち下がりに対して接線を引き、その接線と横軸との交点の波長値λｅｄｇｅ［ｎｍ］を次に示す換算式（Ｆ２）に代入して一重項エネルギーを算出した。
換算式（Ｆ２）：Ｓ_１［ｅＶ］＝１２３９．８５／λｅｄｇｅ
吸収スペクトル測定装置としては、日立社製の分光光度計（装置名：Ｕ３３１０）を用いた。

吸収スペクトルの長波長側の立ち下がりに対する接線は以下のように引く。吸収スペクトルの極大値のうち、最も長波長側の極大値から長波長方向にスペクトル曲線上を移動する際に、曲線上の各点における接線を考える。この接線は、曲線が立ち下がるにつれ（つまり縦軸の値が減少するにつれ）、傾きが減少しその後増加することを繰り返す。傾きの値が最も長波長側（ただし、吸光度が０．１以下となる場合は除く）で極小値をとる点において引いた接線を当該吸収スペクトルの長波長側の立ち下がりに対する接線とする。
なお、吸光度の値が０．２以下の極大点は、上記最も長波長側の極大値には含めない。

（化合物の正孔注入構造部位及びトリプレット構造部位のＨＯＭＯ及びＴ_１の計算値）
化合物の正孔注入構造部位及びトリプレット構造部位のＨＯＭＯの計算値及びＴ_１の計算値は、量子化学計算プログラム（Ｇａｕｓｓｉａｎ １６， Ｒｅｖｉｓｉｏｎ Ｂ （Ｇａｕｓｓｉａｎ Ｉｎｃ．）；計算手法：Ｂ３ＬＹＰ／６－３１Ｇ^＊（理論にはＢ３ＬＹＰを使用し、基底関数に６－３１Ｇ^＊を使用したことを意味する））を用いて、算出した。

（イオン化ポテンシャル）
化合物のイオン化ポテンシャルは、大気下で、光電子分光装置（理研計器株式会社製、「ＡＣ－３」）を用いて測定した。具体的には、材料に光を照射し、その際に電荷分離によって生じる電子量を測定することにより、化合物のイオン化ポテンシャルを測定した。表中のＩｐは、イオン化ポテンシャルの略称である。

（蛍光発光最大ピーク波長（ＦＬ－ｐｅａｋ）の測定）
測定対象となる化合物を、４．９×１０^－６ｍｏｌ／Ｌの濃度でトルエンに溶解し、トルエン溶液を調製した。蛍光スペクトル測定装置（分光蛍光光度計Ｆ－７０００（株式会社日立ハイテクサイエンス製））を用いて、トルエン溶液を３９０ｎｍで励起した場合の蛍光発光最大ピーク波長λ（単位：ｎｍ）を測定した。
化合物ＢＤ１の蛍光発光最大ピーク波長λは、４５７ｎｍであった。

表２及び表３に、第一のホスト材料の各構造部位及び化合物全体のイオン化ポテンシャル、ＨＯＭＯ及び三重項エネルギーの値を示す。表４に、実施例及び比較例で用いたその他の化合物全体のイオン化ポテンシャル、ＨＯＭＯ及び三重項エネルギーの値を示す。

＜合成例＞
（化合物ＢＤ１の合成）
・中間体１－１の合成

１－ブロモ－２－フルオロ―３ニトロベンゼン（８７．８ｇ、３９９ｍｍｏｌ）を１３０ｍＬのトリフルオロメタンスルホン酸に加え、溶液を０℃に冷却した。そこにＮ－ヨードスクシンイミド（１１６．５ｇ、５１７ｍｍｏｌ）を加え、室温で１９時間攪拌させた。反応溶液を４００ｍＬの水に注ぎ、４０％の水酸化ナトリウム水溶液にて反応溶液を中和させ、ヘプタンで抽出した。集めた有機層を無色なるまで１０％の亜硫酸ナトリウム水溶液で洗い、飽和食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウムにて乾燥させた。固体を濾過で取り除き、濾液を濃縮した。得られた油状物を蒸留して精製し黄色の油状物（１０２．５ｇ、収率７１％）を得た。得られた油状物は目的物ある中間体１－１であり、マススペクトル分析の結果、分子量３４６に対し、ｍ／ｚ＝３４６であった。

・中間体１－２の合成

窒素雰囲気下、中間体１－１（７０．０ｇ、２０２ｍｍｏｌ）、３－ｔ－ブチルフェニルボロン酸（３９．６ｇ、２２３ｍｍol）およびリン酸カリウム（１０７ｇ、５０６ｍｍｏｌ）を２８０ｍＬのトルエン、２１０ｍＬの１，４－ジオキサンおよび１４０ｍＬの水の混合溶媒に懸濁させた。さらにテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（４．６８ｇ、４．０５ｍｍｏｌ）を加えて、その混合物を８０℃で２４時間攪拌させた。室温に冷却後、水層をトルエンで抽出し集めた有機層を飽和食塩水で洗い、硫酸マグネシウムにて乾燥させた。固体を濾別した後、濃縮し茶色の油状物を得た。その油状物にメタノールを注ぎ結晶化させ、得られた結晶をろ取し、メタノールで洗浄することで白色の固体（４３ｇ、収率６０％）を得た。得られた固体は目的物である中間体１－２であり、マススペクトルの結果、分子量３５２に対し、ｍ/ｚ＝３５２であった。

・中間体１－３の合成

窒素雰囲気下、中間体１－２（３５．２ｇ、１００ｍｍｏｌ）、１，３－ジアミノベンゼン（４．５ｇ、４１．６ ｍｍｏｌ）および炭酸水素ナトリウム（７．７ｇ、９２ｍｍｏｌ）を６０ｍＬのジメチルスルホキシドに加えて、１００ ℃にて４８時間攪拌させた。反応溶液を室温に冷却し、３０ｍＬのメタノールおよび１５ｍＬの水を加えた。得られた固体をろ取し、メタノールおよび水で洗浄した。その固体を８０ｍＬのエタノールに加えて加熱攪拌させ、溶け残りの固体をろ取することで赤色の固体（２６．７ｇ、収率８３％）を得た。得られた固体は目的物である中間体１－３であり、マススペクトルの結果、分子量８２８に対し、ｍ/ｚ＝８２８であった。

・中間体１－４の合成

中間体１－３（１７．７ｇ、２２．９ｍｍｏｌ）を６５０ｍＬのテトラヒドロフランに溶解させ、６０ｍＬのメタノールを加えた後に５０℃に加熱し、塩化アンモニウム（７３．５ｇ、１．３７５ｍｏｌ）を加えた。そして、亜鉛粉末（３３．７ｇ、４１２ｍｍｏｌ）を徐々に加えて、２時間攪拌させた。さらに、塩化アンモニウム（３５．０ｇ、６５４ｍｍｏｌ）および亜鉛粉末（１７．５ｇ、２６７ｍｍｏｌ）を加え、５０℃で１８時間攪拌させた。室温に冷却後、固体を濾別し、濾液を濃縮した。残渣に２００ｍＬの水を加えて酢酸エチルで抽出した。集めた有機層を水および飽和食塩水で洗い、硫酸マグネシウムにて乾燥させた。その溶液を濃縮することで桃色の固体（１４．３ｇ、収率８７％）を得た。得られた固体は目的物である中間体１－４であり、マススペクトルの結果、分子量７６８に対し、ｍ/ｚ＝７６８であった。

・中間体１－５の合成

亜硫酸水素ナトリウム（３１．５ｇ、３０３ｍｍｏｌ）を３０ｍＬのジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）に懸濁させ１２０℃で攪拌させた。そこに、３０ｍＬのジメチルアセトアミドに溶かした中間体１－４（９．６９ｇ、１２．６ｍｍｏｌ）を加え、３０ｍＬのジメチルアセトアミドに溶かした１－ナフチルアルデヒド（７．８９ｇ、５０．５ｍｍｏｌ）を滴下した、その混合物を１３０℃で２４時間攪拌させた。室温に冷却後、反応混合物を５００ｍＬのメタノールに注ぎ、攪拌しながら５００ｍＬの水および５００ｍＬのメタノールを加えた。生成した固体をろ取し、メタノールで洗浄した。その固体を２５０ｍＬの塩化メチレンおよび１００ｍＬのヘプタンを用いて結晶化させた。得られた固体をろ取し、ヘプタンで洗浄することで白色の固体（９．７１ｇ、収率７４％）を得た。得られた固体は目的物である中間体１－５であり、マススペクトルの結果、分子量１０４０に対し、ｍ/ｚ＝１０４０であった。

・化合物ＢＤ１の合成

中間体１－５（６．６２ｇ、６．３６ｍｍｏｌ）を４００ｍＬのｔ－ブチルベンゼンに溶解させ、－５０℃に冷却し、１．７Ｍのｔ－ブチルリチウム（ｔ－ＢｕＬｉ）ペンタン溶液（１５ｍＬ、２５．４ｍｍｏｌ）を滴下した。室温で４５分攪拌した後、再度－５０℃に冷却し、三臭化ホウ素（６．３８ｇ、２５．４ｍｍｏｌ）を滴下した。室温に昇温して２時間攪拌し、反応溶液をキャヌラーを用いて、１２００ｍＬの氷水と２００ｍＬの１Ｍ水酸化ナトリウムに加えた。その後、酢酸エチルで抽出し、集めた有機層を飽和食塩水で洗い、硫酸マグネシウムにて乾燥させた。得られた溶液を濃縮し、残渣をシリカゲルクロマトグラフィーで精製し黄色固体（０．３４ｇ、６％の収率）を得た。得られた固体は目的物である化合物ＢＤ１であり、マススペクトルの結果、分子量８９０に対し、ｍ/ｚ＝８９０であった。

１…有機ＥＬ素子、１０…有機層、２…基板、３…陽極、４…陰極、５１…第一の発光層、５２…第二の発光層、６１…第一の陽極側有機層、６２…正孔輸送層、６３…正孔注入層、７１…第一の陰極側有機層、７２…電子輸送層、７３…電子注入層。

Claims (36)

1. 有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
   陽極と、陰極と、第一の陽極側有機層と、第一の発光層と、第二の発光層と、第一の陰極側有機層と、を有し、
   前記陽極及び前記陰極の間において、前記第一の陽極側有機層、前記第一の発光層、前記第二の発光層及び前記第一の陰極側有機層が、この順で配置され、
   前記第一の陽極側有機層は、第一の陽極側有機材料を含み、
   前記第一の発光層は、下記一般式（１Ｈ）で表される第一のホスト材料を含み、
   前記第二の発光層は、第二のホスト材料を含み、
   前記第一の陰極側有機層は、第一の陰極側有機材料を含み、
   前記第一のホスト材料と前記第二のホスト材料とは互いに異なり、
   前記第一の発光層は、第一の発光性化合物を少なくとも含み、
   前記第二の発光層は、第二の発光性化合物を少なくとも含み、
   前記第一の発光性化合物と前記第二の発光性化合物とが、互いに同一であるか、又は異なり、
   前記第一のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ１）、前記第二のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ２）及び前記第二の発光性化合物の三重項エネルギーＴ_１（Ｄ２）が、下記数式（数１）の関係を満たす、
   有機エレクトロルミネッセンス素子。
   Ｔ_１（Ｈ１）＜Ｔ_１（Ｈ２）＜Ｔ_１（Ｄ２） …（数１）
   Ａ－Ｌ－Ｂ …（１Ｈ）
   （前記一般式（１Ｈ）において、
   Ａは、トリプレット構造部位であり、
   Ｂは、正孔注入構造部位であり、
   Ｌは、単結合又は連結基であり、
   前記正孔注入構造部位Ｂの最高被占軌道のエネルギー準位のＨＯＭＯ（Ｂ）の計算値は、－５．７０ｅＶ以上である。）
2. 前記第一のホスト材料の前記トリプレット構造部位Ａの三重項エネルギーの計算値Ｔ_１Ｃ（Ａ）及び前記第一のホスト材料の前記正孔注入構造部位の三重項エネルギーの計算値Ｔ_１Ｃ（Ｂ）は、下記数式（数２Ｂ）の関係を満たす、
   請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
   Ｔ_１Ｃ（Ａ）＜Ｔ_１Ｃ（Ｂ）…（数２Ｂ）
3. 前記第一のホスト材料の前記トリプレット構造部位Ａの三重項エネルギーの計算値Ｔ_１Ｃ（Ａ）及び前記第二のホスト材料の三重項エネルギーの計算値Ｔ_１Ｃ（Ｈ２）は、下記数式（数２）の関係を満たす、
   請求項１又は請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
   Ｔ_１Ｃ（Ａ）＜Ｔ_１Ｃ（Ｈ２）…（数２）
4. 前記第一のホスト材料の前記トリプレット構造部位Ａは、置換もしくは無置換のアントラセンである、
   請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
5. 前記トリプレット構造部位Ａとしての置換もしくは無置換のアントラセンの９位炭素原子又は１０位炭素原子が、Ｌに結合する、
   請求項４に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
6. 前記第一のホスト材料のＬは、置換もしくは無置換のフェニレン基又は置換もしくは無置換のビフェニレン基である、
   請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
7. 前記第一のホスト材料の前記トリプレット構造部位Ａは、置換もしくは無置換の９，１０－ジフェニルアントラセンであり、Ｌは、単結合である、
   請求項４に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
8. 前記トリプレット構造部位Ａとしての置換もしくは無置換の９，１０－ジフェニルアントラセンの９位炭素原子及び１０位炭素原子に、それぞれ独立に、置換もしくは無置換のフェニル基が結合しており、いずれかの置換もしくは無置換のフェニル基に前記正孔注入構造部位Ｂが結合している、
   請求項７に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
9. 前記第一の陰極側有機材料の三重項エネルギーＴ_１（ＨＢＬ）、前記第一のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ１）、前記第二のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ２）及び前記第二の発光性化合物の三重項エネルギーＴ_１（Ｄ２）が、下記数式（数１Ａ）の関係を満たす、
   請求項１から請求項８のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
   Ｔ_１（Ｈ１）＜Ｔ_１（Ｈ２）＜Ｔ_１（Ｄ２）＜Ｔ_１（ＨＢＬ） …（数１Ａ）
10. 前記第一の陽極側有機材料の三重項エネルギーＴ_１（ＥＢＬ）及び前記第一のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ１）が、下記数式（数１Ｂ）の関係を満たす、
    請求項１から請求項９のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
    Ｔ_１（ＥＢＬ）＞Ｔ_１（Ｈ１） …（数１Ｂ）
11. 前記第一の陽極側有機材料の最高被占軌道のエネルギー準位のＨＯＭＯ（ＥＢＬ）の計算値ＨＯＭＯｃ（ＥＢＬ）及び正孔注入構造部位Ｂの最高被占軌道のエネルギー準位のＨＯＭＯ（Ｂ）の計算値ＨＯＭＯｃ（Ｂ）が、下記数式（数１Ｃ）の関係を満たす、
    請求項１から請求項１０のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
    ｜ＨＯＭＯ_Ｃ（ＥＢＬ）｜＜｜ＨＯＭＯ_Ｃ（Ｂ）｜ …（数１Ｃ）
12. 前記第一の発光性化合物の最大ピーク波長が５００ｎｍ以下である、
    請求項１から請求項１１のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
13. 前記第二の発光性化合物の最大ピーク波長が５００ｎｍ以下である、
    請求項１から請求項１２のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
14. 前記第一のホスト材料の一重項エネルギーＳ_１（Ｈ１）と、前記第一の発光性化合物の一重項エネルギーＳ_１（Ｄ１）とが下記数式（数５）の関係を満たす、
    請求項１から請求項１３のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
    Ｓ_１（Ｈ１）＞Ｓ_１（Ｄ１） …（数５）
15. 前記第一のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ１）と、前記第一の発光性化合物の三重項エネルギーＴ_１（Ｄ１）とが下記数式（数６）の関係を満たす、
    請求項１から請求項１４のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
    Ｔ_１（Ｄ１）＞Ｔ_１（Ｈ１） …（数６）
16. 前記第二のホスト材料の一重項エネルギーＳ_１（Ｈ２）と前記第二の発光性化合物の一重項エネルギーＳ_１（Ｄ２）とが、下記数式（数７）の関係を満たす、
    請求項１から請求項１５のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
    Ｓ_１（Ｈ２）＞Ｓ_１（Ｄ２） …（数７）
17. 前記第一のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ１）と前記第二のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ２）とが、下記数式（数９）の関係を満たす、
    請求項１から請求項１６のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
    Ｔ_１（Ｈ２）－Ｔ_１（Ｈ１）＞０．０３ｅＶ …（数９）
18. 前記第一の発光層と前記第二の発光層とが、直接、接している、
    請求項１から請求項１７のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
19. 前記第一の発光層と前記第一の陽極側有機層とが、直接、接している、
    請求項１から請求項１８のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
20. 前記第二の発光層と前記第一の陰極側有機層とが、直接、接している、
    請求項１から請求項１９のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
21. 前記第一の発光性化合物又は前記第二の発光性化合物の三重項エネルギーＴ_１（ＤＸ）と、前記第一のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ１）と前記第二のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ２）とが、下記数式（数１０）の関係を満たす、
    請求項１から請求項２０のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
    ２．６ｅＶ＞Ｔ_１（ＤＸ）＞Ｔ_１（Ｈ２）＞Ｔ_１（Ｈ１） …（数１０）
22. 前記第一の発光性化合物又は前記第二の発光性化合物の三重項エネルギーＴ_１（ＤＸ）と、前記第二のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ２）とが、下記数式（数１１）の関係を満たす、
    請求項１から請求項２１のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
    ０ｅＶ＜Ｔ_１（ＤＸ）－Ｔ_１（Ｈ２）＜０．６ｅＶ …（数１１）
23. 前記第二のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ２）が、下記数式（数１２）の関係を満たす、
    請求項１から請求項２２のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
    Ｔ_１（Ｈ２）＞２．０ｅＶ …（数１２）
24. 前記第二のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ２）が、下記数式（数１２Ａ）の関係を満たす、
    請求項１から請求項２３のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
    Ｔ_１（Ｈ２）＞２．１０ｅＶ …（数１２Ａ）
25. 前記第二のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ２）が、下記数式（数１２Ｃ）の関係を満たす、
    請求項１から請求項２２のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
    ２．０８ｅＶ＞Ｔ_１（Ｈ２）＞１．８７ｅＶ …（数１２Ｃ）
26. 前記第一の発光性化合物の三重項エネルギーＴ_１（Ｄ１）が、下記数式（数１４Ａ）の関係を満たす、
    請求項１から請求項２５のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
    ２．６０ｅＶ＞Ｔ_１（Ｄ１） …（数１４Ａ）
27. 前記第二の発光性化合物の三重項エネルギーＴ_１（Ｄ２）が、下記数式（数１４Ｃ）の関係を満たす、
    請求項１から請求項２６のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
    ２．６０ｅＶ＞Ｔ_１（Ｄ２） …（数１４Ｃ）
28. 前記第一のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ１）が、下記数式（数１３）の関係を満たす、
    請求項１から請求項２７のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
    Ｔ_１（Ｈ１）≧１．９ｅＶ …（数１３）
29. 前記第一のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ１）が、下記数式（数１３Ａ）の関係を満たす、
    請求項１から請求項２６のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
    １．９ｅＶ＞Ｔ_１（Ｈ２）≧１．８ｅＶ …（数１３Ａ）
30. 前記第二のホスト材料は、分子中に、単結合で連結されたベンゼン環とナフタレン環とを含む連結構造を有し、
    前記連結構造中の前記ベンゼン環及び前記ナフタレン環には、それぞれ独立に、さらに単環又は縮合環が縮合しているか又は縮合しておらず、
    前記連結構造中の前記ベンゼン環と前記ナフタレン環とが、前記単結合以外の少なくとも１つの部分において架橋によりさらに連結している、
    請求項１から請求項２９のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
31. 前記架橋が二重結合を含む、
    請求項３０に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
32. 前記第二のホスト材料は、分子中に、第一のベンゼン環と第二のベンゼン環とが単結合で連結されたビフェニル構造を有し、
    前記ビフェニル構造中の前記第一のベンゼン環と前記第二のベンゼン環とが、前記単結合以外の少なくとも１つの部分において架橋によりさらに連結している、
    請求項１から請求項２９のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
33. 前記ビフェニル構造中の前記第一のベンゼン環と前記第二のベンゼン環とが、前記単結合以外の１つの部分において前記架橋によりさらに連結している、
    請求項３２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
34. 前記架橋が二重結合を含む、
    請求項３２又は請求項３３に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
35. 前記ビフェニル構造中の前記第一のベンゼン環と前記第二のベンゼン環とが、前記単結合以外の２つの部分において前記架橋によりさらに連結し、
    前記架橋が二重結合を含まない、
    請求項３３に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
36. 請求項１から請求項３５のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を搭載した、電子機器。

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