JP2024044623A - 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置 - Google Patents
電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2024044623A JP2024044623A JP2022150265A JP2022150265A JP2024044623A JP 2024044623 A JP2024044623 A JP 2024044623A JP 2022150265 A JP2022150265 A JP 2022150265A JP 2022150265 A JP2022150265 A JP 2022150265A JP 2024044623 A JP2024044623 A JP 2024044623A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- compound represented
- formula
- parts
- electrophotographic photoreceptor
- charge transport
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 title claims abstract description 88
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 44
- 230000008569 process Effects 0.000 title claims abstract description 32
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 208
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 42
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 42
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 12
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 11
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 44
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 abstract description 15
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 103
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 53
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 53
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 43
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 35
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 33
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 24
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 16
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 15
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 15
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 15
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 15
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 15
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 15
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- -1 imide compounds Chemical class 0.000 description 13
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical group OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 11
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 11
- 239000000047 product Substances 0.000 description 11
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 11
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 11
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 10
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 9
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 9
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 9
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 9
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 9
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 8
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 7
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 7
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 7
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 6
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 6
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 239000012736 aqueous medium Substances 0.000 description 6
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 6
- 239000004210 ether based solvent Substances 0.000 description 6
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 6
- 239000005456 alcohol based solvent Substances 0.000 description 5
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 5
- 239000003759 ester based solvent Substances 0.000 description 5
- 239000000706 filtrate Substances 0.000 description 5
- 239000005453 ketone based solvent Substances 0.000 description 5
- 238000001840 matrix-assisted laser desorption--ionisation time-of-flight mass spectrometry Methods 0.000 description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 5
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 5
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 5
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 125000005259 triarylamine group Chemical group 0.000 description 5
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 5
- MVIXNQZIMMIGEL-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 MVIXNQZIMMIGEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 description 4
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N benzidine Chemical class C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1 HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000008366 benzophenones Chemical class 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 4
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 4
- DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 1,1-Diethoxyethane Chemical compound CCOC(C)OCC DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011354 acetal resin Substances 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 3
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 3
- 239000007771 core particle Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C=C NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 230000005524 hole trap Effects 0.000 description 3
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 3
- 150000003961 organosilicon compounds Chemical class 0.000 description 3
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 3
- 150000003018 phosphorus compounds Chemical class 0.000 description 3
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 3
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 3
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 3
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 238000010898 silica gel chromatography Methods 0.000 description 3
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 3
- 150000003462 sulfoxides Chemical class 0.000 description 3
- 150000003464 sulfur compounds Chemical class 0.000 description 3
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 3
- MYRTYDVEIRVNKP-UHFFFAOYSA-N 1,2-Divinylbenzene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1C=C MYRTYDVEIRVNKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 1,4-benzoquinone Chemical compound O=C1C=CC(=O)C=C1 AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 2-(2-cyanopropan-2-yldiazenyl)-2-methylpropanenitrile Chemical compound N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FDRNXKXKFNHNCA-UHFFFAOYSA-N 4-(4-anilinophenyl)-n-phenylaniline Chemical class C=1C=C(C=2C=CC(NC=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=CC=1NC1=CC=CC=C1 FDRNXKXKFNHNCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 2
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PCLIMKBDDGJMGD-UHFFFAOYSA-N N-bromosuccinimide Chemical compound BrN1C(=O)CCC1=O PCLIMKBDDGJMGD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 2
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical group CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- DGWFAGDDJPGFQT-UHFFFAOYSA-N S(O)(O)(=O)=O.[Nb].[Ti] Chemical compound S(O)(O)(=O)=O.[Nb].[Ti] DGWFAGDDJPGFQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-MICDWDOJSA-N Trichloro(2H)methane Chemical compound [2H]C(Cl)(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-MICDWDOJSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 2
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 2
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000012461 cellulose resin Substances 0.000 description 2
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 150000002391 heterocyclic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 2
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N isocyanate group Chemical group [N-]=C=O IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004895 liquid chromatography mass spectrometry Methods 0.000 description 2
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 2
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 2
- QPJVMBTYPHYUOC-UHFFFAOYSA-N methyl benzoate Chemical compound COC(=O)C1=CC=CC=C1 QPJVMBTYPHYUOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 2
- 238000004776 molecular orbital Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- LQNUZADURLCDLV-UHFFFAOYSA-N nitrobenzene Chemical compound [O-][N+](=O)C1=CC=CC=C1 LQNUZADURLCDLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 2
- 229920001558 organosilicon polymer Polymers 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 2
- 229920013716 polyethylene resin Polymers 0.000 description 2
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 2
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 2
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005160 1H NMR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical compound C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L Calcium chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Ca+2] UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 235000000177 Indigofera tinctoria Nutrition 0.000 description 1
- 239000004420 Iupilon Substances 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 1
- 229920001665 Poly-4-vinylphenol Polymers 0.000 description 1
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000010724 Wisteria floribunda Nutrition 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 231100000987 absorbed dose Toxicity 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004703 alkoxides Chemical group 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910000410 antimony oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003785 benzimidazolyl group Chemical class N1=C(NC2=C1C=CC=C2)* 0.000 description 1
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N butyl acrylate Chemical compound CCCCOC(=O)C=C CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 239000001110 calcium chloride Substances 0.000 description 1
- 229910001628 calcium chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- LLSDKQJKOVVTOJ-UHFFFAOYSA-L calcium chloride dihydrate Chemical compound O.O.[Cl-].[Cl-].[Ca+2] LLSDKQJKOVVTOJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Chemical group 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 150000001244 carboxylic acid anhydrides Chemical group 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000007766 curtain coating Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007607 die coating method Methods 0.000 description 1
- NKDDWNXOKDWJAK-UHFFFAOYSA-N dimethoxymethane Chemical compound COCOC NKDDWNXOKDWJAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 1
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 229920006351 engineering plastic Polymers 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 150000008376 fluorenones Chemical class 0.000 description 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 238000005469 granulation Methods 0.000 description 1
- 230000003179 granulation Effects 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 229940097275 indigo Drugs 0.000 description 1
- COHYTHOBJLSHDF-UHFFFAOYSA-N indigo powder Natural products N1C2=CC=CC=C2C(=O)C1=C1C(=O)C2=CC=CC=C2N1 COHYTHOBJLSHDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 238000004949 mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 125000005395 methacrylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 229940095102 methyl benzoate Drugs 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- PRMHOXAMWFXGCO-UHFFFAOYSA-M molport-000-691-708 Chemical compound N1=C(C2=CC=CC=C2C2=NC=3C4=CC=CC=C4C(=N4)N=3)N2[Ga](Cl)N2C4=C(C=CC=C3)C3=C2N=C2C3=CC=CC=C3C1=N2 PRMHOXAMWFXGCO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N oxoantimony Chemical compound [Sb]=O VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- DCKVFVYPWDKYDN-UHFFFAOYSA-L oxygen(2-);titanium(4+);sulfate Chemical compound [O-2].[Ti+4].[O-]S([O-])(=O)=O DCKVFVYPWDKYDN-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006287 phenoxy resin Polymers 0.000 description 1
- 239000013034 phenoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229920005575 poly(amic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 125000003367 polycyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 1
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 229920002689 polyvinyl acetate Polymers 0.000 description 1
- 239000011118 polyvinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000011085 pressure filtration Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- BYOIQYHAYWYSCZ-UHFFFAOYSA-N prop-2-enoxysilane Chemical compound [SiH3]OCC=C BYOIQYHAYWYSCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 239000012264 purified product Substances 0.000 description 1
- 238000003077 quantum chemistry computational method Methods 0.000 description 1
- 150000004053 quinones Chemical class 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003967 siloles Chemical class 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001488 sodium phosphate Substances 0.000 description 1
- 229910000162 sodium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000006228 supernatant Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
- OPQYOFWUFGEMRZ-UHFFFAOYSA-N tert-butyl 2,2-dimethylpropaneperoxoate Chemical compound CC(C)(C)OOC(=O)C(C)(C)C OPQYOFWUFGEMRZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012719 thermal polymerization Methods 0.000 description 1
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910000349 titanium oxysulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000348 titanium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N triethoxy(methyl)silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)OCC CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYFMWSXOAZQYPI-UHFFFAOYSA-K trisodium phosphate Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].[O-]P([O-])([O-])=O RYFMWSXOAZQYPI-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000006097 ultraviolet radiation absorber Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 150000007964 xanthones Chemical class 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/043—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure
- G03G5/047—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure characterised by the charge-generation layers or charge transport layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G21/00—Arrangements not provided for by groups G03G13/00 - G03G19/00, e.g. cleaning, elimination of residual charge
- G03G21/16—Mechanical means for facilitating the maintenance of the apparatus, e.g. modular arrangements
- G03G21/18—Mechanical means for facilitating the maintenance of the apparatus, e.g. modular arrangements using a processing cartridge, whereby the process cartridge comprises at least two image processing means in a single unit
- G03G21/1803—Arrangements or disposition of the complete process cartridge or parts thereof
- G03G21/1814—Details of parts of process cartridge, e.g. for charging, transfer, cleaning, developing
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0601—Acyclic or carbocyclic compounds
- G03G5/0612—Acyclic or carbocyclic compounds containing nitrogen
- G03G5/0614—Amines
- G03G5/06142—Amines arylamine
- G03G5/06144—Amines arylamine diamine
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0601—Acyclic or carbocyclic compounds
- G03G5/0612—Acyclic or carbocyclic compounds containing nitrogen
- G03G5/0614—Amines
- G03G5/06142—Amines arylamine
- G03G5/06145—Amines arylamine triamine or greater
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0664—Dyes
- G03G5/0696—Phthalocyanines
Abstract
【課題】HOMO軌道の空間的拡張及びエネルギーの均一性を有するホール電荷輸送物質を用いることで、高速プロセスにおけるゴーストが抑制された電子写真感光体を提供すること。【解決手段】支持体、電荷発生層、及び電荷輸送層をこの順に有する電子写真感光体であって、該電荷輸送層が式(A-1)で表される化合物、並びに式(A-2)で表される化合物、及び式(A-3)で表される化合物の少なくとも一方を含有する電子写真感光体である。【選択図】図1
Description
本発明は電子写真感光体、該電子写真感光体を有するプロセスカートリッジ及び電子写真装置に関する。
従来の電子写真装置として、露光部と非露光部の帯電時の暗減衰の差が起因とした現像トナーの濃度差を生み出すゴーストの発生が課題であった。しかし近年さらなる高画質・高プロセススピード・耐環境変動性の要求に伴い、よりゴーストの抑制が必要である。
一方、電子写真感光体には、電荷発生物質から発生したホールを速やかに引き抜き、帯電と露光の1プロセス間で電子写真感光体中のホールの滞留が生じにくくなる高輸送性物質が求められている。電荷輸送層中での電荷輸送物質の空間的配置もしくはエネルギー的な占有分子軌道(HOMOと呼称)が、ホールのキャリアトラップとして作用することで、1プロセス間でのホールの滞留を引き起こす原因だと考えられている。例えば、エネルギーの低いHOMO準位が存在するとホールはエネルギー的にトラップされてしまい、また電荷輸送物質が空間的に離れていればホールのキャリアパスが阻害され、ホールの滞留を促してしまう。よって電荷輸送物質のHOMO軌道の空間的拡張やエネルギー的な乱れといったトラップサイトを抑制することが要求され、ホールのトラップサイトを抑制することで、ホールの移動を妨げないような電荷輸送層が求められた。
特許文献1には、電荷輸送物質にジフェニルベンジジン誘導体を使用し接触部材起因の耐クラック性の上昇及びゴーストが改善したことが開示されている。特許文献2には、電荷輸送物質にジフェニルベンジジン誘導体を用いることによって感度や残留電位といった良好な画像特性が改善されることが報告されている。特許文献3には、電荷輸送材料にトリアリールアミン誘導体を用いることで、効果的な軌道の広がりと重なりを拡大することで、キャリアの滞留を抑制しゴーストを抑制した報告がある。
近年のさらなる高画質化・高プロセススピード・耐変動性に対しては、様々なプロセス条件においてゴースト現象による画質劣化の改善が望まれている。その中でも特に高プロセススピードでのゴースト改善が要求されている。
しかしながら、本発明者らの検討によると、特許文献1~3に記載の電子写真感光体では、評価実機のプロセススピードが30ppm(HP Color LaserJet4700dn等)であり、近年の高速プロセスではゴーストの改善が十分でない場合があることが分かった。
電子写真感光体には、電荷発生物質から発生したホールを速やかに引き抜き、帯電と露光の1プロセス間で電子写真感光体中のホールの滞留が生じにくくなる高輸送性物質が求められている。電荷輸送層中での電荷輸送物質の空間的配置もしくはエネルギー的な占有分子軌道(HOMOと呼称)が、ホールのキャリアトラップとして作用することで、1プロセス間でのホールの滞留を引き起こす原因だと考えられている。例えば、エネルギーの低いHOMO準位が存在するとホールはエネルギー的にトラップされてしまい、また電荷輸送物質が空間的に離れていればホールのキャリアパスが阻害され、ホールの滞留を促してしまう。よって電荷輸送物質のHOMO軌道の空間的拡張やエネルギー的な乱れといったトラップサイトを抑制することが要求されてきた。指針として、電荷輸送物質のHOMO軌道の空間的拡張及びエネルギーの均一性が必要と考えられる。
したがって、本発明の目的はHOMO軌道の空間的拡張及びエネルギーの均一性を有するホール電荷輸送物質を用いることで、高速プロセスにおけるゴーストが抑制された電子写真感光体を提供することにある。
しかしながら、本発明者らの検討によると、特許文献1~3に記載の電子写真感光体では、評価実機のプロセススピードが30ppm(HP Color LaserJet4700dn等)であり、近年の高速プロセスではゴーストの改善が十分でない場合があることが分かった。
電子写真感光体には、電荷発生物質から発生したホールを速やかに引き抜き、帯電と露光の1プロセス間で電子写真感光体中のホールの滞留が生じにくくなる高輸送性物質が求められている。電荷輸送層中での電荷輸送物質の空間的配置もしくはエネルギー的な占有分子軌道(HOMOと呼称)が、ホールのキャリアトラップとして作用することで、1プロセス間でのホールの滞留を引き起こす原因だと考えられている。例えば、エネルギーの低いHOMO準位が存在するとホールはエネルギー的にトラップされてしまい、また電荷輸送物質が空間的に離れていればホールのキャリアパスが阻害され、ホールの滞留を促してしまう。よって電荷輸送物質のHOMO軌道の空間的拡張やエネルギー的な乱れといったトラップサイトを抑制することが要求されてきた。指針として、電荷輸送物質のHOMO軌道の空間的拡張及びエネルギーの均一性が必要と考えられる。
したがって、本発明の目的はHOMO軌道の空間的拡張及びエネルギーの均一性を有するホール電荷輸送物質を用いることで、高速プロセスにおけるゴーストが抑制された電子写真感光体を提供することにある。
上記の目的は以下の本発明によって達成される。即ち、本発明にかかる電子写真感光体は、支持体、電荷発生層、及び電荷輸送層をこの順に有する電子写真感光体であって、該電荷輸送層が下記式(A-1)で表される化合物、並びに、下記式(A-2)で表される化合物、及び下記式(A-3)で表される化合物の少なくとも一方を含有することを特徴とする。
また、本発明の別の態様によれば、上記電子写真感光体と、帯電手段、現像手段及びクリーニング手段からなる群より選択させる少なくとも1つの手段とを一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であるプロセスカートリッジが提供される。
さらに、本発明の別の態様によれば、上記電子写真感光体並びに露光手段、帯電手段、現像手段、及び転写手段とを有する電子写真感光体が提供される。
さらに、本発明の別の態様によれば、上記電子写真感光体並びに露光手段、帯電手段、現像手段、及び転写手段とを有する電子写真感光体が提供される。
本発明によれば、高速プロセスにおけるゴーストが抑制された電子写真感光体を提供することができる。
以下、好適な実施の形態を挙げて、本発明を詳細に説明する。
本発明者らが検討したところ、従来技術の電子写真感光体は、電子写真装置の印字プロセススピードが従来に比べて速い場合には、露光部と非露光部の暗減衰の差であるゴーストの影響を受ける可能性が高いことが分かった。この理由は、帯電から現像までの時間が短くなることで、電子写真感光体内部の光キャリアが吐き出されず滞留する量が増えることが原因だと考えられる。特に膜厚が厚い電荷輸送層における電荷輸送物質のホールの吐き出しがキャリア滞留の決める一因であると考えられている。
従来技術で発生していた上記問題を解決するために、本発明者らが検討を重ねた結果、所定の材料の組み合わせることで、高速プロセスでの電子写真装置において、ゴーストを抑制できることが分かった。
本発明者らが検討したところ、従来技術の電子写真感光体は、電子写真装置の印字プロセススピードが従来に比べて速い場合には、露光部と非露光部の暗減衰の差であるゴーストの影響を受ける可能性が高いことが分かった。この理由は、帯電から現像までの時間が短くなることで、電子写真感光体内部の光キャリアが吐き出されず滞留する量が増えることが原因だと考えられる。特に膜厚が厚い電荷輸送層における電荷輸送物質のホールの吐き出しがキャリア滞留の決める一因であると考えられている。
従来技術で発生していた上記問題を解決するために、本発明者らが検討を重ねた結果、所定の材料の組み合わせることで、高速プロセスでの電子写真装置において、ゴーストを抑制できることが分かった。
すなわち本発明にかかる電子写真感光体は、支持体、電荷発生層、及び電荷輸送層をこの順に有する電子写真感光体であって、該電荷輸送層が上記式(A-1)で表される化合物、並びに上記式(A-2)で表される化合物、及び上記式(A-3)で表される化合物の少なくとも一方を含有することを特徴とする。
さらに本発明は上記の電子写真感光体と、帯電手段、現像手段及びクリーニング手段からなる群より選択される少なくとも1つの手段とを一体に支持し、電子写真装置本体に着脱可能であるプロセスカートリッジに関する。
さらに本発明は、上記の電子写真感光体並びに露光手段、帯電手段、現像手段、及び転写手段とを有する電子写真装置に関する。
さらに本発明は上記の電子写真感光体と、帯電手段、現像手段及びクリーニング手段からなる群より選択される少なくとも1つの手段とを一体に支持し、電子写真装置本体に着脱可能であるプロセスカートリッジに関する。
さらに本発明は、上記の電子写真感光体並びに露光手段、帯電手段、現像手段、及び転写手段とを有する電子写真装置に関する。
本発明の電子写真感光体は、式(A-2)で表される化合物、及び式(A-3)で表される化合物の少なくとも一方を含有する。
本発明者らは、かかる電荷輸送層が、式(A-2)で表される化合物、及び式(A-3)で表される化合物の少なくとも一方を含有するとき、ゴースト性が良化することを見出した。これは式(A-2)で表される化合物及び式(A-3)で表される化合物は、式(A-1)で表される化合物(電荷輸送性化合物(A-1)ともいう。)と非常に似た骨格を持つことからHOMO準位が近接しており、かつHOMO軌道が拡張されることで、ホールのパスが形成されているためと筆者らは考察している。実際に量子化学計算(GAUSSIAN09)を用いた密度汎関数計算によれば、電子輸送性化合物(A-1)のHOMO準位は-4.56eV、式(A-2)で表される化合物は-4.57eV、式(A-3)で表される化合物は-4.55eVと近接したエネルギーを示している。また、式(A-2)で表される化合物及び式(A-3)で表される化合物は、分子骨格が拡張されているにも関わらず、非共役結合で結合することで、エネルギーの大きな変化を抑制する働きがある。分子骨格が拡張されていることで、図1~3のように、HOMO軌道が拡張され、ホールのパスが形成されることが予想される。
本発明者らは、かかる電荷輸送層が、式(A-2)で表される化合物、及び式(A-3)で表される化合物の少なくとも一方を含有するとき、ゴースト性が良化することを見出した。これは式(A-2)で表される化合物及び式(A-3)で表される化合物は、式(A-1)で表される化合物(電荷輸送性化合物(A-1)ともいう。)と非常に似た骨格を持つことからHOMO準位が近接しており、かつHOMO軌道が拡張されることで、ホールのパスが形成されているためと筆者らは考察している。実際に量子化学計算(GAUSSIAN09)を用いた密度汎関数計算によれば、電子輸送性化合物(A-1)のHOMO準位は-4.56eV、式(A-2)で表される化合物は-4.57eV、式(A-3)で表される化合物は-4.55eVと近接したエネルギーを示している。また、式(A-2)で表される化合物及び式(A-3)で表される化合物は、分子骨格が拡張されているにも関わらず、非共役結合で結合することで、エネルギーの大きな変化を抑制する働きがある。分子骨格が拡張されていることで、図1~3のように、HOMO軌道が拡張され、ホールのパスが形成されることが予想される。
特に、電荷輸送層中の含有量は、式(A-2)で表される化合物の含有量A2は0.019質量%以上0.070質量%以下、及び式(A-3)で表される化合物の含有量A3は0質量%以上0.058質量%以下、かつ式(A-2)で表される化合物の含有量A2と式(A-3)で表される化合物の含有量A3の総和は0.019質量%以上0.129質量%以下が好ましい。この理由は、式(A-3)で表される化合物はHOMOエネルギーが近接しているが、電荷輸送性化合物(A-1)に比べるとエネルギーが低いことから、一定量の添加量を超えると、ホールのトラップサイトとして機能すると思われる。しかし、一定量以下の添加量だと、ホールのエネルギー的な妨げの影響を与えずに、ホールのパスを拡張すると考えられる。一方で、式(A-2)で表される化合物は式(A-3)で表される化合物とは異なり、HOMOのエネルギー的な妨げの影響は小さいが、一定量の添加量を超えると、分子配置的に電荷輸送性化合物(A-1)のホール輸送の妨げになると思われる。式(A-2)で表される化合物及び式(A-3)で表される化合物を、ホールのトラップサイトにならない程度に添加し、分子配置的に不利にならない程度で、ホールパスを形成すべきだと筆者らは考えている。
以上のメカニズムのように、各構成が相乗的に効果を及ぼし合うことによって、本発明の効果を達成することが可能となる。
以上のメカニズムのように、各構成が相乗的に効果を及ぼし合うことによって、本発明の効果を達成することが可能となる。
[電子写真感光体]
本発明の電子写真感光体は、支持体、電荷発生層及び電荷輸送層をこの順に有することを特徴とする。
本発明の電子写真感光体を製造する方法としては、後述する各層の塗布液を調製し、所望の層の順番に塗布して、乾燥させる方法が挙げられる。このとき、塗布液の塗布方法としては、浸漬塗布、スプレー塗布、インクジェット塗布、ロール塗布、ダイ塗布、ブレード塗布、カーテン塗布、ワイヤーバー塗布、リング塗布などが挙げられる。これらの中でも、効率性及び生産性の観点から、浸漬塗布が好ましい。
以下、各層について説明する。
本発明の電子写真感光体は、支持体、電荷発生層及び電荷輸送層をこの順に有することを特徴とする。
本発明の電子写真感光体を製造する方法としては、後述する各層の塗布液を調製し、所望の層の順番に塗布して、乾燥させる方法が挙げられる。このとき、塗布液の塗布方法としては、浸漬塗布、スプレー塗布、インクジェット塗布、ロール塗布、ダイ塗布、ブレード塗布、カーテン塗布、ワイヤーバー塗布、リング塗布などが挙げられる。これらの中でも、効率性及び生産性の観点から、浸漬塗布が好ましい。
以下、各層について説明する。
<支持体>
本発明において、電子写真感光体は、支持体を有する。本発明において、支持体は導電性を有する導電性支持体であることが好ましい。また、支持体の形状としては、円筒状、ベルト状、シート状などが挙げられる。中でも、円筒状支持体であることが好ましい。また、支持体の表面に、陽極酸化などの電気化学的な処理や、ブラスト処理、切削処理などを施してもよい。
支持体の材質としては、金属、樹脂、ガラスなどが好ましい。
金属としては、アルミニウム、鉄、ニッケル、銅、金、ステンレスや、これらの合金などが挙げられる。中でも、アルミニウムを用いたアルミニウム製支持体であることが好ましい。
また、樹脂やガラスには、導電性材料を混合又は被覆するなどの処理によって、導電性を付与してもよい。
本発明において、電子写真感光体は、支持体を有する。本発明において、支持体は導電性を有する導電性支持体であることが好ましい。また、支持体の形状としては、円筒状、ベルト状、シート状などが挙げられる。中でも、円筒状支持体であることが好ましい。また、支持体の表面に、陽極酸化などの電気化学的な処理や、ブラスト処理、切削処理などを施してもよい。
支持体の材質としては、金属、樹脂、ガラスなどが好ましい。
金属としては、アルミニウム、鉄、ニッケル、銅、金、ステンレスや、これらの合金などが挙げられる。中でも、アルミニウムを用いたアルミニウム製支持体であることが好ましい。
また、樹脂やガラスには、導電性材料を混合又は被覆するなどの処理によって、導電性を付与してもよい。
<導電層>
本発明において、支持体の上に、導電層を設けてもよい。導電層を設けることで、支持体表面の傷や凹凸を隠蔽することや、支持体表面における光の反射を制御することができる。
導電層は、導電性粒子と、樹脂と、を含有することが好ましい。
導電性粒子の材質としては、金属酸化物、金属、カーボンブラックなどが挙げられる。
金属酸化物としては、酸化亜鉛、酸化アルミニウム、酸化インジウム、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、酸化スズ、酸化チタン、酸化マグネシウム、酸化アンチモン、酸化ビスマスなどが挙げられる。金属としては、アルミニウム、ニッケル、鉄、ニクロム、銅、亜鉛、銀などが挙げられる。
これらの中でも、導電性粒子として、金属酸化物を用いることが好ましく、特に、酸化チタン、酸化スズ、酸化亜鉛を用いることがより好ましい。
導電性粒子として金属酸化物を用いる場合、金属酸化物の表面をシランカップリング剤などで処理したり、金属酸化物にリンやアルミニウムなど元素やその酸化物をドーピングしたりしてもよい。
本発明において、支持体の上に、導電層を設けてもよい。導電層を設けることで、支持体表面の傷や凹凸を隠蔽することや、支持体表面における光の反射を制御することができる。
導電層は、導電性粒子と、樹脂と、を含有することが好ましい。
導電性粒子の材質としては、金属酸化物、金属、カーボンブラックなどが挙げられる。
金属酸化物としては、酸化亜鉛、酸化アルミニウム、酸化インジウム、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、酸化スズ、酸化チタン、酸化マグネシウム、酸化アンチモン、酸化ビスマスなどが挙げられる。金属としては、アルミニウム、ニッケル、鉄、ニクロム、銅、亜鉛、銀などが挙げられる。
これらの中でも、導電性粒子として、金属酸化物を用いることが好ましく、特に、酸化チタン、酸化スズ、酸化亜鉛を用いることがより好ましい。
導電性粒子として金属酸化物を用いる場合、金属酸化物の表面をシランカップリング剤などで処理したり、金属酸化物にリンやアルミニウムなど元素やその酸化物をドーピングしたりしてもよい。
また、導電性粒子は、芯材粒子と、その粒子を被覆する被覆層とを有する積層構成としてもよい。芯材粒子としては、酸化チタン、硫酸バリウム、酸化亜鉛などが挙げられる。被覆層としては、酸化スズなどの金属酸化物が挙げられる。
また、導電性粒子として金属酸化物を用いる場合、その体積平均粒子径が、1nm以上500nm以下であることが好ましく、3nm以上400nm以下であることがより好ましい。
樹脂としては、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノール樹脂、アルキッド樹脂などが挙げられる。
また、導電層は、シリコーンオイル、樹脂粒子、酸化チタンなどの隠蔽剤などをさらに含有してもよい。
また、導電性粒子として金属酸化物を用いる場合、その体積平均粒子径が、1nm以上500nm以下であることが好ましく、3nm以上400nm以下であることがより好ましい。
樹脂としては、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノール樹脂、アルキッド樹脂などが挙げられる。
また、導電層は、シリコーンオイル、樹脂粒子、酸化チタンなどの隠蔽剤などをさらに含有してもよい。
導電層の平均膜厚は、1μm以上50μm以下であることが好ましく、3μm以上40μm以下であることが特に好ましい。
導電層は、上述の各材料及び溶剤を含有する導電層用塗布液を調製し、この塗膜を形成し、乾燥させることで形成することができる。塗布液に用いる溶剤としては、アルコール系溶剤、スルホキシド系溶剤、ケトン系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤などが挙げられる。導電層用塗布液中で導電性粒子を分散させるための分散方法としては、ペイントシェーカー、サンドミル、ボールミル、液衝突型高速分散機を用いた方法が挙げられる。
導電層は、上述の各材料及び溶剤を含有する導電層用塗布液を調製し、この塗膜を形成し、乾燥させることで形成することができる。塗布液に用いる溶剤としては、アルコール系溶剤、スルホキシド系溶剤、ケトン系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤などが挙げられる。導電層用塗布液中で導電性粒子を分散させるための分散方法としては、ペイントシェーカー、サンドミル、ボールミル、液衝突型高速分散機を用いた方法が挙げられる。
<下引き層>
本発明において、支持体又は導電層の上に、下引き層を設けてもよい。下引き層を設けることで、層間の接着機能が高まり、電荷注入阻止機能を付与することができる。
下引き層は、樹脂を含有することが好ましい。また、重合性官能基を有するモノマーを含有する組成物を重合することで硬化膜として下引き層を形成してもよい。
樹脂としては、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノール樹脂、ポリビニルフェノール樹脂、アルキッド樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、ポリエチレンオキシド樹脂、ポリプロピレンオキシド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミド酸樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、セルロース樹脂などが挙げられる。
重合性官能基を有するモノマーが有する重合性官能基としては、イソシアネート基、ブロックイソシアネート基、メチロール基、アルキル化メチロール基、エポキシ基、金属アルコキシド基、ヒドロキシ基、アミノ基、カルボキシ基、チオール基、カルボン酸無水物基、炭素-炭素二重結合基などが挙げられる。
本発明において、支持体又は導電層の上に、下引き層を設けてもよい。下引き層を設けることで、層間の接着機能が高まり、電荷注入阻止機能を付与することができる。
下引き層は、樹脂を含有することが好ましい。また、重合性官能基を有するモノマーを含有する組成物を重合することで硬化膜として下引き層を形成してもよい。
樹脂としては、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノール樹脂、ポリビニルフェノール樹脂、アルキッド樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、ポリエチレンオキシド樹脂、ポリプロピレンオキシド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミド酸樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、セルロース樹脂などが挙げられる。
重合性官能基を有するモノマーが有する重合性官能基としては、イソシアネート基、ブロックイソシアネート基、メチロール基、アルキル化メチロール基、エポキシ基、金属アルコキシド基、ヒドロキシ基、アミノ基、カルボキシ基、チオール基、カルボン酸無水物基、炭素-炭素二重結合基などが挙げられる。
また、下引き層は、電気特性を高める目的で、電子輸送物質、金属酸化物、金属、導電性高分子などをさらに含有してもよい。これらの中でも、電子輸送物質、金属酸化物を用いることが好ましい。
電子輸送物質としては、キノン化合物、イミド化合物、ベンズイミダゾール化合物、シクロペンタジエニリデン化合物、フルオレノン化合物、キサントン化合物、ベンゾフェノン化合物、シアノビニル化合物、ハロゲン化アリール化合物、シロール化合物、含ホウ素化合物などが挙げられる。重合性官能基を有する電子輸送物質を用い、上述の重合性官能基を有するモノマーと共重合させることで、硬化膜として下引き層を形成してもよい。
金属酸化物としては、酸化インジウムスズ、酸化スズ、酸化インジウム、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化アルミニウム、二酸化ケイ素などが挙げられる。金属としては、金、銀、アルミなどが挙げられる。
また、下引き層は、添加剤をさらに含有してもよい。
下引き層の平均膜厚は、0.1μm以上50μm以下であることが好ましく、0.2μm以上40μm以下であることがより好ましく、0.3μm以上30μm以下であることが特に好ましい。
下引き層は、上述の各材料及び溶剤を含有する下引き層用塗布液を調製し、この塗膜を形成し、乾燥及び/又は硬化させることで形成することができる。塗布液に用いる溶剤としては、アルコール系溶剤、ケトン系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤などが挙げられる。
電子輸送物質としては、キノン化合物、イミド化合物、ベンズイミダゾール化合物、シクロペンタジエニリデン化合物、フルオレノン化合物、キサントン化合物、ベンゾフェノン化合物、シアノビニル化合物、ハロゲン化アリール化合物、シロール化合物、含ホウ素化合物などが挙げられる。重合性官能基を有する電子輸送物質を用い、上述の重合性官能基を有するモノマーと共重合させることで、硬化膜として下引き層を形成してもよい。
金属酸化物としては、酸化インジウムスズ、酸化スズ、酸化インジウム、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化アルミニウム、二酸化ケイ素などが挙げられる。金属としては、金、銀、アルミなどが挙げられる。
また、下引き層は、添加剤をさらに含有してもよい。
下引き層の平均膜厚は、0.1μm以上50μm以下であることが好ましく、0.2μm以上40μm以下であることがより好ましく、0.3μm以上30μm以下であることが特に好ましい。
下引き層は、上述の各材料及び溶剤を含有する下引き層用塗布液を調製し、この塗膜を形成し、乾燥及び/又は硬化させることで形成することができる。塗布液に用いる溶剤としては、アルコール系溶剤、ケトン系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤などが挙げられる。
<電荷発生層>
本発明において、支持体の上側に、電荷発生層を設ける。
電荷発生層は、電荷発生物質と、樹脂と、を含有することが好ましい。
電荷発生物質としては、アゾ顔料、ペリレン顔料、多環キノン顔料、インジゴ顔料、フタロシアニン顔料などが挙げられる。これらの中でも、アゾ顔料、フタロシアニン顔料が好ましい。フタロシアニン顔料の中でも、オキシチタニウムフタロシアニン顔料、クロロガリウムフタロシアニン顔料、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料が好ましい。中でも、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料のようなヒドロキシフタロシアニンを含む顔料が特に好ましい。これを用いるとき、電荷発生層と電荷輸送層のエネルギーマッチングがよく、キャリアが滞留しないため、ゴーストの抑制に有効である。
電荷発生層中の電荷発生物質の含有量は、電荷発生層の全質量に対して、40質量%以上85質量%以下であることが好ましく、60質量%以上80質量%以下であることがより好ましい。
樹脂としては、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノール樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、セルロース樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリ酢酸ビニル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などが挙げられる。これらの中でも、ポリビニルブチラール樹脂がより好ましい。
本発明において、支持体の上側に、電荷発生層を設ける。
電荷発生層は、電荷発生物質と、樹脂と、を含有することが好ましい。
電荷発生物質としては、アゾ顔料、ペリレン顔料、多環キノン顔料、インジゴ顔料、フタロシアニン顔料などが挙げられる。これらの中でも、アゾ顔料、フタロシアニン顔料が好ましい。フタロシアニン顔料の中でも、オキシチタニウムフタロシアニン顔料、クロロガリウムフタロシアニン顔料、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料が好ましい。中でも、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料のようなヒドロキシフタロシアニンを含む顔料が特に好ましい。これを用いるとき、電荷発生層と電荷輸送層のエネルギーマッチングがよく、キャリアが滞留しないため、ゴーストの抑制に有効である。
電荷発生層中の電荷発生物質の含有量は、電荷発生層の全質量に対して、40質量%以上85質量%以下であることが好ましく、60質量%以上80質量%以下であることがより好ましい。
樹脂としては、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノール樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、セルロース樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリ酢酸ビニル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などが挙げられる。これらの中でも、ポリビニルブチラール樹脂がより好ましい。
また、電荷発生層は、酸化防止剤、紫外線吸収剤などの添加剤をさらに含有してもよい。具体的には、ヒンダードフェノール化合物、ヒンダードアミン化合物、硫黄化合物、リン化合物、ベンゾフェノン化合物、などが挙げられる。
電荷発生層の平均膜厚は、0.1μm以上1μm以下であることが好ましく、0.15μm以上0.4μm以下であることがより好ましい。
電荷発生層は、上述の各材料及び溶剤を含有する電荷発生層用塗布液を調製し、この塗膜を形成し、乾燥させることで形成することができる。塗布液に用いる溶剤としては、アルコール系溶剤、スルホキシド系溶剤、ケトン系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤などが挙げられる。
電荷発生層の平均膜厚は、0.1μm以上1μm以下であることが好ましく、0.15μm以上0.4μm以下であることがより好ましい。
電荷発生層は、上述の各材料及び溶剤を含有する電荷発生層用塗布液を調製し、この塗膜を形成し、乾燥させることで形成することができる。塗布液に用いる溶剤としては、アルコール系溶剤、スルホキシド系溶剤、ケトン系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤などが挙げられる。
<電荷輸送層>
本発明において、電荷発生層の上に、電荷輸送層を設ける。
電荷輸送層は、電荷輸送物質と、樹脂と、を含有することが好ましい。
電荷輸送物質(電荷輸送性化合物)としては、例えば、多環芳香族化合物、複素環化合物、ヒドラゾン化合物、スチリル化合物、エナミン化合物、ベンジジン化合物、トリアリールアミン化合物や、これらの物質から誘導される基を有する樹脂などが挙げられる。これらの中でも、トリアリールアミン化合物、ベンジジン化合物が好ましい。
本発明において、電荷発生層の上に、電荷輸送層を設ける。
電荷輸送層は、電荷輸送物質と、樹脂と、を含有することが好ましい。
電荷輸送物質(電荷輸送性化合物)としては、例えば、多環芳香族化合物、複素環化合物、ヒドラゾン化合物、スチリル化合物、エナミン化合物、ベンジジン化合物、トリアリールアミン化合物や、これらの物質から誘導される基を有する樹脂などが挙げられる。これらの中でも、トリアリールアミン化合物、ベンジジン化合物が好ましい。
電荷輸送層中の電荷輸送物質の含有量は、電荷輸送層の全質量に対して、25質量%以上70質量%以下であることが好ましく、30質量%以上55質量%以下であることがより好ましい。
樹脂としては、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリスチレン樹脂などが挙げられる。これらの中でも、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂が好ましい。ポリエステル樹脂としては、特にポリアリレート樹脂が好ましい。
電荷輸送物質と樹脂との含有量比(質量比)は、4:10~20:10が好ましく、6:10~10:10がより好ましい。
電荷輸送層が、結着樹脂を含有し、このとき、結着樹脂の含有量に対する式(A-1)で表される化合物の含有量が60質量%以上100質量%以下であることが好ましい。このとき、電子写真感光体は高速プロセスにおいてゴーストが抑制されることができる。
樹脂としては、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリスチレン樹脂などが挙げられる。これらの中でも、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂が好ましい。ポリエステル樹脂としては、特にポリアリレート樹脂が好ましい。
電荷輸送物質と樹脂との含有量比(質量比)は、4:10~20:10が好ましく、6:10~10:10がより好ましい。
電荷輸送層が、結着樹脂を含有し、このとき、結着樹脂の含有量に対する式(A-1)で表される化合物の含有量が60質量%以上100質量%以下であることが好ましい。このとき、電子写真感光体は高速プロセスにおいてゴーストが抑制されることができる。
電荷輸送層が、式(A-1)で表される化合物の含有量に対する下記式(C-1)で表される化合物の含有量及び前記式(A-1)で表される化合物の含有量に対する下記式(C-2)で表される化合物の含有量がいずれも43質量%以下であることが好ましい。このとき、電子写真感光体は高速プロセスにおいてゴーストが抑制されることができる。
また、電荷輸送層が、式(A-1)で表される化合物の含有量に対する式(A-2)で表される化合物の含有量、式(A-3)で表される化合物の含有量、式(C-1)で表される化合物の含有量、及び式(C-2)で表される化合物の含有量の合計が43質量%以下であることが好ましい。このとき、電子写真感光体は高速プロセスにおいてゴーストが抑制されることができる。
また、電荷輸送層は、酸化防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤、レベリング剤、滑り性付与剤、耐摩耗性向上剤などの添加剤を含有してもよい。具体的には、ヒンダードフェノール化合物、ヒンダードアミン化合物、硫黄化合物、リン化合物、ベンゾフェノン化合物、シロキサン変性樹脂、シリコーンオイル、フッ素樹脂粒子、ポリスチレン樹脂粒子、ポリエチレン樹脂粒子、シリカ粒子、アルミナ粒子、窒化ホウ素粒子などが挙げられる。
電荷輸送層の平均膜厚は、5μm以上50μm以下であることが好ましく、8μm以上40μm以下であることがより好ましく、10μm以上30μm以下であることが特に好ましい。
電荷輸送層は、上述の各材料及び溶剤を含有する電荷輸送層用塗布液を調製し、この塗膜を形成し、乾燥させることで形成することができる。塗布液に用いる溶剤としては、アルコール系溶剤、ケトン系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤が挙げられる。これらの溶剤の中でも、エーテル系溶剤又は芳香族炭化水素系溶剤が好ましい。
電荷輸送層の平均膜厚は、5μm以上50μm以下であることが好ましく、8μm以上40μm以下であることがより好ましく、10μm以上30μm以下であることが特に好ましい。
電荷輸送層は、上述の各材料及び溶剤を含有する電荷輸送層用塗布液を調製し、この塗膜を形成し、乾燥させることで形成することができる。塗布液に用いる溶剤としては、アルコール系溶剤、ケトン系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤が挙げられる。これらの溶剤の中でも、エーテル系溶剤又は芳香族炭化水素系溶剤が好ましい。
<保護層>
本発明において、電荷輸送層の上に、保護層を設けてもよい。保護層を設けることで、耐久性を向上することができる。
保護層は、導電性粒子及び/又は電荷輸送物質と、樹脂とを含有することが好ましい。
導電性粒子としては、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化インジウムなどの金属酸化物の粒子が挙げられる。
電荷輸送物質としては、多環芳香族化合物、複素環化合物、ヒドラゾン化合物、スチリル化合物、エナミン化合物、ベンジジン化合物、トリアリールアミン化合物や、これらの物質から誘導される基を有する樹脂などが挙げられる。これらの中でも、トリアリールアミン化合物、ベンジジン化合物が好ましい。
樹脂としては、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、エポキシ樹脂などが挙げられる。中でも、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂が好ましい。
本発明において、電荷輸送層の上に、保護層を設けてもよい。保護層を設けることで、耐久性を向上することができる。
保護層は、導電性粒子及び/又は電荷輸送物質と、樹脂とを含有することが好ましい。
導電性粒子としては、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化インジウムなどの金属酸化物の粒子が挙げられる。
電荷輸送物質としては、多環芳香族化合物、複素環化合物、ヒドラゾン化合物、スチリル化合物、エナミン化合物、ベンジジン化合物、トリアリールアミン化合物や、これらの物質から誘導される基を有する樹脂などが挙げられる。これらの中でも、トリアリールアミン化合物、ベンジジン化合物が好ましい。
樹脂としては、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、エポキシ樹脂などが挙げられる。中でも、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂が好ましい。
また、保護層は、重合性官能基を有するモノマーを含有する組成物を重合することで硬化膜として形成してもよい。その際の反応としては、熱重合反応、光重合反応、放射線重合反応などが挙げられる。重合性官能基を有するモノマーが有する重合性官能基としては、アクリル基、メタクリル基などが挙げられる。重合性官能基を有するモノマーとして、電荷輸送能を有する材料を用いてもよい。
保護層は、酸化防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤、レベリング剤、滑り性付与剤、耐摩耗性向上剤、などの添加剤を含有してもよい。具体的には、ヒンダードフェノール化合物、ヒンダードアミン化合物、硫黄化合物、リン化合物、ベンゾフェノン化合物、シロキサン変性樹脂、シリコーンオイル、フッ素樹脂粒子、ポリスチレン樹脂粒子、ポリエチレン樹脂粒子、シリカ粒子、アルミナ粒子、窒化ホウ素粒子などが挙げられる。
保護層の平均膜厚は、0.5μm以上10μm以下であることが好ましく、1μm以上7μm以下であることが好ましい。
保護層は、上述の各材料及び溶剤を含有する保護層用塗布液を調製し、この塗膜を形成し、乾燥及び/又は硬化させることで形成することができる。塗布液に用いる溶剤としては、アルコール系溶剤、ケトン系溶剤、エーテル系溶剤、スルホキシド系溶剤、エステル系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤が挙げられる。
保護層は一般式(O-1)で示される構造又は一般式(O-2)で示される構造を有する樹脂であることが好ましい。
保護層は、酸化防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤、レベリング剤、滑り性付与剤、耐摩耗性向上剤、などの添加剤を含有してもよい。具体的には、ヒンダードフェノール化合物、ヒンダードアミン化合物、硫黄化合物、リン化合物、ベンゾフェノン化合物、シロキサン変性樹脂、シリコーンオイル、フッ素樹脂粒子、ポリスチレン樹脂粒子、ポリエチレン樹脂粒子、シリカ粒子、アルミナ粒子、窒化ホウ素粒子などが挙げられる。
保護層の平均膜厚は、0.5μm以上10μm以下であることが好ましく、1μm以上7μm以下であることが好ましい。
保護層は、上述の各材料及び溶剤を含有する保護層用塗布液を調製し、この塗膜を形成し、乾燥及び/又は硬化させることで形成することができる。塗布液に用いる溶剤としては、アルコール系溶剤、ケトン系溶剤、エーテル系溶剤、スルホキシド系溶剤、エステル系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤が挙げられる。
保護層は一般式(O-1)で示される構造又は一般式(O-2)で示される構造を有する樹脂であることが好ましい。
[プロセスカートリッジ、電子写真装置]
本発明のプロセスカートリッジは、これまで述べてきた電子写真感光体と、帯電手段、現像手段、転写手段及びクリーニング手段からなる群より選択される少なくとも1つの手段とを一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であることを特徴とする。
また、本発明の電子写真装置は、これまで述べてきた電子写真感光体、帯電手段、露光手段、現像手段及び転写手段を有することを特徴とする。
図4に、電子写真感光体を備えたプロセスカートリッジを有する電子写真装置の概略構成の一例を示す。
電子写真感光体1は円筒状であり、軸2を中心に矢印方向に所定の周速度で回転駆動される。電子写真感光体1の表面は、帯電手段3により、正又は負の所定電位に帯電される。尚、図においては、ローラ型帯電部材によるローラ帯電方式を示しているが、コロナ帯電方式、近接帯電方式、注入帯電方式などの帯電方式を採用してもよい。帯電された電子写真感光体1の表面には、露光手段(不図示)から露光光4が照射され、目的の画像情報に対応した静電潜像が形成される。電子写真感光体1の表面に形成された静電潜像は、現像手段5内に収容されたトナーで現像され、電子写真感光体1の表面にはトナー像が形成される。電子写真感光体1の表面に形成されたトナー像は、転写手段6により、転写材7に転写される。トナー像が転写された転写材7は、定着手段8へ搬送され、トナー像の定着処理を受け、電子写真装置の外へプリントアウトされる。電子写真装置は、転写後の電子写真感光体1の表面に残ったトナーなどの付着物を除去するための、クリーニング手段9を有していてもよい。また、クリーニング手段を別途設けず、上記付着物を現像手段などで除去する、所謂、クリーナーレスシステムを用いてもよい。電子写真装置は、電子写真感光体1の表面を、前露光手段(不図示)からの前露光光10により除電処理する除電機構を有していてもよい。また、本発明のプロセスカートリッジ11を電子写真装置本体に着脱するために、レールなどの案内手段12を設けてもよい。
本発明の電子写真感光体は、レーザービームプリンター、LEDプリンター、複写機などに用いることができる。
本発明のプロセスカートリッジは、これまで述べてきた電子写真感光体と、帯電手段、現像手段、転写手段及びクリーニング手段からなる群より選択される少なくとも1つの手段とを一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であることを特徴とする。
また、本発明の電子写真装置は、これまで述べてきた電子写真感光体、帯電手段、露光手段、現像手段及び転写手段を有することを特徴とする。
図4に、電子写真感光体を備えたプロセスカートリッジを有する電子写真装置の概略構成の一例を示す。
電子写真感光体1は円筒状であり、軸2を中心に矢印方向に所定の周速度で回転駆動される。電子写真感光体1の表面は、帯電手段3により、正又は負の所定電位に帯電される。尚、図においては、ローラ型帯電部材によるローラ帯電方式を示しているが、コロナ帯電方式、近接帯電方式、注入帯電方式などの帯電方式を採用してもよい。帯電された電子写真感光体1の表面には、露光手段(不図示)から露光光4が照射され、目的の画像情報に対応した静電潜像が形成される。電子写真感光体1の表面に形成された静電潜像は、現像手段5内に収容されたトナーで現像され、電子写真感光体1の表面にはトナー像が形成される。電子写真感光体1の表面に形成されたトナー像は、転写手段6により、転写材7に転写される。トナー像が転写された転写材7は、定着手段8へ搬送され、トナー像の定着処理を受け、電子写真装置の外へプリントアウトされる。電子写真装置は、転写後の電子写真感光体1の表面に残ったトナーなどの付着物を除去するための、クリーニング手段9を有していてもよい。また、クリーニング手段を別途設けず、上記付着物を現像手段などで除去する、所謂、クリーナーレスシステムを用いてもよい。電子写真装置は、電子写真感光体1の表面を、前露光手段(不図示)からの前露光光10により除電処理する除電機構を有していてもよい。また、本発明のプロセスカートリッジ11を電子写真装置本体に着脱するために、レールなどの案内手段12を設けてもよい。
本発明の電子写真感光体は、レーザービームプリンター、LEDプリンター、複写機などに用いることができる。
以下、実施例及び比較例を用いて本発明をさらに詳細に説明する。本発明は、その要旨を超えない限り、下記の実施例によって何ら限定されるものではない。尚、本明細書の記載において、「部」や「%」とあるのは特に断りのない限り質量基準である。
[化合物の合成]
本発明に使用する化合物等の確認は、以下の質量分析法によって行った。
マトリックス支援レーザー脱離イオン化飛行時間質量分析計(MALDI-TOF MS:ブルカー・ダルトニクス(株)製 ultraflex)を用いた。条件としては、加速電圧:20kV、モード:Reflector、分子量標準品:フラーレンC60であり、得られたピークトップ値で分子量を確認した。
本発明に使用する化合物等の確認は、以下の質量分析法によって行った。
マトリックス支援レーザー脱離イオン化飛行時間質量分析計(MALDI-TOF MS:ブルカー・ダルトニクス(株)製 ultraflex)を用いた。条件としては、加速電圧:20kV、モード:Reflector、分子量標準品:フラーレンC60であり、得られたピークトップ値で分子量を確認した。
[合成例1]
化合物(A-2)の合成
窒素気流下0℃条件下で、四塩化炭素150部を入れた300ml3つ口フラスコにN,N,N’,N’-テトラキス(p-トリル)ベンジジン(東京化成工業(株)製)10部、N-ブロモスクシンイミド(東京化成工業(株)製)0.33部、アゾビスイソブチロニトリル(東京化成工業(株)製)0.002部を加えた。窒素気流下0℃条件下で2時間撹拌後、室温で2時間撹拌した。
反応終了後、反応液を減圧濃縮し、残渣にトルエンを加えた後濾過を行い、濾液をエバポレータにて濃縮後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒n-ヘプタン/トルエン)にて精製した。さらに回収品をトルエン/ヘキサン混合溶液で再結晶を行い、式(111)で示される化合物1.2部を得た。
この化合物をMALDI-TOF MSで測定したところ、ピークトップ値622を得た。
続いて、窒素気流下0℃条件下で、ニトロベンゼン150部を入れた300ml3つ口フラスコに、化合物(111)10部、N,N,N’,N’-テトラキス(p-トリル)ベンジジン10部、塩化アルミニウム(東京化成工業(株)製)0.1部を加え、25℃まで昇温の後、8時間撹拌した。
反応終了後、反応液を減圧濃縮し、残渣にトルエンを加えた後濾過を行い、濾液をエバポレータにて濃縮後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒n-ヘプタン/トルエン)にて精製した。さらに回収品をトルエン/ヘキサン混合溶液で再結晶を行い、式(C-2)で示される化合物0.8部を得た。
この化合物をMALDI-TOF MSで測定したところ、ピークトップ値1087を得た。
化合物(A-2)の合成
反応終了後、反応液を減圧濃縮し、残渣にトルエンを加えた後濾過を行い、濾液をエバポレータにて濃縮後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒n-ヘプタン/トルエン)にて精製した。さらに回収品をトルエン/ヘキサン混合溶液で再結晶を行い、式(111)で示される化合物1.2部を得た。
この化合物をMALDI-TOF MSで測定したところ、ピークトップ値622を得た。
反応終了後、反応液を減圧濃縮し、残渣にトルエンを加えた後濾過を行い、濾液をエバポレータにて濃縮後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒n-ヘプタン/トルエン)にて精製した。さらに回収品をトルエン/ヘキサン混合溶液で再結晶を行い、式(C-2)で示される化合物0.8部を得た。
この化合物をMALDI-TOF MSで測定したところ、ピークトップ値1087を得た。
[合成例2]
化合物(A-3)の合成
窒素気流下室温条件下で、テトラヒドロフラン340部を入れた300ml3つ口フラスコに上記式(111)で示される化合物と、N,N,N’,N’-テトラキス(p-トリル)ベンジジン10部と、金属ナトリウム分散体(商品名:SD Super Fine、(株)神鋼環境ソリューション製)1部を加え、8時間撹拌した。
反応終了後、反応液を減圧濃縮し、残渣にトルエンを加えた後濾過を行い、濾液をエバポレータにて濃縮後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒n-ヘプタン/トルエン)にて精製した。さらに回収品をトルエン/ヘキサン混合溶液で再結晶を行い、式(A-3)で示される化合物0.05部を得た。
この化合物をMALDI-TOF MSで測定したところ、ピークトップ値1087を得た。
化合物(A-3)の合成
反応終了後、反応液を減圧濃縮し、残渣にトルエンを加えた後濾過を行い、濾液をエバポレータにて濃縮後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒n-ヘプタン/トルエン)にて精製した。さらに回収品をトルエン/ヘキサン混合溶液で再結晶を行い、式(A-3)で示される化合物0.05部を得た。
この化合物をMALDI-TOF MSで測定したところ、ピークトップ値1087を得た。
[実施例1]
<電子写真感光体の製造>
直径24mm、長さ257.5mmのアルミニウムシリンダー(JIS-A3003、アルミニウム合金)を支持体(導電性支持体)とした。
続いて、以下の材料を用意した。
<電子写真感光体の製造>
直径24mm、長さ257.5mmのアルミニウムシリンダー(JIS-A3003、アルミニウム合金)を支持体(導電性支持体)とした。
続いて、以下の材料を用意した。
<導電層>
(金属酸化物粒子)
芯材の二酸化チタンは公知の硫酸法で製造することができる。即ち、硫酸チタン、硫酸チタニルを含む溶液を加熱して加水分解させメタチタン酸スラリーを作製し、該メタチタン酸スラリーを脱水焼成して得られる。芯材粒子として、平均一次粒径が200nmのアナターゼ型酸化チタン粒子を使用した。チタンをTiO2換算で33.7g、ニオブをNb2O5換算で2.9g含有するチタンニオブ硫酸溶液を調製した。芯材粒子100gを純水に分散して1Lの懸濁液とし、60℃に加温した。チタンニオブ硫酸溶液と10mol/l水酸化ナトリウム溶液とを懸濁液のpHが2~3になるように3時間かけて滴下した。全量滴下後、pHを中性付近に調整し、凝集剤を添加して固形分を沈降させた。上澄みを除去し、残部をろ過、その残渣を洗浄し、110℃で乾燥し、凝集剤由来の有機物をC換算で0.1wt%含有する中間体を得た。この中間体を窒素ガス中800℃で1時間焼成を行って、金属酸化物粒子を作製した。
(金属酸化物粒子)
芯材の二酸化チタンは公知の硫酸法で製造することができる。即ち、硫酸チタン、硫酸チタニルを含む溶液を加熱して加水分解させメタチタン酸スラリーを作製し、該メタチタン酸スラリーを脱水焼成して得られる。芯材粒子として、平均一次粒径が200nmのアナターゼ型酸化チタン粒子を使用した。チタンをTiO2換算で33.7g、ニオブをNb2O5換算で2.9g含有するチタンニオブ硫酸溶液を調製した。芯材粒子100gを純水に分散して1Lの懸濁液とし、60℃に加温した。チタンニオブ硫酸溶液と10mol/l水酸化ナトリウム溶液とを懸濁液のpHが2~3になるように3時間かけて滴下した。全量滴下後、pHを中性付近に調整し、凝集剤を添加して固形分を沈降させた。上澄みを除去し、残部をろ過、その残渣を洗浄し、110℃で乾燥し、凝集剤由来の有機物をC換算で0.1wt%含有する中間体を得た。この中間体を窒素ガス中800℃で1時間焼成を行って、金属酸化物粒子を作製した。
(導電層用塗布液)
結着材料としてのフェノール樹脂(フェノール樹脂のモノマー/オリゴマー)(商品名:プライオーフェンJ-325、DIC製、樹脂固形分:60%、硬化後の密度:1.3g/cm2)80部を、溶剤としての1-メトキシ-2-プロパノール60部に溶解させて溶液を得た。この溶液に金属酸化物粒子を100部加え、これを分散媒体として平均粒径1.0mmのガラスビーズ200部を用いた縦型サンドミルに入れ、分散液温度23±3℃、回転数1500rpm(周速5.5m/s)の条件で2時間分散処理を行い、分散液を得た。この分散液からメッシュでガラスビーズを取り除いた。ガラスビーズを取り除いた後の分散液を、PTFE濾紙(商品名:PF060、アドバンテック東洋製)を用いて加圧ろ過した。加圧ろ過後の分散液に、レベリング剤としてシリコーンオイル(商品名:SH28PAINT ADDITIVE、東レ・ダウコーニング製)0.015部、及び、表面粗さ付与材としてシリコーン樹脂粒子(商品名:KMP-590、信越化学工業製、平均粒径:2μm、密度:1.3g/cm3)15部を添加して攪拌することによって、導電層用塗布液を調製した。
この導電層用塗布液を常温常湿(23℃/50%RH)環境下で支持体上に浸漬塗布し、得られた塗膜を30分間150℃で乾燥及び熱硬化させることによって、膜厚が30μmの導電層を形成した。
結着材料としてのフェノール樹脂(フェノール樹脂のモノマー/オリゴマー)(商品名:プライオーフェンJ-325、DIC製、樹脂固形分:60%、硬化後の密度:1.3g/cm2)80部を、溶剤としての1-メトキシ-2-プロパノール60部に溶解させて溶液を得た。この溶液に金属酸化物粒子を100部加え、これを分散媒体として平均粒径1.0mmのガラスビーズ200部を用いた縦型サンドミルに入れ、分散液温度23±3℃、回転数1500rpm(周速5.5m/s)の条件で2時間分散処理を行い、分散液を得た。この分散液からメッシュでガラスビーズを取り除いた。ガラスビーズを取り除いた後の分散液を、PTFE濾紙(商品名:PF060、アドバンテック東洋製)を用いて加圧ろ過した。加圧ろ過後の分散液に、レベリング剤としてシリコーンオイル(商品名:SH28PAINT ADDITIVE、東レ・ダウコーニング製)0.015部、及び、表面粗さ付与材としてシリコーン樹脂粒子(商品名:KMP-590、信越化学工業製、平均粒径:2μm、密度:1.3g/cm3)15部を添加して攪拌することによって、導電層用塗布液を調製した。
この導電層用塗布液を常温常湿(23℃/50%RH)環境下で支持体上に浸漬塗布し、得られた塗膜を30分間150℃で乾燥及び熱硬化させることによって、膜厚が30μmの導電層を形成した。
<下引き層>
続いて、以下の材料を用意した。
ルチル型酸化チタン粒子(平均一次粒径:50nm、テイカ製)100部をトルエン500部と攪拌混合した。続いて、式(U-1)において、m=0、n=3、R1がメチル基であるビニルトリメトキシシラン(商品名:KBM-1003、信越化学製)3.0部を添加し、8時間攪拌した。その後、トルエンを減圧蒸留にて留去し、3時間120℃で乾燥させることによって、ビニルトリメトキシシランで表面処理済のルチル型酸化チタン粒子を得た。
続いて、以下の材料を用意した。
ルチル型酸化チタン粒子(平均一次粒径:50nm、テイカ製)100部をトルエン500部と攪拌混合した。続いて、式(U-1)において、m=0、n=3、R1がメチル基であるビニルトリメトキシシラン(商品名:KBM-1003、信越化学製)3.0部を添加し、8時間攪拌した。その後、トルエンを減圧蒸留にて留去し、3時間120℃で乾燥させることによって、ビニルトリメトキシシランで表面処理済のルチル型酸化チタン粒子を得た。
(下引き層用塗布液)
・前記ビニルメトキシシランで表面処理済のルチル型酸化チタン粒子18部
・N-メトキシメチル化ナイロン(商品名:トレジン(登録商標)EF―30T、ナガセケムテックス製)4.5部
・共重合ナイロン樹脂(商品名:アミラン(登録商標)CM8000、東レ製)1.5部
これらを、メタノール90部と1-ブタノール60部の混合溶剤に加えて分散液を調製した。
この分散液を、直径1.0mmのガラスビーズを用いて縦型サンドミルにて5時間分散処理することにより、下引き層用塗布液を調製した。この下引き層用塗布液を上記導電層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を10分間100℃で乾燥させることによって、膜厚が1.1μmの下引き層を形成した。
・前記ビニルメトキシシランで表面処理済のルチル型酸化チタン粒子18部
・N-メトキシメチル化ナイロン(商品名:トレジン(登録商標)EF―30T、ナガセケムテックス製)4.5部
・共重合ナイロン樹脂(商品名:アミラン(登録商標)CM8000、東レ製)1.5部
これらを、メタノール90部と1-ブタノール60部の混合溶剤に加えて分散液を調製した。
この分散液を、直径1.0mmのガラスビーズを用いて縦型サンドミルにて5時間分散処理することにより、下引き層用塗布液を調製した。この下引き層用塗布液を上記導電層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を10分間100℃で乾燥させることによって、膜厚が1.1μmの下引き層を形成した。
<電荷発生層>
(電荷発生層用塗布液)
CuKα特性X線回折におけるブラッグ角2θ±0.2°が7.4°及び28.2°に強いピークを有する結晶形のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶15部、ポリビニルブチラール(商品名:エスレック(登録商標)BX-1、積水化学工業製)10部、シクロヘキサノン139部、直径0.9mmのガラスビーズ354部を冷却水温度18℃下で4時間、サンドミル(K-800、五十嵐機械製造(現アイメックス)製、ディスク径70mm、ディスク枚数5枚)を用いて分散処理した。この際、ディスクが1分間に1,800回転する条件で行った。この分散液にシクロヘキサノン326部及び酢酸エチル465部を加えることによって、電荷発生層用塗布液を調製した。電荷発生層用塗布液を下引き層上に浸漬塗布して塗膜を形成し、得られた塗膜を10分間100℃で乾燥させることによって、電荷発生層を形成した。膜厚は、電荷発生層上の色濃度(X-rite、Aモード、エックスライト社製)から、下引き層上の色濃度を差し引いた値が0.80となるように調整した。
(電荷発生層用塗布液)
CuKα特性X線回折におけるブラッグ角2θ±0.2°が7.4°及び28.2°に強いピークを有する結晶形のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶15部、ポリビニルブチラール(商品名:エスレック(登録商標)BX-1、積水化学工業製)10部、シクロヘキサノン139部、直径0.9mmのガラスビーズ354部を冷却水温度18℃下で4時間、サンドミル(K-800、五十嵐機械製造(現アイメックス)製、ディスク径70mm、ディスク枚数5枚)を用いて分散処理した。この際、ディスクが1分間に1,800回転する条件で行った。この分散液にシクロヘキサノン326部及び酢酸エチル465部を加えることによって、電荷発生層用塗布液を調製した。電荷発生層用塗布液を下引き層上に浸漬塗布して塗膜を形成し、得られた塗膜を10分間100℃で乾燥させることによって、電荷発生層を形成した。膜厚は、電荷発生層上の色濃度(X-rite、Aモード、エックスライト社製)から、下引き層上の色濃度を差し引いた値が0.80となるように調整した。
(電荷輸送層用塗布液)
次に式(A-1)で表される化合物を60部、式(A-2)で表される化合物を0.013部、式(A-3)で表される化合物を0.007部、式(C-1)で表される化合物を26部及び、ポリカーボネート(商品名:ユーピロン(登録商標)Z400、三菱エンジニアリングプラスチックス(株)製)100部を、オルトキシレン250部、メチラール250部、安息香酸メチル250部の混合溶剤に溶解させることによって電荷輸送層用塗布液を調製した。この電荷輸送層用塗布液を電荷発生層上に浸漬塗布して塗膜を形成し、塗膜を30分間135℃で乾燥させることによって、膜厚が18μmの電荷輸送層を形成した。
次に式(A-1)で表される化合物を60部、式(A-2)で表される化合物を0.013部、式(A-3)で表される化合物を0.007部、式(C-1)で表される化合物を26部及び、ポリカーボネート(商品名:ユーピロン(登録商標)Z400、三菱エンジニアリングプラスチックス(株)製)100部を、オルトキシレン250部、メチラール250部、安息香酸メチル250部の混合溶剤に溶解させることによって電荷輸送層用塗布液を調製した。この電荷輸送層用塗布液を電荷発生層上に浸漬塗布して塗膜を形成し、塗膜を30分間135℃で乾燥させることによって、膜厚が18μmの電荷輸送層を形成した。
<保護層>
次に、以下の材料を用意した。
・(O-1)で示される構造式4部
・(O-2)で示される構造式6部
これらを、シクロヘキサノン7部と1-プロパノール3部に混合攪拌し、保護層用塗布液を調製した。
この保護層用塗布液を電荷輸送層上に浸漬塗布して塗膜を形成し、得られた塗膜を6分間50℃で乾燥させた。その後、窒素雰囲気下にて、加速電圧57kV、ビーム電流5.0mAの条件で支持体(被照射体)と電子線照射窓の距離を20mmとし、支持体(被照射体)を200rpmの速度で回転させながら、2.8秒間電子線を塗膜に照射した。なお、このときの電子線の吸収線量を測定したところ、15kGyであった。その後、窒素雰囲気下にて、25℃から117℃まで20秒かけて昇温させ、塗膜の加熱を行った。電子線照射から、その後の加熱処理までの酸素濃度は10ppm以下であった。次に、大気中において、塗膜の温度が25℃になるまで自然冷却し、塗膜の温度が105℃になる条件で30分間加熱処理を行い、膜厚1.9μmの保護層を形成した。このようにして、実施例1の保護層を有する円筒状(ドラム状)の電子写真感光体を作製した。
次に、以下の材料を用意した。
・(O-1)で示される構造式4部
・(O-2)で示される構造式6部
これらを、シクロヘキサノン7部と1-プロパノール3部に混合攪拌し、保護層用塗布液を調製した。
この保護層用塗布液を電荷輸送層上に浸漬塗布して塗膜を形成し、得られた塗膜を6分間50℃で乾燥させた。その後、窒素雰囲気下にて、加速電圧57kV、ビーム電流5.0mAの条件で支持体(被照射体)と電子線照射窓の距離を20mmとし、支持体(被照射体)を200rpmの速度で回転させながら、2.8秒間電子線を塗膜に照射した。なお、このときの電子線の吸収線量を測定したところ、15kGyであった。その後、窒素雰囲気下にて、25℃から117℃まで20秒かけて昇温させ、塗膜の加熱を行った。電子線照射から、その後の加熱処理までの酸素濃度は10ppm以下であった。次に、大気中において、塗膜の温度が25℃になるまで自然冷却し、塗膜の温度が105℃になる条件で30分間加熱処理を行い、膜厚1.9μmの保護層を形成した。このようにして、実施例1の保護層を有する円筒状(ドラム状)の電子写真感光体を作製した。
次いで、保護層表面を研磨して粗面化を行った。研磨シート(商品名:C-8000、富士写真フィルム(株)製)、基材:ポリエステルフィルム(厚さ:75μm)を用いた。詳しくは、研磨シート送りスピード:220mm/秒、電子写真感光体回転数:40rpm、押し当て圧:3N/m2、研磨シート及び電子写真感光体の回転方向はカウンター方向に30秒間で、粗面化を行った。
<トナーの製造>
(水系媒体の調製工程)
反応容器中のイオン交換水300.0部に、リン酸ナトリウム(ラサ工業社製・12水和物)4.2部を投入し、窒素パージしながら65℃で1.0時間保温した。
これに、T.K.ホモミクサー(特殊機化工業株式会社製)を用いて、12000rpmにて攪拌しながら、イオン交換水3.0部に2.8部の塩化カルシウム(2水和物)を溶解した塩化カルシウム水溶液を一括投入し、分散安定剤を含む水系媒体を調製した。さらに、水系媒体に10質量%塩酸を投入し、pHを6.0に調整し、水系媒体を得た。
(水系媒体の調製工程)
反応容器中のイオン交換水300.0部に、リン酸ナトリウム(ラサ工業社製・12水和物)4.2部を投入し、窒素パージしながら65℃で1.0時間保温した。
これに、T.K.ホモミクサー(特殊機化工業株式会社製)を用いて、12000rpmにて攪拌しながら、イオン交換水3.0部に2.8部の塩化カルシウム(2水和物)を溶解した塩化カルシウム水溶液を一括投入し、分散安定剤を含む水系媒体を調製した。さらに、水系媒体に10質量%塩酸を投入し、pHを6.0に調整し、水系媒体を得た。
(重合性単量体組成物の調製工程)
・スチレン:60.0部
・C.I.ピグメントブルー15:3 :6.5部
前記材料をアトライタ(三井三池化工機株式会社製)に投入し、さらに直径1.7mmのジルコニア粒子を用いて、220rpmで5.0時間分散させて、顔料分散液を調製した。
前記顔料分散液に下記材料を加えた。
・スチレン:20.0部
・n-ブチルアクリレート:20.0部
・架橋剤 ジビニルベンゼン:0.3部
・飽和ポリエステル樹脂:5.0部
(プロピレンオキサイド変性ビスフェノールA(2モル付加物)とテレフタル酸との重縮合物(モル比10:12)、ガラス転移温度Tg=68℃、重量平均分子量Mw=10000、分子量分布Mw/Mn=5.12)
・フィッシャートロプシュワックス(融点78℃):7.0部
これを65℃に保温し、T.K.ホモミクサー(特殊機化工業株式会社製)を用いて、500rpmにて均一に溶解、分散し、重合性単量体組成物を調製した。
・スチレン:60.0部
・C.I.ピグメントブルー15:3 :6.5部
前記材料をアトライタ(三井三池化工機株式会社製)に投入し、さらに直径1.7mmのジルコニア粒子を用いて、220rpmで5.0時間分散させて、顔料分散液を調製した。
前記顔料分散液に下記材料を加えた。
・スチレン:20.0部
・n-ブチルアクリレート:20.0部
・架橋剤 ジビニルベンゼン:0.3部
・飽和ポリエステル樹脂:5.0部
(プロピレンオキサイド変性ビスフェノールA(2モル付加物)とテレフタル酸との重縮合物(モル比10:12)、ガラス転移温度Tg=68℃、重量平均分子量Mw=10000、分子量分布Mw/Mn=5.12)
・フィッシャートロプシュワックス(融点78℃):7.0部
これを65℃に保温し、T.K.ホモミクサー(特殊機化工業株式会社製)を用いて、500rpmにて均一に溶解、分散し、重合性単量体組成物を調製した。
(表層用有機ケイ素化合物の加水分解工程)
撹拌機、温度計を備えた反応容器に、イオン交換水60.0部を秤量し、10wt%の塩酸を用いてpHを3.0に調整した。これを撹拌しながら加熱し、温度を70℃にした。その後、メチルトリエトキシシラン40.0部を添加して2時間撹拌して表層用有機ケイ素化合物の加水分解を行った。加水分解の終点は目視にて油水が分離せず1層になったことで確認を行い、冷却して表層用有機ケイ素化合物の加水分解液を得た。
撹拌機、温度計を備えた反応容器に、イオン交換水60.0部を秤量し、10wt%の塩酸を用いてpHを3.0に調整した。これを撹拌しながら加熱し、温度を70℃にした。その後、メチルトリエトキシシラン40.0部を添加して2時間撹拌して表層用有機ケイ素化合物の加水分解を行った。加水分解の終点は目視にて油水が分離せず1層になったことで確認を行い、冷却して表層用有機ケイ素化合物の加水分解液を得た。
(造粒工程)
水系媒体の温度を70℃、撹拌装置の回転数を12000rpmに保ちながら、水系媒体中に重合性単量体組成物を投入し、重合開始剤であるt-ブチルパーオキシピバレート9.0部を添加した。そのまま該撹拌装置にて12000rpmを維持しつつ10分間造粒した。
水系媒体の温度を70℃、撹拌装置の回転数を12000rpmに保ちながら、水系媒体中に重合性単量体組成物を投入し、重合開始剤であるt-ブチルパーオキシピバレート9.0部を添加した。そのまま該撹拌装置にて12000rpmを維持しつつ10分間造粒した。
(重合工程)
高速撹拌装置からプロペラ撹拌羽根に撹拌機を代え、150rpmで攪拌しながら70℃を保持して5.0時間重合を行い、85℃に昇温して2.0時間加熱することで重合反応を行い、トナー粒子のスラリーを得た。その後、スラリーの温度を70℃に冷却してpHを測定したところ、pH=5.0だった。70℃で撹拌を継続したまま、表層用有機ケイ素化合物の加水分解液を20.0部添加してトナー粒子の表層形成を開始した。そのまま90分保持した後に、水酸化ナトリウム水溶液を用いてスラリーの縮合を完結させるためにpH=9.0に調整してさらに300分保持して表層を形成させた。
高速撹拌装置からプロペラ撹拌羽根に撹拌機を代え、150rpmで攪拌しながら70℃を保持して5.0時間重合を行い、85℃に昇温して2.0時間加熱することで重合反応を行い、トナー粒子のスラリーを得た。その後、スラリーの温度を70℃に冷却してpHを測定したところ、pH=5.0だった。70℃で撹拌を継続したまま、表層用有機ケイ素化合物の加水分解液を20.0部添加してトナー粒子の表層形成を開始した。そのまま90分保持した後に、水酸化ナトリウム水溶液を用いてスラリーの縮合を完結させるためにpH=9.0に調整してさらに300分保持して表層を形成させた。
(洗浄、乾燥工程)
重合工程終了後、トナー粒子のスラリーを冷却し、トナー粒子のスラリーに塩酸を加えpH=1.5以下に調整して1時間撹拌放置してから加圧ろ過器で固液分離し、トナーケーキを得た。これをイオン交換水でリスラリーして再び分散液とした後に、前述のろ過器で固液分離した。リスラリーと固液分離とを、ろ液の電気伝導度が5.0μS/cm以下となるまで繰り返した後に、最終的に固液分離してトナーケーキを得た。得られたトナーケーキは気流乾燥機フラッシュジェットドライヤー(セイシン企業製)にて乾燥を行い、さらにコアンダ効果を利用した多分割分級機を用いて微粗粉をカットしてトナー粒子を得た。乾燥の条件は吹き込み温度90℃、乾燥機出口温度40℃、トナーケーキの供給速度はトナーケーキの含水率に応じて出口温度が40℃から外れない速度に調整した。トナー粒子の断面TEM観察においてケイ素マッピングを行い、表層に均一なケイ素原子が存在すること、有機ケイ素重合体を含有するトナー粒子の表層の厚みが2.5nm以下である分割軸の数の割合が、20.0%以下であることを確認した。以降の実施例及び比較例においても、有機ケイ素重合体を含有する表層は同様のケイ素マッピングで表層に均一なケイ素原子が存在すること、表層の厚み2.5nm以下である分割軸の数の割合が20.0%以下であることを確認した。本実施例においては、得られたトナー粒子を外添せずにそのままトナーとして用いた。
重合工程終了後、トナー粒子のスラリーを冷却し、トナー粒子のスラリーに塩酸を加えpH=1.5以下に調整して1時間撹拌放置してから加圧ろ過器で固液分離し、トナーケーキを得た。これをイオン交換水でリスラリーして再び分散液とした後に、前述のろ過器で固液分離した。リスラリーと固液分離とを、ろ液の電気伝導度が5.0μS/cm以下となるまで繰り返した後に、最終的に固液分離してトナーケーキを得た。得られたトナーケーキは気流乾燥機フラッシュジェットドライヤー(セイシン企業製)にて乾燥を行い、さらにコアンダ効果を利用した多分割分級機を用いて微粗粉をカットしてトナー粒子を得た。乾燥の条件は吹き込み温度90℃、乾燥機出口温度40℃、トナーケーキの供給速度はトナーケーキの含水率に応じて出口温度が40℃から外れない速度に調整した。トナー粒子の断面TEM観察においてケイ素マッピングを行い、表層に均一なケイ素原子が存在すること、有機ケイ素重合体を含有するトナー粒子の表層の厚みが2.5nm以下である分割軸の数の割合が、20.0%以下であることを確認した。以降の実施例及び比較例においても、有機ケイ素重合体を含有する表層は同様のケイ素マッピングで表層に均一なケイ素原子が存在すること、表層の厚み2.5nm以下である分割軸の数の割合が20.0%以下であることを確認した。本実施例においては、得られたトナー粒子を外添せずにそのままトナーとして用いた。
<化合物量の分析>
電荷輸送層の全質量に対する各電荷輸送物質、結着樹脂、各化合物の質量比は以下の条件によって分析した。
得られた電子写真感光体の表面を剃刀でそぎ落とし、電荷輸送層切片を得た。この電荷輸送層切片を重水素化クロロホルム中に溶解させたのち、1H-NMR測定(装置:BRUKER製、AVANCEIII 500)を行うことで電荷輸送層全質量に対する、式(C-1)で表される化合物、式(C-2)で表される化合物、及び結着樹脂の質量比を求めた。
また、電荷輸送層切片をクロロホルムに溶解させたのち、メタノール中に滴下することで結着樹脂を析出させた。次に、得られたメタノール溶液をφ0.45μmのフィルタを用いて濾過し、得られた濾液に対して液体クロマトグラフィー質量分析(LC/MS)を行うことで式(A-1)で表される化合物に対する式(A-2)で表される化合物、式(A-3)で表される化合物の質量比を求めた。
以上の分析結果から、下記の含有量を算出した。得られた結果を表1に示した。
電荷輸送層の全質量に対する各電荷輸送物質、結着樹脂、各化合物の質量比は以下の条件によって分析した。
得られた電子写真感光体の表面を剃刀でそぎ落とし、電荷輸送層切片を得た。この電荷輸送層切片を重水素化クロロホルム中に溶解させたのち、1H-NMR測定(装置:BRUKER製、AVANCEIII 500)を行うことで電荷輸送層全質量に対する、式(C-1)で表される化合物、式(C-2)で表される化合物、及び結着樹脂の質量比を求めた。
また、電荷輸送層切片をクロロホルムに溶解させたのち、メタノール中に滴下することで結着樹脂を析出させた。次に、得られたメタノール溶液をφ0.45μmのフィルタを用いて濾過し、得られた濾液に対して液体クロマトグラフィー質量分析(LC/MS)を行うことで式(A-1)で表される化合物に対する式(A-2)で表される化合物、式(A-3)で表される化合物の質量比を求めた。
以上の分析結果から、下記の含有量を算出した。得られた結果を表1に示した。
[実施例2]
実施例1において、式(A-2)で表される化合物を0.011部、式(A-3)で表される化合物を0部に変更した。それ以外は実施例1と同様にして電子写真感光体を作製した。
実施例1において、式(A-2)で表される化合物を0.011部、式(A-3)で表される化合物を0部に変更した。それ以外は実施例1と同様にして電子写真感光体を作製した。
[実施例3]
実施例1において、式(A-2)で表される化合物を0.019部、式(A-3)で表される化合物を0.018部に変更した。それ以外は実施例1と同様にして電子写真感光体を作製した。
実施例1において、式(A-2)で表される化合物を0.019部、式(A-3)で表される化合物を0.018部に変更した。それ以外は実施例1と同様にして電子写真感光体を作製した。
[実施例4]
実施例1において、式(A-2)で表される化合物を0.015部、式(A-3)で表される化合物を0.006部に変更した。それ以外は実施例1と同様にして電子写真感光体を作製した。
実施例1において、式(A-2)で表される化合物を0.015部、式(A-3)で表される化合物を0.006部に変更した。それ以外は実施例1と同様にして電子写真感光体を作製した。
[実施例5]
実施例1において、式(A-1)で表される化合物を60部、式(A-2)で表される化合物を0.016部、式(A-3)で表される化合物を0部、式(C-1)で表される化合物を0部に変更した。それ以外は実施例1と同様にして電子写真感光体を作製した。
実施例1において、式(A-1)で表される化合物を60部、式(A-2)で表される化合物を0.016部、式(A-3)で表される化合物を0部、式(C-1)で表される化合物を0部に変更した。それ以外は実施例1と同様にして電子写真感光体を作製した。
[実施例6]
実施例1において、式(A-1)で表される化合物を60部、式(A-2)で表される化合物を0.019部、式(C-1)で表される化合物を0部に変更した。それ以外は実施例1と同様にして電子写真感光体を作製した。
実施例1において、式(A-1)で表される化合物を60部、式(A-2)で表される化合物を0.019部、式(C-1)で表される化合物を0部に変更した。それ以外は実施例1と同様にして電子写真感光体を作製した。
[実施例7]
実施例1において、式(A-1)で表される化合物を60部、式(A-2)で表される化合物を0.022部、式(A-3)で表される化合物を0.006部、式(C-1)で表される化合物を0部に変更した。それ以外は実施例1と同様にして電子写真感光体を作製した。
実施例1において、式(A-1)で表される化合物を60部、式(A-2)で表される化合物を0.022部、式(A-3)で表される化合物を0.006部、式(C-1)で表される化合物を0部に変更した。それ以外は実施例1と同様にして電子写真感光体を作製した。
[実施例8]
実施例1において、式(A-1)で表される化合物を70部、式(A-2)で表される化合物を0.025部、式(A-3)で表される化合物を0部、式(C-1)で表される化合物を30部に変更した。それ以外は実施例1と同様にして電子写真感光体を作製した。
実施例1において、式(A-1)で表される化合物を70部、式(A-2)で表される化合物を0.025部、式(A-3)で表される化合物を0部、式(C-1)で表される化合物を30部に変更した。それ以外は実施例1と同様にして電子写真感光体を作製した。
[実施例9]
実施例1において、式(A-1)で表される化合物を70部、式(A-2)で表される化合物を0.030部、式(A-3)で表される化合物を0.010部、式(C-1)で表される化合物を30部に変更した。それ以外は実施例1と同様にして電子写真感光体を作製した。
実施例1において、式(A-1)で表される化合物を70部、式(A-2)で表される化合物を0.030部、式(A-3)で表される化合物を0.010部、式(C-1)で表される化合物を30部に変更した。それ以外は実施例1と同様にして電子写真感光体を作製した。
[実施例10]
実施例1において、式(A-1)で表される化合物を77部、式(A-2)で表される化合物を0.034部、式(A-3)で表される化合物を0.006部、式(C-1)で表される化合物を23部に変更した。それ以外は実施例1と同様にして電子写真感光体を作製した。
実施例1において、式(A-1)で表される化合物を77部、式(A-2)で表される化合物を0.034部、式(A-3)で表される化合物を0.006部、式(C-1)で表される化合物を23部に変更した。それ以外は実施例1と同様にして電子写真感光体を作製した。
[実施例11]
実施例1において、式(A-1)で表される化合物を100部、式(A-2)で表される化合物を0.036部、式(A-3)で表される化合物を0部、式(C-1)で表される化合物を0部に変更した。それ以外は実施例1と同様にして電子写真感光体を作製した。
実施例1において、式(A-1)で表される化合物を100部、式(A-2)で表される化合物を0.036部、式(A-3)で表される化合物を0部、式(C-1)で表される化合物を0部に変更した。それ以外は実施例1と同様にして電子写真感光体を作製した。
[実施例12]
実施例1において、式(A-1)で表される化合物を100部、式(A-2)で表される化合物を0.070部、式(A-3)で表される化合物を0.058部、式(C-1)で表される化合物を0部に変更した。それ以外は実施例1と同様にして電子写真感光体を作製した。
実施例1において、式(A-1)で表される化合物を100部、式(A-2)で表される化合物を0.070部、式(A-3)で表される化合物を0.058部、式(C-1)で表される化合物を0部に変更した。それ以外は実施例1と同様にして電子写真感光体を作製した。
[実施例13]
実施例1において、式(A-1)で表される化合物を100部、式(A-2)で表される化合物を0.043部、式(A-3)で表される化合物を0.010部、式(C-1)で表される化合物を0部に変更した。それ以外は実施例1と同様にして電子写真感光体を作製した。
実施例1において、式(A-1)で表される化合物を100部、式(A-2)で表される化合物を0.043部、式(A-3)で表される化合物を0.010部、式(C-1)で表される化合物を0部に変更した。それ以外は実施例1と同様にして電子写真感光体を作製した。
[実施例14]
実施例1において、式(A-1)で表される化合物を100部、式(A-2)で表される化合物を0.062部、式(A-3)で表される化合物を0.024部、式(C-1)で表される化合物を0部に変更した。それ以外は実施例1と同様にして電子写真感光体を作製した。
実施例1において、式(A-1)で表される化合物を100部、式(A-2)で表される化合物を0.062部、式(A-3)で表される化合物を0.024部、式(C-1)で表される化合物を0部に変更した。それ以外は実施例1と同様にして電子写真感光体を作製した。
[実施例15]
実施例1において、式(A-1)で表される化合物を100部、式(A-2)で表される化合物を0.057部、式(A-3)で表される化合物を0.026部、式(C-1)で表される化合物を0部に変更した。それ以外は実施例1と同様にして電子写真感光体を作製した。
実施例1において、式(A-1)で表される化合物を100部、式(A-2)で表される化合物を0.057部、式(A-3)で表される化合物を0.026部、式(C-1)で表される化合物を0部に変更した。それ以外は実施例1と同様にして電子写真感光体を作製した。
[実施例16]
実施例1において、式(A-1)で表される化合物を100部、式(A-2)で表される化合物を0.051部、式(A-3)で表される化合物を0.026部、式(C-1)で表される化合物を0部に変更した。それ以外は実施例1と同様にして電子写真感光体を作製した。
実施例1において、式(A-1)で表される化合物を100部、式(A-2)で表される化合物を0.051部、式(A-3)で表される化合物を0.026部、式(C-1)で表される化合物を0部に変更した。それ以外は実施例1と同様にして電子写真感光体を作製した。
[実施例17]
実施例1において、式(A-1)で表される化合物を100部、式(A-2)で表される化合物を0.049部、式(A-3)で表される化合物を0.008部、式(C-1)で表される化合物を0部に変更した。それ以外は実施例1と同様にして電子写真感光体を作製した。
実施例1において、式(A-1)で表される化合物を100部、式(A-2)で表される化合物を0.049部、式(A-3)で表される化合物を0.008部、式(C-1)で表される化合物を0部に変更した。それ以外は実施例1と同様にして電子写真感光体を作製した。
[実施例18]
実施例1において、式(A-1)で表される化合物を42部、式(A-2)で表される化合物を0.011部、式(A-3)で表される化合物を0.008部、式(C-1)で表される化合物を式(C-2)で表される化合物18部に変更した。それ以外は実施例1と同様にして電子写真感光体を作製した。
実施例1において、式(A-1)で表される化合物を42部、式(A-2)で表される化合物を0.011部、式(A-3)で表される化合物を0.008部、式(C-1)で表される化合物を式(C-2)で表される化合物18部に変更した。それ以外は実施例1と同様にして電子写真感光体を作製した。
[実施例19]
実施例1において、式(A-1)で表される化合物を60部、式(A-2)で表される化合物を0.041部、式(A-3)で表される化合物を0.049部、式(C-1)で表される化合物を0部に変更した。それ以外は実施例1と同様にして電子写真感光体を作製した。
実施例1において、式(A-1)で表される化合物を60部、式(A-2)で表される化合物を0.041部、式(A-3)で表される化合物を0.049部、式(C-1)で表される化合物を0部に変更した。それ以外は実施例1と同様にして電子写真感光体を作製した。
[実施例20]
実施例1において、式(A-1)で表される化合物を70部、式(A-2)で表される化合物を0.029部、式(A-3)で表される化合物を0.011部、式(C-1)で表される化合物を、式(C-2)で表される化合物30部に変更した。それ以外は実施例1と同様にして電子写真感光体を作製した。
実施例1において、式(A-1)で表される化合物を70部、式(A-2)で表される化合物を0.029部、式(A-3)で表される化合物を0.011部、式(C-1)で表される化合物を、式(C-2)で表される化合物30部に変更した。それ以外は実施例1と同様にして電子写真感光体を作製した。
[実施例21]
実施例1において、式(A-1)で表される化合物を100部、式(A-2)で表される化合物を0.027部、式(A-3)で表される化合物を0.015部、式(C-1)で表される化合物を0部に変更した。それ以外は実施例1と同様にして電子写真感光体を作製した。
実施例1において、式(A-1)で表される化合物を100部、式(A-2)で表される化合物を0.027部、式(A-3)で表される化合物を0.015部、式(C-1)で表される化合物を0部に変更した。それ以外は実施例1と同様にして電子写真感光体を作製した。
[比較例1]
実施例1において、式(A-1)で表される化合物を42部、式(A-2)で表される化合物を0部、式(A-3)で表される化合物を0部、式(C-1)で表される化合物を0部に変更した。それ以外は実施例1と同様にして電子写真感光体を作製した。
実施例1において、式(A-1)で表される化合物を42部、式(A-2)で表される化合物を0部、式(A-3)で表される化合物を0部、式(C-1)で表される化合物を0部に変更した。それ以外は実施例1と同様にして電子写真感光体を作製した。
[比較例2]
実施例1において、式(A-1)で表される化合物を60部、式(A-2)で表される化合物を0.040部、式(A-3)で表される化合物を0.075部、式(C-1)で表される化合物を0部に変更した。それ以外は実施例1と同様にして電子写真感光体を作製した。
実施例1において、式(A-1)で表される化合物を60部、式(A-2)で表される化合物を0.040部、式(A-3)で表される化合物を0.075部、式(C-1)で表される化合物を0部に変更した。それ以外は実施例1と同様にして電子写真感光体を作製した。
[比較例3]
実施例1において、式(A-1)で表される化合物を60部、式(A-2)で表される化合物を0.058部、式(A-3)で表される化合物を0.109部、式(C-1)で表される化合物を0部に変更した。それ以外は実施例1と同様にして電子写真感光体を作製した。
実施例1において、式(A-1)で表される化合物を60部、式(A-2)で表される化合物を0.058部、式(A-3)で表される化合物を0.109部、式(C-1)で表される化合物を0部に変更した。それ以外は実施例1と同様にして電子写真感光体を作製した。
[比較例4]
実施例1において、式(A-1)で表される化合物を70部、式(A-2)で表される化合物を0.090部、式(A-3)で表される化合物を0.145部、式(C-1)で表される化合物を式(C-2)で表される化合物30部に変更した。それ以外は実施例1と同様にして電子写真感光体を作製した。
実施例1において、式(A-1)で表される化合物を70部、式(A-2)で表される化合物を0.090部、式(A-3)で表される化合物を0.145部、式(C-1)で表される化合物を式(C-2)で表される化合物30部に変更した。それ以外は実施例1と同様にして電子写真感光体を作製した。
[比較例5]
実施例1において、式(A-1)で表される化合物を70部、式(A-2)で表される化合物を0.152部、式(A-3)で表される化合物を0.050部、式(C-1)で表される化合物を式(C-2)で表される化合物30部に変更した。それ以外は実施例1と同様にして電子写真感光体を作製した。
実施例1において、式(A-1)で表される化合物を70部、式(A-2)で表される化合物を0.152部、式(A-3)で表される化合物を0.050部、式(C-1)で表される化合物を式(C-2)で表される化合物30部に変更した。それ以外は実施例1と同様にして電子写真感光体を作製した。
[評価]
作製した実施例1~21及び比較例1~5の電子写真感光体を使用して、以下の条件で画像上のメモリーを評価した。
電子写真装置には、ヒューレットパッカード社製のレーザービームプリンター、商品名HPColor LaserJet EnterpriseM653dnの改造機(75PPM,トナーは上記に記載)を使用した。評価に使用した電子写真装置は、前露光光を用いず、像露光光量と帯電ローラへの印加電圧を調節、及び測定ができるように改造した。
まず、実施例及び比較例の電子写真感光体を電子写真装置のシアン色のカートリッジに装着し、シアンのカートリッジのステーションに装着し、画像を出力した。
作製した実施例1~21及び比較例1~5の電子写真感光体を使用して、以下の条件で画像上のメモリーを評価した。
電子写真装置には、ヒューレットパッカード社製のレーザービームプリンター、商品名HPColor LaserJet EnterpriseM653dnの改造機(75PPM,トナーは上記に記載)を使用した。評価に使用した電子写真装置は、前露光光を用いず、像露光光量と帯電ローラへの印加電圧を調節、及び測定ができるように改造した。
まず、実施例及び比較例の電子写真感光体を電子写真装置のシアン色のカートリッジに装着し、シアンのカートリッジのステーションに装着し、画像を出力した。
まず、ベタ白画像(1枚)、ゴースト評価用画像(5枚)、ベタ黒画像(1枚)、ゴースト評価用画像(5枚)の順に連続して画像出力を行った。
ゴースト評価用画像は図5に示すように、画像の先頭部の白画像101中に四角のベタ画像102を出力した後、図6に示す桂馬パターンのハーフトーン画像を作成したものである。
ゴーストの評価は、1ドット桂馬パターンのハーフトーン画像103のマクベス濃度とゴースト部104(ポジゴーストが生じうる部分)のマクベス濃度との濃度差(マクベス濃度差)を測定することで行った。分光濃度計(商品名:X-Rite504/508、X-Rite(株)製)で、1枚のゴースト評価用画像中でマクベス濃度差を10点評価した。この操作をゴースト評価用画像10枚全てで行い、合計100点の平均をマクベス濃度差として算出した。初期のマクベス濃度差と15000枚出力後のマクベス濃度差の差をゴースト評価とした。このゴースト評価の値が小さいほど、ゴーストが抑制されたことを意味する。比較例1のゴースト評価値を1として、実施例1~21及び比較例2~5の相対ゴーストの値を算出した。以下の表1に示す。
表1に示されるD/Bとは、式(A-1)で表される化合物の含有量と結着樹脂の含有量の比であり、D/Dとは、式(A-1)で表される化合物の含有量と、式(A-2)で表される化合物の含有量及び式(A-3)で表される化合物の含有量及び式(C-1)で表される化合物の含有量及び式(C-2)で表される化合物の含有量の合計との比である。
ゴースト評価用画像は図5に示すように、画像の先頭部の白画像101中に四角のベタ画像102を出力した後、図6に示す桂馬パターンのハーフトーン画像を作成したものである。
ゴーストの評価は、1ドット桂馬パターンのハーフトーン画像103のマクベス濃度とゴースト部104(ポジゴーストが生じうる部分)のマクベス濃度との濃度差(マクベス濃度差)を測定することで行った。分光濃度計(商品名:X-Rite504/508、X-Rite(株)製)で、1枚のゴースト評価用画像中でマクベス濃度差を10点評価した。この操作をゴースト評価用画像10枚全てで行い、合計100点の平均をマクベス濃度差として算出した。初期のマクベス濃度差と15000枚出力後のマクベス濃度差の差をゴースト評価とした。このゴースト評価の値が小さいほど、ゴーストが抑制されたことを意味する。比較例1のゴースト評価値を1として、実施例1~21及び比較例2~5の相対ゴーストの値を算出した。以下の表1に示す。
表1に示されるD/Bとは、式(A-1)で表される化合物の含有量と結着樹脂の含有量の比であり、D/Dとは、式(A-1)で表される化合物の含有量と、式(A-2)で表される化合物の含有量及び式(A-3)で表される化合物の含有量及び式(C-1)で表される化合物の含有量及び式(C-2)で表される化合物の含有量の合計との比である。
本発明に係る実施形態についての開示は以下の構成を含む。
(構成1)
支持体、電荷発生層、及び電荷輸送層をこの順に有する電子写真感光体であって、
該電荷輸送層が下記式(A-1)で表される化合物、並びに下記式(A-2)で表される化合物、及び下記式(A-3)で表される化合物の少なくとも一方を含有する電子写真感光体。
(構成2)
前記電荷輸送層において、前記式(A-2)で表される化合物の含有量A2及び前記式(A-3)で表される化合物の含有量A3の総和が下記(1)式を満たし、かつ前記式(A-2)で表される化合物の含有量A2が下記式(2)、前記式(A-3)で表される化合物の含有量A3が下記式(3)を満たすことを特徴とする構成1に記載の電子写真感光体。
(1) 式:0.019質量%≦A2+A3≦0.129質量%
(2) 式:0.019質量%≦A2≦0.070質量%
(3) 式:0質量%≦A3≦0.058質量%
(構成3)
前記電荷輸送層が、さらに結着樹脂を含有し、該結着樹脂の含有量に対する前記式(A-1)で表される化合物の含有量が60質量%以上100質量%以下である構成1又は2に記載の電子写真感光体。
(構成4)
前記電荷輸送層が、前記式(A-1)で表される化合物の含有量に対する下記式(C-1)で表される化合物の含有量及び前記式(A-1)で表される化合物の含有量に対する下記式(C-2)で表される化合物の含有量がいずれも43質量%以下である構成1~3のいずれか1つに記載の電子写真感光体。
(構成5)
前記電荷輸送層が、前記式(A-1)で表される化合物の含有量に対する、前記式(A-2)で表される化合物の含有量、前記式(A-3)で表される化合物の含有量、下記式(C-1)で表される化合物の含有量、及び下記式(C-2)で表される化合物の含有量の合計が43質量%以下である構成1~4のいずれか1つに記載の電子写真感光体。
(構成6)
前記電荷発生層がヒドロキシフタロシアニンを含有する構成1~5のいずれか1つに記載の電子写真感光体。
(構成7)
構成1~6のいずれか1つに記載の電子写真感光体と、帯電手段、及びクリーニング手段からなる群より選択される少なくとも1つの手段とを一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であるプロセスカートリッジ。
(構成8)
構成1~6のいずれか1つに記載の電子写真感光体、並びに、露光手段、帯電手段、現像手段、及び転写手段を有する電子写真装置。
(構成1)
支持体、電荷発生層、及び電荷輸送層をこの順に有する電子写真感光体であって、
該電荷輸送層が下記式(A-1)で表される化合物、並びに下記式(A-2)で表される化合物、及び下記式(A-3)で表される化合物の少なくとも一方を含有する電子写真感光体。
前記電荷輸送層において、前記式(A-2)で表される化合物の含有量A2及び前記式(A-3)で表される化合物の含有量A3の総和が下記(1)式を満たし、かつ前記式(A-2)で表される化合物の含有量A2が下記式(2)、前記式(A-3)で表される化合物の含有量A3が下記式(3)を満たすことを特徴とする構成1に記載の電子写真感光体。
(1) 式:0.019質量%≦A2+A3≦0.129質量%
(2) 式:0.019質量%≦A2≦0.070質量%
(3) 式:0質量%≦A3≦0.058質量%
(構成3)
前記電荷輸送層が、さらに結着樹脂を含有し、該結着樹脂の含有量に対する前記式(A-1)で表される化合物の含有量が60質量%以上100質量%以下である構成1又は2に記載の電子写真感光体。
(構成4)
前記電荷輸送層が、前記式(A-1)で表される化合物の含有量に対する下記式(C-1)で表される化合物の含有量及び前記式(A-1)で表される化合物の含有量に対する下記式(C-2)で表される化合物の含有量がいずれも43質量%以下である構成1~3のいずれか1つに記載の電子写真感光体。
前記電荷輸送層が、前記式(A-1)で表される化合物の含有量に対する、前記式(A-2)で表される化合物の含有量、前記式(A-3)で表される化合物の含有量、下記式(C-1)で表される化合物の含有量、及び下記式(C-2)で表される化合物の含有量の合計が43質量%以下である構成1~4のいずれか1つに記載の電子写真感光体。
前記電荷発生層がヒドロキシフタロシアニンを含有する構成1~5のいずれか1つに記載の電子写真感光体。
(構成7)
構成1~6のいずれか1つに記載の電子写真感光体と、帯電手段、及びクリーニング手段からなる群より選択される少なくとも1つの手段とを一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であるプロセスカートリッジ。
(構成8)
構成1~6のいずれか1つに記載の電子写真感光体、並びに、露光手段、帯電手段、現像手段、及び転写手段を有する電子写真装置。
1 電子写真感光体
2 軸
3 帯電手段
4 露光光
5 現像手段
6 転写手段
7 転写材
8 定着手段
9 クリーニング手段
10 前露光光
11 プロセスカートリッジ
12 案内手段
2 軸
3 帯電手段
4 露光光
5 現像手段
6 転写手段
7 転写材
8 定着手段
9 クリーニング手段
10 前露光光
11 プロセスカートリッジ
12 案内手段
Claims (8)
- 前記電荷輸送層において、
前記式(A-2)で表される化合物の含有量A2及び前記式(A-3)で表される化合物の含有量A3の総和が、下記式(1)を満たし、
前記式(A-2)で表される化合物の含有量A2が、下記式(2)を満たし、
前記式(A-3)で表される化合物の含有量A3が、下記式(3)を満たす、
請求項1に記載の電子写真感光体。
0.019質量%≦A2+A3≦0.129質量% (1)
0.019質量%≦A2≦0.070質量% (2)
0質量%≦A3≦0.058質量% (3) - 前記電荷輸送層が、さらに結着樹脂を含有し、
前記電荷輸送層における該結着樹脂の含有量に対する前記式(A-1)で表される化合物の含有量が、60質量%以上100質量%以下である、
請求項1に記載の電子写真感光体。 - 前記電荷発生層が、ヒドロキシフタロシアニンを含有する、請求項1に記載の電子写真感光体。
- 請求項1~6のいずれか1項に記載の電子写真感光体と、帯電手段及びクリーニング手段からなる群より選択される少なくとも1つの手段と、を一体に支持し、電子写真装置の本体に着脱自在であるプロセスカートリッジ。
- 請求項1~6のいずれか1項に記載の電子写真感光体、並びに、露光手段、帯電手段、現像手段及び転写手段を有する電子写真装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022150265A JP2024044623A (ja) | 2022-09-21 | 2022-09-21 | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置 |
US18/463,725 US20240118633A1 (en) | 2022-09-21 | 2023-09-08 | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge and electrophotographic apparatus |
CN202311217569.9A CN117742094A (zh) | 2022-09-21 | 2023-09-20 | 电子照相感光构件、处理盒和电子照相设备 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022150265A JP2024044623A (ja) | 2022-09-21 | 2022-09-21 | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2024044623A true JP2024044623A (ja) | 2024-04-02 |
Family
ID=90251486
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022150265A Pending JP2024044623A (ja) | 2022-09-21 | 2022-09-21 | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20240118633A1 (ja) |
JP (1) | JP2024044623A (ja) |
CN (1) | CN117742094A (ja) |
-
2022
- 2022-09-21 JP JP2022150265A patent/JP2024044623A/ja active Pending
-
2023
- 2023-09-08 US US18/463,725 patent/US20240118633A1/en active Pending
- 2023-09-20 CN CN202311217569.9A patent/CN117742094A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN117742094A (zh) | 2024-03-22 |
US20240118633A1 (en) | 2024-04-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7129225B2 (ja) | 電子写真感光体および電子写真感光体の製造方法 | |
EP3575877B1 (en) | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus | |
EP3575878B1 (en) | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge and electrophotographic apparatus | |
US10031430B2 (en) | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus | |
EP2600195B1 (en) | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus | |
JP7059111B2 (ja) | 電子写真感光体およびその製造方法、並びにプロセスカートリッジおよび電子写真画像形成装置 | |
JP7034769B2 (ja) | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置 | |
JP7059112B2 (ja) | 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真画像形成装置 | |
JP7413054B2 (ja) | 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置 | |
US9804512B2 (en) | Electrophotographic photosensitive member, method for producing electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus | |
US11169453B2 (en) | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge and electrophotographic apparatus | |
JP2018185373A (ja) | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置 | |
US10331052B2 (en) | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus | |
EP3249471B1 (en) | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus | |
US11782353B2 (en) | Method for producing electrophotographic photosensitive member | |
JP2003186227A (ja) | 電子写真感光体、電子写真装置及びプロセスカートリッジ | |
JP2024044623A (ja) | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置 | |
JP2020118866A (ja) | 電子写真感光体の製造方法 | |
JP7425780B2 (ja) | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び電子写真装置 | |
JP6843654B2 (ja) | 電子写真装置 | |
US20220283522A1 (en) | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, electrophotographic apparatus, and method of manufacturing electrophotographic photosensitive member | |
JP2024044626A (ja) | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置 | |
JP2024044630A (ja) | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置 | |
JP2022155779A (ja) | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置 | |
JP2022133186A (ja) | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置 |